TW511181B - Dry etching apparatus - Google Patents

Description

五、發明說明（1) 【發明領域】 $發明疋有關於一種乾式蝕刻用裝置，且特別是有關 i ^可改善電漿製程中晶圓表面光阻之蝕刻均勻性的乾 式蝕刻用艙室裝置。 【發明背景】 >…、第1圖，其係表不習知乾式蝕刻用裝置之示意剖 ^ 圖中1〇為艙至上蓋（chamberdome) ，12為電漿 f體爻’氣〇，20為用以令電漿氣體擴散之盤狀物（disk )，=為用以嵌入上述盤狀物20之上調節板（upper a e ) ，24為調節板間隔物（baf f le spacer ) ，26為 下調節板（i〇wer baffle) ，28為調節板支承物（baffie support )，30為表面形成有光阻之晶圓，4〇為用以夾持 ϊΐί晶圓3之夾盤（ChUCk) ，50為搶室本體，6〇為電 ^国Μ*113 °第2圖則係表示上述第1圖中盤狀物20之 正面圖，圖+，此盤狀物20係具有複數開孔心。 在々述習知乾式银刻用裝置中’大多是採用如第2圖 所:之開設有複數開孔20a的盤狀物2〇來令電漿氣體一進 =室就能迅速擴散’同時為了耐钱刻性起見，故上述盤 =通常係使用耐蚀刻材料來製成、然而，由於盤狀物 &二#上述複數開孔2〇&，故會使得電漿氣體無法被充份 地擴政至晶圓30的邊緣部（如第w中之箭頭所示），因 此會使得晶圓邊緣部的姓刻厚度太薄，而導致钮刻均句性

(uniformity) 降低。除，th夕认 丄丄A A > % ▲ 陈此之外，由於上述盤狀物20開設 有複數開孔20a，因此較容易為電裝氣體所蚀刻侵韻，故 勝

HB 0503-6990TWF ; TSMC2001-1052 ; peterliou.ptd 第6頁 511181 五、發明說明（2) 其使用壽命（life time)也會因此而縮短。 【發明概要】 有鏗於此，本發明的主要目的就是提供— 用裝置，包括·· 八種乾式蝕刻 部 以 一艙室本體部’具有一邊緣部、一邊緣四 ，且上述底部具有一第一開口部，上述第一門°底 排出一既定氣體； # 口部係用 底部，係用以夾 一調節板支承物，設置於上述艙室本體部之邊緣凹 一夾盤部，設置於上述艙室本體部之 持住上述晶圓； 部； 一第一調節板，設置於上述調節板支承物之表面； 一調節板間隔物，設置於上述第一調節板之夺面· 且 一第二調節板，設置於上述調節板間隔物之^ : 上述第二調節板具有一凹部； 一盤狀物，設置於上述第二調節板之凹部，且上 狀物本身並未開設有開孔；以及 盤 -上蓋部，具有一第二開口部，上述 =入士述既定氣體，且上述上蓋部係設室： 體部之邊緣部； 〜^ s + 孔，2 I if ΐ ί f :調卽板及第二調節板皆開設有複數開 ^。且上㈣郎板間隔物及調節板支承物皆為—空心環狀 藉由利用上述之乾式餘刻用裝置，就可使電蒙氣體能

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更均勻地擴散至晶圓的邊綾部 被蝕列至丨ί ,囡处植上 ' 而讓晶圓邊緣部能均勻地 I (unif〇rmity) ; ,b :亦= ί;ί刻用裝置中之盤狀物未開設有開孔， 而ϋΐ具般Γ榀本身及相鄰之調節板被蝕刻的機會，因 而可延長盤狀物及調節板之使用 【圖式之簡單說明】 ^圖係|不習知的乾式餘刻用裝置之#意剖面圖。 第2圖係表示第1圖中之盤狀物的正面圖。 第3圖係表示本發明的乾式蝕刻用裝置之立體圖。 第4圖係表示第3圖中之盤狀物的正面圖。 第5圖係表示本發明的乾式餘刻用裝置之示意剖面 符號說明】 10〜艙室上蓋； 20〜盤狀物； 24〜調節板間隔物； 2 8〜调郎板支承物； 40〜夾盤； 60〜出氣口； 11 2〜入氣口； 122〜上調節板； 126〜下調節板； 1 3 0〜晶圓； 150〜艙室本體； 12〜入氣口； 22〜上調節板； 26〜下調節板； 30〜晶圓； 50〜艙室本體； 110〜艙室上蓋； 120〜盤狀物； 124〜調節板間隔物 128〜調節板支承物 140〜夾盤； 1 52〜邊緣部；

