TW538291B - Vertical alignment mode liquid crystal display - Google Patents

Description

538291 五、發明說明（1) 發明背景 (a)發明範圍 本發明係關於一種垂直對 是關於一種具有電極開孔樣 特徵之垂直對正模式液晶顯 Cb)相關技藝描述 通常，液晶顯示器會具有 層於兩片基板之間的結^， 上，以便控制光線穿輪性， 除了其他之外，本項垂直 晶分子導向器係正常對齊於 為消費大眾之首選，因為彼 角。 為實現具該種模式之寬廣 成該些開孔樣式或突物的方 成諸梳形場，藉以讓該液晶 達到寬廣視角的目的。 圖1為一符合於先前技藝 對正模式液晶顯示器的剖=面 該液晶顯示器包括一底部 緣基板6 0 0。 閘極線路（未以圖示）係形 而其閘極電極係形成於水平 示）係形成於該底部基板1 0 0 ^模式液晶顯示器’並且特別 式哭而同時又展現有寬廣視角 不Is 。 :ΐ:t明治方式來將液晶灸 =且日％加一電場於該液晶之 藉此產生顯示影像。

對正模式液晶$ A 、狀日日顯不器中，該液 該基板而無須施加電場，早已 等可提供高對比比值與寬廣視 視角，現已提出可於電極處形 式°亥些開孔樣式或突物可形 分子朝傾於各個方向，並因而 ，而具有電極開孔樣式之垂直 視圖。 矣巴緣基板1 0 0 ’以及一頂端絕 成於該底部絕緣基板1 〇 〇上， 方向。共同電極線路（未以圖 上，且以平行於該閘極線路的

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® 2為如本發明具體實施例具 正相：式液晶顯示器之平面視圖； 圖3為採自沿如圖2中I I I - I Π， 顯示器之剖面視圖。 之具體實施例 有電極開孔樣式的垂直對 以及 線路的垂直對正模式液晶 =參酌該些隨附圖示來說明本發明之較佳具體實施例。 極丨一符合於本發明之較佳具體實施例，而具有電 1 ^胃樣式的垂直對正模式液晶顯示器，同時圖3 ##自 沿如圖2中⑴-⑴，線路的垂直對正 = 剖面視圖。 供％成日日顯不|§之 即如該些圖示所述，該液晶顯示器入一 板U，通稱為「薄膜電晶體（TFT)矩陣基3 ，-邛絕緣基 端絕緣基板6 〇而被通稱為「彩色過據器土基板」/及頂 閘極線路2 〇係形成於該底部絕緣基 極21係行進形成於水平方向。共同=°亡，而其閘極電 該底部基板i。上’且平行於該閘極線路⑼ ：2;:成於 5行進：向的儲存電容器線路24與25而相互 早—個或更多。該些閘極線路20、閘極電極21 "為 電極線路22與23以及儲存電容器電如：， 紹或絡質金屬材質所形&，而載荷為單層二是 鉻基層與鋁基層來構築的雙層結構。 、，、°構或疋依序以 2。以絕緣層31°係形成於閘極線路 上。”门電極線賴和23，以及館存電容器電極Μ與^之

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，料，路40是以垂u式形成於該閘極絕緣㈣ 忒來源電極41是由該資料線路4〇是所分 極42位於靠近該來源電極41處，但同時又與：而^電 開。該資料線路4。、該來源電極41與該蝎盡== :像是銘或鉻質金屬材質所形成，而可為

TFT通道部分的半導體層（未於圖示），以及用來 半導體層與來源電極41、42間之接觸阻抗的電阻接咸觸層以 (未於圖示），係形成於該來源與竭盡電極41、Μ之曰士 半導體層-般是以非結晶矽質所形成，而該電阻接觸層貝: 是以非結晶矽質另摻以高濃縮11-型異物所形成。 S 、 而保護層32則是以像是氮化矽等的無機性絕緣材質，道 是樹脂等的有機性絕緣材質來形成於該資料線路4〇之上= 該保護層32可提供有用來開啟該竭盡電極42的接觸性^ (未於圖示）。 1 該些像素電極50係形成於該保護層32之上，而目+ ea 樣式5 1。該些像素電極5 0係由像是氧化銦錫（丨τ 〇 )或θ氧 化銦辞（ιζο)等透明導電性材質，或是由像是可展現 好反光性質的鋁質等不透明導電性材質所形成。 义 各個像素電極50的開孔樣式51具有形成於該像素電極5〇 邊界上而將其二分為頂部與底部區域的水平開孔部份，以 及形成於該像素電極5 0頂部與底部區域而又彼此垂直行進 的傾斜開孔部份，藉此來於所有方向上均勻地分配梳开> 場0

538291 五、發明說明（6) 當由頂端觀視時，該儲存電容器電極24與25於A、B、C 與D局部處係完全由該像素電極5 〇所覆蓋。 黑色矩陣7 0形成於該頂端絕緣基板6 〇處，以防止光線溢 漏。、共同電極8 0則是形成於該黑色矩陣7 〇上，並具有開孔 樣式81。該共同電極8〇係以如IT〇或12〇之透明材質所形 成。彩色過濾器（未於圖示）形成於該頂端基板6 〇之上，周 圍環繞著該黑色矩陣7〇。另外，也可讓該黑色矩陣7〇與該 彩色過濾器形成於該底部基板丨〇處。 —該共同電極80在像素區域處的開孔樣式81，可具有外部 行進平行於該像素電·極50之頂部與底部傾斜開孔部份的傾 斜開孔部份，以及彎曲於該些傾斜開孔部份，同時重聶於 侧邊的線性開孔部份。該些線性開孔部份：被 二：' 二二平與垂直線性開孔部份。而被垂直線性開孔部份 ^後现的像素電極50之側邊，可完全涵 容器線路24與25。 / r万储存電 如鈾述結構之液晶顯示器，可依下方 題。 J队Γ忒木防止出現紋理問 如圖1所示之先前技藝液晶顯器， J. ^ „23〇 ^24〇 , , „ ^ 2構築於像素區域週邊的電場。這種心： 8〇〇係經移除，並形成—開孔樣式81Q。同電極 像素區域週邊的栌帘尸，合細—丄 為此原因，構築於 透的梳形％會朝著相反於形成名偾冬π ☆ 央之梳形場的方向而傾斜。因此， ”區域中 狀日日分子的導向方式會

