TW476984B - A method for cleaning and treating a semiconductor wafer after chemical mechanical polishing - Google Patents

A method for cleaning and treating a semiconductor wafer after chemical mechanical polishing Download PDF

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Description

476984 五、發明說明（1) 【發明之背景】 曼明之領@ 本發明係普遍地關於半導體晶圓清潔，尤有關於化學 機械研磨（CMP, chemical mechanical polishing)之銅 清潔。 m技術之描述 在半導體裝置的製造中，有必要實施化學機械研磨（ CMP’ chemical mechanical polishing)操作及晶圓清 潔。通常，積體電路裝置是多層結構的形式。在基底層， 形成具有擴散區的電晶體裝置。在而後的層，將互連金屬 線路製版並和電晶體裝置電路相通，以確定所需實用的裝 置三如同已熟知，製版的導電層和其他導電層絕緣是靠介 電質材料’如二氧化矽。當更多金屬層及結合的介電層形 成’平面化介電質材料之需要增加。若不平面化，因為表 面結構上更高的變異，再多金屬層的製造變得更加困難。 在其他運用上，將將金屬線版形成於介電質材料中，而 後，。實施金屬CMP操作以去除多餘的金屬化。在任何如上 CMP操作後，需要將平面化的晶圓清潔，以除去微 染物。 ，1A顯示具有一銅層1〇4沉積覆蓋於晶圓上表面之晶 i、)的。^剖面圖。氧化層100是沉積覆蓋於半導體基底（未 :λ、>可利用已熟知的光蝕刻法及腐蝕技術來在氧化層1 〇 〇 形成模版特徵。接下來，將晶圓上表面 版特徵因此充滿了銅而形成銅線102。布扣曰104
476984 五、發明說明（2) 圖1B顯示圖1A的晶圓在上表面已經 (CMP，Chemical mechanical μ 化干機械研磨 面圖。將上表面研磨至上表面操作後的橫剖 心至上表面為千面且暴露出氧化層 不幸的是，CMP操作可能在晶圓表面留下 如，CMP操作可能在銅金屬特徵的表面上及二氧化^ 表面上留下細微刮痕。此些刮痕可能在二曰/ 操作如何在銅_的上表面之= 的 1曰1 銅Λ化Λ的粗链被認為主要是來自於c mp操作後曰留在 晶圓表面金屬特徵的銅。 圖1C顯示出的晶圓在金屬通道已經形成，以鱼銅 線102接觸後的橫剖面圖。將第二氧化層⑻沉積覆^研 ^的晶®上表面。可利用已熟知·的光㈣法及腐餘技術 來形成導電通這1 2 2。將通道以障礙層丨2 〇，如氮化鈕 (TaN，tantalum nitride)填滿導電通道122與銅線1〇2之 間的黏著。 处一不幸的疋，由於CMp操作引起之粗糙的銅氧化層1 1 〇可 能會引起加工缺陷。例如，受損的晶圓表面可能導致和金 屬特彳政形成不適當結合的通道。換言之，粗糙的銅氧化層 1/0在導電通道122與銅線102之間的接觸區域產生黏著問 題。在接觸區域來自於CMP操作遺留的銅干擾障礙層丨2〇與 銅線1 0 2之間的黏著結合，黏著力減小。因此，障礙層丨2 〇 將不會和銅線102形成適當黏著結合。 第6頁 476984 五、發明說明（3) ^於典型CMP操作產生的另一個 與銅線102之間不完美的雪』▼疋杜通迢 化層11 0所引起。例如，粗_ 二此f由於粗糙的銅氧 102與導電通道122之間連接/^乳化層110可增加銅線 ^ + 之間連接的電阻至不合格的高值。