TW541363B - Method and device for manufacturing single crystals - Google Patents

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Μ __Β7 五、發明説明（工） ~ ~ -- 發明領域·· •本卷明疋有關於一種利用Czochralski方法（CZ方法） ，造單結晶♦之方法，且特別是有關於—種單結晶石夕之 |每裝置及製造方法，其可降低所製造獲得的單結晶石夕 沿縱向軸之氧密度。 習知技藝之描述： 單結晶矽一般都是以cz方法製造，而在cz方法 中，複晶矽塊是被供給於一石英材料的單結晶矽製造裝 置中然後利用加熱器對石英坩堝均勻施加熱量，使複 晶碎塊熔化，之後將一置於晶種夾中的晶種浸潰於熔化 的液体中。然後，將該晶種央及該石英掛堝分別以相反 方向或相同方向回轉，在此同時向上拉引晶種夾，以成 長一預定直徑及長度的單結晶矽。 ^由於坩堝的内表面與熔化的液體接觸，大部份的氧 ^會經由溶化的液體表面蒸發掉，並排出單結晶石夕製造 裝置外，然而剩餘的氧氣會進入被拉引的單結晶石夕中。 在單結晶石夕中的氧密度在剛被拉引時較高，而隨後續的 固化比例增加會有衰退的現象。氧進入單結晶矽所扮演 的角色是清除在半導體製程中的微量重金屬污染物，換 句話說就是内部清除效應（getteringeffect)。然而，當氧 存在於晶圓表面的活性層時，會產生氧化所誘導的:層 缺陷現象，造成半導體之元件電性的負面影響。 為了均衡一單結晶矽内部的縱向轴氧密度，有不同 的建議已被提出，如在特開平第2_192486號公報中揭露 541363 A7

