TW501181B - Removal of organic anti-reflection coatings in integrated circuits - Google Patents

Description

501181 A7 ___ B7 _ 五、發明說明（1 ) [技術領域] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明一般係關於深紫外線（DUV)微影製程，並且更 係關於一種移除形成在深紫外線光阻層下在半導體基板上 之有機抗反射塗層的方法。 [背景技術] 微影術是一個一般用語，該用語說明半導體基板上之 表面光罩之製程’用來製圖案於譬如大塊半導體基板與不 同之電介質、金屬或多晶半導體膜之底層上，或者用於將 特殊的雜質植入於半導體基板的某些區域。 基本地，將含有光敏化合物的有機薄膜使用為一種光 罩圖案。在光曝露之下，這些化合物改變了它們的特徵， 並且藉由特種溶劑（如在稱為正型光阻的例子），容許把有 機光阻之曝路部伤移除掉’該溶劑並未侵餘由光阻未嘻露 或罩住的部份。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於是，在底層之蝕刻完成以前，會將殘留的有機光阻 物質移除。此時’有機材料的一般物理特徵會導致許多的 問題。於光阻的顯像期間，加熱石夕基板之需求會造成其中 之一個問題，該問題導致有機材料的底部部份烘烤成不同 於頂層。同時〜由於有機光阻過度曝光的限定’在顯像之 後，將殘留的有機光阻材料，或光阻基腳留在光阻光罩的 底部。根據光阻光罩，光阻基腳造成臨界尺寸（CDs)小於令 人所希望的。於是，在光阻顯像上，已經將特徵大小、光 阻型態、烘烤狀況、底薄膜特徵等等列入考量。 此時，引進使用電漿處理，以將有機光阻移除。首先， 1 Γ張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇 X 297公髮)-" -—- 91775 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 501181 A7 -------B7 —---------一 五、發明說明（2 ) 只使用純氧電漿並將其建造於大塊的石英反應器裡。之 後，當半導體材料之乾蝕刻出現時，開始將純氧電漿使用 於平行平板反應器裡的位置。 然而，積體電路的臨界尺寸（CD)會變得越來越小。為 了提供一定的解晰度以符合次半微米設計規格之需求，則 引進波長小於300毫微米的深紫外線（DUV)光，以用於最 小的臨界尺寸積蟫電路。這依次需要對深紫外線照射不透 光的光阻然而，大部份的光阻對深層紫外線照射都是透 光的。藉由從基板表面反射的光，這種透明造成了深紫外 線光阻底層的過度曝光，並且導致起因於過度曝光光阻之 更廣大移除的線性寬度控制的損失。 為了抑制過度曝光，引進特殊抗反射塗層之使 用，將其施加於光阻之下，以容許更準確的製圖案。這些 抗反射塗層薄膜徹底降低了反射，並且使次半微米尺寸特 徵可再現。 有許多使用於積體電路製造裡的抗反射塗層型態。它 們包括··有機抗反射塗層、氮化鈦薄膜、以及多層氮氧化 矽薄膜。 最具彈性的I抗反射塗層是有機抗反射塗層，可以將其 施加於譬如矽、電介質、與金屬的微電子材料之光罩。大 部份使用於微電子的材料，造成了有機光阻的中毒，換句 話說，溧紫外線光阻先前表面層裡的耗盡或濃縮質子濃 度。因為有機抗反射塗層化學上相同於光阻，它們並未造 成深紫外線DUV光阻之中毒，並且已經將其引入一般的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

