TW483069B - Laser curing of spin-on dielectric thin films - Google Patents

Description

五、發明說明（1) 【發明之背景】 c 1)發明之領域 特別地是有關於用於半導體元件製造的製程，並且更 ，以在半導辦j旋塗有機物及矽聚合物材料的沈積的製程 ⑴習知Λ 圓上形成介電層。 知技藝之說明 積體電路（τ Γt 石夕晶圓的表面 s ’、百先藉由形成分立式半導體元件於 後被形成内而被製造出來，一個多層冶金連線網路然 ，以製造預Γ件上，接觸其活動元件且將它們打線在一起 式元件卜A ^的電路，配線層係藉由沈積一絕緣層於分立 然後沈穑值道/成，圖案化且蝕刻接觸窗開口至此層，且 絕緣層上，材料進這些開口内，一傳導層然後被塗抹於 ，產I出一且，圖案化以在元件之間形成配線導線’因此 外66 Μ & 層次的基本電路，基本電路然後尚藉由利用額 \層被連接，設計在額外絕緣層上且有導孔穿過。 、旋塗被使用於積體電路製造已好多年了，這些材料可 ，液態，式，且接著會變堅固或變硬，以形成固態或半固 態層，最熟習常見的旋塗材料係為光阻及聚亞醯胺，係自 早期西元1 9 7 0年已被使用，光阻，當然，通常一般只被使 用於圖案化且例如，係為瞬間膜且不停留於完成產品中， 聚亞醯胺膜有時已被使用作為介電或填充層，但常常容許 製程不相容性，如嚴重除氣、熱不穩定性、及由收縮而造 成的變形。近來，旋塗玻璃（SOGs)已被接受廣泛地使用， 且成功用於晶圓表面平坦化，但藉由除氣已嚴重造成極度

^3069 五、發明說明（2) 及腐蝕問題。 故*每一次，金屬層係被形成於一積體電路晶圓上，且電 路徑係被蝕刻於其内，金屬圖案造成一非平坦表面，當 I —個絕緣層係被沈積時，藉由適當方法如CVD(化學氣相 =積），不規則表面處係摺疊於絕緣層表面處，為了要防 在下面金屬圖案處的漸增摺疊遍及各金屬層，此在多層 積f電路製造中變得常用的技藝，包括在一金屬層的沈積 之刖而平坦每個絕緣層之方法。 用於完成這類平坦化之方法必須用液態形式的s〇G沈 積，例如一液怨單體，當旋塗於晶圓表面時，流進圖案處 。在沈積之後，材料係被乾燥且變硬，以形成一具有平滑 的聚合絕緣膜，特別是平面#，用於一金屬層的沈積之表 :二？當夺，㈣可溶性矽酸鹽類及矽氧烷所構 SOGs、，I獲得無機玻璃的特性，s〇G&發現可廣泛地 :::ί ί次微米半導體製程技術，係由於其低缺陷密 二&二二μ 2低熱預算。然而，S0G層通常限制至於 、^換日车門、a，較厚的層易於破裂且需要較長及更小 心烘烤時間’ 一般方法的田、l S0G於其上，SGG填滿窄特:f案化金屬上’且然後放置 蝕至PECV陳化表面，此/ ’广後藉由各向異性蝕刻而回 初始PECVD層。 、、、。果係具有填充S0G的小間隙壁之 於一快速旋轉晶圓的中央， ’過多的液體自晶圓的邊緣被 S0G係藉由一噴嘴被沈積 離心力將液體分散於晶圓上

483069 五、發明說明（3) 拋出，使用於進行此工作的裝置係為與習用使用於沈積光 阻的相同形式，晶圓然後係容許被乾燥，且然後係被 烘烤，典型地係藉由一連串的熱板步驟，要求在溶劑與聚 合作用副產品移除的速率、及聚合物形成的速率之間的〜 個平衡，對烘烤製程係為困難的，無法提供適當平衡係會 造成破裂及包含有雜質，係會造成金屬腐餘。 近來’為了更進一步改進元件的性能，研究員已在尋 找應用具有較習用CVD沈積矽玻璃低的介電常數的絕緣層 ，諸如氧化矽、磷矽玻璃（pSG)、及硼磷矽玻璃（BpsG)。 各種有機絕緣層如二甲苯塑膠、氟代聚亞醯胺、及亞芳香 基醚聚合物’已成功地被用於低介電常數（1〇w — k)代替氧 化石夕。多孔碎基材料諸如矽氧烷、矽倍半氧烷 (silsequioxanes)、氣凝膠、及干凝膠亦被作為ILD層（内 "私層）及I MD層（金屬層間介電質），這些材料，像用於平 坦ΐ，ί期S0Gs ’係藉由旋轉技術、乾燥及烘乾而被塗抹 坦化^ $些材料藉由它們低介電常數的優點而提供用於平 …文良Ϊ件們也提供在相鄰導體之間的低電容，

