JP2004063735A - 半導体装置の製造方法および製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法および製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004063735A JP2004063735A JP2002219368A JP2002219368A JP2004063735A JP 2004063735 A JP2004063735 A JP 2004063735A JP 2002219368 A JP2002219368 A JP 2002219368A JP 2002219368 A JP2002219368 A JP 2002219368A JP 2004063735 A JP2004063735 A JP 2004063735A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- cleaning
- semiconductor device
- metal film
- cmp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】研磨条件を変えることなく、また金属膜を溶解しない洗浄液を用いながら、パーティクル除去を可能にする。
【解決手段】半導体装置基板上に堆積した金属膜を、化学機械研磨(CMP)により除去するCMP処理工程が、金属の酸化防止剤を用いて金属膜を研磨する研磨工程と、金属膜の研磨面に付着した汚染物やパーティクルを除去する洗浄工程とを含み、洗浄工程が、研磨後の金属面に酸化処理を行い酸化層を形成させる第1の段階(S1)と、洗浄して酸化層を除去する第2の段階(S2)とからなる。このように、研磨工程で酸化防止された金属膜表面に対し酸化処理と洗浄を段階的に行うことにより、表面の酸化層のみを選択的に除去し、かつ金属膜表面のパーティクル除去を可能とする。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体装置基板上に堆積した金属膜を、化学機械研磨(CMP)により除去するCMP処理工程が、金属の酸化防止剤を用いて金属膜を研磨する研磨工程と、金属膜の研磨面に付着した汚染物やパーティクルを除去する洗浄工程とを含み、洗浄工程が、研磨後の金属面に酸化処理を行い酸化層を形成させる第1の段階(S1)と、洗浄して酸化層を除去する第2の段階(S2)とからなる。このように、研磨工程で酸化防止された金属膜表面に対し酸化処理と洗浄を段階的に行うことにより、表面の酸化層のみを選択的に除去し、かつ金属膜表面のパーティクル除去を可能とする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置の製造工程で、半導体装置基板に堆積した金属膜を化学機械研磨(CMP)により除去する工程における半導体装置の製造方法および製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、CMPは、半導体装置の製造において、絶縁物であるシリコン酸化膜の平坦化加工に用いられてきたが、近年、半導体装置性能の高速化から、配線材が、アルミニウム(Al)からより低抵抗な銅(Cu)に変わり、これに伴い、Cuの加工にもCMPを使うようになった。これは、Cuのドライエッチ加工が極めて困難なことからきており、CMPを使ったCuダマシンと呼ばれる新たな工法が適用されるようになった。Cuダマシンとは、絶縁膜であるシリコン酸化膜に配線となる溝を予めドライエッチにより形成し、配線材であるCuを埋め込み、余剰なCuをCMPにより除去する一連の工程をいう。
【0003】
但し、実際にCuを配線材として用いる場合、Cuのシリコン酸化膜への熱拡散が従来のAlに比べ速いことから、シリコン酸化膜の絶縁性を確保するため、Cuの拡散防止膜として、導電性のバリアメタル膜をCuの下地膜に用いるのが一般的である。したがって、ここでのCMPでは、Cuとバリアメタルの2種類の金属を除去する工程となる。
【0004】
