TW488025B - Self-aligned dual damascene etch using a polymer - Google Patents

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TW488025B
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dielectric layer
trench
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intermediate horizontal
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488025 A7 B7 五、發明說明（） 背景 1 .技術領域 本發明關於半導體製造，更特別地有關蝕刻停止層及具 有低介電常數特性以便改良電路性能之方法。 2 .相關技藝之說明 在單一沈積程序中，採用雙金屬鑲嵌結構來同時形成接 觸點至較低金屬結構及金屬線上。於形成通孔和溝渠在介 電層（其將金屬結構與欲被形成之金屬線分隔）中時發生困 難。將通路孔設置在所需要之位置上，於此情況，欲造成 連接通過介電層，同時將溝渠形成歷較大距離以便形成金 屬線。因爲通孔和溝渠具有不同之幾何形狀，所以通孔和 溝渠之形成係由不同之圖案化步驟形成。 爲了適應不同結構即：通孔和溝渠將一個蝕刻停止層插 置在兩介電層間。蝕刻停止層係由氮化矽材料所形成。採 用氮化矽可容許選擇性蝕刻第一介電層（其可包括一種氧 化物材料）而形成金屬線。然後，蝕刻氮化物並使用來造 成通孔圖案通過第二介電層，其典型亦是一種氧化物材 料。 氮化矽蝕刻停止層包括大約4或5之介電常數。關於具 有較大密度之金屬線，就0 . 25微米或更小之接地法則而 言，氮化矽遇到高介電常數其可產生電流漏電或串音在毗 鄰金屬線間或在不同層上之金屬線間。 因此，（存在著）需要一種改良之蝕刻停止層其可提供所 必須之對於毗鄰層之選擇性，提供硬遮罩能力並具有降低 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） J--·------------------i 訂· H------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 488025 A7 B7 五、發明說明（） 之介電常數以便改良雙金屬鑲嵌結構之成形。 發明之槪沭 丰艮»本發明’用以形成半導體裝置之雙金屬鑲嵌結構之 方法包括提供導電之區域在第一層上，形成一個中間水平 面介電層在第一層上及形成一個蝕刻停止層在中間水平面 介電層上。蝕刻停止層包括具有小於大約3 . 0之介電常數 的聚合物。將蝕刻停止層圖案化而形成通孔圖案，並將溝 渠介電層沈積在蝕刻停止層上及在通孔圖案的孔中。溝渠 係經由根據蝕刻圖案，蝕刻溝渠層予以形成在溝渠介電層 中’而通孔係經使用触刻停止層蝕刻通過溝渠予以形成在 中間水平面介電層中，使溝渠與通孔自行對齊並曝露導電 區域在第一層上。 在其他方法中，聚合物宜包括至少一種的聚伸芳基醚和 聚苯並噚唑介電體。提供導電之區域在第一層上的步驟可 包括提供金屬線和擴散區域之一。可包括形成一個帽層在 導電區域上以保護導電區域免於氧化的步驟。 在更有其他方法中，中間水平面介電層和溝渠介電層可 能由相同材料所構成。相同材料可包括氮化物和氧化物之 一。中間水平面介電層和溝渠介電層宜選擇性可蝕刻（相 對於蝕刻停止層）。中間水平面介電層和溝渠介電層亦可 由不同材料所構成。將蝕刻停止層圖案化而形成通孔圖案 步驟可包括採用一個硬遮罩層而形成通孔圖案。可包括沈 積導電材料以便同時形成接觸點在通孔中及在溝渠中之導 電線中的步驟。形成蝕刻停止層在中間水平面介電層上之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公叙) ------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488025 A7 五、發明說明（） 步驟可包括旋轉塗覆聚合物並將它固化。蝕刻停止層可包 括大約lOOnm(奈米）至大約250nm間之厚度。 形成半導體裝置之雙金屬鑲嵌結構之另種方法包括下列 步驟：提供導電區域在第一層上，形成一中間水平面介電 層在第一層上其中該中間水平面介電層包括具有小於大約 3.0之介電常數之聚合物材料，及形成一蝕刻停止層在中 間水平面介電層上。該方法另外包括將蝕刻停止層圖案化 而形成通孔圖案，沈積一溝渠介電層在蝕刻停止層上及在 通孔圖案之孔中其中該溝渠介電層包括具有小於大約3 . 