旋轉介I ( S 0 D 後其被_批 ’付料，像SOGs及聚亞醯胺係在應用之 方法會對八@ 法及條件非常敏感，不只乾燥及烘烤 .. 4 7丨電層的么Α ^ 機械力及私 力電特性產生影響’而且包括應力、 露於空痛成 予耐久性的物理特性一樣會影響，當暴 说附4 附水氣，+ # 其他周遭氣體時，S0DSA S0Gs快速吸 〃 二阿度多孔結構。美國專利第5, 457, 0 73

483069 五、發明說明（4) ' ' 號（Quel let)描述一種用於吸附水氣同次放電之方法，從 多孔無機或半無機SOGs暴露於導孔開口中，藉由真空或惰 性氣體退火於溫度低於50(TC，接著藉由沈積9導線材料至 開口内而封鎖暴露的表面。 美國專利第5, 548, 1 5 9號（jeng)描述沈積多孔介電材 料於金屬圖案，且然後回蝕，以只留下多孔材料於窄線間 隙壁内’且鄰接但未覆蓋於金屬線段上，一稠密介電材料 然後沈積覆蓋於晶圓上，係密封多孔介電材料，導孔然後 ，开^成至金屬線段，且完全地在稠密介電材料内，以便於 多孔介電不暴露於導孔開口内，多孔卯“係藉由烘烤而被 乾燥及烘烤。 用於烘烤SOD s的熱製程已包括在垂直爐管中的長烘烤 ，於約5到6個小時的時間，更新方法具有電子束烘烤，然 而 由於爐管烘烤的慢產能及電子束製程的真空規定，這 些方法對積體電路製造並不具有吸引性。 美國專利第4, 983, 419號（Henkel)舉出一種線性及分 單連鎖的交鍵聚合及交互連接之方法，藉由具有脈沖雷射 輕射的光供烤處理的非機能有機石夕氧烧，形成薄介電層， 有機矽氧烷可包含有烷基及芳香基組群，且可為環狀，但 需無非機能組群或光引發劑或光增感劑，光硬化發生於一 無氧的環境，層揭露具有好的介電質特性，但一個也未被 舉證出來。 美國專利第5，124，23 8號（(：1131^3¥〇1^7)舉出一種烘烤 光敏感聚亞醯胺膜之方法，在紫外線（uv)輻射的光圖案化

483069 五、發明說明（5) 〜------— 一 膜=後係具有減少收縮，在輻射暴露之前’由於釋放溶，削 —低溫烘烤引起較大膜收縮，造成聚合物交互連接 的UV輪射，然後給予小小額 【發明之概要】 收縮。 ϋ Μ本發明的一主要目的，係提供一種用於烘烤旋塗介電 材料之改良方法。 ，發明的另一個目的，係為提供〆種用於烘烤雙鏈有 ,:乳烷旋塗介電材料如聚矽倍半氧烷之改良方法，係晝 在光2學及光熱交鍵聚合及交互連接雨者上。 發明的另一個目的，係為提供一種用於烘烤於基底 上的聚亞醯胺塗佈之改良方法。 、t發明的另一個目的，係為提供一種用於烘烤旋塗所 積η電材料之方法，係可被包含有一存在旋轉沈積工具 ，因此，各許沈積、烘烤、及烘烤熱處理可於一單一工具 完成。 本f明的另一個目的，係為提供一種減少晶圓移動及 控制一旋轉材料沈積步驟之方法，因此，減少微粒污染且 改進產品良率。 本發明的另一個目的，係為提供一種改進殘留溶劑的 效率及副產品除去之方法，在沈積S0D及S0G膜的交鍵聚人 及/或交互連接期間。 ° 依據本發明之目的，已經獲致一種形成烷基或芳香義 矽倍半氧烷的S0D及S0G層及以脈沖雷射束烘烤這些層，二 脈沖雷射束具有在約2 0 0到400nm·之間的頻率及在約〇 w