ここで、CuダマシンにおけるCMPの構成を図6に基づいて説明する。CMPの処理は、前記のように2種類の金属を研磨し、さらに、研磨後の洗浄を行うことから、大きく3つのステップから構成される。1ステップ目は、図6(a)に示すようにバリアメタル11上のCu10を研磨により平坦化しながら除去し、配線となる溝部のみCu10を残す処理である。研磨スラリには、砥粒と酸化剤を含み、Cu表面を酸化させながら砥粒により削り取っている。
【0005】
2ステップ目は、図6(b)に示すように1ステップ目で表面に残るバリアメタル11を研磨により平坦化しながら除去する処理である。研磨スラリには、基本的に、Cuと同様、砥粒と酸化剤を含むが、Cu10が、バリアメタル11に対し削れ易い性質をもつことから、Cu10の過剰研磨(ディッシングと呼ばれる)を防止するために、研磨スラリに、Cuの酸化防止剤であるベンゾトリアゾール(BTA)を添加している。BTAは、Cu表面に結合しCuBTA12を形成することで酸化を防いでいる。BTAによるディッシングの抑制効果は、添加量と共に高まるが、1×10−2モル濃度以上でほぼ飽和する。
【0006】
3ステップ目は、図6(c)に示すように研磨後の洗浄である。従来、シリコン酸化膜のCMPで使われてきた洗浄液は、アンモニアや、フッ酸であるが、Cu研磨後の洗浄では、アンモニアはCuを溶解し、フッ酸はシリコン酸化膜を溶解するため、研磨後の膜厚や、平坦性、均一性を確保する上では適応困難である。このため一般的には、シュウ酸を主成分とする洗浄液が使われている。シュウ酸は、フッ酸に比べシリコン酸化膜(絶縁膜13)を溶解する力が弱く、かつ、Cuを溶解しない(酸化銅は溶解する)性質をもつため、研磨後の洗浄液として一般的に使われている。
【0007】
しかしながら、前記洗浄後、Cu表面に多数の欠陥(パーティクル)14が発生していることがわかり、さらに、これが配線の断線あるいは短絡となり、半導体製品不良の主原因であることがわかった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
前記不良を対策するため、原因を詳細に調査した結果、バリアメタル研磨で、Cu表面が、BTAにより酸化防止されることと、その後洗浄で使うシュウ酸がCuを溶解しない(酸化銅は溶解する)性質が、パーティクル多発の原因であった。つまり、酸化防止されたCu表面のパーティクルは、シュウ酸が表面を溶解しないため、離脱せず残留していることがわかった。
【0009】
これは、BTAの添加濃度を減少させCu表面の酸化防止効果を弱めた場合や、あるいは、Cuを溶解する液、例えば、アンモニアといった液で洗浄することで、パーティクルの減少傾向が得られたことから確認できた。
【0010】
しかしながら、こういった方法は、Cuのディッシングや、膜厚ばらつきを生み、実際の適応は困難である。
【0011】
このことから、研磨スラリに対するBTAの添加を1×10−2モル濃度以上とし、なおかつCuを溶解しないシュウ酸を用いながら、Cu表面のパーティクル除去を可能にする洗浄方法が要求される。
【0012】
したがって、この発明の目的は、こういった課題に対し、研磨条件を変えることなく、また金属膜を溶解しない洗浄液を用いながら、パーティクル除去を可能にする半導体装置の製造方法および製造装置を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためにこの発明の請求項1記載の半導体装置の製造方法は、半導体装置基板上に堆積した金属膜を、化学機械研磨(CMP)により除去するCMP処理工程が、金属の酸化防止剤を用いて前記金属膜を研磨する研磨工程と、前記金属膜の研磨面に付着した汚染物やパーティクルを除去する洗浄工程とを含み、前記洗浄工程が、研磨後の金属面に酸化処理を行い酸化層を形成させる第1の段階と、洗浄して前記酸化層を除去する第2の段階とからなる。
【0014】
このように、CMP処理工程が、金属の酸化防止剤を用いて金属膜を研磨する研磨工程と、金属膜の研磨面に付着した汚染物やパーティクルを除去する洗浄工程とを含み、洗浄工程が、研磨後の金属面に酸化処理を行い酸化層を形成させる第1の段階と、洗浄して酸化層を除去する第2の段階とからなるので、研磨工程で酸化防止された金属膜表面に対し酸化処理と洗浄を段階的に行うことにより、表面の酸化層のみを選択的に除去し、かつ金属膜表面のパーティクル除去を可能とする。
【0015】
