TW502260B - Semiconducting ceramic material and electronic part employing the same - Google Patents

Semiconducting ceramic material and electronic part employing the same Download PDF

Info

Publication number
TW502260B
TW502260B TW089125142A TW89125142A TW502260B TW 502260 B TW502260 B TW 502260B TW 089125142 A TW089125142 A TW 089125142A TW 89125142 A TW89125142 A TW 89125142A TW 502260 B TW502260 B TW 502260B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
temperature
ceramic material
resistance
scope
range
Prior art date
Application number
TW089125142A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Niimi
Akira Ando
Mitsutoshi Kawamoto
Masahiro Kodama
Original Assignee
Murata Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co filed Critical Murata Manufacturing Co
Application granted granted Critical
Publication of TW502260B publication Critical patent/TW502260B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

502260 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 發明領域’ 本發明涉及半導性陶瓷材料和使用它的電子元件，特別 涉及具有正電阻溫度係數的鈦酸鋇（BaTi03)半導性陶瓷材料 和使用這種陶資材料的例如熱敏電阻的電子元件。 以往，具有正電阻溫度係數（下面簡稱為PTC)的BaTi03半 導性陶瓷材料已經廣泛地應用於PTC熱敏電阻中，例如應用 陰極射線管的消磁或者加熱器中的元件。而且，為了擴大 其使用範圍，強烈要求提高BaTi03半導性陶瓷材料的耐壓， 並建議將例如錳(Μη)和鈣（Ca)等元素添加到陶瓷材料中。 但是，通過以往的組成和製造方法使BaTi03半導性陶瓷 材料充分耐壓是困難的，並且為了獲得高耐壓*必須增加 半導性陶瓷片的厚度。特別當將半導性陶瓷片結合到電子 元件、例如單片PTC熱敏電阻中時，陶瓷片厚度的增加不能 超過一定的厚度。因此強烈地要求提高的每單位厚度的半 導性陶瓷材料耐壓值。 發明概要 因此，本發明人根據耐壓和電阻的溫度特性之間的關 係，對PTC特性的BaTi〇3半導性陶瓷材料（下面，稱為“PTC BaTi03半導性陶瓷材料”）進行了廣泛深入的研究，發現將 在第1溫度範圍和第2溫度範圍之間的邊界上的邊界溫度（下 面稱為“TN溫度”，參照圖1)控制成高於居裏溫度（Curie temperature) 180°C或者更高之溫度，導致即使在室溫下電阻 與存在的類似半導性陶瓷材料相同，但耐壓卻顯著地提 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） -4 - 502260 A7 B7 五、發明説明（2 ) 高。第1溫度範圍高於居裏溫度，並且在這種範圍内陶瓷材 料具有正電阻溫度係數，第2溫度範圍高於第1溫度範圍， 並且在這種範圍内陶瓷材料具有負電阻溫度係數。 以往的製造BaTi03半導性陶瓷材料的方法顯示在TN溫度 與居裏溫度之間的100-150°C的差。本發明表明將液相成分 抑制成最小，並將焙燒溫度控制成陶瓷沒有被完全燒結的 溫度，對提高TN溫度並導致高的耐壓是有效的。