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五、發明說明（6) 1.0 Joule/cm -的雷射能量。聚矽仵 有機矽氧烷，係為雙鏈，及使聚合°千^虱烷包括一等級的 雷射能量中形成一三維網狀系統，=^互連接，以在較低 雙鏈矽倍半氧烷亦吸收大量的雷射能f鍵有機矽氧烷低， 2 0 0到4 0 Onm·之間的雷射能量，較單%里’其波長範圍在 此，聚矽倍半氧烷的雷射烘烤係藉由埶石夕&氧烷多，因 更進一步幫助聚合及交互連接，及殘留溶^物s而發，，係 出，烘烤製程係為光化學及光熱兩者。*及田彳產扣的排

如沈積S 0 D層言先係受一低溫供烤而控制，因此，、容 劑從薄膜中排出，一脈沖雷射束然後被光柵掃描於晶圓上 ，造成兩者光熱及光化學所沈積層的聚合及交互連接，且 殘留溶劑及副產品的排出藉由聚合製程的熱成分而被增加 一用於旋塗及烘烤聚合物膜的裝置係被提供，在旋塗 聚石夕倍半氧烧單體於晶圓之後’晶圓係被烘烤於熱板上， 且然後被轉換至一固定平台，適合於光拇掃描一雷射光束 於晶圓表面上的方法，換言之’晶圓可被轉換於一不增減 雷射光束之下，藉由設置一晶圓於一程序可控的平台上， 在雷射處理之後，晶圓表面的冷卻，係藉由指向一冷卻劑 氣體的噴口於晶圓表面上，例如氮，氮喷口不只冷卻輻照 區，並且在雷射烘烤熱處理期間提供一無氧環境覆蓋於塗 佈上，且帶走由烘烤聚合物膜產生的水氣，全部塗佈、烘 烤及烘烤操作係由一單一製程工具而被完成，晶圓的轉換 至於工具内的工作站，係藉由習用機械手臂技術而被完成

第10頁 483069 五、發明說明（7) 【圖號之簡單說明】 10 晶圓 12 絕緣層 1 4 金屬圖案 16 氧化矽層 18 SOD層 19 暴露區 2 0 絕緣層 22 IMD層 2 4 導孔開口 3 0 雷射光束 3 2 氮流動 3 4 方向 4 0 外伸部 4 2 部份 【詳細說明及較佳實施例】 在本發明的第一個實施例中，一 —k介電吝π紅 層係形成於一 low 學物，參氣化矽，係使用甲基矽倍半氧烷作為一先導化 上，該纟 第1 A圖’一金屬圖案1 4係被形成於一絕緣層1 2 作為一、塗緣層1 2係於晶圓1 〇上，此實施例的絕緣層1 2係被 成於怨& ~絕緣層於石夕晶圓1 0上，接觸窗（未顯示）係被形 内的半導日 ’且於位於晶圓1 0上’係可連接在晶圓表面 體裝置元件至金屬圖案i 4，此實施例的金屬圖案 48JU〇y 五、發明說明（8) 1 4假言5:為一接舰你 一種用於,電路的第一金屬導線層次。 體）、及於石Hit導體裝置如M0SFETS(金氧半場效電晶 中眾所周知的，接觸=雙極電晶體之方法，係為在此技藝 由蝕刻在絕緣層丨2φ _係被形成至於這些裝置的元件，藉 ，係可連接至^ Α卩=開口且形成傳導拴塞，例如鎢拴塞 建立且於半導二ίί體元件，接觸窗的形成亦為一井區 或濺鍍而沈積一叙=中眾所周知的，配線圖案係藉由蒸發 被形成，或者，合ί鉬合金的彼覆金屬層於絕緣層12上而 可藉由CVD而被沈積層1 4可形成於任何傳導材料如鎢，且 8, 〇〇〇埃之間的戸许，金屬層14係被沈積於一介於5,0 0 0及 化，該鹆^ ^ 且藉由習用微影成像步驟而被圖案 L後i: ΐ!驟包括有形成-光罩圖案於披覆層上， 層中的^案。水钱刻或r 1 ε (活性離子敍刻）而触刻在金屬 而在此實施你丨φ ^ ^ 屬仆厗,,中’金屬層14係為一積體電路的第一金 雖然在現階段的此以製程ί可應用於其他金屬化層， 面 *中’此為第一金屬化層，係為較重 ，=因為，low-k材料對裝置性能而言提供較大的優點， 係由於緊密地隔開配線元件。 參閱第1 B圖’一等厚氧化矽層丨6係被形成覆蓋於晶圓 1 0上，氧化矽層1 6係藉由1^(；^1)而被沈積，係於一溫度介 於3 9 5及4 0 5°C之間’以達到厚度介於3，〇 〇 〇及6，5 〇 〇埃之間 而使用一矽甲烷先導化學物。氧化矽層在金屬線丨4及隨後 沈積的low-k有機層之間提供一保護阻障，氧化矽層丨6防