請求項2記載の半導体装置の製造方法は、請求項1記載の半導体装置の製造方法において、金属膜を銅、酸化防止剤をベンゾトリアゾールとし、第1の段階の酸化処理の際に、酸化還元電位が、550mv vs.SHE(標準水素電極に対する電位)以上の電位を持つ酸化剤を用い、第2の段階の洗浄にシュウ酸を用いる。
【0016】
このように、金属膜を銅、酸化防止剤をベンゾトリアゾールとし、第1の段階の酸化処理の際に、酸化還元電位が、550mv vs.SHE(標準水素電極に対する電位)以上の電位を持つ酸化剤を用い、第2の段階の洗浄にシュウ酸を用いるので、第1の段階の酸化処理では、研磨後の酸化防止されたCu表面に強制的に酸化層を形成させることができる。このことにより、第2の段階のシュウ酸洗浄では、シュウ酸が酸化物(CuO)を溶解しCuを溶解しない性質から、表面酸化層のみを選択的にエッチングし、かつパーティクルの除去も可能となる。
【0017】
請求項3記載の半導体装置の製造方法は、請求項1または2記載の半導体装置の製造方法において、研磨工程で使用する研磨スラリーに対する酸化防止剤の添加を1×10−2モル濃度以上とした。このように、研磨工程で使用する研磨スラリーに対する酸化防止剤の添加を1×10−2モル濃度以上としたので、金属膜の過剰研磨を防止することができる。
【0018】
請求項4記載の半導体装置の製造装置は、半導体装置基板上に堆積した金属膜を化学機械研磨(CMP)により除去するCMP装置を備え、酸化防止剤を用いて前記金属膜を研磨する半導体装置の製造装置であって、前記CMP装置が、研磨後の前記半導体装置基板を酸化剤に浸漬させる第1の洗浄手段と、シュウ酸液を供給しながらブラシにて前記半導体装置基板をスクラブする第2の洗浄手段とを備えた。
【0019】
このように、CMP装置が、研磨後の半導体装置基板を酸化剤に浸漬させる第1の洗浄手段と、シュウ酸液を供給しながらブラシにて半導体装置基板をスクラブする第2の洗浄手段とを備えたので、第1の洗浄手段において研磨により酸化防止された金属膜表面に酸化層を形成する処理を行うことができ、第2の洗浄手段において酸化層を溶解し金属膜を溶解しない性質を持つシュウ酸を用いることで、第1の洗浄手段で形成された酸化層を選択的にエッチングすることができる。これにより、金属膜の膜減りを第1の洗浄手段で形成した酸化層のみに抑え、なおかつパーティクル除去を可能にする。
【0020】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態を図1〜図5に基づいて説明する。図1はこの発明の実施の形態のCMPの処理ステップを示すフロー図、図2はそのCMP処理工程断面図である。
【0021】
この半導体装置の製造方法は、半導体装置基板上に堆積した金属膜を、化学機械研磨(CMP)により除去するCMP処理工程が、金属の酸化防止剤を用いて金属膜を研磨する研磨工程と、金属膜の研磨面に付着した汚染物やパーティクルを除去する洗浄工程とを含む。
【0022】
研磨工程の1ステップ目は、図2(a)に示すようにバリアメタル11上のCu10を研磨により平坦化しながら除去し、配線となる溝部のみCu10を残す処理である。研磨スラリには、砥粒と酸化剤を含み、Cu表面を酸化させながら砥粒により削り取っている。
【0023】
研磨工程の2ステップ目は、図2(b)に示すように1ステップ目で表面に残るバリアメタル11を研磨により平坦化しながら除去する処理である。研磨スラリには、基本的に、Cuと同様、砥粒と酸化剤を含むが、Cu10が、バリアメタル11に対し削れ易い性質をもつことから、Cu10の過剰研磨(ディッシングと呼ばれる)を防止するために、研磨スラリに、Cuの酸化防止剤であるベンゾトリアゾール(BTA)を添加している。BTAは、Cu表面に結合しCuBTA12を形成することで酸化を防いでいる。BTAによるディッシングの抑制効果は、添加量と共に高まるが、1×10−2モル濃度以上でほぼ飽和する。
【0024】
洗浄工程は、研磨後の金属面に酸化処理を行い酸化層を形成させる第1の段階と、洗浄して酸化層を除去する第2の段階とからなり、第1の段階の酸化処理の際に、酸化還元電位が、550mv vs.SHE(標準水素電極に対する電位)以上の電位を持つ酸化剤を用い、第2の段階の洗浄にシュウ酸を用いる。
【0025】
