TW536666B - Process for producing a photoresist composition having a reduced tendency to produce particles - Google Patents

Process for producing a photoresist composition having a reduced tendency to produce particles Download PDF

Info

Publication number
TW536666B
TW536666B TW088100458A TW88100458A TW536666B TW 536666 B TW536666 B TW 536666B TW 088100458 A TW088100458 A TW 088100458A TW 88100458 A TW88100458 A TW 88100458A TW 536666 B TW536666 B TW 536666B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
photoresist
patent application
resin
photoresist composition
scope
Prior art date
Application number
TW088100458A
Other languages
English (en)
Inventor
Joseph E Oberlander
M Dalil Rahman
Michelle M Cook
William C Nelson
Original Assignee
Clariant Int Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Clariant Int Ltd filed Critical Clariant Int Ltd
Application granted granted Critical
Publication of TW536666B publication Critical patent/TW536666B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G8/00—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08G8/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes
    • C08G8/08—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes of formaldehyde, e.g. of formaldehyde formed in situ
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0048—Photosensitive materials characterised by the solvents or agents facilitating spreading, e.g. tensio-active agents
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Description

536666 發明説明（ 本發明係關於生產具有很低顆 法，余„ 果、粒计數的穩定光阻劑之方 只貝上是減低了產生額外顆粒的 有穩定的感光速度。由於生產方㈣=*而貝質上具 , ’去」、產生精細幾何學ί、 有關，光阻劑中顆粒的存在更加成爲—個難題。β 二阻劑化合物用於生產小型電子组件的微版印刷工蔽， 如灰适計算機芯片和集成電路。 ^ 士 吸吊在些工获中，. 劑組合物膜的薄層首先要 、今、主％ j基片（展）材料上（如矽）〇 至〉貝的基片然後烘烤以基本上茱 工丨 游發先阻劑組合物中的溶 釗，並將塗層固定到基片上。烘 合 ❻ 1的基片表面然後經過影 侬万式輻射曝光。 、 (請先閱讀背面之注意事 J-- yr . 擎衣-- k'寫本頁} 經消部中央標準局只工消费合作社印製 产 只 J 1卜川 〇 在A向作用光阻劑組合物以影傻 u ,A , W像万式輻射曝光時，輻射曝 光的光阻劑组合物區域在顯 、心d岭欲中的溶解性變小（即 I生了交聯反應），而光阻劑塗層的未曝光區域則仍相對 /谷於故種溶液中。這樣，用顯影劑處理的曝光負向作用光 阻劑使光阻劑塗層的末曝光區域除 ._ ^ ^ ^ L 4丨士去，亚且在塗層中產生 了負像。因此，曝露了基片表面所 叫"丨而女的邙分，而上面的 光阻劑組合物沉積下來。 另-万面’在正向作用光阻劑以影響方式輻射曝光時， 那些輻射曝光的光阻劑組合物區域變得更溶於顯影劑（即 發生了重排反應），而那些未曝光的區域相對不溶於顯影 劑溶液。這樣’用㈣劑處理的曝光正向光阻劑使塗層的 曝光區域除去，從而在光陰劑塗層中產生了正像，再—次
