TW521237B - Light emitting device - Google Patents

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TW521237B
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light
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source signal
gate
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TW090108667A
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Inventor
Kazutaka Inukai
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Semiconductor Energy Lab
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Description

521237 A7 B7 五、發明説明（’） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明有關一種顯示面板，其是將發光元件密封於基 板及.覆蓋材料間而形成。本發明並有關一種顯示模組，其 中將1C安裝於顯示面板上。此處的顯示面板及顯示模組是 指發光裝置。本發明並有關一種利用發光裝置的電子設備 〇 相關技術 近來，在基底上形成薄膜電晶體的技術已有長足的發 展’且將其應用在主動陣列形液晶顯示裝置。尤其，利用 聚合矽薄膜的TFT具有高於習知非晶矽薄膜TFT的場效移 動性’藉此實現高速的操作。因此，可利用形成在同一基 底上的驅動電路來控制像素，其不同於利用基底外側電路 來控制像素的習知方式。 此種陣列形液晶顯示裝置具有形成在同一基底上的不 同電路或元件。利用此種結構，主動陣列型電子顯示裝置 具有各項優點，包括、降低製造成本，減少顯示裝置的尺 寸，增加良率及生產率等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 進一步的，在電子顯示裝置中，已積極地在開發包括 發光元件的主動陣列型發光裝置。發光裝置亦稱爲有機發 光裝置（OELD)或有機發光二極體（OLED)。 相對於液晶顯示裝置，發光元件爲自發光式的。在發 光元件的結構中，含有機化合物的層夾疊於一對電極間。 藉由施加跨過一對電極的電場，便可使有機化合物層發出 光線。有機化合物層一般具有多層結構。Tang et al· Of 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A _ 521237 A7 _B7_ 五、發明説明（2 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
Kodak Eastman公司所提出的”電洞傳輸層/發光層/電子傳輸 層”爲一種多層構造的例子。此種結構具有高的發光效能。 因此，目前正在硏究中的發光裝置皆採用此種結構。 發光元件具有陽極層，有機化合物層及陰極層’以利 用施加的電場產生電子發光。有機化合物層所產生的電光 包括由單激態過渡至基態所放射的光線，以及由三基態過 渡至基態所放出的光線。本發明的發光裝置可用於任一型 態的發光裝置。 進一步的，發光裝置具有多層的結構，其中，在陽極 上依序形成電洞注射層，電洞傳輸層’發光層及電子傳輸 層，或在陽極上依序形成電洞注射層，電洞傳輸層，發光 層，電子傳輸層及電子注射層。進一步的，可以螢光顏料 摻雜發光層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本說明書中，所有位於陰極與陽極間的層是指有機 化合物層。因此，電洞注射層，電洞傳輸層，發光層，電 子傳輸層，電子注射層等皆包含於有機化合物層中。在此 說明書中，陽極，有機化合物層與陰極所構成的元件稱爲 發光元件。 可利用類比驅動法來驅動發光裝置。參考圖24及25說 明發光裝置的類比驅動法。 圖24顯示發光裝置之像素部位的結構。閘極訊號線驅 動電路將選擇訊號輸入至閘極訊號線，且閘極訊號線連接 至每一像素之TFT 1801的閘極電極。開關TFT 1801的源極區 或汲極區連接至輸入類比視頻訊號的源極訊號線，而其中 $紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Γ 521237 A7 B7 五、發明説明（3 ) 的另一區則連接至電流控制TFT 1 804的閘極電極及電容器 1 808 〇 電流控制TFT 1 804中的一源極區與汲極區連接至電源 線（VI至Vx)，而另一區連接至發光元件1 806。電源線（VI 至V X)的電位稱爲電源電位。電源線（V 1至V X)連接至包含 餘個像素中的電容器1 808。 發光元件1 806包括陽極，陰極及內插於陽極與陰極間 的有機化合物層。在此，如果發光元件1 806的陽極連接至 電流控制TFT1 804的源極區或汲極區，則發光元件的陽極 或陰極分別稱爲像素電極或相反電極。另一方面，如果發 光元件的陰極連接至電流控制TFT 1 804的源極區或汲極區 ，發光元件1806的陽極或陰極分別稱爲相反電極或像素電 極0 在本說明書中，相反電極的電位稱爲相反電極電位。 相素電極與相反電極的電位差爲發光元件驅動電壓。發光 元件驅動電壓施加至有機化合物層。 圖25顯示以類比驅動法驅動圖24之發光裝置的時序圖 。從選取一閘極訊號線到選取下一閘極訊號線的時間週期. 稱做一訊號線時間週期（L)。 在本說明書中，選取一訊號線是指將所有閘極與訊號 線連接的TFT開啓。 從顯示一影像至顯示下一影像的時間週期稱做圖框時 間週期（F)。在圖24的發光裝置中，由於有y閘極訊號線， 因此y訊號線週期（L1至Ly)落於一圖框週期內。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智惡財產局員工消費合作社印製 521237 A7 _____B7_ 五、發明説明（4 ) 當增強解析度時，圖框週期內的訊號線時間週期便會 增加、。結果，必須以更高的頻率來驅動驅動電路。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將電源線（VI至Vx)的電位及相對電極的電位保持成定 値。相對電極的電位與電源線間的電位差足可使發光裝置 發光。 在第一訊號線時間週期內（L 1 )，利用閘極訊號線輸出的 選擇訊號來選取閘極線（G1)，以開啓所有連接至閘極訊號 線G1的開關TFT1 801。將類比視頻訊號循序地輸出至源極 訊號線（SL至Sx)。接著，將輸入至源極訊號線的類比視頻 訊號經由開關TFT 1801輸入至電流控制TFT 1 804的閘極電極 〇 通過電流控制TFT 1 804之通道形成區的電流量由閘極 電壓Vcs所控制，此閘極電壓..Vcs是閘極電極與電流控制 TFT 1 8 04之源極區間的電位差。依此，施加至發光元件 1 8 06之像素電極的電位由輸入至電流控制TFT 1 804之閘極 電極的類比視頻訊號所控制。因此，類比視頻訊號的電位 控制發光元件1 806以使其發光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當重複上述操作以將類比視頻訊號輸入至源極訊號線 時（S 1至Sx)，第一訊號線時間週期便結束。一訊號線時間 週期可由完成將類比視頻訊號輸入至源極訊號線（S1至Sx) 的時間週期以及水平淸除時間週期來代換。接著，當選擇 訊號選取閘極訊號線G2時，開始第二時間訊號線（L2)。在 第一訊號線時間週期（L 1)中，循序地將類比視頻訊號輸入至 源極訊號線（S1至Sx)。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A7 _B7_ 五、發明説明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當以此方式選擇所有的閘極訊號線（G1至Gy)時，便完 成所有的訊號線週期（L1至Ly)。完成所有訊號線週期（L1至 Ly)及代表完成一個圖框週期。在一圖框週期內實施顯示的 所有像素構成一影像。一圖框時間週期可由所有的訊號線 時間週期（L1至Ly)及垂直淸除週期來取代。 如上所述，利用類比視頻訊號的電位來控制發光元件 1 8 06的發光量，以實施灰階顯示。 以下將參考圖26A及26B描述利用閘極電極與電流控 制TFT之源極區間的電位來控制供應至發光元件的電流量 〇 圖26A顯示TFT的電晶體特性。在此圖中，線段401代 表Id-Vos特性（或Id-V6S曲線）。此處Id代表汲極電流，Vcs 代表閘極電極與源極區間的電位差。此圖可顯示流在任一 閘極電壓下所流過的電流。 一般而言，爲了驅動發光元件，使用以Id-Vcs特性中的 點線來定義的區域。圖26B顯示點線402所定義之區域的放 大圖。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 圖28中的陰影區代表飽和區。實際上，飽和區相當於 臨界電壓（Vth)附近至閘極電壓的區域。在此區域中，汲極 電流隨閘極電壓呈指數變化。在類比驅動的情形中，利用 此區中的閘極電壓來控制電流。 電流控制TFT之閘極電壓是由類比視頻訊號來控制， 藉由將開關TFT開啓來將此類比視頻訊號輸入至像素中。 此時，依據圖26A中的Id-VCS特性，對應至閘極電壓的汲極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 521237 A7 B7 五、發明説明（6 ) 電流以一對一的方式對應。更詳細的，輸入至電流控制 TFT之閘極電極的類比視頻訊號電壓決定及極區的電位。 因此，使預定的汲極電流流入發光元件，以使發光元件發 出對應於電流的光量。 如上所述，發光元件所發出的光量由類比視頻訊號所 控制，以實施灰階顯示。 然而，上述類比驅動的缺點在於及易受TFT特性變化 的影響。例如，當開關TFT之Id-VCS特性與鄰近像素之開關 TFT的特性間存在有差異，並顯示同一灰階的情形。 此時，開關TFT的汲極電流彼此不同，雖然此汲極電 流的差異依特性變動的程度而有所不同。因此，將不同的 閘極電壓施加至每一像素的電流控制TFT。更詳細的，每 一發光元件流入不同的電流。結果，每一發光元件發出不 同的光量，而無法顯示相同的灰階。 即使將相同的電壓施加至各像素之電流控制TFT，如 果電流控制TFT的Id-Vcs特性存在有差異，則TFT仍無法輸 出相同的汲極電流。進一步的，如圖26A所示，由於使用 汲極電流與閘極電壓成指數變化的區域，Id-Vis特性的稍稍 偏移，便可能明顯地影響輸出的電流量，即使相同的電壓 施加致電流控制TFT時亦然。在此情形下，即使輸入相同 電壓的訊號，由於Id-VCS特性的些許差異，鄰近像素之發光 元件的發光量仍彼此不同。 實際上，開關TFT與電流控制TFT之Id-Vu特性的變異 會使影響加倍，進一步使實施灰階顯示的條件變得更爲複 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210><297公釐) " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521237 A7 ___ B7_ 五、發明説明（7 ) 雜。如上所述，類比驅動電路對TFT的特性變動極爲敏感 ，此爲主動陣列型發光裝置的問題之一。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 發明總結 本發明的目的在於解決上述的問題，並提供一種可進 行淸晰之多色階顯示的主動陣列型發光裝置。進一步的， 本發明的另一目的在於提供一種高性能的發光裝置，其利 用前述的主動陣列型發光裝置作爲顯示區。 本發明人考量到類比驅動方法的問題，其利用飽和區 來控制流經發光元件的電流，由於汲極電流隨閘極電壓呈 指數變化，因此易受Id-Vcs特性變異的影響。· 更詳細的，當Id-Vu的特性發生變異時，汲極電流在飽 和區中隨閘極電壓呈指數變化。因此，即使施加相同的閘 極電壓，則會輸出不同的電流，而無法獲得理想的灰階顯 示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印t 因此，本發明人思及不利用飽和區的電流來控制流過 發光元件的電流量，而藉由控制使發光元件發光的時間週 期來實施控制。換句話說，利用時間來控制發光元件的發 光量，以實現本發明的灰階顯示。藉由控制發光時間週期 來實施灰階顯示的驅動方法稱爲分時驅動法。以分時驅動 法所實現的灰階顯示稱爲分時灰階顯示。 利用上述的結構，本發明可避免因Id-Vcs的特性變動而 無法得到理想的灰階顯示。 以下將描述本發明的結構。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X：297公釐） -10- 521237 A7 B7 五、發明説明（8 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據本發明，提供一種發光裝置，包括第一源極訊號 線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路，第一閘極訊號線 驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及像素部位； 其特徵在於該像素部位具有多個像素；每一像素包括 發光元件，控制該發光元件之發光的電流控制TFT，驅動 該電流控制TFT的第一開關TFT及第二開關TFT ; 利用該第一源極訊號線驅動電路及該第一閘極訊號線 驅動電路來控制該第一開關TFT的驅動； 利用該第二源極訊號線驅動電路及該第二閘極訊號線 驅動電路來控制該第二開關TFT的驅動；及 控制時間週期的長度來實施灰階顯示，在顯示過程中 使發光元件發光。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明，提供一種發光裝置，包括第一源極訊號 線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路，第一閘極訊號線 驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及像素部位；多個連 接至該第一源極訊號線驅動電路的第一源極訊號線，多個 連接至該第二源極訊號線驅動電路的第二源極訊號線，多 個連接至該第一閘極訊號線驅動電路的第一閘極訊號線， 多個連接至該第二閘極訊號線驅動電路的第二閘極訊號線 ，及多條電源線，
其特徵在於該像素部位具有多個像素，每一像素包括 有發光元件，電流控制TFT，第一開關TFT及第二開關TFT
I 該第一開關TFT的多個閘極電極連接至該多個第一閘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 521237 A7 _____B7__ 五、發明説明（9 ) 極訊號線； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第二個開關TFT的該多閘極電極連接至該多個第二閘 極訊號線； 該多個第一開關TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個第一源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制TFT 的閘極電極； 該多個第二開關TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個第二源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制TFT 的閘極電極；且 該多個電流控制TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個電源線，且另一區連接至該多個發光元件。 依據本發明，提供一種發光裝置，包括：第一源極訊 號線驅動電路，第二.源極訊號線驅動電路，第一·閘極.訊號 線驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及像素部位；多個 連接至該第一源極訊號線驅動電路的第一源極訊號線，多 個連接至該第二源極訊號線驅動電路的第二源極訊號線， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 多個連接至該第一閘極訊號線驅動電路的第一閘極訊號線 .，多個連接至該第二閘極訊號線驅動電路的第二閘極訊號 線，及多條固定電位的電源線，
其特徵在於該像素部位具有多個像素，每一像素包括 有發光元件，電流控制TFT，第一開關TFT及第二開關TFT 其中每一該多個發光元件具有像素電極，固定電位的 相對電極，及位於該像素電極與該相對電極間的有機化合 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ 一 521237 A7 B7 五、發明説明（10) 物層； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中該第一開關TFT的多個閘極電極連接至該多個第 一閘極訊號線； 其中第二個開關TFT的該多閘極電極連接至該多個第 二閘極訊號線； · 其中該多個第一開關TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個第一源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制 TFT的閘極電極； 其中該多個第二開關TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個第二源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制 TFT的閘極電極；且 其中該多個電流控制TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個電源線，且另一區連接至該多個像素電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依據本發明，提供一種發光裝置，包括第一源極訊號 線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路，第一閘極訊號線 驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及像素部位；多個連 接至該第一源極訊號線驅動電路的第一源極訊號線，多個 連接至該第二源極訊號線驅動電路的第二源極訊號線，多 個連接至該第一閘極訊號線驅動電路的第一閘極訊號線， 多個連接至該第二閘極訊號線驅動電路的第二閘極訊號線 ，及多條電源線，
其特徵在於該像素部位具有多個像素，每一像素包括 有發光元件，電流控制TFT，第一開關TFT及第二開關TFT 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 521237 A7 B7 五、發明説明（1彳） 該第一開關TFT的多個閘極電極連接至該多個第一閘 極訊、號線； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第二個開關TFT的該多閘極電極連接至該多個第二閘 極訊號線； 該多個第一開關TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個第一源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制TFT 的閘極電極； 該多個第二開關TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個第二源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制TFT 的閘極電極； 該多個電流控制TFT中的源極區.或汲極區連接至該多 個電源線，且另一區連接至該多個發光元件； 在一圖框時間週期內，依序出現η個寫入時間週期Tal ，Ta2，…，Tan ; 出現於寫入時間週期Tan後的寫入時間週期爲第一寫 入時間週期Tal ; 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 從出現各寫入時間週期Tal，Ta2，…，Tan到出現下 一個寫入時間週期的時間週期爲η個顯示時間週期Tdl， Td2 ，…，Tdl ； 在η個寫入時間週期Tal，Ta2，…，Tan內，數位訊 號從該第一源極訊號線驅動電路透過該多個第一源極訊號 線輸入至該多個像素，或從該第二源極訊號線驅動電路透 過該多個第二源極訊號線輸入至該多個像素；且 在η個顯示時間週期Tdl，Td2，…，Tdl內，利用數 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -14- 521237 A7 __B7_ 五、發明説明（12) 位訊號選擇地使該多個發光元件呈發光狀態或不發光狀態 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 依據本發明提供一種發光裝置，包括第一源極訊號線 驅動電路，第二源極訊號線驅動電路，第一閘極訊號線驅 動電路，第二閘極訊號線驅動電路及像素部位；多個連接 至該第一源極訊號線驅動電路的第一源極訊號線，多個連 接至該第二源極訊號線驅動電路的第二源極訊號線.，多個 連接至該第一閘極訊號線驅動電路的第一閘極訊號線，多 個連接至該第二閘極訊號線驅動電路的第二閘極訊號線， 及多條固定電位的電源線，
其特徵在於該像素部位具有多個像素，每一像素包括 有發光元件，電流控制TFT，第一開關TFT及第二開關TFT
