TW538460B - Production method for group III nitride compound semiconductor, group III nitride compound semiconductor device and group III nitride compound semiconductor light-emitting device - Google Patents

Description

538460 五、發明說明（l) 【發明詳細說明】 【發明所屬技術領域】 本；月係相關第冚族氮化物系化合物半導體之製 2導？元件。所謂第E族氮化物系化合物 = =二之二之= 員二 70 糸；A1xGayIrWyN(〇 <x <1，0 <y q 0JX + y < i)之四元系的一般式A1 〇各 ， d，〇9+yy)所示者。另’在本 盒 i’Uy 干勺杯奸1 ί矢氮化物系化合物半導體的情況時，亦# ，、匕括、、，iM乡雜有供將導電型形 氮化物系化合物半導體。 p主飞11孓之錶貝的第m族 【習知技術】 第m族氮化物系化合物半導體係譬如告 況時，發光光譜從紫外區橫妗化多夕生田屬毛先疋件的情 光^。mi二極體⑽）或雷射二極體（⑻等發 元件，更能期：c廣，目此藉採用其他半導體的 τ更此期待在鬲溫下進行安定的動作。&、 ^ FET等電晶體的應用亦正熱烈的展開 斤以’使用於 分屬砷(As)，所以就環境觀點而 外，因為主成分 種半導體元件。在此第瓜族氮化物系化發應用於各 以藍寶石為基板，再於其上形成元件。物半導體中，除 (s i)基板者。 卜’尚有採用矽 物系化合物半導體的 合物半導體間的 若在矽（Si)基板上形成第m族氮化 話，將因矽（Si)基板與第冚族氮化物

538460 五、發明說明（2) 晶格常數錯位，而在經常負荷應力的狀態進行磊晶成長。， 另’矽（Si)基板與第羾族氮化物系化合物半導體間的熱膨 脈率f、:在降溫時其應力將增加，而使第瓜族氮化物系化 合物：導體層上產生多數龜裂（斷裂）。隨此當在發光元 形成其他元件的區域上產生龜裂（斷裂）的情況時， 將形成不良品，造成良率極差的情況。 其中，便有譬如在各元素形成區域大小（1_2以下） :刀出j長區域’亚在該成長區域之外形成窗框狀罩幕： 射:：：士便可將各區域變小，並藉由未傳播來自巴 的應力4，而可抑制產生龜裂（斷裂），且即 =域 僅止於該龜裂產生的元件區域而已。 生龜4亦 【發明欲解決之課題】 惟；即便依未發生龜裂的方式選擇成長， 充为進灯應力緩#，特別係未減少貫通差排。〖f無法 (斷裂）的產生’因為意味著依此而緩和應曰:龜裂 龜裂的話，在貫穿差排上便將仁右抑制此 晶成長"m各貫穿差排(阻止朝成上負= 阻礙。 兮壻彡部反將形成 本發明為解決上述課題者，其目的在於. 物系化合物半導體的蟲晶成長中抑制在弟DI族氮化 貫穿差排。 卩制龜裂，與減小 •解決課題之手段】 ) 為解決上述課題，中請專利範圍第i項 係在基板上利用磊晶成長第迈族氮化物系°人栽的發明， ’、δ物半導體， 9^02217.ptd 538460 五 、發明說明（3) 而獲得第DI族氮化物李 有··在基板表面上，格糸子化合物半導體之製造方法，包括 系化合物半導體的星莫α狀形成未磊晶成長第m族氮化物 分離裸露出的步驟； 料，使兀件形成用基板表面各自 於二個不同溫度範圍下，自分離裸露出的基板表面上方， 物系化合物半導體交#將相同或不同組成的第m族氮化 將所需第]π族氮化物f ，而形成應變緩和層的步驟； 的步驟；而形：物半導體形成於應變緩和層上 導體係形成相鄰間各瓜族氮化物系化合物半 格子狀，亦可非為二:離。其+，所謂罩幕材料形狀的 此：’所謂二個不同溫度範圍意=:】：窗 、：種溫度亦可為各自完全非相同的溫度…成之 同的'W危依照申請專利範圍第2項所記載的發明，二個不 门的酿度範圍係在200。 一個不 且1200。(：以下U 乂上且600 C以下，與900 t以上 發明，S 〇V以上且6 =申請專利範圍第3項所記載的 化合物半導體声^ ιη以下所形成的第瓜族氮化物系 〇C以上且12〇^ ^下、^又nm以上且100nm以下；而依900 體層，成的第㈣氮化㈣化合物半導 利r a糸；度20 0ηπι以上且1 以下。再者，依照申社真 和，4項所記載的發明，形成應變緩和層的步：= ~個不同溫度範圍各重複二次以上。 弊係將 J者，依照申請專利範圍第5項所記載的發明， 〜路出的基板表面面積係在丨mm2以下。再者， 刀 乾圍第6項所記載的發明，各自分離裸露出的基板^面面