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154〜邊緣凹部； 156〜底部； 1 60〜出氣口。 【發明之詳細說明】 的、、特徵、和優點能更明 ，並配合所附圖式，作詳 為讓本發明之上述和其他目 顯易懂，下文特舉出較佳實施例 細說明如下： 【實施例】 參照第3圖，其係表示本發明的乾 體圖。圖中，11〇為餘室上蓋，112為入\^用裝_置之立 _ 丄二2〇為盤狀物’ 122為上調節板（第二調節板「:二： 物"126為下調節板（第-調節板）為 夾盤，142為0形環，15°為餘室本體 此外，此處未圖示之出氣口 （第一開口部）160可夂見 ΐίιΐη:圖中所示。而第4圖則是表示上述第3圖中之盤 = 120的正面圖，由此圖可知，盤狀物㈣本身並未開設 有任何開孔。 以下，就第5圖來對本發明之乾式蝕刻用裝置的構成 進行更進一步的說明，而第5圖則係表示本發明的乾式蝕 刻用裝置之示意剖面圖。首先，如第5圖中所示，艙室本 體部150係具有邊緣部152、邊緣凹部154及底部156，且上 述底部156係具有一第一開口部（入氣口）16〇，此第一開 口部160乃用以排出電漿氣體（未圖示）。其次，在上述 艙室本體部1 5 0之底部1 5 6係設置有夾盤部1 4 〇，此夾盤部 1 4 0乃用以夾持住晶圓1 3 〇。

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五、發明說明（5) 接著，分別依序於上述艙室本體部150之邊緣凹部154 設置有調節板支承物128、於此調節板支承物128表面設置 有第一調節板1 2 6、於此第一調節板1 2 6表面設置有調節板 間隔物1 24、以及於此調節板間隔物1 24表面設置有第二調 節板122 (上調節板）。其中，上述調節板間隔物124及調 節板支承物1 2 8為一空心環狀物，而上述第二調節板1 2 2則 具有一凹部（未圖示）。 再來，盤狀物1 2 0係設置於上述第二調節板1 2 2之凹部 内’且如上述第4圖中所示，此盤狀物1 2 0本身並未開設有 開孔。最後，上蓋部11 〇係具有一第二開口部（入氣口） 112，此第二開口部112乃用以通入前述電漿氣體（未圖示 )’且上述上蓋部11 〇係設置於艙室本體部丨5 〇之邊緣部 1 5 2。其中’上述第一調節板1 2 6及第二調節板1 2 2皆開設 有複數開孔（參見第4圖中所示），此複數開孔乃用以令 前述電漿氣體擴散流通用。 藉由如上所述之本發明的乾式蝕刻用裝置，由於盤狀 物120本身並未開設有開孔，故在施行乾式蝕刻時，蝕刻 用之，漿氣體一由第二開口部（入氣口）112引入後，就 會丄著未開没有開孔的盤狀物丨2 〇往晶圓丨3 〇的邊緣部擴散 (如第5圖中之實線箭頭所示），故比起習知技術（如第5 圖虛ί箭頭所示）而言，更能使電漿氣體均勻地擴散 至曰曰f ^邊緣部，而讓晶圓邊緣部能均勻地被韻刻到，因 此可提南#刻之均勻性^ f + 、 J J r生（uni formi ty );此外，由於上述 盤狀物1 2 0本身夫聞抓古叫π ^ t ^ 田〜上4 竭叹有開孔，因此亦能降低盤狀物丨2 〇本

五、發明說明（6) 體及設置有此盤狀 蚀刻的機會，故可 另外，上述本 體並未特別限定， 中並以例如··氧電 材料亦未特別限定 料，其中並以由例 雖然本發明已 限定本發明，任何 和範圍内，當可作 範圍當視後附之申 (上調節板）被 板之使用壽命。 所使用的電漿氣 的電漿氣體，其 述盤狀物1 2 0之 用的耐餘刻性材 較佳。 ，然其並非用以 離本發明之精神 此本發明之保護 物120之第二調節板122 大幅延長盤狀物及調節 發明的乾式蝕刻用裝置 可使用一般公知所使用 漿氣體等較佳。又，上 ’可使用一般公知所使 如：藍寶石等材料構成 以較佳實施例揭露如上 熟習此技藝者，在不脫 各種之更動與潤飾，因 睛專利範圍所界定者為準。

Claims (1)

1. U丄丄丄〇丄 U丄丄丄〇丄 六 申請專利範園 ^ ，乾式蝕刻用裝置，適用於一晶圓，包括： 本體部，具有一邊緣部、一邊緣凹部及 排出-既定電漿氣體； 上述第-開口部係用以 持住:ίΓ;;設置於上述搶室本體部之底部，係“爽 部；一調節板支承物，設置於上述艙室本體部之邊緣凹 =第一調節板，設置於上述調節板支承物之表面· =調節板間隔物，設置於上述第一調節板之表面 一第二調節板，設置於上述調節板間隔物之表j 上述第二調節板具有一凹部； 面且 、一盤狀物，設置於上述第二調節板之凹部，且上述盤 狀物本身並未開設有開孔；以及 一上蓋部，具有一第二開口部，上述第二開口部係用 以通入上述既定電漿氣體，且上述上蓋部係設置於上述艙 至本體部之邊緣部； 其 其中，上述第一調節板及第二調節板皆開設有複=開 孔，且上述調節板間隔物及調節板支承物皆為一空心J衣狀 物。 其 2·如申請專利範圍第1項所述之乾式蝕刻用裝置 中上述既定.電漿氣體為氧電漿氣體。 3 ·如申請專利範圍第丨項所述之乾式蝕刻用裝置 中上述盤狀物係由藍寶石所構成。 Μ 0503-6990TWF ； TSMC2001-1052 ； peterliou.ptd 第12貢