本紙張尺度制巾關家料（CNS
536666 五 、發明説明 Λ . 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 心路了基片表面下所需要的部分。 在，種類影操作之後，現纟的部分未保護基片可以用基 μ — /又蝕/合液或等離子氣體及類似方法處理。浸蝕溶液或 Υ —子氣把/文银了顯影時光阻劑塗層被除去的基片部分。 光阻Μ #層保留的基片區域被保護起來，因而在與用於影 像方式輻射曝光的光掩蔽相關的基片原料中產生了浸蝕圖 ’ <彳交，保留光阻劑塗層的表面在溶脱操作中除去，留 马了/固Μ甲的次蝕表面。在-些實例中，可視需要在顯 &’浸钱步驟之前，加熱處理保留的光阻劑層， :增加它與下面基片之間的黏合力和它對浸蚀溶液的抵抗 _。:作用光阻劑組合物通常較反向作用光阻更加 且/:刀許疋指’在曝光和顯影後，光阻劑組合物 :先::r多(傳遞)到具有高度影像邊緣分辨的最小部 牛在如·>的很多生產應用中，光阻劑必心 的次序上分辨。另外， 而、彳1微米 』、 ^ 心而要頭衫的光阻劑壁輪舟 接近垂直於相關的基片。這種光阻劑塗層顯影和未^ 面區分被翻譯成基片上掩蔽影像的猜確模型轉換:一 這種輻射曝光使塗層表現的曝光區域發生化學變 見光、紫外_光、電子束和χ射《射能^今用= 微版印刷工势的輻射類型。在影像方式曝光之後，
If— f f i 1- I · (請先閱讀背面之注意事\^^^寫本頁 • ml I....... 衣 寫太
基片用顯影溶液處理，以溶解或除去基 1過的 曝光區域或未曝光區域。 丨7面的赛射
本纸張尺度適财_家標準（ 536666
、發明説明 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 在基片上敷塗光阻劑陆 ^ 呀’光阻劑組合物中顆粒的產咔成 馬一個嚴重的問題。光卩且旬+人 的產生成 阻剑組合物的調配，是通過將咸％ 化合物（如1，2-醌二疊氧仆人仏、 i奸心先 吋月曰）在光阻劑溶液中玄、 ” # θ . /解亚知得到的溶液過濾而成。即 使疋在過濾之後，也經常有此 pe _ , ^ 二雖貝田在浴瑕，在溶液長時 口 /、丁存時（老化），—此顆^ 、、 一、粒攸;谷夜中凝析出來。顆粒聚集 —段時間時可能會有〇.5微 木 ^ ^ 俽未大或者更大。爲了提高分辨 千和更好地進行電子設備 — 座顆权的數！需要減少到 個很低的水平。由於雷早7 _ 由1弘子益件（例如計算機芯片）已變得 备複雄南冰，由光阻劑顆^盖 ,aE …顆粒屋生的問題也變得愈加難以 、、工㊉在敗體光阻劑配方中 ]作聚合黏合劑。成膜酚醢清涑 ,r π♦树脂一般是在酸催化劑 (’草酸或馬來酸酐）存在下，通 、甲路和一種或多種多取 代紛的縮合反應進行生產。 憂詳述 本發明係關於生產具有較低含量顆、 ' ϋ卫類权（光阻劑組合物之 万法’實質上減少了產生額外顆粒的 、， 叫❸向，亚且基本上具 有穩定的感光速度。本發明提供了二 ,、 王屋這種光阻劑化合物 的方法，即在大約35 °C至大約_90 °Γ Μ 1 一 L对光阻劑組合物用酸 性丨S離子交換樹脂處理，一般進行女々 一 Γ人的1至15小時，較 佳爲大約2至大約12小時，最好异木 片疋大約4至大約12小 時，這樣就減少了顆粒的數目，減少τ止t7 > /x〆了先阻劑老化時額外 顆粒的產生，從而提供基本上穩定的感光速产 ___ - 6 - 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X 297公炱） (請先閱讀背面之注意事 I i -= f 1 - — f --1 I · 寫、 『本頁j
536666 Λ' 五、發明説明（4 ) — 生產這種光阻劑化合物，還可將光敏化合物過濾，用陽 離子交換樹脂處理，然後用陰離子交換樹脂處理，再次過 遽’然後向這種處理過的光敏化合物加入成膜樹脂（如酚 酸清漆樹脂）和適合的光阻劑溶劑，進而調配出光阻劑組 口物。光阻劑組合物然後用上述方法處理。用交換樹脂處 理的感光化合物除去了 一些剩餘的胺（用於催化生產感光 化5物）、鉍和一氯重氮（如存在，會導致顆粒的生成）。 標題發明方法提供了基本上穩定的光阻劑化合物，這種 光阻劑化合物含有成膜樹脂，如在酸催化劑存在下，由甲 紛和甲酸的混合物在溶劑中縮合得到。縮合之後，將祕 清漆樹脂分離，如通過蒸館除去水分、未反應的甲醛、甲 敏化合物在適合的光阻劑溶劑中混合得到光阻劑組合物。 二：：光破化口物可由-種或多種i，2,二疊氮化合物與 …或多種紛系化合物在適合的光阻劑溶劑中反應得到。 的==合物與酸性陽離子交換樹脂—起加熱時發生 的砰盡反應或歷程還未可知，但 歸物可能在光阻劑組合物；存在相=中間體重氮 積形成顆粒，這些顆粒可作爲進發生反應並且聚 種。由於顆粒聚集，產生了更多更大顆粒印 換樹脂可作爲催化劑將所有這些中間 ^生子交 多的顆粒。這種光阻劑組合物經一次^ 口j下轉化爲更 存在促使顆粒進一步生成。 人W”就不會有晶種 1纸張尺度適用中 (請先閱讀背面之注意事 聚— 本頁)