本發明是 基於這種發現而實現的。所謂“沒有被完全燒結”是指被 燒結的陶瓷粒子具有一定量的粒間空間的狀態。反之，所 謂“被完全燒結”是指被燒結的陶瓷粒子具有高密度，使 得實際上用普通的電子顯微鏡看不見粒間空間的狀態。 本發明的目的在於提供一種能高耐壓的PTC的BaTi〇3半導 性陶瓷材料，本發明的另一個目的在於提供一種半導性陶 瓷材料的製造方法。本發明的另外一個目的在於提供一種 使用這種半導性陶瓷材料的電子元件。 本發明第1發明的半導性陶瓷材料，包含鈦酸鋇（BaTi03) 並具有正電阻溫度係數（PTC)特性， 在第1溫度範圍和第2溫度範圍之間的邊界上的邊界溫度. 是高於居裏溫度180°C或者更高之溫度，其中 第1溫度範圍高於居裏溫度，並且在這種範圍内陶瓷材料 具有正電阻溫度係數， 第2溫度範圍高於.第1溫度範圍，並且在這種範圍内陶瓷 材料具有負電阻溫度係數。 較好的是，用彭（Sm)原子代替一部分的鋇（Ba)原子，或 _；_ζ5^_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐） 502260 A7 B7 五、發明説明（3 ) 者包含用η表示的大約0.0005莫耳（mol)比的二氧化矽 (Si02)，和可選擇地包含用r2表示的大約0到0.0001莫耳（mol) 比的錳（Μη)，以及基於作為主要成分的BaTi03的莫耳（mol) 比0 在本發明中，居裏溫度是指從正方晶到立方晶或者從立 方晶到正方晶的晶相轉移溫度。 本發明另一個發明的電子元件， 包括内部電極和前述的半_性陶資材料， 所述内部電極和所述半導性陶瓷材料相互重疊。 本發明另一個發明的半導性陶瓷材料的製造方法，包括 對被賦予半導性性能的鈦酸鋇（BaTi03)源材料與二氧化矽 (Si02)和可選擇的鏟（Μη)進行混合而形成的混合物， 對產生的混合物進行娘燒， 對煅燒後得到的混合物與有機粘合劑進行混合， 對產生的混合物進行壓坯而形成坯塊， 在私/沁氣氛中並在低於混合物被完全燒結的溫度下，對 坯塊進行焙燒， 在空氣中對焙燒後的坯塊再次進行氧化。 較好的是，在大約1000°C溫度下再次進行氧化， 較好的是，焙燒溫度大約是1225-1275°C。 雖然陶瓷材料被完全燒結的溫度依賴于它的化學成分， 但本發明的半導性陶瓷材料在1350°C被完全燒結。 如以往那樣，當TN溫度與居裏溫度之間的差小於等於180 °C時，不能得到充分的耐壓。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） -6 - 502260 A7 B7 五、發明説明（4 ) 圖示簡單說明 參照附圖以及後述的實施例的詳細描述，能進一步理解 本發明的目的、特徵和優點。 圖1表示正電阻溫度係數（PTC)的BaTi〇3半導性陶瓷材料 的電阻-溫度特性圖。 圖2表示實施例1 - 3和比較例1的陶瓷材料的電阻-溫度特 性圖。 圖3表示單片PTC熱敏電阻的圖解圖。 發明之實施形態 下面，參照附圖對實施本發明的最佳實施形態進行說 明。 實施例 以BaC〇3、Ti〇2、Sm2〇3、MnC〇3和Si〇2為原材料混合成混 合物，例如混合成 (Ba〇.998Sm〇.〇〇2)i.〇〇2Ti〇3+X* Mn +Y· Si〇2 將這種粉狀混合物調在水中用氧化錘球磨細5小時，接著 在1100°C下煅燒2小時。對煅燒後得到的混合物與有機粘合 劑進行混合，對產生的混合物在乾燥條件下進行壓链，在 h2/n2氣氛中並在預先決定的溫度下對形成的坯塊進行焙 燒，在空氣中並在1000°C溫度下對焙燒後的坯塊再次進行 氧化，製造陶瓷試料。板據準備的試料，對焙燒溫度進行 修正。獲得4類試料。通過根據Μη的添加量X和Si02的添加 量Y來控制PTC特性的以往方法，獲得比較例1的試料.本發 明通過將Μη和Si02的量限制成較小並以相對低的溫度進行 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 502260 A7 B7 五、發明説明（5 ) 焙燒，獲得實施例1-實施例3的試料。 表1表示試料對於Μη的添加量（X)、Si02的添加量（Y)、焙 燒溫度、TN溫度、TN溫度與居裏溫度之間的差、室溫電 阻、PTC特性（0°C-400°C溫度的最大電阻（Rmax)對於25°C的 電阻（R25)的比值（ratio)經捨入或最接近的整數，並以整數位 數表示）和耐壓的特性。