TW521487B - Amplifier - Google Patents
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Description
521487 A7 B7 五、發明說明(1 ) 發明之技術範圍 - 本發明關於一放大器電路,特別關於一放大器其適用於 射頻及適用於利用CMOS構造技術與低供應電壓統合。因 此’此裝置適用於手持行動無線電裝置,如無線電話。 發明之背景 放大電路如圖1所示,通常含反相器結構i 2中之第一對 CMOS電晶體1 6,1 8,以其反相器輸出2 0供應至放大器 輸出端點22。供應至反相器輸入之輸入電壓14產生一輸 出電流視電晶體1 6,1 8之跨導而定。放大器輸出端點亦 連接至二另外CMOS電晶體2 4,2 6,其作用爲電阻器, 故通過汲極之電流視其閘極電壓而定。閘電壓及放大器輸 出22因此與輸出電流有關。 結果’電路之設計時使第一電晶體大於第二對電晶㈣, 則可獲得具有增益大於1之相放大器。 圖2爲此電路之小信號型,其中之電晶體24及26均由其 等値電阻代表。 自輸出流至每一電晶體16,18之電流it如下式: (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 心6·厂 + 以g-l6 + U) 因此 K 二 本紙張尺度適用中國國家標準(CiNS)i^規格(210 χ 297公釐) 521487 A7 五、發明說明(2 ) 所以,4
K
Sml6 + ^m\ Srrh4 ^ 其中Av爲電路之電壓增益。 正常時,選擇此裝置可使gml6 = gml8,及gm24 = gm26,及設 Sml6==K.gm26 因此
A ml6
•K 其中,心=^βΐι
Id爲通過此裝置之電流,故A
I A6 κ 電晶體16/18與電晶體24/26間電流之比値設定爲
Id 16/18 K2 24/26 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以低噪音放大器而言,此處特別提出有二需求,第一, 最好能使信號源阻抗及放大器輸出阻抗相匹配,以提供最 佳功率轉移至輸出。第二,應有一良好之噪音係數,如低 於2dB更少。但使信號源阻抗與放大器輸入阻抗匹配將產 生至少3dB之噪音係數,意即無法產生可接受之噪音性 葶〇 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521487 本發明之概述 本發明提供一放大器電路,其適於利用CM〇s技術統合 及適於用在射頻,並可提供以噪音係數言之良好性能。 根據本發明之第一個特性,備有一放大器電路,含: 一電路輸入及一電路輸出; 一反相器連接在第一及第二供應電壓之間,及有一反相 輸入連接至電路輸入,及一反相器輸出,及提供一與電路 輸入電壓對應之反相器輸出電流; 第一電阻元件連接至反相器輸出及至電路輸出,及提供 一與反相器輸出電流對應之電壓輸出;及 第二電阻元件在電路輸出及電路輸入之間提供一回輸電 阻,此回輸t阻爲可調整,肖放大器之主動輸人阻抗可設 定爲任何所需之値。 根據本發明之另一特性,備有一放大器電路,含: 一電路輸入及一電路輸出; π—反相器,含第一及第二M0S電晶體(16,18)連接於 第一及第二供應電壓之間,及具有—反相器輸入連接至電 路輸入’及—反相器輸出,及提供與電路輸人電壓對應之 反相器輸出電流; 第一電阻元件,含至少第三M0S電晶體(24或26)連接 至反相讀出及至電路輸出,及提供與反相器輸出電流對 應之電壓輸出;及 罘一電阻元件,含至少逼第四M0S電晶體(30或32), 其及極及源極端點連接至電路輸出與電路輸人之間,其問 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺㈣时目國家標準(CNS0A4規格⑵0 xliTpr- 521487 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 五、發明說明(4 極連接至一電壓源以有電壓供應至閘極,冑第四则電 晶體可操作於線性區域。 根據本發明之另一特性,備有一放大器電路,含: 一電路輸入及一電路輸出; 尸一反相器,含第一及第二M〇s電晶體(i 6,i 8 )連接在 第一及第二供應電壓之間,及一反相器輸入連接至電路輸 入,及一反相器輸出,及提供一與電路輸入電壓對應之反 相器輸出電流;及 一電阻7G件含第三及第四M〇s電晶體(3 〇,3 2 ),其爲 相反導電率型,每一汲源路徑連接在電路輸出及電路輸入 I間,並將其閘極連接至各別電壓源以有一電壓供應,俾 其操作在線性區域。 根據本發明之另一特性,備有一放大器電路,含: 一電路輸入及一電路輸出; 反相器含至少弟一 MO S電晶體(16或18)連接至電路 輸出及第一供應電壓之間,及具有一反相器輸入連接至電 路輸入,及一反相器輸出,及提供一與電路輸入電壓對應 之反相器輸出電流; 第一電阻元件,含第二M0S電晶體(24或26),其閘極 及汲極連接至反相器輸出及至電路輸出,及其源連接至第 一供應電壓’提供一與反相器輸出電流對應之電壓輸出; 第二電阻元件,含第三及第四MOS電晶體(3 〇,3 2), 第三及第四電晶體爲相反導電率型,每一將其汲-源路徑 連接至電路輸出與電路輸入之間,及其閘極連接至各別電 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521487 A7