538291 五、發明說明（7) ^ '一":— 於該像素區域週邊與中央之間的區域T處被加以倒轉。顯 示於螢幕上該區域τ處即出現紋理現象。 相對地，如圖3所示之本發明液晶顯示器，該像素電極 50可完全涵蓋住儲存電容器電極24和25。因此，大部份形 成於該像素電極50與儲存電容器電極24和25間的電力線， 會連接到該像素電極5 〇的底部表面。因此，該像素電極5 〇 與儲存電容器電極24和25間的電場並不會影響到該歧液曰 为于。而不會受到儲存電容器電極2 4和2 5所影響的梳形場 έ被保持於忒像素區域内某一預設方向上，而在像素區域 之外才改變其方向（但仍為該黑色矩陣所覆蓋住）。由於在 液晶分子導向方式會出現倒轉的區域Τ伸進到像素區域之 外’但仍會被該黑色矩陣所覆蓋，因此該紋理現象並不合 顯示於螢幕上。 如同W述’本發明液晶顯示器可依照有效方式來防止出 現紋理現象’使得影像品質可顯著地獲得改善。 在此雖僅以較佳具體實施例來詳細說明本發明，缺對於 堂筑之人士，應即可知悉可按此實作各種修飾與 業’而仍不會悖離如後附申請專利範圍所列述之本 發明精神與範疇。

Claims (1)

1. 爲 申請專利li圍 了V-種用於液晶顯示器的薄臈電晶體矩陣基板，包： 一絕緣基板； 一形成於基板上的閘極線路； 於該些間極線路的共同電極線路. ，於该些共同電極線路的儲 一形成於該些開極線路、共同雷梅=t 極； 器電極上的閘極絕緣層； 、 極線路以及儲存電容 諸形成於該閘極絕緣層上 一料線路上的保護層:及 極，成於該保護層之上，而具有開孔樣式的像素電 其中該些像素電極於 容電極。 、 。〇二处可完整覆蓋該儲存電 2 ·如申睛專利範圍第1 冬 該儲存電容電極可逐個提供專膜電晶體矩陣基板，其中 側。 ^供於各個像素電極的左右兩 3 ·如申5月專利範圍第1 、 該共同電極線路係兩條個別之薄膜電晶體矩陣基板’其中 4 ·如申請專利範圍第1項V $ 每一開孔樣式具有一具' 溥膜電晶體矩陣基板，其中 部份，而將其切分為& =成於像素電極邊界的水平開孔 及形成於像素電：部區域的水平開孔樣式，以 開孔樣式。 〃底°卩區域處且彼此垂直行進傾斜 第12頁 538291 、申請專利範圍 5 · —種薄膜 一絕緣基 諸形成於 路；以及 絕緣於該 電極； 其中，當 可完整覆蓋該 6. —種液晶 一底部絕 形成於 路 諸 絕 緣於該 電極，而當由 完整覆蓋該些 一面向該 一形成於 電晶體矩陣基板，包括 板； 了： 絕緣基板上而JL古 ，、有分又電極的丘n + 知 J丹冋電極線 些共同電極線路而i /、有弟一開孔樣式的像素 由頂部觀視時，該些像 些共同電極線路的分^ ” 5於特定區域處 顯示器，包括了又電極。 緣基板， 絕緣基板上而且右八 叩具有分又電極的共 些共同電極線路而具有第一 頂部觀視時，該些 # 共同電極線路的分又電極； 同電極線 頂部觀視時’該些像素電極二 極； 其邊，而 線路的 7 ·如 極可逐 8 ·如 中該第 在該特 分叉電 申請專 個地提 申請專 底部基板的頂端绍& 只5而絕緣基板；以及 該頂端基板上而具 有第一開孔樣式的共同電 二開孔樣式於特定F七_舜 宗卩砝士分L 區域處覆盍於像素電極側 疋&域中5亥此僮^去兩 極。 —像素电極可元整覆蓋共同電極 利範圍第6項之浚曰—努 ^ . 址^ 7 液日日顯不器，其中該分又電 供於各個像夸Φ ^ ^ 丨^谬I冤極的左右兩側。 利範圍第6項之液B齡士笑、，甘‘ 只心成日日顯不，其中該共同電 六 申請專利範圍 極線路传 9. 如；；；個!!線路。 一開孔樣式且=靶圍第6項之液晶_示装 將像素雷；ts / 形成於像素電極邊衣°°，其中該各個第 於像素兩拓刀分為頂部與底部區域，丨而水平開孔部份，而 門：極的頂部與底部 ：傾斜開孔部份 與底部傾#二疋包含有外部平行行進於，in :開孔部份而同時重疊於像素電極：側=曲於該些傾 份。 惻邊的線性開孔部 10. 如申請專利範圍第9項之液晶顯示器，盆 3式的該些線性開孔部份於某一特定區域處會 /、％ 1的垂直邊，而在該區域裡該些像素電極是完全覆莒 住遠些共同電極線路的分叉電極。

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