五、發明説明（2 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 一種製造單結晶料方法，其主要是控制環繞於 堝本體周圍及其底部的加熱器輸出。此外，_揭露於 開平第217388號公報中的—種用於製造單結晶石^的= 法，其中提供一加熱遮蔽元件予石英掛網，可在利用a f法時’將除單結晶石夕拉引區域外的石英掛竭全部覆 蓋，且使得施加於環繞石英㈣本體及底部的加熱器= 出受到控制。 W ^ 且在特開平第5_294782號公報中，單結晶矽的氧密 度降低是藉由一主加熱器位於熔化熔化液體上方，及多 段式且呈同心圓形狀的次加熱器控制熔化液體的溫度。 然而在最近幾年，隨石英坩堝的體積增加，使得單 結晶矽體積尺寸也隨著變大，加熱器需要之電力及石英 坩堝與液體之接觸表面積也增大，且來自石英坩堝及熔 化液體中的氧含量也會增加。因此，要以上述的習知方 法獲彳于氧密度低於12 X l〇17at〇ms/cm3或極低氧密度1〇 X 1017at〇ms/Cm3的單結晶矽是有困難的。此外，要成長 大的結晶石夕需要一段長時間，然其中存有的危險是在加 熱充填及在複晶矽化的單結晶矽之拉引操作時會使得石 英掛禍品質惡化。有鑒於上述的情況，以習知的拉引操 作程序，要在石英坩堝中施加最小的熱負荷是困難的。 此外’在特開平第6-183876號公報中，此發明的作者揭 露一種當單結晶矽被拉引時是適合再充電材料的方法及 裝置’或在一定量的材料已被熔化而需要額外的材料以 增加熔化的液體量時，用以施加補充的材料電荷。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4. -訂· A7 B7 五、發明説明（3厂— 發明總結： 有鐾於上述習知技藝之缺點，本發明主要是提供一 y製梃大直控單結晶矽，其單一分佈於縱向軸的氧密 :疋少於 12X 1Ql7atGms/em3 或少於 1GX lG17atomS/cm3 的方法及裝置。 fj 1 ^ 了達到上述之目的，根據本發明，一藉CZ方法以 '、單…曰曰矽之裝置，其特徵在於一上加熱器位在石英 掛瑪上方，而該上加熱器至少具有下列功能其中之一： (1) 整流攜帶氣體； (2) 將石英坩堝中所充填的材料，以及其中的熔化液 體加熱； (3) 將被拉引的單結晶矽加熱； (4) 減少經由石英坩堝溶入熔化液體的氧含量，及因 熱負荷而引起石英坩堝的損壞；以及 (5) 提供熱歷程給熔化液體中被拉引的單結晶矽。 根據以上的結構，一上加熱器，並與位於石英坩堝 上方之整流攜帶氣體用的整流圓柱體連接；若上加熱器 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 及^加熱器同時使用時，則可減少由加熱器中所放出、的 熱量。因此，石英坩堝中所含之熱量以及由石英坩堝中 溶入熔化液體的氧含量都可降低。此外，在通過一預嗖 溫，區時，該單結晶矽是藉由上方加熱器來加熱，可= 止單結晶矽滑落，且預設的溫度歷程可供單結晶矽使 用。 根據此發明之用以製造單結晶矽的裝置，該上加熱 6 541363 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 --------------B7五、發明湖（4 ) ^ ^^—~ 器是一兩端具有開口的反置截角圓錐體，或一單段或多 段式圓柱體。 又〆夕 經由如此排列，當通過上加熱器時，可藉由所給予 的適當加熱歷程，使適當的單結晶矽在一預定的溫^下 被加熱。當使用多段式加熱器時，其加熱狀況之控=可 比使用單段式加熱器來得精確。 此外，根據本發明之上加熱器，至少面向熔化液體 之表面是被反射板所覆蓋。 藉由反射板的使用，來自主加熱器、石英坩堝及炼 化液體之輻射熱會反射在熔化的液體上，因此主加熱器 所需之電力就可大大地降低。 此外，在根據本發明之用以製造單結晶矽之裝置 中，該上加熱器是被安置於與圓柱體或反置的截角錐體 整流筒的較低端相鄰處。 經由這樣的排列，上方加熱器是位在靠近熔化的液 體表面，用以加速熔化液體或複晶矽塊的加熱，並使被 拉引的單結晶矽被保溫。 在根據本發明用以製造單結晶石夕之裝置中，並提供 一施加磁場用的裝置。 藉由對石英坩堝及熔化液體施加一側向磁場或尖端 磁場’熔化液體的熱對流可被防止。且可減少溶於液體 中的氧氣量以及單結晶矽中的氧密度。 根據本發明之製造單結晶矽之方法，其特徵在於控 制環繞在石英坩堝之主加熱器及位於石英坩堝上方之加 7 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·#衣 _ 訂 = - 1 ——— 本紙張尺度適财_家標準7CNS ) A4規格（210X297公釐) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 541363 A7 ----—— ____B7 五、發明説明（5 ) ~一—^~~— 熱器輸入電源，使在單結晶矽被拉引時可保持熔化液體 之溫度。 根據以上的結構，該溶化液體是被上加熱器所加 熱’即使主加熱器的輸出降低，熔化液體的溫度仍保持 在：定的範圍内。