圖2表示試料的電阻-溫度特性。 表1 Μη 的添加量 X Si02 的添加量 Y 烚燒 溫度 (°C) TN 溫度 ΓΟ TN溫度與 居裏溫度 的差(°C) 室溫 電阻 (Ω) PTC特性 Rmax/R25 (位） 耐壓 (V/mm) 實施例1 0 0 · 0005 1225 370 250 0.1 6 1200 實施例2 0 - 00005 0 · 0005 1250 340 220 0.1 6 1100 實施例3 0 - 0001 0-0005 1275 300 180 0.1 6 900 比較例1 0 - 0005 0-01 1350 260 140 0.1 6 350 裝 訂
由表1和圖2可見，儘管試料具有與比較例相同的室溫電 阻和PTC特性，但通過將Μη和Si02的量限制成最小程度並以 相對低的溫度進行焙燒，使實施例1-實施例3的耐壓顯著地 提高。 比較例 以BaCo3、Ti02、Sm203、MnC03和Si02為原材料混合成混 合物，例如混合成 (Ba〇.998Sm〇.〇〇2)i.o〇2Ti〇3+X· Mn + Y· Si〇2 將這種粉狀混合物調在水中用氧化锆球磨細5小時，接著 在1100°C下烺燒2小時。對烺燒後得到的混合物與有機粘合 劑進行混合，並形成片。以Ni為内部電極，並印刷在各個 片上。然後，對多個塗Ni的片進行疊層，並在H2/N2的還原 氣氛中對產生的疊層進行焙燒，然後在大氣中用800°C對這 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） -8 - 502260 A7 B7 五、發明説明（6 ) 些焙燒後的疊層進行加熱，並通過焙燒形成Ni外部電極和 同時對半導性陶瓷材料進行再氧化作用，產生圖3所示的單 片PTC熱敏電阻10(試料）。產生4種試料。通過根據Μη的添 加量X和Si02的添加量Υ來控制PTC特性的以往方法，獲得 比較例2的試料.本發明通過將Μη和Si02的量限制成最小並 以相對低的溫度進行焙燒，獲得實施例4-實施例6的試料。 圖3所示的單片PTC熱敏電阻10(試料）包括疊層體12。在疊 層體12中，對由前述半導性材料組成的半導性材料層14和 由Ni組成的内部電極16進行交互疊層。配置疊加在交替層 上的電極16，使其伸出疊層體12的第1側面，並配置電極16 的剩下的部分，使其伸出疊層體12的第2侧面。將外部電極 18a配置在疊層體12的第1側面上，並將外部電極18b配置在 疊層體12的第2側面上。因此，將外部電極18a連接到疊加 在交替層上的電極16上，將外部電極18b連接到叠加在電極 16的剩下的部分上。 表2表示試料對於Μη的添加量（X)、Si02的添加量（Y)、焙 燒溫度、TN溫度、TN溫度與居裏溫度之間的差、室溫電 阻、PTC特性（Rmax/R25)和耐壓的特性。 表2 Μη的添 加量X SiOA 添加量 Y 焙燒 溫度 (°C) TN 溫度 ΓΟ TN溫度與 居裏溫度 的差(°C) 室溫 電阻 (Ω) PTC特性 Rmax/R25 (位） 耐壓 (V/mm) 實施例4 0 0 · 0003 1200 370 250 0.1 3.2 450 實施例5 0 · 00004 0 · 0003 1225 340 220 0.1 3.1 420 實施例6 0 · 00007 0 · 0003 1250 300 180 0.1 3.0 350 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 X 297公釐） -9 - 502260 A7 B7 五、發明説明（7 ) 比較例2 0 · 0005 0 · 01 1300 260 140 0.1 1.5 53 由表2可見，儘管試料具有與比較例2相同的室溫電阻和 PTC特性，但通過將Μη和Si02的量限制成最小程度並以相 對低的溫度進行焙燒，使實施例4-實施例6的耐壓顯著地提 高。 如前所述，本發明能提供耐壓高的具有正電阻溫度係數 (下面簡稱為PTC)的BaTi〇3半導性陶瓷材料和使用它的電子 元件，例如使用這種陶瓷材料的PTC熱敏電阻。 元件符號說明 12 疊層體 14 半導性材料層 16 内部電極 18a 外部電極 18b 外部電極 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） -10-

