TW494047B - Chemical mechanical polishing apparatus and method of chemical mechanical polishing - Google Patents

Description

494047 五、發明說明（1) 發明的背景 發明之領域 本發明關於一種化學機械拋光設備，其可用於基底平 坦化之拋光。本發明亦有關於一種化學機械拋光的方法。 習知技術 圖1A到1E描述了半導體裝置中形成一層埋藏金屬層的 方法之相關步驟。 首先，如圖1A所示，一半導體基底1〇1。其内已包含 活性元件之製作，此基底上方被一絕緣膜丨〇 2完全覆蓋。 接著，一光阻膜105在絕緣膜102之上形成某種圖案， 接著以此光阻膜1 0 5所形成之圖案當成光罩，以蝕刻絕緣 膜102 ’藉以形成接觸孔，如圖1B所示。 除去光阻膜105之後，如圖1C所示，一種由含金屬Ti 或Ta的阻隔膜103沈積在絕緣膜1〇2之上，俾接觸孔1〇6的 側壁及底部可被阻隔膜1 〇 3所覆蓋。 其次，如圖1D所示，一導電層1〇4沈積於此產品之 上，俾以導電層1 〇4填滿接觸孔1 〇 6。 其次，導電層1 0 4經由化學機械拋光設備1 〇 7做平坦 化，如圖1E所示。如此可形成埋藏金屬層1〇 8。 此化學機械抛光設備107含有一載體，晶片可被固定 放置於其上做拋光；並且含有一可旋轉的水平塊，其上載 置一拋光墊。晶片壓放於此旋轉的拋光墊上被拋光。當拋 光墊拋光晶片時在拋光墊和晶片吼會供給拋光粉末，如鋁 或矽，以及含蝕化物的拋光泥，如 494047 五、發明說明（2) 圖2描述一習用以化學機械拋光方式用來拋光晶片的 設備。這種設備之組成含一水平塊23連接至旋轉軸線24， 一個拋光墊29固定於水平塊23，一個晶片座26連接至一旋 轉軸線27並將晶片25握於其底部，並有一拋光泥供給源30 可經由拋光泥供給口21，供給拋光泥至拋光墊29。 晶片2 5被夾設於拋光墊2 9與晶片座2 6之間。當晶片墊 29拋光晶片25時，拋光泥22可經由拋光墊29和晶片25之間 供給至晶片2 5的周緣。 雖然上述之設備是只設計了一個晶片座2 6，但此設備 亦可設計為含有多數之晶片座2 6。例如，此設備可設計為 有4個晶片座2 6，等距地配置於水平塊2 3之上，以便於同 時抛光4片晶片。 一種習用拋光晶片之設備，例如圖2所示之設備，存 在有因拋光速度不一而造成晶片拋光厚度不均勻的問題， 致使晶片在中心部位比外緣部分拋光速度快。 為了克服這問題，已有人提議第一種拋光設備具有一 種載置在水平塊上的多孔拋光墊，可使拋光泥經由這些小 孔，由拋光泥供給源供給至拋光墊表面。這些小穿透孔係 和拋光墊2 9的軸線心成同心圓狀配置，由於拋光泥是均勻 地經由晶片和拋光墊間供給，故可靠著維持一定的拋光速 度而提昇拋光晶片的均一度。 另外亦有人建議第二種拋光設備，其中的拋光墊是由 j孔材料蹲組成’以提升抛光晶片&的均一度。 _____________ 然而，若是晶片以上述之第一種或第二種拋光設備進