五、發明說明(5 ) 壓源;及 第三f阻元件連接至電路輸出與第二供應電壓之間。 l·式簡略説明 爲車乂佳瞭解本發明,及清晰顯示如何實施,請參考所附 圖式: 圖1爲習知技藝之放大器電路; 圖2爲圖1之小信號模式; 圖3爲本發明第一特性之放大器電路之電路圖; 圖4爲圖3之小信號模式; 圖5爲圖3之輸入電阻之代表; 圖6代表圖1之電路供噪音分析用; 圖7代表圖1電路之噪音; 圖8代表圖1電路之噪音因數; 圖9代表圖3之電路供噪音分析之用; 圖10代表圖3之噪音因數; 圖11爲根據本發明另一特性之放大器電路之電路圖; 圖1 2爲根據本發明另一特性之放大器電路之電路圖; 圖1 3爲根據本發明另一特性之放大器電路之電路圖。 本發明之詳細説明 圖3顯示本發明之放大器電路。 此電路爲與上述之圖1有關之已知型式之放大器1〇,其 包括一反相器12。一電路輸入14連接至第一 PMOS電晶體 1 6及第二NMOS電晶體1 8之閘端點。PMOS電晶體1 6之源 端點連接至正供應電壓Vdd及其没極端點連接至反相器輸 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
521487 A7 __B7 五、發明說明(6 ) 出20。NMOS電晶體i 8之源極端點連接至負供應電壓 Vss ’及其没極端點接至反相器輸出2 〇。 反相器輸出端點20亦連接至電路輸出22。第三1>訄〇8電 曰口體2 4之源端點連接至正供應電壓乂如,其閘及没極連接 至反相器輸出20。第四NMOS電晶體26將其源端點連接 至負供應電壓Vss,其閘及汲端點連接至反相器輸出2〇。 因此,加在輸入端點1 4之輸入電壓產生一對應電流流 動於反相器輸出20,其大小與第一及第二電晶體16 , 18 之跨導有關。 第三及第四電晶體2 4,2 6汲極中之電流,相反的,與 此等電晶之閘電壓有關。此等電晶體之閘電壓及在輸出端 點2 2之電路輸出電壓,所取之値產生所需之電流。 如第三及第四電晶體24,26與第一及第二電晶體16, 18匹配,第三及第四電晶體之閘電壓(即電路輸出電壓) 與第一及第二電晶體之閘電壓(即電路輸入電壓)相等,故 放大器電路10以單一增益將輸入反相。 對比之下,第三及第四電晶體24,26較第一及第二電 晶體1 6 ’ 1 8爲小一特別因數,故在第三及第四電晶體之 電流對應的較第一及第二電晶體之電流爲小。因此在第一 及第二電晶體跨導與第三及第四電晶體跨導之間產生一定 之比値,放大器增益有一相同因數。 第三及第四電晶體之作用爲電阻元件,產生一與供應其 上之電流有關之輸出電壓。 圖3之電路亦包括一回輸部份28,其包括第五NMOS電 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) --------訂_|------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521487 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(7 ) 晶體3 0及第六PMOS電晶體3 2。第五NMOS電晶體3 0之間 極連接至在端點3 4之控制電壓p 1,其源極端點連接至電 路輸出端點2 2,其汲極端點連接至電路輸入端點i 4。第 六PMOS電晶體3 2在端點3 6連接至控制電壓p 2,其源極 知點連接至電路輸入端點1 4,其没極端點連接至電路輸 出端點2 2。 控制電路P 1,P 2加以選擇俾可將第五及第六電晶體 3 0,3 2加偏壓以操作於線性區域,其在該處以電阻方式 作爲。電壓P 1及P 2將在供應電壓Vss至Vdd之範圍内。 P 1在以下之範園: (Vdd + Vss)/2<P 1 < Vdd P 2在以下之範圍:
Vss<P2<(Vdd + Vss)/2 因此,控制電壓P 1,p 2分別在中間供應電壓之上及 下。 此外,此等裝置之有效電阻値由加上控制電壓而予以控 制。但%阻値相當鬲,故電晶體中將無電流流動,意即無 或可忽略I電壓降於其上,輸入端14之DC電壓將備偏壓 至〇 C位準於電路輸出2 2上。即電阻裝置3 〇,3 2使電流 在輸出22與輸出14間流動,俾輸入14被充電,直到其電 壓等於輸出22之電壓。此爲DC靜態工作點。加信號於輸 入上將使輸入14及輸出22之電壓不同,因而使裝置3〇, 3 2間有電流通過。 原則上,第五及第六電晶體3 0,3 2可用一或多個電阻 1 ϋ I ϋ —Bi 0 ϋ ϋ ϋ ϋ ·-> 1_1 i^i -ϋ· I ϋ ϋ I ι (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -10 - 521487 A7 B7