在本發明的方法中，加熱光 於室溫（20。(；至25。〇,加大約^' 溫度-定要大 佳是將混合物冷卻至3〇冗或3 取佳。加熱後，較 光阻劑組合物在室溫下經加散 ，最好是室溫。在 顆粒既沒有實質性地減少，也不:'換樹脂處理時， 速度。 不g貫質地得到穩定的感光 且ΐ車發^供—種生產光阻劑組合物之方法，這種光阻劑 穩==顆粒:產生額外顆粒的較低傾向以及基本 子二扣、人生產坆種光阻劑的方法是利用酸性陽離 脂與光阻劑组合物-起加熱實現的。 主過方法包括 a) 將成膜 樹脂（如酚醛清漆樹脂）與光活 •性化合物 在 光 阻 b) 劑溶劑 中攪拌’ #到-種光阻劑組合物； 過濾從 步驟a)得到的光阻劑組合物， 其濾器具 有 的 額 定値爲 大約〇.05微米至大約0.50微 .米， 較佳 爲 大 約 〇.〇5 微 米至大約0.30微米，最佳爲 0.05 微米 至 大 約 0.15·微 米； c) 用酸性 陽離子交換樹脂處理從步驟 b)得 到的 光 阻 劑 組合物 ，並將其加熱到大约35 t至 九約 90 °C ? 較佳 爲40 °C至大約60 ，最佳爲大 约40 Ό 至 大 約 50 〇C， 並較佳進行大約1至大約15 , ,!、時 ， d) 過遽從 步如C)得到的光阻劑組合物， 其濾器具 有 額 定 値大約 〇.〇5微米至大約〇5〇微米， 較佳 爲大 約 0. 05 536666 ΑΊ 五、發明説明（ 微米至大約〇·3〇微夫，曰从< , 木 取佳烏大約0.05微米至大約 0.15微米。 在步驟c)中，光阻劑组人私 、 二 j、、且Ώ物可以為：1)用酸性陽離子 父換樹脂和加熱至大約35。(：至女的Qn γ ^ r / a 土大、90 C同時進行處理， 或2)首先用酸性陽離子交拖 。 呀难卞人換树脂處理，然後再將溫度加熱 至大約35 °C至大約90 °C。 本發明這進一步提供了 &念/yU卜 '、 屋攸步驟a)得到光阻劑組合物 以上的方法：
a)提供光敏化合物以適合的、玄剜J 口的/合劑，如四氫呋喃（THF)、 丙酮、丙二醇甲醚（PGMe、· (ME)，或迥合的光阻劑溶劑， 如乳§父乙g旨或丙二醇甲_ 旰τ醚乙鉍酯（PGMEa) ·
(請先閱讀背面之注意事I rt 衣---- 本頁) c) d) 經 浪 部 中 央 標 準 局 η χ. 消 费 合 作 社 印 % e) f) 用驗性陰離子交換樹脂處 合物； y U b)侍到的光敏化 =樹樹脂)與從步驟c)得到的光敏 合I:在光阻劑溶劑中搅拌，得到-種光阻劑化 將從步驟d)得到的総劑組合物H 定値大约“Q5微米至大約Q.5。微米 Μ5微米至大約。·3微米，最佳爲大约。。^ Π 約0.15微米； ·υ5微未芏大 用酸性陽離子交換樹脂加熱處理她 劑組合物，其溫度爲大約 ）仔到的光阻 ^大约90Χ：，較佳爲
本紙張尺度適用中_家標準（⑽）Λ4^*7210Χ29'7~：Λ^' 536666
大約40 °C至大約60 X：，最佳爲大約40 X：至大約 50 C ’較佳進行大約1至大約Η小時； g)知從步驟f)得到的光阻劑組合物過濾，濾器具有額定 値大約爲0.05微米至大約〇 5〇微米，較佳爲大約 〇.〇5微米至大約〇.3〇微米，最佳在大約〇〇5微米至 大約0 · 15微米。 在用於步場"a)光敏化合物的溶劑與步驟d)光阻劑的溶 劑不同時，步驟a)使用的溶劑在步驟c)之後和步驟d)之 則較佳應基本上從水中除去，如通過蒸餾或結晶方法。 本發明的方法中，應用了酸性陽離子交換樹脂，如苯乙 少布/ —乙烯基苯陽離子交換掛脂。這種離子交換樹脂可自
Haas ^ompany)^~ 脂（商MAmberlyst® 15)陽離子交換樹脂。應用在本發明中 的鹼性陰離子交換樹脂包括大孔樹脂（商）21 、大孔樹脂 (同）26或大孔樹脂（商）27陰離子交換樹脂（八㈤心办以②21 -或27 ) a這些樹脂一般含有十億分之（ρ^) 8〇,〇〇〇至 經滴部中央標苹局貝工消费合作社印¾ - 〇’〇〇〇的鈉離子和鐵，在應用於本發明之前，鐵離子的 含量必須大大地降低。 酸性陽離子交換樹脂應用水然後用無機酸溶液清洗。陽 雄子X換樹脂較佳應首先用去離子水清洗，隨後用無機酸 落敗（如百分之10的硫酸溶液），再用去離子水清洗，再 用典械S父〉谷液處理，然後再一次用去離子水清洗。 陰離子交換樹脂應用水清洗，然後用非金屬鹼溶液清 洗。陰離子交換樹脂較佳應首先用去離子水清洗，隨後用 ---~ ---- - 10- 本紐尺舰财關家縣（CNS ) ^·.—----- 536666 A7 B7 五、發明説明（ 非至屬鹼洛液清洗（如1〇%氫氧化法，炊诒$ u 丹用去離子水清:再用非金屬鹼溶液清洗，最後再-次用去離子水 清洗。 光阻劑组合物是由—種混合物提供生成的，如光敏化合 物；成膜樹脂，如酚醛清漆樹脂或聚乙烯基酚；以及適合 的光阻劑溶劑。