TW492039B - Method for manufacturing conductive thin film patterned substrate - Google Patents

Description

492039 五、發明說明（1 ) [發明所屬技術領域] 本發明係一種藉由厚膜印刷來形成導電性薄膜（包 含]TO、SnSbO以及ZnA1〇等透明導電性薄膜或是A1 等金屬薄膜）圖案之方法。 [習知之技術] 以往，在圖像顯示用的螢光顯示管中，係於玻璃基板 表面形声InSnO(以下稱作IT0)等透明導電臈或是刈等金 屬薄膜之薄帛，並在該導電性薄膜上積層t上光抗姓層。 並藉由將前述所積層的光抗蝕層露光、顯像、蝕刻來形成 導電性薄膜圖案之光蝕刻處理（ph〇t〇lith〇graphy)，以形成 薄膜導電性圖案。 且係透過厚膜印刷法等在前述薄膜導電性圖案的間隙 形成絕緣層。再於前述導電性薄膜的顯示領域利用電解澱 積、厚膜印刷等形成螢光體層以形成陽極。 [發明所欲解決之問題] 然而’上述方法中，光钱刻處理中的IT〇、SnSb〇、 ΖηΑΙΟ或是A1(以下稱作導電性薄膜）的圖案形成步驟相當 繁複’而且需要洗淨水或是餘刻廢水的排水處理等複雜的 後置處理步驟。 在玻璃表面印刷粉末狀蝕刻材料，並經由燒成、反應 後水洗等來除去钱刻材料也已為人所知。此外，雖然也研 發出可絲網印刷且可經由燒成而分解以得到ITO膜之糊狀 材料’但卻無法獲得與濺射膜（sputter film)等同的導電 性。 規格⑽ x 297 公髮） t---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 311915 492039 A7 五、發明說明（2 此外，對導電性薄膜（nesa film)而言，眾所周知的 SnSbO系薄膜，即Sn(VSb2〇3係高機械強度、高化學強度 的透明導電膜，尤其可望作為顯示元件用透明導電膜，但 卻有難以形成圖案之問題。 本案發明者群在進行螢光顯示管的研發開發中，發現 了若將構成螢光顯示管的外圍器時所使用的密封劑之磷酸 系燒成_璃的糊狀物在IT0上成膜並燒成時，位於前述磷 酸系玻璃下的1丁0會形成導電性消失之狀態的現象。 因此’本發明係有鑑於前述以往之問題並利用上述現 象而成者，其目的在於提供一種不需如以往複雜的後置處 理’且可以環保又低成本的製程實現之圖案形成方法。 對於前述現象致力研究的結果，由形成於絕緣性基板 表面之IT0所構成的導電性薄膜表面所積層形成之磷酸系 低融點玻璃，即Sn〇-P2〇5-ZnO系玻璃的軟化點係425cc， 在500C的空氣中進行燒成時，玻璃的黏度會降低，而與 IT0膜的界面中，由於讓IT〇膜具有導電性之構成要素， 即Ιη〇2以及Sn〇2會溶解於玻璃，ΙΤ〇將消失。因此，可 推論讓ιτο膜具有導電性之構成要素，即Ιη〇2以及Sn〇2 消失，其結果導電性便消失。 [解決問題之方案] 本發明之發明者群將前述現象，亦即將位於磷酸系玻 璃下的IT0之失去導電性領域置於顯微鏡下觀察，也觀察 到前述IT0膜溶解於軟化的玻璃中，故能證明前述推論（第 1、2、3 圖）。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

* ϋ ·ϋ H ϋ I n ϋ^口，I n n ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 2 311915 A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3 此外’將在ITO上積層以磷酸系玻璃之Sn〇_p2〇5_Zn〇 系玻璃為主成分之絕緣性糊狀物所形成之玻璃基板置於 500 C的空氣中進行燒成，並在使絕緣層產生變化後之玻璃 基2的ITO之導電性領域積層螢光體層，並在製成螢光顯 丁 g時，藉由設置前述絕緣層，可知鄰接電極的阻抗為2 至5 Μ Ω以上。