TW538518B - Fuse structure - Google Patents

Description

538518 五、發明說明

[發明領域] 本發明是有關於-種炫絲結構；特別是一種能夠在進 行雷射燒斷（Laser Blow)製程時，避免對相鄰熔絲 生傷害之熔絲結構。 f 1 [習知技術說明]

積體電路通常會視需要形成可熔斷的連接線（丨⑽^卜 links)，也就是「熔絲（fuse)」，當作程式化元件 (programming elements)，以利產品在積體電 進行程式化。當然，可炼斷的連接線不限於程

途，這些連接線亦可用於修復（repairing)有缺陷的電 路。例如，積體電路記憶體通常形成有冗餘電路 (redundancy circuit)區域，當元件測試時發現有缺陷的 電路時，可利用雷射燒斷（Laser Blow)可熔斷的連接線， 以達到修復有缺陷電路的功效。為了使雷射能夠燒斷熔 絲’業者通常必須在積體電路製程形成熔絲窗（fuse window)以露出熔絲。然而習知的熔絲結構在經雷射燒斷 製程之後，常發現由於雷射光束對不準或雷射熱散射等的 原因’造成溶絲旁的相鄰熔絲結構受到熱衝擊（thermai sho^k)的傷害，例如是產生龜裂（crack)，而使得產品在

做高加速應力測試之失敗（HAST Fai 1)、以及產品可靠度 和良率之降低。 X 以下利用第1圖所示之習知的熔絲結構剖面圖，及第2 圖所不之習知的熔絲結構上視圖，以說明習知之熔絲結 構。其中第1圖係從第2圖之c_c'切線處來看。

538518 五、發明說明（2) 首先’凊參照第1圖，符號1 〇 〇表示一絕緣層基底，具 有一預定炫斷區域110。部分該基底100上形成有一金屬層 M0。該M0層上形成有一氧化層12〇。然後在部分該氧化層 上形成有另一金屬層M1。在該M0層及該M1層之間有一 氧化層120，並且具有一導體插塞13〇穿過該氧化層12()， 用以電性連接該M0層及該M1層。另外在位於包含該預定熔 斷區域110的該部分金屬層旧以及部分該氧化層12〇上方， 更形成有一熔絲窗140 ;而符號150係表示鈍化層。

接著’凊參照第2圖，第2圖係第1圖的上視圖，在溶 絲窗140中通常有複數條熔絲單元21〇、22〇、23〇、24〇， 每一熔絲單元係包括該M0層、該導體插塞13〇及該M1層。 其中實線係表示Ml層，虛線係表示M0層，而且每一炫^絲· w 元有各自的該預定熔斷區110。例如當雷射光束29〇照射 熔絲單元220的位於該預定熔斷區域11〇的们層時，:於帝 射光束290對不準或雷射熱散射的原因，造成^絲旁 鄰熔絲單元210、230的該等M0層受到熱衝擊的傷宝，畜 是產生龜裂（crack) ’而使得產品在做高加速應力°測言 失敗（HAST Fai 1 )、以及產品可靠度和良率之降低。'"因 此，在熔絲單元的單位密度不變的條件下，^ - . ^ 右能增加Ml芦

與相鄰熔絲結構的該等M0層之間的距離，必， ^ . 犯減少該Μ0屏 受到熱衝擊的傷害。 @ [發明概述] 有鑑於此，本發明的第一目的在於提供—…么 ，包括··一基底；複數導體層；-複數介電屏· a炫絲結構 电層，複數導體插

538518 五、發明說明（3) "" —— 塞。藉由新的排列方式，增加不同熔絲單元間的距離。 ^根據上述目的，本發明的第二目的在於提供一種熔緣 窗，該炼絲窗内具有複數個溶絲結構，而各該熔絲結構包 括：一基底；複數導體層；複數介電層；複數導體^塞^ 中 各5玄溶絲結構包括複數個溶絲單元，該等炼絲單元 彼此之間不作電性接觸。 … 70 實施例 以下利用第3A圖、第3B圖、第3C圖及第3D圖來說明本 發明第一實施例。第3A圖係本發明第一實施例的上視圖， 即熔絲窗之示意圖。第3B圖、第3C圖及第3D圖係第3a圖的 剖面圖。其中第3B圖係從第3A圖之第四橫向基準線H4切線 處之剖面來看，第3C圖係從第3A圖之第三橫向基準線⑽切 線處之面來看，第3 ])圖係從第3 a圖之第二橫向基準線η 2 切線處之剖面來看。 在第一實施例中，其中，第一橫向基準線H1、第二橫 向f準線H2、第三橫向基準線⑽、第四橫向基準線“、第 五k向基準線H5係依序排列；第一縱向基準線乂丨、第二縱 向基準線V2、第三縱向基準線¥3、第四縱向基準線”係依 序=列，而且，第二縱向基準線V2與第三縱向基準線V3相 互=近’以增加第一縱向基準線V1與第二縱向基準線v2、 第二縱向基準線V3與第四縱向基準線V4間的距離。 •=先，請參照第3B圖，此圖顯示有一絕緣層基底3〇 〇 ，接著，請參照第3A圖，一第一導體層371 (虛線部分） 形成於部分該基底3 〇 〇上，該第一導體層3 7}，係從第四 538518 五、發明說明（4) :向基準線V4沿著第-橫向基準線H1往第二方向β延伸 轉折延伸至第二縱向基準線V2 二 ， 點·一赞- - "、乐一杈向基準線H2交又 300’上一Λ一第Λ372 (虛線部分），形成於部分該基底 基準細往第一方向a延伸，轉折二Τ三了弟 基準線V3與第四橫向基準線H4交叉點、' 以及該第二導體層372，例如是气^體層3” /Λ 第㈣，在該基底300、該第一導 體層371以及該第二導體層372上形成有

,a"e ； V? ^3 ^ ^ ^ Λ i體二接觸孔以露出該第一導體層371及該第二 預μ斷區域310那—側的端部的表 :體二ί:入例如是鶴金屬或複晶石夕材料而形成的-第-導體插塞381以及一第四導體插塞384。 ’請參照第3Α圖，一第三導體層373 (虛線部分 二部分該第一介電層360上，該第三導體層373， 係從第一縱向基準線V1沿著第三橫向基準線Η3往第一方

:二伸，轉折延伸至第三縱向基準㈣與第二橫向基準線 们，叉點；一第四導體層374 (虛線部分），形成於 该第一介電層360上，該第四導體層374，係從第四縱向其 準線Vji沿著第五橫向基準線Η5往第二方向Β延伸，轉折延^ 伸至第二縱向基準線V2與第四橫向基準線Η4交又點.嗲 三導體層373以及該第四導體層3J4，例如是由沉積鎢°金屬