I 每一該多個發光元件具有像素電極，固定電位的相對 電極，及位於該像素電極與該相對電極間的有機化合物層 經濟部智慈財產局員工消贫合作社印製 該第一開關TFT的多個閘極電極連接至該多個第一閘 極訊號線； 第二個開關TFT的該多閘極電極連接至該多個第二閘 極訊號線； 該多個第一開關TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個第一源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制TFT 的閘極電極； ' 該多個第二開關TFT中的源極區或汲極區連接至該多 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -15- 521237 A7 B7 五、發明説明（13) 個第二源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制TFT 的閘極電極； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 該多個電流控制TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個電源線，且另一區連接至該多個像素電極； 在一圖框時間週期內，依序出現n個寫入時間週期Tal ，Ta2，…，Tan ; 出現於寫入時間週期Tan後的寫入時間週期爲第一寫 入時間週期Tal ; 從出現各寫入時間週期Tal，Ta2，...，Tan到出現下 一個寫入時間週期的時間週期爲η個顯示時間週期Tdl， Td2，…，Tdl .； 在η個寫入時間週期Tal，Ta2，…，Tan內，數位訊 號從該第一源極訊號線驅動電路透過該多個第一源極訊號 線輸入至該多個像素，或從該第二源極訊號線驅動電路透 過該多個第二源極訊號線輸入至該多個像素；且 在η個顯示時間週期Tdl，Td2，…，Tdl內，利用數 位訊號選擇地使該多個發光元件呈發光狀態或不發光狀態 經濟部智慧財產局員工消费合作社印災 〇 依據本發明，提供一種發光裝置，包括第一源極訊號 線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路，第一閘極訊號線 驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及像素部位；多個連 接至該第一源極訊號線驅動電路的第一源極訊號線，多個 連接至該第二源極訊號線驅動電路的第二源極訊號線，多 個連接至該第一閘極訊號線驅動電路的第一閘極訊號線， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ：297公釐） -16- 521237 A7 B7 五、發明説明（14) 多個連接至該第二閘極訊號線驅動電路的第二閘極訊號線 ，及多條電源線， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
其特徵在於該像素部位具有多個像素，每一像素包括 有發光元件，電流控制TFT，第一開關TFT及第二開關TFT 該第一開關TFT的多個閘極電極連接至該多個第一閘 極訊號線； 第二個開關TFT的該多閘極電極連接至該多個第二閘 極訊號線 該多個第一開關TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個第一源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制TFT 的鬧極電極； 該多個第二開關TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個第二源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制TFT 的閘極電極； 該多個電流控制TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個電源線，且另一區連接至該多個發光元件； 經濟部智慈財產局員工消费合作社印% 在一圖框時間週期內，依序出現η個寫入時間週期Tai ，Ta2，…，Tan ; 出現於寫入時間週期Tan後的寫入時間週期爲第一寫， 入時間週期Tal ; 從出現各寫入時間週期Tal，Ta2，...，Tail到出現下 一個寫入時間週期的時間週期爲η個顯示時間週期Td i， Td2 ，…，Tdl ； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 71 '~~ ^ Λ i 521237 A7 ___ _B7__ 五、發明説明（15) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在ϋ個寫入時間週期Tal，Ta2，…，Tan內，數位訊 號從、該第一源極訊號線驅動電路透過該多個第一源極訊號 線輸入至該多個像素，或從該第二源極訊號線驅動電路透 過該多個第二源極訊號線輸入至該多個像素； 在η個寫入時間週期Tal，Ta2，…，Tan內，一些相 鄰的寫入時間週期彼此重疊； 在η個顯示時間週期Tdl，Td2，…，Tdl內，利用數 位訊號選擇地使該多個發光元件呈發光狀態或不發光狀態 〇 依據本發明，提供一種發光裝置，包括第一源極訊號線 驅動電路，第二源極訊號線驅動電路，第一聞極訊號線驅 動電路，第二閘極訊號線驅動電路及像素部位；多個連接 至該第一源極訊號線驅動電路的第一源，極訊號線，多個連 接至該第二源極訊號線驅動電路的第二源極訊號線，多個 連接至該第一閘極訊號線驅動電路的第一閘極訊號線，多 個連接至該第二閘極訊號線驅動電路的第二閘極訊號線， 及多條固定電位的電源線， 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製
其特徵在於該像素部位具有多個像素，每一像素包括 有發光元件，電流控制TFT，第一開關TFT及第二開關TFT 每一該多個發光元件具有像素電極，固定電位的相對 電極’及位於該像素電極與該相對電極間的有機化合物層 $ 該第一開關TFT的多個閘極電極連接至該多個第一閘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 521237 A7 B7 五、發明説明（16) 極訊號線； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、第二個開關TFT的該多閘極電極連接至該多個第二閘 極訊號線； 該多個第一開關TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個第一源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制TFT 的閘極電極； 該多個第二開關TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個第二源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制TFT 的閘極電極； 該多個電流控制TFT中的源極區或汲極區連接至該多 個電源線，且另一區連接至該多個像素電極； 在一圖框時間週期內，依序出現η個寫入時間週期Tal ，Ta2，...，Tan ; 出現於寫入時間週期Tan後的寫入時間週期爲第一寫 入時間週期Tal ; ； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 從出現各寫入時間週期Tal，Ta2，...，Tan到出現下 一個寫入時間週期的時間週期爲η個顯示時間週期Tdl， Td2 ，…，Tdl ； 在η個寫入時間週期Tal，Ta2，…，Tan內，數位訊 號從該第一源極訊號線驅動電路透過該多個第一源極訊號 線輸入至該多個像素，或從該第二源極訊號線驅動電路透 過該多個第二源極訊號線輸入至該多個像素； 在η個寫入時間週期Tal，Ta2，…，Tan內，一些相 鄰的寫入時間週期彼此重疊；且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇 X297公釐） ~ " 521237 A7 B7 五、發明説明（17) 在η個顯示時間週期Tdl，Td2，…，Tdl內，利用數 位訊.號選擇地使該多個發光元件呈發光狀態或不發光狀態 〇 發光裝置的一特徵爲在與相鄰寫入時間週期部分重疊 之一寫入時間週期內，該數位訊號從該第一源極訊號線驅 動電路透過該多個第一源極訊號線輸入至該多個像素，且 在另一寫入時間週內，該數位訊號從該第二源極訊號線驅 動電路透過該多個第二源極訊號線輸入至該多個像素。 發光裝·置的一特徵爲η個顯示時間週期內的j個顯示時 間週期（j爲大於零小於等於η的整數）爲黑色顯示時間週期 ，在此週期內，所有的發光元件處於不發光的狀態。 發光裝置的一特徵爲η個寫入時間週期的長度彼此相同 〇 發光裝置的一特徵爲j個黑色顯示時間週期外之（η-」）個 顯示時間週期的長度比，由小至大依次爲2°:2i:…+ ^。 發光裝置的一特徵爲該第一開關丁FT及該第二開關TFT 具有相同的極性。 發光裝置的一特徵爲在一圖框時間週期內，最後出現的 顯示時間週期爲最長的黑色顯示時間週期。 依據本發明，提供一種發光裝置，包括第一源極訊號 線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路，第一閘極訊號線 驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及像素部位； 其特徵在於該像素部位具有多個像素； 其中該多個像素包括多個發光元件；且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X 297公釐） —-------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 521237 A7 B7 五、發明説明（18) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用該第一源極訊號線驅動電路及該第二源極訊號線 驅動電路所輸出的數位訊號，及該第一閘極訊號線驅動電 路及該第二閘極訊號線驅動電路所輸出的選擇訊號來控制 該多個發光元件的驅動。 依據本發明，提供一種發光裝置，包括第一源極訊號 線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路，第一閘極訊號線 驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及像素部位； 其特徵在於該像素部位具有多個像素； 其中該多個像素包括多個發光元件；且 利用該第一源極訊號線驅動電路及該第二源極訊號線 驅動電路所輸出的數位訊號，及該第一閘極訊號線驅動電 路及該第二閘極訊號線驅動電路所輸出的選擇訊號來控制 發光元件的時間週期。 發光裝置的一特徵爲有機化合物層由低分子有機材料 或聚合有機材料所形成。 發光裝置的一特徵爲發光裝置爲電腦，攝影機或DVD 播放器。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ 圖示的簡單描述 圖1爲依據本發明之發光裝置的上區塊圖。 圖2爲依據本發明之發光裝置的像素電路。 圖3爲依據本發明之發光裝置的像素電路。 圖4的時序圖顯示驅動本發明之發光裝置的方法。 圖5的時序圖顯示驅動本發明之發光裝置的方法。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 521237 A7 B7 五、發明説明（19) 圖6的時序圖顯示驅動本發明之發光裝置的方法。 圖7的時序圖顯示驅動本發明之發光裝置的方法。 圖8的時序圖顯示驅動本發明之發光裝置的方法。 圖9的時序圖顯示驅動本發明之發光裝置的方法。 圖1 0的時序圖顯示驅動本發明之發光裝置的方法。 圖11A至11D顯示發光裝置的製程。 圖12A至1 2D顯示發光裝置的製程。 圖13A至13D顯示發光裝置的製程。 圖14A及14B顯示發光裝置的製程。 亂15A及15B顯示依據本.發明之發光裝置的上視圖及剖面 圖。 圖1 6A及1 6B顯示依據本發明之發光裝置的上視圖及剖面 圖。 圖17顯示依據本發明之發光裝置的像素剖面圖。 圖1 8顯示依據本發明之發光裝置的像素剖面圖。 圖19A及19B爲本發明之發光裝置的像素電路。 圖20爲源極線驅動電路的電路圖。 圖2 1爲源極線驅動電路的上視圖。 圖22A至22F顯示依據本發明之發光裝置的電子應用。 圖23 A至23F顯示依據本發明之發光裝置的電子應用。 圖24顯示習知發光裝置的像素電路。 圖25的時序圖顯示驅動習知發光裝置的方法。 圖26A及26B顯示TFT的Id-Vcs特性。 圖27A及27B顯示發光元件與電流控制TFT間的連接結構 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 22 521237 A7 _____B7五、發明説明（20) ’以及發光元件與電流控制TFT的電壓電流特性圖。 圖28顯示發光元件與電流控制TFT的電壓電流特性圖。 圖29顯示電流控制TFT之閘極電壓與汲極電流間的關係 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主要元件對照表 31 35 36 37 . 41. 42 43 44a 與 44b 45 5 1 a 及 5 1 b 101 102a 102b 103a 103b 105 106 107 201a
汲極導線 汲極導線 導線 閘極 被動薄膜 平坦薄膜 像素電極 絕緣隔條 發光層 隔條 像素部位 第一源極訊號線驅動電路 第二源極訊號線驅動電路 第一閘極訊號線驅動電路 第二閘極訊號線驅動電路 平移暫存器 拴鎖（A) 拴鎖（B) 第一開關TFT (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23- 521237 A7 B7 五、發明説明（21) 201b 202 203 204 4.00 402 至 405 404 406 407 - 408 409 至 412 409a 至 412a 414 至 417 419 至 422 421a 及 421b 425 至 428 431 433 434 至 437 43 8 至 41 1 442 至 445 446 447 及 448 449 及 450 第二開關TFT 電流控制TFT 發光元件 電容器 玻璃基底 半導體層 半導體層 閘極絕緣薄膜 第一導電薄膜 第二導電薄膜 光罩 光罩 第一形狀導電層 第二導形狀電層 第二導電層 第一雜質區 第二雜質區 光罩 源極區 汲極區 Lov區 Loff 區 源極區 汲極區 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X29<7公釐） -24- 521237 A7 B7 五、發明説明（22) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 451及 452 Lov區 45 3 . 光罩 455 第一內層絕緣薄膜 458 第二內層絕緣薄膜 4.5 9 至 462 源極導線 463至 465 汲極導線 467 第三內層絕緣薄膜 469 第一隔體 470 - 第二隔體 471 有機化合物層 472 陰極 501 開關TFT 502 電流控制TFT 504 源極區 505 汲極區 506 L 〇 f f 區 507 Lov區 510 源極區 511 汲極區 5 12 Lov區 513 通道形成區 521 源極區 522 汲極區 523 L 〇 v區 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 521237 A7 B7 五、發明説明（23) 經濟部智慧財產局員工消贫合作社印製 524 通道形成區 531 源極區 532 汲極區 533 L〇v區 534 通道形成區 801 平移暫存器 802 拴鎖（A) 803 拴鎖（B) 832a 及 832b . 主動層 8 3 3 a 及 8 3 3b 主動層 834a 及 834b 主動層 8 37a 及 8 37b 閘極電極 8 3 8b 及 839 聞極電極 839 及； 340 閘極電極 840 及： 841 閘極電極 1804 電流控制TFT 1806 發光元件 1808 電容器 200 1 顯示框 2002 支撐板 2003 顯示部位 2101 本體 2102 顯示區 2103 聲音輸入區 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -26- 521237 A7 B7 五、發明説明（24) 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 2104 操作開關 2105- 電池 2106 影像接收區 220 1 本體 2 20 2 訊號線 2203 頭帶 2204 ' 顯示部位 2205 光學系統 2206 * 致電顯示裝置 2 301 本體 2302 記錄媒體 2303 操作開關 2401 本體 2402 顯不區 250 1 本體 2502 框架 2503 _ 顯不區 260 1 -4- am 本體 2602 聲音輸出區 2603 聲音輸入區 2604 顯不區 2605 操作開關 2606 天線 270 1 -Jr- 本體 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 521237 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾. 五、發明説明（25) 2702 顯示部位 2703·及 2704 操作開關 350 1 基底 3 502 第一開關.TFT 3 5 03 電流控制TFT 3 504 第二開關TFT 3 80 1 及 3 802 第一及第二閘極訊號線 3805 第一開關TFT 3806 - 第二開關TFT 3 807 電流控制TFT 3808 發光元件 3 809 電源線 3810 電容 4010 基底 4011 像素部位 4012a 第一源極訊號側驅動電路 4012b _ 第二源極訊號側驅動電路 4013a 閘極訊號側驅動電路 4013b 閘極訊號側驅動電路 4016 導線 402 1 底膜 4022a Ά 4022b 驅動電路TFT 4023 電流控制TFT 4026 內層絕緣薄膜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A7 B7 五、發明说明（26) 4027 像素電極 4028、 絕緣薄膜 4029 有機化合物層 4030 陰極 40 3 1 區域 4505 發光元件 6000 覆蓋構件 6004 塡充物 6006 - 惰性薄膜 7000 密封構件 700 1 氣密構件 4014a ,，4014b ， 4016 導線 ，及 4016b 380 1 ，3801a 及 3 80 1 b 第一源極訊號線 3 802 ，3802a 及 3802b 第二源極訊號線 447 ， 435 ， 436 及 448 源極區 較佳實施例的詳細說明 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 以下，將描述依據本發明之發光裝置的結構。此處， 說明以η位元數位視頻訊號實施2n灰階顯示的例子。 圖1顯示依據本發明之發光裝置的區塊圖。圖1中的發 光裝置具有包含TFT的像素部位，第一源極訊號線驅動電 路102a，第二源極訊號線驅動電路102b，第一閘極訊號線 驅動電路103a，第二閘極訊號線驅動電路103b，分別位於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） -29- 521237 A7 B7 五、發明説明（27) 像素部位10 1的周邊。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第一源極訊號線驅動電路1 02a ’第二源極訊號線驅動 電路102b ’第一*閑極迅號線驅動電路l〇3a ’弟一闊極訊號 線驅動電路103b可與像素部位形成於相同的基底上，或可 形成於1C晶片上，並透果FPC與像素部位101連接。 基本上，每一第一及第二源極訊號線驅動電路102a， l〇2b具有平移暫存器105，拴鎖（A)106及拴鎖（B)107。 另一方面，每一第一及第二閘極訊號線驅動電路103a ，l〇3b具有平移暫存器及緩衝器。依此例，第一及第二閘 極訊號線驅動電路l〇3a，103b除了平移暫存器及緩衝器外 ，並具有位準平移暫存器。 依據本發明之發光裝置的驅動電路不限於圖1的例子 〇 經濟部智慧財產局員工消费合作社印^ 圖2顯示像素部位101的放大圖。在像素部位101中， 提供有連接至第一源極訊號線驅動電路102a之拴鎖（B) 107 的第一源極訊號線（SL1至SLx)，連接至第二源極訊號線驅 動電路102b之拴鎖_(B)107的第二源極訊號線（SR1至SRx)， 經由FPC連接至外側發光裝置電源的電源供應線（VI至Vx)· ，連接至第一閘極訊號線驅動電路103a的第一閘極訊號線 (GL1至GLy)，與連接至第二閘極訊號線驅動電路103b的第 二閘極訊號線（GR1至GRy)。 在本說明書中，結合第一源極訊號線驅動電路102a及 第一閘極訊號線驅動電路103a稱做第一驅動電路組（Dr_L) ，結合第二源極訊號線驅動電路1 02b及第二閘極訊號線驅 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30 - 521237 A7 B7 五、發明説明（28) 動電路103b稱做第二驅動電路組（Di:_R)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 包含第一源極訊號線（SL1至SLx)之一，第二源極訊號 線（SR1至SRx)之一，第一聞極訊號線（GL1至GLy)之一與第 二閘極訊號線（GR1至GRy)之一的區域構成一像素104。像 素部位10 1中，以陣列的形式配置多個像素10 4。 圖3爲像素104的放大圖。在圖3中，參考標號20 la代 表第一開關TFT，參考標號201b代表第二開關TFT。