TW523922B - Small type module for taking picture - Google Patents
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523922 A7 B7 五、發明説明（1 ) 〔技術領域〕 ；. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關小型攝影模組，尤其是將透鏡與攝影用 半導體裝置晶片收納於一個封裝形成一體化之小型攝影模 組。 〔技術背景〕 近年來，筆記型電腦、行動電話等的多種多樣之多媒 體領域，另外針對監視攝影機或小型錄放影機等之資訊終 端等的影像輸入機器上，有提高小型圖像·感測單元的需 要。 適於該種影像輸入機器之小型圖像•感測單元係將固 體攝影元件、透鏡構件、濾光器及光圈構件等的構件收集 在一封裝內形成一體化之攝影模組。 習知的圖像•感測單元之攝影模組是將固體攝影元件 安裝於基板之後，以螺絲或黏合等將其基板固定在封裝上 的同時，相對於上述封裝安裝保持透鏡構件之支持框體的 構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦即，習知作爲圖像·感測器之攝影模組由於如上述 之構造，不能充分確保對於固體攝影元件之透鏡的位置關 係精度。 如上述，作爲習知圖像·感測單元之攝影模組由於對 固定攝影元件之透鏡的定位精度差，因此在封裝上組裝進 行可對焦之可動式焦點調節機構，將各構件安裝於封裝之 後，藉焦點調節機構進行對固體攝影元件之透鏡構件的對 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ^ 523922 A7 ______B7 _ 五、發明説明（2 ) 焦。 ： 但是，如上述在組裝各構件之後操作可動式調節機構 而必須要個別進行對焦的同時，且於該焦點調節後必須進 行鏡框構件等的固定作業。 又’設置可動式焦點調節機構時，形成複雜之構造， 而有導致作爲圖像•感測單元之攝影模組大型化的傾向。 此外，對焦的作業中，麈埃容易從焦點調節機構之可 動構件的間隙侵入單元內，必須有所因應，例如必須在無 塵室內進行焦點調節的作業等，生產性不良。 另外，可動式焦點調節機構於製品完成後受振動或衝 擊等時，容易改變焦點位置，具有製品可靠性差的難點。 因此，在日本專利特開平9 一 2 3 2 5 4 8號公報中 揭示一種可簡單確保相對於固體攝影元件之透鏡光軸方向 的位置精度構造的固體攝影裝置。 該特開平9 一 2 3 2 5 4 8號公報中所揭示之固體攝 影裝置係於單一支持構件上階段式形成複數個定位部，分 別相對於其各個定位部，將固體攝影元件、透鏡構件、濾 光器及光圈構件等的構件個別分開安裝，可藉此將各構件 定位固定。 隨後，該固體攝影裝置中，由於在單一的支持構件上 階段式形成複數個定位部，因此各階段間的尺寸誤差會直 接，且大爲影響各構件的定位精度。 並且，上述固體攝影裝置中，在單一的支持構件上階 段式地形成複數個定位部時，其尺寸的精度管理困難，容 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董Ί .* 嗆 裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523922 A7 B7 五、發明説明（3 ) 易產生誤差的同時，在1個支持構件上階段式形成複數個 定位部時要求高度的生產技術。 尤其是以陶瓷製作單一的支持構件時，不但其製造非 常困難，同時會形成昂貴的製品。 因此，多數可考慮以合成樹脂等爲原料利用射出成形 製造支持構件。 但是，即使以射出成形製造支持構件，不但容易形成 具有階段之各定位部間大的尺寸誤差，同時也可能因爲隨 後的常時性變化而使誤差擴大，使得製品的可靠度劣化。 又，日本專利第2 5 5 9 9 8 6號公報是揭示如上述 利用作爲上述支持構件之外殼側壁使用的彈簧效果而安裝 在上述基板上的習知技術。 並且，該第2 5 5 9 9 8 6號公報之習知技術會產生 常時性蠕變現象所導致之不均勻等問題。 另外，特公平8 — 2 8 4 3 5號公報雖揭示以金屬罩 與透鏡融熔玻璃之黏合構造改善的有關習知技術’但是該 構造的場合必須考慮融熔玻璃的濡濕性° 又，特開平1 0 - 4 1 4 9 2號公報是揭示以導銷將 透鏡蓋與台座定位固定的習知技術。 然而，此一構造的場合必須要鏡蓋與導銷，構造複雜 ，其生產性不良而會有製造成本高的問題。 又，特開平5 - 1 3 6 3 8 4號公報係揭示攝影模組 ，具備：設有預定端子與電路圖案的晶片載體；搭載·配 置在其預定領域的固體攝影元件；導電連接上述固體攝影 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -6 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523922 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 元件的端子-晶片載體之端子間的焊接；以透明的矽層一 體配設在上述固體攝影元件之受光部表面上的濾光玻璃板 及透明保護板；及，包覆上述固體攝影元件的側面部及焊 接部之可機械性、抗環境性保護的著色矽模層。 但是，上述攝影模組構造的場合，在固體攝影元件的 受光部表面上，藉透明矽層一體配設有濾光玻璃板及透明 保護板，因此在固體攝影元件的受光部表面上，配設無空 間，上述表面上形成大開口可提高入射光效率用的微透鏡 困難。 如上述，習知固體攝影裝置容易產生各定位部間之段 差間尺寸的誤差，其尺寸的管理困難，而有不能充分確保 相對於固體攝影元件之透鏡的光軸方向位置精度等問題。 又，上述習知之固體攝影裝置中，其構造複雜，生產 性不良且製造成本高而形成昂貴的製品。 又，習知固體攝影裝置中，在固·體攝影元件的受光部 表面上，配設大的開口以提高入射光效率用的微透鏡困難 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔發明說明〕 本發明之目的係有鑑於上述之問題所硏創而成者，含 陶瓷等的非金屬製基板上安裝二維C 一 Μ〇S圖像·感測 器等的攝影用半導體裝置晶片的同時，安裝可覆蓋之鏡框 體的構造中，可藉其安裝構造的種種改善，容易進行組裝 作業的同時，可提供成本降低之小型攝影模組。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 523922 Α7 Β7 五、發明説明（5 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又，本發明之目的係有鑑於上述之問題所硏創而成者 ’含陶瓷等的非金屬製基板上安裝二維C 一 Μ〇S圖像· 感測器等的攝影用半導體裝置晶片的同時，安裝可覆蓋之 鏡框體的構造中，可藉其安裝構造的種種改善，容易進行 組裝作業的同時，並可提供成本的降低，且攝影用半導體 裝置晶片的受光部表面上，配設大的開口可提高入射光效 率用的微透鏡之小型攝影模組。 