538460 五、發明說明（4) 積係在0· 3mm2以下 再^，依照申請專利範圍第7項 由石夕（so所構成。再者，申請專利範圍第8j ^反係 明，乃罩幕材料主西於上#儿 貝所$載的發

申請專利範圍篦Q要係由一乳矽CSl〇2)所構成。再者， 甲月导乾圍弟9項所記載的發明，乃製造程序 J 在依使基板與上層的第族氮化 序中二括有: ”學反應的方式，而在各自分離裸露出的產 ί ί面上’形成主要由單結晶所構成反應防止声的牛用基 其：’所謂主要由單結晶所構成的反應防止層層 板表面附近結晶狀能田形 σ 乐才曰隨基 占的兮g處 狀悲，利用形成早結晶的溫度等條件而土 成的3反應防止層。再者依照申 而形 載的發明，乃反應防止層的厚度，乂:。=/广員所記 _///再者，依照申請專利範圍第11項所記載的私在1 击乃反應防止層係第Η族氮化物系化合物半導體1明 中的铭（Α1)組成係莫耳比3〇%以上。 且DI族 用ΐ ί里申請專利範圍第12項所記載的發明，乃形成a 用申清專利範圍第丨至丨丨項中任— ς成於利 =物：導體層上的第皿族氮化：； = = =系 ^ II ^ ^^ t - ',ρ Α Λ ； m 75 ^ #，J ^ 合物半導體之製造方法，而所°載的第皿族氮化物系化 層而所獲传的弟m族氮化物系化合物半導體發光^導

91102217.ptd 半導體層1，利用疊層不同化物系化合物 體声而所猶…从炫 的弟瓜無氮化物系化合物本谐 $ 9頁 538460 五、發明說明（5) 【作用及效果】 第K族氮化物系化合物半導體利用將未磊晶成長的罩幕 材料依袼子狀形成，並使基板表面各自分離裸露出，便可 使第m族氮化物系化合物半導體，形成磊晶成長區域分別 各自獨立的小區域。然後，在二個不同溫度範圍下，將相 同或不同組成的第]π族氮化物系化合物半導體交叉形成， 而形成應變緩和層，藉此便可緩和基板與上層間的應力， 亚抑制貫穿差排的產生，且在磊晶上層消除貫穿差排。於 其上所形成的所需第皿族氮化物系化合物半導體，係可防 止龜裂，並抑制貫穿差排（申請專利範圍第1項）。 二個不同的溫度範圍最好設定在20(rc以上且6〇〇。〇以 :，及900。(^以上且120{rc以下，並交叉形成在低溫下成 的1與在咼溫下成長的層。藉由低溫成長層中的應力緩 和，高溫成長層由單結晶層所構成，便可形成如同工層的 ，和應力，並抑制貫穿拆排的層（申請專利範圍第2項）。 成長層較薄’高溫成長層較厚；最好分別為1〇⑽ ϋ 且1^x下（申請專利範 Λ i 變緩和層係交叉形成的層越多的話，越 加綾和應力，因此低溫成長層與高溫成 層以上（申請專利範圍第4項）。 攻好各形成一 各自分離裸露出的基板表面面積最好在〇 〇lmm2以 lmm2以下，尤以在〇. 01mm2以上且〇. Μ#以下為佳。 超越1_2區域上的蠢晶成長層’若形成數“ 料，、 將因應力而產生非常多的龜裂。若設以3mm2以又下= 裸露