I i i I I i 1 I 1 I I · I i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ii· -線 91775 501181 A7 B7 五、發明說明（3 ) 使用裡。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有機抗反射塗層的再一個優點是可以簡單地將其結合 於微影製程裡。一般而言，藉由光阻塗層之前的一種自轉 澱積過程，將有機抗反射塗層施加於晶圓表面C*因為自轉 澱積的簡易性，所以可以將用於自旋有機抗反射塗層的裝 置輕易地安裝於微影裝置裡β 然而，在將底層的矽、電介質或金屬加工或蝕刻之前， 光阻光罩之使用必定使有機抗反射塗層移除，而且這是一 個主要的問題，原因是有機抗反射塗層為光阻顯像抗劑， 並且在光阻顯像之後，仍然未經觸動。 再者，由於有機抗反射塗層的厚度，種種有關不需實 質地改變光阻光罩裡開口輪廓之移除的問題已經產生。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 原本地’將純氧或以一種惰性氣體來沖淡的氧氣裡之 電漿放電使用於”清除浮渣，，製程裡，以移除濕氧化物蝕刻 之前的光阻執跡。可以將這些清除浮渔製程完成於離開原 位’姓刻裝置之外或就在原位裝置之内。從一個製造觀點 來看’甚至在離開原位清除浮渣製程於其它方面是優秀之 處’該製程還是具有兩種主要的缺點。第一，需要的附加 操作降低生產線彳的產量，而第二，於晶圓之負载與卸下期 間’因為附加的虧損，產出會減少。因此，於原位清除浮 渣製程是較佳的。 在兩種清除浮渣的製程裡，令人察覺到純氧電漿對有 機材料是非常具攻擊性地，並且關於與有機物質的相互作 用而言，純氧電襞具有高的效率，但是因為蝕刻方法是以 ^氏張尺度適用中関家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 3 91775 81 81

五、發明說明（4 / 製造活性氧原子為基礎，所以不可能獲得一個真實的各向 異性、單向之蝕刻。氧原子侵蝕著光阻圖案的邊牆，並且 導致線條寬度控制與一致性的損失。這個方法同樣地對模 型的密度是非常地敏感。 當引進有機抗反射塗層之使用時，首先將上述電漿製 程使用於有機抗反射塗層的移除，而且當使用清除浮渣的 製程時，會發生相同的問題。 在有機抗反射塗層移除方法之顯像裡的下一個步驟施 加於氟碳化合物，分類為氟利昂（freon)。使用著簡單的氟 利昂，譬如六氟乙烷（氟利昂-216)，或四氟化碳（氟利昂-14)，或三氟甲烷（氟利昂-23)。這些氟利昂氣體同樣地連同 氧一起來使用。與純氧電漿相反地，這些型態的電漿放電 給予較佳的一致性，結果為較佳的直線寬度控制。但是這 些方法具有一些缺點，因為，在射頻（rF)輝光放電的情況 之下，氟利昂-14分子與氧分解如下： CF4+e-CF3(+)V F V(2)e (1) 02+e— 0(+” + 0* + (2)e (2) 在此，星號代表著激發的中性原子與自由基。 眾所皆知地，對於有機材料，激發的氟原子與氧原子 是非常具攻擊性的，而且當將它們製成許多的電漿並傳送 到基板表面時，它們則形成高速各向同性的化學反應，甚 至不需施加於該表面的任何額外的能量。 +有機—HF(个），CF*( f )，CHF·(个），CH2F·(个 CH3F·(个），CF/( t ) (3) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱) 91775 ! i-------- i ^ I { I ί * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合'作社印製 501181 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（5) 〇* +有機—OH(J )，H20( f )，CO(个），C02( t ) (4) 這些反應把未定的抗反射塗層基腳，或殘留的抗反射 塗層物質提供光罩的外觀，其位於抗反射塗層顯像視窗的 底部。這產生了和光罩基腳同樣的問題。更進一步，當將 抗反射塗層從底薄膜移除的時候，抗反射塗層會曝露於内 含電漿之氟的侵蝕。這是一個主要的問題，因為在半導體 製造裡，廣泛地使用著以矽為基礎的材料，而於施加移除 抗反射塗層基腳之額外蝕刻的期間内，包含電漿的氟不令 人希望地蝕刻著這種材料。 為了克服在直線寬度控制裡的耗損，且預防在圖案邊 牆上的聚合作用，則發展出不須利用著氦電漿，氮電漿或 它們混合物裡的輝光放電之氧之製程。這些方法免於聚合 作用，而且與以氟化碳化合物為基本的電漿相反的，這些 方法並沒有產生任何的遮蔽效應，而且甚至形成一種光阻 圖案的錐形外觀。