由此可知絕緣性良好。 為；Γ解決前述課題，申請專利範圍第1項之導電性薄 膜圖案基板的製造方法，其特徵為具備：在絕緣性基板上 形成導電性薄膜之步驟、將以具有可使在該絕緣性基板表 面所幵/成的導電性薄膜玻璃化的化學組成之低軟化點玻璃 作為構成要素之厚臈絕緣層形成圖案之步驟、以及使前述 厚膜、邑緣層領域下層的導電性薄膜與前述厚膜絕緣層玻璃 化成一體之燒成步驟。 申明專利範圍第2項之導電性薄膜圖案基板的製造方 法其特徵為：藉由在絕緣性基板上形成導電性薄膜的步 称:在欲使前述導電性薄膜變化絕緣性的部分，印刷以具 有扣述可玻璃化之化學組成之低軟化點玻璃粉末作為構成 要素之糊狀物’使厚膜絕緣層形成圖案之步驟、以及使前 述厚膜絕緣層領域下層的導電性薄膜與前述厚膜絕緣層玻 璃化成冑之燒成步驟，使絕緣性薄膜領域與導電性薄膜 領域圖案化。 申：專利範圍第3項之導電性薄膜圖案基板的製造方 法中，前述導電性薄膜的厚度係3〇〇nm以下。 申。月專利耗圍第4項之導電性薄膜圖案基板的製造力 本紙張尺度顧；關家 --------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明說明（4 ) ^^ 法中，前述導電性薄膜係InSn〇系、SnSb〇系、 或是A1。 ' 申請專利範圍第5項之導電性薄膜圖案基板的製造方 法中，前述低軟化點玻璃係磷酸系玻璃。 申請專利範圍第6項之導電性薄膜圖案基板的製造方 法中’前述低軟化點玻璃係Sn〇-P2〇5-ZnO系玻璃。 [發明之實施型態] 本發明者群係將本發明之導電性薄膜圖案的特性製成 第3圖所示之測試圖案來進行評比。而測試圖案係如下戶 述。 ① 藉由在玻璃基板上面進行濺射，使IT〇成為厚度為 約300nm的薄膜。 ② 在前述ITO薄膜的上面，將以磷酸系玻璃之Sn〇_ P2〇5_ZnO系玻璃為主成分之絕緣性糊狀物，形成一邊5^^ 以作為内邊之正方形，並利用厚膜印刷法在内邊的外側形 成線寬1 mm的框狀測試圖案。 ③ 在450至500°C的空氣中對積層前述絕緣性糊狀物 而成的玻璃基板進行燒成，使前述IT〇絕緣膜化。 ④ 利用絕緣計測量：前述測試圖案的中心點〇與絕緣 圖案所包圍之點A，亦即ΙΊΓ0薄膜上的2點的阻抗值、以 及前述測試圖案的中心點〇與框狀絕緣圖案外側附近的點 B間，亦即隔著絕緣臈化之ITO薄臈的2點的阻抗值。 ⑤ 再者’使用30000倍數的顯微鏡觀察玻璃基板、ΙΤ〇 薄膜與絕緣層之界面的剖面部。 本纸張尺度適用中國iT豕標準（CNS)A4規格（21G x 297公髮） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 311915 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（5 ) 以下說明對於本發明所確認之結果。

關於第1闻A 、 圖之說明如下：如（a)所示，使利用濺射的手 絕緣基板之破璃基板1表面全面形成的ITO薄膜2成 ° 甘-^ Vv \ /、一^所示，在前述ΙΤ〇薄膜的表面，藉由絲網印 届]法在預&的部分積層形成以磷酸系低融點玻璃之SnO-2 5 ZnO系玻璃為主成分之絕緣性糊狀物3。之後，將在 ^述IT<〇薄膜的表面積層以磷酸系低融點玻璃之Sn〇-P2〇5-ZnO系玻璃為主成分之絕緣性糊狀物所形成之玻璃 基板置於充滿空氣的爐中，以450°C至500。(：的溫度來燒成 時’如（c)所示，絕緣層3下層的IT〇膜溶解於前述絕緣性 糊狀物中，並形成一體的絕緣層3Α。 使用30000倍數的顯微鏡觀察前述玻璃基板的ΙΤ〇薄 膜2與絕緣層3 Α的界面4、以及未形成有絕緣層領域之 IT 0剖面。 根據前述30000倍數的顯微鏡所觀察的結果，雖然在 積層有前述絕緣層3的領域中前述ITO薄膜4幾乎消失， 但可以確疋的疋’未積層有前述絕緣層3的領域中仍殘留 有前述ITO薄膜。 