五、發明說明（5) 或複晶石夕材料所椹 層360、今笛 /成。然後請參照第⑽圖，在該第一介電 一第二介°電體層373以及該第四導體層374上形成有 成之二氧化4展 而該第二介電層361例如是由沉積法形 程在該第二介時請參照第3D圖，並利用微影钱刻製 體插塞381_、今第6j中各形成一接觸孔以露出該第一導 該第四導體四ί體插塞384、該第三導體層3了3以及 的表面，秋彳i填入^；罪近該預定熔斷區域31〇那一側的端部 第一導體插宾例如是鎢金屬或複晶矽材料而形成的一 383 ίχ η ^ 、—第二導體插塞382、一第三導體插塞 383以及;第四導體插塞384。 志一 ί ^道睛參照第3A圖’在部分該第二介電層36 1上形 377、-笛導體層375、—第六導體層376、一第七導體層 體乂380 . ί T體層m、一第九導體層379以及-第十導 vu,著第四Λ’/、第五導體層375，係從第一縱向基準線 準绫V2 .兮t向基準線114往第—方向Α延伸至第二縱向基 = ΐ導體層376，係從第四縱向基準線以沿著 該ίΐίίΐ!4往第二方向8延伸至第三縱向基準線V3 hi里& Jt體曰377，係從第一縱向基準線V1沿著第三橫 向口 JH3延伸至第四縱向基準線V4 ;該第八導體層378 二,Λ 一：向基準線¥1沿著第二橫向基準線H2往第-方 向A延伸至苐二縱向基準㈣；該 四縱向基準線V4沿荖篦- i生a I & 货“疋弟 五够一者弟一桉向基準線H2往第二方向B延伸 至第二縱向基準線V3 ;該第十導體層38 基準線η.沿著第一橫向基準帆延伸至第二 麵 0548-8043TWf，· 91034 ; 91035 ; andyp.ptd 第9頁 538518 五、發明說明（6) V4 ;而該第五導體層375、該筮丄$ 層377、該第八導體層378 、導體層376、言亥第七導體 導體層380，例如是由沉積鋁' 九導體層379以及該第十 所構成。其中，該第一導體;銅合金或複晶石夕材料 該第八導體層378有電性接觸曰，/、5亥第一導體插塞381、 體層373與該第二導體插塞3觸82、為;第溶= 接觸，為-熔絲單元；該第四導體H導/層379有電性 塞383、該第五導體層375有電” 5亥第二導體插 第二導體層372與該第四導體\^，為—溶絲單元；該 有電性接觸，為-熔絲單元^\3 84、該第六導體層… 單元；該第十導體層380為1該^七導體層m為一炼絲 例如是由PE-TEOS氧化石夕或氮化石夕=成其中该純化層370 畔Jo::參照第:A圖、’即熔絲窗39°之示意圖。在該熔 絲囪d 9 IK ί u s e w 1 n d o w )内诵赍古品批化，a 一 7 n艰吊有複數個熔絲結構（本圖只 顯不-個，絲結構），每一炫絲結構皆包括有六個溶絲單 兀，熔絲單元321、熔絲單元322、熔絲單元323、熔絲單 兀324、熔絲單兀325、熔絲單元32 6，而且每一熔絲單元 有各自的該熔斷區310，且該等熔絲單元321、322、323、 3 2 4、3 2 5、3 2 6彼此之間不作電性接觸。一第一預定溶斷 區，位於第四橫向基準線之該第五‘體層375上；一第二 預疋炫斷區，位於第四橫向基準線之該第六導體層376 上，一第二預定熔斷區，位於與該第二預定熔斷區同一邊 之該第七導體層377上；一第四預定熔斷區，位於第二橫 向基準線之該第八導體層378上丨一第五預定熔斷區，位

⑽518

二橫向基準線之該第九導體 定熔斷區，a从t 3上，以及一第六預 層38 0上。、該第四預定熔斷區同-邊之該第十導體 雷射光束290照 的該第八導體層 不準而使得相鄰 受到損傷的場合 同熔絲密度單位 第一實施例的溶 距離為大，故受 的該第四預定熔 體層373之間距 仍然請參照第3A、3C及3D圖。例如者 單元322之位於預定熔斷區3f〇 a時’當由於雷射光束290的熱散射或對 =孩熔絲單元3 2 3之部分該第三導體層3 7 3 日守’此時比較第3E圖習知熔絲結構，在相 面，下’同樣包含六個熔絲單元，本發明 絲單元之間距離，較習知的熔絲單元之間 到損傷的程度會較小。本發明第一實施例 斷區310與相鄰該熔絲單元322之該第三導 離’約為習知熔絲結構的丨.5倍。 々接著，本發明的第二實施例，請參照第4A圖、第4β圖 第4 C圖及第4 D圖。第4 A圖係本發明第二實施例的上視圖 ’即熔絲窗之示意圖。第4B圖、第4C圖及第4D圖係第4A圖 的剖面圖。其中第4B圖係從第4A圖之第三橫向基準線η3切 線處之剖面來看，第4C圖係從第4Α圖之第二橫向基準線Η2 切線處之剖面來看，第4D圖係從第4 Α圖之第三縱向基準線 V3切線處之剖面來看。 在第二實施例中，其中，第一橫向基準線H1、第二橫 向基準線H2、第三橫向基準線H3、第四橫向基準線H4係依 序排列；第一縱向基準線V1、第二縱向基準線V2、第三縱 向基準線V3、第四縱向基準線V(、第五縱向基準線V5、第