91102217.ptd 第10頁 538460 五、發明說明（6) 面的話，各蠢晶形成區域係形成_ 坦曰ώ、方 "士 & * 取 凡件早位程度，便可更 長：歼良率（申Μ專利範圍第5項、當β 、 的區域中，則無法足夠一個】件=:在低於°·。1-2 第r矣氮化物系化合物半導體間的熱膨脹率 乂 、 1 土板之情況下特別有效（申請專利範圍第7 項）。另，罩幕材料可簡便的採用二氧化碎（叫）（申請專 =範圍第8項）。利用在裸露出的基板表面i，形成主要由 早結晶所構成的反應防止層，便可在製造程序（即，磊晶 成長、、電極形成、微影、蝕刻、及其他處理）中，於昇溫 與降溫至室溫之際，隨應力使基板與上層的第皿族氮化物 系化合物半導體不致產生化學反應（申請專利範圍第9項） 。反應防止層的厚度至少需要丨〇 〇 n m (申請專利範圍第i 〇 項）°最好屬於組成為第m族中鋁（A i )組成的莫耳比在3 〇 0/〇 以上的第m族氮化物系化合物半導體（申請專利範圍第j i 項）°藉此譬如當在矽（Si)基板與氮化鎵（GaN)之間形成 AlGaN的情況時，因為矽（Si )基板與氮化鎵（GaN)並未直接 接觸到’便可防止在該等之間因氮原子移動而產生氮化矽 與金屬鎵及其他。此外，在第m族氮化物系化合物半導 體’與依條件而可產生反應的基板之間，形成反應防止層 亦屬有效。 在如上述所形成的所需第Π族氮化物系化合物半導體層 上形成任意元件，或疊層不同第m族氮化物系化合物半導 體的發光元件，因為可同時抑制龜裂產生與貫穿差排，因 此可提向良率，且可形成高品質的元件或發光元件（申請

538460 五、發明說明（7) 專利範圍第1 2項、第1 3項）。此外，藉由劃分出成長區 域，因為較成長於整體基板的情況下，因為前者特別°°可降 低基板的翹曲現象，因此可提升元件製作程序的良率。 【發明實施形態】 又' 圖1係本發明具體一實施例構造的剖面示意圖。在石夕 (Si)基板1上形成由氧化矽（Si〇2)所構成的罩幕材料2。 幕材料2係形成窗框狀，窗部係裸露出矽（Si)基板工面。盆 -人’在裸露出的矽（S i)基板1面上，利用磊晶成長，形成、 由A 1 GaN所構成的反應防止層3。反應防止層3係供防= (Si)基板1與上層第m族氮化物系化合物半導體產生反 =乂主要由單結晶所構成。接著，利用磊晶成長形成 由膜所構成應變緩和層4。應變緩和層4係交又聂 所形成的 GaN 層 411，412、A1GaN 層 421，:二广在； J物半導體的GaN層5。其中，由反應防止層3 =、GaN層5所構成的疊層部，與相鄰所裸露出的形成矽 土板1上之反應防止層3’ 、應變緩和層4， 部’係依在蟲晶成長之際未連接的條二：構成 ^ ’在罩幕材料2端部上方形成應變 物系化合物半導體層5，亦依未覆鼠化 的條件進行蠢晶成長。具體而古/Λ幕材枓2中央部位 的足夠框寬，便可輕易達成。;，由:框狀罩幕材料2 罩幕材料2上面即便有具有垂直於基板