第6頁 494047 五、發明說明（3) 行拋光，其拋光泥是均勻地供應至晶片表面；當較大直徑 的晶片置於拋光墊上，晶片中心所承受的壓力比晶片周緣 所承受的,壓力大，所以拋光過的晶片橫剖面會類似一凹透 鏡。反之，若使用如圖2之設備拋光晶片，其橫剖面會類 似一凸透鏡。 為了避免這個問題，日本專利公開公報第5 - 1 3 3 8 9 號，建議一種拋光設備有如上述第一和第二種拋光設備的 構造，但其亦可在拋光墊上以一事先決定好的位置來控制 拋光泥的量，以提升拋光晶片的均一度。 上述所建議的拋光設備附有多數穿透孔，經特別設計 為使拋光泥可經由這些小孔提供至拋光墊表面，在靠近拋 光墊中心的區域，每單位面積穿透孔的數目，設計為比靠 近拋光墊周緣的區域多；或是將靠近拋光墊中心區域的穿 透孔，設計為比靠近拋光墊周緣的穿透孔具有較大的直 徑。 需要拋光的晶片直徑亦在逐漸加大，例如在多年前需 要被拋光的晶片是6英吋（約1 5公分），但是現在需拋光 的晶片直徑，則是在8到1 0英吋的範圍（約2 0到2 5公分 )。這種具較大直徑的晶片已不能用圖2所述之設備進行 拋光了 ，因為水平塊23已必須具有太大的面積，這會造成 對設備太大的負擔。 因此，建議如圖3 A所述之拋光設備以避免上述的問 ，。上述此種設備是包括一可旋轉的載體2，其底部支托 一片晶片1 ，一拋光墊4載置於水平塊3，且皆置於載體之

494047 五、發明說明（4) 對面，並有一馬達5帶動水平塊3繞著旋轉軸線轉動。拋光 墊4含有多數等距分佈的穿透孔。 晶片1會被轉動且壓放於拋光墊4上進行拋光。當晶片 1在做拋光時，拋光墊4上之穿透孔可提供拋光泥6於拋光 塾4的表面。 為了在拋光晶片1時提高其均一度，水平塊3會經由馬 達5的帶動，使其旋轉軸線沿著弧形路徑移動。亦即，水 平塊3會做所謂的執道式循環旋轉。 圖4顯示了晶片1繞著旋轉轴線A轉動，和拋光墊4繞著 一旋轉轴線B轉動的軌道式循環關係圖。 從旋轉軸線A的角度來看，圖4描繪了旋轉軸線B繞著 旋轉轴線A的樣式。 如較早前所提過的，若晶片是使用拋光泥經由這些在 拋光墊上的穿透孔以提供至拋光墊表面做拋光，如此會造 成晶片中心區域比周圍區域較易拋光，以致晶片中心區域 有如凹透鏡般。 若晶片以上述方式拋光而造成不均勻，則導電層，例 如圖Id所示之導電層104會無法完全去除，部份殘留在絕 緣層之上，例如絕緣層1 0 2，造成導線間的漏電。 為了避免這樣的問題，足夠充份地拋光晶片是必要 的。然而，如此卻可能造成做在絕緣層上的導線，在晶片 的中央區域和周圍區域有不等高的問題。相對地，在晶片 4央區域it導線阻抗叙在晶片周亂的導線阻抗相異L結果 造成電子遷移效應（EM)而惡化。

第8頁 494047 五、發明說明（5) 發明之概沭 本發明之目的在提供拋光晶片的一種設備，它能提升 拋光的均一度。提供一種拋光晶片的方法亦是本發明之宗 為了要達成上述的目的，發明人做了很多實驗，並發 現若拋光墊設計為有一區域沒有拋光泥經由穿透孔提供至 拋光墊表面，則有可能提升拋光晶片時的均一度。 、 » 詳言之，依本發明之一樣態，提供了一種拋光基底的 設備，包含（a) —拋光墊，其上有多數穿透孔可供拋光物 質提供至拋光墊表面，（b) —水平塊，其上載置了拋光 墊，及（c) 一旋轉載體支托基體，此載體放置於水平塊的 對面，此水平塊繞著一旋轉軸線轉動，而旋轉軸線乃沿著 弧形路徑移動，並使拋光墊和基底接觸，藉以拋光基底， 此拋光墊之同心的第一環形區域沒有穿透孔形成。 第一環狀區域的寬度等於或大於拋光墊半徑的1〇 %是 較佳的，2 0 %則更好。 另提供一種用以拋光基底之設備，包含：（a) —拋光 墊，其有多數穿透孔以供拋光物質提供至拋光墊表面，