第一 開關TFT的閘極電極連接至第一閘極訊號線（GL1至GLy)。 第二開關TFT的閘極電極連接至第二閘極訊號線（ G R1 至 GRy)。 第一開關TFT201 a的源極區或汲極區連接至第一源極 訊號線SL(SL1至SLx之一），而另一者連接至電流控制 TFT202的閘極電極以及電容器204。第二開關TFT201b的 源極區或汲極區連接至第二源極訊號線SR(SR1至SRx之一） ； * ，而另一者連接至電流控制TFT202的閘極電極以及電容器 204 ◦ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當第一開關TFT201a及第二開關TFT201b呈OFF狀態時 ，電容器204用以保持電流控制TFT202的閘極電壓。本發. 明並不限於此實施例所示的電容器204，亦可不使用電容 器 204。 電流控制TFT202中的源極區或汲極區連接至電源供應 線V(V1至Vx中的一條），而另一者連接至發光元件203。 電源供應線V連接至電容器204。 發光元件203包括陽極，陰極，以及位於陽極與陰極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -31 - 521237 A7 B7 五、發明説明（29) 間的有機化合物層。當陽極連接至電流控制TFT202的源極 區或汲極區時，陽極作爲像素電極而陰極作爲相反電極。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 將相反電位施加至發光元件的相反電極上，並將電源 電位施加至電源供應線V。相反電位與電源電位間的電位 差保持爲一定値，當施加電源電電位至像素時，此電位差 可使發光元件203發光。電源電位及相反電位透過外接1C 的電源施加至本發明的發光元件上。 在目前的發光元件中，當相素單位發光區的光量爲 200cd/m2時，每一像素部位的單位區域需要約幾mA/cm2的 電流。因此，當螢幕的尺寸增加時，較難利用開關來控制 由1C電源所提供的電位。然而，在本發明中，一直將電源 電位及相反電位保持成定値。因此，由於不需控制1C電源 所提供的電位，因此本發明可有效地實現大面積的面板。 可使用η通道TFT或p通道TFT來作爲第一及第二開關 TFT201a及201b，以及電流控制TFT202。除了單閘極結構 外，第一及第二開關TFT201a及201b，以及電流控制 TFT202可使用多鬧_極結構，如雙閘極結構或三閘極結構。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本說明書中，可使用η通道TFT或p通道丁FT來作爲 電流控制TFT202。當發光元件203的陽極作爲像素電極， 且陰極作爲相反電極時，電流控制TFT202最好爲p通道 TFT。相反的，當發光元件203的陽極作爲相反電極，且陰 極作爲像素電極時，電流控制TFT202最好爲η通道TFT。 接著，將描述具上述結構之發光裝置的驅動方法。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- 521237 A7 B7 五、發明説明（30) (實施例模式1) 參考圖4，說明實施例模式的驅動方法。 首先，利用第一閘極訊號線驅動電路103a所輸出的選 擇訊號來選取第一閘極訊號線GL1，以開啓連接至第一閘 極訊號線GL1之所有像素的第一開關TFT201a。在本說明 書中，”將TFT開啓”是指”驅動一 TFT”。 第一位元的數位視頻訊號從第一源極訊號線驅動電路 102a的拴鎖（B)107，經由第一源極訊號線（SL1至SLx)輸入 至第一訊號線的像素。接著，將輸入至像素之第一位元的 數位視頻訊號經由開啓的第一開關TFT201a輸入至電流控· 制TFT202的閘極電極。 數位視頻訊號具有”0”或”1”的資訊。數位視頻訊號”0”具 有高位準的電壓，而數位視頻訊號” Γ具有低位準的電壓。 在此實施例中，當數位視頻訊號具有”0”資訊時，則將 電流控制TFT202關閉。依此，電源電位並未施加至發光元 件203的像素電極。結果，包含輸入”0”資訊之發光元件203 的像素並未發光。_ 相反的，當數位視頻訊號具有”1”資訊時，則將電流控 制TFT202開啓。依此，電源電位施加至發光元件203的像 素電極。將相反電位與電源電位間的差保持成定値，使得 當電源電位施加至像素電極時，能使發光元件發光。結果 ，結果，包含輸入”1”資訊之發光元件203的像素便發光。 在此實施例的模式中，當數位視頻訊號具有”〇”資訊時 ，電流控制TFT202關閉，且當數位視頻訊號具有”1”資訊時 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝- 訂 經濟部智慈財產局員工消资合作社印製 -33- 521237 A7 _ B7 五、發明説明（31) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，電流控制TFT202開啓。然而，本發明不限於此種結構。 變換的，可利用具”〇”資訊的數位視頻訊號將電流控制 TFT202開啓，而利用具"Γ資訊的數位視頻訊號將電流控制 TFT202 關閉。 在本說明書中，發光元件的發光狀態稱爲發光狀態， 而發光元件未發光的狀態稱爲未發光狀態。 依此，當第一位元的數位視頻訊號輸入至第一訊號線 的像素時，使發光元件呈發光或未發光的狀態，而使第一 訊號線的像素實施顯示。像素進行顯示的時間週期稱爲顯 示時間週期Td。以輸入第一位元數位視頻訊號所開始的時 間週期稱爲Tdl。爲了簡化描述，圖4僅顯示第一訊號線（ 第一列）與第y訊號線（最後一列）之像素的時間顯示週期。 每一訊號線的開始顯示週期稱有時間上的差異。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，將連接至第一閘極訊號線GL 1之所有像素的電 流控制TFT202關閉。接著，利用第一閘極訊號線驅動電路 103a輸出的選擇訊號選取第一閘極訊號線GL2，以開啓連 接至第一閘極訊號f泉GL2之所有像素的第一開關TFT201a 。接著，從第二源極訊號線驅動電路102b，經由源極訊號 線（SL1至SLx)，將第一位元的數位視頻訊號施加至第二訊 號線的像素。 接著，重複上述的操作，以選取所有的第一閘極訊號 線（GL1至GLy)。結果，第一位元的數位視頻訊號輸入至所 有訊號線的像素。將第一位元數位視頻訊號輸入至所有像 素的時間週期稱爲寫入時間週期Ta 1。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -34- 521237 A7 B7 五、發明説明（32) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 另一方面，在輸入第一位元之數位視頻訊號至所有像 素的前後，換句話說，在完成寫入時間週期Ta 1的前後， 開始寫入時間週期Ta2。在此模式下，說明於完成寫入時 間週期Tal後開始寫入時間週期Ta2的例子。 當開始寫入時間週期Ta2時，利用從第二閘極訊號線 驅動電路103b輸出的選擇訊號選取第二閘極訊號線GR1， 以開啓連接至第二閘極訊號線GR1之所有像素的第二開關 TFT201b 。 第二位元的數位視頻訊號從第二源極訊號線驅動電路 102a的拴鎖（B)107，經由第二源極訊號線（SR1至SRx)輸入 至第一訊號線的像素。接著，將輸入至像素之第二位元的 數位視頻訊號經由第二開關TFT201b輸入至電流控制 TFT202的閘極電極。 依此，在寫入時間週期Ta2中，第二位元的數位視頻 訊號可與第一位元的視頻訊號平行地輸入至第一訊號線的 像素。因此，在寫入時間週期Tal中輸入至像素的第一位 元視頻訊號可被第二位元視頻訊號所覆寫。 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 當輸入第二位元視頻訊號至第一訊號線的像素時，發 光元件依據203第二位元數位視頻訊號而呈發光或未發光 的狀態，而使第一訊號線上的像素進行顯示。第二位元數 位視頻訊號輸入至像素，以關閉顯示時.間週期Td 1，並開 始顯示時間週期Td2。 接著，關閉連接至第二閘極訊號線GR 1之所有像素的 第二開關TFT20 lb。接著，利用第二閘極訊號線驅動電路 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A7 B7 五、發明説明（33) l〇3b輸出的選擇訊號選取第二閘極訊號線GL2，以開啓連 接至第二閘極訊號線GL2之所有像素的第二開關TFT201b 。接著，從第二源極訊號線驅動電路102b，經由源極訊號 線（SR1至SRx)，將第二位元的數位視頻訊號施加至第二訊 號線的像素。 接著，重複上述的操作，以選取所有的第二閘極訊號 線（GR1至GRy)。結果，第二位元的數位視頻訊號輸入至所 有訊號線的像素。將第二位元數位視頻訊號輸入至所有像 素的時間週期稱爲寫入時間週期Ta2。 另一方面，在輸入第二位元之數位視頻訊號至所有像 素的前後，換句話說，在完成寫入時間週期Ta2的前後， 開始寫入時間週期Ta3。在此模式下，說明於完成寫入時 間週期Ta2後開始寫入時間週期Ta3的例子。 當開始寫入時間週期Ta3時，利用從第一閘極訊號線 驅動電路103a輸出的選擇訊號選取第一閘極訊號線GL1， 以開啓連接至第一閘極訊號線GL1之所有像素的第一開關 TFT20U ° 接著，循序地選取第一閘極訊號線（GL1至GLy)，以將 第三位元的數位視頻訊號輸入至所有的像素。將第三位元 數位視頻訊號輸入至所有像素的時間週期稱爲寫入時間週 期 Ta3。 重複上述的操作，直到將第η位元的數位視頻訊號輸 入至像素，以使顯示時間週期Tdl至Tdn階呈現出來（圖4) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -36- 521237 A 7 B7 五、發明説明（34) (请先閱讀背面之注意事項鼻填寫本育s ) 當完成所有的顯示時間週期Tdl至Tdri後，一圖框時間 週期便結束，並顯示影像。在本發明的驅動方法中’顯示 一影像的時間週期稱作一圖框週期（F)。 就一般的顯示裝置而言，每秒最好有大於60個圖框時 間週期。此理由在於，如果每秒所顯示的影像少於6 0 ’則 會出現影像的閃爍。 當完成一圖框週期後，再次將第一位元的數位視頻訊 號輸入至像素，以構成一顯示時間週期Tdl。接著’重複 上述的操作。在此實施例中，在下一個圖框週期中’利用 第一組驅動電路（Dr_L)再次將第一位元的數位視頻訊號輸入 至像素。然而，本發明的結構不限於此。在下一個顯不週 期中，可利用第二組驅動電路（Di^R)將第一位元的數位視 頻訊號輸入至像素。 在本說明書中，將數位視頻訊號輸入至像素是指將數 位視頻訊號經由像素的開關TFT，輸入至電流控制TFT的 閘極電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此模式中，fU用第一組驅動電路（Dr_L)將數位視頻訊 號輸入的寫入诗間週期與利用第二組驅動電路（Di*_R)將數 位視頻訊號輸入的寫入時間週期交替的出現。然而，本發 明並不限於此種結構。當相鄰的寫入時間週期不互相重疊 時，兩相鄰的寫入時間週期可由單一驅動電路組，亦即第 一組驅動電路（Dr_L)或第二組驅動電路（Dr_R)來進行。 利用第一驅動電路組（Dr_L)來將數位視頻訊號輸入像素 的時間週期不能相互重疊。有時，利用第一驅動電路組 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- 521237 A7 _ B7_ 五、發明説明（35) (Dr_L)來將數位視頻訊號輸入像素的時間週期亦不能相互重 疊。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 延遲時間週期Tdl代表從寫入時間週期Tal的開始時間 至寫入時間週期Ta2之開始時間的週期。延遲時間週期丁d2 代表從寫入時間週期Ta2的開始時間至寫入時間週期Ta3之 開始時間的週期。如同顯示時間週期Tdl及Td2，顯示時間 週期Td3，Td4，…，Td(n- l)及Tdn分別爲從寫入時間週期 丁a3，Ta4，…，Ta(n-l)的開始時間至寫入時間週期Ta4， Ta5，…，- Tan及Tal之開始時間的週期。 .在此實施例中，顯示時間週期Tdl至Tdn的長度比依此 & 9 0 · 9 1 · q 2 · .〇(η*2)·9(η'1) 〇 /mt · La · Ο · · · · · jU/ · ία 在此實施例中，寫入時間週期的長度關係爲Tal= Ta2 = …=Tan，亦即所有的長度均相同。然而，本發明不限於上 述的長度關係。可使寫入時間週期的長度彼此不同。 在本說明書中，顯示時間週期Tdl至Tdn的關係允許2n 階的灰階顯示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可獲得在一圖框時間週期內，於發光時，顯示時間週 期的長度和，以決定像素所顯示的灰階。 由於在此實施例中，在一圖框時間週期內，顯示週期 和的百分比爲100，因而可實現高亮度的顯示。 (實施例模式2) 在此實施例模式中，參考圖5說明發光元件未發光時 的顯示時間週期。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ^ 一 521237 A7 ___B7_ 五、發明説明（36) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先，利用第一組驅動電路（Dr__L)將第一位元的數位視 頻訊號輸入至每一像素。由於以相同於實施例1的模式來 輸入數位視頻訊號，因此省略第一及第二組驅動電路的操 作描述。 當第一位元的數位視頻訊號輸入至每一像素時，依據 數位視頻訊號的資訊”0”或”1”，選擇使像素中的發光元件發 光或不發光。因此，當開始寫入時間週期Tal時，像素開 始進行顯示以進入顯示時間週期Tdl。 接著，在完成寫入時間週期Tal前，開始寫入時間週 期Ta2。當開始寫入時間週期Ta2時，完成顯示時間週期 Tdl以開始顯示時間週期Td2。 在寫入時間週期Ta2中，利用第二組驅動電路（Dr_R)將 ”〇”資訊的數位視頻訊號輸入至每一像素。相對於數位視頻· 訊號，未顯示訊號不具有影像資訊，且資訊一直爲”0”。 當不顯示訊號輸入至每一像素時，不顯示訊號的資訊 ”0”使每一像素中的發光元件呈不顯示的狀態。因此，像素 在顯示時間週期Td2內不實施顯示。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印災 在此實施例中，當數位視頻訊號具有”0”資訊時，則將 電流控制TFT202關閉。當數位視頻訊號具有”1”資訊時’則 將電流控制TFT202開啓。然而，本發明不限於此種結構。 變換的，可利用具”0”資訊的數位視頻訊號將電流控制 TFT202開啓，而利用具”Γ資訊的數位視頻訊號將電流控制 TFT202 關閉。 在本說明書中，像素接收到不顯示訊號而呈不發光狀 -39 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 521237 A7 B7 五、發明説明（37) 態的顯示週期稱爲黑色顯示週期。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，在完成寫入時間週期Ta2的前後，開始寫入時 間週期Ta3。在寫入時間週期Ta3中’第一驅動電路組 (Dr_L)將第二位元的數位視頻訊號輸入至像素中。 當第二位元數位視頻訊號輸入至像素時，依據第二位 元數位視頻訊號的資訊”0”或” 1 ”，將每一像素內的發光元件 選擇爲發光狀態或不發光狀態。依此’當開始寫入時間週 期Ta3時，像素實施顯示以完成顯示時間週期Td2並開始顯 示時間週期Td3 〇 接著，在完成寫入時間週期Ta3的前後，開始寫入時 間週期Ta4。在此實施例中，在完成寫入時間週期Ta3前， 開始寫入時間週期Ta4。在寫入時間週期Ta4中，第二驅動 電路組（D^R)將第三位元的數位視頻訊號輸入至每一像素 中〇 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 當第三位元的數位視頻訊號輸入至每一像素時，依據 第三位元數位視頻訊號的資訊或” Γ，將每一像素內的發 光元件選擇爲發光狀態或不發光狀態。依此，當開始寫入 時間週期Ta4時，像素實施顯示以完成顯示時間週期Td3並 開始顯示時間週期Td4。 接著，在完成寫入時間週期Ta4的前後，開始寫入時 間週期Ta5。在此實施例中，在完成寫入時間週期Ta4前， 開始寫入時間週期Ta5。當開始寫入時間週期Ta5時，完成 顯示時間週期Td4並開始顯示時間週期Td5。 在寫入時間週期Ta5中，第一驅動電路組（Dr_L)將一直 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -40- 521237 A7 B7_____ 五、發明説明（38) 具有資訊”0"的數位訊號輸入至每一像素。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當不顯示訊號輸入至每一像素時，不顯示訊號中的資 訊”0”使每一像素中的發光元件呈未顯示的狀態。因此’在 顯示時間週期Td5中，像素並未顯示而成爲黑色顯示時間 週期Td5。 實施上述的操作，直到寫入時間週期Ta(m+n開始。符 號代表黑色顯示週期的號數。 ' 在完成寫入時間週期Ta(m-l+n前，開始寫入時間週期 Ta(m+j’）。·雖然圖5顯示m = n- 2的情形，以簡化描述，但本 發明並不限於此。 在寫入時間週期Ta(m+i’）[Ta(n-2+j’）]中，第一驅動電路 組（Dr_L)將第m位元[第（n-2)位元]的數位視頻訊號輸入至每 一*像素。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當m位元[第（Π-2)位元]的數位視頻訊號輸入至每一像 素後，依據m位元[第（n-2)位元]數位視頻訊號的資訊”〇”或 ” Γ，將每一像素內的發光元件選擇爲發光狀態或不發光狀 態。依此，當開始_寫入時間週期Τ&(ιη+」’）[Τ&(η-2 + Γ)]時，像 素貫施顯不以完成顯不時間週期丁(1(111+」’）[了(1(11-3+〗’)]並開始 顯示時間週期 Td(m+j’）[Td(n-2+j’）]。 延續顯示時間週期TdU+j’HTdUd+j’）]，直到完成寫入 時間週期Ta(m+j’）[Ta(n-2+j’）]，並開始下一個寫入時間週期 Ta(m+l+j’）[Ta(n-l+j，）]。 當寫入時間週期Τα(ιη+Γ)[Τα(η-2+Γ)]開始時，第一驅動 電路組（D r — L)將第m + 1位兀[第（η -1)位兀]的數位視頻訊號輸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ~ -- 521237 A7 ___ B7_ 五、發明説明（39) 入至每一像素。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雖然在此實施例中，第一驅動電路組（Dr_L)於寫入時間 週期TaU+Uj’HTaU-U」’）]內，將數位視頻訊號寫入像素中 ，但本發明並不限於此。當鄰近的寫入時間週期不相互重 疊時，輸入數位視頻訊號的驅動電路組可爲第一驅動電路 組（Dr_L)或第—驅動電路組（Dr_R)。 當第m+1位元[第（n-1)位元]的數位視頻訊號輸入至每 —像素時，依據第m+1位元[第（η-1)位元]數位視頻訊號的 資訊”0”或”1”選擇包含於像素中的發光元件，以使發光狀態 成爲發光或不發光。依此，當開始寫入時間週期 Ta(m+l+r)[Ta(n-l+r)]時，像素實施顯示以完成顯示時間週 期Td(m + j’）[Td(n-2 + j’）]並開始顯示時間週期 Td(m+l+j，）[Td(n-l+j’）]。 延續顯示時間週期Td(m+l+j’）[Td(n-l+j’）]，直到完成寫 入時間週期TaU+l+j’MTaU-U」’）]，並開始下一個寫入時間 週期 Ta(m + 2+j’）[Ta(n+j’）]。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當寫入時間週期Ta(m + 2 + j’）[Ta(n-Uj’）]開始時，開始顯 示時間週期TcUme+J’MTdU-l+j’）]。接著，當在下一圖框週 期內開始寫入時間週期Tal時，便完成顯示時間週期 Td(m + 2+j’）[Td(n-l+j’）]。符號J代表在一圖框顯示週期內， 黑色顯示週期的號數。在此實施例中，由於自寫入時間週 期Ta(m + 2+j’）[Ta(n-Ur)]開始便無黑色顯示時間週期，因此 ♦ I · J =J 0 當完成所有的顯示時間週期T d 1至T d (n + j)時，結束一 -42 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A7 _B7___ 五、發明説明（40) 圖框顯示週期以顯示一影像。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 當完成一圖框週期後，再次將第一位元的數位視頻訊 號輸入至像素，以開始顯示時間週期Tdl。接著，重複上 述的操作。在此實施例中，在下一個顯不週期中，可利用 第一組驅動電路（Dr_L)或第二組驅動電路（Dr_R)將第一位元 的數位視頻訊號輸入至像素。 顯示時間週期Tdl，Td2，…，Td(n+M)及Td(n+j)分 別爲從寫入時間週期Tal，Ta2，…’ Ta(+jn-l)的開始時間 至寫入時間週期Ta2，Ta3，…，Ta(n+j)及Tal之開始時間 的週期。 在此貫施例中’顯不時間週期Tdl至Tdn的長度比依次 爲 2°:2l:s2:…:2(η·2):2(η_"。 結合黑色顯示週期外的顯示週期，可顯示出2η個灰階 。獲得在一圖框時間週期內，於發光時，顯示時間週期的 長度和，以決定像素所顯示的灰階。 由於在此實施例中，黑色顯示週期外之顯示週期和的 百分比爲100，因而可實現高亮度的顯示。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 在此模式中，在不進行顯示時，提供黑色顯示時間週 期，可使發光元件非一直呈發光狀態而抑制有機化合物層 的退化。 在此實施例模式1與模式2中，結合依據本發明的時間 顯示週期來實施灰階顯示。因此，與類比驅動法相較’灰 階顯示的亮度不易受TFT之Id-Vcs特性變異的影響。 在本發明中，顯示時間週期與寫入時間週期相互重疊 -43- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A 7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（41) 。換句話說，即使在寫入時間週期內，仍可允許像素進行 顯示、。依此，一圖框時間週期內的顯示時間週期和不單由 寫入時間週期所決定。 依據本發明的上述驅動方法不僅可應用於發光裝置， 亦可應用至使用其他被動元件的裝置。進一步的，當開發 幾.usee之反應時間週期的高速液晶顯示裝置時，亦可應用 本發明的驅動方法。 (實施例）· 以下，將描述本發明的實施例。 (實施例1) 在此實施例中；參考圖6A，描述在本發明的發光裝置 中，利用6位元數位視頻訊號實施26的灰階顯示。此實施 例的發光裝置具有圖1至3的結構。 首先，在寫入時間週期Ta 1中，利用第一驅動電路組 (Dr_L)將第一位元的數位視頻訊號輸入至每一像素（更詳細 的，每一像素之電流控制TFT202的閘極電極）。由於以類似 上述模式1及2的方式來將數位視頻訊號輸入至像素內，因 此在此省略第一組及第二組驅動電路的詳細描述。 當第一位元的數位視頻訊號輸入至每一像素時，依據 數位視頻訊號的資訊或” 1 ”，選擇使像素中的發光元件發 光或不發光。因此’當開始寫入時間週期Tal時，像素開 始進行顯示以進入顯示時間週期Tdl。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