它們能夠保持臨界尺寸（CD)控制，但是 一個主要的問題則是缺乏產量。 於這些製程裡所獲得之蝕刻率，是低於以氧或氟與有 機材料之間的化學反應為基礎之方法的一種數量級，因為 這些方法為了其.效果，僅僅依靠著離子轟擊。由輝光放電 之能量所產生的離子分佈，是大部份離子具有足夠的能量 以形成賤射如此這般的。然而，只有極少數目的離子有助 於該方法之效率。 其他有機抗反射塗層（ARC)移除方法於單一氣體裡， 譬如一氧化碳，二氧化碳，低級氧化氮，二氧化氮裡使用 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r · If «ϋ «ϋ βκ ϋ m —9 *'ϋ He m ι 言 參 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 5 91775 501181 , 1 A7 B7 經濟部智慧財產局員工·消費合作社印製 五、發明說明（6 ) 著輝光放電，或在這些氣體與氮或譬如氦，氫及氖之惰性 氣體的混合裡使用著放電。 已經觀察到的是，在一般所使用之偶極環磁鐵（DRM) 活性離子蝕刻（RIE)系統裡的二氧化碳氣體，與尤其是以一 氧化碳為基礎的氣體混合物造成聚合作用，而非餘刻，在 此有一種材料建立於光阻與有機抗反射塗層物質上，這導 致臨界尺寸控制的連續耗損。除此，以所有這些方法，因 為有機材料上方法之選擇性，抗反射塗層基腳產生且不利 地縮小開口的尺寸並且導致積體電路之暗場特徵的擴大。 長久以來，已經尋找著這些問題的解答，但仍使那些 熟悉本技藝的人長久地無法理解。 [發明之揭露] 本發明提出了一種方法，用於藉由設置一片半導體基 板，並在該半導體基板上澱積一層圖案而製造出一種積體 電路架構。將一種有機抗反射塗層澱積於蝕刻的層上，然 後將有機光阻澱積於有機抗反射塗層上。製圖案該有機光 阻並使其顯像，以形成具有邊牆的一個開口，而且曝露出 一部份的有機抗反射塗層。該有機光阻與有機抗反射塗層 的露出部份吸附4著中性分子。使用一種單向性離解方法， 以離解有機抗反射塗層之曝露於電子離子轟擊部份上的中 性分子，該塗廣剩下不受反應之有機光阻的邊牆並造成曝 露的有機抗反射塗層之完全移除這容許蝕刻層之製圖 案，其使用有機光阻作為一種準碟的光罩，而無需起因於 光阻基腳的臨界尺寸之變窄。 本紙張尺度適用中國國象“準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 6 91775 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ί 言 Γ 501181 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 對那些熟悉本技藝的人而言，從接著的連同附圖之詳 細說明的研讀，本發明上述與額外的優點將變得明顯。 [圖式之簡要說明] 第1圖（習知技術）是一部份半導體晶圓的一個閉合截 面部份，該晶圓具有一種介質材料澱積於整面的半導體基 板；以及 第2圖顯示如本發明而製造的一個半導體晶圓的一個 閉合部份截面部份。 [元件符號說明] 10 半導體基板 12 電介質層 14 有機抗反射塗層(ARC) 16 有機光阻 18 矽半導體基板 20 虛線 22 邊牆 24 頂部表面 30 剖面 32 底腳 34 線 40 半導體晶圓 42 铸模層 44 有機抗反射塗層 46 有機光阻 50 虛線 52 邊牆 54 曝露部份 55 中性分子 60 線 62 電介k表面 [實行本發明之最佳模式] 第1圖（習知技術）代表一部份半導體晶圓10的閉合裁 面部份，該晶圓的電介質層12殿積於整片的石夕半導體基板 18上。電介質層12是由譬如二氧化矽的材料製成的。使 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 91775 I------------Ί --mill ^ * ! t I I ! ! I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 501181 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8 A7 B7 五、發明說明（8 ) 用一種自旋-澱積方法，以澱積一層有機抗反射塗層（ARC) 14於電介質層12的頂部。