根據本發明爲了解決上述之課題，提供一種小型攝影 模組，具備·· (1 )含陶瓷等非金屬製的基板； 含安裝於上述基板上之二維C - Μ〇S圖像·感測器 等的攝影用半導體裝置晶片； 安裝於上述基板以內含上述攝影用半導體裝置晶片之 鏡框體； 相對於上述鏡框體分別安裝之紅外光遮光用濾光器、 透鏡及光圈； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 位於上述基板與上述鏡框體之間，設置可分開上述攝 影用半導體裝置晶片表面而保護的透明構件；及， 設置覆蓋上述攝影用半導體裝置晶片周邊部的電極片 等，且同時接合上述透明構件周邊部的膠黏劑。 又，根據本發明爲了解決上述之課題，提供一種’（1 )所記載之小型攝影模組，其特徵爲·： (.2 )使用C〇Β (片載板）安裝所使用之膠黏劑作 爲將上述鏡框體結合於上述基板上的膠黏劑。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 523922 A7 ______B7___ 五、發明説明（6 ) 又’根據本發明爲了解決上述之課題，提供一種（1 )所記載之小型攝影模組，其特徵爲： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (3 )在上述鏡框體的底部設置定位用突起，同時在 上述基板上的相對位置上設置嵌合設於上述鏡框體底部之 定位用突起的嵌合孔作爲將上述鏡框體安裝於上述基板上 的安裝構造。 又，根據本發明爲了解決上述之課題，提供一種（1 )所記載之小型攝影模組，其特徵爲： (4)在上述基板上安裝各種IC裸晶片。 又，根據本發明爲了解決上述之課題，提供一種（1 )所記載之小型攝影模組，其特徵爲： (5 )於上述基板安裝外部連接用撓性基板，同時在 該撓性基板上形成遮蔽來自上述基板底部方向的遮光圖案 0 又，根據本發明爲了解決上述之課題，提供一種（1 )所記載之小型攝影模組，其特徵爲： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (6 )於上述基板設置外部連接用底部兼通孔部，同 時利用該底部兼通孔部卡合其他基板，可獲得與其他基板 間的導電連接及機械式保持。 又，根據本發明爲了解決上述之課題，提供一種（1 )至（6 )項中任一項所記載之小型攝影模組，其特徵爲 (.7 )在上述攝影用半導體裝置晶片的前面具備微透 鏡。 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -9 - 523922 A7 ______B7 __ 五、發明説明（7 ) 〔圖式之簡單說明）. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1圖是表不作爲本發明小型攝影模組的基本構成之 剖視圖。 第2圖是表示本發明第1實施型態之小型攝影模組的 槪略構成之剖視圖。 第3圖是表示本發明第2實施型態之小型攝影模組的 槪略構成之剖視圖。 第4圖是表示本發明第3實施型態之小型攝影模組的 槪略構成之剖視圖。 第5圖是表示本發明第4實施型態之小型攝影模組的 槪略構成之剖視圖。 第6 A、6 B圖是表示本發明第5實施型態之小型攝 影模組的槪略構成之剖視圖、後視圖。 第7圖是表示本發明第6實施型態之小型攝影模組的 槪略構成之剖視圖。 第8圖是表示安裝運用於本發明第1至第7貫施型態、 之小型攝影模組的透鏡時之槪略構成的要部剖視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主要元件對照表 11 基板 12 攝影用半導體裝置晶片 13 鏡框體 1 4 遮光用濾光器 15 透鏡 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -1〇 - 523922 A7 B7 五、發明説明（8 16 2 〇 2 1、1 2 7 1、2 7 6 1 、2 6 光圏 撓性基板 金屬銷 透明構件 微透鏡 攝影元件 濾色器 嵌合孔 定位用突起 膠黏劑 膠黏齊!1 遮光圖案 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔實施發明之最佳型態〕 以下，使用圖示說明本發明之各實施型態如下。 〔基本構成〕 第1圖是表示作爲本發明之小型攝影模組的基本構成 之剖視圖。 亦即’如弟1圖表不’本發明之小型攝影模組，其基 本之構成係包含陶瓷等非金屬製之矩形等的非金_製·基丰反 1 1 ，女裝於該非金屬製基板1 1上之二維 像·感測器等的攝影用半導體裝置晶片丨2 ;安裝於上述 基板1 1上可覆蓋此攝影用半導體裝置晶片丨2之矩形汽 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 - 523922 A7 B7 五、發明説明（9 ) 狀等中空構造的鏡框體1 3 ;及，相對於此鏡框體1 3分 別安裝之紅外光（I R )遮光用濾光器1 4、透鏡1 5及 光圈1 6所構成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中，攝影用半導體裝置晶片1 2上，例如設置構成 二維C - Μ〇S圖像·感測器的二維配列之光電轉換元件 群所成的光電轉換部（感測部）·，依序驅動上述光電轉換 元件群，獲得訊號電荷之驅動電路部；將上述訊號電荷轉 換成數位訊號之A / D轉換部；使上述數位訊號形成影像 訊號輸出之訊號處理部；及，根據上述數位訊號之輸出位 準，控制電曝光時間之曝光控制手段等，形成於同一之半 導體晶片上的半導體電路部等。 又，非金屬製基板1 1係保持著上述半導體晶片的同 .時，具有導電連接上述半導體晶片之電極群者。· 並且，該非金屬製基板1 1例如是硬式塊狀之陶瓷基 板，在其上面安裝搭載上述半導體晶片。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時，陶瓷製基板1 1係燒成一體塊狀材料的原料， 呈矩形均一厚度之板狀物，其上面係形成均一之同一平坦 面。 上述構成本發明之基本構成的小型攝影模組係經由光 圈1 6、透鏡1 5及紅外光（I R )遮光用濾光器1 4 ’ 使被照射體像成像於非金屬製基板1 1上之攝影用半導體 裝置晶片1 2的感測部上，藉光電轉換，例如動作輸出數 位或類比之圖像訊號。 並且，根據以上構成本發明之基本構成的小型攝影模 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） :彳2 - 523922 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 組係可省略單獨收納習知技術之二維感測器的封裝，除了 可提高光學性能之外，並可獲得成本的降低及安裝性的提 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 昇。 (第1實施型態） 第2圖是表示本發明第1實施型態之小型攝影模組的 槪略構成之剖視圖。 亦即，如第2圖所示，本發明第1實施型態之小型攝 影模組，其基本構成具備：含第1圖表示之陶瓷等的非金 屬製基板1 1 ;含安裝於該非金屬製基板1 1上的二維C 一 Μ〇S圖像·感測器等之攝影用半導體裝置晶片1 2 ; 安裝於上述非金屬製基板1 1上形成可覆蓋此攝影用半導 體裝置晶片1 2之鏡框體1 3 ;及，相對於該鏡框體1 3 分別安裝紅外光（I R )遮光用濾光器1 4、透鏡1 5及 光圈1 6。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 構成如上述小型攝影模組之基本構成中，其特徵爲： 本發明第1實施型態之小型攝影模組係於上述非金屬製基 板1 1與上述鏡框體1 3之間，更具備隔離上述攝影用半 導體裝置晶片1 2的表面部而予保護所設置之透明構件 2 5，及覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2周邊 部之電極片的焊接等，且可避開上述攝影用半導體裝置晶 片1 2的感測部同時接合上述透明構件2 5周邊部所設置 之膠黏劑2 6 1、2 6 2。 第8圖係安裝運用於以上本發明第1實施型態及後述 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -13 - 523922 A7 B7 五、發明説明（11 ) 之第2至第6實施型態之各小型攝影模組之微透鏡時槪略 構成的要部剖視圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 並且，以上構成本發明第1實施型態之小型攝影模組 ，其基本構成之特徵：可以省略單獨收容習知技術之二維 感測器的封裝，可提高光學性能，除了可獲得成本降低及 安裝性的提昇之外，並具有以下的特徵。 亦即，本發明第1實施型態之小型攝影模組係設置隔 離攝影用導體裝置晶片1 2的表面部而予保護之透明構件 2 5，覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2周邊部 之電極片的焊接部分等，並且藉同時接合上述透明構件 2 5所設置之膠黏劑2 6 1、2 6 2，進行片載板（ C〇B )安裝，並且將感測器部分及焊接部分與外氣完全 遮蔽，因此在安裝時及外組裝時可完全防止感測部分及焊 接部份受損，或感測部分矽面的氧化，同時可完全覆蓋焊 接部份，因此可以與C〇B安裝的一般I C不變的處理方 法，獲得小型化及成本的降低。 又，透明構件2 5是從感測器表面隔離而配置，因此 不會損及感測器表面的微透鏡效果，可獲得小型化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 即如第8圖所示，相對於安裝在上述非金屬製基板 1 1之上述攝.影用半導體裝置晶片1 2的各攝影元件3 1 前面分別藉濾色器3 2安裝微透鏡3 0時，透明構件_2 5 是從感測器表面隔離而配置，因此不會損及感測器表面之 微透鏡3 0的效果，可獲得小型化。 -14- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 523922 A7 ___B7__ 五、發明説明（12 ) (第2實施型態）： 第3圖是表示本發明第2實施型態之小型攝影模組的 槪略構成之剖視圖。 亦即，如第3圖所示，本發明第2實施型態之小型攝 影模組，其基本構成具備：含第1圖表示之陶瓷等的非金 屬製基板1 1 ;含安裝於該非金屬製基板1 1上的二維C 一 Μ〇S圖像·感測器等之攝影用半導體裝置晶片1 2 ; 安裝於上述非金屬製基板1 1上形成可覆蓋此攝影用半導 體裝置晶片1 2之鏡框體1 3 ;及，相對於該鏡框體1 3 分別安裝紅外光（I R )遮光用濾光器1 4、透鏡1 5及 光圈1 6。 構成如上述小型攝影模組之基本構成中，其特徵爲： .本發明第2實施型態之小型攝影模組係於上述非金屬製基 板1 1與上述鏡框體1 3之間，更具備隔離上述攝影用半 導體裝置晶片1 2的表面部而予保護所設置之透明構件 2 5，及覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2周邊 部之電極片的焊接等，且可避開上述攝影用半導體裝置晶 片1 2的感測部同時接合上述透明構件2 5周邊部所設置 之膠黏劑26 1、26 2，同時在上述非金屬製基板1 1 上使用C〇Β (片載板）安裝所使用之膠黏劑2 7 1、 2 7 2作爲接合上述鏡框體1 3之接合劑。 並且’以上構成本發明第2實施型態之小型攝影模組 ，其基本構成之特徵：可以省略單獨收容習知技術之二維 感測器的封裝’提高光學性能，除了可獲得成本降低及安 本紙張尺度適用中國國家標準（ CNS ) Α4規格（210X297公釐） ~" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523922 A7 B7 五、發明説明（13 ) 裝性的提昇之外，並具有以下的特徵。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 亦即，本發明第2實施型態之小型攝影模組係設置隔 離攝影用導體裝置晶片1 2的表面部而予保護之透明構件 2 5，覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2兄邊部 之電極片的焊接部分等’並且藉同時接合上述透明構件 2 5所設置之膠黏劑2 6 1、2 6 2 ’進行片載板（ C〇B )安裝，並且將感測器部分及焊接部分與外氣完全 遮蔽，因此在安裝時及外組裝時可完全防止感測器部分及 焊接部份受損，或感測部分矽面的氧化’同時可完全覆蓋 焊接部份，因此可以與C〇B安裝的一般I C不變的處理 方法，獲得小型化及成本的降低。 又，透明構件2 5是從感測器表面隔離而配置，因此 不會損及感測器表面的微透鏡效果’可獲得小型化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 即如第8圖所示，相對於安裝在上述非金屬製基板 1 1之上述攝影用半導體裝置晶片1 2的各攝影元件3 1 前面分別藉濾色器3 2安裝微透鏡3 0時，透明構件2 5 是從感測器表面隔離而配置，因此不會損及感測器表面之 微透鏡3 0的效果，可獲得小型化。 