LP 裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -44 - 521237 A7 B7 五、發明説明（42) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，在完成寫入時間週期Ta 1前’開始寫入時間週 期Ta2。在寫入時間週期Ta2內’利用第二組驅動電路 (Dr_R)將第二位元的數位視頻訊號輸入至每一像素。 當第二位元的數位視頻訊號輸入至每一像素，依據數 位視頻訊號的資訊”〇"或” Γ，選擇使像素中的發光元件發光 或不發光。因此，當開始寫入時間週期Ta2時，像素開始 進行顯示以進入顯示時間週期Td2。 重複上述的操作，直到第η位元的數位視頻訊號輸入 至像素（圖-6)。所有的顯示時間週期Tdl至Td6對應至一圖 框時間週期，因此使影像顯示。 當完成一圖框週期後，再次將第一位元的數位視頻訊 號輸入至像素，以開始顯示時間週期Tdl。接著，重複上 述的操作。 顯示時間週期Tdl，Td2，…，Td5分別爲從寫入時間 週期Tal，Ta2，...，Ta6的開始時間至寫入時間週期Ta2 ，Ta3，...，Ta6及Tal之開始時間的週期。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印t 在此實施例中，顯示時間週期Tdl至Td6的長度比依次 爲2^2^2^2/:2^25。顯示時間週期Tdl至Td6可依逐漸縮短 的長度比來配置，如2°:21:22:23:24:25。 在此實施例中，可結合顯示時間週期Tdl至Td6來實施 期望的26灰階顯示。—— 獲得發光過程中，每一圖框時間週期內的顯示時間週 期和便可決定一圖框週期內的灰階顯示。例如，假設所有 顯示週期的像素發光亮度爲100%，若以顯示時間週期Tdl -45- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） 521237 A7 B7 五、發明説明（43) 及Td2來發光，則亮度爲19%，且若以顯示時間週期Td3， Td5及Td6來發光，則亮度爲56%。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於一圖框內之顯示週期的長度和爲100%，因此可實 施高亮度的顯示。 (實施例2) 在此實施例中，描述在本發明的發光裝置中，利用8 位元數位視頻訊號實施28的灰階顯示。此實施例的發光裝 置具有圖1-至3的結構。 參考圖7，首先，在寫入時間週期Tal中，利用第一驅 動電路組（Dr_L)將第一位元的數位視頻訊號輸入至每一像素 (更詳細的，每一像素之電流控制TFT202的閘極電極）。由 於以類似上述模式1及2的方式來將數位視頻訊號輸入至像 素內，因此在此省略第一組及第二組驅動電路的詳細描述 〇 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 當第一位元的數位視頻訊號輸入至每一像素時，依據 數位視頻訊號的資訊”〇”或” Γ，選擇使像素中的發光元件發 光或不發光。因此，當開始寫入時間週期Tal時，像素開 始進行顯示以進入顯示時間週期Td 1。 接著，在完成寫入時間週期Tal前，開始寫入時間週 期Ta2。在寫入時間週期Ta2內，利用第二組驅動電路 (Dr_R)將第二位元的數位視頻訊號輸入至每一像素。 當第二位元的數位視頻訊號輸入至每一像素，依據數 位視頻訊號的資訊或” 1 ”，選擇使像素中的發光元件發光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ 521237 A7 B7 五、發明説明（44) 或不發光。因此，當開始寫入時間週期Ta2時，像素開始 進行顯示以進入顯示時間週期Td2。 接著，在完成寫入時間週期Ta2後，開始寫入時間週 期Ta3。在寫入時間週期Ta3中，第一驅動電路組（Dr_L)將 第三位元的數位視頻訊號輸入至像素中。當開始寫入時間 週期Ta3時，像素實施顯示以完成顯示時間週期Td2並開始 顯示時間週期Td3。 接著，在完成寫入時間週期Ta3前，開始寫入時間週 期Ta4。在寫入時間週期Ta4中，第二驅動電路組（Dir_R)將 第四位元的數位視頻訊號輸入至每一像素中。 接著，在完成寫入時間週期Ta4後，開姶寫入時間週 期Ta5。在寫入時間週期Ta5中，第一驅動電路組（Dr_L)將 第五位元的數位訊號輸入至每一像素。當開始寫入時間週 期Ta5時，像素實施顯示以完成顯示時間週期Td4並開始顯 示時間週期Td5。 重複上述的操作，直到出現Tdl至TdlO的顯示時間週 期。 _ 接著，再次將第一位元的數位視頻訊號輸入至像素， 以開始顯示時間週期Tdl。以此重複上述的操作。 顯示時間週期Tdl，Td2，…，Td9及TdlO分別爲從寫 入時間週期Tal，Ta2，…，Td9及TdlO的開始時間至寫入 時間週期Ta2，Ta3，...，TalO及Tal之開始時間的週期。 在此實施例中，在寫入時間週期Ta6，Ta8及TalO中 ，將相同位元數的數位視頻訊號輸入至像素。更特定的， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、tT 經濟部智慧財產局8工消费合作社印災 -47- 521237 A7 ____B7 ___ 五、發明説明（45) 在此實施例中，在寫入時間週期Ta6，Ta8及TalO中，將 第六位元的數位視頻訊號輸入至像素。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 進一步的，在此實施例中，顯示時間週期Tdl至Td 10 的長度比爲 Td9: Td7: Td5: Td3: Tdl: Td2: Td4: (Td6 + Td8 + Tdl0)= 2^2^22:2^24:25:2^27。顯示時間的長度比 並不限於此。只要顯示時間週期Tdl至Tdn依逐漸縮短的長 度比來配置，如2^2^...:2^27。 因此，在此實施例中，三個顯示時間週期Td6，Td8及 TdlO如同一個顯示時間週期，以實現28個灰階顯示。 在發光過程中，獲得每一圖框時間週期內的顯示時間 週期和便可決定一圖框週期內的灰階顯示。例如，假設所 有顯示週期的像素發光亮度爲100%，若以顯示時間週期 Tdl及Td2來發光，則亮度爲19%，且若以顯示時間週期 Td3，Td5及Td6，Td8，TdlO來發光，則亮度爲55%。 由於一圖框內之顯示週期的長度和爲100%，因此可實 施局売度的顯不。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (實施例3) 在此實施例中，描述利用1 0個顯示時間週期，以6位 元數位視頻訊號實施2ό的灰階顯示。此實施例的發光裝置 具有圖1至3的結構。 參考圖8，首先，在寫入時間週期Ta 1中，利用第一驅 動電路組（Dr_L)將第一位元的數位視頻訊號輸入至每一像素 (更詳細的，每一像素之電流控制TFT202的閘極電極）。由 f紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（21GX297公釐) ~ "" 521237 A7 B7 五、發明説明（46) 於以類似上述模式1及2的方式來將數位視頻訊號輸入至像 素內，因此在此省略第一組及第一組驅動電路的詳細描述 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇 當第一位元的數位視頻訊號輸入至每一像素時，依據 數位視頻訊號的資訊”0”或” Γ，選擇使像素中的發光元件發 光或不發光。因此，當開始寫入時間週期Tal時，像素開 始進行顯示以進入顯示時間週期Tdl。在此實施例中，當 數位視頻訊號具有”0”資訊時，則將電流控制TFT202關閉。 當數位視頻訊號具有” Γ資訊時，則將電流控制TFT202開啓 。然而，本發明不限於此種結構。變換的，可利用具”〇”資 訊的數位視頻訊號將電流控制TFT202開啓，而利用具”1”資 訊的數位視頻訊號將電流控制TFT202關閉。 當不顯示訊號輸入至每一像素時，每一像素中的發光 元件呈未顯示的狀態。因此，當開始顯示時間週期Td2時 ，像素停止顯示，以終止顯示時間週期Tdl，並開始黑色 顯示時間週期Td2。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著：在完成亭入時間週期Ta2後，開始寫入時間週 期Ta3。在寫入時間週期Ta3中，第一驅動電路組（Dr_L)將 第二位元的數位視頻訊號輸入至像素中。依據第二位元數 位視頻訊號的資訊”0”或”1”，將每一像素內的發光元件選擇 爲發光狀態或不發光狀態。依此，當開始寫入時間週期Ta3 時，像素實施顯示以完成顯示時間週期Td2並開始顯示時 間週期Td3。 實施上述的操作，直到第五位元的數位視頻訊號再寫 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ — 521237 A7 __B7 五、發明説明（47) 入時間週期Ta9內輸入至像素。在完成寫入時間週期Ta9後 ，開始寫入時間週期Ta 10。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在寫入時間週期TalO中，將第六位元的數位視頻訊號 輸入至每一像素。依據第六位之元數位視頻訊號的資訊”0” 或”1”，選擇使像素中的發光元件發光或不發光。因此，當 開始寫入時間週期Ta 10時，像素開始進行顯示，完成顯示 時間週期Td9，並以進入顯示時間週期TdlO。 當完成所有的顯示時間週期T d 1至T d 1 0時，結束一圖 框顯示週期以顯示一影像。 當完成一圖框顯示週期後，再次將第一位元的數位視 頻訊號輸入至像素，以開始顯示時間週期Tdl。以此重複 上述的操作。 顯示時間週期Tdl，Td2，…，Td9及TdlO分別爲從寫 入時間週期Tal，Ta2，…，Td9及TdlO的開始時間至寫入 時間週期Ta2，Ta3，…，TalO及Tal之開始時間的週期。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此實施例中，在顯示時間週期Td2，Td4，Td6及 Td8爲黑色顯示時間週期。因此，六個顯示時間週期Tdl， Td3，Td5，Td7， Td9及TdlO實施26個灰階顯示。 進一步的，在此實施例中，顯示時間週期Tdl，Td3， Td5，Td7， Td9 及 TdlO 的長度比爲 Tdl: Td3: Td5: Td7: Td9: Tdl0= 2°:2ι:22ϋ4:25。顯示時間的長度比並不限於此 ，只要顯示時間週期Tdl至Tdn依逐漸縮短的長度比來配置 ，如 2°:2丨、.:24:2 5。 在發光過程中，獲得每一圖框時間週期內的顯示時間 -50- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A7 B7 五、發明説明（48) 週期和便可決定一圖框週期內的灰階顯示。例如’假設所 有顯示週期的像素發光亮度爲100%，若以顯示時間週期 Tdl及Td5來發光，則亮度爲8%，且若以顯示時間週期Td3 ，Td5及TdlO來發光，則亮度爲60%。 在此實施例中，提供不進行顯示的黑色顯示時間週期 ，如此可避免發光元件持續的發光，而抑制有機化合物層 的退化。 (實施例4)· 在此實施例中，描述利用7個顯示時間週期，以6位元 數位視頻訊號實施26的灰階顯示。此實施例的發光裝置具 有圖1至3的結構。 參考圖9，首先，在寫入時間週期Tal中，利用第一驅 動電路組（Dr_L)將第一位元的數位視頻訊號輸入至每一像素 (更詳細的，每一像素之電流控制TFT202的閘極電極）。由 於以類似上述模式1及2的方式來將數位視頻訊號輸入至像 素內，因此在此省略第一組及第二組驅動電路的詳細描述 〇 當第一位元的數位視頻訊號輸入至每一像素時，依據 數位視頻訊號的資訊”0”或”1”，選擇使像素中的發光元件發 光或不發光。因此，當開始寫入時間週期Ta 1時，像素開 始進行顯示以進入顯示時間週期Tdl。 接著，在完成寫入時間週期Ta 1後，開始寫入時間週 期Ta2。在寫入時間週期Ta2中，第二驅動電路組（Dr_R)將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 經濟部智慧財產局R工消費合作社印製 -51 - 521237 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 ___B7 _ 五、發明説明（49 ) ”〇”資訊的第二位元的數位視頻訊號輸入至像素中（更詳細的 ’每一像素之電流控制TFT202的閘極電極）。 當第二位元的數位視頻訊號輸入至每一像素時，依據 第二位元數位視頻訊號的資訊”0”或” Γ，選擇使像素中的發 光元件發光或不發光。因此，當開始寫入時間週期Ta2時 ’像素開始進行顯示以進入顯示時間週期Td2。 接著，在完成寫入時間週期Ta2後，開始寫入時間週 期Ta3。在寫入時間週期Ta3中，第一驅動電路組（Dr_L)將 第三位元的數位視頻訊號輸入至像素中。依據第三位元數 位視頻訊號的資訊”0”或” Γ，將每一像素內的發光元件選擇 爲發光狀態或不發光狀態。依此，當開始寫入時間週期Ta3 時，像素實施顯示以完成顯示時間週期Td2並開始顯示時 間週期Td3。 接著，在完成寫入時間週期Ta3後，開始寫入時間週 期Ta4。在寫入時間週期Ta4中，第二驅動電路組（Dr_R)將 ”0”資訊的數位視頻訊號輸入至像素中。當不顯示的訊號輸 入至每一像素時。所有像素的發光元件呈不發光的狀態。 因此，當開始顯示時間週期Td4時，像素停止顯示，以終. 止顯示時間週期Td3，並開始黑色顯示時間週期Td4。 接著，在完成寫入時間週期Ta4後，開始寫入時間週 期Ta5。在寫入時間週期Ta5中，第一驅動電路組（D^L)將 第五位元的數位視頻訊號輸入至像素中。依據第五位元數 位視頻訊號的資訊"0"或” Γ，將每一像素內的發光元件選擇 爲發光狀態或不發光狀態。依此，當開始寫入時間週期Ta5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝·
、1T ▼線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -52- 521237 A7 B7 五、發明説明（5〇 ) 時’像素貫施顯不以完成顯不時間週期T d 4並開始顯示時 間週.期Td5。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 接者’在完成寫入時間週期Ta5後，開始寫入時間週 期Ta6。在寫入時間週期Ta6中，第二驅動電路組（d^R)將 第五位元的數位視頻訊號輸入至像素中。依據第五位元數 位視頻訊號的資訊”0”或”1”，將每一像素內的發光元件選擇 爲發光狀態或不發光狀態。依此，當開始寫入時間週期Ta6 時，像素實施顯示以完成顯示時間週期Td5並開始顯示時 間週期Td6。 接著，在完成寫入時間週期Ta6後，開始寫入時間週 期Ta7。在寫入時間週期Ta7中，第一驅動電路組（Dr_L)將 第六位元的數位視頻訊號輸入至像素中。依據第六位元數 .位視頻訊號的資訊”0”或”1”，將每一像素內的發光元件選擇 爲發光狀態或-不發光狀態。依此，當開始寫入時間週期Ta7 時，像素貫施顯不以完成顯不時間週期Td6並開始顯示時 間週期Td7。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，在完成寫入時間週期Ta7後，開始寫入時間週 期Ta8。在寫入時間週期Ta8中，第二驅動電路組（Dr_R)將 資訊的數位視頻訊號輸入至像素中。當不顯示的訊號輸 入至每一像素時，所有像素的發光元件呈不發光的狀態。 因此，當開始顯示時間週期Td8時，像素停止顯示，以終 止顯示時間週期Td7，並開始黑色顯示時間週期Td8。 當完成所有的顯示時間週期Tdl至Td8時，結束一圖框 顯示週期以顯示一影像。 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) :53 521237 A7 B7_ 五、發明説明（51 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 當完成一圖框顯示週期後，再次將第一位元的數位視 頻訊i虎輸入至像素，以開始顯示時間週期Td 1。以此重複 上述的操作。 顯示時間週期Tdl，Td2，…，Td7及Td8分別爲從寫 入時間週期Tal，Ta2，…，Td7及Td8的開始時間至寫入 時間週期Ta2，Ta3，…，Ta8及Tal之開始時間的週期。 在此實施例中，在顯示時間週期Td4及Td8爲黑色顯示 時間週期。因此，六個顯示時間週期Tdl，Td2，Td3，
Td5，Td.6-及Td7實施26個灰階顯示。 進一步的，在此實施例中，顯示時間週期Tdl，Td2， Td3，Td5，Td6 及 Td7 的長度比爲 Tdl: Td2: Td3: Td5:
Td6: Td7= 2°:2l:22:23:24:25。顯示時間的長度比並不限於此 ，只要顯示時間週期Tdl，Td2，Td3，Td5，Td6及Td7 依逐漸縮短的長度比來配置，如2^2^...:2^25。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在發光過程中，獲得每一圖框時間週期內的顯示時間 週期和便可決定一圖框週期內的灰階顯示。例如，假設所 有顯示週期的像素發光亮度爲100%，若以顯示時間週期 Tdl來發光，則亮度爲13%，且若以顯示時間週期Td3及 Td6來發光，則亮度爲56%。 在此實施例中，提供不進行顯示的黑色顯示時間週期 ，如此可避免發光元件持續的發光，而抑制有機化合物層 的退化。 (實施例5) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） - 521237 A7 B7 五、發明説明（52) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此實施例中，描述利用8個顯示時間週期’以6位元 數位/視頻訊號實施26的灰階顯示。此實施例的發光裝置具 有圖1至3的結構。 參考圖10，首先，在寫入時間週期Tal中，利用第一 驅動電路組（D^L)將第一位元的數位視頻訊號輸入至每一像 素（更詳細的，每一像素之電流控制TFT202的閘極電極）。 由於以類似上述模式1及2的方式來將數位視頻訊號輸入至 像素內，因此在此省略第一組及第二組驅動電路的詳細描 述。 - 當第一位元的數位視頻訊號輸入至每一像素時，依據 數位視頻訊號的資訊”0”或” Γ，選擇使像素中的發光元件發 光或不發光。因此，當開姶寫入時間週期Ta 1時，像素開 始進行顯示以進入顯示時間週期Td 1。 接著，在完成寫入時間週期Ta 1後，開始寫入時間週 期T a 2。在寫入時間週期T a 2中，第—驅動電路組（D r _ R)將 第二位元的數位視頻訊號輸入至像素中。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當第二位元的數位視頻訊號輸入至每一像素時，依據 第二位元數位視頻訊號的資訊”0”或” Γ，選擇使像素中的發 光元件發光或不發光。因此，當開始寫入時間週期Ta2時 ，像素開始進行顯示以進入顯示時間週期Td2。 接著，在完成寫入時間週期Ta2後，開始寫入時間週 期Ta3。在寫入時間週期Ta3中，第一驅動電路組（Dr_L)將 第三位元的數位視頻訊號輸入至像素中。依據第三位元數 位視頻訊號的資訊"0”或” Γ，將每一像素內的發光元件選擇 -55- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A7 _B7 五、發明説明（53 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲發光狀態或不發光狀態。依此，當開始寫入時間週期Ta3 時，像素實施顯示以完成顯示時間週期Td2並開始顯示時 間週期Td3。 接著，在完成寫入時間週期Ta3後，開始寫入時間週 期Ta4。在寫入時間週期Ta4中，第二驅動電路組（Dr_R)將 第四位元的數位視頻訊號輸入至像素中。依據第四位元數 位視頻訊號的資訊”0”或” Γ，將每一像素內的發光元件選擇 爲發光狀態或不發光狀態。依此，當開始寫入時間週期Ta4 時，像素實施顯示以完成顯示時間週期Td3並開始顯示時 間週期Td4。 接著，在完成寫入時間週期Ta4後，開始寫入時間週 期Ta5。在寫入時間週期Ta5中，第一驅動電路組（Dr_L)將 第五位元的數位視頻訊號輸入至像素中。依據第五位元數 位視頻訊號的資訊”0”或"Γ，將每一像素內的發光元件選擇 爲發光狀態或不發光狀態。依此，當開始寫入時間週期Ta5 時，像素實施顯示以完成顯示時間週期Td4並開始顯示時 間週期T d 5。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ 接著，在完成寫入時間週期Ta5後，開始寫入時間週 期Ta6。在寫入時間週期Ta6中，第二驅動電路組（Dr_R)將 第六位元的數位視頻訊號輸入至像素中。依據第六位元數 位視頻訊號的資訊”0”或” Γ，將每一像素內的發光元件選擇. 爲發光狀態或不發光狀態。依此，當開始寫入時間週期Ta6 時，像素實施顯示以完成顯示時間週期Td5並開始顯示時 間週期Td6。 -56- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A7 B7 五、發明説明（54 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，在完成寫入時間週期Ta6後，開始寫入時間週 期Ta7。在寫入時間週期Ta7中，第一驅動電路組（Dr_L)將 資訊的數位視頻訊號輸入至像素中。當不顯示的訊號輸 入至每一像素時，所有像素的發光元件呈不發光的狀態。 因此，當開始顯示時間週期Td7時，像素停止顯示，以終 止顯示時間週期Td6，並開始黑色顯示時間週期Td7。 當完成所有的顯示時間週期Tdl至Td8時，結束一圖框 顯示週期以顯示一影像。 當完成一圖框顯示週期後，再次將第一位元的數位視 頻訊號輸入至像素，以開始顯示時間週期Tdl。以此重複 上述的操作。 顯示時間週期Tdl，Td2，…，Td6及Td7分別爲從寫 入時間週期Tal，Ta2，…，Td6及Td7的開始時間至寫入 時間週期Ta2，Ta3，…，Ta7及Tal之開始時間的週期。 在此實施例中，在顯示時間週期Td7爲黑色顯示時間 週期。因此，六個顯示時間週期Tdl至Td6實施26個灰階顯 示。 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此實施例中，顯示時間週期Tdl至Td6的長度比爲 Tdl·· Td2: Td3: Td4:Td5: Td6: =。顯示時間 的長度比並不限於此，只要顯示時間週期Tdl，Td2，Td3 ，Td4，Td5，Td6依逐漸縮短的長度比來配置，如 90·9 1 · ·94.95 〇 心 · L· # · · · ^ ^ 在發光過程中，獲得每一圖框時間週期內的顯示時間 週期和便可決定一圖框週期內的灰階顯示。例如，假設所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） · _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印奴 521237 A7 _B7 _ 五、發明説明（55 ) 有顯示週期的像素發光亮度爲1 〇〇%，若以顯示時間週期 Tdl來發光，則亮度爲13%，且若以顯示時間週期Td3，