第12頁 538460 五 發明說明（8) 情況均未排除如二圖)2戶= 士述發明實施形態係可從以下各自選擇。 点二i ί t上依序疊層第m族氮化物系化合物半導體而形 ”:基板可採用藍寶石、石夕(Si)、氮化石夕⑶〇 機 2:^MgAl2〇4)、LlGa〇2、NdGa〇3、Zn〇、Mg〇或其他無 车=土板，磷化鎵或砷化鎵之類第m族氮化物系化合物 導^、ίί嫁（GaN)、或其他第111族氮化物系化合物半 t ^ ，然，亦可採用形成有氮化鎵（GaN)或其他第m

無氮化物系化合物半導體膜的基板，或更形成有緩衝 形成更厚層的基板。 A 形成，m族氮化物系化合物半導體的方法，最好採用有 機金屬氣相成長法（M0CVD4M0VPE)，亦可採用分子束氣相 成長法（MBE)、氫化物氣相成長法（Halide VPE)、液相成 長法（LPE)等’亦可各層均採不同的成長方法。

第Π族氮化物系化合物半導體係可將部分第皿族元素組 成取代為硼（B)、鉈（τ 1)，或者，將部分氮（N)組成取代為 &牛（P)、砷（As)、銻（Sb)、鉍（Bi)，均可實質的適用於本 發明。此外’將該等元素依無法顯示於組成上的程度進行 摻雜者。譬如亦可在組成中未具銦（In)、砷（As)之第ffi族 氮化物系化合物半導體的AlxGai xN(〇 中，摻雜較鋁 (A 1 )、鎵（Ga)具更大原子徑的銦（丨η)，或摻雜較氮（Ν)具 更大原子徑的砷（As)，而將隨氮原子脫除的結晶擴張應

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五、發明說明（9) 變，利用壓縮應變進行互補而形成較佳的結晶性。此情況 下，因為受體雜質較容易進入第ΙΠ族原子的位置處，因此 便可依生成態（as-grown)獲得ρ型結晶。藉此利用使結晶 性變佳並配合本案發明，便可將貫穿差排下降至1 〇 〇至 1 0 0 0分之一程度。另，當作為發光元件的構造時，最好採 用原本苐ΠΙ族氣化物糸化合物半導體的二元系或三元李。 當形成η型第Π族氮化物系化合物半導體層的情況時， 可添加η型雜質的Si、Ge、Se、Te、C等第νι族元素。另， 亦可添加P型雜質的Zn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等第Π族元 素或第IV族元素。亦可將該等進行複數種摻雜，或者將^^ 型雜質與P型雜質摻雜於同一層中。 亦可組合本案施行所 可組合搭配在基板裸露 向蠢晶成長，而減少貫 好使成長面垂直於基板 長。此時亦可使高度差 本案發明中區分出元 多晶矽、多結晶氮化物 (s i 0X)、氮化矽（s i Nx )， 化物；氮化物、鈦（T i ) 的多層膜。該等的成膜 法，或其他任意方法。 謂的橫向蟲晶成長之構造。即，亦 面上方的每個區域中，利用各種橫 穿差排的搆造。雖橫向磊晶成長最 ，但亦可對基板呈傾斜的面進行成 底部無底面，而呈截面V字型狀。 件形成區域的罩幕材料，可採用如 半導體等多結晶半導體；氧化矽 氧化鈦（Ti0x)、氧化锆（ZrOx)等氧 、鐫（W )之類高融點金屬；或該等 方法係可為濺鍍、CVD等氣相^長 族氮化物系化合物半 的。譬如在矽（s i)基 反應防止層係使基板與上層的第 導體，在製造程序中不致產生反應