^18 五、發明說明i /、向其唯, 、，丞竿線V6、第七縱向基準線V7係依序排列。 I先，請參照第4B圖，此圖顯示有一絕緣 )，接开者赤請參照第㈣，一第十一導體糊（虛線= 第四橫分該基底上，該第十—導體層47卜係從 伸至筮σ二準線Η4沿著第一縱向基準線V1往第三方向C延 A轉折第延—伸橫至向/準細，沿第二橫向基準線H2往第一方向 線部分），开：縱向基準㈣；一第十二導體層472 (虛 ，係：=分該基底4〇0上，該第十二導體細 向c延伸至/二° 土準線H4沿者第七縱向基準線m主第三方 :方向B轉折延伸至第五 ·门3、細彺第 473 (虛線部分）， 羊線V5 , 一第十三導體層 體層473，係從第一 ^ | =勿該基底400上，該第十三導 在第一方向A延伸至靠 、 口 第二橫向基準線Η 3. J:·4往第三方向c轉折第四縱向 第十四導體層474 (虛線部分），=/田、向基準線H1; -上，該第十四導體層474 成於部分該基底400 三橫向基準線H3往第— ’r攸弟六縱向基準線V6沿著第 V4，沿第四縱向基準線V4往 #近苐四縱向基準線 向基準線H1 ’·該第十—導體岸二方向C轉折延伸至第一橫 該第十三導體層473以及該第曰、、·该第十二導體層472、 積鎢金屬或複晶矽材料所四導體層474，例如是由沉 基底400與該第十一導體層471然f請參照第4B圖，在該 第十三導體層473以及該^ 、、#該第十二導體層472、該 _ “十四導體層474上形成有一第一 0548-8043TWf ; 91034 ; 91035 ; andyp.ptd 第12頁 五、發明說明（9) 氧化石。❿4第一介電層360例如{由沉積法形成之二 成-㊁ΐ五：ί :、第4A圖’在部分該第-介電層3 6 0上形 體層477、— Λ 5、一第十六導體層476、一第十七導 375 (虛線部分）？= 478;其中，該第十五導體層 基準線H2往麓一)士 苐一縱向基準線V1沿著第二橫向 六導體#47fif ♦向A延伸至第二縱向基準線¥2;該第十 第二橫:美進始亚線部分），係從第七縱向基準線V7沿著 V6 ;該‘：二往第二方向B延伸至第六縱向基準線 準線V3沿著第=2層47?、（虛線部分），係從第三縱向基 四縱向A準绫V4只向基準線H3往第一方向A延伸至靠近第 延伸至ΐίΪΙι沿第四縱向基準線V4往第三方向C轉折 分），= ΐ準線H1 ;該第十八導體層478 (虛線部 二方向B延伸至# Ά基準線V5沿著第三橫向基準線H3往第 線V4往第三方/Γ Ϊ第四縱向基準㈣，☆第四縱向基準 十五導體層475°、4::^;橫7向基準線Η1 ;而該第 477以及，第+ ' ‘弟十導體層476、该第十七導體層 體層475、Λ + : 電層36°、該第十五導 4B、4C、^H '儿Λ法形成之二氧化矽層。同時請參照第 中夂取/ 利用微影#刻製程在該第二介電層謝 〆成一接觸孔以露出該第十-一導體層371、該第十二 0548-8043TW ; 91034 ; 91035 ; andyp.ptd 第13頁 538518

導體層372、該第十三導體層373、該第十四導體層3 74、 该第十五導體層375、該第十六導體層、該第十七導體 層377以及該第十八導體層378之靠近該預定熔斷區域41() 那一侧的端部的表面，然後填入例如是鎢金屬或複晶矽材 料而形成的一第十一導體插塞491、一第十二導體插塞 492、一第十二導體插塞493 —第十四導體插塞494、一第 十五導體插塞495、一第十六導體插塞496、一第十七導體 插塞497以及一第十八導體插塞498。

仍然請參照第4 A圖，在部分該第二介電層3 6 J上形成 一第十九導體層479、一第二十導體層48〇、一第二十一专 體層4々81、-第二十二導體層482、—第二十三導體層如 、一第一十四導體層484、一第二十五導體層485、一第二 十六導體層486、一第二十七導體層487、一第二十八導覚

層488 ; *中，該第十九導體層479，係從第一橫向基準參 H1沿著第二縱向基準線V2往第四方向D 該第二十導體層48〇，係從第一橫向基準線Ηΐς 者第三縱向基準線V3往第四方向D延伸至

第導體層481，係從第四橫向基準線Η上 ;兮篦二二準Λ 2住第二方向C延伸至第三橫向基準線Η3 -:Θ : 1 體層482 ’係從第四橫向基準線Η4沿著第 ;;第三方向C延伸至第三橫向基準細； Γΐ準=第四方向D延伸至第四橫向基準線= 弟一十四導體層484，係從第四橫向基準線H4沿著第五縱

538518 五、發明說明（11) 向基準線V5往第三方向C延伸至第三橫向基準細 —十五導體層485，係從第四橫向基準線H4沿著第六縱 基準線V6往第三方向C延伸至第三橫向基準線H3 ;該第： 十六導體層486，係從第一橫向基準線H1沿著第五縱: 準線V5往第四方向D延伸至第二橫向基準線H2 ;該第二: 七導體層487，係從第一橫向基準線H1沿著第六縱向= 線V6往第四方向〇延伸至第二橫向基準線H2 ;該第二=準 導體層488，係從第一橫向基準線H1沿著第七縱向基结 V7往第四方向d延伸至第四橫向基準線“。其中，該^ 九導體層479與該第十一導體插塞491有電性接觸，以 該第十五導體層475與該第十九導體層479為一熔絲單一· 該第二十導體層480與該第十二導體插塞492有電性接觸 以連接該第十一導體層471與該第二十導體層48〇為— 單元；該第二十六導體層486與該第十三導體插塞493有雷 性接觸，以連接該第十二導體層472與該第二十六導體層“ 4 8 6為一溶絲單元；該第二十七導體層4 8 7與該第十四導體 插塞494有電性接觸，以連接該第十六導體層476與該第二 十七導體層487為一溶絲卓元；該第二十一導體層481盘兮 第十五導體插塞495有電性接觸，以連接該第十三導體芦 473與該第二十一導體層481為一溶絲單元；該第二十二導 體層482與該第十六導體插塞496有電性接觸，以連接該第 十七導體層477與該第二十二導體層482為一熔絲單元；該 第二十四導體層484與該第十七導體插塞497有電性接觸， 以連接該第十八導體層478與該第二十四導體層484為一溶

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絲單元；該第二十五導體層485與該第十八導體插塞釗8 電性接觸，以連接該第十四導體層474與該第二十五導體 層485為一熔絲單元；該第二十三導體層為一熔絲單元； 該第二十八導體層為一熔絲單元。其中，該鈍化層47〇例 如是由PE-TEOS氧化矽或氮化矽所構成。

接著請參照第4A圖，即熔絲窗490之示意圖。在該炼 絲窗490 (fUse window)内通常有複數個熔絲結構（本圖只 顯示一個熔絲結構），每一熔絲結構皆包括有十個炼辞單 元，熔絲單元421、熔料元422、熔絲單元單早 元424、熔絲單元425、熔絲單元42 6、熔絲單元427、熔絲 單元428、熔絲單元429、熔絲單元430，而且每一熔絲單 兀有各自的該熔斷區410，且該等熔絲單元421 42 ^ 424 ^ 425 ^ 426 ^ 427 > 428 ^ 429 .