五、發明說明(8 ) 取代,但在CMOS程序中無法製造如此精確之電阻,故此 爲一有用之選擇。此外’圖3之電路可選擇以碉整控制電 壓P 1,P 2而控制電阻。 當不需調整輸入阻抗時,亦可將第五及第六電晶體之閘 極連接至第一及第二電壓供應幹線。第五及第六電晶體之 大小可設計爲可提供應所需之放大器參數。 圖3之電路增益由圖4中之小信號模式代表。 圖4中, V〇(gm24 + + ^)+ (K Ogm- = 〇Φ〜+ 心26 +、。) = + 心18 —仏J 因此,為 K Vi .— + Srme + 圖3之電路輸入阻抗示於圖5中
^IN (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此
RlN 1+ Λ ι+Λ 輸入電阻可與源阻抗(如5 0歐姆)匹配以提供最佳功率匹 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 521487 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(11 ) 八較Rp大十倍,故噪音係數値已降低。 例如’如 NyA = κ.Ί1 25 圖1之噪音係數=2 + (κ τ 25/κ τ (8.4 dB) 圖 3 之噪音係數=1·5 + (Κ·Τ·25/Κ·Τ·50) (3.0 dB)如上所述,w3之電路較圖1電路有-較佳之噪音係 、自電路輸人至輸出增益之任何値,回輸電晶體3 0, 、%阻値可汉走以供主動輸入阻抗之任何理想値。電# 參數,如裝置大小可予設計以提供所需之放大器參數: 柘奴及輸入阻杬。此外,電晶體電阻可調整閘電壓, 1電路中予以控制。 # 、圖3電路顯示第i及第六電晶體30 ’ 32在回輸迴路中 接輸出至輸入。但視所需回輸電阻而定咽可提供一個電 體。 或者第二或第四電晶體24,26之一可免除,而以 電阻器或電流源代替。 圖11顯示根據本發明另一特性之實施例,其中之第 及第四電晶體2 4,2 6可以除去,但回輸迴路必須有第 及第六電晶體30,32。在此情況下,第五及第;;電晶 3〇 32爲輸出22之一負載,並限定放大器之增益。其 限定圖5電路之輸入電阻。 圖1 2顯示本發明第三特性之實施例,其中圖3之第一 32體 如圖 連
TO 五體亦 及 -*—|——-------------訂--------- (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) -14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ 297公釐) 521487 A7 B7 大 五、發明說明(!2 弟二電晶體1 6及2 4 P j- 、,、永λ、 久2 4已除去,並以連接至Vdd盥 之電阻器34所取代。或者,電晶體16,由“: (未示出)而非電阻器34所取代。 屯伽源 /根據本發明之第四個特性之實施例如13所示,圖^之 弟二及第三電晶體18,26已除去’及以電阻器34取代。 二々所述’電晶體18及26亦可由電流源取代而非電阻器 以上所述電路㈣用CM〇S技術構造。但刪裝置之任 何型式均可用於電路中。 因此,此電路可作爲具有最佳功率轉移至輸出之 器,並且噪音低。 ,此外電路可用以提供輸人阻抗終止,例如設計使其單 增益’或任何理想之増益’但其輸入阻抗必須爲可控制 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Claims (1)
- 521487 衣今知i第88113178號專利申請案 % 中文申請專利範圍修正本(90年4月)S 六、申請專利範圍 1. 一種放大器電路,包含: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一電路輸入及電路輸出; 一反相器,連接至第一及第二供應電壓之間,其具有 一反相器輸入連接至該電路輸入,及一反相器輸出, 其並提供與電路輸入電壓對應之反相器輸出電流; 第一電阻元件,連接至該反相器輸出及至電路輸出, 並提供與反相器輸出電流對應之電壓輸出;以及 第二電阻元件,提供一回輸電阻在電路輸出及電路輸 入之間,該回輸電阻為可調,使得放大器之主動輸入 阻抗可設定為任何需要值。 2. —種放大器電路,包含: 一電路輸入及電路輸出; 一反相器,含第一及第二MOS電晶體(1 6,1 8 )連接 於第一及第二供應電壓之間,及具有一反相器輸入連 接至電路輸入,及一反相器輸出,其並提供一反相器 輸出電流與電路輸入電壓對應; 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 第一電阻元件,包含至少一第三MOS電晶體(24或 26),連接至反相器輸出及電路輸出,及提供一電壓輸 出,與反相器輸出電流對應;及 第二電阻元件,包含至少一第四MOS電晶體(3 0或 32),將其汲及源極端點連接至電路輸出與電路輸入之 間,且其閘極連接至電壓源以便電壓供應至該處,俾 第四MOS電晶體可在其線性區操作。 3. 如申請專利範圍第2項之放大器電路,其中該第一電阻 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4说格(210X297公釐) 521487 ABCD 六、申請專利範圍 元件包含: 第三MOS電晶體(24)及第五MOS電晶體(26),第三 及第五電晶體為相反導電率型,每一將其閘極與汲極 端點連接至反相器輸出及電路輸出,且將其源極端點 連接至各別第一及第二供應電壓。 