如上所述，由於ITO薄膜在積層有絕緣層3的領域幾 乎消失，因此形成非導電性領域4，並將未積層有絕緣層 之領域的ITO形成導電性領域2 A，便可形成導電性薄膜 圖案基板。 另一方面，形成將在絕緣基板表面所形成的IT〇薄膜 上積層以填酸系低融點玻璃之Sn〇-P2〇5_Zii〇系玻璃為主 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 5 311915 -------------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ------ B7_ 五、發明說明（6 ) 成刀之絕緣性糊狀物而形成之玻璃基板置於充滿空氣的爐 中’並以低於前述低融點玻璃之軟化點425t的低溫400 C以10至30分鐘所燒成之絕緣層，但IT〇薄膜並未玻璃 化’而係以未擴散的狀態殘留在前述絕緣層上。 本發明者群也使用絕緣計測量：SnSbO系、ΖηΑΙΟ系 或疋A1薄膜等導電性薄膜在和前述IT〇薄膜相同之燒成 酿度、終成時間下的各個導電性薄膜的阻抗值、燒成後的 阻抗值、前述測試圖案的令心點〇與絕緣圖案所包圍之點 A，以及刖述測試圖案的中心點〇與框狀絕緣圖案外側附 近的點B間的阻抗值。 再者’使用30000倍數的顯微鏡確認玻璃基板、以及 I το薄膜與絕緣層界面的剖面部。 其結果如下所示。 設置於形成有300nm之IT0薄膜的薄膜上之框狀絕緣 測試圖案所包圍之中心點0與絕緣測試圖案外側附近的點 Β間的阻抗值係2〇Μ Ω以上，而絕緣圖案所包圍之中心點 〇與ΙΤΟ薄膜上點a 2點間始阻抗值則係1 〇〇 q。 設置於形成有200nm之SnSbO系薄膜的薄膜上之絕緣 測試圖案所包圍之中心點〇與絕緣測試圖案外側附近的點 B間的阻抗值係20ΜΩ以上，而絕緣圖案所包圍之中心點 0與ITO薄膜上點A 2點間的阻抗值則係5〇〇 Ω。 積層以碟酸系低融點玻璃之SnO-P2〇5-ZnO系玻璃為 主成分之絕緣性糊狀物而成的玻璃基板，其燒成條件係以 500°C燒10分鐘。 I Γ-----.---Γ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 6 311915 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 492039 Α7 -- Β7 五、發明說明（7 ) 設置於形成有250nm之ΖηΑΙΟ系薄膜的薄膜上之絕緣 測試圖案所包圍之中心點〇與框狀絕緣測試圖案外側附近 的點B間的阻抗值係20M Ω以上，而絕緣圖案所包圍之中 心點Ο與ITO薄膜上點A 2點間的阻抗值則係300 Q。 積層以磷酸系低融點玻璃之SnO-P2〇5-ZnO系玻璃為 主成分之絕緣性糊狀物而成的玻璃基板，其燒成條件係在 空氣中μ 450°C燒30分鐘。

C 設置於形成有l〇〇nm之A1的薄膜上之絕緣測試圖案 所包圍之中心點Ο與絕緣測試圖案外側附近的點B間的阻 抗值係20M Ω以上，而絕緣圖案所包圍之中心點〇與it〇 薄膜上點A 2點間的阻抗值則係1 〇〇 Q。 積層以磷酸系低融點玻璃之SnO-P2〇5-ZnO系玻璃為 主成分之絕緣性糊狀物而成的玻璃基板，其燒成條件係在 空氣中以500°C燒1〇分鐘。 如前所述，藉由將使在ITO薄膜' SnSbO系薄膜、 ΖηΑΙΟ系薄膜、A1薄膜上面所積層之以磷酸系低融點玻 璃，即SnO-P2〇5-ZnO系玻璃為主成分之絕緣性糊狀物與 絕緣基板之間的領域具有導電性之構造要素，即In、Sn、 Sb的氧化物或是A1，以450°C30分鐘或500°Cl〇分鐘在 空氣中燒成，可連續區分為：溶解於前述磷酸系低融點玻 璃之SnO-P2〇5_ZnO系玻璃中的絕緣領域、以及由IT〇、 SnSbO、ΖηΑΙΟ、Α1薄膜所構成的導電性領域。 以下’參照第1圖以及第2圖按製程順序更詳細地說 明本案發明之具體構造。 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 7 311915 492039 A7