這種光阻劑的溶劑包括丙二醇單-烷基 I丙一醇烷基（如甲基）醚乙酸酯、乙基3_乙氧基丙酸 酉曰礼^乙醋、乙基3-乙氧基丙酸酯和乳酸乙酯的混合 物-庚酮、3-甲基、3_曱氧基、丁醇（MMB)、乙酸丁 酉旨、二甲芙、一 4斤 ' —甘醇二甲醚、乙二醇單乙醚乙酸酯。較佳 的/合^爲丙二醇甲基醚乙酸酯（PGMEA)、乳酸乙酯、2-庚 (请先閱讀背面之注意事- i— ....... 士0 % 本頁 經濟部中央標準局貝工消费合作社印¾ 其匕選用的成分[如著色劑、染料、抗輝紋劑、均化 W、增塑劑、黏合促進劑、速度（感光）增強劑、溶劑和表 面活性劑（如陰離子表面活性劑）]也可在光阻劑組合物塗 Μ遇合的基片之前加到酚醛清漆樹脂、光敏劑和光阻劑溶 卻J的落欲中。可與本發明光阻劑組合物一起使用的染料添 加㈣的貫例包括：甲基紫2Β (C.I. No. 42535)，結晶紫（龍 % 紫）（C.I· No. 42555)，孔雀綠（c.I. No. 42000)，維多利亞藍 B (C.I. No. 44045)和中性紅（C j No. 50040)，以 PHS 和敏化 劑的結合重量計的重量含量爲百分之0.1至10。染料添加 货1通過抑制基片的回散光有助於提高分辨能力。 抗輝纹劑以酚醛清漆樹脂和敏化劑的結合重量計，可佔 主重里έ里大約百分之五。可使用的增塑劑包括’二_( β _
本纸張尺度適财s目家縣（CNS 訂
11 - 536666 經濟部中史樣麥局只工消费合作社印製 五、發明説明（
氯乙基）-膦酸g旨；硬p ,^ ^ ^ ^ Ν 曰畋；二莰酮；聚丙烯；縮醛樹^ (聚甲醛树脂）；笨氧茂 何月曰 ^ ^ Α 土蚵月曰和烷基樹脂，以酚醛清漆樹脂 和敏化％1】的結合重量# β曰 , 叶’其重量含量爲大約百分之一Z； 十。增塑性添加劑改谁 ^ ^原料的塗層性質，能夠將平滑且 厚度均勻的膜用到基片上。 可用的黏合促進劑命 匕括，如β_(3,4_環氧-環己基）_乙基 三甲氧基矽烷；ρ-甲其― 土一石夕烷-甲基丙烯酸甲脂：乙烯基 三氯矽烷；和γ-胺基_ 〜I二乙乳基矽烷，以酚醛清漆樹 脂和敏化劑的結合重奮 十其重I含量可至大約百分之4。 使用的顯影速度増強劑包括，如苦味酸、㈣酸心肖基肉桂 酸，以驗醛清漆樹脂和敏化劑的結合重量計，其重量含量 大約可至 這些增強劑傾向於同時增加曝光和 未曝光區域光阻劑涂屏的、、士 、、孟層的，谷解性。這樣，在不用考慮顯影 速度即使^:犧牲-些對比度時，它們也可應用；即，在光 阻劑塗層的曝光區域通過顯影劑更快地溶解時，顯影速度 增強刎也會使未曝光區域的光阻劑塗層大量地失去。 溶劑存在於全部组合物中的量可佔組合物中固體重量的 9〕％。當然，在將光阻劑溶液塗到基片上並經乾燥之後， 落刎已基本上除去。所用的非離子表面活性劑包括，例如 壬基苯氧基聚（乙烯氧基）乙醇、.辛基苯氧基乙醇、以酚醛 清漆樹脂和敏化劑的結合重量計，其重量含量至丨〇%左 右。 製備的光阻劑溶液，可通過有於光阻劑技藝中的一些習 用方法應用到基片上，它們包括浸塗、噴塗、旋轉塗和自 -12- ____ _ 丄二· f、紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4ΐ^#Γ( 27〇^297/-> ^ (請先閲讀背面之注意事項 1-
536666 A7 五、發明説明（ 10 旋塗。在自旋塗布時，I了在給定使用設備和自 弄的時間下能得到所需厚度的塗 / u 厚層先阻劑溶液可用有關 的固骨豆含量的百分率進行調節適合的基片包括石夕、… 合樹脂、二氧…含添加劑二氧切、四氮化二- :、聚合珍、陶资、銘/銅混合物；碎化鎵和其它的 in/V族化合物。 用所述方法㈣產生的修劑塗層特料料熱增長石夕 1二氧切塗片上，如用於微處理器和其它小型集成電路 邓件的生產上。還可以使用鋁’氧化鋁板片。i片也可以 包括各種聚合樹脂，尤其是透明聚合物(如聚酯）。基片可 具有適合組合物的黏合促進層，如可含六_燒基二碎氮 烷 (請先閱讀背面之注意事項
經濟部中央標苹局只工消费合作社印製 然後將光阻劑組合物溶液塗到基片上，基片在大約 70 c至大約120 c的溫度下，於一個熱板上處理大約％ 秒至大約180秒，或在一個對流烘箱中處理大約15至大 約90分鐘。選擇這種溫度是爲了減少光阻劑中殘餘溶劑 的濃度，同時又基本上不會導致光敏劑的熱降解。通常需 要將落劑的濃度減少到最低限度，引導這種最初處理溫度 直到所有的溶劑基本上蒸發，同時在丨微米次.序厚度的光 丨且剡、€L合物薄層仍保留在基片上。選用的一個較佳表現溫 度馬大約85 °c至大約95。〇。將處理進行到溶劑除去的變 化率變得相對沒有意義爲止。溫度和時間的選擇根據使用 者需要的光阻劑性質以及使用的設備和工業上需要的塗亦 時間而定。塗過的基片然後在光化輻射下曝光，如波長在 ________ - 13 本纸張尺度制巾g|削:轉（CNS )八4現1^( 21〇ϋ.ϋ