因此，石英坩堝所負荷的熱量減少， 石英坩堝的破壞就可避免，且可提昇單結晶矽的比例。 此外，由、熔化液體中取出之單結晶石夕是由上加熱器加 熱，當通過溫度區間1150 t〜時’因接觸而冷 確的溫度特別的小，使得小結晶缺陷的數目可被降低。 此外，根據本發明以製造單結晶矽之方法，其特徵 在對熔化的液體施加一磁場，並控制環繞石英坩堝的主 加熱器輸入電源，及控制單結晶矽被拿起時之位於石英 掛塌上方的上加熱器輸入電源。 經此排列，融化液體是被主加熱器及上加埶器所加 熱’而石訪堝之熱負荷量只有在使用—主加熱器或聯 合使用一主加熱器及一下加熱器時才會被降低，且在熔 化液體中的氧含量也會被降低。此外，對㈣化的液體 施加一侧向磁場或一尖端磁場，則可防止以往沿石英坩 堝内表面_的,_，且可進一步的降低溶於炼化液體 中的氧含量。因此，可獲得具有預期低氧含量的單結晶 石夕。 另外，根據本發明之用以製造單結晶矽的方法，其 特徵在於複晶矽塊的熔解以及後續預定量補充熔化液體 之充填，是由環繞石英坩堝之主加熱器及位於坩堝上方 8 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4^T^冗7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 541363 A7 ___ B7 五、發明説明（6 ) -- 之上加熱器輸入電源來控制。 若使用上加熱器，則再充電材料或補充的充電材料 可被簡易地熔化。另外，因主加熱器的輸出可被降低， 故石英坩堝的熱負荷量降低，可避免石英坩堝的破壞。 一般而g，在操作取出單結晶矽時，即使重覆幾次使用 相同的石英掛竭’單結晶化的比例仍不會消退。 囷式之簡單說明： 本發明在透過附有圖式之例子依序詳細說明後，可 以容易地被全盤了解： 第1圖是一垂直橫切剖面圖，顯示根據本發明之用 以製造單結晶矽裝置之第一實施例； 第2圖是一側視圖，第一實施例的上加熱器的形狀 及結構； 第3圖是一侧視圖，第二實施例的上加熱器的形狀 及結構； 第4圖是一側視圖，第三實施例的上加熱器的形狀 及結構； 第5圖是一側視圖，第四實施例的上加熱器的形狀 及結構； 第6圖是一垂直橫切剖面圖，顯示第五實施例的上 加熱器的形狀及結構； 第7圖是一垂直橫切面圖，顯示第六實施例的上加 熱器的形狀及結構’其中（a)顯示一位於整流筒之較低端 部份的内圍表面及外圍表面上方之加熱器，（b)顯示一位 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 541363 A7 _________ B7 五、發明説明（7 ) — 於整流筒之較低端部份的較外圍表面及外圍緣表面上方 之加熱器，（c)顯示兩加熱器，分別位於整流筒之較低端 伤的外緣表面及内圍表面上方； 第8圖是一統計圖，顯示沿單結晶石夕縱軸的氧密度； 第9圖是一垂直橫切剖面圖，顯示根據本發明之用 以製造單結晶矽裝置之第2實施例； 弟10圖是一垂直橫切剖面圖，顯示根據本發明之用 以製造單結晶矽裝置之第3實施例； 第11圖顯示輸入線圈之電流與所產生的尖端磁場間 的控制條件； 第12圖顯示當施加一磁場後，沿單結晶矽縱軸的氧 密度； 第13圖一垂直橫切剖面圖，顯示根據本發明之方 法’以製造單結晶矽之第4實施例的實驗裝置；以及 第14圖顯示比較不同案例之單結晶石夕比值。 符號說明： 1主要管室 4石英坩堝 5融化液 6主加熱器 9, 9Α，9Β，9C，9D，13, 15, 16 加熱器 10單結晶矽 11拉引管室 12反射板 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210—ίΪ97公釐） - II 11— - 11 ·1 1· m se I - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ^41363 A7 B7 五、發明説明（8 ) ^~ 13上加熱器 14整流筒 17線圈 18上線圈 19下線圈 較佳實施例之詳細說明： 其次，將以所附的相關圖式來說明本發明之製造單 結晶矽的方法及裝置。第丨圖是一垂直橫切面圖，顯示 根據本發明之用以製造單結晶矽裝置之第一實施例。如 圖中所示，一石墨坩堝3是被安裝於坩堝軸2的上方， 該坩堝軸2是位在主要管室丨内，可以旋轉或向上、向 下沿伸。此石墨坩堝3上並覆一石英坩堝4，其可儲存 熔化的複晶矽液體5 ; —圓柱狀的主加熱器6及一保溫 官路7環繞石墨坩堝3。一支撐膜8安裝在保溫筒7上方， 且上加熱器9是被固定在支撐膜8上方。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 丨 II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 被拉引的單結晶石夕10藉由上加熱器9兩邊，沿箭頭 方向被拉引進一拉引管室11内，並通過被拉引的單結晶 矽10的所在的環境，然後攜帶氣體通過位在上加執器曰曰9 及單結晶石夕1〇之間的清淨器。在攜帶氣體通過上加熱器