一個 ϋ較慢的ί;太高將會使得整個半導體裝置無法運作或 =亡述的觀點看來，需要有一種清潔方法，利用執行 晶m用來提供鋼線及導電通道之間較好連接之相關 製造技術，來避免先前技術的問題。 【發明之概述】 大體而言，本發明藉由提供化學機械研磨（cMp， ::hanical P〇1 ishing)操作後之晶圓清潔及處 理方法來付合這些要求。應體會到可將本發明以許多方式 執行，包括作為一種程序、設備、系統、裝置或方法。將 本發明的幾個發明的實施例說明於下。 上ΐ二個實施例中，提供一個方法來清潔經CMP操作後 的半¥體晶圓表面。將一種改良後的清潔化學藥品(似， improved Cleaning chemical)塗在晶圓的表面。此icc 用 來使晶圓表面上小部份的銅膜轉變成水溶性形式。將晶圓 表面擦洗。而後將晶圓以一種液體清洗。此清洗是用來除 去晶圓表面及刷子的水溶性銅，在此塗佈、擦洗、及清洗 可在一個刷子盒或任何其他刷子清潔設備中ς行。μ 在另一個實施例中’提供一個方法來將經CMP操作後 的曰日圓表面去除表面物貝。將晶圓用一種氧化物腐触化學 國 第7頁 476984
藥品或H F擦洗’以腐#少量的二氧化石夕。而後將晶圓用去 離子（DI，deionized)水擦洗，以沖洗氧化物腐蝕化學藥 品及/或HF。接下來，將以DI水擦洗後的晶圓用一種改良 後的清潔化學藥品（ICC, improved cleaning chemical) 擦洗。之後，將以ICC擦洗後的晶圓以d i水擦洗。 在再另一個實施例中，揭示一個方法來處理基底的表 面。此方法包括：（a)將晶圓表面上的銅膜轉變成水溶性 形式；（b)用刷子擦洗基底的表面；及（c )以液體清洗基 底’此 >月洗疋用來去除基底及刷子的表面的C μ p後殘留 物、IC C、及水溶性銅。 有利地’本發明提供CMP操作後之半導體晶圓清潔及 處理的一種方法。此方法包括用來清潔C Μ ρ操作後飯入及 殘留的銅（Cu，copper)之操作。如同於背景中說明，殘流 的銅可能會使得金屬特徵及導電通道之間結合的黏著力^ 小。本發明的方法提供處理晶圓表面的技術，以使得導電 通道可和下面的銅線結合較佳且較強。較佳、較強的結合 提供不同層的銅線之間較低的電阻連接。 本發明的另一個優點為銅線表面腐蝕之去除。當Icc 清潔晶圓表面時，它同時去除多餘的腐蝕銅。本發明的再 另一個優點為避免銅線進一步的腐蝕。藉由提供銅特徵上 方覆蓋一層銅氧化物，此方法保護銅特徵免於進一步的腐 蝕。注意，銅氧化物（CuOx)較純銅（Cu)線遠不易受腐蝕。 此外，可將刷子的壽命延長，因為清潔技術，特別是使用 ICC，在正常的清潔、處理、或腐蝕期間，也同時去除刷
第8頁 476984 五、發明說明（5) 子上的銅及其他殘留物。最後 低在全部置在過程中過度的花 圓數目將會大幅減少。 ’在此揭示的方法大幅地降 費，因為必需丟棄的受損晶 本發明的其他觀點及優點由下列說明及結合隨附之圖 :，以實例的方式解釋本發明的原理，將會 【較佳實施例之詳細說明】 ^ 揭示利用一種改良後的清潔化學藥品（I，CC， cleaning ChemiCal)清潔化學機械研磨（CMp，chemicai mechanical P〇l ishing)後的半導體晶圓表面的方法之發 月在下列"兒明中，陳述出許多明確的細節以提供本發明 徹底的了解。然而對於熟悉本技藝者將會了解本發明可無 部份或全部之此些明確的細節而實行。在其他的例子中， 為了不無謂地模糊本發明，6熟知的加工操作不曾詳細說 圖2顯示出根據本發明的一個實施例，化學機械研磨（ = chemical mechanical polishing)系統202及晶圓清 潔系統320的高層示意圖。在半導體晶圓在CMp系統2〇2中 經歷了 CMP操作後，將此晶圓在晶圓清潔系統32〇中清潔。 ^晶圓清潔系統320包含了一個第一刷子盒204a及一個 第二刷子盒204b。晶圓進入第一刷子盒2〇4a，在此清潔操 作二如刷子擦洗及沖洗，可實施於晶圓上。而後晶圓前進 至第二刷子盒2〇4b，在此另外的清潔操作可實施於晶圓 上。或者，在第一刷子盒204a中的清潔操作後，晶圓可直