性接觸。一第十一預定熔斷區，位於該第十九導體層479 上，一第十二預定熔斷區，位於該第二十導體層“Ο上； 一第十三預定熔斷區，位於該第二十一導體層481上；一 第十四預定熔斷區，位於該第二十二導體層482上；一第 十五預定熔斷區，位於與該第十四預定熔斷區同一邊之該 第二十三導體層483上；—第十六預定炼斷區，該第 二十四導體層484上；一第十七預定熔斷區，位於該第二 十五導體層485上；一第十八預定熔斷區，位於該第二十 六導體層486上；一第十九預定熔斷區，位於該第二十七 導體層487上；以及，—第二十預定熔斷區，位於與該第 十九預定熔斷區同一邊之該第二汁八導體層488上。

538518

仍然請參照第4A 及扎圖 射在該炫絲單 熔斷區）的該 的熱散射或對 該第十一導體 習知熔絲結構 個熔絲單元， 習知的炫絲單 。本發明第二 熔絲單元之該 結構的1 · 6 6倍 α %届铒射无个。w ^ 元425之位於預定熔斷區41〇 (該第十三預定 苐一十導體層AW時，當由於雷射光走290 不準而使得相鄰的該等炫絲單元== 層47 1受到損傷的場合時，此時比較第4ε圖 ，在相同熔絲密度單位面積下，同樣包含十 本發明第二實施例的熔絲單元之間距離， :,間距離為大’ &受到損傷的程度會、 第十一¾二 二預疋熔斷區410與相鄰該 第十#體層471之間距離，約為習知炼絲 雖然本發明已以較佳實施例 限定本發明，任何孰習话 $ ；其並非用以 神和範圍Θ，當可作更=;者田在不脫離本發明之精 當視後附之申請專利者=本發明之保護範圍

〇548-8043TWf ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd

538518 圖式簡單說明 第1圖係習知的熔絲結構剖面圖。 第2圖係第1圖的上視圖，即熔絲窗之示意圖。 第3A圖、第4A圖係本發明實施例的上視圖，即熔絲窗 之示意圖。 第3B圖、第3C圖、第3D圖係第3A圖的剖面圖。 第4B圖、第4C圖、第4D圖係第4A圖的剖面圖。 第3E圖、4E圖係習知的熔絲結構上視圖。 符號之說明 100、30 0、40 0 〜基底； 110、310、410〜預定熔斷區域； MO、Μ卜導體層； 1 2 0〜氧化層； 1 3 0〜導體插塞； 1 4 0、3 9 0、4 9 0〜熔絲窗； 2 9 0〜雷射光； 15 0、370、470〜鈍化層； Η1〜第一橫向基準線； Η2〜第二橫向基準線； Η3〜第三橫向基準線； Η4〜第四橫向基準線； VI〜第一縱向基準線； V2〜第二縱向基準線； V3〜第三縱向基準線； V4〜第四縱向基準線； _

0548-8043TWf ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd 第18頁 538518 圖式簡單說明 V 5〜第五縱向基準線； V6〜第六縱向基準線； V7〜第七縱向基準線； H5〜第五橫向基準線； A〜第一方向； B〜第二方向； C〜第三方向； D〜第四方向； 371〜第一導體層； 372〜第二導體層； 373〜第三導體層； 374〜第四導體層； 375〜第五導體層； 376〜第六導體層； 377〜第七導體層； 378〜第八導體層； 379〜第九導體層； 380〜第十導體層； 381〜第一導體插塞； 382〜第二導體插塞； 383〜第三導體插塞； 384〜第四導體插塞； 360〜第一介電層； 3 6 1〜第二介電層；

0548-8043TWf ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd 第19頁 538518 圖式簡單說明 471〜第十一導體層； 472〜第十二導體層； 473〜第十三導體層； 474〜第十四導體層； 475〜第十五導體層； 476〜第十六導體層； 477〜第十七導體層； 478〜第十八導體層； 479〜第十九導體層； 480〜第二十導體層； 481〜第二十一導體層 482〜第二十二導體層 483〜第二十三導體層 484〜第二十四導體層 485〜第二十五導體層 486〜第二十六導體層 487〜第二十七導體層 488〜第二十八導體層 491〜第十一導體插塞 492〜第十二導體插塞 493〜第十三導體插塞 494〜第十四導體插塞 495〜第十五導體插塞 496〜第十六導體插塞

0548-8043TWf ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd 第20頁 538518 圖式簡單說明 497〜第十七導體插塞； 498〜第十八導體插塞； 210 、 220 、 230 > 240 、 250 、260 、321 、 322 、 323 、 324 、 325 、 326 ' 421 ' 422 、 423 、 424 、 425 、 426 、 427 、 428、429、430〜熔絲單元。

0548-8043TWf ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd 第21頁

Claims (1)

1. 乐一導體層，形点 ，係從第四縱向基準 L二，分該基底上，該第一導體層 伸’轉折延伸至第者第一橫向基準線往第二方向延 點； °基準線與第二橫向基準線交叉 一第二導體層， ，係從第一縱向基準線、VL j j分該基底上，該第二導體層 伸，轉折延伸至第三ί = 2三橫向基準線往第—方向延 點； 、、向基準線與第四橫向基準線交叉 及該基底上:丨電層’形成於該第-導體層、該第二導體層 導體；第層炉形成於部分該第-介電層h該第： 方向；伸：ί:Γί準線沿著第三橫向基準線往 交又點； 至第二縱向基準線與第二橫向基準線 一第四導體層，形成於 系從第四縱向基準線沿著；五；以緣；第四 伸，轉折延伸至第二縱向基準線與第四橫向基么 及該形成於該第三導體層、該第四導體層 一第五導體層，形成於部分該第二介電層上，係 一縱向基準線沿著第四橫向基準線往第一方向延伸至第2