W8460 五、發明說明（10) 板與GaN之間，當無問p发段 已知藉由製造程序中的；力曰’或僅隔著薄層的情況時， ;厂子去而形成石夕⑻===反：中且;r曰移最動氮 杈厚者，最好為含較多 八中早、、Ό曰曰最好為 導體AlxGay Ιηι_"Ν(譬如χ ^之第皿族氮化物系化合物半 較強’ ϋ此石夕與GaN較難庫:，為銘(Α1)與氮的鍵結 應變緩和層係將非晶質層曰 分晶質層與單結晶層當作：：：：：以& ’。亦可將 複次數可為任意❶重複次===形成複數週期，週期重 晶質層最好係在低溫下成 f的f二結晶性將越佳。非 體，尤以含鋁(A1)的層更佳、ί $族虱化物系化合物半導 長的第m族氮化物系;匕合物半；：晶在=溫下成 雜的因素之外，最好A _ ==肢右排除植入導電性摻 體。此外為一 70糸弟m族氮化物系化合物半導 :其::卜子早結晶層中亦可換雜入較姻(⑷原子半徑2 萬將供電極形成、式垃田4廿

族氮化物系化合：半導體的情況下對第m 成α ^ 干¥ 化仃钱刻處理時，雖最妊媳田G ίΐ=:!=;…採用似 =土 =上形成垂直面的情況時，亦可藉由 刻’形成如底部無底面而載面呈V字型者。 合：ϊ ί 'ί ΐ ί抑制貫穿差排之區域的第311族氮化物系化 。•發光元件的情況時，發光層可為多量子井構造體;^

538460 五、發明說明（11) 迭單= 造(二，此外亦可為均質構造、異質構 又，、貝構w亦可利用Pin接面或pn接面等而形成。 以下’針對發明的具體實施 發光元件，惟本發明並不僅限於^實施例，乃揭示可適 :於任意元件的第m族氮化物系化合物半導體之製造方 法0 本發明之第m族氮化物系化合物半導體係利用依有機金 f化合物氣相成長法（以下稱「M〇m」）的氣相成長而製 传:所使用的載达氣體，有如氨（龍3)、載送氣體（I或〜） 、二甲基鎵（Ga(CH3)3，以下稱「TMG」）、三甲基鋁（A1 αΗΛ，以下稱「TMA」）、三甲基錮（In(CH3)3，以下稱 「TMI」）、及環戊二烯鎂（Mg(C5H5)2，以下稱「Cp2Mg」） 〔第一實施例Ί 在η型石夕（Si)基板1的（11〇面上，利用濺鍍形成厚度 5 0 0nm的氧化矽（SiOd膜2。將其利用微影而形成光阻罩幕 之後’利用緩衝液HF的濕式钱刻，而將氧化石夕（g丨ο〗）膜去 除並殘留呈窗框狀。此窗框係寬度5 〇 # m、且經去除氧化 石夕（Si〇2)膜2後的石夕（Si)基板1之（ill)面，便形成 X 30 0 //m的方形狀。如此便形成多數各自分離的3〇〇 X 300 μπι之方形狀石夕（Si)基板1露出面。 其次，將η型矽（Si)基板1維持於11 〇〇 °c中，並導入TMa 、TMG、SiH4&NH3 ，而在裸露出 300 //mx 300 //ni 之方形狀 的矽（Si)基板1之（111)面上，形成由厚度3〇〇nmin-

538460 五、發明說明（12)