第12頁 483069 五、發明說明（9) 止從有機層散發的水氣造成金屬線1 4的腐蝕，此時，稍後 將變得明顯地，在隨後發生平坦化步驟之後，層1 6亦允許 1 〇 w - k可被限制於間隙壁内’係在未覆蓋金屬線1 4之間。 換言之’等厚層1 6可被形成於其他絕緣材料，例如，氣化 矽或氮氧化矽。 一層1 8的烧基石夕倍半氧烧早體’例如甲基石夕倍半氧烧 ，係以一晶圓旋塗機而被塗抹覆蓋於氧化矽層丨6上，液態 甲基矽倍半氧烷先導化學物係為一商業上有用的且被帶入 含酒精的溶劑，如Allied Signal Abvanced Microelectronic Materials的 SOP 418，係位於美國加州 9 4 0 8 9森尼維耳市摩份公園道1 3 4 9號，甲基石夕倍半氧烧係 一等級的雙鍵有機矽聚合物材料的代表，係顯示非無規則 的交互連接，當完全地被烘烤時，而形成一三維網狀系統 ch3 ch3 ch3 ch3

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•Si —0—Si—~0—Si—〇—si--OH 0 〇 O 〇

Si-〇—Si—〇~si—〇—Si--〇H

I I I I ch3 ch3 ch3 ch3 曱基矽倍半氧烧 (SOP 418) 個適當的、商業上有用的、用於s〇D層i 8應用的旋

第13頁 4δ3〇69 五、發明說明（ίο) 身機’係為由Tokyo Electron Limited戶斤製造的Μ〇de 1 MK-9，網址為http://www· tel· ci. jp/,用於液態材料應 用的步驟在此技藝中係為眾所皆知的，適當的旋轉速度及 液態應用速率係容易決定的，在應用之後，液態可被容許 短暫地乾燥。晶圓1 0然後被連續烘烤於熱板上，約為一分 錢間隔，於開始於180°C到25(Tt的溫度，以帶走殘留溶劑 ’連縯烘烤熱板上於一增高溫度，係為用於從旋塗膜帶走 殘留溶劑的一般實施，烘烤甲基矽倍半氧烷3〇1)層丨8係介 於4，0 0 0及5，6 0 0微米厚，且延伸氧化石夕層1 6上，且覆蓋於

金屬線1 4。換言之，沈積層1 8可由雷射輻射而被烘烤，約 為1 k Η z及1 J 〇 u 1 e /cm 2，約在5到1 5分鐘之間。 S 0 D層1 8接著進一步被烘烤，以確保適當的交鍵聚合 、父互連接，、及合量多孔氧化石夕矩陣的穩定，一脈沖UV雷 射，例如一 Nd/YAG雷射，具有約為100職的一光點尺寸， 係用於SOD層的最終烘烤，雷射波長係被選擇於2 〇 〇及4 〇 〇 =η·之間，且具有一脈沖頻率在約1〇112及UkHz之間，雷射