   Η 0548-8043TWf ； 91034 i 91035 » andyp.ptd 第22頁 538518 六、申請專利範圍 縱向基準線； 一第六導體層，形成於部分該第二介電層上，係從第 四縱向基準線沿著第四橫向基準線往第二方向延伸至第三 縱向基準線； 一第七導體層，形成於部分該第二介電層上，係從第 一縱向基準線沿著第三橫向基準線延伸至第四縱向基準 線； 一第八導體層，形成於部分該第二介電層上，係從第 一縱向基準線沿著第二橫向基準線往第一方向延伸至第二 縱向基準線； 一第九導體層，形成於部分該第二介電層上，係從第 四縱向基準線沿著第二橫向基準線往第二方向延伸至第三 縱向基準線； 一第十導體層，形成於部分該第二介電層上，係從第 一縱向基準線沿著第一橫向基準線延伸至第四縱向基準 線， 一第一導體插塞，位於第二縱向基準線與第二橫向基 準線交叉點，穿過該第一介電層以及該第二介電層，用以 電性連接該第一導體層與該第八導體層； 一第二導體插塞，位於第三縱向基準線與第二橫向基 準線交叉點，穿過該第二介電層，用以電性連接該第三導 體層與該第九導體層； 一第三導體插塞，位於第二縱向基準線與第四橫向基 準線交叉點，穿過該第二介電層，，用以電性連接該第四導

   0548-8043TWf ; 91034 ; 91035 ; andyp.ptd 第23頁 538518 六、申請專利範圍 體層與該第五導體層；以及 一第四導體插塞，位， 準線交叉點，穿過該第-介電線與第四橫向基 電性連接該第二導體層與該第：導體層介電層’用以 一2.如申ΐ專！1範圍第1項所述之炫0絲結構，盆…— 榼向基準秦、第二橫向基準 ：橫 ！、 ’第 係依序排列；#中’第'縱向基準線】第= f準線 距離大於第二縱向基準錄盘楚^ , /、弟一縱向基準線的 縱向基準線與第四縱向基以線：：向基準線的距離’第三 線與第三縱向基準線的距離、。s 、E離大於第二縱向基準 3.如申請專利範圍第丨項所 -導體層、該第二導體層、該 总體:、、、。^ 係由鶴金屬或複晶石夕材料所構成：導體層及㈣四導體層 4·如申請專利範圍第〗項所 五導體層、該第六導體層、該 垃體 苐九導體層及該第十導體層 = 複晶矽材料所構成。 5鋁矽銅合金或 一二請專利範圍第1項所述之炫絲結構，…第 四導體插塞係鎢或複晶矽插塞。第-導體插塞以及該第 八11申請專利範圍第1項所述之熔絲結構，苴中哕第 一介電層及該第二介電層係二氧化矽層。 八中忒第 0548-8043T¥f ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd 第24頁 538518 六、申請專利範圍 7· 一種熔絲窗，該熔絲窗内具有複數個炫 各該熔絲結構包括： 一基底； ^ 一第一導體層，形成於部分該基底上，該 ’係從第四縱向基準線沿著第—橫向基準線= 伸·，轉折延伸至第二縱向基準線與第二橫向基 黑占， ^ 一第二導體層，形成於部分該基底上，該 仙係ί第一縱向基準線沿著第三橫向基準線i :轉折延伸至第三縱向基準線與第四橫向基 絲結構， 而 第一導體層 第二方向延 準線交又 第二導體層 第一方向延 準線交又 一第一 及該基底上 介電層，形成於該第 導體層、該第二導體 一第 導體層， 方向延伸 交叉點； 一第 導體層， 方向延伸 交叉點； 一第 及該第一 一第 二導體層，形成於部分該 係從第一縱向基準線沿著 ，轉折延伸至第三縱向基 四導體層，形成於部分該 係從第四縱向基準線沿著 ’轉折延伸至第二縱向基 二介電層，形成於該第三 介電層上； 五導體層’形成於部分該 第一介電層 第三橫向基 準線與第二 第一介電層 第五橫向基 準線與第四 層 上，該第三 準線往第_ 仏向基準線 上，该第四 準線往第二 橫向基準線

   導體層、該第四導體層 第二介電層上，係從第 0548-8043TWf ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd 第25頁 538518 六、申請專利範圍 一縱向基準線沿著第四橫向基準線往第一方向延伸至第二 縱向基準線； 一第六導體層，形成於部分該第二介電層上，係從第 四縱向基準線沿著第四橫向基準線往第二方向延伸至第三 縱向基準線； 一第七導體層，形成於部分該第二介電層上，係從第 一縱向基準線沿著第三橫向基準線延伸至第四縱向基準 線； 一第八導體層，形成於部分該第二介電層上，係從第 一縱向基準線沿著第二橫向基準線往第一方向延伸至第二 縱向基準線； 一第九導體層，形成於部分該第二介電層上，係從第 四縱向基準線沿著第二橫向基準線往第二方向延伸至第三 縱向基準線； 一第十導體層，形成於部分該第二介電層上，係從第 一縱向基準線沿著第一橫向基準線延伸至第四縱向基準 線； 一第一導體插塞，位於第二縱向基準線與第二橫向基 準線交叉點，穿過該第一介電層以及該第二介電層，用以 電性連接該第一導體層與該第八導體層； 一第二導體插塞，位於第三縱向基準線與第二橫向基 準線交叉點，穿過該第二介電層，用以電性連接該第三導 體層與該第九導體層； 一第三導體插塞，位於第二/縱向基準線與第四橫向基

   0548-8043TWf ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd 第26頁 538518 六、申請專利範圍 準線交叉點，穿過該第二介電層，用以電性連接該第四導 體層與該第五導體層； 一第四導體插塞，位於第三縱向基準線與第四橫向基 準線交叉點，穿過該第一介電層以及該第二介電層，用以 電性連接該第二導體層與該第六導體層； 一第一預定熔斷區，位於該第五導體層上； 一第二預定熔斷區，位於該第六導體層上； 一第三預定熔斷區，位於與該第二預定熔斷區同一邊 之該第七導體層上； 一第四預定熔斷區，位於該第八導體層上； 一第五預定熔斷區，位於該第九導體層上；以及， 一第六預定熔斷區，位於與該第四預定熔斷區同一邊 之該第十導體層上； 其中該熔絲窗内的該等熔絲結構彼此有各自的該預定 熔斷區域，該等熔絲結構彼此之間不作電性接觸，且該等 熔絲結構皆包含六個熔絲單元。其中，該第一導體層與該 第八導體層有電性接觸，為一熔絲單元；該第三導體層與 該第九導體層有電性接觸，為一熔絲單元；該第四導體層 與該第五導體層有電性接觸，為一熔絲單元；該第二導體 層與該第六導體層有電性接觸，為一熔絲單元；該第七導 體層為一熔絲單元；該第十導體層為一熔絲單元。 8.如申請專利範圍第7項所述之熔絲窗，其中，第一 橫向基準線、第二橫向基準線、第三橫向基準線、第四橫 向基準線、第五橫向基準線係依_序排列；第一縱向基準線

