TW520522B - Spectrometer objective for particle beam measuring system - Google Patents
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- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 31
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 45
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 claims 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims 1
- 230000000979 retarding effect Effects 0.000 abstract 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 abstract 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 20
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
- G02B27/10—Beam splitting or combining systems
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/44—Energy spectrometers, e.g. alpha-, beta-spectrometers
- H01J49/46—Static spectrometers
- H01J49/48—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter
- H01J49/488—Static spectrometers using electrostatic analysers, e.g. cylindrical sector, Wien filter with retarding grids
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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Description
520522 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(1 ) 本發明係針對一種用於一粒子束測定系統的分光儀 物鏡,該系統具有一物鏡以及一減速電場分光儀,構成一 用於將一主要粒子束聚焦的粒子束光學單元。 一種分光儀物鏡在美國專利第4,728,790號中提及。 所揭露的分光儀物鏡本質上係由一具有短焦距的磁物鏡、 一配置在物鏡内的偏光單元以及一減速電場分光儀組成, 一起構成一電子束測定儀器的一電子光學柱之元件。所揭 路的物鏡係用於將藉由一高電流電子源發射的主要電子, 以及藉由主要電子在一試樣上產生的次要電子聚焦。次要 電子藉由物鏡聚焦至位在沿著測定儀器之光學軸的一點上 〇 已加速至高動能的次要電子之焦點位在一對稱球狀 的減速電場之中心,該電場係藉由配置在物鏡上方的分光 儀之一部份所產生。所產生之對稱球狀的減速電場係有助 於適當地構成一電極對。 為了保證次要電子之令人滿意的聚焦,方法之一係 強制提供一高的正電位至緊接地配置在試樣之上的引出電 極。然而,在試樣之區域中的高引出電場(E=1 一 2KV)應加 以避免’特別是在檢查鈍化的微電子元件的時候。此外, 引出電場的一致性係特別地對高度結構化的試樣造成干擾 ,且如此將對電子束測定儀器的解析度造成一不利的影響 ^致性係藉由在試樣上電子探針的直徑來決定。因此 ,美國專利第4,812,651號中建議在緊接著配置在試樣上 方的主要粒子束的路徑中包括一引出電極,並且為了調整 — — — — — — — — — — ·1111111 一«J·11111111 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁)
520522 A7 B7 五 、發明說明(2) 引出電場的強度以一可變化的電壓加以充電。 容許以附加的引出電極來實現高引出電場,以及低 引出電場(即用於鈍化的電路)。因此,引出電極被施以數 千伏(典型地係為1千伏)的高電壓或是約為零伏特(典型地 係介於-50伏特至+ 1〇〇伏特)的低電壓。 而,此類使用一緊接在試樣上方的附加電極的分 光儀物鏡,其缺點在於次要電子的截面並不在對稱球狀之 減速電場之中心區域内,該截面係藉由配置在物鏡上方的 分光儀之一部份所產生,因此測定的結果並不精確。 因此,本發明的目標之一在於提供一種根據申請專 利範圍第1項之前序文的分光儀物鏡,其係改善了測定結 果亦可供使用低引出電場的應用所用。 物鏡藉由申請專利範圍第丨項之特性加以解析。 本發明之進一步的具體實施例係為附屬的申請專利 範圍之主題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明用於一粒子束測定儀器之分光儀物鏡, 具有一物鏡以及一減速電場分光儀,構成一用於將一主要 粒子束聚焦的粒子束光學單元,其中減速電場分光儀包括 -一引出電極的配置用於將次要粒子從試樣中引出, - 一加速電極的配置用於將次要粒子向著物鏡方向 加速, - 一減速電場電極用於建立一電位柵極將次要粒子 減速,及 520522 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(3 ) 一用於將引出電極的配置以至少二不同的電壓充電 之裝置’用來調整引出電場的強度。 