0 介電常數之聚合物材料，及經由根據溝渠圖案，蝕刻溝渠 層而形成在溝渠介電層中。將通孔係經由使用鈾刻停止層 蝕刻通過各溝渠而形成在中間水平面介電層中，使溝渠與 通孔自行對齊並曝露導電區域在第一層上。 在其他方法中，聚合物宜包括聚伸芳基醚和聚苯並噚唑 介電體之少一種。提供導電區域在第一層上之步驟包括提 供金屬線之一 ’並可包括擴散區域。該方法可包括形成一 個帽層在導電區域上來保護導電區域免於氧化之步驟。蝕 刻停止層可包括氧化物和氮化物之一。中間水平面介電層 和溝渠介電層宜相對於蝕刻停止層選擇性可蝕刻。中間水 平面介電層和溝渠介電層可由不同之聚合物材料所構成。 在更有其他方法中，經由根據溝渠圖案蝕刻溝渠層而形 成溝渠在溝渠介電層中的步驟可包括使用一個氧化物層作 爲硬遮罩而將溝渠介電層圖案化的步驟。該方法可另外包 括沈積導電材料來同時形成接觸點在通孔中及溝渠中之導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） J--·------------------"訂 -----"—線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 488025 A7 B7 五、發明說明（） 線線上的步驟。形成中間水平面介電層的步驟可包括旋轉 塗覆聚合物並將它固化。沉積溝渠介電層之步驟亦可包括 旋轉塗覆聚合物並將它固化。 根據本發明，雙金屬鑲嵌結構包括第一層上之導電區域 ’經形成在該第一層上並具有通孔通經其中之中間水平面 介電層’ 一個溝渠介電層具有溝渠形成在其中與各通孔相 連通及經形成在中間水平面介電層與溝渠介電層間之一個 蝕刻停止層。將各溝渠和各通孔用一種導電之材料塡充， 而該導電之材料形成導電線在各溝渠中將彼等經由經形成 在通孔中之接觸點予以連接至第一層之導電區域。中間水 平面介電層、溝渠介電層和蝕刻停止層的至少一者包括具 有小於或等於3 . 0介電常數之聚合物材料。 在另外具體實施例中，聚合物可包括聚伸芳基醚和聚苯 並曙哩介電體之至少一種。中間水平面介電層和溝渠介電 層兩者可包括聚合物材料，或蝕刻停止層可包括聚合物材 料。該蝕刻停止層宜包括大約l〇0nm至大約25〇nm間之厚 度。毗鄰之導電線可具有小於或等於〇 . 25微米的間隔在 其間。 本發明的此等和其他目的、特徵及優點自其舉例說明之 具體實施例的下列詳細敘述將變得顯然可見，此等具體實 施例係參照附隨之圖式予以閱讀。 圖式之簡單說明 本文內容將參照下列各圖式詳細呈現較佳具體實施例的 下列敘述，其中： —6— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -ϋ I I ϋ J0 tTii----線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488025 A7
5 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（） 第1圖是半導體裝置的截面圖，顯示根據本發明，用以 使硬遮罩層圖案化之阻體層； 第2圖是第1圖中半導體裝置的截面圖，顯示根據本發 明，採用硬遮罩層將蝕刻停止層圖案化； 第3圖是第2圖中半導體裝置的截面圖，顯示根據本發 明，將溝渠介電層圖案化而使各溝渠與各通孔自行對齊並 在導電區域之下面； 第4圖是第3圖中半導體裝置的截面圖，顯示根據本發 明，將溝渠和通孔敞開而形成雙金屬鑲嵌構造； 第5圖是第4圖中半導體裝置的截面圖，顯示根據本發 明，使用導電之材料塡充各溝渠和各通孔而形成雙金屬鑲 嵌構造；及 第6圖是根據本發明，具有聚合物中間水平面介電層和 溝渠等介電層之半導體裝置的另外具體實施例之截面圖。 較佳具體實施例的詳細說明 本發明提供優於先前技藝蝕刻停止層之新穎蝕刻停止層 以便形成雙金屬鑲嵌結構。特別，該新穎蝕刻停止層提供 對於毗鄰層之選擇性、改良之介電特性和能提供改良之處 理特性，舉例而言例如，可沈積達到較大之厚度。本發明 提供一聚合物介電層其能防止毗鄰導電結構間之電流漏電 及減少毗鄰導電結構間之串音。 現在特別詳細述及各圖式，其中相同參考數字指示遍歷 圖中相似或相同單元，首先述及第1圖，顯示經部份製成 之半導體裝置100。半導體裝置100可包括一記憶體晶片 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ¥衣 tT丨· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488025 A7 B7 五、發明說明（6 ) 例如’靜態隨機存取（SRAM )記憶體晶片，動態隨機存取記 憶體（DRAM)晶片、嵌入式記憶體晶片等。