536666 Α7 經滴部中央標準局只工消费合作社印¾ 五、發明説明 ( 11 ) 大約300 納 米 至大 約 450納米的紫外光照射、X-射線、 子束、離 子 束或激光 照射在適合的掩蔽罩、底片、樣板等 生產的任 何 而 要的 模 型上。 光阻劑 塗 層 可視 而 要在顯影前或顯影後經曝光後二次 烘 烤或加熱處 理 〇加 哉 溫度在大約90 °C至大約120 °C範 圍 之間變化 J 在 大約 100 °C至大約110 °c之間更佳。加熱 可 在一個熱 板 上 進行 大 約30秒至大約2分鐘，進行大約 60 秒至大約 90秒更佳 ’或者在對流烘箱中進行大約3〇秒 至 大約45分鐘。 塗有光 阻 劑 的曝 光 基片通過在鹼性顯影溶液浸潰或噴 顯 方法顯影 以 除去 影 像形式的曝光區域。溶液經過檀動 ， W如用虱氣劇 烈攪 動 。使1片保留在顯影劑中，直至所 有 的或基本 上 所 有的 光 阻劑塗層從曝光區域溶解。顯影劑包 括銨或鹼 金 屬 氫氧 化 物的水溶液。一個較佳的氫氧化物 爲 氫氧化四 曱 銨 。在 塗 片從顯影劑溶液取出後，可視需要 進 行後一顯 影 加 熱處 理 或烘烤，以增加塗層黏合力以及對 浸 蚀溶液和 其 它 物質 的 化學耐性。後一顯影加熱處理包括 塗 層和基片 在 塗層軟化 點以下的烘箱或加熱板烘烤處理。 在 工業應用 中 y 特別 生產矽/二氧化矽類型基片上的微 電路元件 顯 影過 的 基片可以用緩沖氫氟酸溶液處理。 本 發明的光 阻 劑 組合物 能夠耐受酸，鹼浸蝕溶液，同時對 基 片未曝光 的 光 阻劑 塗層區域提供有效的保護。 Τ' 1¾白勺 明 確 實例 對 生產方法和以發明方、法±產的應 用 組合物作 了 更詳盡 的 説明。然而這些實例並不是以任何 -14- 方 本紙張尺度適财關家辟（CNS ) 536666 kl B7 經漪部中央標準局只工消贽合作社印製 五、發明説明（12) ~' 式限足或限制發明的範圍，也未對實施本發明專門應用的 提供條件、參數或數値做出解釋。 實例1 知大孔樹脂（商）15 (A-15) [Amberlyst® 15]酸性陽離子交 換樹脂顆粒用去離子水（DI)清洗，然後用1〇%鹽酸水溶液 /司洗 預先清洗的顆粒用去離子水弄濕。然後用甲醇 (Me〇H)徹底清洗，再用丙二醇甲醚（pGME)清洗。將得到 的樹脂顆粒加入到裝有AZ⑧7518光阻劑「可自克菜瑞恩 Az 兒子原料有限公司得到（AZ Electronic Materials，Clariant Corp)」的四頭圓底燒瓶中，並配有加熱罩、溫度計、加 熱疋時洛、冷凝器、機械攪拌棒以及葉片。得到的暗紅色 熱罩後，繼續攪拌直至混合物的溫度在3〇。使混合物 放置過夜。得到的光阻劑在壓縮氮氣壓力下，使用一個截 塔普拉斯（Zeta Plus®) B〇2〇4_3〇cp柱體和_個〇 2微米蓋爾 芰（Gelman)濾器，濾入一個預先清潔除去金屬離子的 靟升琥珀玻璃瓶中。處理的光阻劑在4〇。〇用不同的時間 使其老化。用顆粒計數器對〇5微米或更大一些和微 米或更大一些的顆粒計數。結果如表1所示。 (請先間讀背面之注意事^本頁) Μ 、\在
___ — - 15- 本纸張尺度適用中國國家標準（cns ) 536666 A7 B7 五、發明説明（l3 ) 表1 實例# 方法 強制老化條件 0.5微米 顆粒/毫升 0.3微米 顆粒/毫升 1 5% A-15，50°C，6 小時 :通過0.2微米濾器過濾 原溶液 47 309 40 °C，1 天 18 125 40 〇C，7 天 50 210 (請先閱讀背面之注意事項 本頁 實例2 使用3%重量的A-15在50 °C重複實例1的操作進行4 小時。得到的混合物然後如實例1那樣過濾，強制老化， ^件列在下面的表2中。lpc (液體顆粒計數y也列在h 中 。 --奸— 經濟部中央標挲局只工消费合作社印製 表2 實例# 方法 強制老化條件 0.5微米 顆粒/毫升 0.3微米 顆粒/毫升 2 3% A-15，50°C，4 小時 :通過0.2微米濾器過濾 原落液 44 404 40X：，1 天 86 565 40 〇C，3 天 64 566 40 °C，7 天 53 796 -16- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) /\4现格（210X 297公兑） 536666 Α7 Β7 17 五、發明説明（ 500毫升琥珀破璃中。# 於40 Π— ^ 阻劑以不同的時間貯存 於40 ㈣目。用自動顆粒計數器測定Q 5微 些以及0.3微米或更大—此 久― 二旳果、粒數目。這些結果列 面的表6中。 r 實例# 方法 表β 強制老化條件
在50 C加熱6小時並通 過0.2微米}慮器過遽