第9頁 476984 五、發明說明（6) 接前進至隨後的操作2 〇 8，如旋轉、清洗、及乾燥。清潔 #作後’晶圓前進至其他CMP後加工操作，在此晶圓可經 歷另外的製造操作’包含另外的層之沉積、濺射、光蝕刻 法、及相關的腐蝕。 圖3A及3B分別顯示圖2根據本發明的一個實施例的晶 圓清潔系統320更詳細的側視圖及俯視圖。晶圓清潔系統 320通常包括一個輸入站3〇〇，在此可將多個晶圓在經歷 CMP操作後，將晶圓插入以通過系統作清潔。一旦將晶圓 插入輸入站300 ’可將晶圓由輸入站3〇〇取出，移動至包含 第一刷子盒204a及第二刷子盒2〇4b的刷子盒204。在刷子 盒内’可將許多清潔及腐蝕操作施用至晶圓。將此些清潔 及腐餘操作詳細說明於下文參照圖4及5。 在刷子已於刷子盒2〇4中施用至晶圓後，將晶圓移動 至旋轉、清洗、及乾燥（SRD· Spin，rinse，and dry) 站304曰。在SRD站304中，將去離子（DI，dei〇nized)水噴 灑至晶圓表面上，同時將晶圓以每分鐘100到400轉之間的 速度旋轉，而後旋轉至乾。在晶圓已被放置通過SRD站 後，一個卸貨處理器310拿起晶圓並將之移動至輸出站 306。此清潔系統320是由系統電子3〇8程序設計及控制。 ，4 A顯不出根據本發明的一個實施例，在刷子盒 晶圓實施清潔操作的方法之流程圖。&方法開始於；作、 402，在此提供晶圓具有沉積銅層覆蓋於氧化腐蝕特徵 上。而後在操作404，使晶圓受到CMP操作，以去除 化沉積的銅層之頂層。 '
第10頁 476984 五、發明說明（7) --- 如上所討論，CMP操作可能以通道可能潛在對金屬化 特徵形成不適當結合的方式而對晶圓表面造成缺陷。圖4 及5的方法為處理晶圓表面的方法，以避免如此的製 疵。 又权 繼續圖4A的討論，在404的CMP操作後，將晶圓導入 操作406中的清潔系統。而後在操作4〇8中，將一種改良 的清潔化學藥品（ICC， impr〇ved cleaning chemicaiyy 到晶圓的表面，以將銅的頂層轉變成為水溶性形式。此 ice也可用來促進去除晶圓表面的CMp後殘留物，如泥漿顆 粒。為了要從晶圓表面移除控制量的銅，將銅材料轉變成 ，水溶性形式。在塗用ICC期間，ICC同時也使得銅的頂層 氧化而形成銅氧化物（CuOx )。因此，ICC包含一種氧化曰 劑。在ICC中的強鉗合劑與弱鉗合劑和氧化劑結合使得可 程式設計一控制量的銅由晶圓表面上移除。在一個實施例 中’利用控制經由ICC塗佈之氧化劑量，留在晶圓表面的 銅氧化物量可更精確地控制。鉗合劑的一個實例為乙二胺 四乙酸（EDTA， ethelenediamine tetraacetic acid)。 另外除了 E D T A外’例如，可為草酸。 ICC溶液較佳包含有Nh4〇h、EDTA、H2 02、及去離子 (DI，deionized)水。NH4〇H成份的較佳目的為作為弱鉗 合劑。EDTA成份的較佳目的為作為強鉗合劑。Ια成份的 車父佳目的為作為氧化劑。DI水成份補足溶液的差額。 在ICC溶液中NHJH的組成較佳為約0.035重量％及約 〇· 21重量％之間，更佳的是約〇· 〇5重量％及約丨· 〇重量％