半導體裝置ι〇〇 亦可包括一個邏輯或處理器晶片，一應用特定積體電路 (AS 1C)晶片或類似者。可將本發明採用於任何雙金屬鑲嵌 結構或具有經由介電層所分隔之導電線或電極之其他多層 結構。爲了舉例說明之目的，本發明將以雙金屬鑲嵌結構 計而敘述，將它對於下面之導電或半導體區域1 02自行對 齊。 可將區域102形成在基體104上或在其中。基體104可 包括許多介電層、導電層、有源裝置例如電晶體、無源裝 置例如電容器或其他組件。基體1 04可包括一種半導體材 料例如單晶矽其可包括溝渠和擴散區域。區域1 02可包括 導電之金屬線或擴散區域。現在將區域1 02以導電之線計 舉例說明方式來敘述。 可將一個帽層106沈積在區域102上以防止在隨後沈積 程序中，氧化物形成在其上。帽層1 06宜包括一薄層（數 奈米）的氮化矽。將中間水平面介電層1 08形成在帽層1 06 上。中間水平面介電層形成一個通孔層或經使用以形成通 孔至下面之區域106之一個層。中間水平面介電層108可 包括一種氧化物例如二氧化矽或一種玻璃例如硼-磷矽酸 玻璃（BPSG)，硼矽酸玻璃（BSG)、磷矽酸玻璃（PSG)、砷矽 酸玻璃（ASG)或相當之材料。有利者，根據本發明，可採 用一種氮化物層作爲中間水平面介電層1 08。其原因將在 下文中較詳細解釋。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公愛） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) |裝---
---II 488025 A7 B7 五、發明說明（） Γ靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明，現在將一個鈾刻停止層1 1 0形成在中間水 平面介電層1 08上。蝕刻停止層1 1 〇係自一種聚合物材料 有利地形成，此聚合物材料，相對於氧化物或在某些具體 實施例中，相對於氮化物而提供選擇性蝕刻。在較佳具體 實施例中，蝕刻停止層1 1 0係相對於氧化物及氮化物兩種 材料選擇性可蝕刻。每一停止層可包括聚伸芳基醚例如自 道康寧公司可供應之SILK或聚苯並噚唑介電體例如CRA_ X9111，自日本Sumi tono Bakelite有限公司可供應。亦 可使用其他聚合物。 宜將蝕刻停止層Π0旋轉塗覆在中間水平面介電層108 上並予以固化。每一停止層1 1 0有利地包括大約2.0至大 約3 . 0間之介電常數。在一具體實施例中，達到大約2 . 6 之介電常數唯以具有較低介電常數之材料較佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 每一停止層1 1 0較先前技藝提供尙有另外之優點。先前 技藝蝕刻停止層，典型包括氮化矽，必須將它保持儘可能 的薄才可獲得溝渠或通孔的所必須之縱橫比，即：保持縱 橫比小。因此，將先前技藝氮化矽鈾刻停止層維持在或低 於1 0 0奈米。根據本發明，蝕刻停止層11 0可包括大約7 0 奈米至大約25 0奈米間之厚度，宜係200奈米至大約250 奈米。出人意料以外，較厚之蝕刻停止層1 1 0仍能提供溝 渠和通孔之所必須之縱橫比。增加厚度的另外優點下文中 將予闡明。 將一硬遮罩層1 1 2形成在蝕刻停止層1 1 0上。硬遮罩層 112宜包括與中間水平面介電層108相同之材料，唯可使 mmm CJ mmm &紙張尺度_中關家群（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 488025 A7 B7 8 五、發明說明（） 用不同之材料。硬遮罩層1 1 2，相對於蝕刻停止層1 1 0選 擇性可蝕刻。硬遮罩層包括一種氧化物例如玻璃或一種氮 化物。將阻體層1 1 4旋轉塗覆在硬遮罩層1 1 2上並使用習 用之方法予以圖案化，例如照相微影法而產生通孔圖案 1 1 8。可採用該通孔圖案來蝕刻通孔下至區域1 02而提供 中間水平面連接。 述及第2圖，採用阻體層114中之通孔圖案118來將硬 遮罩層112圖案化。然後將阻體層114自硬遮罩層112的 頂表面上剝離。順序，採用硬遮罩層1 1 2來鈾刻蝕刻停止 層1 1 0。宜採用一種各向異性蝕刻方法，例如反應性離子 蝕刻方法來飩刻通過硬遮罩層1 1 2及蝕刻停止層1 1 0兩者 而轉移通孔圖案118至其上。 述及第3圖，沈積介電層30而塡充入經轉移至硬遮罩 層112和蝕刻停止層110之通孔圖案中。介電層120宜包 括硬遮罩層1 1 2之相同材料，舉例而言一種氧化物例如矽 酸鹽玻璃。