經满部中央標挲局貝工消费合作社印¾ 反較性實例 7’ A-15離子父換樹脂用5床體積的1〇% HC1溶液洗 滌。用大里去離子水（Dl)清洗樹脂顆粒直到清洗水的導電 率不再減少爲止。將大孔樹脂（商）（Amberlys_ 2 〇(Α·21)鹼 性陰離子交換樹脂用去離子水清洗預先淨化，然後用1〇% 氫氧化銨清洗，再用去離子水清洗。Α_15和"21顆粒分 別放入分離的枉中，用3床體積的Me〇H清洗，隨後用 PGMEA清洗（丙二醇甲醚乙酸酯）。將汨…⑧乃18光阻劑 (可彳疋IBM得到）在壓縮氮氣壓力下通過一個截塔普拉斯 (商）（Zeta Plus®) B0204-30CP柱體和一個〇 2微米蓋爾曼 (商）（Gelman®)滤器過滤，然後通過準備好的5柱，隨 -----—__ - 20- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4^^Τ2ΐ〇χ;ϋ 一----------- 536666 A7 B7 五、發明説明（2〇 ) 溶液及又一次去離子水洗過。另一個含有大孔樹脂 (商）（Amberlyst®) 21驗性陰離子交換樹脂用去離子水、 10%氫氧化銨溶液及又一次的去離子水清洗。兩個柱用 PGMEA (丙二醇曱醚乙酸酯）清洗吹乾。PAC (光敏劑化 合物）溶液以大約每分鐘75毫升的流速通過Amberlyst® 15 陽離子交換樹脂，然後再以同樣的流速通過Amberlyst® 21 陰離子交換樹脂。PAC溶液通過黏度測定至11.0厘斯 (Centistokes)日標値將其調節至合適的固體含量。向1200 克PAC的PGMEA溶液加入12〇〇克4〇%的酴酸清漆樹脂 72溶液[由克菜瑞恩az電子原料公司得到一種成膜酚醛 清漆樹脂（苯酚甲醛）]和FC-430氟化表面活性劑（由3M得 牙作分备清漆葡活性劑ΐτΟ/ϋτΟΌ^Τ~「將-混-合物充分混合，黏度和吸收率調節接近至丨丨〇厘斯目標値 和整體吸收360納米的0.87 ,以得到光阻劑組合物。光阻 劑組合物通過Amberlyst® 21陰離子交換處理，在45經 12小時加熱處理，然後通過0.10微米滤器過滤。光阻劑 组合物用下表9所示時間在40 X：老化。Lpc數據也列在 表9中。 (請先閲讀背面之注意事項v
'IT 經1"'部中央標次局’只工消合作·不印 _ - 23 _ 本纸張尺度適用中國國家標準（CNsTT4!^ ( 21〇ϋ"ϋVT~' 536666 Α7 Β7 五、發明説明（21 表9一 里_ PAC/PGIvj^溶液經垄」匕3天或不經老化的αζ®751 1光 U (從克恩AZ t子原料公司得到）之Lpc數據（〇 3 ^〜__粒/毫升） 新 新/老化 請 kj 閱 讀 背 ιέ 之 0 6166 5731 8221 7404 4 10528 5148 時間 新 7 時間，用天表示：光阻劑保持在5CTC。 用本發明方W会製備_7511阻化劑，而 8013 73786 新/老化 用=發明方法實驗製備Αζ@75η阻化劑，老 化珂用PAC溶液在室溫保 。 注 意 事
經濟部中央標莩局資工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家精 -24. CNS ) Λ4坭格（21〇乂2^7公¥·

Claims (1)

  1. 536666 第88100458號專利申請案· 中文申請專利範圍修正本(9〇年6月）六、申請專利範圍K: ' ABCD 月 I修 着委”： ^-.-.'νν:ί. 一^内容 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 一種生產低顆粒含量及低顆粒生成量之光阻劑化合物 的方法，其包括： a)在光阻劑溶劑中，混合成膜樹脂與光敏化合物， 得到一種光阻劑組合物； 將步驟a)得到的光阻劑組合物通過一個規格約 〇.〇5微米至大約〇.50微米的濾器過濾； 用酸性陽離子交換樹脂處理步驟b)得到的光阻劑 組合物，並加熱至約35 °C至大約90 °C ;及 將步騾c)得到的光阻劑組合物通過規格約〇 〇5 米至大約0.50微米的濾器過濾。 2.根據申請專利範圍第1項之方法，其中步騾c)中， 換樹脂和加埶ϋ b) Ο d) 微 該 35 C至大約90 °C溫度進行處理 根據申請專利範圍第1項之方法，其中步驟c)中，該 光阻劑組合物先用該陽離子交換樹脂處理，然後再將 加熱至約35。(：至大約90。(：溫度。 4. 根據申請專利範圍第丨項之方法 約 40。(：至 60。(：。 5. 根據申請專利範圍第丨項之方法 約 40。(：至 50。(：。 6·根據申請專利範圍第丨項之方法 d)的濾器規格為約0.05微米至約〇.3〇微米 7.根據申請專利範圍第丨項之方法，其中步騾b)和步驟 d)的濾器規格為約〇.〇5微米至約0.15微米。 其中步驟c)的溫度 其中步驟C)的溫度 其中步驟b)和步驟