Η-/〇^δ4 五、發明說明（8) 之間，最伟& & 〇. 〇05重量％ 約〇· 01重量％ 。EDTA的組成較佳為約 量％及約〇 〇2番=.03重里/°之間’更佳的是約0.0075重 的組成是包含之間，最佳的為約〇.01重量％。㈣ 對di水的體#ΓΓ液中，以比例相對於di水組成。此Μ 是約1 :5〇Λ較7佳為約1 :30及約1 :200之間，更佳的 、、勺1 · 7 〇之間，最佳的為約1 : 1 2 〇。
四此，W IX
約0. 〇1重旦。取j土的1cc溶液包含〇4011約〇· 07重量％ ，EDTA 子和晶圓i L ’及H2〇2對DI水的體積比為約1:120。當刷 圓表面觸一段預定時間’如此的溶液組合物從晶 液轉變鋼：=矣产二5°埃的銅氧化物。換言之，此溶 此水、容為銅氧化物’將頂層轉變成水溶性形式，而 合丨生形式在操作41〇中沖洗掉，如以下說明。 刷子和晶圓表面接觸的時間較佳為約20秒及約50秒之 二 + if的*約3〇秒及約4〇秒之間，最佳的為約35秒。當 刷^接觸的時間為約35秒時，大約有⑽埃的銅氧化物自 晶圓表面去除。
在塗佈ICC後，此方法移動到操作41〇，在此將晶圓用 DI水清洗，以從晶圓表面及清潔系統（即刷子）去除水溶 性銅及銅氧化物。此方法較佳留下約5埃及3〇埃之間的銅 氧化物於晶圓上表面，最佳約1 〇埃的銅氧化物。在銅表面 上有些許銅氧化物有利於保護下方的銅免於腐蝕。在將上 表面清洗後’此方法可進行旋轉、清洗、及乾燥（g r D
Spin，rinse，and dry)操作，而後前進至操作jig，在 此儲存清春的曰曰片。可將洳述的過程對任何另外的晶圓重
五 發明說明（9) ί淳；的方法實施於任何清潔系統，無論是否 ft用刷子盒或其他類型的清潔裝置。 盒對Γ圓出發明的-個實施例，利用兩個刷子 佳目清潔知作的方法之流程圖。卜個刷子的較 Μ，#二π咪一乳化矽層及去除控制量的銅層。應注音 匕：得去除實際上不只是清潔微量的•，而ΐ確 i清ί在：貝用丨：：個刷子的較佳目的為清潔晶圓表面同 才/月办在苐二刷子盒中的刷子。 | ^ ^法開始於操作5 〇 2，在此提供晶圓具有沉積銅層 CMP^ 法移朱動以&去除及平面化沉積的銅層之頂層。而後此方 备；& ΠΓ水〉月深站來執行CMP後操作，處理晶圓表面，以避 免接下來如上所述之處理的缺陷。 子盒於：第ΪΞΓ二中’將晶圓導入清潔系統的第-刷 Γ __ 盖中，方法移至操作508，在此將ICC利 轉變為水、容：二：子^佈至晶圓’以可控制式地將銅材質 將銅材料轉變成1水tL要ϊ晶ii:移除控制量的銅， 4A的操作4。8說明為“…。移除銅的技術參照前面圖 運至；：：早ί操！川中，較佳將晶圓由第-刷子盒轉 在此MU ^在第一刷子盒中’彳法移至操作512， 在此將第一二人1(：(:利用第二刷子盒的刷子 面：以清潔晶圓表面及清潔銅的刷子。第二布次 含 如第一刷子盒中的ICC相同組成份。然而，無論化學組成
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份，第二次I CC的較佳目的為清潔銅的刷子及其他可由晶 圓表面清潔的材料。第二次ICC塗佈時間較佳約為3秒至1〇 秒之間。 而後方法進行到操作514，在此將晶圓利用第二刷子 盒中的刷子以去離子（DI，dei〇nized )水沖洗，來將晶 圓表面及刷子上的第二次ICC去除。清洗晶圓表面的時間 較佳為約2 0秒至4 0秒之間。 在第二刷子盒中操作後，方法移至操作51 6，在此將 晶圓轉送到旋轉、清洗、及乾燥（SRD. Spin，rinse，
and dry)站。而後在操作518中，可將晶圓儲存於輸出 人圖5顯不出根據本發明的一個實施例，利用兩個刷子 =對，圓貝施清潔及腐蝕操作的方法之流程圖。第一個刷 2較佳目的為自晶圓表面腐蝕控制量的氧化物。第二刷 二的較佳目的為自晶圓表面去除控制量的銅及清潔晶圓 表面，同時清潔在第二刷子盒中的刷子。 霜芸^ f法開始於操作602，在此提供晶圓具有沉積銅層 CMP;:化腐蝕特徵上。而後在操作604中，使晶圓受到