   0548-8043TWf ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd 第27頁 ^8518 & '中請專繼si ' 、第二縱向基準線、第三縱向基準線、第四縱向基準線係 依序排列，其中，第一縱向基举線與第二縱向基準線的距 離大於第二縱向基準線與第三獻向基準線的距離，第三縱 向基準線與第四縱向基準線間的祖離大於第二縱向基準線 與第三縱向基準線的距離。 、9 ·如申晴專利範圍第7項所述之炫絲窗，其中該第一 導體層、該第二導體層、該第彡導體層及該第四導體層係 由鎢金屬或複晶矽材料所構成。 1 〇·如申請專利範圍第7項所述之熔絲窗，其中該第五 體層、第六導體層、第七導體層、第八導體層、第九導 忐層及第十導體層係由鋁、鋁矽銅合金或複晶矽材料所構 7項所述之熔絲窗，其中該第一 、第三導體插塞及第四導體插塞 、1 1 ·如申請專利範圍第 導體插塞、第二導體插塞 係鎢或複晶矽插塞。 其中該第 1 2 ·如申請專利截圍楚 八+成_号〜祀圍弟7項所述之熔絲 介電層及該第二介雷爲 ，丨電層係二氧化矽層。 13· —種熔絲結構，包 一基底； 層基

   六、申請專利範圍 七縱向基準線往第三方 横向基準線往第二方向 該基底上，該第十三導 三橫向基準線往第一方 苐四縱向基準線往第三 該基底上，該第十四導 三橫向基準線往第二方 第四縱向基準線往第三 一導體層、該第十二 導體層及部分該基底 導 體層’係從第四橫向基準線沿著第 向延伸至第二横向基準線，沿第二 轉折j伸至第五縱向基準線，· 第十二導體層，形成於部分 體層，係從第二縱向基準線沿著第 向延伸至罪近第四縱向基準線，沿 方向轉折延伸至第一橫向基準線； 一第十四導體層，形成於部分 體層’係從第六縱向基準線沿著第 向延伸至靠近第四縱向基準線，沿 方向轉折延伸至第一橫向基準線； 一第一介電層，形成於該第十 體層、該第十三導體層、該第十四 上； 一第十五導體層，形成於部分該第一介電層上， 卞五導體I’係從第一縱向基準線沿著第二橫向 ： 第一方向延伸至第二縱向基準線； 土 ^ 一第十六導體層，形成於部分該第一介電層上， 十六導體層，係從第七縱向基準線沿著第二橫二基= 第二方向延伸至第六縱向基準線； 土 、 一第十七導體層，形成於部分該第一介電層上，气# ，七導體層，係從第三縱向基準線沿著第三橫‘基準=二 第一方向延伸至靠近第四縱向基準線，沿第四縱向基準 往第三方向轉折延伸至第一橫向基準線； "

   0548-8043TWf ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd

   538518 六、申請專利範圍 一第十八導體層，形成於部分該第一介電層上，該第 十八導體層，係從第五縱向基準線沿著第三橫向基準線往 第二方向延伸至靠近第四縱向基準線，沿第四縱向基準線 往第三方向轉折延伸至第一橫向基準線； 一第二介電層，形成於該第十五導體層、該第十六導 體層、該第十七導體層、該第十八導體層及部分該第一介 電層上； 一第十九導體層，形成於部分該第二介電層上，該第 十九導體層，係從第一橫向基準線沿著第二縱向基準線往 第四方向延伸至第二橫向基準線； 一第二十導體層，形成於部分該第二介電層上，該第 二十導體層，係從第一橫向基準線沿著第三縱向基準線往 第四方向延伸至第二橫向基準線； 一第二十一導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十一導體層，係從第四橫向基準線沿著第二縱向基準 線往第三方向延伸至第三橫向基準線； 一第二十二導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十二導體層，係從第四橫向基準線沿著第三縱向基準 線往第三方向延伸至第三橫向基準線； 一第二十三導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十三導體層，係從第一橫向基準線沿著第四縱向基準 線往第四方向延伸至第四橫向基準線； 一第二十四導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十四導體層，係從第四橫向_基準線沿著第五縱向基準

   0548-8043TWf ; 91034 ; 91035 ; andyp.ptd 第30頁 538518 六、申請專利範圍 ’ 線往第三方向延伸至第三橫向基準線； 一第二十五導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十五導體層，係從第四橫向基準線沿著第六縱向基準 線往第三方向延伸至第三橫向基準線； 一第二十六導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十六導體層，係從第一橫向基準線沿著第五縱向基準 線往第四方向延伸至第二橫向基準線； 一第二十七導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十七導體層，係從第一橫向基準線沿著第六縱向基準 線往第四方向延伸至第二橫向基準線； 一第二十八導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第十八導體層，係從第一橫向基準線沿著第七縱向基準線 往第四方向延伸至第四橫向基準線； 一第十一導體插塞，位於第二縱向基準線與第二橫向 基準線交叉點，穿過該第二介電層，用以電性連接該第十 五導體層與該第十九導體層； 一第十二導體插塞，位於第三縱向基準線與第二橫向 基準線交叉點，穿過該第一介電層以及該第二介電層，用 以電性連接該第十一導體層與該第二十導體層； 一第十三導體插塞，位於第五縱向基準線與第二橫向 基準線交叉點，穿過該第一介電層以及該第二介電層，用 以電性連接該第十二導體層與該第二十六導體層； 一第十四導體插塞，位於第六縱向基準線與第二橫向 基準線交叉點，穿過該第二介電_層，用以電性連接該第十