並且，習知技術之二維感測器的鏡框體接合是使用與 片載板（C〇B )安裝所使用的膠黏劑不同的材料，因此 會有內部感測器產生銹的問題，而殘留持久性及組裝作業 性的問題，但是本發明第2實施型態之小型攝影模組是使 用片載板（COB)安裝所使用之膠黏劑271、2 了 2 作爲將上述鏡框體1 3接合於上述非金屬製基板1丨上之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 - 523922 A7 B7 1,1 ~ I 1 1 ~~ 一 -- - 五、發明説明（14 ) 接合劑，因此相對於內部感測器不會有產生銹的問題，可 賦予持久性及安裝作業性的提昇。 此時，膠黏劑2 7 1、2 7 2具有作爲塡充材及接合 劑共用的功能。 (第3實施型態） 第4圖是表示本發明第3實施型態之小型攝影模組的 槪略構成之剖視圖。 亦即，如第4圖所示，本發明第3實施型態之小型攝 影模組，其基本構成具備：含第1圖表示之陶瓷等的非金 屬製基板1 1 ;含安裝於該非金屬製基板1 1上的二維C 一 Μ〇S圖像·感測器等之攝影用半導體裝置晶片1 2 ; 安裝於上述非金屬製基板11上可覆蓋此攝影用半導體裝 置晶片1 2之鏡框體1 3 ;及，相對於該鏡框體1 3分別 安裝紅外光（I R )遮光用濾光器1 4、透鏡1 5及光圏 1 6 〇 構成如上述小型攝影模組之基本構成中，其特徵爲： 本發明第3實施型態之小型攝影模組係於上述非金屬製基 板1 1與上述鏡框體1 3之間，更具備隔離上述攝影用半 導體裝置晶片1 2的表面部而予保護所設置之透明構件 2 5，及覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2周邊 部之電極片的焊接等，且可避開上述攝影用半導體裝置晶 片1 2.的感測部同時接合上述透明構件2 5周邊部所設置 之膠黏劑2 6 1、2 6 2，同時在上述非金屬製基板1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 「17 - ' -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 #1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523922 A7 B7 五、發明説明（15 ) 上作爲安裝上述鏡框體1 3的安裝構造除了在上述鏡框體 1 3底部設置定位用突起1 2 1、1 2 2之外，於上述非 金屬製基板1 1上之相對位置設置嵌合設於上述鏡框體底 部之定位用突起1 2 1、1 2 2的嵌合孔1 1 1、1 1 2 〇 並且，以上構成本發明第3實施型態之小型攝影模組 、其基本構成之特徵：可以省略單獨收容習知技術之二維 感測器的封裝，提高光學性能，除了可獲得成本降低及安 裝性的提昇之外，並具有以下的特徵。 亦即，本發明第3實施型態之小型攝影模組係設置隔 離攝影用導體裝置晶片1 2的表面部而予保護之透明構件 2 5，覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2周邊部 之電極片的焊接部分等，並且藉同時接合上述透明構件 2 5所設置之膠黏劑2 6 1、2 6 2，進行片載板（ C〇B )安裝，且將感測器部分及焊接部分與外氣完全遮 蔽，因此在安裝時及外組裝時可完全防止感測器部分及焊 接部份受損，或感測部分矽面的氧化，同時可完全覆蓋焊 接部份，因此可以與C〇B安裝的一般I C不變的處理方 法，獲得小型化及成本的降低。 又，透明構件2 5是從感測器表面隔離而配置，因此 不會損及感測器表面的微透鏡效果，可獲得小型化。- 即如第8圖所示，相對於安裝在上述非金屬製基板 1 1之上述攝影用半導體裝置晶片1 2的各攝影元件3 1 前面分別藉濾色器3 2安裝微透鏡3 0時，透明構件2 5 ^紙張尺度適用中國國家標準icNS ) A4規格（210X297公釐） 7>[Q . ~~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
523922 A7 _ B7 五、發明説明（16 ) 是從感測器表面隔離而配置，因此不會損及感測器表面之 微透鏡3 0的效果，可獲得小型化。 並且，習知技術之二維感測器的鏡框體定位用孔，並 非僅單純於單板上開設孔而是必須配合鏡框體形成立體的 基體形狀，因此會導致成本非常高的原因。 相對於此，本發明第3實施型態之小型攝影模組中， 其基板1 1爲平面形狀非常廉價且可以容易組裝。 (第4實施型態） 第5圖是表示本發明第4實施型態之小型攝影模組的 槪略構成之剖視圖。 亦即，如第5圖所示，本發明第4實施型態之小型攝 影模組，其基本構成具備：含第1圖表示之陶瓷等的非金 屬製基板11;含安裝於該非金屬製基板11上的二維C 一 Μ〇S圖像·感測器等之攝影用半導體裝置晶片1 2 ; 安裝於上述非金屬製基板1 1上可覆蓋此攝影用半導體裝 置晶片1 2之鏡框體1 3 ;及’相對於該鏡框體1 3分別 安裝紅外光（I R )遮光用濾光器1 4、透鏡1 5及光圈 16。 構成如上述小型攝影模組之基本構成中，其特徵爲： 本發明第4實施型態之小型攝影模組係於上述非金屬製基 板1 1與上述鏡框體1 3之間’更具備隔離上述攝影用半 導體裝置晶片1 2的表面部而予保護所設置之透明構件 2 5，及覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2周邊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -19 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
*1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523922 A7 B7 五、發明説明（17 ) 部之電極片的焊接等，且可避開上述攝影用半導體裝置晶 片1 2的感測部同時接合上述透明構件2 5周邊部所設置 之膠黏劑2 6 1、2 6 2，同時在上述基板1 1上的鏡框 體1 3外側部分安裝各種I C之裸晶片。 並且，以上構成本發明第4實施型態之小型攝影模組 ，其基本構成之特徵：可以省略單獨收容習知技術之二維 感測器的封裝，提高光學性能，除了可獲得成本降低及安 裝性的提昇之外，並具有以下的特徵。 亦即，本發明第4實施型態之小型攝影模組係設置隔 離攝影用導體裝置晶片1 2 .的表面部而予保護之透明構件 2 5，覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2周邊部 之電極片的焊接部分等，並且藉同時接合上述透明構件 2 5所設置之膠黏劑2 6 1、2 6 2，進行片載板（ C〇B )安裝，且將感測器部分及焊接部分與外氣完全遮 蔽’因此在安裝時及外組裝時可完全防止感測器部分及焊 接部份受損，或感測部分矽面的氧化，同時可完全覆蓋焊 接部份，因此可以與C Ο B安裝的一般I C不變的處理方 法，獲得小型化及成本的降低。 