Claims (1)

  1. 502260 A8 . B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種半導性陶瓷材料，包含鈦酸鋇（8&1：丨03)並具有正電 阻溫度係數特性，其中， 在第1溫度範圍和第2溫度範圍之間的邊界上定義的邊 界溫度是高於居裏溫度180°C或者更高之溫度，其中 第1溫度範圍高於居裏溫度，並且在這種範圍内陶瓷材 料具有正電阻溫度係數， 第2溫度範圍高於第1溫度範圍，並且在這種範圍内陶 瓷材料具有負電阻溫度係數。 2 . —種電子元件，.其係包括内部電極和如申請專利範圍1 所述的半導性陶瓷:材料， 所述内部電極和所述半導性陶瓷材料相互重疊。 3 .如申請專利範圍第1項之半導性陶瓷材料，其中，用釤 (Sm)原子代替一部分的鋇（Ba)原子。 4. 如申請專利範圍第1項之半導性陶瓷材料，其中， 包含用q表示的大約0.0005莫耳（mol)比的二氧化矽 (Si02)，和可選擇地包含用r2表示的大約0到0.0001莫耳 (mol)比的錳（Mn)，以及基於作為主要成分的BaTi03的克 分子（mol)比。 5. —種半導性陶瓷材料的製造方法，包括： 混合鈦酸鋇（BaTi03)源材料、紙予鈦酸鋇（BaTi03)半導 性性能的材料和二氧化矽（Si02)以及可選擇地加入錳（Μχι) 而形成混合物， 對形成的混合物進行煅燒， 將烺燒後得到的混合物與有機粘合劑進行混合， -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 502260 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 對形成的混合物進行壓坯而形成坯塊， 在H2/N2氣氛中並在低於混合物被完全燒結的溫度下， 對坯塊進行焙燒， 在空氣中對焙燒後的坯塊再次進行氧化。 6·如申請專利範圍第5項之半導性陶瓷材料的製造方法， 其中二氧化矽（Si02)對於鈦酸鋇（BaTi03)的莫耳（mol)比 是 0.0005。 7 .如申請專利範圍第5項之半導性陶瓷材料的製造方法， 其中，鏟（Μη)對於欽酸鋇（BaTi〇3)的莫耳（mol)比是0到 0.0001 ° -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)
TW089125142A 1999-12-09 2000-11-27 Semiconducting ceramic material and electronic part employing the same TW502260B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP35030699A JP2001167904A (ja) 1999-12-09 1999-12-09 半導体磁器およびそれを用いた電子部品

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW502260B true TW502260B (en) 2002-09-11

Family

ID=18409601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW089125142A TW502260B (en) 1999-12-09 2000-11-27 Semiconducting ceramic material and electronic part employing the same

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6544443B2 (zh)
JP (1) JP2001167904A (zh)
KR (1) KR100366324B1 (zh)
CN (1) CN1198289C (zh)
DE (1) DE10058025A1 (zh)
GB (1) GB2364303B (zh)
TW (1) TW502260B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001130957A (ja) * 1999-11-02 2001-05-15 Murata Mfg Co Ltd 半導体磁器、半導体磁器の製造方法およびサーミスタ
EP1876157A4 (en) * 2005-04-28 2011-10-26 Hitachi Metals Ltd SEMICONDUCTOR PORCELAIN COMPOSITION AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
WO2007028153A2 (en) * 2005-09-02 2007-03-08 Hrd Corp. Catalyst and method for converting low molecular weight paraffinic hydrocarbons into alkenes and organic compounds with carbon numbers of 2 or more
WO2012105955A1 (en) * 2011-02-01 2012-08-09 Hewlett-Packard Development Company L.P. Negative differential resistance device
DE102011050461A1 (de) 2011-05-18 2012-11-22 Chemical Consulting Dornseiffer CCD GbR (vertretungsberechtigter Gesellschafter: Dr. Jürgen Dornseiffer, 52070 Aachen) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkeramikmaterials für einen nichtlinearen PTC-Widerstand, Halbleiterkeramikmaterial und ein Halbleiter-Bauelement
CN102509601B (zh) * 2011-10-12 2014-05-07 华中科技大学 一种钛酸钡ptc陶瓷的制备方法
EP2879137A4 (en) * 2012-07-25 2015-12-02 Murata Manufacturing Co LAMINATED PTC THERMISTOR ELEMENT
CN102887704B (zh) * 2012-10-09 2014-02-12 天津大学 一种无铅高居里温度ptcr陶瓷材料及制备方法
CN102976747A (zh) * 2012-12-04 2013-03-20 广西新未来信息产业股份有限公司 掺杂铌酸锂的钛酸钡基正温度系数电阻材料及其制备方法
CN111971759B (zh) 2018-04-17 2023-05-02 京瓷Avx元器件公司 用于高温应用的变阻器
CN109761602B (zh) * 2019-02-28 2020-11-24 华中科技大学 一种低阻热敏陶瓷材料及其制备方法与应用