亦可採用其他材料，舉例而言，可沈積氧化物 層作爲層120。將阻體層122形成在介電層120上並使用 習用之方法予以圖案化。阻體層122係根據溝渠圖案124 予以圖案化，它包括溝渠的位置，可採用它用以形成雙金 屬鑲嵌結構之導電線。 述及第4圖，現在將介電層1 20和中間水平面介電層 1 08根據溝渠圖案1 24和導電區域1 1 8蝕刻。將通孔圖案 1 1 8形成在飩刻停止層1 1 〇中而溝渠圖案1 24係由阻體 1 22所形成（見第1 - 3圖）。實施一種各向異性蝕刻方法， -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂ί_-------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 488025 A7 B7 五、發明說明（） 例如，反應性離子蝕刻方法而形成通孔126和溝渠128兩 者各自在中間水平面介電層108和介電層120中。於不需 要通孔1 26之情況，不將蝕刻停止層1 1 0圖案化而形成各 孔在其中。因爲蝕刻停止層1 1 0包括一種聚合物材料，所 以蝕刻方法是選擇性而不會如鈾刻層1 08與1 20那樣快速 來蝕刻蝕刻停止層1 1 0。以此種方式，溝渠1 28和通孔 1 2 6兩者係由相同餓刻方法予以形成。有利地，使溝渠 128與通孔126和區域102自行對齊。 蝕刻停止層110在反應性離子蝕刻（RIE)方法中對於氧 化物或氮化物提供選擇性而使使用具體實施例蝕刻停止層 之自行對齊的雙金屬鑲嵌蝕刻可實行。另外，可使蝕刻停 止 層較厚而提供較高之過度飩刻邊緣。 由於蝕刻之結果，將鈾刻停止層11 0浸飩。然而，明確 之角落130依然而蝕刻停止層110現在包含溝渠128之側 壁。飩刻停止層1 1 0的低介電常數數値現在有助於改良毗 鄰溝渠1 28間之介電強度，藉以減少串音和減少電流漏電 。出人意料以外，經由本發明，顯著減少電流漏電並減少 串音自大約1 0%至大約1 5%之間。在具有較小之接地法則 之裝置中，此現象特別有用，舉例而言，小於或等於大約 0 . 25微米接地法則（例如最小之特徵大小）。經由提供具有 較大厚度之蝕刻停止層11 〇，角落Π0較有可能予以明確 界定且較有可能消除將角落圓形化。另外，較長之通孔深 度使用較厚之蝕刻停止層可達到（較大之縱橫比）。 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -—.---------裝--------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 488025 Α7 Β7 10 五、發明說明（） 述及第5圖，將帽層1 06開敞而達到接近區域102。將 導電材料1 32沈積在溝渠1 28和通孔1 26中以便在相同沈 積過程中形成導電線134和接觸點136。導電材料可包括 鋁、銅、聚矽或其他導電材料。 述及第6圖，本發明的另外具體實施例包括形成中間水 平面介電層1 08作爲聚合物材料。在此具體實施例中，形 成區域1 02並將帽層1 06沈積在其上。沈積中間水平面介 電層10^且係自一種聚合物材料所形成，舉例而言，聚伸 芳基醚和聚苯並噚唑介電體。亦可使用其他聚合物。 蝕刻停止層1 1 0 '相對於介電層1 08 '的聚合物材料選擇 性可蝕刻’一個介電層120'其係在形成介電層120'之前 ，在使用阻體形成圖案之方法將蝕刻停止層1 1 〇 1圖案化後 予以形成。蝕刻停止層1 1 0 ’的結構化不需要硬遮罩；代之 者’採用光阻體方法。然而，硬遮罩層150係使用阻體形 成圖案之方法予以圖案化，然後使用來將層1 08 '圖案化。 每一停止層1 1 (T可包括氧化物或氮化物材料。宜將介電層 108'和12(Γ旋轉塗覆在帽層1〇6上和鈾刻停止層110·上 並予以固化。介電層108'和12(Τ有利地包括大約2.0至 大約3 . 0間之介電常數。在一個具體實施例中，達到大約 2 · 6之介電常數唯以較低之介電常數材料較佳且可根據本 發明而獲得。將硬遮罩層1 5 0自頂表面上剝離。應了解 者：108'和12(Τ等兩層可自相同或不同聚合物所形成以及 在某些具體實施例中，根據本發明各層108’和120 '之僅 一者可包括一種聚合物材料。 第6圖中所示之結構提供較大之介電強度在毗鄰結構間 而除去中間水平面介電層108和介電層120係自一種聚合 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 1·---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • ϋ ·1 n I —.1 n ^iv 訂-------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 488025 A7 B7 五、發明說明（1 ) 物材料予以形成外，導致第5圖之相同結構。