再者’所提供用於將加速電極配置充電的裝置視引 出电極配置之電壓而定,以構成一次要粒子束使適合用來 穿過減速電場電極之配置。 根據引出電極之配置的電壓改變找出適於加速電極 之配置的電壓,使能改良特別是在低引出電壓情形時之測 定的結果。 在一較佳的具體實施例中,加速電極之配置的電壓 係做為引出電極之配置所用,以至次要粒子截面位在減速 電場電極之配置的中心區域中。 在一進一步的改良中,用於將引出及加速電極之配 置充電的裝置,藉由一具有至少二模態之切換裝置加以控 制’以預先設定之電壓值施用於引出及加速電極之配置。 本發明之進一步的具體實施例,將參考圖式於此之 後加以說明。其中之圖式·· 第1圖係為本發明之一分光儀物鏡之一具體實施例的 垂直橫戴面, 第2圖係為第1圖中之分光儀物鏡的部分橫戴面,具 有一高引出電場,及 第3圖係為第1圖中之分光儀物鏡的部分橫截面,具 有一低引出電場。 第1圖中係概略地顯示根據本發明之一具體實施例之 一種分光儀物鏡,其本質上具有一物鏡1以及一減速電場 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 6 ----^------•丨丨丨— ί丨訂·! — ί! 1 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、 Φ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 520522 發明說明(4 分光儀,構成一用於將一主要粒子束2聚焦的粒子束光學 早7L。 其中減速電場分光儀包括: •一引出電極的配置3用於將次要粒子4從一試樣5中 引出, -一加速電極的配置6用於將次要粒子4向著物鏡1方 向加速,及 -一減速電場7電極用於建立一電位栅極將次要粒子 4減速。 再者,用於將引出電極之配置3以至少二不同的電壓 Vex充電之裝置8,用來調整試樣5之區域中引出電場的強 度。再者,提供裝置9用於將加速電極之配置6以可變化的 电t Vaec充電。做為將加速電極之配置6充電所用的充電 裝置9,係取決於引出電極之配置3之電壓,以構成一 次要的粒子束使適合用來穿過減速電場電極之配置7。 如同圍住的減速電場電極之配置7具有一第一及一第 二電極7.1及7.2,第一電極係為一具有第一半徑之一第一 球狀的表面的一部份,第二電極係為一具有第二半徑之一 第一球狀的表面的*一部份’第一及第二球狀的中心點重疊 在一中心點10上,該點係位在物鏡1之光學軸1 · 1上。第一 及第二電極7.1、7.2係以電壓Vi、V2加以充電,以至建立 一電位柵極將次要粒子4減速。 提供一檢測器11用於檢測貫穿電極7·2的次要粒子。 當使用一對稱佈置的檢測器時,一位在負電位的電極12同 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) — — — — — — — — 1 — — — — » ^^一 I I — I 1 I I * 祖— ll — li- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 520522 A7 B7 五、發明說明( 時配置在第一及第二電極7·1、7·2的上方。電極12將任何 向著光學轴1.1之方向發射的次要電子4偏向。 引出電極之配置3係較佳地構成一平面的柵極電極, 並且傳導地連接至充電裝置8。 加速電極之配置6係根據此具體實施例藉由一襯墊管 所構成,該襯墊管係相關於光學軸1:1同中心地佈置的一 中空的圓筒。襯墊管避免在物鏡1内具有電場干擾次要電 子4的移動。 減速電場電極之配置7之二電極7.1及7.2係由球狀栅 極電極所構成。在揭露的具體實施例中,第一電極7 ι係 電力地連接至構成加速電極之配置6的襯墊管之末端 電極7.1之電壓Vi係與藉由充電裝置9所施加之加 速電極之配置6的電壓Vace相同。 電子束測定儀器提供一主要粒子束2,例如一主要電 子束’係由一電子束產生器發射’該主要粒子束被聚焦在 試樣5上。主要粒子在試樣5上產生次要粒子,以及次要電 :係從試樣中引出。次要電子穿經引出電極之配置3,且 糟由加速電子之配置6加速。次要電子前進進人物鏡】之磁 場,以至其在光學軸hI上具有—截面。截面被解釋成 同次要粒子之虛擬來源之_真實中間物影像,換句話說, 係為在試樣5之下所有虛擬的次要粒子路徑之最小的隹散 橫截面。為達到-良好的檢測效率,次要電子之路徑平行 於減速電場電極之配置的場電力線係為較佳的因此係垂 直於第-及第二電極7.卜7·2。假若次要粒子之截面位於 此,第 如 本紙張尺度適用中關家標準(CNSM4規格⑵0 χ挪公^· 因
^-----—I——I— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 520522 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -------2Z--------五、發明說明(6) 減速電場電極之配置7之中心點10,此狀況係為準破的。 減速電場電極之配置7之對稱球狀的減速電場係用於 減速及能量分析,電場係建立在介於二柵極或分別地以相 互不同的電位V,、%展現的光柵電極71、72之間的空間 ;的區域卜較低的半球狀柵極電極位在加速電極之配 置6的電位Vaee,較高的半球狀柵極電極7·2 _般係以介於 t 約-15伏特與+ 15伏特之間的電位加以充電。 化些次要粒子貫穿較高的半球狀栅極7·2會接著被檢 測器11加以檢測。 電壓vex係做為待測試之試樣所用。 通常用於將引出電極之配置3充電的裝置8被設計成 在-50伏特至2千伏之間的範圍中施以至少2電壓。在一鈍 化的試樣之例子中使用低電壓,在那些高引出電場未能將 試樣充電的例子中將使用較高的電壓。 用於將加速電極之配置6充電的裝置9被設計成在 + 500伏特至3千伏之間的範圍中施以至少2電壓。 第2圖顯示一具體實施例其中引出電極之配置的電壓 Vex係為1千伏,以及加速電極之配置的電壓係為2千伏 。因此,一高引出電場係產生在試樣5之區域中。次要粒 子4在減速電場電極之配置7的中心點具有一截面其能確保 一良好的檢測效率。 當測試鈍化的電路時係絕對地需要使用低引出電壓 ,為了避免試樣充電。在此例子中為在光學軸丨·丨上達成 一截面,根據引出電壓Vex使適應加速電壓係為必須的。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
--------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂- -線- 9 520522 A7 B7 五、發明說明(7 ) 藉由使用一對適當的電壓vex、vace使有可能在減速電場電 極之配置7的中心點配置次要粒子的橫截面。 在根據第3圖的具體實施例中,藉使用1 〇〇伏特的引 出電壓Vex及1千伏的加速電壓Vacc產生一低引出電場。 在很多的例子中,具有二模態係為足夠的:一具有 一 引出電場的第一模態以及一具有一低引出電場的第二 模態。因此,用於將引出及加速電極之配置充電的裝置8 、9,係較佳地藉由具有至少二模態的切換裝置13(參見第 1圖)來控制,其中引出及加速電極之配置被施以預先設定 的電壓值。例如,在第一模態下可設定Vex= 1千伏及Vaec==2 千伏,在第二模態下可設定vex=ioo伏特及Vace=1千伏。 該一分光儀物鏡藉著壓按切換裝置上的一個按紐, 使減速電場適於受測試的試樣。不論使用何種模態,皆可 達到精確的檢測結果。 ----------裝--------訂--------- ·U (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 520522 、 A7 ,_B7_ 五、發明說明(8 ) 元件標號對照
1…物鏡 7.1···第一電極 1.1···光學軸 7.2…第二電極 2···主要粒子束 8…充電裝置 3···引出電極 9…充電裝置 4···次要粒子 10···中心點 5···試樣 11…檢測器 6…加速電極 12…電極 7…減速電場 13…切換裝置 -------------裝--------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
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Claims (1)
- 520522 AS BS CS DS 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 ι· 一種用於一粒子束測定系統之分光儀物鏡,其具有一 物鏡以及一減速電場分光儀,構成一用於將一主要粒 子束(2)聚焦的粒子束光學單元,其中減速電場分光儀 包括: -一引出電極的配置(3)用於將引出的次要粒子(4) 從一試樣(5)中引出, -一加速電極的配置(6)用於將次要粒子(4)向著物 鏡(1)的方向加速, •一減速電場電極之配置(7)用於建立一電位柵極 將次要粒子(4)減速,及 -用於將第一電極之配置(3)以至少二不同的電壓 (Vex)充電之裝置(8),用來調整引出電場的強度, 特徵在於用於將加速電極之配置(6)充電之裝置(9) 視引出電極之配置(3)的電壓(Vex)而定,以構成一次要 粒子束使適合用於穿過減速電場電極之配置(7)。 2·如申請專利範圍第丨項之分光儀物鏡,其特徵在於加速 電極之配置(6)係由一襯墊管所構成。 3. 如申請專利範圍第丨項之分光儀物鏡,其特徵在於加速 電極之配置(6)係由一襯墊管所構成,其延伸穿經物鏡 〇 4. 如申凊專利範圍第1項之分光儀物鏡,其特徵在於減速 電%電極之配置(7)具有一第一及一第二電極(71、7·2) ,藉此第一電極(7.1)係為一具有第一半徑之一第一球 狀的表面的一部份,第二電極(7·2)係為一具有第二半 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝--------訂--------- 12 ^20522 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣AS B8 CS DS 申睛專利範圍 杬之一第二球狀的表面的一部份,第一及第二球狀的 中心點重疊在一中心點(1〇)上,該點係位在物鏡(丨)之 光學軸(1 · 1)上。 5·如申請專利範圍第丨項之分光儀物鏡,其特徵在於減速 電%電極之配置(7)具有一第一及一第二電極(71 ' 7·2) ’藉此第一電極(7.1)係為一具有第一半徑之一第一球 狀的表面的一部份,第二電極(7·2)係為一具有第二半 心·之一第二球狀的表面的一部份,第一及第二球狀的 中心點重疊在一中心點(1〇)上,該點係位在物鏡(1)之 光學軸(1.1)上,並且藉此第一電極(71)係由加速電極 之配置(6)的末端所構成。 6.如申請專利範圍第1項之分光儀物鏡,其特徵在於次要 的光粒子束具有一截面。 7·如申請專利範圍第4及5項之分光儀物鏡,其特徵在於 截面係位在減速電場電極之配置(7)之中心點(1〇)的區 域中。 8·如申請專利範圍第1項之分光儀物鏡,其特徵在於用於 將引出及加速電極之配置(3、6)充電的裝置(8、9),係 較佳地藉由具有至少二模態的切換裝置(13)來控制, 其中引出及加速電極之配置被施以預先設定的電壓值 d、Vacc)。 9.如申請專利範圍第1項之分光儀物鏡,其特徵在於用於 將引出電極之配置(3)充電的裝置(8)被設計成在-50伏 特至2千伏之間的範圍中施以至少2電壓(Vaee)。 本紙張尺度適用中國國家標準(cns)a4規格(21〇 x 297公釐) ------------I * I---I I I 訂----I I I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 13 520522 AS B8 CS DS 申請專利範圍 10·如申請專利範圍第1項之分光儀物鏡,其特徵在於用於 將加速電極之配置(6)充電的裝置(8)被設計成在+5〇〇伏 特至3千伏之間的範圍中施以至少2電壓(Vaee)。 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 14