五、發明說明（8 ) …第B係本發明第！實施型態之示意圖，且係开 示元件之螢光顯示管的製程概略圖，而第2圖係本發成顯 2實施型態之示意圖，且传 _ _ ” 明第 元件的製程概略圖。 ，肩不 (第1實施型態） 首先’如第1圖⑷所示，在玻璃等之具有耐熱性以 絕緣性$基板1上，藉由錢射法等方法使例如ιτ〇 之以氧化铜為主成分之透明導電膜2以預定厚度（例如’約 300nm)成膜。 其次，將SnO-P2〇5_Zn〇系之低軟化點玻璃（Sn〇2 . 咖％、P2〇5 : 35 Wt%、Zn〇 : 3 wt%)磨碎所得的平均師 5μΓΠ的粉末80份、以及乙基纖維素的卡必醇乙酸丁醋溶 液20份相混和，製成低軟化點玻璃糊狀物（絕緣糊狀物）。 另外，也可加入作為移動性填料所使用之氧化.物。例 如加入氧化鋁或Ti02等。 其次，如第1圖（b)所示，對透明導電膜2上不需導電 性的部分（使其不具絕緣性之部分），亦即，除去顯示圖案 的發光領域與配線部分的部分，使用2〇〇網目sus版以絲 網印刷將上述低軟化點玻璃糊狀物3印刷成圖案。本例 中，低軟化點玻璃糊狀物3係相對於例如構成基底的透明 電極厚度為100至300nm，而印刷成厚度20μιη至25μιη。 之後’在500C的空氣中進行10分鐘的燒成。如此，如第 1圖所示，位於低軟化點玻璃糊狀物的絕緣層3 Α下之透明 導電膜2部分將與前述低軟化點玻璃一體化，而形成無導 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 311915 492039 A7 ______ B7 五、發明說明（9 ) 電性之絕緣層4。繼之，在基板1上，包含配線，形成由 透明導電膜2構成之陽極2A，以構成顯示圖案的發光領 域。 此外，P2〇5系玻璃鎔塊係除了上述Sn〇_p2〇5_Zn〇系 以外，也可使用SnO-Ρ 〇会 7 A ^ υ &υ5系、zn〇_p2〇5系等作為玻璃主 成分。 〜人如第1圖⑷所示，由透明導電膜2構成之陽極 2Α上形成顯示圖案的領域，將例如Ζη〇: Ζη等營光體糊 狀物進行絲網印刷以形成螢光體層5。然後，在基板工的 外周部分印刷形成密封用屏蔽玻璃後，以5〇代燒财 鐘。如此便完成陽極基板6。 後於已凡成之陽極基板6，使具有絕緣性以及透 月1±之全面板7和未圖不之由側面板構成的容器部、栅極 (控制電極)8、燈絲狀陰極電極(陰極)9位置一致，將陽極 基板6和容器部的外周邱您 W卜周邛岔封，以構成外圍器。之後，經 過排氣處理，讓外圍哭內报#古古&， 内$成同真空狀態以完成螢光顯示 管10 〇 (第2實施型態） 首先如第2圖⑷所不，利用蒸鑛法、〔仰⑽⑽⑽ Vapor Dep〇sltlon)法、印刷法等方法在具有财熱性以及 絕緣性之基板U上’全面形成由IT◦等構成之以氧化姻 為主成分之透明導電臈2。_’如第2剛所示，在透 明導電膜2上將預定厚声夕 厚度之低軟化點玻璃糊狀物3印刷成 預定間隔的條紋狀。 Μ-----------------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格 (210 X 9Q7 AVil： \ 311915 492039 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