Td5及Td6來發光，則亮度爲78%。 在此實施例中，提供不進行顯示的黑色顯示時間週期 ，如此可避免發光元件持續的發光，而抑制有機化合物層 的退化。 (實施例6) 在實施例6中，於圖1所示的發光裝置中，將描述驅動 第一及第二源極訊號線驅動電路l〇2a，102b，以及第一及 第二閘極訊號線驅動電路l〇3a及103b的方法。雖然，在此 實施例中，爲了便於說明起見，僅描述驅動第一組驅動電 .路（Dr_L)的方法，可利用相同的方法來驅動第二組驅動電路 (m)。 在第一源極訊號線驅動電路102a中，將時脈訊號（CLK) 及起始訊號（SP)輸入至平移暫存器105。平移暫存器105依 據這些時脈訊號（CLK)及起始訊號（SP)循序地產生時序訊號 ，以依次將時序訊號供給至隨之的電路。 平移暫存器105的時序訊號可由緩衝器緩衝放大，以 循序地將緩衝放大的時序訊號供給至隨後的電路。由於多 個電路或元件連接至供給時序訊號的導線，因此導線具有 大的負載電容。負載電容會使時脈訊號的上下緣”頓化"。因 此提供緩衝器可避免”頓化”的情形。 來自平移暫存器105的時序訊號輸入至拴鎖（A) 106。控 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ 58 - I-------------1Τ----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 521237 A7 B7 五、發明説明（56 ) 鎖（A) 1 06包括用以處理數位訊號的多階拴鎖。當輸入時序 訊號時，循序地將數位訊號輸入至拴鎖（A)l〇6並加以保持 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇 在實施例6中，將數位訊號循序地輸入拴鎖（A) 106中 的多階拴鎖內。替代的，可實施分割驅動法，其中將拴鎖 (A) 106中的多個拴鎖分割成一些群組，並同時平行地將數 位訊號輸入至這些拴鎖中。群組數目即爲分割的數目。例 如，當拴鎖分割成四階的群組時，此種驅動便稱爲四分割 驅動。 _ 將數位訊號輸入至拴鎖（A) 106之所有拴鎖的週期稱爲 一訊號線時間週期。換句話說，訊號線時間週期代表將數 位訊號輸入拴鎖（A) 106內之最左階拴鎖至最右階拴鎖所需 的時間。實際上，訊號線時間週期可進一步包括水平淸除 週期。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 當完成訊號線時間週期後，拴鎖訊號供給至拴鎖（B)107 。當供給拴鎖訊號時，輸入並保持於拴鎖（A) 106中的拴鎖 訊號傳送至拴鎖（B)107，以輸入至拴鎖（B)107中的所有拴 鎖並保持住。 當拴鎖（A)106將拴鎖訊號傳送至拴鎖（B)107後，再次 依據平移暫存器105的時序訊號，循序地將數位訊號輸入 至拴鎖（A)106。 在第二時間週期中，輸入至拴鎖（B) 107並保持於該處 的拴鎖訊號輸入至第一源極訊號線。 另一方面，在第一閘極訊號線驅動電路l〇3a中，來自 -59- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X29*7公釐） 521237 A7 B7 五、發明説明（57 ) 平移暫存器105的時序訊號輸入至緩衝器，且接著輸入對 應的、聞極訊號線（GL1至GLy)。在一掃瞄線之像素中，第一 開關TFT201a的閘極電極分別連接至閘極訊號線（GL1至 GLy)。因此，由於所有像素的第一開關TFT201a應於一時 間內驅動，因此需使用可允許大電流流過的緩衝器。 在本說明書中，像素部位10 1，第一源極訊號線驅動 電路102a，第二源極訊號線驅動電路102b，第一閘極訊號 線驅動電路103a及第二閘極訊號線驅動電路l〇3b形成於同 一基底上9如此，可減小具本發明發光裝置之電子設備的 尺寸。 實施例6可自由地結合實施例1至5來實施。 (實施例7) 利用圖11至1 3說明本發明的實施例。此處描述在相同 基底上製作像素TFT及週邊驅動電路之TFT的方法。爲了 簡化說明，以CMOS電路作爲驅動電路的基本電路。可利 用相同於第二開關TFT的方法來形成第一開關TFT，因此 在此實施例中，將第一開關TFT及電流控制TFT —個接著 一個以像素TFT來顯示。 首先，如圖11A所示，在玻璃基底400上形成如氧化矽 ，氮化矽，氮氧化矽的絕緣薄膜，玻璃基底400可由矽酸 硼化鋇玻璃或矽酸硼化鋁玻璃所製成，典型的玻璃如 Connng Corp.的#7059玻璃或#1737玻璃。例如，形成疊層 狀的氮氧化矽絕緣薄膜與氫化之氮氧化矽絕緣薄膜，其中 —-------裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .费 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 60- 521237 Μ __Β7 五、發明説明（58 ) 利用電漿CVD由SiHl·，NtL·，Ν2〇製作厚度10至200nm的 絕緣薄膜，並以類似的方式，由SiHU，N2〇製作厚度50至 200nm的絕緣薄膜。在實施例7中使用兩層結構的基底薄膜 401，但亦可使用單層及多層的結構。 利用結晶化半導體薄膜形成島狀的半導體層402至405 ’其中利用雷射結晶法或習知的熱結晶法由非結晶結構的 半導體薄膜形成結晶化的半導體薄膜。半導體層402至405 的厚度可爲25至80nm(較佳的是30至60nm)。結晶化之半 導體薄膜的種類並無限制，但以矽或矽化鎵者爲佳。 可使用脈波放射型或連續放射型雷射，YAG或YV〇4雷 射來製作結晶化的半導體薄膜。當使用這些型式的雷射時 ，可利用光學系統將發射的雷射光束收聚並進行照射。操 作者可適當地選擇結晶化的條件，但使用準分子雷射時， 脈波的發射頻率爲30Hz，且雷射的能量密度爲100至 400mJ/cm2(典型爲200至300 mJ/cm2)。進一步的，當使用 YAG雷射時，使用第二諧頻，脈波的發射頻率爲1至10Hz ，且雷射的能量密_爲300至600mJ/cm2(典型爲350至500 mJ/cm2) 〇接著將收聚成寬度100至ΙΟϋϋμιη的線狀雷射光照 射至整個基底表面。且雷射光束的覆蓋率爲50至90%。 將閘極絕緣薄膜406形成在半導體層402至405上。利 用電漿C V D法，由含砂的絕緣薄膜形成4 0至1 5 0 n m的閘極 絕緣薄膜407。在實施例4中使用厚120nm的氮氧化矽薄膜 。閘極絕緣薄莫不限於氮氧化矽薄膜，當然可使用其他單 層或多層的絕緣薄膜。例如，當使用氮氧化矽薄膜時，可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2〖0X297公釐） _ _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521237 A7 B7 五、發明説明（59 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用電漿CVD，由TEOS及O2的混合物，在40Pa的反應壓 力與、300至400°C的溫度下，以電源密度0.5至0.8 W/cm2的 高頻放電（13.56MHz)所形成。利用隨後400至500°C的熱退 火程序，形成性質良好的閘極絕緣薄膜。 接著，將第一導電薄膜407及第二導電薄膜408形成於 閘極絕緣薄膜407上，以形成閘極。在實施例7中，第一導 電薄膜407由50至100nm的Ta薄膜所形成，且第二導電薄 膜408由厚100至300nm的W薄膜所形成。 利用濺鍍形成Ta薄膜，且以Ar進行Ta靶的濺射。如 果在濺鍍時，將適量的Xe及Kr加入Ar內，可釋放形成Ta 薄膜的內應力，並可避免薄膜的剝離。α相Ta薄膜的電阻 率約爲20μΩ(：ιη，且可使用於閘極中，但β相Ta薄膜的電阻 率約爲180μΩ(：ιη，且不適用於閘極中。如果形成厚度10至 50nm，結晶結構類似α相Ta的氮化鈦薄膜，則可輕易地獲 得α相Ta薄膜。 經濟部智惡財產局員工消費合作社印製 濺鍍W靶來形成W薄膜，其亦可利用WF6以熱CVD法 來形成。每當使用此方法時，需要使其具有低的阻抗，以 使其能用於閘極，且較佳的是使W薄膜的電阻率小於等於 20μΩσιη。可將W薄膜的結晶放大來降低電阻率，但當W內 含有許多雜質元素，如氧時，必須禁止其結晶化，而薄膜 成爲高電阻性的。在濺鍍的過程中，使用純度99.9999%的 W靶。此外，使雜質不進入W薄膜內，可達到9至20μΩ(：ιη 的電阻率。 雖然在實施例7中第一導電薄膜407爲鈦薄膜，且第二 -62- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 521237 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（6〇 ) 導電薄膜409爲W薄膜，導電薄膜並不限於此等薄膜，而 可選、自Ta，W，Ti，Mo，A1及Cu，或是含有這些元素 的合金，而或其化合物。進一步的，可使用摻雜憐的多晶 矽薄膜作爲半導體薄膜。實施例7外的較佳結合例包括：利 用TaN形成第一導電薄膜，並將其與W薄膜的第二導電薄 膜結合；形成TaN的第一導電薄膜，並將其與A1薄膜的第 二導電薄膜結合；以及形成TaN的第一導電薄膜，並將其 與Cu薄膜的第二導電薄膜結合。 接著1利用光阻形成光罩409至4 1 2，並進行第一蝕刻 製程以形成電極與導線。在實施例7中使用ICP蝕刻法。使 用CF4與Cl2的氣體混合物作爲蝕刻氣體，並在IPa下，施 加500WRF電源（13.56MHz)至線圈形的電極，以產生電漿。 並將100WRF電源（13.56MHz)施加至基底側，以有效的施加 負偏壓。在CF4與Cl2的氣體混合物中，蝕刻W薄膜與Ta薄 膜至幾乎相同的程度/ 利用適當的光罩，依據施加至基底側的偏壓效果，使 第一導電層與第二P電層的蝕刻部位成爲尖斜的形狀。尖 斜的角度爲15至45°。可增加蝕刻時間10至20%，以進行 蝕刻而不殘留任何的閘極絕緣薄膜。氮氧化矽相對於W薄 膜的選擇率爲2至4，因此利用過蝕刻製程，蝕刻20至 5 0nm之氮氧化矽的暴露表面。如圖11所示，利用20至 5 0nm的蝕科使閘極絕緣薄膜406及第一形狀導電層414至 4 1 7所覆蓋的部位更薄。 第一形狀導電層414至417 (第一導電層41 4a至417a及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .63Ί ------------Ί—IT. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 521237 A7 B7 五、發明説明（61 ) 第一導電層41 4b至417b)依據第一蝕刻製程，由第一導電層 及第二導電層所形成。 接著，如圖11所示，實施第二蝕刻製程。利用光阻形 成光罩409至412，使用ICP蝕刻法，其中以CF4與Ch及〇2 氣體混合物作爲蝕刻氣體，並在IPa下’施加500WRF功率 (13.56MHz)至線圈形的電極，以產生電漿。將50WRF的功 率（13.56MHz)施加至基底側，並施加低於第一蝕刻製程的自 偏壓。在這些飩刻條件下，異向性地飩刻W薄膜’並在低 的蝕刻速度下蝕刻Ta，以形成第二形狀導電層419至422 。利用20至5 0nm的鈾刻使未由導電層419至422覆蓋的區 域變薄。 . 可由產生的基及反應物的離子型式及真空壓來推估W 薄膜或Ta薄 膜的蝕刻反應。比較W及Ta氟化物及氯化物的真空壓，可 推估具有相當高比例的WF6，且WCh，TaF5& TaCl5亦達到 類似的程度。然而，如果將適當的〇 2量加入混合氣體中， CF4與〇2反應，而Ρ成CO及F，並產生大量的F基或F離 子。結果，具高氟化物蒸氣壓之W薄膜的蝕刻速度增加。 另一方面，即使F增加，Ta的蝕刻速度部會相對地增加。 進一步的，相較於W，Ta易於氧化，因此Ta的表面由加 入的〇2所氧化。由於Ta的氧化物不會與氟與氯反應，因此 會進一步的增加Ta的蝕刻速度。因而’ W與Ta具有不同 的蝕刻速度，而能使W的蝕刻速度大於Ta者。 接著，移除光罩409 a至412a，並實施第二摻雜程序’ --------ip.裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、訂 费 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） -64 _ 521237 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（62 ) 如圖i 2 A所示。使摻雜量小於第一摻雜製程的摻雜量，且 在高加速電壓70至120KeV的條件下，摻雜η型導電性的雜 質元素。第二導電層419至422作爲雜質元素的光罩，並進 行摻雜以將雜質元素加入第二導電層419a至422a下方的區 域。依此方式，形成重疊第二導電層419a至422 a的第=雜 質區42 5至428。雖然，在移除光罩409&至412&後，摻雜 加入η型導電性的雜質元素，本發明不限於此。在圖1 2 A的 製程中，可在摻雜η型導電性的雜質後，移除光罩409a至 4 1 2a 0 - 接著，在·半導體層404上形成光罩433以覆蓋第二導電 層421a及421b。部分的光罩433與第二雜質區431重疊， 並夾疊閘極絕緣薄膜406。接著，實施第二摻雜製程，並 加入η型導電性的雜質元素。第二摻雜製程的劑量高於第 一摻雜製程的劑量。可實施離子摻雜或離子植入摻雜。在 ΙχΙΟ13至5xl014atoms/cm3的劑量及60至lOOKeV的加速電壓 下，實施離子摻雜。使用週期表15族的元素，典型的是磷 或砷來作爲η型導寧性的雜質元素。在此例中，使用磷。 第二導電層419及422成爲η型導電性雜質區的光罩，並以 自我對齊的方式形成源極區434至437，汲極區438至411 及Lov區442至445。進一步的，Loff區446依據光罩433 而形成。將η型導電性的雜質元素以lx 102()至 lx 1021atoms/cm3的濃度加入源極區434至437及汲極區438 至 441。 在本發明中可藉由控制光罩433的尺寸來自由地設定 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210·〆297公釐） -65- ---------^ MlIT. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 21237
FT A7 __B7 _ 五、發明説明（63 )
Loff區446的長度。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明中可藉由控制光罩43 3的尺寸來自由地設定 Loff區446的長度。 在此說明書中，在閘極絕緣薄膜間與閘極電極重疊的 LDD區稱爲Lov區。 未與閘極電極重疊的LDD區稱爲Loff區。 加入η型導電性的雜質元素，使得L〇ff區的濃度成爲 ΙχΙΟ17 至 lxlOl9atoms/cm3，且 Lov 區的濃度成爲 ΙχΙΟ16 至 1 X 1018atom-s/cm3 〇 經濟部智逄財是馬員x^爺合作杜 在圖12B中，可利用70至120KeV的加速電壓摻雜η型 導電性的雜質元素，其中在摻雜η型導電性雜質元素的前 後，在半導體層404上形成光罩433。在部位446中抑制Ν 型導電性之雜質元素的濃度，此部位在上述的製程中成爲 開關TFT的Loff區，並增加加入部位433之Ν型導電性雜 質元素的濃度，此部位成爲驅動電路之η通道TFT的Lov區 。進一步的，當增加部位43 3中η型導電性雜質元素的濃度 時，可避免熱載體赛應而引起的退化現象，此熱載體是由 鄰近高電場所產生。最好使區域43 3中的η型雜質區濃度成 爲 5χ1017 至 5xl019atoms/cm3。 在移除光罩453後，如圖12C所示，在半導體層402及 405上形成源極區447及448，汲極區449及450及Lov區 45 1及452，以製作p通道型TFT。使用第二導電層419至 422作爲雜質元素的光罩，並以自我對齊的方式形成雜質區 。在形成η通道TFT的半導體層402及403的整個表面上覆 -66- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 521237 A7 B7 五、發明説明（64 ) 蓋光罩453。將不同濃度的磷加入源極區447及448，汲極 區449及45 0及Lov區45 1及452，並利用B2H6實施離子摻 雜，使得區域中的雜質濃度成爲2xl02()at〇ms/cm3至 2χ 1 02latoms/cm3 〇 利用上述的製程，在各半導體層402至405內形成雜質 區。與半導體層重疊的第二導電層419至422作爲閘極電極 〇 接著，對加入各半導體層的雜質元素進行活化處理， 以控制導電型式。使用退火爐進行此一程序。此外，亦可 實施雷射退火或快速熱退火。以lppm以下（較佳的在 0.1 ppm以下）的氧氣濃度，在氮氣環境中，於400至70(rC 下進行熱退火。在實施例7中，於500°C下實施4小時的熱 . 處理。然而，當導線4 1 9至422的材料具有較弱的抗熱性時 ，較佳的是在形成內層絕緣薄膜候，進行活化處理，以保 護導線。 此外，在3至100%的氫環境中，以300至450°C進行1 至1 2小時的熱處理，以進行半導體層的氫化程序。此製程 是在島型半導體層中，利用氫加入懸吊鍵結端。亦可使用 電漿氫化程序作爲另一種氫化製程。 接著，形成厚度1〇〇至200nm的氮氧化砂第一內層絕緣 薄膜455。隨後，在第一內層絕緣薄膜455上，形成有機絕 緣材料的第二內層絕緣薄膜45 8。 接著，在閘極絕緣薄膜406 ’第一內層絕緣薄膜455， 第二內層絕緣薄膜458，及源極導線459至462內形成接觸 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0 X 297公釐） _ 67 _ --------0—^----Ί--、玎----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 521237 Α7 Β7 五、發明説明（65) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 孔，以透過接觸孔與源極區447，435，436及448接觸。 進一步的，以類似的方式形成汲極導線463至465以便與汲 極區449，439，440及450接觸。 當閘極絕緣薄膜406，第一內層絕緣薄膜455，及第二 內層絕緣薄膜458爲Si〇2薄膜或SiON薄膜時，利用CF4及 〇2的乾式蝕刻來形成接觸孔。進一步的，當閘極絕緣薄膜 406，第一內層絕緣薄膜455，及第二內層絕緣薄膜45 8爲 有機數脂時，最好以CHF3或BHF的乾式蝕刻形成接觸孔。 