(b) —水平塊，其上載置拋光墊，且（c) 一可旋轉的載體， 其上可支托基底，而此載體位置是和水平塊成面對面的關 係，水平塊繞著旋轉軸線轉動，而此旋轉軸線沿著弧形路 徑移動，使拋光墊和基底接觸而拋光基底，此拋光墊具有 一同心圓形的區域沒有穿透孔形成/。 較佳狀況是此圓形區域的半徑相等或小於拋光墊半徑

第9頁 494047 五、發明說明（6) 的 9 5%。 較佳狀況是此圓形區域的半徑相等或大於拋光墊半徑 的 3 0% 〇 本發明之另一樣態，提供了一種化學機械拋光基底的 方法，包含下列步驟（a)旋轉一水平塊，一拋光墊載置 - 于其上，相對的一載體，其上載置一基底，繞著一旋轉軸 · 線轉動，而此旋轉軸線本身沿一弧形路徑移動，（b )當 / 拋光墊拋光基底時，除了拋光墊上的第一同心環形區域 ^ 外，其餘皆有拋光物質供應至拋光墊表面。例如，拋光物 質可透過拋光墊上的穿透孔而提供至拋光墊表面。 另提供一種化學機械拋光基底的方法（a)旋轉一個 載置了拋光墊的水平塊，相對的在載體上載置一基底繞著 一旋轉轴線轉動，而此旋轉轴線本身沿一弧形路徑移動， (b)當拋光墊拋光基底時，除了拋光墊上的同心圓形區域 外，其餘皆有拋光物質供應至拋光墊表面。 _ 較佳狀況是此圓形區域的半徑相等或小於拋光墊半徑 · 的 9 5 % 〇 - 較佳狀況是此圓形區域的半徑相等或大於拋光墊半徑 ^ 的 3 0 % 〇 在依本發明之設備中，一拋光墊具有一區域，其上並 無穿透孔可供拋光物質提供至拋光墊表面。在依本發明之 φ 方法中，除了拋光墊上的某一區域之外，皆供應拋光物質| H光墊―表面。 〜 . 因此，本發明可實現在高速的拋光速率下仍達到均一 ~

第10頁 494047 五、發明說明（7) 度之要求，所以，當埋藏金屬層經由化學拋光而形成，其 所產生的半導體裝置可具有對電子遷移（EM )較佳的抵抗 力。 圖示之簡單說明 圖1 A至1 E是半導體裝置的橫剖面圖，描述了以化學機 械拋光法形成埋藏金屬層的方法之各別步驟。 圖2描述了拋光晶片用的習用設備。 圖3 A描述了可應用本發明的拋光晶片設備。 秦 圖3B是使用於圖3A所述設備中之一拋光墊的平面圖。 圖3C是使用於圖3A所述設備中之另一拋光墊的平面 圖。 圖4描述兩旋轉軸線在軌道運轉的位置關係。 圖5為顯示拋光速率之均一度和拋光墊上穿透孔封閉 的圓形區域之半徑兩者間之關係的曲線。 圖6為顯示拋光速率之均一度和拋光墊上穿透孔開啟 的圓形區域之半徑兩者間之關係的曲線。 圖7是一個拋光晶片方法的流程圖。 符號之說明 1〜晶片 2〜載體 — 3〜心參塊 〜 ________________ 4〜拋光墊

第11頁 494047 五、發明說明（8) 5〜馬達 6〜拋光泥 1 A〜旋轉轴線 4 a〜第一環形區域 4b〜中心點 4 c〜圓形區域 4d〜環形區域 3 A〜旋轉軸線 較佳實施例之說明 圖3A描述了拋光基底的一種設備，和本發明的第一實 施例一致。 上述設備包含一拋光墊4，其上形成多數穿透孔，拋 光泥6可經由這些穿透孔而提供至拋光墊4的表面。一水平 塊3，其上載置拋光墊4，一馬達5可帶動水平塊3、繞著旋轉 軸線轉動，以及一可旋轉之載體2，支托晶片1在其底面， 並呈面向拋光墊4之位置關係。 經由晶片1繞著一不動的旋轉轴線1 A做轉動，拋光墊4 繞著旋轉軸線1A做執道運轉。具體地說，水平塊3和拋光 墊4是繞著旋轉轴線3A轉動，同時，旋轉轴線3A沿著弧形 路徑移動。亦即，如圖4所示，若自旋轉軸線來看，則旋 轉軸線3A是繞著旋轉軸線1 A轉動。 晶片1壓放於拋光墊4做拋光。 拋光墊4設計為具第一環形區域4a，此區域是與拋光 塾之中心點4 b成同心圓，如圖3 B所示。拋光泥6經由拋光