、、=n以去除及平面化沉積的銅層之頂層。而後此方 免：^潔站來執行CMP後操作，處理晶圓表面，以避 充接下來如上所述之處理的缺陷。 子各於：’在操作606中’冑晶圓導入清潔系統的第-刷 潔ΐ塗佑It在操作m中，將氧化物腐餘化學藥品清 、 晶圓表面。此氧化物腐蝕化學藥品清潔劑也會
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五、發明說明（11) 腐钱矽氧化物。氧化物腐蝕化學藥品清潔劑的實例包括氫 就酸（HF，hydrofluoric acid)及包含有氳氟酸的混合 銅清潔劑（MCC，mixed copper clean)。其他對MCC的資 訊可參考：（1)美國專利申請案08/955,393，標題為銅 膜研磨後之半導體基底的清潔方法及裝置，建檔於1 997年 10月21日；及（2)美國專利申請案〇9/〇37, 586，標題為 銅膜研磨後之半導體基底的清潔方法及裝置，建播於iggg 年3月9曰。此些美國專利申請案在此以參考資料併入。氧 化物腐姓化學藥品清潔劑的另一實例為緩衝的氧化物腐蝕 (BOE，buffered oxide etch)。將晶圓表面以氧化物腐 餘化學藥品清潔劑擦洗較佳約為3 0秒。 而後方法移至操作6 1 0，在此將DI水塗佈至晶圓，以 大體上自晶圓表面移除氧化物腐蝕化學藥品清潔劑。將晶 圓表面以DI水擦洗較佳約為2 〇秒。 而後方法進行到操作6 1 2，在此將晶圓由第一刷子盒 轉運至第二刷子盒。在操作6丨4中，利用第二刷子盒的刷 子將I CC塗佈至晶圓，以可控制式地將銅材質轉變為水溶 性形式。為了要從晶圓表面移除控制量的銅，將銅材料轉 變成為水溶性形式。移除銅的技術參照前面圖4A的操作 408說明。而後方法進行到操作616，在此將晶圓利用第二 刷子盖中的刷子以DI水沖洗，來將晶圓及刷子上的I c C去 除。清洗晶圓的時間較佳為約2〇秒至4〇秒之間。 接下來’在操作618中，將晶圓輸出第二刷子盒至SRD 站。而後方法前進至操作6 2 〇，於此將晶圓儲存於輸出
第15頁 476984 五、發明說明（12) 站〇 雖然本發明 技藝者在讀前面 種變化、增加、 參考資料為刷子 所教導的方法受 何大小的晶圓， 及形狀。因此 乾圍内之變化 已用數個較佳實施例說明，應明鑑熟悉本 的詳細說明及研究附圖時，將可實行其各 父換排列及其同等物。例如，雖然特定的 ，’任何其他刷子擦洗裝置也可由本發明 益。此外，也可將清潔的實施例運用至任 米、30°毫米、及更大，及其他大 2月包括所有在本發明的真正的精神及 支曰加、交換排列及其相等物。 第16頁 476984 圖式簡單說明 : _^ 本發明由下列詳細說明結合隨附之圖示，將 明瞭，其中類似的參考數字代表類似的結構元件。、谷易 圖1A顯示出具有銅層沉積覆蓋於晶圓上表面 橫剖面圖。、J日日圓之 圖1B顯示出圖丨人的晶圓在上表面已經歷化學 (CMP，chemical mechanical p〇lishing)操作、计磨 面圖。 1无的杈剖 圖1C顯不出圖丨B的晶圓在金屬通道已經形成， 線102接觸後的橫剖面圖。 Λ與銅 圖2顯示出根據本發明的一個實施例，化學機械研磨 CMP’ chemical mechanicai p〇1ishing)系統及晶圓 系統的高層示意圖。 μ 圖3Α及3Β分別顯示圖2根據本發明的一個實施例的晶 圓清潔系統3 2 0更詳細的側視圖及俯視圖。 圖4Α顯示出根據本發明的一個實施例，在刷子盒中對 晶圓貫施清潔操作的方法之流程圖。 圖4Β顯示出根據本發明的一個實施例，利用兩個刷子 盒對晶圓實施清潔操作的方法之流程圖。 圖5顯〜示出根據本發明的一個實施例，利用兩個刷子 盒對晶圓貫施清潔及腐蝕操作的方法之流程圖。 【符號之說明】 1 0 0〜氧化層 101〜第二氧化層 1 0 2〜銅線