It,低端及熔化液體5之間的清淨器後，攜帶氣體伴隨 由炼化液體5所蒸發出的氧化石夕氣體（si0x)，經 2 1的底部被排出。 文e至 够第2〜7圖是顯示不同上加熱器之形狀及η士槿 圖中的上加熱器9是單段式的，其形狀像是、r具有

541363 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9) 兩個開口端（open end)的截角圓錐體，其是由碳CIp所製 成的，且其上端是由輪緣9a所提供，其上方所掛的則是 如第1圖所示的支撐膜8。第3圖中的上加熱器9A則是 一多段式膠帶，由碳CIP所製成，且是三排截頭上加熱 器9A1 ，9A2及9A3所組成。第4圖中的上加熱器9B 疋由石反CIP所構成的，其形狀像是一中空筒。第5圖中 的上加熱器9C是將一石墨cord吹進一具有截角圓錐體 形狀且塗佈有碳化矽錐體的線圈中而形成的。在以上的 例子中，石墨線也可被吹進一中空的管路中。第6圖所 不的上加熱器9D是一具有兩個開口的截角圓錐體，以及 一石墨製的反射板12覆蓋在加熱器9D1表面。該反射板 12是由石墨CIP或鉬，鎢等耐熱金屬所構成。 第7圖顯示一碳化矽所構成的整流筒，其較低端有 塗佈石反化石夕的石墨加熱器，其中（a)顯示一具有具有筒狀 加熱器13a位於整流筒14較低端的内圍表面，（b)顯示一 具有具有筒狀加熱器15a位於整流筒14較低端的外圍表 面’（c)顯示一具有兩筒狀加熱器i6a及i6b的上加熱器， 其分別位在整流筒14外緣表面及内圍表面。 第1圖顯示一製造單結晶矽用的裝置，其中丨2〇公 斤重的複晶矽被置於24英寸的石英坩堝中，以拉引出一 8英寸的單結晶矽。在第1圖中，使用一如第2圖所示的 上加熱器，並安排輸入100千瓦的電力給主加熱器，及 15千瓦的電力給上加熱器。比較之下，在習知的例子如 特開平第2-217388號公報，輸入1〇0千瓦的電力給主 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

12 541363 A7 B7 五 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 、發明説明~ 熱及千瓦的電力給下加熱器，以及將 英寸㈣财以拉引出8英寸的翠二晶 第8圖1統計圖，顯示根據上述條件下所製出的 早、、，°晶矽，沿其縱軸的氧密度。在習知的例子中，具有 ，固化率的區間如靠近單結晶條之肩部區域，氧密度較 咼’且氧密度會隨固化率的增加而降低。然而，使用本 發1明的製程後，可得到具有低氧密度少於i2 X l〇17at〇ms/em3的單結騎條塊，且其沿單結晶残塊之 縱軸的氧密度也是-致的。上述所克服的理由是上加熱 器的操作，降低了主加熱器的輸出，且未使用下加埶器。 因此’石英義所負荷的熱量便降低，且溶於溶化液體 中的氧含量也會降低。 ’第9圖疋一垂直橫切面圖，顯示根據本發明之用以 製造單結晶矽裝置之第2實施例。在此製造單結晶矽的 裝置中，兩個線圈17，17分別安置在高處及低處，與 主要管室1形成三明治結構，可對融化液體施加一侧向 磁場。第9圖的其它結構與第丨實施例所顯示的相同， 因此相同的構造元件以相同的號碼標示，並省略其說 明。 第10圖是一垂直橫切面圖，顯示根據本發明以製造 單結晶矽裝置之第3實施例。在製造單結晶矽的裝置中， 一環狀的上方線圈18及一環狀的下方線圈19環繞該主 要管室1，以對融化液體5施加一尖端磁場。第1 〇圖的 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ 297公资） 541363 A7 經 濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（11 ) 其它結構與第1實施例所顯示的相同，因此相同的構造 元件以相同的號碼標示，並省略其說明。 單結晶矽的製造裝置之第二及第三實施例分別顯示 於第9圖及第10圖中，12〇公斤的複晶矽被充填於24 英寸的坩堝中以拉引出8英寸的單結晶矽。使用第2圖 所示的上加熱器，並輸入1〇〇千瓦的電力給主加熱器， 以及15千瓦的電力給上加熱器。在第二實施例中，側向 磁場的強度是保持在4000高斯；而在第三實施例中，輸 入線圈電流之控制是根據如第u圖所顯示的圖，以符合 上升的固化率。 ϋ 為了比較，在習知的製程例子如揭露於特開平第2_ 229786 5虎公報中，輸入1〇〇千瓦的電力給主加熱器，μ 千瓦的電力給下加熱器，並施以一強度為4〇〇〇高斯的側 向磁場，以及將120公斤的複晶矽充填於24英寸的坩堝 中以拉引出8英寸的單結晶矽。 第12圖顯示的是根據上述的條件下，沿單結晶石夕縱 袖的氧密度。在第12圖中，本發明Α表示第二實施例及 第二實施例的結果。當使用習知技藝時，在具有低固化 率的區域如靠近單結晶料塊㈣㈣ 且隨固化率的增加會減少氧的密度。然而St ::17月的製'後’可得到具有整體氧密度低於10 X atoms/cm的極低氧密度單結晶石夕條塊，且其 士 晶矽縱軸方向的氧密度也變的幾乎一致。 、、° 根據本發明之製造單結晶石夕製造方法的第四實施