有機抗反射塗層14是由譬如 polyorthoaminophevol之有機聚合物材料所製成，這作為 例子而非限制。 於有機抗反射塗層14的頂部有一個深紫外線（DUV) 有機光阻16。有機光阻16可以是任何型態的有機光阻， 包括作為例子而非作為限制的化學放大光阻（resists)，非化 學放大光阻，陽性型態光阻，以及陰性型態光阻。在最佳 的模式裡，有機光阻是由深紫外線能量所激活。 於第1圖裡（習知技術），虛線20將一部份半導體晶圓 10的閉合截面部份區分為各自在左右的前後視圖^ 在左邊，顯示著一個處理步驟，它是在有機光阻 的顯像之後，以形成在有機光阻裡一個開口的邊牆22 , 而且它曝露出有機抗反射塗層14的頂部表面24。 於傳統抗反射塗層移除步驟之後，右邊具有有機光阻 16與有機抗反射塗層14，該步驟移除有機光阻16的一部 份26與有機抗反射塗層14的一部份28。於移除步驟之 後’有機光阻16具有剖面30，而有機抗反射塗層14具有 底腳32。同樣$也顯示出電介質層12裡的腐蝕區域％， 而於有機抗反射塗層14從頭到尾侵蝕的期間裡，已經侵餘 與移除了該介質層。 線34標示著表面的位置，在電介質層12裡，使用著 先前於背景技術裡所描述的傳統步驟，而將該表面腐蝕。 第2圖代表著據本發明而製造之半導體晶圓4〇的閉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 91775 l — > ί ί I f ! ! I *ίι{ιι !ϊ — ! ! I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 501181 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 社 印 製 五、發明說明（9 ) 部份截面部份，電介質層42的有機抗反射塗層44澱積於 其上。一個有機光阻46是澱積於有機抗反射塗層44之上。 在第2圖，虚線50把半導體晶圓1〇部份的閉合截面 部份區分為各自在左右邊的一個前後視圖。 在左邊，顯示了 一個加工步驟，該步驟在有機光阻46 顯像之後，形成有機光阻46裡一個開口的邊牆52，而且 該步驟曝露出有機抗反射塗層44的曝露部份54。中性分 子55是吸附於有機光阻46的邊牆52上，以及有機抗反射 塗層曝露出的部份54。中性分子5 5譬如是一氧化碳（CO) 或一氧化碳（C〇2)氣體。 在虛線50的右邊，可以看出本發明方法應用後的一個 加工步驟，於本發明裡，將有機光阻46的一部份56與有 機抗反射塗層44的一部份58移除。邊牆52是垂直的，而 吸附到的中性分子55,譬如二氧化碳與一氧化碳，顯示出 仍留在邊牆52上，因為並無由電子離子轟擊而產生的侵 蚀。電子離子轟擊已經發生於吸附在有機光阻46頂部表面 的中性分子55，並已經引起有機光阻46之部份％的移 除。同樣地，電子離子轟擊已經引起有機抗反射塗層44 之部份58的移’，以曝露出電介質層42的表面，其標示 為電介質表面62 〇有機抗反射塗層44沒有底腳，如有機 抗反射塗層44的部份58所表示，其與邊牆52成一直線。 電介質表面62的表面顯示出沒有寄生的蝕刻，譬如由第夏 圖的蝕刻區域36所顯示（習知技術）。 線60標示著表面的位置，在電介質層仏裡，該表面 太紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A^規格（2Η) X 297公釐） 9 91775 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ΛΨ ______ τί 言 501181 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 A7 B7 五、發明說明（10 ) 將被蝕刻。 於本發明裡，在製圖案及顯像有機光阻46之後，有機 光阻46與有機抗反射塗層44曝露出的部份容易受到產生 於氧氣與一氧化碳之混合氣體裡的射蘋（RF)輝光放電。