又’透明構件2 5是從感測器表面隔離而配置，因此 不會損及感測器表面的微透鏡效果，可獲得小型化。 即如第8属所示，相對於安裝在上述非金屬製基板 1 1之上述攝影用半導體裝置晶片1 2的各攝影元件3 1 前面分別藉濾色器3 2安裝微透鏡3 0時，透朋構件2 5 是從感測器表面隔離而配置，因此不會損及感測器表面之 ii i i - - ml - --- - -;-· j - 二· n «i本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） -20- 523922 Α7 Β7 五、發明説明（18 ) 微透鏡3 0的效果，：可獲得小型化。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 並且，習知技術之二維感測器中，感測器安裝用基板 與其他裸晶片並非一體構成，而必須是2片以上的基板分 開構成，因此必須連接各基板間的電纜或連接器，因此會 導致噪音產生防止及成本降低時的妨礙，但是本發明第4 實施型態之小型攝影模組中，可在上述基板1 1上之鏡框 體1 3外側部分等安裝各種I C裸晶片1 8，藉此解除習 知技術所導致的問題。 (第5實施型態） 第6 A、6 B圖是表示本發明第5實施型態之小型攝 影模組的槪略構成之剖視圖、後視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦即，如第6 A、6 B圖所示，本發明第5實施型態 之小型攝影模組，其基本構成具備：含第1圖表示之陶瓷 等的非金屬製基板1 1 ;含安裝於該基板1 1上的二維C 一 Μ〇S圖像·感測器等之攝影用半導體裝置晶片1 2 ; 安裝於上述基板11上可覆蓋此攝影用半導體裝置晶片 1 2之鏡框體1 3 ;及，相對於該鏡框體1 3分別安裝紅 外光（I R)遮光用濾光器1 4、透鏡1 5及光圈1 6。 構成如上述小型攝影模組之基本構成中，其特徵爲： 本發明第5實施型態之小型攝影模組係於上述基板1 與 上述鏡框體1 3之間，更具備隔離上述攝影用半導體裝置 晶片1 2的表面部而予保護所設置之透明構件2 5，及覆 蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2周邊部之電極片 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -21 - 523922 A7 B7 五、發明説明（19 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的焊接等，且可避開上述攝影用半導體裝置晶片1 2的感 測部同時接合上述透明構件2 5周邊部所設置之膠黏劑 26 1、262，同時在上述基板1 1安裝外部連接用撓 性基板1 9，在該撓性基板1 9上形成可遮蔽來自上述基 板1 1底部方向的光之導電體黏合（鈾刻）或絲網印刷等 的遮光圖案191。 並且，以上構成本發明第5實施型態之小型攝影模組 ，其基本構成之特徵：可以省略單獨收容習知技術之二維 感測器的封裝，提高光學性能，除了可獲得成本降低及安 裝性的提昇之外，並具有以下的特徵。 亦即，本發明第5實施型態之小型攝影模組係設置隔 離攝影用導體裝置晶片1 2的表面部而予保護之透明構件 2 5，覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2周邊部 之電極片的焊接部分等，並且藉同時接合上述透明構件 2 5所設置之膠黏劑2 6 1、2 6 2，進行片載板（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C〇B )安裝，且將感測器部分及焊接部分與外氣完全遮 蔽，因此在安裝時及外組裝時可完全防止感測器部分及焊 接部份受損，或感測部分矽面的氧化，同時可完全覆蓋焊 接部份，因此可以與C Ο B安裝之一般I C不變的處理方 法，獲得小型化及成本的降低。 又，透明構件2 5是從感測器表面隔離而配置，因此 不會損及感測器表面的微透鏡效果’可獲得小型化。 即如第8圖所示，相對於安裝在上述非金屬製基板 1 1之上述攝影用半導體裝置晶片1 2的各攝影元件3 1 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 523922 Α7 Β7 五、發明説明（20 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 前面分別藉濾色器3 2.安裝微透鏡3 0時，透明構件2 5 是從感測器表面隔離而配置，因此不會損及感測器表面之 微透鏡3 0的效果，可獲得小型化。 並且，習知技術之二維感測器中，感測器安裝用基板 其本身具有遮光性，因此必須要昂貴的遮光性材料，但是 本發明第5實施型態之小型攝影模組中，尤其可以使用無 遮光性的廉價撓性基板作爲基板1 1的材料。 (第6實施型態） 第7圖是表示本發明第6實施型態之小型攝影模組的 槪略構成之剖視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦即，如第7圖所示，本發明第6實施型態之小型攝 影模組，其基本構成具備：含第1圖表示之陶瓷等的非金 屬製基板1 1 ;含安裝於該非金屬製基板1 1上的二維C 一 Μ〇S圖像·感測器等之攝影用半導體裝置晶片1 2 ; 安裝於上述基板1 1上可覆蓋此攝影用半導體裝置晶片 1 2之鏡框體1 3 ;及，相對於該鏡框體1 3安裝之紅外 光（I R )遮光用濾光器1 4，上述鏡框體1 3上部形成 可安裝其他透鏡鏡框構造的透鏡鏡框安裝部3〇。 構成如上述小型攝影模組之基本構成中，其特徵爲： 本發明第6實施型態之小型攝影模組係於上述基板1 1與 上述鏡框體1 3之間，更具備隔離上述攝影用半導體裝置 晶片1 2的表面部而予保護所設置之透明構件2 5，及覆 蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2周邊部之電極片 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -23 - 523922 A7 B7 五、發明説明（21 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的焊接等，且可避開上述攝影用半導體裝置晶片1 2的感 測部同時接合上述透明構件2 5周邊部所設置之膠黏劑 261、262，同時在上述基板11安裝外部連接用底 部兼通孔部2 0，在該底部兼通孔部2 0以焊接或金屬銷 2 3結合其他基板2 1，使上述基板1 1與其他基板2 1 形成導電連接或機械性保持。 並且，以上構成本發明第6實施型態之小型攝影模組 ，其基本構成之特徵：可以省略單獨收容習知技術之二維 感測器的封裝，提高光學性能，除了可獲得成本降低及安 裝性的提昇之外，並具有以下的特徵。 