    (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 536666 A8 B8 C8 D8 與步驟1V)的溶劑不同；並且在lv)步驟之前，自⑴）步 驟得到的光敏化合物溶液巾實質上除去來自！）步驟的 溶劑。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 申請專利範圍 8♦根據申凊專利範圍第1項 樹脂為㈣清漆樹脂。〃 / 中步驟a)的成膜 9·根據申請專利範圍第1、？ 、 >女、土 甘r 5、6、7或8項 …，其中步驟a)得到的光阻劑組合物的製法是· 〇在合適的溶劑中形成光敏性化合物的溶液； 11)用酸性陽離子交換樹脂處理步辨 合物溶液； …)件到的光敏化 U1)用鹼性陰離子交換樹脂處理步驟 ^ % 11)侍到的光敏化 合物溶液； 叫用光阻劑溶劑中，混合成膜樹脂與步驟叫得到 光敏化合物溶液，從而得到光阻劑組合物。 -2- 本紙張適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
TW088100458A 1998-02-02 1999-01-13 Process for producing a photoresist composition having a reduced tendency to produce particles TW536666B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1708398A 1998-02-02 1998-02-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW536666B true TW536666B (en) 2003-06-11

Family

ID=21780636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088100458A TW536666B (en) 1998-02-02 1999-01-13 Process for producing a photoresist composition having a reduced tendency to produce particles

Country Status (8)

Country Link
EP (1) EP1053510B1 (zh)
JP (1) JP2002502055A (zh)
KR (1) KR100551936B1 (zh)
CN (1) CN1170206C (zh)
DE (1) DE69905014T2 (zh)
MY (1) MY121042A (zh)
TW (1) TW536666B (zh)
WO (1) WO1999039246A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6531267B2 (en) * 2001-04-11 2003-03-11 Clariant Finance (Bvi) Limited Process for producing acid sensitive liquid composition containing a carbonate
US6610465B2 (en) 2001-04-11 2003-08-26 Clariant Finance (Bvi) Limited Process for producing film forming resins for photoresist compositions
US8682386B2 (en) 2003-04-07 2014-03-25 Fujitsu Limited Dual-mode system and dual-mode wireless terminal
WO2010082232A1 (ja) * 2009-01-15 2010-07-22 ダイセル化学工業株式会社 フォトレジスト用樹脂溶液の製造方法、フォトレジスト組成物およびパターン形成方法
JP5541766B2 (ja) * 2009-05-19 2014-07-09 株式会社ダイセル フォトレジスト用高分子化合物の製造方法
JP4975790B2 (ja) * 2009-08-20 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 レジスト液供給装置、レジスト液供給方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP7249904B2 (ja) * 2019-07-25 2023-03-31 丸善石油化学株式会社 酸分解性樹脂の製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996012214A1 (en) * 1994-10-12 1996-04-25 Hoechst Celanese Corporation Low metal ion photoactive compounds and photoresists compositions produced therefrom
US5962183A (en) * 1995-11-27 1999-10-05 Clariant Finance (Bvi) Limited Metal ion reduction in photoresist compositions by chelating ion exchange resin