第17頁 476984 圖式簡單說明 I 0 4〜銅層 II 0〜銅氧化層 1 2 0〜障礙層 122〜導電通道 202〜CMP系統 204〜刷子盒 204a〜第一刷子盒 204b〜第二刷子盒
2 0 8〜隨後的操作 300〜輸入站 3 0 4〜旋轉、清洗、及乾燥站 3 0 6〜輸出站 3 0 8〜系統電子 3 1 0〜卸貨處理器 320〜晶圓清潔系統
第18頁

Claims (1)

  1. 476984 修正
    案號 89120423 年月日 六、申請專利範圍 1. 一種經化學機械研磨（CMP，chemical mechanical pol i shi ng)操作後之半導體晶圓表面的清潔 方法，包括： 將一種改良後的清潔化學藥品（ICC， improved c 1 ean i ng ch em i ca 1 )塗佈到晶圓的表面，該I CC是用來將 晶圓表面上的銅膜轉變|成為水溶性形式； 以刷子擦洗晶圓表面；及 以液體清洗晶圓，該清洗是用來將晶圓表面及刷子上 的水溶性銅移除，其中的塗佈、擦洗、及清洗皆於刷子盒 中執行。 2· 如申請專利範圍第1項之經化學機械研磨操作後之 半導體晶圓表面的清潔方法，其中該ICC包括一種銅鉗合 劑0 3 ·如申請專利範圍第1項之經化學機械研磨操作後之 半導體晶圓表面的清潔方法，其中該I CC係選自於由下列 各溶液構成之族群： H2 02 + NH40H + EDTA+去離子（DI，deionized)水；及 H2〇2 + NH4OH+ 草酸+ DI 水。 4 ·如申請專利範圍第3項之經化學機械研磨操作後之 +導體晶圓表面的清潔方法，其中該nh4oh成分是用來作 為弱銅鉗合劑，而該EDTA成分是用來作為強銅鉗合劑。
    第19頁 476984 修正
    ,^-,,^9120423 六、申請專利範圍 Λ日如上請專利範圍第3項之經化學機械研磨操作後之 半導體晶圓表面的清潔方法，更包含： 1下傻之 调整擦洗操作，用以太 骐，厚度約Α 在日日圓表面留下一層鋼氧化物 )為5埃至約30埃之間的銅氧化物。 半導體晶專利圍第3項之經化學機械研磨操作後< 配ΐΞί!的清潔方法，更包含: 約1 5〇埃=知作，用以移除速率範圍每分鐘約丨〇 〇埃 ‘間的鋼來移除鋼膜。 、芏 半導體清Λ利範圍第3項之經化學機械研磨操作後之 之間的邮4〇\二液中成分約為0β 03 5重量％至約0· 21重量％ 半導體：圓申:面專二範二第3項之經化學機械研磨操作後之 酉己置二ί “方法，更包含： 之間的ΕΙ)ίΊΓ液中成/刀約為0. 0 0 5重量％至約0. 0 3重量％ 之 半導體晶圓i : ^ G 3去項之經化人學機械研磨操作後 配置㈣訓水具有比例約更；;^及約1:2〇〇 之間
    第20頁 476984 案號 89120423 年月曰 修正 六、申請專利範圍 I 0 .如申請專利範圍第3項之經化學機械研磨操作後 之半導體晶圓表面的清潔方法，更包含： 配置於溶液中成分約為0β 0 3 5重量％至約0. 2 1重量％ 之間的NH40H ; 配置於溶液中成分約為0，0 0 5重量％至約0 . 0 3重量°/〇 之間的EDTA ;及 配置H2 02對DI水具有比例約為1 ·· 30及約1 : 2 0 0之間。 