第12頁 494047 五、發明說明（9) ----- 墊4的穿透孔而供應至拋光墊4表面，而這些穿透孔不形 於拋光墊上的第一環形區域4a，亦即，圓形區域4c位於第 一環形區域4a之内側，並有一環形區域4d位於第一環形區 4a之外側，而第一環形區切並無穿透孔形成。 此°又備與第一實施例一致地含有拋光塾4，其設計為 -具有第一環形區4a，其上並無穿透孔形成，故拋光泥6盔 法經由f環形區而供應至拋光墊4的表面。晶片1當然地仍·- 在第一環形區域4a拋光，此拋光狀況可達成在一定拋光 . 率下晶片南均一度。 ，一較佳狀況是第一環形區域“具有相等或大於拋光墊4 半徑1、〇!^的寬度，以達成在拋光速率下的足夠均一度。更· 佳狀況是第一環形區“具有相等或大於拋光墊4半徑2〇 % 的寬度。 亦有一較佳狀況是拋光墊4的周緣部分有形成穿透 孔。更佳狀況是當拋光墊4的旋轉軸線3Α和晶片1的旋轉軸 線1 Α對齊時’形成於拋光墊4的穿透孔和晶片1的周緣部分

對齊。 I 、抛光塾4可設計為中心區域有穿透孔形成，或亦可設 計為中心區域無穿透孔形成。若拋光墊4之中心區域無穿 透^开々成’較佳狀況是亦無穿透孔形成於自拋光塾4中心 往半徑方向延伸所形成的環形區域，此區域具有相等或大會 於拋光墊4半徑的3〇%〇 二、當拋光一較硬材料時，較佳狀況是在拋光墊4中心區域 形成穿透孔，如此可保證在一定拋光速率下有較高的均一 -

第13頁 494047 五、發明說明（ίο) 度。 稍後提起的案例，是在封閉穿透孔的情況下進行實 驗。然而，實際使用上，穿透孔是形成於拋光墊上事先決 定好的位置。 在拋光墊4表面的穿透孔並非總需要均勻地被形成。 穿透孔的總面積可被設計為以拋光墊4半徑的方向改變。 例如，每單位面積的穿透孔數目可被設計為沿著自拋光墊 外緣至中心方向而減少。或者，穿透孔直徑可設計為沿著 拋光墊4外緣至中心方向逐漸變小。 因此下面解釋了與上述實施例一致之設備，使用於拋 光晶片的實驗。 【例1】 當晶片拋光時，使用8吋直徑的晶片（約2 0公分）， 其上形成一金屬層C u、T a和T i N。此晶片使用圖义A所示之 設備拋光。拋光墊半徑1 0吋（約2 5公分），並有穿透孔均 勻地形成於上。 接近於拋光墊中心的穿透孔逐一被封閉，而對晶片進 行拋光。 圖5顯示此實驗中之拋光墊速率的均一度，均一度是 以3 σ ( % )來估計，拋光狀況如下： 壓力：3ps i 轉速：260/16 r.p.m 拋光泥供應：l〇〇cc/minute〜 用於此實驗的拋光泥是一般商業上可取得的。

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五、發明說明（11) 由圖5可顯見，若晶片直徑在ι·5时至4·7忖的範圍 一般以3 σ所表示之均一度是相等或小於丨5 % 。 ’ 特別是當晶片直徑在2吋至4 · 5吋的範圍時，可彳曰 等或小於1 0 %的高均一度。 于4相 如此，這些結果使我們了解，若拋光墊上區域4e血空 透孔形成，則在一定拋光速率下可得到高均一度，區 =如圖3c所示，是在一同心於拋光墊之環形區域，且其半 控相等或小於拋光墊半徑的9 5 % 。 ’、 “ 除此之外，我們亦了解，若區域4e半徑相等或大於拋 光塾半徑的30%亦為較佳狀況。如圖3C所示。