蝕刻停止層 1 1 0係自一種材料所形成，此材料相對於聚合物材料選擇 性可鈾刻。第6圖之結構提供較大部份的溝渠側壁（及通 孔側壁）彼等具有低介電常數。此方式對於減少串音（例如 ’大於1 5 %減少）及對於減少贩鄰導電結構（將彼等形成在 溝渠1 2 8和通孔1 2 6中）間之電流漏電提供甚至更大改進。 已敘述使用一種聚合物之自行對齊的雙金屬鑲嵌蝕刻之 較佳具體貫施例（彼等意欲是舉例說明並非限制），應特別 提及：按照上述教旨，變型和變更可由精於該項技藝之人 士作成。因此，應了解：可對所揭示之本發明的特別具體 實施例作成改變，其係包括在本發明的範圍和要旨以內如 所附隨之申請專利範圍所槪述。如此詳細敘述了本發明及 專利法規所特別需要者，將申請專利範圍及專利證書所需 要保護之項目特舉出於附隨之申請專利範圍中。 符號之說明 100 半導體裝置 102 下面之導電區域 104 基體 106 帽層 108 中間水平面介電層 110 蝕刻停止層 112 硬遮罩層 114,122 阻體層 118 通孔圖案 120 介電層 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------裝--------訂 -------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

  1. 488025 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種用以形成半導體裝置之雙金屬鑲嵌結構之方法，包 括下列步驟： 提供導電區域在第一層上； 形成一中間水平面介電層在第一層上； 形成一蝕刻停止層在中間水平面介電層上，該飩刻停 止層包括具有小於大約3 . 0的介電常數之聚合物材料； 將蝕刻停止層圖案化而形成通孔圖案； 沉積溝渠介電層在蝕刻停止層上及在通孔圖案之孔 中； 經由根據溝渠圖案，鈾刻溝渠層而形成溝渠在溝渠介 電層中；及 經由使用蝕刻停止層蝕刻通過溝渠而形成通孔在中間 水平面介電層中而使溝渠與通孔自行對齊及曝露導電 區域在第~1層上。 2 .如申請專利範圍第1項之方法，其中聚合物包括聚伸芳 基醚和聚苯並噚唑介電體之至少一種。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中提供導電區域在第 一層上之步驟包括提供金屬線和擴散區域之一。 4 .如申請專利範圍第1項之方法，另外包含形成一個帽層 在導電區域上的步驟以保護導電區域免受氧化。 5 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中中間水平面介電層 和溝渠介電層係由相同材料所構成。 6 .如申請專利範圍第5項之方法，其中相同材料包括氮化 物和氧化物之一。 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I --------—K-------^ ^_wi (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 488025 A8 B8 C8 D8 #、申請專利範圍 7.如申請專利範圍第1項之方法，其中中間水平面介電層 和溝渠介電層係相對於蝕刻停止層選擇性可蝕刻。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 8 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中中間水平面介電層 和溝渠介電層係由不同材料所構成。 9 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中將蝕刻停止層圖案 化而形成通孔圖案的歩驟包括採用硬遮罩而形成通孔 圖案。 I 0 ·如申請專利範圍第1項之方法，另外包括沈積導電材料 以便同時形成接觸點在通孔中及在溝渠中之導電線上 的步驟。 II .如申請專利範圍第1項之方法，其中形成蝕刻停止層在 中間水平面介電層上的步驟包括旋轉塗覆及固化聚合 物。 1 2 .如申請專利範圍第1項之方法，其中蝕刻停止層包括大 約1 0 0 n m (奈米）至大約2 5 0 n m間之厚度。 