492039 A7 五、發明說明（Π ) 透明導電膜2全面形成之陽極22、以 、 王面形成於％極22 上’並由從陰極基板15的射極層12带也， 禮12所放出的電子按預定 顏色發光之螢光體層23。 如上述所形成之場致發射顯示元件16係於陰極條紋 線13的陰極13A(位於射極層12下且由透明導電膜2所構 成）掃描信號並依序掃描，同時對閘極〗5供給選擇信號。 如此，弗夠進行發光畫素的選擇。然後，待畫素的選 成後，從陰極13A上的射極層12會放出電子，此被放 的電子則通過閘極14的開π部，朝陽極22上的螢光體層 23射出並發光，而此時的發光可從陽極基板！外側觀察 到。 另外上述智致發射顯示元件16係藉由陰極13A與 閘極14來進行發光晝素的選擇，但也可在基板n全面形 成陰極13A以及射極層12，讓披覆有螢光體層23的陽極 22與閘極14直交，以形成條紋狀，如此，便能藉由陽極 22與閘極14進行發光畫素的選擇。而此時的陽極21可用 第1實施型態中說明的步驟來製造。 在此’在透明導電膜2上印刷並燒成磷酸系之低軟化 點玻璃糊狀物3時，位於一體化之低軟化點玻璃3 a下的 透明導電膜2失去導電性之現象與第1實施例相同，故省 略說明。 本實施型態中，可在基板1(或是11)上成膜且以氧化 銦為主成分之透明導電膜2上不需導電性的部分（使其不 具絕緣性的部分），讓位於磷酸系之低軟化點玻璃3 A下的 ^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ή^τ· · 丨線· 經濟部智Μ財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Q χ 297公爱） 11 311915 492039 A7 五、發明說明（U ) 透明導電膜2部分失去導電性，而形成絕緣膜4。 如此，可利用厚膜印刷，使透明導電膜之電極（陽極 2A或是陰極13A)的圖案形成以及利用燒成步驟絕緣化同 時進行，不需如以往之光蝕刻處理之抗蝕層塗布、露光、 顯像、蝕刻等步驟，而可以減少作業工數的製程製造元件 基板或顯示元件。 而弄，與蝕刻糊狀物的絲網印刷法相比較，不需除去 蝕刻材而可以環保之低成本製程製造顯示元件用基板或顯 示元件。 (第3實施型態） 利用濺射熱分解法將Sn〇2+Sb2〇3膜以約2〇〇nm膜厚 成膜之以外步驟與第丨實施型態的實施例相同。 本實施型態中，可將難以利用姑刻法等形成圖案之 Sn〇2 + Sb2〇3膜有效地使用於顯示元件等。 (第4實施型態） 利用濺射法等將ZnA1〇膜以約250nm膜厚成膜之以外 步驟與第1實施型態的實施例相同。 本實施型態中，可利用餘刻法黧 、 、 4用棘剔凌等以外之步驟簡單地形 成圖案並有效地使用於顯示元件等。 (第5實施型態） 利用濺射法等將A1膜以約100nm的膜厚成膜之以外 步驟與第1實施型態的實施例相同。 本實施型態中’可利用姓刻法等以外之步驟形成圖案 並有效地使用於顯示元件等。 本纸張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 311915 ί-----^丨卜續 ί請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁} 訂---- 492039 A7 B7 五、發明說明（l3 ) 另外，由於wo〇nm膜厚的Alm會遮光，為了由前 薄膜確認顯示等，有效的方法係形成網眼狀等圖案以 獲得遮光性。 〃 雖然在前述的實施型態中’已說明顯示元件、特別是 榮光顯示管以及場致發射顯示元件，但在螢光顯示管中， 當然也可適用使用由厚膜印刷等形成之立體網格、以及等 離子顯、示元件之隔壁等的⑯融點玻璃之顯示元件。 其他，當然也適用於使含有以低融點玻璃的軟化點以 上的空氣燒成玻璃等之絕緣基板之處理的導電性薄膜 圖案。 [發明之效果] 如上所述可知，本發明中，可使位於已硬化之低軟化 點玻璃下之透明導電臈部分的導電性消失而形成絕緣膜’ 且可使藉由厚膜印刷使電極形成圖案與絕緣同時進行，因 此不需如以往之光餘刻處理之抗韻層塗布、露光、顯像、 蝕刻等步驟，而可以減少作業工數的製程來製造顯示元件 用基板或顯示元件，對產業很有幫助。 此外，與蝕刻糊狀物的絲網印刷法相比較，不需除去 蝕刻材，因此可以環保之低成本製程製造顯示元件用基板 或顯示元件，對產業很有幫助。 再者’可藉由本發明使可望作為高機械強度、高化學 強度之透明導電臈之SnSbo薄膜，簡單地形成圖案，對產 業很有幫助。 此外依本發明所形成之導電性領域與絕緣性領域， 本纸張尺度適用中國國格⑵G x 297公爱） 13 ^--------^---------線 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