II 如申請專利範圍第3項之經化學機械研磨操作後 之半導體晶圓表面的清潔方法，更包含： 擦洗操作，具有刷子接觸時間，其中當刷子接觸時間 ί 為約2 0秒至約5 0秒之間，自表面上約有1 0 0埃至約1 5 0埃之 間的銅被移除。 1 2.如申請專利範圍第1項之經化學機械研磨操作後之 半導體晶圓表面的清潔方法，更包括： 將晶圓傳輸至第二刷子盒； 利用第二刷子盒中的刷子以第二次ICC擦洗晶圓表 面，來清潔第二刷子盒中刷子的銅；及 利用第二刷子盒中的刷子以D I水清洗晶圓，來沖刷第 二刷子盒中刷子的第二次ICC。 1 3.如申請專利範圍第1 2項之經化學機械研磨操作後 之半導體晶圓表面的清潔方法，更包含：
    第21頁 476984
    配置擦洗持續時間約3秒至約1 〇秒之間。 作後 >14·如申請專利範圍第12項之經化學機械研磨操 之半導體晶圓表面的清潔方法，更包含： 配置清洗時間，持續約2〇秒至約4〇秒之間。 从+15· 一種自化學機;械研磨操作後之晶圓去除表面材料 的方法，包括: 刊行 以一種氧化物腐蝕化學藥品擦洗晶圓； 以氧化物腐蝕化學藥品擦洗後，以去離子（DI， deionized )水擦洗晶即； ， •以DI水擦洗後，以;改良後的清潔化學藥品（ICC， improved cleaning chbmical)擦洗晶圓；及 以ICC擦洗晶圓後，以DI水擦洗晶圓。 1 6 ·如申請專利範圍第丨5項之自化學機械研磨操 之晶圓去除表面材料的方法，更包含： —於第一刷子盒中進行如下操作：藉由氧化物腐蝕化學
    樂品擦洗晶圓，及在藉由氧化物腐蝕化學藥品擦洗後以 水擦洗晶圓；及 ^第二刷子盒中進行如下操作：藉由丨cc擦洗晶圓， 及在藉由IC C擦洗晶圓後以])I水擦洗晶圓。 1 7 ·如申請專利範圍第丨5項之自化學機械研磨操作後
    案號89】2np彳 六、申請專利範圍 之晶圓去除表面材料的方法，更 配置氧化物腐蝕化學 hydrof luori c acid ” σα 匕括有氫氟酸（HF， 曰 修正 包含： 18·如申睛專利範圍第1 5 ji 之晶圓去除表面材料的方法，1 化學機械研磨操作後 以氧化物腐蝕化學攀σ θ 柰°口擦洗日日®，持續時間約30秒。 之曰圓去1 Ϊ °月專利範圍第1 5項之自化學機械研磨摔作後 之"固去，表面材料的方法，更包含·· 所靨铩作後 擦洗 f f氧化物腐蝕化學藥品擦洗後，藉由Di 圓，持碘時間約2〇秒。： 曰2^° ·如申請專利範圍第1 5項之自化學機械研磨操作後 之晶圓去除表面材料的方法，其中：該ICC為由下列各溶 液構成之族群： H2 02 + MH4〇H + EDTA +去離子（DI，deionized)水及 Η2 02 + ΝΗ40Η+ 草酸+ DI 水。 21·如申請專利範圍第1 8項之自化學機械研磨操作後 之晶圓去除表面材料的方法，其中，自晶圓表面移除約2 0 埃至約40埃的氧化物。 22·如申請專利範圍第20項之自化學機械研磨操作後
    第23頁 476984 __案號89120423 年月日__ 六、申請專利範圍 之晶圓去除表面材料的方法，更包含： 藉由I C C擦洗晶圓3持續時間約3 5秒。 23 ·如申請專利範圍第1 9項之自化學機械研磨操作後 之晶圓去除表面材料的方法^更包含： 在以IC C擦洗晶圓後’错由D I水擦洗晶圓，持績時間 約2 0秒。 2 4 . —種處理基底表面的方法，包括： 將基片表面上的銅膜轉變成為水溶性形式； 以刷子擦洗基片表面；及 以液體清洗基片，該清洗是用來將基片表面及刷子上 的水溶性銅移除。 25.如申請專利範圍第24項之處理基底表面的方法， 其中該轉變是利用一種銅鉗合劑實行。
    第24頁
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