可 以由一定量的惰性氣體，譬如氦、氖、氬，或其一種組合 物來稀釋這種氣體混合物。在射頻（RF)輝光放電的情形之 下，產生了分離與複合的反應： 〇2+e— CT + CT+e- 第 1 個反應 co+e— C+CT+e一 第 2 個反應 0%co C02 第3個反應 所有的反應皆是雙向的，而在直接與反向反應之間的 比例取決於氣體混合物裡氣體之間的比例。例如，一氧化 碳含量的增加減少了第3個反應的反向混合物。這意謂著 氣體混合物裡氧原子的有效濃度會減少。因而，控制著譬 如一氧化碳與二氧化碳之中性分子的數量是有可能的，該 中性分子並沒有侵姓到有機材料。當一氧化碳與二氧化碳 分子的濃度有效地超過氧原子的濃度時，大部份那些分子 是吸附於有機光阻46的頂部表面，邊牆52，以及有機抗 反射塗層44曝雩出的部份54。吸附到的一氧化碳與二氧 化碳分子罩住曝露出的表面，並且避免氧原子接近有機光 阻46與有機抗反射塗層44的有機材料^ 然而，在輝光放電的情形之下，會發生電子與離子所 導致的粒子轟擊。不像中性粒子，電子與離子隨著射頻rF 輝光放電裝置（沒顯示）的電場方向。因此，電子與離子只 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 91775 1 I I f ----- -----· I I I f I 1 J ^ · 1 i I J I It II! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Α7 五、發明說明（U) 在法線方向裡，單向地轟擊晶圓表面。因而，邊牆52並沒 有曝露於電子離子轟擊。另一方面，有機光阻“的頂部表 面與有機抗反射塗層44曝露出的部分54是曝露於低能量 的電子與離子之轟擊，該轟擊激活著一氣化碳分子之解吸 與二氧化碳的分解。中性分子的解吸打開了有關氧原子的 通路而直接由第3個反應的反向部份，分解創造出氧。 所有提及的步驟皆處於動力之平衡。因為對邊牆52的橫向 侵蝕，電漿裡過度的氧含量將導致尺寸控制的損耗。氣體 混合物裡不足的氧含量造成了寄生的聚合作用，而非蝕 刻^當維持住氧與一氧化碳之間最佳的比率的時候，在尺 寸大小上，並未觀察到有任何的損耗，而且在底層上，並 無任何的侵蝕。 可以將有機抗反射塗層之移除在一個電磁增強電抗性 離子蝕刻系統裡完成，更特別地在具有偶極磁環的系統 裡，以及在具有下列運算參數的13 56兆赫（MHz)射頻RF 產生器裡來完成，呈現於此乃用為範例，而非作為限制： 可接受 o2+co+惰性氣體万2+〇0 +氬 過程壓力 20-60毫托 30-35毫托 ίϊϊϊκίίί 娜娜平綠迎爾翁樹 一氧化碳/氧比率 1,5-5.0 2.0-3.5 惰性氣體-氫/(一氧化碳+氧)比率〇 0-5.0 1.0-3.0 應該進一步值得注意的是，本發明的過程是沒有殘留 •物’而且設置了適宜的選擇率，用於蝕刻於積體電路架構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2ifx 297公爱)---—

丨tr' (請先間讀背面之注意事頊再填寫本I) 較佳 氣體混合物 91775 501181 ’ ' A7 ------— _B7 _ • 五、發明說明（12 ) 中’所傳統使用之大部份材料上，譬如矽、電介質與金屬 ， 上的有機抗反射塗層44。 • 可以將本發明施加於原位置或者離開位置的製程裡， 而且可以將本發明使用於微電子機械系統（MEMS)裝配裡 以及半導體製造。 ， 當已經連同特殊最隹的模式而來描述本發明的時候， 鲁令人了解地是’對那些熟悉由先前描述所觀察到之技術的 人而言，許多的替代，修正與改變將是顯而易見的。因此， 它打算來包含不超過所包括申請專利範圍之精神與範圍的 所有這些替代’修正與改變。上述所有提出之内容與所附 顯示之圖示皆是作說明用而非具限制之意。 I ϋ IX n n «n I— n «I n I— n I · n I 1 --i It i 0 / ^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -線· 經濟部智慧財產局員工·消費·合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 12 91775