簡而言之，區域4e其上並無穿透孔形成，最好其半徑 相等或小於0.95R，但需相等或大於〇·3Κ，其中r表示拋光 墊4的半徑。 特別在此實驗中使用的8吋晶片可在一拋光速率下得 到南均一度’右在抛光塾上與其形成同心圓的4忖半徑的 環形區域内並於穿透孔形成，當拋光墊的旋轉軸線和晶片 的旋轉轴線對齊時，其相當於8吋晶片的半徑。

、 一般常用於組成阻隔膜的物質Ta和TiN的拋光速率也 被估計出來。在估計其拋光速率的實驗中，拋光墊上的穿 透孔在以拋光墊中心為同心之半徑4吋的圓形區域内都封 閉。然後，較接近於拋光墊中心的穿透孔再陸續地被開 啟。在一拋光速率下的均勻速度以3 σ表示，亦是以同樣 上述方式來估計。 . 圖6顯示實驗的結果，自圖6可知，即使穿透孔在和拋

第15頁 49404/ 發明說明（12) 5。墊ϊ Γ了圓ΐ徑3.1吋的區域都開啟，亦可得到均-度 # is & Ϊ二ί即，若抛光塾設計為有一區域並無穿透孔 形士，=區域具寬度0.5吋或更大，在一拋光速率下亦 可付到足夠的均一度。此處之〇 . 5 拋光

1 0 °/〇 。 ^ ^ J 拋光墊進行拋光時，拋光墊的物質組成分變動，會 影a在一拋光速率下的均一度有些微之出入。例如，當拋 光硬度比TiN高之Ta所組成的薄膜，最好是穿透孔形成於 一個和拋光墊成同心圓的環形區域，且具半吋1.0吋至1.5 忖的範圍。

【例2】 半導體裝置製造步驟如圖丨人至1£；所示。 首先’如圖1 A所示，含活性元件的半導體基底1 0 1完 全為絕緣膜1 0 2所覆蓋。 然後’ f絕緣膜1 〇 2之上形成一具有某種圖案的光阻 膜1 0 5 °接著’用光阻膜1 〇 5當成光罩，以蝕刻絕緣膜 102 ’因而透過絕緣膜1〇2形成一接觸孔，如圖1β所示。 如圖1C所示’除去光阻膜1〇5之後，一種由了丨或“金 屬所組成的阻隔膜1 〇 3沈積在絕緣膜丨〇 2之上，故接觸孔 1 0 6在側邊和底部可被阻隔膜丨〇 3覆蓋。

然後，如圖1 D所示，一種由銅組成的導電層1 〇 4沈積 於阻隔膜103之上，用以將導電層1〇4填入接觸孔106。 ——-接著-，一如圖1 E所示，用化學機械拋光設備1 〇 7將_導電 層1 0 4做平坦化，如此可形成一埋藏金屬層。

第16頁 494047 五、發明說明（13) 在例2中，使用如圖3 A所示的拋光設備當成化學機械 拋光設備107。參考圖1A至1D所解釋之各別步驟，以一片 晶片進行抛光’使用抛光設備的各別設定條件如下； 拋光壓力：3 ps i 轉速：260/16 r.p.m 拋光泥供應：100cc/minutes 用於此實驗的拋光泥是商業上可得到的，此實驗之拋 光墊設計為具一同心圓形區域，其半徑為4吋。 如此製作出的半導體裝置，以對電子遷移（EM )的阻 抗力來做估計，可得到非常高的電子遷移（E Μ )阻抗力。 圖7是本發明的方法流程圖。 以下是解釋一種方法，假設其使用如圖3Α所示之拋光 設備進行拋光。 首先，步驟S1，水平塊3和拋光墊4相對於晶片1進行 執道運轉，此晶片1位於載體2之底部。明確地說，拋光墊 4繞著旋轉軸線3Α轉動，同時，旋轉軸線3Α以圖4所示之方 式繞著晶片1的旋轉軸線1 Α轉動。 接著步驟S2，當拋光墊4拋光晶片1時，拋光泥供應至 拋光墊4的表面，但不包括和拋光墊成同心環形區域4 a的 區域。 如此，在步驟S3，晶片以一拋光速率均勻地被拋光。 上述方法和之前所提過的實施例所使用之拋光設備， 具有同樣的好處。 . 上述之方法，拋光墊4可設計為有一圓形區域，位於