   0548-8043TWf * 91034 ； 91035 ； andyp.ptd 第31頁 冰518 ’、申清專利範圍 六導體f與該第二十七導體層； 基準線二：導！插塞，位於第二縱向基準線與第三橫向 以φ… ^ ’牙過該第一介電層以及該第二介雷展 ^一，接該第十三導體層與該第二十一導體層；曰 基準：導f插塞，位於第三縱向基準線與第三橫向 .又”沾，牙過該第二介電層，用以電性連接#笛_μ 七導體層與該第二十二導體層； μ連接… 美準:ί十七導體插塞，位於第五縱向基準線與第三橫向 土 =線父又點，穿過該第二介電層，用以 、 八導體層與該第二十四導體層；以及， 連接該第十 其進:^十八導體插塞，位於第六縱向基準線與第三橫向 t带、友父又點，穿過該第一介電層以及該第二介電層，用 1 性連接該第十四導體層與該第二十五導體層。 =·如申請寻利範圍第1 3項所述之熔絲結構，其中古亥 ί十：Ϊ體層、該第十二導體層、該第十三導體層及該第 四導體層係由鎢金屬或複晶矽材料所構成。 第13項所述^絲結構，其中該 罘十五導體層、该第十六導體層、該第十 八導體層係由鎢金屬材料或複晶矽材料所士㈢、十 第十九導體層、該第二十導體層、C’其中該 第二十二導體層、㈣二十三導體層、導體層、該 、该第-十五導體層、ΐ亥第二十六導體層、，四導體層 體層及該第二十八導體層係由紙、紹石夕‘丄t:Τ七導 〜σ金或複晶矽材

   0548-8043TWf ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd 第32頁 538518

   料所構成。 第 1 7 ·如申請專利範圍第1 3項所述之熔絲結構，其中該 ，一導體插塞、該第十二導體插塞、該第十三導體插" 塞、，第十四導體插塞、該第十五導體插塞、該第十六導 ，，塞、該第十七導體插塞以及該第十八導體插鎢 複晶矽插塞。 丨尔碼：¾ 1 8 ·如申請專利範圍第1 3項所述之熔絲結構，其中該 第一介電層及該第二介電層係二氧化矽層。 ’、 1 9 · 一種、熔絲窗，該嫁絲窗内具有複數個溶纟 ， 而各該熔絲結構包括： 、〜， 一基底； 體層，係從 向延伸至第 轉折延伸至 一第十 體層，係從 向延伸至第 轉折延伸至 一第十 體層，係從 向延伸至靠 方向轉折延 一第十 第十一導體層 第四橫向 —橫向基 第三縱向 二導體層 第四橫向 二橫向基 第五縱向 三導體層 弟二縱向 近第四縱 伸至第一 四導體層 ，形成於部分該 基準線沿著第一 準線，沿第二橫 基準線； ，形成於部分該 基準線沿著第七 準線’沿第二橫 基準線； ，形成於部分該 基準線沿著第三 向基準線，沿第 橫向基準線·， ，形成於部分該 縱向基準線往第三方 向基準線往第一方向 基底上，該第十二導 縱向基準線往第三方 向基準線往第二方向 基底上，該第十三導 横向基準線往第一方 四縱向基準線往第三

   基底上，該第十四導

   體層，係 向延伸至 方向轉折 一第 體層、該 上； 一第 十五導體 第一方向 一第 十六導體 第二方向 一第 十七導體 第一方向 往第三方 一第 十八導體 第二方向 往第三方 一第 體層、該 電層上； 一第 從第六 靠近第 &伸至 一介電 第十三 十五導 層，係 &伸至 十六導 層，係 延伸至 十七導 層，係 延伸至 向轉折 十八導 層，係 延伸至 向轉折 二介電 第十七 縱向基 四縱向 第—橫 層，形 導體層 體層， 從第_ 第二縱 體層， 從第七 第六縱 體層， 從第三 靠近第 延伸至 體層， 從第五 靠近第 延伸至 層，形 導體層 準線沿 基準線 向基準 成於該 、該第 形成於 縱向基 向基準 形成於 縱向基 向基準 形成於 縱向基 四縱向 第一橫 形成於 縱向基 四縱向 第一橫 成於該 、該第 著第三 ，沿第 線； 第十一 十四導 部分該 準線沿 線； 部分該 準線沿 線； 部分該 準線沿 基準線 向基準 部分該 準線沿 基準線 向基準 第十五 十八導 橫向基 四縱向 導體層 體層及 第一介 著第二 第一介 著第二 第一介 著第三 ，沿第 線； 第一介 著第三 ，沿第 線； 導體層 體層及 準線往 基準線 、該第 部分該 電層上 橫向基 電層上 橫向基 電層上 橫向基 四縱向 電層上 橫向基 四縱向 、該第 部分該 第二方 往第三 十二導 基底 ，該第 準線往 ，該第 準線往 ，該第 準線往 基準線 ，該第 準線往 基準線 十六導 第一介 十九導體層，形成於部分該第二介電層上，該第

   0548-8043TWf ； 91034 • 91035 ； andyp.ptd 第 34 頁 538518 六、申請專利範圍 十九導體層，係從第一橫向基準線沿著第二縱向基準線往 第四方向延伸至第二橫向基準線； 一第二十導體層，形成於部分該第二介電層上，該第 二十導體層，係從第一橫向基準線沿著第三縱向基準線往 第四方向延伸至第二橫向基準線； 一第二十一導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十一導體層，係從第四橫向基準線沿著第二縱向基準 線往第三方向延伸至第三橫向基準線； 一第二十二導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十二導體層，係從第四橫向基準線沿著第三縱向基準 線往第三方向延伸至第三橫向基準線； 一第二十三導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十三導體層，係從第一橫向基準線沿著第四縱向基準 線往第四方向延伸至第四橫向基準線； 一第二十四導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十四導體層，係從第四橫向基準線沿著第五縱向基準 線往第三方向延伸至第三橫向基準線； 一第二十五導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十五導體層，係從第四橫向基準線沿著第六縱向基準 線往第三方向延伸至第三橫向基準線； 一第二十六導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第二十六導體層，係從第一橫向基準線沿著第五縱向基準 線往第四方向延伸至第二橫向基準線； 一第二十七導體層，形成於，部分該第二介電層上，該

   0548-8043TWf ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd 第35頁 538518 六、申請專利範圍 第二十七導體層，係從第一橫向基準線沿著第六縱向基準 線往第四方向延伸至第二橫向基準線； 一第二十八導體層，形成於部分該第二介電層上，該 第十八導體層，係從第一橫向基準線沿著第七縱向基準線 往第四方向延伸至第四橫向基準線； 一第十一導體插塞，位於第二縱向基準線與第二橫向 基準線交叉點，穿過該第二介電層，用以電性連接該第十 五導體層與該第十九導體層； 一第十二導體插塞，位於第三縱向基準線與第二橫向 基準線交叉點，穿過該第一介電層以及該第二介電層，用 以電性連接該第十一導體層與該第二十導體層； 一第十三導體插塞，位於第五縱向基準線與第二橫向 基準線交叉點，穿過該第一介電層以及該第二介電層，用 以電性連接該第十二導體層與該第二十六導體層； 一第十四導體插塞，位於第六縱向基準線與第二橫向 基準線交叉點，穿過該第二介電層，用以電性連接該第十 六導體層與該第二十七導體層； 一第十五導體插塞，位於第二縱向基準線與第三橫向 基準線交叉點，穿過該第一介電層以及該第二介電層，用 以電性連接該第十三導體層與該第二十一導體層； 一第十六導體插塞，位於第三縱向基準線與第三橫向 基準線交叉點，穿過該第二介電層，用以電性連接該第十 七導體層與該第二十二導體層； 一第十七導體插塞，位於第_五縱向基準線與第三橫向