Claims (1)

1. 501181 B8 C8 D8 六 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 申請專利範圍 一種製造積體電路架構的方法，包含·· 設有半導體基板[10]; 於半導體基板[10]上澱積一層將要製作圖案之層 [42]; 於將要製作圖案之層[42]上澱積一層有機抗反射 塗層[44]; 澱積一層有機光阻[46]於有機抗反射塗層[44]上； 製圖案益顯像有機光阻[46]以形成具有邊牆[52]的 開口，並且曝露出一部份的有機抗反射塗層【44]; 將戴作_柰<有機光陲[46】輿有機恍毳射塗層[44] 曝露於在氣艎混合物裡所維持的射頻輝光放電； 吸階著由有機光阻[46]與有機抗反射塗層[44]的露 出部份所產生之射頻輝光放電而製造的中性分子； 藉由有機抗反射塗層[44]的露出部份上的單向粒 子森擊’以及當使邊牆[52]不受影響時，從有機光阻[46] 一定通路到氧的中性分子之解吸； 在有機光阻[46]的表面產生自由氧原子與曝露於 電子離子森擊之有機抗反射塗層[44]之中性分子的單 向分解； 移除有械抗反射塗層[44]的露出部份；以及 使用有機光阻[46]具有殘留於有機光阻[46]之下之 有機抗反射塗層[44] ’作為光罩而使將蝕刻之層【42]製 圖案。 2.如申請專利範圍第1項之製造積體電路架構的方法，包 G張尺度適用中國(CNS)A4規格⑽χ 297公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # .線 n K— n Is · 501181 A8 B8 CS D8 經濟部智慧財產局員工‘消費•合作社印製 /、、申清專利範圍 含·· 在以射頻輝光放電來吸附有關有機材料之中性分 子的期間内，製造有關有機材料的中性分子。 3·如申請專利範圍第1項之製造積體電路架構的方法，包 括： 在一種氣體混合物中，製造中性分子。 4·如申請專利範圍第1項之製造積體電路架構的方法，其 中： 有關有機材料中性分子的解吸，使用著有效粒子之 電子-離子轟擊一定通路到有機材料的表面。 5.如申請專利範圍第1項之製造積體電路架構的方法，其 中： 有關有機材料之中性分子的單向分解製造出活性 原子元件’該元件與有機光阻[46]和有機抗反射塗層[44] 鵡反應，而非與製成圖案的層[42]相反應。 6·如申請專利範圍第！項之製造積體電路架構的方法，其 中： 有機抗反射塗層[44]露出部份之移除使用著活性 原子元件。 7·如申請專利範圍第1項之製造積體電路架構的方法，其 中： 在10到200毫牦的過程壓力裡，完成有機抗反射 塗層[44]露出部份之移除。 8.如申凊專利範圍第1項之製造積體電路架構的方法，其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 91775 ---1 -----------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· •線· 501181 A8 !Ι 一 D8 ' -----—---^ 六、申請專利範圍 中： 有機抗反射塗層[44]露出部份之移除是在使用射 頻功率密度的反應離子姓刻系統裡完成，其功率密度的 範圍是從0·1瓦特/平方公分到3.5瓦特/平方公分。 9·如申請專利範園第1項之製造積體電路架構的方法，其 中： 有機抗反射塗層[44]露出部份之移除使用一種氣 體與活性原子元件，其比例範圍從1.5/1.0到5.0/10。 10.如申請專利範圍第1項之製造積體電路架構的方法，其 申： 有機抗反射塗層[44]露出部份之移除，使用著一種 惰性氣體，其與混合物裡殘留氣體之總和的比例範圍為 〇·〇 到 5·0 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) >;ft— VI n tt --訂— ϊ L 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 15 91775