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Claims (1)

1. 494047 六、申請專利範圍 1. 一種設備用於基底拋光，包含 (a) —拋光墊，其上有多數穿透孔形成，經由這些穿 透孔，可將拋光物質供應至拋光墊表面； (b) —水平塊，其上安裝該拋光墊； (c) 一可旋轉載體，用以支托一基底於其上，此載體 置於水平塊的對面位置； 該水平塊可繞著其一旋轉軸線轉動，而此旋轉軸線沿 弧形路徑移動，且令該拋光墊和該基底接觸而拋光該基 底； 該拋光墊具有一個同心圓狀之第一環形區域，其中無 穿透孔形成。 2. 如申請專利範圍第1項之設備，其中，該第一環形 區域的寬度相等或大於拋光墊半徑的10 % 。 3. 如申請範圍第2項之設備，其中，該第一環形區域 的寬度相等或大於拋光墊半徑的20 % 。 4. 如申請專利範圍第1至第3項中任一項之設備，其 中，當該該水平塊之轴線和該載體之軸線對齊時，該穿透 孔位於和該基底之一周緣區域對齊之位置。

   5 ·如申請專利範圍第1至3項中任一項之設備，其中， 該穿透孔位於一第二環形區域，其外緣和該拋光墊之外緣 一致，其寬度等於或小於拋光墊半徑的5 % 。 6.如申請專利範圍第1至3項中任一項之設備，其中， 該拋光墊包含：一圓形區域，與讓拋光墊同心，且位於該 第一環形區域内側；及一第三環形區域，位在第一環形區 494047 六、申請專利範圍 域外側；該圓形區域和該第三環形區域内皆有穿透孔形 成。 7. 如申請專利範圍第6項之設備，其中，該第三環形 區域其外緣和拋光墊的外緣一致。 8. 如申請專利範圍第6項之設備，其中，當水平塊之 - 軸線和載體之軸線對齊時，在該第三環形區域的穿透孔和 · 基底之外緣區域對齊。 ~ 9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之設備，其中， ^ 該穿透孔的總面積沿著拋光墊半徑方向而改變。 1 0.如申請專利範圍第9項之設備，其中，每單位面積 之該穿透孔的數目沿著由該拋光墊之外緣往中心的方向遞^· 減。 1 1.如申請專利範圍第9項之設備，其中，該穿透孔直 徑由該拋光墊之外緣往中心的方向遞減。 12. —種抛光基底用之設備’包含： (a) —拋光墊，其上有多數穿透孔形成，經由這些穿 -透孔，可將拋光物質供應至拋光墊表面；一種拋光墊，其 -上有多數穿透孔形成，經由這些穿透孔，可將拋光物質供 應至拋光墊表面； (b) —水平塊，其上安裝該拋光墊； (c) 一可旋轉載體，用以支托一基底於其上，此載體 置於水平塊的對面位置； ] 水平塊可繞著一旋轉軸線轉動，而此旋轉軸線沿弧形 路徑移動，且令該拋光墊和該基底接觸而拋光該基底； ‘