亦即，本發明第6實施型態之小型攝影模組係設置隔 離攝影用導體裝置晶片1 2的表面部而予保護之透明構件 2 5，覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2周邊部 之電極片的焊接部分等，並且藉同時接合上述透明構件 2 5所設置之膠黏劑2 6 1、2 6 2，進行片載板（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C Ο B )安裝，且將感測器部分及焊接部分與外氣完全遮 蔽，因此在安裝時及外組裝時可完全防止感測器部分及焊 接部份受損，或感測部分矽面的氧化，同時可完全覆蓋焊 接部份，因此可以與C〇B安裝之一般I C不變的處理方 法，獲得小型化及成本的降低。 又，透明搆件2 5是從感測器表面隔離而配置，因此 不會損及感測器表面的微透鏡效果，可獲得小型化。 即如第8圖所示，相對於安裝在上述非金屬製基板 1 1之上述攝影用半導體裝置晶片1 2的各攝影元件3 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公董） -24 - 523922 A7 B7 五、發明説明（22 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 前面分別藉濾色器3 2.安裝微透鏡3 0時’透明構件2 5 是從感測器表面隔離而配置，因此不會損及感測器表面之 微透鏡3 0的效果，可獲得小型化。 並且，習知技術之二維感測器中，從感測器安裝用基 板傳達訊號至其他基板的手段是藉第3傳達材相對於電纜 或連接器、撓性基板連接等的其他基板進行，因此會導致 噪音發生的防止或成本降低時的妨礙，但是本發明第6實 施型態之小型攝影模組中，可以通孔部2 0直接連接感測 器安裝用基板1 1與其他基板2 1，因此可獲得小型化、 成本的降低及噪音發生的防止，同時通孔部2 0實質上係 以焊接或金屬銷2 3遮光，因此可遮蔽來自通孔部的穿透 光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 並且，根據後述申請專利範圍第1項記載之本發明， 藉隔離攝影用導體裝置晶片1 2的表面部設置予以保護之 透明構件2 5，覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片 1 2周邊部之電極片的焊接部分等，並且同時接合上述透 明構件2 5所設置之膠黏劑2 6 1、2 6 2，進行片載板 (C Ο B )安裝，並且將感測器部分及焊接部分與外氣完 全遮蔽，因此在安裝時及外組裝時可完全防止感測部分及 焊接部份受損，或感測部分矽面的氧化，同時可完全覆蓋 焊接部份，因此可以與C〇B安裝的一般I C不變的處理 方法，獲得小型化及成本降低的同時，在上述攝影用半導 體裝置晶片1 2上安裝微透鏡時，透明構件2 .5是從感測 器表面隔離而配置，因此不會損及感測器表面之微透鏡的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25 - 523922 A7 B7 五、發明説明（23 ) 效果，可獲得小型化。 又，根據後述申請專利範圍第2項記載之本發明，藉 隔離攝影用導體裝置晶片1 2的表面部設置予以保護之透 明構件2 5，覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2 周邊部之電極片的焊接部分等，並且藉同時接合上述透明 構件2 5所設置之膠黏劑2 6 1、2 6 2，進行片載板（ C〇B )安裝，並且將感測器部分及焊接部分與外氣完全 遮蔽，因此在安裝時及外組裝時可完全防止感測器部分及 焊接部份受損，或感測部分矽面的氧化，同時可完全覆蓋 焊接部份，因此可以與C ◦ B安裝的一般I C不變的處理 方法，獲得小型化及成本降低的同時，在上述攝影用半導 體裝置晶片1 2上安裝微透鏡時，透明構件2 5是從感測 器表面隔離而配置，因此不會損及感測器表面之微透鏡的 效果，可獲得小型化，並且使用片載板（C Ο B )安裝所 使用之膠黏劑2 7 1、2 7 2作爲將上述鏡框體1 3接合 於上述基板1 1上之接合劑，因此相對於內部感測器不會 有產生銹的問題，可賦予持久性及安裝作業性的提昇。 又’根據後述申請專利範圍第3項記載之本發明，藉 隔離攝影用導體裝置晶片1 2的表面部設置予以保護之透 明構件2 5，覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2 周邊部之電極片的焊接部分等，並且藉同時接合上述透明 構件2 5所設置之膠黏劑2 6 1、2 6 2，進行片載板（ C〇B.)安裝’且將感測器部分及焊接部分與外氣完全遮 蔽，因此在安裝時及外組裝時可完全防止感測器部分及焊 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 26 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523922 A7 B7 五、發明説明（24 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接部份受損，或感測部分矽面的氧化’同時可完全覆蓋焊 接部份，因此可以與C〇B安裝的一般I c不變的處理方 法，獲得小型化及成本降低的同時’在上述攝影用半導體 裝置晶片1 2上安裝微透鏡時，透明構件2 5是從感測器 表面隔離而配置，因此不會損及感測器表面之微透鏡3〇 的效果，可獲得小型化，並且於基板1 1上安裝上述鏡框 體1 3之安裝構造是在上述鏡框體1 3的底部設置定位用 突起1 2 1、1 2 2，同時在上述基板1 1上的相對位置 上設置嵌合設於上述鏡框體底部之定位用突起1 2 1、 1 2 2的嵌合孔1 1 1、1 1 2，藉此可以平面形狀的基 板1 1的狀態，可非常廉價獲得且組裝容易。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，根據後述申請專利範圍第4項記載之本發明’藉 隔離攝影用導體裝置晶片1 2的表面部設置予以保護之透 明構件2 5，覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2 周邊部之電極片的焊接部分等，並且藉同時接合上述透明 構件2 5所設置之膠黏劑2 6 1、2 6 2，進行片載板（ C〇B )安裝，且將感測器部分及焊接部分與外氣完全遮 蔽，因此在安裝時及外組裝時可完全防止感測器部分及焊 接部份受損，或感測部分矽面的氧化，同時可完全覆蓋焊 接部份，因此可以與C Ο B安裝的一般I C不變的處理方 法，獲得小型化及成本降低的同時，在上述攝影用半導體 裝置晶片1 2上安裝微透鏡時，透明構件2 5是從感測器 表面隔離而配置，因此不會損及感測器表面之微透鏡3〇 的效果，可獲得小型化，並且於基板1 1上之鏡框體1 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 27 - 523922 A7 B7 五、發明説明（25 ) 外側部分等安裝各種I. C裸晶片1 8，可藉此防止噪音的 發生成本降低的妨礙等所有的問題。 