Also Published As

Publication number Publication date
KR100551936B1 (ko) 2006-02-20
KR20010040552A (ko) 2001-05-15
DE69905014D1 (de) 2003-02-27
EP1053510B1 (en) 2003-01-22
WO1999039246A1 (en) 1999-08-05
MY121042A (en) 2005-12-30
EP1053510A1 (en) 2000-11-22
CN1292891A (zh) 2001-04-25
DE69905014T2 (de) 2003-07-24
CN1170206C (zh) 2004-10-06
JP2002502055A (ja) 2002-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4065746B2 (ja) ノボラック樹脂中の金属イオンの低減
KR100242920B1 (ko) 저수준의 금속이온을 갖는 포토레지스트(rhotoresists having a low level of metal ions)
JPS6236663A (ja) ナフトキノンジアジド系化合物及び該化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物
JPS5817112A (ja) ポジ型ノボラツクホトレジスト組成物及びその調製物
JP2617381B2 (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
JP2008088197A (ja) フォトレジスト用フェノール樹脂とその製造方法、及びフォトレジスト用樹脂組成物
KR19990037508A (ko) 포토레지스트 조성물 준비방법
JP2007304592A (ja) フォトレジスト組成物
JP2589880B2 (ja) 塗布用の溶剤としてエチルラクテートとエチル３‐エトキシプロピオネートとの混合物を使用するポジ型のホトレジスト
JPH0648381B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
TW536666B (en) Process for producing a photoresist composition having a reduced tendency to produce particles
JP2007304591A (ja) フォトレジスト組成物
JP3924317B2 (ja) 陰イオン交換樹脂を使用する、ノボラック樹脂溶液中の金属イオン低減
JP5165274B2 (ja) フォトレジスト組成物
JP5047595B2 (ja) フォトレジスト組成物
TWI271420B (en) Novolak resin mixtures and photosensitive compositions comprising the same
JP2622267B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JP3966667B2 (ja) ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JPS6289040A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2629271B2 (ja) ポジ型レジスト用組成物
WO1999045442A1 (fr) Solution aqueuse alcaline et procede de formation d'un motif a partir d'une composition de resine photosensible par utilisation de cette solution
JP2002278060A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH02300751A (ja) ポジ型フォトレジスト組成物
TW442710B (en) Isolation of novolak resin without high temperature distillation and photoresist composition therefrom
JPS6197278A (ja) ナフトキノンジアジド系化合物及び該化合物を含有するポジ型フオトレジスト組成物

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees