TW518667B - Controlled shrinkage of photoresist - Google Patents

Description

518667 A7 B7 五、發明説明（I) 發明領域 本發明係關於用來控制化學擴張深UV光阻劑之外形 收縮度過程。 發明背景 在積體電路之微電子裝置藉由光蝕刻技術所製造。製 造不同結構，特別地電子裝置結構，典型地包括沉積至少 一層光敏材料，典型地爲熟知光阻劑材料在基質上。該光 阻劑材料可隨後被形成藉由暴露特定波長射線以改變光阻 劑之特性。典型地，射線係來自紫外光範圔之波長β該射 線引起預期光化學反應在光阻劑內發生。 光化學反應改變光阻劑之溶解度特性，因此允許光阻 劑特定部分之移除。選擇地移除光阻劑之特定部分允許保 護基質之特定區域，當暴露其他區域時。該光阻劑之剩餘 部分典型地運用當作護罩或模板用於處理基質之下層部分 〇 這類過程之案例係在半導體裝置之製造，其中例如數 層形成於半導體基質。該數層特定部分可被移除以形成通 過該層之開口 β該開口可允許預期雜質擴散通過該開口進 入半導體基質。其他過程係熟知用於形成裝置在基質上β 如上述之裝置可形成藉由導引適當雜質進入半導體層 以形成適當地摻雜區域。爲提供明確的Ρ或Ν區域，其對 於該裝置之適當運作是必須的，雜質導引發生只通過基質 之限定部分。通常地，這藉由抗飩劑材料覆蓋該基質而且 隨後地蝕刻抗擴散材料，例如二氧化矽或氮化矽至預期深 _ 3___ 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再頁) 訂 -線· 518667 A7 ______ B7 五、發明説明（Y) 度以形成保護層防止雜質擴散通過基質之選擇區域所達成 〇 這步驟之護罩係典型地被提供藉由形成一層材料在半 導體基質上而且，在製造一連串開口通過該層以允許雜質 直接地導引至下方表面。在護罩之這些開口係便利地以熟 知之光阻劑塗覆該矽晶圓。光阻劑可爲負光阻劑或正光阻 劑。 負光阻劑材料是一種可聚合及使得不溶解之材料，當 暴露於輻射線，例如UV射線。因此，當運用負光阻劑材 料時，該光阻劑選擇地暴露於射線，引起聚合作用發生在 基質上方，該基質在隨後操作期間意欲被保護。該光阻劑 之未暴露部分藉由溶劑所移除，該溶劑相對地不受該光阻 劑之已聚合部分影響β 當暴露於該輻射線，正光阻劑係一材料可使得溶解於 溶液中，例如水溶鹼性溶液，其中未暴露抗蝕劑是不溶解 的β因此當應用正光阻劑材料時，光阻劑選擇地被暴露於 射線，引起反應發生在這些基質區域，在隨後運轉期間該 基質不被計劃保護。該光阻劑之暴露部分被移除藉由具有 在光阻劑之聚合化部分最小效果之水鹸性溶液。 光阻劑材料可相似地用來定義電子裝置之其他區域。 努力增加電子裝置之能力，包括電路外形之數目，例 如在半導體晶圓已明顯地增加。當使用一過程例如上述用 於形成裝置在例如半導體基質，增加該能力而且因此在基 質之裝置數目需要裝置或電路外形之尺寸。 __4____ 本紙張尺度適Λ1中國國家標率（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂 線 518667 經^部中央^冬而^^工消贽合竹^印^ A7 B7 _ 五、發明説明（^]) 製造在基質之電路外形之尺寸已經降低之方法係運用 覆蓋層或具有較小開口之線網。這類較小開口暴露半導體 晶圓表面較小部分於輻射線，因此製造較小結構在光阻劑 。爲製造在光阻劑之較小結構，較短單一波長紫外光射線 也可用於相關該覆蓋層或線網以映照該光阻劑爲達成逐漸 減少外形尺寸之最大解析度。 在形成外形在光阻劑後，電子裝置可被形成在基質， 當該光阻劑被沉積在該基質。然而在形成該裝置之前，該 光阻劑可承受耐光性過程。 耐光性典S地係後蝕刻過程可維持抗蝕外形側壁剖面 ，減小過度充氣，減小發泡，減小抗蝕劑置入而且降低抗 蝕劑殘留及顆粒。耐光性使得光蝕刻外形更堅硬及更堅固 以至於使得對於隨後過程更具抗蝕性。耐光性也可降低過 程延遲。耐光性描述於1985年10月22日公告之美國專利 第4,548,688號，該全部揭示內容被倂入參考案。 耐光性運用電磁能，光子，典型地在深UV範圔及加 熱以修整或濃縮光阻劑。較佳地，熱量藉由急升溫度所應 用。典型地，該光阻劑承受UV射線，當立即地被加熱時 。該輻射線及熱童啓動抗蝕劑內化學交鏈反應。 一些硏究者已經發現限定於深UV或化學擴張抗蝕劑 之外形的耐光性引起形成於深UV光阻劑之外形縮小◊這 類收縮度被認爲對於隨後在半導體晶圓之電子裝置結構形 成是有害的，該光阻劑被沉積於該晶圖。該收縮度將沿著 抗蝕劑之長度、寬度及高度發生。換言之，薄膜厚度及臨 5 (請先閱讀背面之注意事項再本頁)

、1T 線 本紙張尺度適刖中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公瘦) " 518667 A7 B7 五、發明説明（f ) 界尺寸將受耐光性過程影響。 水平收縮度，沿著長度或寬度，可導致明顯未預期改 變介於形成於光阻劑之外形與隨後蝕刻外形間。垂直（高 度）收縮度可導致減少數量光阻劑，其可導致對下面基質 之不足夠保護，特別地在不均勻飩刻。許多業者避免使用 深UV抗蝕劑耐光性過程以至於嘗試減小該收縮度，其熟 知發生在深UV抗蝕劑之處理期間。 典型地，基質及光阻劑承受過程例如蝕刻及直接地植 入在外形形成在光阻劑後，例如藉由光蝕刻。這可達到甚 至熟知特定數量收縮度發生在過程期間例如蝕刻及植入。 收縮度僅被計算進入製造於光阻劑之外形尺寸β然而，在 該收縮度之固有的不確定性發生在蝕刻期間。典型地，發 生在蝕刻期間之收縮度不可重製的，可變化的而且改變在 蝕刻器之負載。 發明摘要 本發明提出上述及其他問題藉由顯示利用收縮度現象 之解決方法。 本發明目的係提供一方法甩於控制發生耐光性期間之 光阻劑外形收縮度β 根據較佳方面，本發明提供一過程用於耐光性期网形 成在深UV或化學擴張光阻劑之光蝕刻外形之控制收縮度 。該方法包括決定光阻劑之收縮度剖面β該深光阻劑隨後 曝露紫外光射線及較高溫度直到光蝕刻外形收縮度至預期 數量β 請 先 閱 ik 背

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頁 本紙張尺度適/彳]中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 518667 A7 B7 經沪部中央找冬而K.X消抡合作ii卬¾ 五、發明説明（jf) 根據其他方面，本發明提供一方法用於形成半導體晶 片裝置。該方法包括以光蝕刻形成外形在光阻劑在半導體 晶圓之表面藉由暴露該光阻劑至射線之足夠波長以改變光 阻劑之溶解度特性。半導體晶圓及光阻劑較佳地承受後暴 露停止過程以完成化學擴大過程β半導體晶圓及光阻劑係 承受顯影過程β該光阻劑被暴露至少一胺，至少一醯胺， 至少一醛或氮以降低形成在光阻劑之外形收縮度在半導體 晶圓及光阻劑之隨後處理。半導體晶圓及光阻劑被處理以 形成電路外形及/或在半導體晶圓。 本發明之其他目的及優點藉由熟習下列詳細描述者將 變得明顯，其中顯示及描述本發明較隹實施例，僅藉由實 施本發明之最佳模式顯示。如將瞭解者，本發明可其他及 不同實施例，而且許多詳細係不同方面之改良，沒有偏離 本發明。因此，圖式及描述被認爲本質上係顯示的而不是 限制的。 圖式簡單說明 圖1包括一連續顯微圖式表示一連串外形實現在深 UV抗蝕劑而且承受不同耐光性及烘烤過程以顯示需求、控 制的收縮度之不同階段； 圖2包括一連續顯微圖式表示一連串外形實現在深 UV抗蝕劑而且承受不同耐光性及烘烤過程以顯示需求、控 制的收縮度之不同階段： 圖3表示群組線光阻劑之收縮度數量之圖形顯示，由 以溫度函數之臨界尺寸損失所測置； 7__ 本紙張尺度適中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐）

518667 A7 B7 經淤部中央榀ii-Λ員工消合作ii卬來 五、發明説明（k) 圖4表示群組線光阻劑之收縮度數量百分比之圖形顯 示，由以溫度函數之臨界尺寸損失所測量； 圖5表示群組線光阻劑之收縮度數量之圖形顯示，由 以溫度函數之薄膜損失所測量： 圖6表示群組線光阻劑之收縮度數量百分比之圖形顯 示，由以溫度函數之薄膜損失所測量； 圖7表示分隔線光阻劑之收縮度數童之圖形顯示，由 以溫度函數之臨界尺寸損失所測量； 圖8表示分隔線光阻劑之收縮度數量百分比之圖形顯 示，由以溫度函數之臨界尺寸損失所測置： 圖9表示分隔線光阻劑之收縮度數置之圖形顯示，由 以溫度函數之薄膜損失所測量； 圖1〇表示群組線光阻劑之收縮度數童百分比之圖形顯 示，由以溫度函數之薄膜損失所測量； 發明描述 如上所描述，形成在深UV光阻劑之外形收縮度之現 象係已知的。典型地，避免任何形成在光阻劑之外形收縮 度在後成形過程是非常重要的考慮。事實上如上所敘述， 耐光性過程通常地係藉由特定深UV抗蝕劑過程所避免由 於發生之已知收縮度，是該過程之結果。 > 本發明之發明者已發現在耐光性過程期間所發生之收 縮度可被控制及有效地運用在過程中用於形成半導體裝置 。利用發生之收縮度，本發明允許被取得次較小尺寸裝置 生成，而不要求曝光工具及光阻劑次生成之發展。裝置尺 8 (讀先閱讀背面之注意事項再 -裝· 貢) 訂 -線- 本紙張尺度通/彳]中國國家標準（CNS〉A4規格（210X 297公釐） 518667 經浐部中央榀^-Λρ工消贽合作办卬^ Α7 Β7 五、發明説明（q) 寸之生成係限定爲〇.25#m、0·18μιη及0·12μιη。 即使本發明利用耐光性過程，該過程係終止於一點， 在該點一些外形已經發生但是少於或等於本發明可接受之 外形。本發明也製造包括在過程之已知數量收縮度。 本發明之發明者已發現允許該耐光性過程被處理超越 典型的已知收縮度點，該收縮度最終地變得均勻而且緩慢 。雖然收縮度發生而且，在一些情形下許多收縮度發生， 本發明之發明人已發現該收縮度可有效地被利用在半導體 裝置產生過程。不像所發生之收縮度，例如當處理光阻劑 在電漿，根據本發明所發生之收縮度係可控制的而且可預 測的。 爲容許收縮度，抗蝕劑厚度可被增加以補償垂直收縮 度。藉由漸增的厚度，在耐光性用於保護基質或其他功能 後大數目抗蝕劑將維持。

然而，抗蝕劑厚度不需要被增加。這是由於深UV抗 蝕劑之逐漸硬化，是深UV抗蝕劑承受耐光性過程的結果 。該耐光性過程可充分地交鏈而且因此硬化深UV光阻劑 至蝕刻增加選擇地補償增加的薄膜厚度之點。I 藉由運用本發明，較小裝置尺寸可被製造而且裝匱密 度可被增加而沒有需要發展新曝光裝置，該裝置可製造較 小裝置尺寸而沒有考慮縮小。因此，較小裝置尺寸以較低 成本被製造在.晶片上，因爲耐光性以相對低成本、現存裝 置可被執行。另一方面，可製造較小裝置尺寸之曝光工具 尙未存在而且花費昂貴。 _9___ 表紙張尺度適州中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (諳先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂 線 518667 A7 B7 五、發明説明（t) 運用本發明，起初形成在光阻劑之外形典型地具有尺 寸從大約〇.25#m至0.18ym。運用本發明之過程，以這 類尺寸發展之外形可縮減從大約5%至大約30¾。較佳地 f 先 ，本發明過程導致這類從大約20%至30%尺寸之外形收縮 | 背 度。本發明可導致具有大約0.25//m至0.18/zm這類尺寸 之外形收縮度。 當然根據本發明收縮度數量可變化，依照運用的過程 參數。該過程參數以下將被更詳細描述。 根據被發明，因爲該收縮度已經被發現可預測的及可 控制的，藉由考慮縮小數量，該收縮度數量可被考慮當形 成外形在光阻劑上，該光阻劑隨後承受該本發明過程。此 外當精確地決定至收縮度之程度或百分比，已知收縮度數 童可被考慮當該過程被設計時。隨後地，覆蓋層或線網可 基於已知收縮度數量。關於已知縮小數量之製造該覆蓋層 係熟知的覆蓋層偏移。 經济部中夾«:^-x;h工消抡合竹#印¾ 根據本發明過程之實施例，外形以光蝕刻形成之光阻 劑被曝光於紫外線及較高溫度直到該外形收縮度至預期數 量。 在實施該曝光之前，該光阻劑之收縮剖面可被決定。 該收縮剖面可包括形成在光阻劑之光蝕刻外形所經歷之收 縮度數量，當曝光該外形至不同耐光性，硬烘烤及/或其他 過程。這類實驗之案例係顯示於圖式中。該圖式顯示至少 一部份收縮剖面用於該光阻劑。該外形剖面可依照光蝕刻 外形之收縮度。當注意本發明揭示，熟知此技藝者將決定 ___1Ό_ 本紙张尺度適州中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 518667 A7 B7 五、發明説明（γ ) 光阻劑之收縮剖面而沒有不當實驗。 根據本過程，紫外射線具有從大約200nm至大約 350nm之波長。然而，任何波長可被運用以製造耐光性之 預期收縮度及/或程度◊ 光阻劑被暴露之升高溫度可從大約20°C至230°C ◊較 佳地，該溫度係從大約120°C至230°C。更佳地，溫度係從 160°C至大約230t。附加地，溫度可至少大約160°C ◊ 溫度可變化，依照被運用之光阻劑。可影響溫度之因 素包括光阻劑之玻璃轉換溫度、光阻劑之溶劑含量及/或在 光阻劑之固體百分比。 光阻劑可立刻地被暴露至完全升高溫度。另一方面， 溫度以低點開始而且被增加，或傾斜上升至高溫。溫度緩 慢地或快速地上升。在傾斜上升過程期間，溫度將平緩或 趨平穩持續一段時間。在趨平穩後，溫度可再度被增加。 溫度可被平緩而且傾斜數倍，在達到最終溫度之前。 在達到最終高溫後，溫度可減少。根據一些實施例， 光阻劑以最終溫度從該裝置被移除而且，因此立刻地暴露 於環境溫度。另一方面，溫度可被向下降低。當被向下降 時，溫度再度被平緩一次或多次。 參數例如射線及特性，該升高溫度、及曝光時間變化 依照預期的收縮數量。參數可不相同依照使用的光阻劑。 光阻劑及基質暴露於較高溫度及射線之時間間隔可依 照預期的收縮度數量及被運用的光阻劑。根據實施例，基 質及光阻劑暴露於較高溫度及射線持續時間大約20秒至大 _____η___ 本紙張尺度適州中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇Χ297公釐） 518667 A7 ______________B7__ 五、發明説明（/ 0 ) 約220秒。較佳地，基質及光阻劑暴露於較高溫度及射線 持續時間大約30秒至大約220秒。更佳地，基質及光阻劑 暴露於較高溫度及射線持續時間大約30秒至大約140秒。 更佳地，基質及光阻劑暴露於較高溫度及射線持續時間大 約70秒至大約140秒。另一方面，基質及光阻劑暴露於較 高溫度及射線持續時間大約70秒。 如所見者，本發明實施耐光性過程持續時間長於習知 技術所熟知者。根據習知技術，耐光性時間較短的，特別 地以避免收縮。本發明繼續該耐光性過程超越正常地被停 止之點。 特別重要的似乎爲光阻劑所暴露光線及熱量之均勻度 。不像可正常地發生在蝕刻器之收縮度，本發明應用較均 勻過程，特別地重複使用。另一方面，當蝕刻器可製造一 些收縮在光阻劑上，該收縮係不可預期的而且不均勻的。 當運用蝕刻器所經歷之不均勻收縮是由蝕刻器中建立之材 料所合成，改變過程條件，當蝕刻器被更常使用。另一方 面，本發明不用於暴露已經曝光外形以增加外形，如蝕刻 〇 根據較佳實施例，本發明過程之紫外射線係深紫外射 線。換言之，該射線係在紫外頻帶深處。也就是，紫外射 線傾向具有較短波長。 本發明也包括一方法用於形成半導體裝置。這些方法 包括以光蝕刻形成外形於沉積在半導體晶圖表面之光阻劑 。該光阻劑暴露於射線波長足以改變光阻劑之溶解度性質 12______ 本紙張尺度適/丨]中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） (讀先閱讀背面之注意事項再本頁) —裝. -訂 線 518667 經浐部中决榀枣而只工消於合作社印製 A7 B7 五、發明説明（I / ) 〇半導體晶圓及光阻劑承受後曝光烘烤過程。半導體晶圓 及光阻劑隨後承受顯像過程。 其次，半導體晶圓及光阻劑承受耐光性過程。該耐光 性過程導致光蝕刻外形之收縮。半導體晶圓及光阻劑隨後 被處理以形成電路外形在半導體晶圓上。 以光蝕刻形成外形在光阻劑之方法，暴露光阻劑、後 曝光烘烤過程、顯像過程之方法，而且形成電路外形在半 導體晶圓之方法係已知。例如這類過程，Microchip Fabrication, McGraw-Hill， 1997 或 Introduction to Microlithography，2nd Ed·，1994，這些發表內容被倂入參考 案中。 參考上述之耐光性過程包括該光阻劑及半導體晶圓承 受紫外射線與較高溫度。用於射線與溫度之上述相同參數 應用於本發明形成半導體裝置之過程。 本發明也被認爲包括半導體裝置形成運用本發明過程 ^再者，本發明包括耐光性光阻劑包括以光蝕刻形成已經 縮小之外形。 圖1包括一連串顯微圖式顯示光阻劑之需要、控制收 縮度群組線之不同階段，該光阻劑具有大約〇.25#m之寬 度在暴露於不同耐光性及烘烤過程後，參數被標示於行與 列之頭部。如上所述，顯示於圖1及2之案例與顯示於圖 3-10圖式之結果被實施運用來自Shipley，Inc·，之Shipley UV4深UV抗蝕劑（PHS/ESCAP)。圖1之第一行顯示一 連串向下移動該行之顯微圖式，外形已經暴露耐光性之時 _·_13____ (請先閱讀背面之注意事項再本頁) —裝. 本 、1Τ 線 本紙張尺度適λϊΙ7國國家標CNS)A4規格（2i〇x297公釐） 518667 經济部中央標涔工消货合作^卬$i A7 B7 _ 五、發明説明（t 間數童增加從大約0秒至大約M0秒在第一行之底部照片 。第二行及第三行顯示執行隨後硬烘烤在第一行所處理外 形之結果。 圖2包括一連串顯微圖式顯示光阻劑之需要、控制收 縮度分隔線之不同階段，該光阻劑具有大約0.25//m之寬 度在暴露於不同耐光性及烘烤過程後，參數被標示於行與 列之頭部。圖2之行與列代表相似過程如顯示於圖1之行 與列。 圖3-10包括在不同溫度不同耐光性及烘烤過程效果之 圖形表示，顯示絕對及相對收縮度數量。在圖3-10，CD 代表臨界尺寸而且HB代表硬烘烤。 本發明係特別地有效用於處理深UV光阻劑。特別地 ，本發明特別有效於處理化學擴張光阻劑。本發明可被運 用之光阻劑案例係Ito，深UV抗蝕劑；Evolution and status, Solid State Technology，July 1996 ; Conley， Performance of an advanced DUV photoresist for 256Mb DRAM fabrication ; Nalamasu, Recent progress in resist materials for 193nm lithography; Future Fab International » 該所有揭示內容因此被倂入參考案中。顯示於圖式之案例 被實施運用來自Shipley，Inc·，之Shipley UV4深UV抗蝕劑 (PHS/ESCAP)。當然，任何關於Shipley UV4深UV抗蝕 劑（PHS/ESCAP)之光阻劑也可被使用。 本揭示內容顯示與描述以上本發明較佳實施例，閱讀 揭示內容應瞭解本發明可使用於不同其他組合、改良及環 _14___ (讀先閱讀背面之注意事項再本頁)

訂 -線 本紙張尺度適/彳]中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 518667 A7 __ B7 五、發明説明（丨》） 境而且可改變或改良在本發明觀念之範疇內。 15 本紙張尺度適Λ中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

1. 518667 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 少於該曝光至紫外射線前該光蝕刻外形之最小寬度。 10·如申請專利範圍第1項所述之過程，其中該化學擴 張包括以化學地擴張抗蝕劑包覆之晶圓承受UV射線，而 且同時地承受控制的上升加熱過程以允許該限定外形之控 制收縮度。 11·如申請專利範圍第1項所述之過程，其中該光阻劑 係暴露於該紫外射線及較高溫度持續時間從大約20秒至 220 秒。 I2·如申請專利範圍第1項所述之過程，其中該光阻劑 係暴露於該紫外射線及較高溫度持續時間從大約30秒至 140 秒。 13·如申請專利範圍第1項所述之過程，其中該光阻劑 係暴露於該紫外射線及較高溫度持續時間從大約70秒至 140 秒。 14·如申請專利範圍第1項所述之過程，其中該光阻劑 係暴露於該紫外射線及較高溫度持續時間至少大約70秒。 15·如申請專利範圍第1項所述之過程，其中該紫外射 i泉是深UV紫外射線在耐光性過程所實施。 16· —種用於形成半導體晶片裝置之方法，該方法包括 步驟： 實施光蝕刻形成外形曝光在半導體晶圓表面上； 半導體晶圓及光阻劑承受後曝光烘烤過程； 半導體晶圓及光阻劑承受顯影過程，使得由光阻劑所 形成的外形可形成在該半導體晶圓上； 2 --___ _ _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫·

   訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 518667 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ~ ~ 暴露半導體晶圓及光阻劑至耐光性過程，該耐光性過 程導致該光蝕刻外形之收縮度而且同時維持該外形的形狀 :及 處理該半導體晶圓及光阻劑以形成電路外形在半導體 晶圓上。 17·如申請專利範圍第16項所述之過程，其中耐光性 過程包括該光阻劑承受紫外射線及較高溫度。 18·如申請專利範圍第17項所述之過程，其中紫外射 線具有大約250nm至350nm之波長。 19.如申請專利範圍第17項所述之過程，其中較高溫 度係從大約20°C至大約230°C。 20·如申請專利範圍第17項所述之過程，其中該較高 溫度係從大約120°C至大約230°C。 21·如申請專利範圍第17項所述之過程，其中該較高 溫度係從大約160°C至大約230°C。 22·如申請專利範圍第17項所述之過程，其中該較高 溫度至少大約160°C。 23.如申請專利範圍第17項所述之過程，其中該曝光 至紫外射線之前，該光蝕刻外形具有大約0.25/zm之最小 寬度而且曝光至紫外射線之後，該光飩刻外形具有大約 之最小寬度。 24·如申請專利範圍第17項所述之過程，其中在曝光 至紫外射線之後，該光蝕刻外形具有大約5%至大約30% 係少於該曝光至紫外射線前該光蝕刻外形之最小寬度。 —------2_一 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫. 裝· 、言 線 518667 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 25·如申§ra專利範圍第17項所述之過程，其中該化學 擴張包括被化學地擴張抗蝕劑包覆之晶圓承受UV射線而 且同時地承受加熱過程包括控制的溫度、設定點增加溫度 、或增加溫度包括至少一較大增加及至少一平緩增加之組 合，因此導致限定外形之控制縮小。 26·如申請專利範圍第17項所述之過程，其中該光阻 劑係暴露於該紫外射線及較高溫度持續時間從大約20秒至 220 秒。 27·如申請專利範圍第17項所述之過程，其中該光阻 劑係暴露於該紫外射線及較高溫度持續時間從大約30秒至 140 秒。 28·如申請專利範圍第17項所述之過程，其中該光阻 劑係暴露於該紫外射線及較高溫度持續時間從大約70秒至 140 秒。 29·如申請專利範圍第17項所述之過程，其中該光阻 劑係暴露於該紫外射線及較高溫度持續時間至少大約70秒 〇 30. —種用於形成半導體晶片裝置之方法，該方法包括 步驟： 以光蝕刻形成外形在半導體晶圓表面之光阻劑； 半導體晶圓及光阻劑承受後曝光烘烤過程； 半導體晶圓及光阻劑承受顯影過程； 暴露半導體晶圓及光阻劑至耐光性過程，該耐光性過 程導致該光蝕刻外形之收縮度；及 --4--- 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填· 寫. -裝- 、νά 518667 ABCD ττ、申請專利乾圍 處理該半導體晶圓及光阻劑以形成電路外形在半導體 晶圓上。 31. —種用於形成半導體晶片裝置之方法，該方法包括 步驟： 暴露該光阻劑於紫外射線及較高溫度直到光蝕刻外形收縮度至預期 數量。 (請先閲讀背面之注意事項再填- -裝丨 、言 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）