又，根據後述申請專利範圍第5項記載之本發明，藉 隔離攝影用導體裝置晶片1 2的表面部設置予以保護之透 明構件2 5，覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2 周邊部之電極片的焊接部分等，並且藉同時接合上述透明 構件2 5所設置之膠黏劑2 6 1、2 6 2，進行片載板（ C〇B )安裝，且將感測器部分及焊接部分與外氣完全遮 蔽，因此在安裝時及外組裝時可完全防止感測器部分及焊 接部份受損，或感測部分矽面的氧化，同時可完全覆蓋焊 接部份，因此可以與C〇B安裝的一般I C不變的處理方 法，獲得小型化及成本降低的同時，在上述攝影用半導體 裝置晶片1 2上安裝微透鏡時，透明構件2 5是從感測器 表面隔離而配置，因此不會損及感測器表面之微透鏡3〇 的效果，可獲得小型化，並且於基板1 1安裝外部連接用 撓性基板1 9的同時，在該撓性基板1 9上形成可遮蔽來 自上述基板1 1底部方向的光之遮光圖案1 9 1，藉此尤 其可以使用不具遮光性之撓性基板的狀態作爲基板1 1的 材料，可廉價獲得。 又，根據·後述申請專利範圍第6項記載之本發明，藉 隔離攝影用導體裝置晶片1 2的表面部設置予以保護之透 明構件2 5，覆蓋相對於上述攝影用半導體裝置晶片1 2 周邊部之電極片的焊接部分等，並且藉同時接合上述透明 構件2 5所設置之膠黏劑2 6 1、2 6 2，進行片載板（ 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） :28- 一 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 523922 A7 B7 五、發明説明（26 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C〇B )安裝，且將感.測器部分及焊接部分與外氣完全遮 蔽，因此在安裝時及外組裝時可完全防止感測器部分及焊 接部份受損，或感測部分矽面的氧化’同時可完全覆蓋焊 接部份，因此可以與C〇B安裝的一般I C不變的處理方 法，獲得小型化及成本降低的同時’在上述攝影用半導體 裝置晶片1 2上安裝微透鏡時，透明構件2 5是從感測器 表面隔離而配置，因此不會損及感測器表面之微透鏡3〇 的效果，可獲得小型化，並且於基板1 1上安裝外部連接 用底部兼通孔部2 0的同時，以該底部兼通孔部2 0結合 其他基板2 1，藉此可直接連接感測器安裝用基板1 1與 其他基板2 1，獲得小型化、成本的降低及噪音發生的防 止。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，如上述日本發明專利第2 5 5 9 9 8 6號公報 之習知技術中，係利用使用外殼側壁之彈性效果安裝於基 板上，因此會有常時性蠕變現象而發生不均一等問題，但 是如後述申請專利範圍第2項記載之本發明中，基本上爲 了防止側壁過重的負荷，在基板上使用C Ο B (片載板） 安裝所使用之膠黏劑作爲結合上述鏡框體之接合劑，藉此 可解決因常時性蠕變現象所發生之不均一等問題。 又，如上述日本專利特開平9 一 2 3 2 5 4 8號公報 之習知技術中，所有係以單一之構件所構成，因此其形狀 與構造複雜，會有生產性不佳，製造成本高的問題，但是 後述申請專利範圍第1項至6項記載之本發明.，基本上所 有的並非單一的構件所構成，因此分別之構件及構造簡單 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 523922 A7 B7 五、發明説明（27 ) ，其生產性加並可降低製造成本。 又，如上述日本專利特公平8 — 2 8 4 3 5號公報之 習知技術是採取金屬外殼與透鏡融熔玻璃的黏結構造，因 此必須考慮融熔玻璃的濡濕性，但是後述申請專利範圍第 1項至6項記載之本發明，基本上是使用成型後的透鏡， 因此可不需考慮融熔玻璃的濡濕性。 又，如上述日本專利特開平1 0 — 4 1 4 9 2號公報 之習知技術中，由於是以導銷將透鏡罩與台座定位固定之 構造因此必須透鏡罩與導銷，構造複雜，會有生產性不良 ，製造成本高等問題，但是後述申請專利範圍第1項至6 項記載之本發明，基本上是不需要透鏡罩，也不一定需要 導銷。 因此，如以上說明，根據本發明可提供在含陶瓷等非 金屬製基板上安裝二維C - MO S圖案•感測器等之攝影 用半導體裝置晶片的同時，可覆蓋其之鏡框安裝構造中， 可藉其安裝構造上種種改善，構成容易組裝作業的同時， 可降低成本之小型攝影模組。 又，根據本發明可提供於含陶瓷等非金屬製基板上安 裝二維C - Μ〇S圖案•感測器等之攝影用半導體裝置晶 片的同時，可覆蓋其之鏡框安裝構造中，可藉其安裝構造 上種種改善，形成容易組裝作業的同時，並可降低成本， 並且在攝影用半導體裝置晶片的受光部表面上，配設大的 開口而可提高入射光的效率之微透鏡的小型攝影模組。 —---？--'---- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -30 -
Claims (1)
- 523922 8 8 8 8 ABCD 六、申請專利範圍 1 . 一種小型攝影模組，其特徵爲，具備： 含陶瓷等非金屬製的基板； 含安裝於上述基板上之二維C - Μ〇S圖像·感測器 等的攝影用半導體裝置晶片； 安裝於上述基板形成可內含上述攝影用半導體裝置晶 片之鏡框體 ; 相對於上述鏡框體分別安裝之紅外光遮光用濾光器、 透鏡及光圈， 位於上述基板與上述鏡框體之間，設置隔離上述攝影 用半導體裝置晶片的表面部而予保護之透明構件；及， 覆蓋上述攝影用半導體裝置晶片周邊部之電極片等， 且可同時接合上述透明構件周邊部之膠黏劑。 2 .如申請專利範圍第1項記載之小型攝影模組，其 中係於上述基板上使用C〇Β (片載板）安裝所使用之膠 黏劑作爲接合上述鏡框體之接合劑。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 .如申請專利範圍第1項記載之小型攝影模組，其 中上述基板上除了在上述鏡框體底部設置定位用突起外， 並在上述基板上之相對位置設置嵌合設於上述鏡框體底部 之定位用突起的嵌合孔以作爲安裝上述鏡框體的安裝構造 〇 4 .如申請專利範圍第1項記載之小型攝影模組，其 中於上述基板上安裝各種I C裸晶片。 5 .如申請專利範圍第1項記載之小型攝影模組，其 中在上述基板安裝外部連接用撓性基板，同時在該撓性基 本纸張尺度適用中國國家摞準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）~「31 - 523922 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 板上形成可遮蔽來自上述基板底部方向的光之遮光圖案。 6 .如申請專利範圍第1項記載之小型攝影模組，其 中在上述基板安裝外部連接用底部兼通孔部，同時在該底 部兼通孔部藉結合其他基板，構成與其他基板之導電連接 或機械式保持。 7 .如申請專利範圍第1項至第6項中任一項記載之 小型攝影模組，其中係於上述攝影用半導體裝置晶片前面 具備微透鏡。 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）-32 -