能量係在約0 · 1及1 · 0 Jou 1 e/cm之間，換言之，一連續UV 雷射或一脈沖深UV雷射，例如，可使用一 KrF準分子雷射 器。

雷射係適合於光學裝置至自動地掃描雷射光束穿過在 光柵圖案中的晶圓，參閱第1 C圖，雷射光束3 〇係以一速 率光柵掃描晶圓1 〇上，該速度必須取決於沈積層的厚度， 雷射能量hv的吸收，藉由矽倍半氧烷膜，而造成晶圓二輕 照區成為SOD層1 8的熱效應光熱烘烤處理，藉由UV雷射輕

第14頁 483069 五、發明說明（11) ' 射的S0D層烘烤裝置，係被視為如同光化學的光熱，一氣 的流量係被提供於移動雷射光束的波長，在光束已通過之 後’以冷卻輪照區。氮流量32係顯示於雷射光束3〇的範圍 ，如同光束以方向3 4穿過晶圓1 〇，氮3 2係由一喷嘴而被產 稱出來的’該噴嘴物理上地同時至雷射光束的過程，以便 流量3 2連續地在雷射光束内沖至晶圓1 〇。獲得此同步化之 方法係容易藉由那些相似技藝而被進行，額外的氮喷嘴（ 未顯示）可隨意地被提供覆蓋於晶圓的其他區，在烘烤期 間為了要維持一非氧化環境。 或者，晶圓1 0可被設置於程控的Χ-y狀態上及設置於 晶圓上固定位置上的雷射光束，光柵掃描然後藉由造成台 移動於一光柵圖案中的固定雷射光束的路徑而被獲致，拖 曳氮噴嘴3 2因此亦在一固定位置中且於雷射光束的範圍内 ’清除供在雷射及拖良氮喷嘴3 2之間的機械同步化的需 要。 接著，參閱第1D圖，聚合物SOD層18係被平坦化，最 好由RIE或各向異性電漿回蝕，至覆蓋於金屬線14上的層 1 6的暴露區1 9，此平坦化不僅移除S0D層1 8的球狀表面不 規則，而且移除暴露區1 9的聚合物金屬，係在導孔連接隨 後被形成於金屬線1 4，減少膜厚度的R I E的及電衆回姓之 方法在此技藝中已眾所皆知的，蝕刻劑氣體，包含有碳氟 化合物，通常使用於蝕刻氧化矽層，亦合適於完成硬化聚 矽倍半氧烷層18的回蝕，或者，一 CMP製程可用於減少S0D 層1 8的厚度。

第15頁 483069 五、發明說明（12) 一·~ -- 务閱第1 E圖，一絕緣層2 〇係沈積於晶圓丨〇上，以形成 一複合IMD層22,係包括有等厚氧化矽層16、在金屬線14 之間的區域S0G層18、及絕緣層2〇，絕緣層2〇最好為來自 於TE0S(四氯乙基矽）的氧化矽且藉由pECV]^沈積的，絕 緣層20然後藉由CMP而被平坦，準備於下一個金屬化層的 沈積，絕緣層2 0的最終研磨厚度係介於約6，〇 〇 〇及9，5 〇 〇埃 之間，絕緣層20可為另一個絕緣材料，例如pECV])氮化矽 或習彳貝用於形成一 I M D層的任何適當絕緣材料。 一導孔開口 24接著被形成於IMD層22中，且暴露出金 屬線14,在導孔開口形成製程期間，已從金屬區上而被移 除的SOD層未被導孔開口所暴露，且因此未暴露於環境污 染物，藉由平坦化SOD層到達等厚氧化矽層J 6，s〇D區固定 地密封對著任何深一層外材料的吸收，例如水。此外，隨 後被沈積進導孔導孔開口 24内的傳導導孔材料（未顯示）不 會接觸到SOD層。 ^ 第2圖係顯示氧化石夕層1 6結構的差異，其中出現一辰 狀或外伸部40，氧化石夕外伸部40係可由雷射光束的波長°穿 透’且因此在外伸部40下的SOD材料的部份42適當地被暴 露及烘烤，猶如沒有外伸部似的’顯示說明本發明方法的 外伸部40可以適當地烘烤SOD層18,儘管有不規則垂直牆 存在。 此實施例使用一石夕晶圓基底，熟習本技藝之人士應瞭 解地是其他基底亦可使用’藉由應用本發明所教導的製程 ’可獲得相同目的，雖然本發明已參考其較佳實施例而被