本紙張尺度適财_家 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’訂

• II ,i I I..... II - 541363 A7 五、發明説明（12 ) ~ 例’其改善處是用在除第一階段材料所剩餘的熔化液體 外，所必須被置入石英坩堝中熔化的複晶矽塊時所需要 的再充電裝置，或當第一階段的材料已經熔化而必須額 外加入材料以增加額外液體量時所施加的再充電裝置。 與第一階段材料有關的實驗中，使用如第13圖所顯 不的實驗裝置，將210公斤的複晶矽充填於28英寸的坩 堝中以拉引出12英寸的單結晶矽，其是使用一如第7(a) 圖所示的主加熱器及一上加熱器完成的。為了比較，兩 省头的例子只有主加熱器6及主加熱器6搭配下加熱器 2〇，被用來將單結晶矽拉引，其中輸入每一加熱器的電 里顯不於表'一 〇 . . i ^__w^ ~ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

熔化材料 形成的條塊 大小

製程 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 由上述的實驗所得到的單結晶㈣率顯示於第ι 圖’其中a代表根據本發明的單結晶製程所得到的單、* 晶比率’ B和C分別代表根據習知例1(只有使用主加逢 器W列取用主加熱器6及下加熱器2G)所獲得的單矣 晶比率。纟習知的例子中只有使用主加熱器或主加埶; 加上下加熱器’因此增大單結㈣條塊的尺寸，並辦加 « —-i-1 i n —i - - - d · 15 本紙張尺度適财關家標準（cns ) .lip· I 6

Bm I I --- 541363 A7 B7 五、發明説明（) 一 —" 石^坩堝的體積，以及石英坩堝的熱負荷，此加速會使 石英掛瑪損壞。此外，由掛瑪表面所渗出的氧化石夕片斷 會被捕捉進入單結晶矽以及後續的複晶矽内。因此在例B 中，單結晶化的比率掉到43%，而在例c中單結晶化的 比率則掉到57〇/。。然而，與習知的比較下，本發明掛塌 的熱負荷量極低，且其單結晶化的比率是8〇%。 其次，與材料再充電有關的實驗中，使用與第丨3圖 相同構造的裝置，以主加熱器6及上加熱器13將公 斤的複晶矽置於24英寸的坩堝申以拉引出8英寸的單結 晶矽70公斤，然後將充電過的材料加熱，以拉引第二單 結晶石夕。 為了比較，兩個習知案例只使用加熱器6或主加熱 器6搭配下加熱器20來熔化材料，其中輸入每一加熱器 的電量顯示於表二。 ^ ^