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP99122582A EP1100112A1 (en) | 1999-11-12 | 1999-11-12 | Spectrometer objective for particle beam measuring system |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW520522B true TW520522B (en) | 2003-02-11 |
Family
ID=8239382
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089120924A TW520522B (en) | 1999-11-12 | 2000-10-06 | Spectrometer objective for particle beam measuring system |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1100112A1 (zh) |
JP (1) | JP2001167725A (zh) |
KR (1) | KR20010070207A (zh) |
TW (1) | TW520522B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107438891A (zh) * | 2015-02-10 | 2017-12-05 | 瑞沃拉公司 | 用于使用二次离子质谱的半导体计量和表面分析的系统和方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2442027B (en) * | 2006-09-23 | 2009-08-26 | Zeiss Carl Smt Ltd | Charged particle beam instrument and method of detecting charged particles |
JP5663412B2 (ja) | 2011-06-16 | 2015-02-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
US10504684B1 (en) * | 2018-07-12 | 2019-12-10 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | High performance inspection scanning electron microscope device and method of operating the same |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3638682A1 (de) * | 1986-11-13 | 1988-05-19 | Siemens Ag | Spektrometerobjektiv fuer korpuskularstrahlmesstechnik |
-
1999
- 1999-11-12 EP EP99122582A patent/EP1100112A1/en not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-10-06 TW TW089120924A patent/TW520522B/zh active
- 2000-10-18 JP JP2000318558A patent/JP2001167725A/ja not_active Withdrawn
- 2000-11-11 KR KR1020000066957A patent/KR20010070207A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107438891A (zh) * | 2015-02-10 | 2017-12-05 | 瑞沃拉公司 | 用于使用二次离子质谱的半导体计量和表面分析的系统和方法 |
CN107438891B (zh) * | 2015-02-10 | 2019-11-08 | 诺威量测设备公司 | 用于使用二次离子质谱的半导体计量和表面分析的系统和方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1100112A1 (en) | 2001-05-16 |
JP2001167725A (ja) | 2001-06-22 |
KR20010070207A (ko) | 2001-07-25 |
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