第16頁 483069 五、發明說明（13) 特別地表示並說明，惟熟習本技藝之人士應瞭解地是各種 在形式上及細節上的改變可在不背離本發明之精神與範疇 下為之。 雖然本發明的實施例係被應用於形成以曱基矽倍半氧 烷為基底的S0D層，以形成S0D層其他烷基及芳香基矽倍半 ^ 氧烷或雙鍵聚合物，係可表示非無規則的交互連接，及其 他碳基聚合物材料如聚亞醯胺可由本發明而考慮的。 ❿

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Claims (1)

1. 483069 六、申請專利範圍 一〜^^_ L ·一種用於形成一聚合物介電層於一基 包括有： _ 之方法，係 (a)提供一基底； (b )藉由旋塗而沈積一聚合物層，·及 (c )藉由光柵掃描一雷射光束於該聚合物屉， 聚合物層，同時冷卻該聚合物層，^而烘烤该 2 過之後，係藉由投射一冷卻氣體的流量 層的表面上於該雷射光束的範圍。 n β物 其' 中該聚合物層 ¥香基矽倍半氧 其中该基底係為 如申請專利範圍第1項所述之方法 係選擇自含有一烷基矽倍半氧烷、 烷、及一聚亞醯胺的組群。 如申請專利範圍第1項所述之方法 一石夕晶圓。 4 ·如申請專利範圍帛項所述之方法，#中該聚合物層 係介於4，ο 〇 〇及5，6 0 0埃厚。 5 ·如申租專利範圍第1項所述之方法，其中該雷射光束 係由一脈沖Nd/YAG雷射所提供，係具有一在丨〇112及 1 0kHz之間的脈沖頻率、一在2〇〇及4〇〇nm•之間的波長 、及一在〇· 1及1 J〇ule/cm的能量。 6 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該雷射光束 係由一脈沖準分子雷射器所提供。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該雷射光束 係具有一為1 〇 〇刪的光點尺寸或上下。 8 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該冷卻氣體

   第19頁 483069 六、申請專利範圍 係為一氮。 9·一種用於形成一具有聚合物介電質於傳導元件之間的 積體電路金屬層間介電質之方法，係包括有： (a)提供一基底，該基底係具有積體電路元件及傳導元 件的一圖案於一第一絕緣層上； (b )沈積一等厚的第二絕緣層於該圖案上； (c )藉由旋塗而沈積一聚合物層於該第二絕緣層上； (d )烘烤該聚合物層； (e )藉由光柵掃描一雷射光束於該聚合物層上而烘烤該 聚合物層，同時冷卻該聚合物層，在該雷射光束通 過之後，係藉由投射一冷卻氣體的流量於該聚合物 層的表面上於該雷射光束的範圍； (f )直到該第二絕緣層的部份係被暴露於該傳導元件時 ，回#該聚合物層； (g )形成一第三絕緣層於該聚合物層上；及 (h )平坦該第三絕緣層。 I 0 ·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該傳導元件 係為銘。 II ·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第二絕緣 層係選擇自含有氧化矽、氮化矽、及氮氧化矽的組群 〇 1 2 ·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第二絕緣 層係在3，0 0 0及6，5 0 0埃之間厚。 1 3 ·如申請專利範圍第1項所述之方法，其中係為該聚合

   第20頁 483069 六、申請專利範圍 物層係選自含有一烷基矽倍半氧烷、一芳香基矽倍半 氧烷、及一聚亞醯胺的組群。 1 4 ·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該聚合物層 係介於4，0 0 0及5，6 0 0埃厚。 1 5 ·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該雷射光束 係由一脈沖Nd/YAG雷射所提供，係具有一在10Hz及 1 0kHz之間的脈沖頻率、一在2 0 0及4 0 0nm.之間的波長 、及一在0· 1及1 Joule/cm的能量。 1 6 ·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該雷射光束 係由一脈沖準分子雷射器所提供。 1 7 ·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該雷射光束 係具有一為1 0 0mm的光點尺寸或上下。 1 8 ·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該冷卻氣體 係為一氮。 1 9 ·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該平坦化係 為一化學機械平坦化。 2 0 ·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中在該平坦化 之後，該第三絕緣層係在6，0 0 0及9，5 0 0埃之間厚。

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