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| US7663693B2 (en) * | 2004-03-01 | 2010-02-16 | United Microelectronics Corp. | Camera module |
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| JP2005352046A (ja) * | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Canon Inc | 撮像装置及び電子機器 |
| US7329856B2 (en) * | 2004-08-24 | 2008-02-12 | Micron Technology, Inc. | Image sensor having integrated infrared-filtering optical device and related method |
| KR101050846B1 (ko) * | 2004-10-27 | 2011-07-21 | 삼성테크윈 주식회사 | 카메라 모듈의 제조 방법 |
| JP2006173483A (ja) * | 2004-12-17 | 2006-06-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | セラミック集合基板、セラミック基板及びセラミック集合基板の製造方法 |
| US7279782B2 (en) * | 2005-01-05 | 2007-10-09 | Advanced Chip Engineering Technology Inc. | FBGA and COB package structure for image sensor |
| JP4585409B2 (ja) * | 2005-08-24 | 2010-11-24 | 株式会社東芝 | 小型カメラモジュール |
| KR100795922B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2008-01-21 | 삼성전자주식회사 | 이미지 픽업 소자 및 이미지 픽업 소자의 제조방법 |
| US7659501B2 (en) * | 2007-03-30 | 2010-02-09 | United Microelectronics Corp. | Image-sensing module of image capture apparatus and manufacturing method thereof |
| US7920197B2 (en) * | 2007-05-07 | 2011-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus |
| US7528420B2 (en) * | 2007-05-23 | 2009-05-05 | Visera Technologies Company Limited | Image sensing devices and methods for fabricating the same |
| US9350976B2 (en) | 2007-11-26 | 2016-05-24 | First Sensor Mobility Gmbh | Imaging unit of a camera for recording the surroundings with optics uncoupled from a circuit board |
| JP2009130220A (ja) * | 2007-11-26 | 2009-06-11 | Sharp Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| DE102007057172B4 (de) * | 2007-11-26 | 2009-07-02 | Silicon Micro Sensors Gmbh | Stereokamera zur Umgebungserfassung |
| CN101971088B (zh) * | 2008-02-15 | 2013-11-20 | Opto电子有限公司 | 用于将透镜耦接到印刷电路的系统和方法 |
| US8532449B2 (en) * | 2010-05-06 | 2013-09-10 | Intel Corporation | Wafer integrated optical sub-modules |
| US8742324B2 (en) * | 2010-06-14 | 2014-06-03 | Panasonic Corporation | Structure for shielding a gap between members |
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|---|---|---|---|---|
| JPS6365840A (ja) * | 1986-04-04 | 1988-03-24 | オリンパス光学工業株式会社 | 内視鏡 |
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| JPH07202152A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
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| US5821532A (en) * | 1997-06-16 | 1998-10-13 | Eastman Kodak Company | Imager package substrate |
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