此外，如果當閘極絕緣薄膜406，第一內層絕緣薄膜45 5， 及第二內層絕緣薄膜458由不同的材料所形成，最好在每 一薄膜更換蝕刻方法及蝕刻劑。亦可利用相同的蝕刻方法 及蝕刻劑來形成接觸孔。 經濟部智慧財產局員工消費合作拉印製 接著以有機樹脂形成第三內層絕緣薄膜467。可使用 聚硫亞氨，聚氨基化合物，丙烯酸及BCB作爲第三內層絕 緣薄膜467。由於丙稀酸具有極佳的平坦化效果，因此最 好使用丙稀酸作爲第三內層絕緣薄膜4 6 7。實施例7中的丙 稀酸需足以將TFT形成的階梯部位平坦化，此時薄膜厚度 最好爲1至5μιη(較佳的是介於2至4μιη)。 接著，在第三內層絕緣薄膜467及像素電極468內形成 到達汲極導線4 6 5的接觸孔。在實施例7中行成厚度1 1 0 n m 的氧化銦（ITO)，並接著圖樣化而形成像素電極468。進一 步的，可使用透明導電薄膜，其中在氧化銦中混合有2及 20 %之氧化鋅。像素電極成爲發光元件的陽極468。 接著，形成樹脂製的第一隔體469與第二隔體470。第 -68- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 521237 Μ ____Β7__ 五、發明説明（66 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一隔體469及第二隔體470用以分離有機化合物層與鄰近像 素的陰極。因此，最好使第二隔體470在水平方向上更突 出於第一隔體469。最好使第一隔體與第二隔體的結合厚 度成爲1至2μιη，但若有機化合物層與鄰近像素的陰極相 互分離，則此厚度並無限制。進一步的，需以絕緣薄膜形 成第一隔體469與第二隔體470，絕緣薄膜可爲氧化物或樹 脂。第一隔體469與第二隔體470可由相同的材料所形成， 並且形成於像素間的帶狀中。第一隔體469與第二隔體470 可沿著源極導線而形成或形成於源極導線上，亦可沿著閘 極導線而形成或形成於閘極導線上。此外，亦可在樹脂中 混入顏料來形成第一隔體469與第二隔體470(圖14)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接著，在不暴露至外界的情況下，連續地形成有機化 合物層471及陰極472。有機化合物層471的膜厚爲80至 200nm(典型的是100及120nm)，且陰極的膜厚爲180至 3 00nm(典型的是200至250nm)。雖然實施例中僅顯示一個 像素，實際上，在相同的時點上形成紅光有機化合物層’ 綠光有機化合物層，藍光有機化合物層。進一步的，形成 有機化合物層與陰極的部分材料，層疊於隔體470上’雖 然在本說明書中，這些材料並不包含有機化合物層471與 陰極472。 有機化合物層471與陰極472對應紅色像素，綠色像素 及藍色像素而形成。然而，有機化合物層47 1無法對溶劑 的阻抗性較弱，因此必須利用微影技術，分別地形成各種 顏色。最好使用金屬光罩來覆蓋期望外的像素’並選擇地 -69- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 521237 B7 声發明説明（67 ) 在所需的位置上形成有機化合物層47 1。 亦即，設定第一光罩以覆蓋紅色外的像素，並利用光 罩選擇地形成紅光有機化合物層。接著，設定光罩以覆蓋 綠色外的像素，並利用光罩選擇地形成綠光有機化合物層 。最後，設定光罩以覆蓋藍色外的像素，並利用光罩選擇 地形成藍光有機化合物層。雖然此處使用不同的光罩，但 可重複使用相同的光罩。進一步的，最好在真空下，進行 此程序直到形成所有的有機化合物層。 實施例7顯示僅有發光層的單層結構，以作爲有機化 合物層47 1，但除了ϋ層外，亦可使用具有電洞傳輸層 ，電洞注射層，電子傳輸層，電子注射層的結構作爲有機 化合物層。可使用習知的材料作爲有機化合物層47 1。考 量發光層的驅動電壓，最好使用習知的有機化合物材料。 接著，形成陰極472。實施例7顯示使用MgAg作爲陰 極的例子，但其亦可用於其他的材料。 因此，便完成具圖14B結構的主動陣列型基底。在形 成第一隔體469與第二隔體471後，可利用多室法薄膜成形 裝置，連續地在未暴露於外界的情況下進行，直到形成陰 極 472。 在實施例7中，在開關TFT501的半導體層內含有源極 區504，汲極區505，Loff區506，Lov區507，及通道形 成區501。形成Loff區506使其不會透過閘極絕緣薄膜406 而與閘極電極421重疊。進一步的，形成Lov區507以便透 過閘極絕緣薄膜406而與閘極電極42 1重疊。此種結構可有 -70 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 經濟部智慧財產局員工消貪合作社印製 A7 B7 五、發明説明（68 ) 效地減少〇 f f電流。 進一步的，在實施例7的開關TFT501中使用單閘極結 構，但本發明亦可使用雙閘極結構或其他的多閘極結構作 爲開關TFT。可利用雙閘極結構，將兩個TFT有效地串連 ，而獲得降低off電流値的效果。 進一步的，在實施例7中開關TFT501爲η通道TFT， 但亦可爲P通道TFT。 電流控制TFT502的半導體層含有源極區510，汲極區 511，Lov-區512，及通道形成區513。形成Lov區512以透 過閘極絕緣薄膜406而與閘極電極422重疊。在實施例7中 ，電流控制TFT502不具Loff區，但可使用具Loff區的結構 〇 進一步的，在實施例中，電流控制TFT502爲p通道 TFT，但亦可爲η通道TFT。 由於顯示部位及驅動部位之TFT具有最佳化的結構’ 因而實施例7的主動陣列型基底具有極佳的可靠度’並可 增加操作特性。_ 首先，使用具減低熱載體注射結構的TFT作爲CMOS.電 路的η通道TFT5 03，減低熱載體注射可增加操作速度。在 此處的驅動電路中，包含了平移暫存器，緩衝器，位準平 移器及取樣電路。當實施數位驅動時，亦可使用如D/Α轉 換器的單轉換電路。 在實施例1中，CMOS電路之η通道TFT503的半導體 結構含有源極區521，汲極區522，Lov區523，及通道形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 71 - —-------^^批衣----^1T (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 521237 Μ Β7 五、發明説明（69 ) 成區524。 進一步的’ CMOS電路之ρ通道TFT504的半導體層含 有源極區531，汲極區5 3 2，Lov區5 3 3，及通道形成區 534 ° 實際上，最好在完成圖14B的結構後，使用具高氣密 性的保護膜或透明密封材料來實施封裝，以與外界隔離。 進一步的，如果在密封材料內置入惰性氣體，並在密封材 料內配置乾燥劑，則可增加發光元件的可靠度。 進一步的，接上連接器以連接形成於基底上的元件， 且在在增加氣密性後，將端子從電路延伸至外部訊號端子 。因此，便完成製造程序。在本說明書中，此時製作出的 物品便稱爲發光顯示裝置。 閘極通道之長軸方向的長度不同於本發明的前述狀態 。因此，當以閘極電極作爲遮罩來實施離子植入時，最好 藉由不同的穿透深度/使第一閘極電極下的半導體層濃度 低於非第一閘極電極下之半導體層的濃度。 進一步的，爲了利用遮罩形成Loff區，可簡單的控制 Loff區及Lov區的位置。 雖然在實施例7中，有機化合物層所發的光線照向基 底，但本發明並不限於此，亦可有機化合物層所發的光線 照向另一方向。此時，發光元件的陰極變成像素電極，且 電流控制TFT最好爲η通道型TFT。 上述發光裝置的成型方法並不限於實施例7所述的方 法，亦可使用其他所有的方法。 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 「72 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521237 A7 _B7 五、發明説明（7〇 ) 實施例7可自由地結合實施例1至6來實施。 (實施例8) 圖1 5 A顯示利用本發明之發光裝置的上視圖。在圖1 5 A 中，參考標號4010爲基底，參考標號4011爲像素部位，參 考標號4012a及4012b爲第一及第二源極訊號測驅動電路， 且参考標號4013a及b爲闊極訊號測驅動電路。驅動電路經 由導線 4016a，4016b ’ 4014 a，4014b 及 4015，透過驅動 電路連接至外部設備。 此時，使覆蓋構件6000，密封構件7000，及氣密構件 7 00 1至少圍繞像素部位4011，更佳的是圍繞驅動電路 (4012a，4012b，4013a 及 4013b)及像素部位 4011。 進一步的，如圖15B所示，驅動電路TFT(此處爲結合η 通道TFT與ρ通道TFT的CMOS電路）4022a及4022b與像素 部位（此處，僅顯示控制發光元件之電流的TFT)4023形成在 基底4010的底膜4021上。可利用習知的結構形成TFT。 當完成驅動電路4022a及4022b與電流控制TFT4023後 ，在樹脂材料製成的內層絕緣薄膜4026上，形成連接至電 流控制TFT4023，且由透明導電薄膜所製成的像素電極 4027。可使用氧化銦與氧化錫的化合物或氧化銦與氧化鋅 的化合物作爲透明導電薄膜。在形成像素部位4027後，形 成絕緣薄膜4028，並在像素部位4027上形成開口部位。 接著，形成有機化合物層4029。可自由地結合已知的 有機化合物材料來形成疊狀或單層的發光層（電洞注入層， --------批衣----Ί.IT (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 -73- 521237 A7 B7 五、發明説明（71 ) 電洞傳輸層，發光層，電子傳輸層，電子注入層）。可利用 已知的技術來決定其結構。有機化合物層包括低分子材料 及高分子材料。當使用低分子材料時，使用蒸著法。當使 用高分子材料時，可使用旋轉被覆法，印刷法或噴射法。 在此實施例中，利用陰影遮罩以蒸著法形成有機化合 物層4029。可藉由形成發光層（紅，綠及藍色的發光層）來 達到彩色顯示的目的，此發光層能使像素發出不同波長的 光。此外，可使用結合電荷耦合層與濾色層的方法，或結 合白光層與濾色層的方法，而或兩者中的任一方法。當然 ，可使用單色的有機化合物顯示裝置。 在形成有機化合物層4029後，在其上形成陰極4030。 最好是盡可能的移除有機化合物層4029與陰極4030介面中 .所存在的溼氣與氧氣。因此，需要在真空中連續地形成有 機化合物層4029與陰極4030，或在頓氣環境中形成有機化 合物層4029，並接著形成陰極4030。在此實施例中，使用 多室系統的薄膜形成裝置，能而形成前述的薄膜。 附帶一提的，在此實施例中，使用LiF的疊層結構作爲 陰極4030。更特定的，利用蒸著法在有機化合物層4029上 形成厚度lnm的LiF薄膜，並在其上形成300nm的薄膜。當 然，可使用MgAg作爲陰極材料。陰極4030連接至區域 403 1中的導線4016。導線4016提供預定的電壓至陰極4030 ，並經由導電膏4023連接至FPC4017。 爲了將陰極4030連接至區域4031中的導線4016，需 要在內層絕緣薄膜4026與絕緣薄膜4028間形成接觸孔。可
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -74 - 521237 A7 _B7__ 五、發明説明（72 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在蝕刻內層絕緣薄膜4026與絕緣薄膜4028時形成。當蝕刻 絕緣薄膜4028時，可一起蝕刻內層絕緣薄膜4026。此時’ 如果以相同的樹脂材料形成內層絕緣薄膜4026與絕緣薄膜 4028，則可使接觸孔具有優良的形狀。 形成惰性薄膜6006，塡充物6004及覆蓋構件6000以 覆蓋發光元件的表面。 進一步的，在覆蓋構件6000及基底40 10的內側提供密 封構件7000，以圍繞發光元件的部位’且進一步的，在密 封構件7000的外側形成氣密構件7001。 此時，塡充物6004作爲接合覆蓋構件6000的黏著劑。 可使用PVC，環氧樹脂，矽化樹脂，PVB或EVA作爲塡充 物6004。較佳的是在塡充物的內部提供乾化劑，以提供吸 濕的效果。 可使塡充物6004包括隔體。此時，可使用BaO製的隔 體，且可使隔體具有吸濕的性質。 當提供有隔體時，惰性薄膜6003可釋放隔體的壓力。 除了惰性薄膜外，可提供能釋出隔體壓的樹脂薄膜。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 可使用玻璃板，銘板，不鏽鋼板，FRP，PVF薄膜， Mylar薄膜，聚脂樹脂薄膜，或丙烯酸薄膜作爲覆蓋構件 6000。當使用PVB，EVA作爲塡充物6004時，最好使用薄 片結構，其中在PVF薄膜與Mylar間提供幾十nm的鋁箔。 然而，依據發光元件的照射方向，需要透光性的覆蓋 構件6000。 導線4015經由氣密構件700 1與基底4010的間隙電子 -75- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐〉 521237 A7 _B7______ 五、發明説明（73 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 地連接至FPC40 17。附帶一提的，雖然描述利用導線4〇15 的情形，亦可在密封構件7000與器密夠件700 1下將其他的 導線 4014a，4014b，4016，及 4016b 連接至 FPC4017。 在此實施例中，於形成塡充物6004後，接合覆蓋構件 6000，並附上密封構件7000，以覆蓋塡充物6004的外表面 ，但在接附覆蓋構件6000與密封構件7000後，亦可形成塡 充物6004 6此時，透過基底4010，覆蓋構件6000，與框 架構件600 1形成的間隙而形成塡充物注入開口。將間隙保 持在真空的狀態，當注入開口浸入含有塡充物的保持槽後 ，使間隙外的氣壓大於間隙內的氣壓，並使塡充物塡滿間 隙。 - 實施例8可自由亦結合實施例1至6的結構。 (實施例9) 在此實施例中，參考圖16A及16B將說明利用本發明 所製作之發光裝置的另一例。 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 圖16A爲利用宇發明之發光裝置的上視圖。圖16B爲 沿圖1 6 A中A ’ - A ’線之發光裝置的剖面圖。 依據實施例8，實施各步驟，直到形成覆蓋發光元件 表面的惰性薄膜6003。 塡充物6004作爲接合覆蓋構件6000的黏著劑。可使用 PVC，環氧樹脂，矽化樹脂，PVB或EVA作爲塡充物6004 。較佳的是在塡充物的內部提供乾化劑，以提供吸濕的效 果。 -76- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A 7 B7 五、發明説明（74 ) 可使塡充物6004包括間隔體。此時，可使用BaO製的 間隔犛，且可使間隔體具有吸濕的性質。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 當提供有間隔體時，惰性薄膜6003可釋放間隔體的壓 力。除了惰性薄膜外，可提供能釋出間隔體壓的樹脂薄膜 〇 一 可使用玻璃板，鋁板，不鏽鋼板，FRP，PVF薄膜， Mylar薄膜，聚脂樹脂薄膜，或丙烯酸薄膜作爲覆蓋構件 6000。當使用PVB，EVA作爲塡充物6004時，最好使用薄 片結構，其中在PVF薄膜與Mylar間提供幾十nm的鋁箔。 然而，依據發光元件的照射方向，需要透明的發光元 件。 接著，利用塡充物6004接合覆蓋構件後，接附框架構 件6001以覆蓋塡充物6004的側部。利用密封構件6002來 接合框架構件6001。此時，雖然最好以光固化型樹脂做爲 密封構件6002，但若Λ光層的有足夠的抗熱性，亦可使用 熱塑性樹脂。附帶一提的，密封構件6002可防止溼氣及氧 氣。可在密封構件6002的內部加入乾燥劑。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 導線4015經由密封構件6002與基底4010的間隙電子 地連接至FPC40 17。附帶一提的，雖然描述利用導線4015 的情形，亦可在密封構件6002下將其他的導線4014a， 4014b 及 4016a 連接至 FPC4017。 在此實施例中，於形成塡充物6004後，接合覆蓋構件 6000，並附上框架構件600 1，以覆蓋塡充物6004的外側， 但亦可在接附覆蓋構件6000與框架構件6001後，形成塡充 -77- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A7 _B7 _ 五、發明説明（75 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 物6004。此時，透過基底4010，覆蓋構件6000 ’與框架 構件、600 1形成的間隙而形成塡充物注入開口。將間隙保持 在真空（壓力爲l(T2Torr)的狀態，當注入開口浸入含有塡充 物的保持槽後，使間隙外的氣壓大於間隙內的氣壓，並使 塡充物塡滿間隙。 實施例9可自由亦結合實施例1至6的結構。 (實施例10) 此處〃圖17顯示發光顯示裝置之像素部位的詳細結構 〇 在圖17中，利用習知方法所形成的η通道TFT來作爲 基底350 1上的第一開關TFT35 02。在實施例10中，使用雙 閘極結構的像素部位。然而，由於雙閘極結構會得到串接 雙TFT的結構，因此優點在於可降低off電流値。附帶一提 的，雖然在本實施例中使用雙閘極結構，亦可採用三閘極 或多閘極結構。進一步的，可使用習知方式的P通道TFT 來形成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印^ 利用習知的η通道TFT來形成電流控制TFT3503。 參考標號31爲第二開關TFT3504的源極導線，參考標 號35爲第一開關TFT3502的汲極導線，且經由導線36與電 流控制TFT的閘極37連接。 可替代的使用以習知方法所形成的P通道TFT來形成 第一開關TFT3503，第二開關TFT3504，電流控制TFT3503 。最好使用具有相同極性的TFT作爲第一開關TFT3 502及 •78· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A7 B7 五、發明説明（76 ) 第二開關TFT3504。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用以習知方法所形成的η通道TFT作爲電流控制 TFT3 5 03。電流控制TFT3503的閘極電極37經由導線36連 接至第一開關TFT3502的汲極導線35及第二開關TFT3504 的汲極導線Μ 〇 此時，由於電流控制TFT3503用以控制流經發光元件 的電流，因此會流過大量的電流。極容易因熱載體的影響 而退化。 因此，-最好透過電流控制TFT3503之汲極區側的閘極 絕緣薄膜，使LDD區與閘極電極重疊。但本發明並不限於 此結構，亦可不提供LDD區。此時，最好使發光元件的驅 動電壓小於10V，一般爲小於等於5V。 在此實施例中，雖然顯示單閘極結構的電流控制 TFT3503，亦可使用串接多TFT的多閘極結構。進一步的， 由於可使用並聯多個TFT的結構.，以將通道形成區分割成 多個部分，因此可有效地達成熱輻射。利用此結構，可有 效地抑制熱退化。_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 源極導線40連接至供應固定電位的電源線38。 在第一開關TFT3502，第二開關TFT3504與電流控制 TFT3503上形成被動薄膜41，並在其上形成樹脂絕緣薄膜 製的平坦薄膜42。利用平坦薄膜42使TFT平坦化的步驟相 當的重要。由於有機化合物層相當薄，因此階梯處會造成 發光上的缺陷。據此，爲了在平坦基底上形成有機化合物 層，較佳的是在形成像素電極前，實施平坦化的程序。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 79 _ 521237 A7 _____B7__ 五、發明説明（77) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參考標號43表示由高反射率之導電薄膜所構成的像素 電極、。並電子的連接至電流控制TFT3503的汲極。像素電 極43最好爲低阻抗的導電薄膜，如鋁合金薄膜，銅合金薄 膜或銀合金薄膜，或這些薄膜的層狀薄膜。當然，可使用 與另一導電薄膜形成的層狀結構。 在絕緣隔條44a與44b所形成的溝槽間形成發光層45 。雖然圖1 7僅顯示單一像素.，可形成對應至R，G，· B的 多個發光層。使用7Γ螯合聚合材料作爲發光層的有機化合 物材料。聚合物材料的典型例包括PPV，PVK及聚莽。 .有各種型式的PPV有機材料，如”h. Shenk，H. Becker, 〇 Gelsen, Ε· Kluge，W· Kreuder，及 Η· Spreitzr，“發光二極體 的聚合物”，Euro Display，Proceedings, 1999，ρ·33-37 或日本 專利公開第Hei 10-92576號所揭露的技術。 可使用cyanopolyphenylenevinylene作爲紅光有機發光 材料’使用polyphenylenevinylene作爲綠光有機發光材料， 使用 polyphenylenevinylene 或 p〇lyalklphenylene 作爲藍光有 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 機發光材料。最好1吏厚度爲30至50nm(較佳的是40至 1 OOnm)。 然而，上述僅爲發光層的材料例，且本發明並不限於 适些材料。可自由地結合發光層，電荷傳輸層及電荷注入 層來形成有機化合物層。 例如，雖然實施例顯示利用聚合材料作爲發光層，亦 可ί史用低分子的有機化合物材料。可使用電荷傳輸層或電 荷注入層的碳化矽無機材料。亦可使用習知的有機及無機 -80- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210Χ 297公董〉 521237 A7 _B7___ 五、發明説明（78 ) 化合物材料。 此實施例採用層狀構造的有機化合物層，其中在發光 層45上提供PEDOT或PArn的電洞注入層46。在電洞注入 層46上提供透明導電薄膜的陽極47。在此實施例中，由於 發光層45所產生的光照射至上表面側，因此陽極必須爲透 明的。可使用氧化銦與氧化錫，或氧化銦及氧化鋅的化合 物。然而，由於在形成具低抗熱性之發光層與電洞注入層 後才形成薄膜，因此，最好在較低的溫度下形成薄膜。 當形成陽極47時，便完成發光元件3 5 05。附帶一提的 ，此處的發光元件3505包括像素電極43，發光層45，電 洞注入層46與陽極47。由於像素電極43幾乎與像素的區 域重合，因此整個像素皆可作爲發光層。因此發光效率相 當高，並可達到極亮的顯示。 在此實施例中，進一步在陽極47上提供被動薄膜48 。可使用氮化矽薄膜或氮氧化矽薄膜作爲被動薄膜。其目 的在於使發光元件與外界隔離，並防止有機發光元件的氧 化，及抑制發光元f牛所放出的毒氣。藉此，可提高發光顯 示裝置的可靠度。 如上所述，發光顯示裝置包括圖1 7的像素部位，並包 括具低off電流値的第一及第二開關TFT，以及可抗熱載體 的電流控制TFT。因此可獲得耐用性佳，並可產生優質影 像的發光裝置。 實施例1 0可自由亦結合實施例1至6的結構。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） · _ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521237 A7 B7 五、發明説明（79 ) (實施例11) 在此實施例中，將描述一種發光元件4505，其將實施 例10的像素部位反向。圖1 8提供說明之用。附帶一提的， 與圖1 7的差異點僅在於發光元件及電流控制TFT的部位， 因而省略其他的說明。 在圖1 8中，利用習知的P通道TFT形成電流控制 TFT3503 〇 . 在此實施例中，使用透明導電薄膜作爲像素電極50(陽 極）。透明導電薄膜可由氧化銦與氧化錫，或氧化銦及氧化 鋅的化合物所形成。 在形成絕緣薄膜製的隔條51a及5 lb後，藉由施加溶液 來形成聚乙烯9-氮雜莽製的發光層52，且在其上形成鋁合 金製的陰極。在此情形下，陰極54亦作爲被動薄膜。依此 方式便形成發光元件370 1。 在此實施例中，發光層52所產生的光線照射至形成有 TFT的基底。 實施例1 1可自_由亦結合實施例1至6的結構。 (實施例12)