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 根據本發明的實驗中，獲得兩個單結晶矽條塊。當 使用習知技藝時，石英坩堝的損壞是極平常的，且兩: 單結晶條塊在拉引時會被複晶矽化。 如上所述，在根據本發明之CZ或MCZ方法製造單 結晶矽製程中，一上加熱器是被置於石英坩堝上，且經 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ297公釐 541363 五、發明説明（14 控制主加熱器和上加熱器的輸出以拉引出曰 據本發明之製程，石英坩堝的埶、'、0日日矽。根 七丄血⑽、 扪熱負何1小於習知只使用 口…、态或主加熱器搭配下加熱器。藉此，可降低溶於 融：液體中的氧含量，且可獲得具有低氧含量或超低氧 含量的單結晶矽。此外，可減緩坩堝損壞的速度，且可 提升單結晶化的比例。 根據本發明之單結晶矽的製造方法以及裝置，在最 佳狀態下可得到大直徑的單結晶矽塊，特別是其直寸超 過12英忖者。 ! 衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填{馬本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 541363 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

   90.12.27 /公 J±^ J 86107022號申請叫蔽|fu冬 六、申請專利範圍 1· 一種藉CZ方法以製造單結晶矽之裝置，設置一上加 熱器位在-石英掛禍上方；其中’該上加熱器是一兩端具有 開口的反置截角®錐體，或—單段或多段式的圓柱體，且至 少具有下列功能其中之一： (1)整流攜帶氣體； ⑵將石英it禍中所充填的材料，以及其中的熔化液體 加熱； (3) 將被拉引的單結晶石夕加熱； (4) 減少經由石英坩堝溶入熔化液體的氧含量，及因熱 負荷而引起石英坩堝的損壞；以及 (5) 提供熱歷程給炼化液體中被拉引的單結晶石夕。 ^ 2·如申請專利範圍第i項之裝置，其中至少該上加熱 器之面向熔化液體的表面是被反射板所覆蓋。 3· —種藉CZ方法以製造單結晶矽之裝置，設置一上加 熱器位在-石英掛竭上方；#中，f亥上加熱器是被安置於與 圓柱體或反置截角圓錐體整流筒的較低端相鄰處，且至少具 有下列功能其中之一： 八 (1) 整流攜帶氣體； (2) 將石英掛禍中所充填的材料，以及其中.的炫化液體 加熱； (3) 將被拉引的單結晶石夕加熱； (4) 減少經由石英坩堝溶入熔化液體的氧含量，及因熱 負荷而引起石英坩堝的損壞；以及 (5) 提供熱歷程給熔化液體中被拉引的單結晶矽。 19 私紙張尺錢时(⑽)：規格⑽χ 2gTi¥· ---------------------訂---------線丨·1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 541363 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 > 4·-種稭CZ方法以製造單結晶石夕之震置，提供一用以 施加磁場的裝置並設置一 …、态位在一石英坩堝上方；其 中6亥上加熱器至少具有下列功能其中之一· (1)整流攜帶氣體； ⑵將石英坩堝中所充填的材料，以及其中的熔化液 (3)將被拉引的單結晶矽加熱； ⑷減少經由石英坩堝溶入熔化液體的氧含量，及因埶 負何而引起石英坩堝的損壞；以及 (5)提供熱歷程給耗液體中被拉引的單結晶石夕。 妓5了種製造單結晶石夕的方法，其特徵在於控制輸入環 兀在石英掛竭之主加熱器電源及如申請專利範圍第卜2項 j 3項所不的位於石英㈣上方之上加熱器電源，使在拉引 单結晶％時可將熔化液體保持在既定的溫度範圍内。 6. -種製造單結晶石夕的方》，其特徵在對溶化液體施 加一磁場，並一面控制輸入環繞在石英坩堝之主加熱器電源 申明專利範圍第1，2項或3項所示的位於石英掛禍上 方之上加熱器電源，一面拉引單結晶矽。 7·種製造單結晶矽的方法，其特徵在於控制輸入主 加$器電源及如申請專利範圍帛i，2項《3項所示的上加 熱器電源而熔解複晶矽原料並補充至既定量的熔化液體。 加熱 體 IT^i--------線—I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 20 w I ϋ —I ϋ ϋ I e^i ·