AlGaN:Si層所構成的反應防止層3。所形成的n — A1GaN:si 層3之A 1與Ga之莫耳比約3:7。 接著’導入TMG、SiH4&NH3，並在由n-AlGaN:Si層3所構 成的反應防止層3上，形成厚度5〇〇11111的11-(；^:3丨層411。 其次’將η型矽（Si )基板1的溫度下降至5〇〇 〇c，並導入TMA 、TMG、SiH4&NH3，而形成厚度2〇11111的1141(^1^層421。 η - AlGaN:Si層421的A1與Ga的莫耳比約3:7。其次，將η型 石夕（Si )基板1的溫度上升至1 1 Q〇它，並導入tma、TMG、 SiH4&NH3，而形成厚度 2〇nm 的 n-AlGaN:Si 層 422 °n-AlGaN:Si層422的A1與Ga的莫耳比約3:7。依此便交叉形成 在1100°(：高溫下所形成厚度5〇〇11111的11-6&^31層411，412, 與在50 0°(：低溫下所形成厚度2〇11111的11-(^18丨層421，422, 而形成厚度約1 // m的應變緩和層4。 接著’將η型矽（S i)基板1的溫度提昇至丨丨〇 〇 t，並導入 TMG、SiH4及NH3，而在應變緩和層4上形成厚度5 的 η-GaN:Si層5。然後，依此方式形成的n-GaN:si層5便利用 窗框狀氧化矽（Si〇2)膜2，而形成各自分離開裸露出的3〇〇 #mx 300 //m之方形狀矽（Si)基板1面上方。即便在部分窗 框狀氧化石夕（S i 〇2 )膜2的邊緣上方，亦形成應變緩和層4與 n-GaN:Si層5，亦與相鄰裸露出的soOvmxSOO/zm之方形 狀石夕（S i)基板1上方’所形成的應變緩和層4，與n _ G a N : s i 層5’呈分離狀態。將依此方式所形成的^以^丨層^，依 2 0 °C /分的速度進行降溫而回復至室溫，並無產生龜裂。 〔第二實施例]

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第17頁 538460 五、發明說明（13) 如同第一實施例，在裸露出3 0 0 // m X 3 0 0 // m方形狀的矽 (Si)基板1之（in)面上，疊層具應變緩和層4的〇 —GaN:Si 層5。接著，便如下示疊層第皿族氮化物系化合物半導 體，而形成如圖3所示發光二極體1 〇 〇。 在n-GaN:Si層5上，形成由矽（Si)摻雜的Al^uGausN所構 成的η覆蓋層106、發光層107、由鎂（Mg)摻雜的Al^bGao.^N 所構成的p覆蓋層1 〇 8、以及由鎂（Mg)摻雜的GaN所構成的p 接觸層109。其次，在p接觸層丨09上形成由金（Au)所構成 的電極11 0 ’並在矽基板1背面形成由鋁（A 1 )所構成的電極 111。依此方式所形成的發光二極體（^仙）丨〇 〇明顯的提昇 元件壽命與發光效率。 __〔第三實施例1 如同苐一貫施例，在裸露出3 〇 〇 // m X 3 0 0 // m方形狀的石夕 (Si)基板1之（ill)面上，疊層具應變緩和層‘的^GaN:Si 層5。接著，便如下示疊層第瓜族氮化物系化合物半導 體，而形成如圖4所示雷射發光二極體2 〇 〇。 在n-GaN:Si層5上，形成由矽（Si)摻雜的Α1ϋ156'85Ν所構 成的η覆盍層206、矽（Si)摻雜的GaN所構成的η導引層207 、MQW構造的發光層208、鎂（Mg)摻雜的GaN所構成的ρ導引 層208、由镁（Mg)摻雜的AloGsGao^N所構成的p覆蓋層209、 由鎮（Mg)摻雜的AlG15GaQ85N所構成的ρ覆蓋層210、以及由 鎮（M g)摻雜的G a N所構成的ρ接觸層2 11。其次，在ρ接觸層 211上形成由金（Au)所構成的電極212，並在石夕基板1背面 形成由紹（A 1 )所構成的電極2 1 3。依此方式所形成的雷射

91102217.ptd 第18頁 538460 五、發明說明（14) 發光二極體（LD) 2 0 0明顯的提昇元件壽命與發光效率。 【元件編號說明】 1 矽（S i)基板 2 氧化矽（S i 02)膜 3 由n-AlGaN:Si所構成的反應防止層 4 應變緩和層 411，412 形成應變緩和層的高溫成長n-GaN: Si層 421，42 2 形成應變緩和層的低溫成長n-GaN: Si層 5 GaN 層 100 發光二極體 20 0 雷射發光二極體 1 0 6,2 0 6 n-AlGaN 覆蓋層 207 n-GaN導引層 1 0 7, 2 08 發光層 20 9 p-GaN導引層 108,210 p-AlGaN 覆蓋層 109, 211 p-GaN 層 110.212 p 電極 111.213 η 電極