在此實施例中，將參考圖19A至19C描述不同於圖3之 電路結構。在此實施例中，參考標號3801，3801a及3801b 代表第一源極訊號線，參考標號3802，3802a及3802b代表 第二源極訊號線，參考標號3803代表第一閘極訊號線，參 考標號3804代表第二閘極訊號線，3805代表第一開關TFT 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521237 A7 ____B7 _ 五、發明説明（8〇) ’ 3 806代表第二開關TFT，3807代表電流控制TFT，3808 代表、發光元件，3809代表電源線，且3810代表電容。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖19A顯示電源線3 809平行於第一及第二閘極訊號線 3 80 1及3802的情形。雖然圖19A顯示電源線3809不與閘極 訊號線3 80 1及3802重疊的結構，如果導線形成於不同層， 可透過絕緣薄膜使兩者相互重疊。在此情形下，由於佔據 的區域可由電源線3809及第一及第二閘極訊號線380 1及 3802所共用，因此可使像素更細。 圖19B之結構的特徵在於電源線3809與第一及第二閘 極訊號線3801a，380 1b，及3802a，3802b平行，且進一 步的，形成相對於電源線3809呈非對稱配置的兩個像素。 此外，並可使電源線3809與一第一及第二閛極訊號線 3 80 1 a，380 1b，及3802a，3802b重疊。在此情形下，由於 可減少電源線的數目，因此可使像素部位更精細。 實施例1 2可自由亦結合實施例1至1 1的結構。 (實施例13) _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ 在實施例1 3中，將說明圖1中第一源極訊號線驅動電 路102a及第二源極訊號驅動電路l〇2b的詳細結構。由於第 一源極訊號線驅動電路1 02a的結構與第二源極訊號驅動電 路102b的結構相同，因此將近描述第一源極訊號線驅動電 路102a的結構。圖20的電路圖爲使用本發明之第一源極訊 號線驅動電路102a的結構。 如圖20所示，配置有平移暫存器801，拴鎖（A)(802)及 -83- 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A7 __ B7_ 五、發明説明（81 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 拴鎖（B)(803)。在實施例13中，拴鎖（A)(802)串及拴鎖 (B)(彳03)串對應至四個第一源極訊號線01^』至GL_d。雖然 此實施例未提供說明，可設計平移暫存器來改變訊號電壓 的放大寬度。 將時脈訊號CLK，與CLK反相的時脈訊號CLKB，起 動脈波訊號SP，驅動方向切換訊號SL/R經由導線輸入至平 移暫存器801，如圖20所示。視頻訊號由外部輸入至拴鎖 (A)(802)。並將拴鎖訊號S_LAT及反相拴鎖訊號S_LATb經 由導線分別輸入至拴鎖（B)(803)。 進一步的，描述對應於源極訊號線GL_a之拴鎖 (A)(802)部件804。拴鎖（A)(802)部件804包括兩個時脈反相 器及兩個反相器。 圖21顯示拴鎖（A)(802)部件8 04的上部圖。在拴鎖 (A)(802)部件804中，形成一反相器的TFT具有主動層831a 及8 31b，以及共用的閘極8·36。形成另一反相器的TFT分 別具有主動層832a及832b。閘極電極837a及837b相互連 接。 _ 經濟部智惡財產局員工消費合作社印^ 在拴鎖（A)(802)部件804中，形成一特脈反相器的丁FT 具有主動層833a及833b。主動層833a具有閘極電極838a 及83 8b，以提供雙閘極結構。以相同的方式，在主動層 8 33b上具有閘極電極838b及839，以提供雙閘極結構。 在拴鎖（AK802)部件804中，形成另一時脈反相器的 TFT具有主動層83 4a及83 4b。主動層83 4a具有閘極電極 8 39及840，以提供雙閘極結構。以相同的方式，在主動層 -84- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 A7 B7_ 五、發明説明（82 ) 8 34b上具有閘極電極840及841，以提供雙閘極結構。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (實施例14) 依據本發明的發光裝置爲一種自發光型的顯示裝置， 因此相較於液晶顯示裝置有更佳的影像辨別性。進一步的 ，發光裝置具有更大的視角。依此，發光裝置可應用至各 種裝置的顯示部位。例如，爲了在大尺寸的畫面上顯示TV 節目，可使用依據本發明發光裝置作爲顯示部位（如30吋或 40吋的致電顯示裝置）。 發光裝置可應用至所有顯示資訊的裝置，如個人電腦 ’接收電視廣播節目的顯示器，及廣告顯示幕等。再者， 依據本發明的發光裝置可用於其他不同裝置的顯示部位。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此電子裝置包括視頻攝影機；數位相機，投影機，投 影TVs，凸眼式顯示器，導航系統，汽車音響，筆記型電 腦，遊戲機，可攜式資訊終端（如行動電腦，可攜式電話， 可攜式遊戲機或電子書），具紀錄媒體的影像再生裝置等。 尤其在可攜式資訊辞端的應用中，由於常需以較大的視角 觀看螢幕，因此最好使用能提供大視角的發光顯示裝置。 這些電子裝置的例子顯示於圖22A至23A。 圖22A的發光裝置包括顯示框2001，支撐板2002，顯 示部位2003等。本發明應用至顯示部位。由於發光爲自發 光型，因此不需背光。且顯示部位的厚度可較液晶顯示裝 置者爲薄。 圖22B爲視頻照相機，其包括本體2101，顯示區2102 七氏張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐) 〇c . ' 521237 A7 B7 五、發明説明（83 ) ，聲音輸入區2103，操作開關2104，電池2105及影像接 收區、2106。本發明的光電裝置可應用至顯示區2102。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖22C爲頭帽式顯示器，其包括本體2201，訊號線 2202，頭帶2203，顯示部位2204，光學系統2055及發光 顯示裝置2206等。本發明可應用至發光顯示裝置2206。 圖22D爲包括記錄媒體的影像再生裝置（更定的是指 DVD再生裝置）。其包括本體230 1，記錄媒體23 02(CD， LD，DVD等），操作開關2303，顯示部位2304(a)，另一顯 示部位（b)2305等。顯示部位（a)用以顯示影像資訊，而顯示 部位（b)用以顯示字元資訊。依據本發明的發光顯示裝置可 應用於這些部位（a)及（b)。包括記錄媒體的影像再生裝置亦 包括CD再生裝置及遊戲機。 圖22C爲凸眼式顯示器，其包括本體240.1，顯示部位 2402及臂部2403。本發明可應用至顯示裝置2402。 圖22F爲個人電腦，其包括本體2501，框架2502，顯 示區2503，及鍵盤2504。本發明的發光裝置可應用至顯示 區 2503 。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當未來發光材料能發出更亮的光時，依據本發明的發 光裝置將可應用至前式及後式投影機。 前述的裝置常需顯示透過通訊路徑所傳送的資訊，如 CATV，並經常顯示動態的資訊。由於發光裝置具有相當高 的反應速度，因此極適於顯示動態的影像。然而，如果像 素間的輪廓便得不淸晰，整的移動中的影像將無法淸楚地 呈現。由於依據本發明的發光裝置能顯示淸晰的像素輪廟 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） " 521237 A7 B7 五、發明説明（84) ，因此在應用至電子裝置上有相當明顯的優點。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、發光裝置的發光部位會消耗功率，因此可僅可能地減 小發光部位。依此，當發光裝置應用於顯示字元資訊的顯 示部位時，如可攜式資訊終端，手機或汽車音響設備的顯 示部位時，最好是使字元部位由發光部位所形成而非發光 部位作爲背景。 圖23A爲可攜式電話，其包括本體2601，聲音輸出區 2602，聲音輸入區2603，顯示區2604，操作開關2605， 及天線26Q6等。依據本發明的發光顯示裝置應用於顯示部 位2604。藉由在黑色的背景上顯示白光的字元可降低可攜 式電話的功率消耗。 圖23B爲音樂播放裝置，包括本體2701，顯示部位 2702，及操作開關2703及2704。依據本發明的發光顯示裝 置應用於顯示部位2704。藉由在黑色的背景上顯示白光的 字元可降低顯示部位2704的功率消耗。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印^ 如上所述，本發明可應用至各領域的電子裝置。進一 步的，實施例1至j 3的任意結構可利用至本實施例的電子 裝置。 (實施例15) 實施例1 5用以說明當利用本發明的發光驅動方法時， 電流控制TFT之驅動範圍所具有的電壓電流特性。 在發光元件中，即使電壓中有極小的改變，亦會使電 流呈指數的變化。由另一觀點來看’當流經發光元件的電 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） Tqj~ ' 521237 A7 B7 五、發明説明（85 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 流改變時，施加至發光元件的電壓値亦改變。發光元件的 照度.，隨流經發光元件的電流呈比例的增加。依此，相較 於控制施加電壓的大小，利用流經發光元件的電流量來控 制發光元件的照度，將較爲容易，且較不易受TFT特性變 動的影響。 接著，參考圖27A及27B。圖27A顯示電流控制 TFT1 08及發光元件110。圖27B顯示電流控制TFT 108與發 光元件110之電壓與電流間的關係。在圖27B中，電流控制 TFT 1 08的電壓電流特性曲線顯示出源極區與汲極區間之電 壓Vds與流經電流控制TFT 108之汲極電流間的關係。圖27B 中的不同曲線代表不同的電壓Vcs，此電壓Vcs施加至電流 控制TFT 108的源極區與閘極電極間。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印^ 如圖27A所示，發光元件110之像素電極與相對電極 111間的電壓爲Vu，且連接至電源線之端子2601與發光元 件之相對電極111間的電壓爲Vt。Vt値由電源線的電位所 固定。如上所述，VDS爲電流控制TFT 108之源極區與汲極 區間的電壓。VCS爲電流控制TFT 108之閘極與源極區間的 電壓，亦即，電流控制TFT 108之源極區與連接閘極之導線 2602間的電壓。 電流控制TFT 1 08及發光元件1 1 0相互串聯。因此兩元 件流過相同的電流。 電流控制TFT 1 08及發光元件110由元件之電流電壓特 性曲線的交點電壓所驅動。在圖27B中，Vel等於相對電極 11 1與操作點間的電壓。Vds等於電流控制TFT 108之端子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） _ β 521237 A7 _B7_ 五、發明説明（86 ) 260 1電位與操作點間的電壓。ντ等於Vel與Vds的和。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、現在，考慮Vcs改變的情行。當增加流經電流控制 TFT 108的電流時，會增加電流控制TFT 108之I Vgs- VthI， 亦即IVcd。Vth等爲電流控制TFT 108的磷界電壓。因此， 增加I VcsI會增加流經位於操作點之發光元件1 1 〇的電流。 發光元件1 1 0的亮度與流經的電流大小成正比。 由於增加增加丨Vcs|會增加流經發光元件110的電流， 因此Vu隨電流的增加而增加。VT値由電源線的電位所決 定，因此當Vel增加時，vDS降低。 如圖27B所示，可依據Vcs與Vds將電流控制TFT的電 壓-電流特性分成兩個區域。丨Vcs- VthIcIVdsI的區域爲飽和 區，而I Vgs- VthI>IVdS|爲線性區。 在飽和區中，滿足以下的式子。 [式1]
Ids = P (Vgs- Vth)2/2 其中Ids爲流經電流控制TFT 108之通道形成區的電流， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 P = ,uC〇W/L，且μ爲電流控制TFT108的移動係數，C。爲單位 面積的電容，W/L爲通道形成區的長寬比。 在線性區中，滿足式2。 [式2]
Ids = P{(Vgs- Vth) Yds -Vds2/2} -89- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 521237 經濟部智惡財產局員工消費合作社印^ A7 Β7 五、發明説明（87) 由式1可知，飽和區中的電流不易受Vds的影響，而是 由\^所決定。 另一方面，式2顯示在線性區中，電流値由Vds與Vcs 所決定。當丨Vcs I增加時，電流控制TFT 108在線性區的電 壓下操作，亦即Vel^。在線性區中，當Vds降低時，電流量 亦降低。很難藉由增加丨V6S I來增加電流値。當 I Vcs 時，電流値到達最大値Imax。換句話說，無論 1 VCS丨値多大，電流値皆不會超過IMAX。當Vel^Vt時，流經 發光元件110的電流爲Imax。 藉由控制I Vm I値，可將操作點設於飽和區或線性區。 理想而言，所有電流控制TFT的特性皆相同。然而， 實際上，不同的電流控制TFT的Vth與移動係數μ會有差異 。當VfH與移動係數μ不同時，即使電流控制TFT有相同的 Vcs，流精通到形成區的電流量亦會有所差異。 圖28顯示控制TFT的電壓電流特性，且不同的曲線有 不同的Vth與μ。時線2701代表理想的電壓電流特性，而實 線2702及2703代考當Vth與μ偏離理想値時，電壓電流特 性曲線。在飽和範圍內，電流電壓特性曲1泉2702及2703與 理想的曲線270 1間有相同的電流差。電流電壓特性曲線 2 702的操作點2705落在飽和區內，而電流電壓特性曲線 27 03的操作點2706落在線性區內。在此情形下，ai2代表操 作點27 05下的電流値與理想電流電壓特性曲線間的電流差 ，ΔΙ;代表操作點2704下的電流値與理想電流電壓特性曲線 間的電流差。線性區內的操作點2706電流値小於飽和區內 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公廣） -90- --------裝----r---1Τ. — 产請先聞讀背面之泣意事項存填寫本fo 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ 521237 A7 B7 五、發明説明（88) 的操作點2705電流値。 當利用數位驅動法時’藉由在線性區內驅動電流控制 TFT及發光元件，可消除在灰階顯示時’電流控制TFT的特 性變動，而產生規則的亮度。 另一方面，在習知的類比驅動法中，最好在飽和區內 驅動電流控制TFT及發光元件，在此區域內，電流値由丨 VC3S I所決定。 爲了進行上述的分析，圖29顯示電流控制TFT之電流 與電壓I Vw丨間的關係。當I Vcs I增加並超過電流控制TFT 的臨界絕對値時，電流開始流過電流控制TFT。此時的丨 VCS I稱爲發光啓動電壓。進一步增加I Vas卜直到其滿足丨 Vcs- VthI = IVdS|(以A表示），此時離開飽和區2801並進入線 性區2802。當進一步增加丨Vcsl時，店流會隨著增加値到飽 和。此時，丨V(3S 1=①。 圖29顯示在I VcsI^IVth丨的區域內，幾乎沒有電流。 丨VthKIVcsNA的區域爲飽和區，且此區域內的電流値隨 I VGS|變化。另一方面，A引VgsI的區域爲線性區，且流經發 光元件的電流値隨丨Vul及IVdsI而改變。 依據本發明的數位驅動法，最好在丨Vcs|引VthI的區域及 A引VgsI的區域內使用電壓。 此實施例可自由地結合本發明的其他實施例。 (實施例1 6) 在本發明中，利用三激態的磷光發光材料來增進發光 I-------0^----Ί,--、玎----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -91 - 521237 A7 B7_五、發明説明（89 )效能，並利用於發光裝置。如此，可降低發光材料的功率 消耗、，並延長發光材料的壽命。以下報告揭露利用三激態光提昇外發光效能的技術。 (T · T s u t s u i，C . A d a c h i，S . S a i 10，有機分子系統的光化學程序 ,K.Honda，（Elsevier Sci· Pub.，Tokyo, 1991)ρ·437)。上述報告之發光材料的分子式如下。(化學式1) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
(M.A.Baldo, D.F.〇’ Brien，Y. You, A. Shoustikov， S.Sibley, M.E. Thompson, S.R. Forrest,Nature 395(1998)ρ·151)。上述報告之發光材料的分子式如下。(化學式2)_ _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
(M.A.Baldo, S.Lamansky,P.E.Burrows, M.E. Thompson, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -92- 521237 A7 ___ _B7_ 五、發明説明（90) S. R. Forrest，Appl. Phys· Lett·，75( 1 999)ρ·4·) 〇 -(T.Tsutsui，M.-J.Yang, M. Tahiro, K. Nakamura, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) T. Watanabe, T. Tsuji，Y. Fukuda, T. Wakimoto, S. Mayaguchi, Jpn，Appl. Phys.，38(12B)(1999)L 1 502)。 (化學式3)