4. 如申請專利範圍第2或3項之放大器電路,其中該第二 電阻元件包含: 第四MOS電晶體(3 0)及第六MOS電晶體(32),第四 及第六電晶體為相反導電率型,及各者之汲-源路徑連 接至電路輸出及電路輸入之間,及各者之閘極連接至 各別電壓源。 5. —種放大器電路,包含: 一電路輸入及一電路輸出; 一反相器,包含第一及第二MOS電晶體(1 6,1 8 ), 及有一反相器之輸入連接至電路輸入,及一反相器輸 出,及提供一與電路輸入電壓對應之反相器輸出電 流;以及 一電阻元件,包含第三及第四MOS電晶體(3 0, 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 2 ),其為相反導電率型,各者之閘源路徑連接至電路 輸出與電路輸入之間,及將各者之閘極連接至各電壓 源以供應其電壓,俾其操作於其線性區。 6. —種放大器電路,包含: 一電路輸入及一電路輸出、 一反相器,包含至少第一 MOS電晶體(1 6或1 8)連接 -2- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 521487 申請專利範圍 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 土兒路輸出與第一供應電壓 人連接至電路輸入,及—:二及具有一反相器輸 路★輸入電壓對應之反相器輸出電 =出,並提供一與電 二極連接包電晶體(24或26),將 源極幻 接反相器輸出及至電路輸出,且其 對庳=第一供應電壓’提供—與反相器輸出電流 對應<電壓輸出; 第一電阻元件,包本第、 伙一 卞匕。罘一及罘四MOS電晶體(3〇, ,罘三及第四電晶體為相反導電 =徑連接至電路輸出及電路輸入,及將其二其二 土各別電壓源;以及 # %阻元件,連接至電路輸出及第二供應電壓之 間。 7· ^申請專利範圍第6項之放大器電路,其中該反相器含 第MOS电晶體(16或18)及第二M〇s電晶體〇 6或η ) 連接至第一及第二供應電壓之間。 8·如申請專利範圍第6或7項之放大器電路,其中該第三 電阻元件為一電阻器。 9·如申請專利範圍第6或7項之放大器電路,其中該第三 電阻元件為一電流源。 ” 一 1〇·如申請專利範圍第4項之放大器電路,其中各電壓源為 可调整。 11·如申請專利範圍第5至7項-中任一項之放大器電路,其 中各電壓源為可調整。 ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂· 4 -3 - 521487 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 12. 如申請專利範圍第4項之放大器電路,其中各電壓源為 第一及第二供應電壓。 13. 如申請專利範圍第5至7項中任一項之放大器電路,其 中各電壓源為第一及第二供應電壓。 14. 如申請專利範圍第2,3,5,6或7項之放大器電路, 其中該等MOS電晶體為CMOS裝置。 15. 如申請專利範圍第4項之放大器電路,其中該等MOS電 晶體為CMOS裝置。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)
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Families Citing this family (12)
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WO2003049280A1 (en) * | 2001-12-07 | 2003-06-12 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A low noise electronic circuit |
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CN103391061A (zh) * | 2013-07-15 | 2013-11-13 | 天津大学 | 用于可变增益放大器的具有宽可调谐范围的负载电路 |
CN104916313B (zh) * | 2015-06-16 | 2019-06-25 | 北京灵汐科技有限公司 | 基于忆阻器件的神经网络突触结构及突触权重构建方法 |
US9997227B2 (en) * | 2015-12-18 | 2018-06-12 | Intel Corporation | Non-volatile ferroelectric logic with granular power-gating |
US10804860B2 (en) * | 2018-04-02 | 2020-10-13 | Novatek Microelectronics Corp. | Gain amplifier for reducing inter-channel error |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3392341A (en) * | 1965-09-10 | 1968-07-09 | Rca Corp | Self-biased field effect transistor amplifier |