1 3 . —種用以形成半導體裝置之雙金屬鑲嵌結構之方法，包 括下列步驟： 提供導電區域在第一層上； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 形成一中間水平面介電層在第一層上，該中間水平面 介電層包括具有小於大約3 . 0的介電常數之聚合物材 料； 形成一蝕刻停止層在中間水平面介電層上； 將飩刻停止層圖案化而形成通孔圖案； 沈積溝渠介電層在蝕刻停止層上及在通孔圖案之孔 -15 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) 488025 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 中’該溝渠介電層包括具有小於大約3 . 0的介電常數之 聚合物材料； 經由根據溝渠圖案，蝕刻溝渠層而形成溝渠在溝渠介 電層中；及 經由使用蝕刻停止層蝕刻通過溝渠而形成通孔在中間 水平面介電層中而使溝渠與通孔自行對齊並曝露導電 區域在第一層上。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之方法，其中聚合物包括聚伸 芳基醚和聚苯並噚唑介電體之至少一種。 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項之方法，其中提供導電區域在 第一層上之步驟包括提供金屬線和擴散區域之一。 1 6 ·如申請專利範圍第1 3項之方法，另外包含形成一個帽 層在導電區域上的步驟以保護導電區‘域免受氧化。 1 7 ·如申請專利範圍第1 3項之方法，其中飩刻停止層包括 氧化物和氮化物之一。 1 8 .如申請專利範圍第1 3項之方法，其中中間水平面介電 層和溝渠介電層係相對於鈾刻停止層選擇性可飩刻。 1 9 ·如申請專利範圍第1 3項之方法，其中中間水平面介電 層和溝渠介電層係由不同材料所構成。 20 ·如申請專利範圍第1 3項之方法，其中經由將溝渠圖 案，蝕刻溝渠層而形成溝渠在溝渠介電層的步驟包括使 用氧化物層作爲硬遮罩將溝渠介電層圖案化的步驟。 21 .如申請專利範圍第1 3項之方法，另外包括沈積導電材 料以便同時形成接觸點在通孔中及在溝渠中之導電線 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ί-------------------.tT·—^-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 488025 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 上之步驟。 22 .如申請專利範圍第1 3項之方法，其中形成中間水平面 介電層之步驟包括旋轉塗覆並固化聚合物。 23·如申請專利範圍第13項之方法，其中沈積溝渠介電層 之步驟巳括旋轉塗覆並固化聚合物。 24.—種雙金屬鑲嵌結構，包括： 第一層上之導電區域； 經形成在第一層上之中間水平面介電層並具有通孔通 經其中； 具有經形成在其中並與通孔相連通之溝渠的溝渠介電 層； 經形成在中間水平面介電層與溝渠介電層間之触刻 停止層； 將各溝渠和各通孔用導電材料塡充，導電材料形成導 電線在各溝渠中，其係經由經形成在通孔中之接觸點予 以連接至第一層的導電區域；及 中間水平面介電層、溝渠介電層和飩刻停止層之至少 一者包括具有小於或等於3 . 0之介電常數之聚合物材料。 25 .如申請專利範圍第24項之結構，其中聚合物包括聚伸 芳醚和聚苯並噚唑介電體之至少-者。 26 .如申請專利範圍第24項之結構，其中中間水平面介電 層和溝渠介電層包括聚合物材料。 27 .如申請專利範圍第24項之結構，其中蝕刻停止層包括 聚合物材料。 -17 - L-------------------•訂--^-------線 ^1^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - / IV ί > > -* u Λ 4 1 一 4 > 【 488025 A8 B8 C8 5 D8 f、申請專利範圍 28 .如申請專利範圍第27項之結構，其中蝕刻停止層包括 大約100nm至大約250nm間之厚度。 29 .如申請專利範圍第27項之結構，其中毗鄰導電線具有 小於或等於0.25微米的間隔在其中間。 L.-------------------*------—線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
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