   /第20頁 494047 六、申請專利範圍 此拋光墊具一同心圓狀之圓形區域，其中無穿透孔形成。 1 3.如申請專利範圍第1 2項之設備，其中，該圓形區 域半徑相等或小於該拋光墊半徑的9 5 % 。 1 4.如申請專利範圍第1 2項之設備，其中，該圓形區 域半徑相等或大於該拋光墊半徑的3 0 % 。 -- 15.如申請專利範圍第12至14項中任一項之設備，其 · 中，當該水平塊軸線和該載體對齊時，該穿透孔和該基底 ~ 之一周緣區域對齊。 1 6.如申請專利範圍第1 2至1 4項中任一項之設備，其 中，該穿透孔位於一環形區域内，此環形區域之外緣和拋 光墊外緣一致，而其寬度相等或小於該拋光墊半徑的5 ♦ % 〇 17.如申請專利範圍第12至14項中任一項之設備，其 中，該穿透孔的總面積沿著該拋光墊的半徑方向改變。 1 8.如申請專利範圍第1 7項之設備，其中，每單位面 積穿透孔的數目沿著由該拋光墊外緣往中心方向而遞減。 -1 9.如申請專利範圍第1 7項之設備，其中，該穿透孔 ： 的直徑沿著由該拋光墊外緣往中心方向而遞減。 20. —種對一基底進行化學機械拋光的方法，包含如 下步驟： (a) 令載置有一拋光墊的水平塊，相對於載置有一基 H 底之載體，繞著一旋轉軸線轉動，而此旋轉軸線沿著弧形 路徑移動；並且 v (b) 當拋光墊對基底進行拋光時，將拋光物質供應至 _

   第21頁 494047 六、申請專利範圍 與拋光墊同心之第一環形區域以外之該拋光墊表面。 21.如申請專利範圍第20項之方法，其中，該拋光物 質經由該拋光墊上的穿透孔而供應至該拋光墊表面。 2 2.如申請專利範圍第2 0項之方法，其中，該第一環 形區域寬度相等或大於該拋光墊半徑的10 % 。 2 3.如申請專利範圍第2 2項之方法，其中，該第一環 形區域寬度相等或大於該拋光墊半徑的2 0 % 。 24. 如申請專利範圍第20至23項中任一項之方法，其 中，該拋光物質供應至該拋光墊表面之一第二環形區域， 此環形區域外緣和該拋光墊外緣一致，且其寬度相等或小 於該拋光墊半徑的5 % 。 25. 如申請專利範圍第20至23項中任一項之方法，其 中，該拋光墊包含：一圓形區域，和該拋光墊成同心，並 位於第一環形區域内側；及一第三環形區域，位於第一環 形區域外側；而拋光物質供應至該圓形區域和該第三環形 區域内。 26. 如申請專利範圍第25項之方法，其中，該第三環 形區域外緣和該拋光墊外緣一致。 27. 如申請專利範圍第20至23項中任一項之方法，其 中，拋光物質供應至拋光墊表面的量，沿著該拋光墊的半 徑方向改變。 2 8.如申請專利範圍第2 7項之方法，其中，該拋光物 質在較接近於拋光墊中心的區域供/應較多的量。 29. —種對一基底進行化學機械拋光的方法，包含如

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   六、申請專利範圍 下步驟： ，灰〆基 (a )令載置有一拋光墊的水平塊，相對於載置^ ^ 底之載體，繞著一旋轉轴線轉動，而此旋轉袖線/α者 路徑移動；且 (b)當拋光墊對基底進行拋光時，將拋光物質供應至 與拋光墊同心之一圓形區域以外之該拋光墊表面。 3 0·如申請專利範圍第29項之方法，其中，拋光物質 係經由該拋光墊上的穿透孔而供應至該拋光墊表面。 31·如申請專利範圍第29項之方法，其中，該圓形區 域半徑相等或小於該拋光墊半徑的9 5 % 。 °° 32·如申請專利範圍第29項之方法，其中，該圓形區 域半徑相等或大於該拋光墊半徑的3 0 % 。 X °" 33·如申請專利範圍第29至32項中任一 中，拋光物質供應至該拋光墊表面之環項方法’其 域外緣和該拋光墊外緣一致，且其寬户域，此環形區 墊半徑的5 % 。 X邳等或小於該拋光 3 4·如申請專利範圍第29至32項中— 中，拋光物質供應至該拋光墊表面的督一項之方法，其 半徑方向改變。 ’係沿著拋光墊的 3 5·如申請專利範圍第34項之方法， 在較接近於該拋光墊中心的區域供 其中’拋光物質 —的屦較多的量。