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4022716A (en) * 1973-04-27 1977-05-10 Tdk Electronics Company, Limited Semiconducting ceramics containing vanadium oxide
DE3775855D1 (de) * 1986-08-11 1992-02-20 Tdk Corp Keramische halbleiterzusammensetzung.
EP0257653B1 (en) * 1986-08-28 1992-11-04 Kabushiki Kaisha Toshiba High dielectric constant ceramic material and method of manufacturing the same
JP2733667B2 (ja) * 1988-07-14 1998-03-30 ティーディーケイ株式会社 半導体磁器組成物
JP3245984B2 (ja) * 1992-07-24 2002-01-15 株式会社村田製作所 負の抵抗温度特性を有するチタン酸バリウム系半導体磁器及びその製造方法
EP0649150B1 (de) * 1993-10-15 1998-06-24 Abb Research Ltd. Verbundwerkstoff
JP3319314B2 (ja) 1996-11-20 2002-08-26 株式会社村田製作所 チタン酸バリウム系半導体磁器組成物
JP3608599B2 (ja) * 1997-10-09 2005-01-12 株式会社村田製作所 チタン酸バリウム系半導体磁器
JP3039511B2 (ja) 1998-04-13 2000-05-08 株式会社村田製作所 半導体セラミックおよび半導体セラミック素子
KR100279512B1 (ko) * 1998-05-08 2001-02-01 정웅기 정온도 계수 써미스터용 조성물
JP2000095562A (ja) * 1998-07-24 2000-04-04 Murata Mfg Co Ltd 正特性サ―ミスタ用原料組成物、正特性サ―ミスタ用磁器、および正特性サ―ミスタ用磁器の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010062273A (ko) 2001-07-07
GB2364303A (en) 2002-01-23
DE10058025A1 (de) 2001-06-28
GB0028142D0 (en) 2001-01-03
JP2001167904A (ja) 2001-06-22
CN1305195A (zh) 2001-07-25
KR100366324B1 (ko) 2002-12-31
US6544443B2 (en) 2003-04-08
GB2364303B (en) 2002-05-22
CN1198289C (zh) 2005-04-20
US20010003361A1 (en) 2001-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200838829A (en) Dielectric ceramic and multilayer ceramic capacitor using the same
TW502260B (en) Semiconducting ceramic material and electronic part employing the same
JP5668632B2 (ja) 誘電体磁器組成物、および電子部品
JP2007180297A (ja) 半導体セラミック、及び積層型半導体セラミックコンデンサ、並びに半導体セラミックの製造方法
WO2008050876A1 (fr) Composition de céramique semi-conductrice et procédé de production de cette composition
TW201340146A (zh) 介電陶瓷材料及其所製成的積層陶瓷電容
JP5233763B2 (ja) チタン酸バリウム系誘電体原料粉末、その製造方法、セラミックグリーンシートの製造方法、および積層セラミックコンデンサの製造方法
JP5153069B2 (ja) 誘電体磁器
JP6636744B2 (ja) 誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子素子
JP5831079B2 (ja) 誘電体磁器組成物および電子部品
JP2001130957A (ja) 半導体磁器、半導体磁器の製造方法およびサーミスタ
JP2000143338A (ja) 半導体セラミックおよびそれを用いた半導体セラミック素子
JPH09180907A (ja) 積層複合セラミックとそれを用いた積層複合セラミック素子
TW491821B (en) Monolithic electronic element fabricated from semiconducting ceramic
JP5881169B2 (ja) 半導体磁器組成物の製造方法
JPH0925162A (ja) 非還元性誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ
WO2013065441A1 (ja) Ｐｔｃサーミスタおよびｐｔｃサーミスタの製造方法
JP2014072374A (ja) チタン酸バリウム系半導体磁器組成物およびそれを用いたｐｔｃサーミスタ
JP5812091B2 (ja) 半導体セラミック及び正特性サーミスタ
JP5834674B2 (ja) 誘電体磁器組成物および電子部品
JP2000178068A (ja) 圧電磁器組成物
WO2004110952A1 (ja) チタン酸バリウム系半導体磁器組成物
JP5235753B2 (ja) 正特性サーミスタの製造方法
JP4283730B2 (ja) 圧電磁器及び圧電素子の製造方法、圧電磁器の製造における焼成工程の焼成温度を低下させる方法、並びに圧電素子
JP4800956B2 (ja) チタン酸バリウム系半導体磁器組成物

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MK4A Expiration of patent term of an invention patent