   0548-8043TWf ； 91034 ； 91035 ； andyp.ptd 第36頁 538518 _案號91116116_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 元；該第十六導體層與該第二十七導體層有電性接觸，為 一熔絲單元；該第十三導體層與該第二十一導體層有電性 接觸，為一熔絲單元；該第十七導體層與該第二十二導體 層有電性接觸，為一熔絲單元；該第十八導體層與該第二 十四導體層有電性接觸，為一熔絲單元；該第十四導體層 與該第二十五導體層有電性接觸，為一熔絲單元；該第二 十三導體層為一熔絲單元；該第二十八導體層為一熔絲單 元。 2 0 .如申請專利範圍第1 9項所述之熔絲窗，其中該第 十一導體層、該第十二導體層、該第十三導體層及該第十 四導體層係由鎢金屬或複晶矽材料所構成。 2 1 .如申請專利範圍第1 9項所述之熔絲窗，其中該第 十五導體層、該第十六導體層、該第十七導體層及第十八 導體層係由鎢金屬或複晶矽材料所構成。 2 2 .如申請專利範圍第1 9項所述之熔絲窗，其中該第 十九導體層、該第二十導體層、該第二Η--導體層、該第 二十二導體層、該第二十三導體層、該第二十四導體層、 該第二十五導體層、該第二十六導體層、該第二十七導體 層及該第二十八導體層係由鋁、鋁矽銅合金或複晶矽材料 所構成。 2 3 .如申請專利範圍第1 9項所述之熔絲窗，其中該第 十一導體插塞、該第十二導體插塞、該第十三導體插塞、 該第十四導體插塞、該第十五導體插塞、該第十六導體插 塞、該第十七導體插塞以及該第十八導體插塞係鎢或複晶

   0548-8043twfl ； 91034;91035 ； andyp.ptc 第38頁 538518 案號91116116 年月日 修正 六、 矽 該 層 層 該 σ 以 第 八 體 圍 /Γ巳 ί ο利、 專塞 申插 其 窗 絲 熔 之 述 所 項 9 1Χ 第 圍 範 利 專 請 中 如 中該第 層 電 介 供 提 絲 第溶底 該f基 及.一 介 係 矽 化 氧 驟 步 列 下 括 包 法 方 造 製 的 構 士口 基導 該二 分第 部該 於、 層層 體體 導導 二一 第第 二該 、於 層層 體電 導介 一 一 第第 一 一； 成成上 形形底 基 第 該 出 露 以 層 電 介 一 第 該 在 口 ·， 開層 一體 第導 二二 成第 形該 介第 一該 第分 過部 穿於 處層 σ體 開導 一 四 第 等一 該、 於層 塞體 插導 體三 導第 二一 成成 形形 上； 形成第二介電層於該第三導體層、該第四導體 第一介電層上； 形成四第二開口在該第二介電層，以露出該等 、該第三導體層與該第四導體層； 形成四導體插塞在該等第二開口處穿過第二介 及， 形成一第五導體層、一第六導體層、一第七導 第八導體層、一第九導體層以及一第十導體層於 二介電層上，其中該第五導體層、該第六導體層 導體層、該第九導體層與導體插塞做電性接觸， 插塞可電性連接該第四導體層與該第五導體層、 底上； 體層及 一導體 電層； 一介電 層以及 第一開 電層； 體層、 部分該 、該第 使得導 該第二

   0548-8043twfl ； 9l034;9l035 ； andyp.ptc 第39頁 538518 _案號 91116116_年月日__ 六、申請專利範圍 導體層與該第六導體層、該第三導體層與該第九導體層以 及該第八導體層與該第一導體層。 2 6. —種熔絲結構的製造方法，包括下列步驟： 形成^ 基底， 形成一第十一導體層、一第十二導體層、一第十三導 體層、一第十四導體層於部分該基底上； 形成一第一介電層於該第十一導體層、該第十二導體 層、該第十三導體層、該第十四導體層以及該基底上； 形成一第十五導體層、一第十六導體層、一第十七導 體層、一第十八導體層於部分該第一介電層上； 形成一第二介電層於該第十五導體層、該第十六導體 層、該第十七導體層、該第十八導體層以及該第一介電層 上； 形成八開口在該第二介電層以及該第一介電層，以露 出該第十一導體層、該第十二導體層、該第十三導體層、 該第十四導體層、該第十五導體層、該第十六導體層、該 第十七導體層、該第十八導體層； 形成八導體插塞在該等開口處，穿過該第二介電層以 及該第一介電層；以及， 形成一第十九導體層、一第二十導體層、一第二十一 導體層、一第二十二導體層、一第二十三導體層、一第二 十四導體層、一第二十五導體層、一第二十六導體層、一 第二十七導體層以及一第二十八導體層於部分該第二介電 層上，其中該第十九導體層、該第二十導體層、該第二十

   0548-8043twfl ； 91034;91035 ； andyp.ptc 第40頁 538518 案號91116116 年 月 日 修正 第 該 圍 、 範層 專體 主月 i導 六一 第 該 Λ 層 體 導 四 十 二 第 該 Λ 層 體 導 與第 層該 體接 導連 七性 十電 二可 第塞 該插 、體 層導 體得 導使 六， 十觸 二接 第性 該電 、做 層塞 體插 導體 五導 十等 二該 第第 亥亥 =口 古口 與、 層層 體體 導導一二 十十 第第 亥亥 士一口 古口 、與 層層 體體 導導 九六 十十 第二 該第 與該 層 、 體層 導體 五導 十十 第第 亥亥 Φ5=口 與、 層層 體體 導導 一 七 十十 二第 第該 該與 、 層 層體 體導 導二 六十 十二 第第 亥亥 =口 士5 與、 I — 體體 導導 七三 第 該 及 以 層 體 導 八 十 第 該。 與層 層體 體導 導四 四十 十第 二該 與 層 體 導 五 0548-8043twfl * 91034;91035 I andyp.ptc 第41頁