五、發明說明（I4 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 從絕緣基板側及圖案側觀察時，即使圖案形成時沒有進行 精確的對位，也可獲得連續的圖案，對產業也报有幫助。 [圖面之簡單說明] 第1圖之（a)至（e)為本發明第i實施型態之示意圖，係 螢光顯示管的製程概略圖。 、 第2圖之（a)至（e)為本發明第2實施型態之示意圖，係 場致發辦顯示裝置的製程概略圖。 、 第3圖係本發明之絕緣領域所覆蓋之導電性薄膜的随 抗值之測試圖案的示意圖。 [符號之說明] I、11基板 2 透明導電膜 、 2A 陽極 3 低軟化點玻璃糊狀物 3 A 由低軟化點玻璃構成的絕緣層 4 低軟化點玻璃之絕緣層下層的導電性薄膜失去導電性後的絕緣填 5、23螢光體層 6、21陽極基板 10 螢光顯示管（顯示元件）12 射極層 13 陰極條紋線 13A 陰極 14 閘極 15 陰極基板 16 場致發射形顯示裝置（顯示元件） . --------訂---------^^9, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵Q X 297公爱） 14 311915^^.

Claims (1)

1. 第8912142 1號專利申請案 申請專利範圍修正本 (91年1月28曰） 1·-種導電性薄媒圖案基板之製造方法，其特徵為且債： 在絕緣性基板上形成導電性薄摸之步驟、將以具有可使 在該絕緣性基板表面所形成的導電性薄膜玻璃化的化 學組成之低軟化點玻璃作為構成要素之厚膜絕緣層形 成圖案之步驟、以及使前述厚膜絕緣層領域下層的導電 性薄膜與前述厚膜絕緣層玻璃化成一體之燒成步驟。 2·-種導電性薄膜圖案基板之製造方法，其特徵為：藉由 在絕緣性基板上形成導電性薄膜的步驟、在欲使前述導 電性薄膜變化絕緣性的部分，印刷以具有前述可玻續化 之化學組成之低軟化點玻璃粉末作為構成要素之糊狀 物，使厚膜絕緣層形成圖案之步騾、以及使前述厚膜絕 緣層領域下層的導電性薄臈與前述厚膜絕緣層玻璃化 成一體之燒成步驟等，使絕緣性薄膜領域與導電性薄臈 領域圖案化。 經濟部中央標準局員工辐利委員會印裂 0·如申請專利範圍第2項之導電性薄膜圖案基板的製造方 法’其中’前述導電性薄膜的厚度係3〇〇nm以下。 •如申租專利範圍第2項或第3項之導電性薄膜圖案基板 之製造方法，其中，前述導電性薄膜係InSn〇系、SnSb〇 系、ΖηΑ1〇系或是A1。 ’如申請專利範圍第2項或第3項之導電性薄膜圖案基板 之製造方法’其中，前述低軟化點玻璃係磷酸系玻璃。 ’如申請專利範圍第4項之導電性薄膜圖案基板之製造方 本·.代張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐 311915 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 ,:，其^係 ϋ系 $- .2請專利範圍第2項Μ 3項之導電性薄膜圖案基板 之製造方法，甘士 义、丄、 去其中，刖述低軟化點玻螭係Sn〇-P205-Zn〇 乐玻璃。 、申=專利範圍第4項之導電性薄膜圖案基板之製造方 法其中，前述低軟化點玻璃係Sn〇_P2〇5_Zn〇系坡填。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210 X 297公釐） T