US3872390A (en) * | 1973-12-26 | 1975-03-18 | Motorola Inc | CMOS operational amplifier with internal emitter follower |
US3986043A (en) * | 1974-12-20 | 1976-10-12 | International Business Machines Corporation | CMOS digital circuits with active shunt feedback amplifier |
JPS525204A (en) * | 1975-07-01 | 1977-01-14 | Seiko Epson Corp | Hearing aid |
CH612570GA3 (en) * | 1976-01-19 | 1979-08-15 | Oscillator with complementarily connected transistor amplifier working in linear operating mode | |
FR2365263A1 (fr) * | 1976-09-16 | 1978-04-14 | Labo Cent Telecommunicat | Perfectionnements aux etages de commutation electroniques |
US4446443A (en) * | 1981-02-09 | 1984-05-01 | Zenith Radio Corporation | Amplifier having reduced power dissipation and improved slew rate |
US4439741A (en) | 1982-06-28 | 1984-03-27 | Motorola, Inc. | Stabilized high efficiency radio frequency amplifier |
JPS603098A (ja) * | 1983-06-20 | 1985-01-09 | 株式会社日立製作所 | 電圧電流変換回路 |
US4958132A (en) * | 1989-05-09 | 1990-09-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Complementary metal-oxide-semiconductor translator |
US4996499A (en) * | 1989-09-15 | 1991-02-26 | Delco Electronics Corporation | Amplitude stabilized oscillator amplifier |
US4998028A (en) * | 1990-01-26 | 1991-03-05 | International Business Machines Corp. | High speed CMOS logic device for providing ECL compatible logic levels |
GB2241621B (en) * | 1990-02-23 | 1994-11-02 | Alan Geoffrey Pateman | A new method of amplification |
US5221910A (en) * | 1990-10-09 | 1993-06-22 | Sgs-Thomson Microelectronics S.A. | Single-pin amplifier in integrated circuit form |
FR2667743A1 (fr) | 1990-10-09 | 1992-04-10 | Sgs Thomson Microelectronics | Amplificateur monobroche en circuit integre. |
US5192920A (en) | 1992-03-18 | 1993-03-09 | Eastman Kodak Company | High-sensitivity, low-noise transistor amplifier |
US5574405A (en) | 1995-08-22 | 1996-11-12 | Lucent Technologies Inc. | Low noise amplifier/mixer/frequency synthesizer circuit for an RF system |
US5721500A (en) | 1996-02-07 | 1998-02-24 | Lucent Technologies Inc. | Efficient CMOS amplifier with increased transconductance |
-
1999
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