C:\2D-CODE\91-04\91102217.ptd 第19頁 538460 圖式簡單說明 圖1係本發明具體第一實施例的第m族氮化物系化合物 半導體之製造程序的剖面示意圖。 圖2 (a )、（ b)係第一實施例之磊晶成長層側面詳細剖面 示意圖。 圖3係本發明具體第二實施例的第m族氮化物系化合物 半導體發光元件構造的剖面示意圖。 圖4係本發明具體第三實施例的第m族氮化物系化合物 半導體發光元件構造的剖面示意圖。

C:\2D-CODE\91-04\91102217.ptd 第20頁

Claims (1)

1. 538460 六、申請專利範圍 一 r一·" B ^ ---- 1 · 一種第瓜族氮化物系化合物半導體之製造方法，係在 :反上利用蠢晶成長而獲得第m族氮化物系化合物半導體 者，其特徵在於包括有·· 在基板表面上，袼子狀形成未磊晶成長第瓜族氮化物系 化合物半導體的單幕材料，使元件形成用基板表面各自分 離裸露出的步驟； f上述各自分離裸露出的基板表面上方，於二個不同溫 . ^下’將相同或不同組成的第m族氮化物系化合物半 · 脰父又形成’而形成應變缓和層的步驟；以及 將所需第m族氮化物系化合物半導體形成於上述應變緩 和層上的步驟；其中， 形成於基板表面上方的第皿族氮化物系化合物半導體係 形成相鄰間各自分離。 蹄2.如申請專利範圍第丨項之第诅族氮化物系化合物半導 體之製造方法，其中，上述二個不同的溫度範圍係在2〇〇 c以上且60(rc以下，與900 t以上且12〇〇。〇以下。 3.如申請專利範圍第2項之第族氮化物系化合物半導 :之製造方法，其中，依20 0 t以上且6〇〇。。以下所形成的 第m族氮化物系化合物半導體層，係厚度1〇·以上且 mnm以下；而依90〇u上且12〇〇t以下所形成的第瓜族讀 鼠化物系化合物半導體層’係厚度2〇〇nm以上且i p以 心====== 二

   538460 六、申請專利範圍 個不同溫度範圍各重複二次以上。 5.如申請專利範圍第1項之第皿族氮化物 體之製造方法，其中，上述各自分離裸露出、化合物半導 積係在0· 01mm2以上且imm2以下。 、暴板表面面 6·如申請專利範圍第丨項之第冚族氮 體之製造方法，其中，上述各自分離裸露勿糸化合物半導 積係在0· 01mm2以上且〇· 3mm2以下。 勺基板表面面 7·如申請專利範圍第丨項之第瓜族氮化 體之製造方法，其中，上述基板係由矽（s ，、L合物半導 8·如申請專利範圍第〗項之第羾族氮化 構成。 體之製造方法，其中，上述罩幕材料主要#、化合物半導 (Si02)所構成。 要係由二氧化石夕 9·::申請專利範圍扪項之第瓜族 胚·之衣造方法，其更包括有以制 勿糸化合物半導 :==物系化合物半導體：:^ 由單結晶所構成 ^成用基板表面上，形成主要 10.如申請嵐α A反應防層的步驟。 體之製造方法，^圍，第9項之s m族氮化物系化合物半導 以上且在i“m以：^。，上述反應防止層的厚度係在100nm 11 ·如申請專免丨々々 ^ 體之製造方法，^^圍第1項之第111族氮化物系化合物半導 化合物半導體，述反應防止層係苐HI族氮化物系 上。 矢的鋁（A1)組成係莫耳比3 0 %以 91102217.ptd 第22頁