如上所述，如果可使三激態的磷光實用化，則可實現 三倍至四倍於單激態螢光的發光效能。另外本實施例可自 由地結合本發明的其他實施例。 依據本發明，藉由結合顯示時間週期來實現灰階顯示 。因此，相較於比驅動法，灰階顯示的螢幕亮度較不易受 TFT特性變動的影響。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 進一歩的，在本發明中，可使顯示時間週期與顯示時 間週期部分地重疊。換句話說，即使再寫入時間週期時’ 像素亦可實施顯示。因此，一圖框時間週期內之顯示時間 週期的長度和並非由寫入時間週期的長度和所決定。在本 發明中，工作率可自由地設定。 藉由控制寫入時間週期的長度來決定寫入時間週期使 否彼此重疊。如果縮短寫入時間週期的長度’寫入時間週 期不會相互重叠，如果增加寫入時間週期的長度，則寫入 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -93 - 521237 A7 B7 五、發明説明（ 91) 時間週期會彼此重疊。因此，實施例1至5的驅動法僅示例 之用、。可藉由控制寫入時間週期的長度來決定.每一實施例 中，使否使寫入時間週期相互重疊。 當相鄰的寫入時間週期不彼此重疊時，在鄰近寫入時 間週期內，將數位視頻訊號輸入至像素的驅動電路組可爲 第一組驅動電路（Dr_L)及第二組驅動電路（D^R)。實施例1 至5的驅動方法僅爲本發明的例子。在兩個未相互重疊的. 寫入週期內，可利用第一組驅動電路（Dr_L)或第二組驅動電 路（D^R)來實施兩個時間週期的寫入操作。 - 藉由本發明的結構，可將工作率提升至100%而實現高 亮度的顯示。 相反的，當具有不顯示的黑色顯示時間週期時，可關 閉發光元件的發光，而抑制有機化合物層的退化。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -94- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

  1. 521237 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種發光裝置，包括： -第一源極訊號線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路 ，第一閘極訊號線驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及 像素部位； 其中該像素部位具有多個像素； 其中每一像素包括發光元件，控制該發光元件之發光 的電流控制TFT，驅動該電流控制TFT的第一開關TFT及 第二開關TFT ; 其中利用該第一源極訊號線驅動電路及該第一閘極訊 號線驅動電路來控制該第一開關TFT的驅動；· 其中利用該第二源極訊號線驅動電路及該第二閘極訊 號線驅動電路來控制該第二開關TFT的驅動；及 其中控制時間週期的長度來實施灰階顯示，在顯示過 程中使發光元件發光。 2. —種發光裝置，包括： 第一源極訊號線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路 ，第一閘禪訊號線驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及 像素部位； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 n n n n a— n n n ϋ n I · n n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 多個連接至該第一源極訊號線驅動電路的第一源極訊 號線，多個連接至該第二源極訊號線驅動電路的第二源極 訊號線，多個連接至該第一閘極訊號線驅動電路的第一閘 極訊號線，多個連接至該第二閘極訊號線驅動電路的第二 闊極訊號線，及多條電源線， 其中該像素部位具有多個像素，每一像素包括有發光 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚) 521237 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8、申請專利範圍 元件，電流控制TFT，第一開關TFT及第二開關TFT ; 其中該第一開關TFT的多個閘極電極連接至該多個第 一閘極訊號線； 其中第二個開關TFT的該多閘極電極連接至該多個第 二閘極訊號線； 其中該多個第一開關TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個第一源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制 TFT的閘極電極； 其中該多個第二開關TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個第二源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制 TFT的閘極電極；且 其中該多個電流控制TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個電源線，且另一區連接至該多個發光元件。 3.—種發光裝置，包括： 第一源極訊號線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路 ，第一閘極訊號線驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及 像素部位； _ 多個連接至該第一源極訊號線驅動電路的第一源極訊 號線，多個連接至該第二源極訊號線驅動電路的第二源極 訊號線，多個連接至該第一閘極訊號線驅動電路的第一閘 極訊號線，多個連接至該第二閘極訊號線驅動電路的第二 閘極訊號線，及多條固定電位的電源線， 其中該像素部位具有多個像素，每一像素包括有發光 元件，電流控制TFT，第一開關TFT及第二開關TFT ; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 tT—Awl 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -96 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521237 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中每一該多個發光元件具有像素電極，固定電位的 相對·電極’及位於該像素電極與該相對電極間的有機化合 物層； 其中該第一開關TFT的多個閘極電極連接至該多個第 一閘極訊號線； 其中第二個開關TFT的該多閘極電極連接至該多個第 二閘極訊號線； ^ 其中該多個第一開關TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個第一源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制 TFT的鬧極電極； 其中該多個第二開關TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個第二源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制 TFT的閘極電極；且 其中該多個電流控制TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個電源線，且另一區連接至該多個像素電極。 4. 如申請專利範圍第3項之發光裝置，其中該有機化 合物層由低分子有_機材料或聚合有機材料所形成。 5. 如申請專利範圍第4項之發光裝置，其中該低分子 有機材料由Alq;或TPD所製成。 6. 如申請專利範圍第4項之發光裝置，其中該聚合有 機材料由PPV，PVK或polycarbonate所構成。 7. —種發光裝置，包括： 第一源極訊號線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路 ，第一閘極訊號線驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ^97 - -裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： 521237 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 像素部位； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、多個連接至該第一源極訊號線驅動電路的第一源極訊 號線，多個連接至該第二源極訊號線驅動電路的第二源極 訊號線，多個連接至該第一閘極訊號線驅動電路的第一閘 極訊號線，多個連接至該第二閘極訊號線驅動電路的第二 閘極訊號線，及多條電源線， 其中該像素部位具有多個像素，每一像素包括有發光 元件，電流控制TFT，第一開關TFT及第二開關TFT ; 其中該第一開關TFT的多個閘極電極連接至該多個第 一閘極訊號線； 其中第二個開關TFT的該多閘極電極連接至該多個第 二閘極訊號線； 其中該多個第一開關TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個第一源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制 TFT的閘極電極； 其中該多個第二開關TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個第二源極訊_號線，且另一區連接至該多個電流控制 TFT的閘極電極； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 其中該多個電流控制TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個電源線，且另一區連接至該多個發光元件； 其中在一圖框時間週期內，依序出現η個寫入時間週 期 Tal，Ta2，…，Tan ; 其中，出現於寫入時間週期Tan後的寫入時間週期爲 第一寫入時間週期Tal ; -98- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 521237 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中從出現各寫入時間週期Tal，Ta2，··.，Tan到出 現下一個寫入時間週期的時間週期爲η個顯示時間週期Td 1 ，Td2 ，…，Tdl ; 其中在η個寫入時間週期Tal，Ta2，…，Tan內，數 位$號該弟一源極訊號線驅動電路透過該多個第—源極 訊號線輸入至該多個像素，或從該第二源極訊號線驅動電 路透過該多個第二源極訊號線輸入至該多個像素； 其中在η個寫入時間週期Tal，Ta2，…，Tan內，一 些相鄰的寫入時間週期彼此重疊；且 其中在η個顯示時間週期Tdl，Td2，…，Tdl內，利 用數位訊號選擇地使該多個發光元件呈發光狀態或不發光 狀態。 8.—種發光裝置，包括： 第一源極訊號線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路 ，第一閘極訊號線驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及 像素部位； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 多個連接至該第一源極訊號線驅動電路的第一源極訊 號線，多個連接至該第二源極訊號線驅動電路的第二源極 訊號線，多個連接至該第一閘極訊號線驅動電路的第一閘 極訊號線，多個連接至該第二閘極訊號線驅動電路的第二 閘極訊號線，及多條固定電位的電源線， 其中該像素部位具有多個像素，每一像素包括有發光 元件，電流控制TFT，第一開關TFT及第二開關TFT ; 其中每一該多個發光元件具有像素電極，固定電位的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公爱；) :99 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521237 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 相對電極，及位於該像素電極與該相對電極間的有機化合 物層_ ; 其中該第一開關TFT的多個閘極電極連接至該多個第 一閘極訊號線； 其中第二個開關TFT的該多閘極電極連接至該多個第 二閘極訊號線； 其中該多個第一開關TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個第一源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制 TFT的閘極電極； 其中該多個第二開關TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個第二源極訊號線，且另一區連接至該多個電流控制 TFT的閘極電極； 其中該多個電流控制TFT中的源極區或汲極區連接至 該多個電源線，且另一區連接至該多個像素電極； 其中在一圖框時間週期內，依序出現η個寫入時間週 期 Tal，Ta2，…，Tan ; 其中，出現於寫入時間週期Tan後的寫入時間週期爲 第一寫入時間週期Tal ; 其中從出現各寫入時間週期Tal，Ta2，…，Tan到出 現下一個寫入時間週期的時間週期爲η個顯示時間週期Td 1 ，Td2 ，…，Tdl ; 其中在η個寫入時間週期Tal，Ta2，…，Tan內，數 位訊號從該第一源極訊號線驅動電路透過該多個第一源極 訊號線輸入至該多個像素，或從該第二源極訊號線驅動電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -100 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521237 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 路透過該多個第二源極訊號線輸入至該多個像素； 、其中在η個寫入時間週期Tal，Ta2，…，Tan內，— 些相鄰的寫入時間週期彼此重疊；且 其中在η個顯示時間週期Tdl，Td2，.··，Tdl內，利 用數位訊號選擇地使該多個發光元件呈發光狀態或γ # % 狀態。 9.如申請專利葡圍第8項之發光裝置，其中該有機化 合物層由低分子有機材料或聚合有機材料所形成。 10·如·申請專利範圍第9項之發光裝置，其中該低分子 有機材料由Alq3或TPD所製成。 1 1.如申請專利範圍第9項之發光裝置，其中該聚合有 機材料由PPV，PVK或polycarbonate所構成。 12·如申請專利範圍第7項之發光裝置，其中在與相鄰 寫入時間週期部分重疊之一寫入時間週期內，該數位訊號 從該第一源極訊號線驅動電路透過該多個第一源極訊號線 輸入至該多個像素，且在另一寫入時間週內，該數位訊號 從該第二丨原極訊號濂驅動電路透過該多個第二源極訊號線 輸入至該多個像素。 1 3 ·如申請專利範圍第8項之發光裝置，其中在與相鄰 寫入時間週期部分重疊之一寫入時間週期內，該數位訊號 從該第一源極訊號線驅動電路透過該多個第一源極訊號線 輸入至該多個像素，且在另一寫入時間週內，該數位訊號 從該第二源極訊號線驅動電路透過該多個第二源極訊號線 輸入至該多個像素。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -101 - n n n ϋ κ «n t— n n n I · n n f— n ϋ i— n · n n 1 n ϋ ϋ n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 521237 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 14.如申請專利範圍第7項之發光裝置，其中n個顯示 時間_週期內的」個顯示時間週期（]爲大於零小於等於η的整 數）爲黑色顯示時間週期，在此週期內，所有的發光元件處 於不發光的狀態。 15·如申請.專利範圍第8項之發光裝置，其中η個顯示 時間週期內的」個顯示時間週期（」爲大於零小於等於η的整 數）爲黑色顯示時間週期，在此週期內，‘所有的發光元件處 於不發光的狀態。 16. 如-申請專利範圍第7項之發光裝置，其中η個寫入 時間週期的長度彼此相同。 17. 如申請專利範圍第8項之發光裝置，其中η個寫入 時間週期的長度彼此相同。 1 8.如申請專利範圍第7項之發光裝置，其中j個黑色 顯示時間週期外之（n-j)個顯示時間週期的長度比，由小至 大依次爲 。 19. 如申請專利範圍第8項之發光裝置，其中j個黑色 顯示時間週期外之（η-」）個顯示時間週期的長度比，由小至 大依次爲…。 20. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該第一開 關TFT及該第二開關TFT具有相同的極性。 2 1.如申請專利範圍第2項之發光裝置，其中該第一開 關TFT及該第二開關TFT具有相同的極性。 22.如申請專利範圍第3項之發光裝置，其中該第一開 關TFT及該第二開關TFT具有相同的極性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公餐） -102 - ----------#i--------tr------1!·— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 521237 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 23·如申請專利範圍第7項之發光裝置，其中該第一開 關TFT及該第二開關TFT具有相同的極性。 24.如申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該第一開 關TFT及該第二開關TFT具有相同的極性。 25·如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中在一圖框 時間週期內，最後出現的顯示時間週期爲最長的黑色顯示 時間週期。 ‘ 26·如申§靑專利朝圍第2項之發光裝置，其中在一圖框 時間週期內，最後出現的顯示時間週期爲最長的黑色顯示 時間週期。 27.如申請專利範圍第3項之發光裝置，其中在一圖框 時間週期內，最後出現的顯示時間週期爲最長的黑色顯示 時間週期。 28·如申請專利範圍第7項之發光裝置，其中在一圖框 時間週期內，最後出現的顯示時間週期爲最長的黑色顯示 時間週期。 29·姐申請專利範圍第8項之發光裝置，其中在一圖框 時間週期內，最後出現的顯示時間週期爲最長的黑色顯示 時間週期。 30.—種發光裝置，包括： 第一源極訊號線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路 ’第一閘極訊號線驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及 像素部位； 其中該像素部位具有多個像素； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） •103- -----------裝--------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521237 A8 B8 C8 D8 _ t、申請專利範圍 其中該多個像素包括多個發光元件；且 、利用該第一源極訊號線驅動電路及該第二源極訊號線 驅動電路所輸出的數位訊號，及該第一閘極訊號線驅動電 路及該第二閘極訊號線驅動電路所輸出的選擇訊號來控制 該多個發光元件的驅動。 31. —種發光裝置，包括： 第一源極訊號線驅動電路，第二源極訊號線驅動電路 ，第一閘極訊號線驅動電路，第二閘極訊號線驅動電路及 像素部位： 其中該像素部位具有多個像素； 其中該多個像素包括多個發光元件；且 利用該第一源極訊號線驅動電路及該第二源極訊號線 驅動電路所輸出的數位訊號，及該第一閘極訊號線驅動電 路及該第二閘極訊號線驅動電路所輸出的選擇訊號來控制 發光元件的時間週期。 32. 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中該發光裝 置合倂於T列的電子裝置中：視頻攝影機，數位向機，凸眼 式顯示器，汽車導航系統，聲音播放裝置，筆記型電腦， 遊戲裝置，可攜式資訊終端，及影像播放裝置。 3 3 ·如申請專利範圍第2項之發光裝置，其中該發光裝 置合倂於下列的電子裝置中：視頻攝影機，數位向機，凸眼 式顯示器，汽車導航系統，聲音播放裝置，筆記型電腦， 遊戲裝置，可攜式資訊終端，及影像播放裝置。 34.如申請專利範圍第3項之發光裝置，其中該發光裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -104- ϋ n m n n n n 1 n n I · n ·ϋ n n n n n )OJa n n an n n ϋ m (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 521237 A8 B8 C8 D8 t、申請專利範圍 置合倂於下列的電子裝置中：視頻攝影機，數位向機，凸眼 式顯示器，汽車導航系統，聲音播放裝置，筆記型電腦， 遊戲裝置，可攜式資訊終端，及影像播放裝置。 35. 如申請專利範圍第7項之發光裝置，其中該發光裝 置合倂於下列的電子裝置中：視頻攝影機，數位向機，凸眼 式顯示器，汽車導航系統，聲音播放裝置，筆記型電腦， 遊戲裝置，可攜式資訊終端，及影像播放裝置。 36. 如申請專利範圍第8項之發光裝置，其中該發光裝 置合倂於下列的電子裝置中：視頻攝影機，數位向機，凸眼 式顯示器，汽車導航系統，聲音播放裝置，筆記型電腦， 遊戲裝置，可攜式資訊終端，及影像播放裝置。 37. 如申請專利範圍第30項之發光裝置，其中該發光裝 置合倂於下列的電子裝置中：視頻攝影機，數位向機，凸眼 式顯示器，汽車導航系統，聲音播放裝置，筆記型電腦， 遊戲裝置，可攜式資訊終端，及影像播放裝置。 3 8.如申請專利範圍第31項之發光裝置，其中該發光裝 置合倂於下列的電子裝置中：視頻攝影機，數位向機，凸眼 式顯示器，汽車導航系統，聲音播放裝置，筆記型電腦， 遊戲裝置，可攜式資訊終端，及影像播放裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -105- -----------t-裝--------訂--------0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
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