すなわち、図1に示すように、Cu研磨とバリアメタル研磨(BTA1×10−2モル濃度添加の研磨スラリを使用)を経たウェハを、純水でリンスした後、1段目に表面の酸化処理を行う(S1)。洗浄液には、過酸化水素水や、オゾン水に代表されるような酸化剤を用いる。酸化還元電位は、酸化剤の濃度や温度により変化させることができ、550mv vs.SHE以上にするには、過酸化水素水であれば、室温の場合、濃度を9%以上にすることで実現できる。この過酸化水素水に、ウェハを浸漬させることにより、研磨により酸化防止されたCu表面に、酸化層15が形成される(図2(c))。
【0026】
次に、純水でウェハをリンスした後、2段目のシュウ酸による洗浄を行う(S2)。これにより1段目で、表面に形成された酸化層15はエッチングされる。14はパーティクルである。その後、純水リンスをした後、スピン乾燥を行い一連の処理は完了する(図2(d))。
【0027】
この実施の形態の半導体装置の製造方法によらず、表面酸化処理を行わない場合や、酸化還元電位が550mv vs.SHEを下回る酸化剤では、表面に酸化層が十分形成されず、その後シュウ酸で洗浄しても、表面のエッチング量が不十分なためにパーティクルが検出される。一例として、ウェハ上に堆積した金属膜を化学機械研磨(CMP)により除去するCMP装置を備え、酸化防止剤を用いて金属膜を研磨する半導体装置の製造装置において、CMP装置の洗浄工程で、1段目にウェハを過酸化水素水に浸漬させる洗浄方式(第1の洗浄手段)と、2段目にシュウ酸液を供給しながら、ブラシにてウェハをスクラブする洗浄方式(第2の洗浄手段)を備えた装置を用い、2段目のシュウ酸洗浄条件は一定(室温、濃度5%、洗浄時間60秒)のもと、1段目の過酸化水素水の濃度のみ振り(室温、洗浄時間60秒)、その時の酸化還元電位とパーティクル発生数の関係を調べた結果を図3に示す。図3より酸化還元電位が、550mv vs.SHEを下回るとパーティクルは増加していることが分かる。
【0028】
また、この実施の形態の洗浄方法によれば、研磨後に対するCuの膜厚は減少するが、洗浄時間に対し、減少量を一定に保つことができる。このことを示す例として、1段目に10%濃度(室温)の過酸化水素水(図において、過水と略す)、2段目に5%濃度(室温)のシュウ酸を用いた場合において、1段目の酸化洗浄時間のみを変化させた時(2段目は60秒固定)のCu膜厚の減少量を図4に示す。この場合、Cu膜の減少量は、少なくとも30秒以上では一定を示している。また同様に、1段目に10%濃度(室温)の過酸化水素水、2段目に5%濃度(室温)のシュウ酸を用いた場合において、2段目のシュウ酸洗浄時間のみ変化させた時(1段目は60秒固定)は、図5に示す通り、30秒以上で一定を示している。
【0029】
【発明の効果】
この発明の請求項1記載の半導体装置の製造方法によれば、CMP処理工程が、金属の酸化防止剤を用いて金属膜を研磨する研磨工程と、金属膜の研磨面に付着した汚染物やパーティクルを除去する洗浄工程とを含み、洗浄工程が、研磨後の金属面に酸化処理を行い酸化層を形成させる第1の段階と、洗浄して酸化層を除去する第2の段階とからなるので、研磨工程で酸化防止された金属膜表面に対し酸化処理と洗浄を段階的に行うことにより、表面の酸化層のみを選択的に除去し、かつ金属膜表面のパーティクル除去を可能とする。
【0030】
請求項2では、金属膜を銅、酸化防止剤をベンゾトリアゾールとし、第1の段階の酸化処理の際に、酸化還元電位が、550mv vs.SHE(標準水素電極に対する電位)以上の電位を持つ酸化剤を用い、第2の段階の洗浄にシュウ酸を用いるので、第1の段階の酸化処理では、研磨後の酸化防止されたCu表面に強制的に酸化層を形成させることができる。このことにより、第2の段階のシュウ酸洗浄では、シュウ酸が酸化物(CuO)を溶解しCuを溶解しない性質から、表面酸化層のみを選択的にエッチングし、かつパーティクルの除去も可能となる。
【0031】
請求項3では、研磨工程で使用する研磨スラリーに対する酸化防止剤の添加を1×10−2モル濃度以上としたので、金属膜の過剰研磨を防止することができる。
【0032】
この発明の請求項4記載の半導体装置の製造装置によれば、CMP装置が、研磨後の半導体装置基板を酸化剤に浸漬させる第1の洗浄手段と、シュウ酸液を供給しながらブラシにて半導体装置基板をスクラブする第2の洗浄手段とを備えたので、第1の洗浄手段において研磨により酸化防止された金属膜表面に酸化層を形成する処理を行うことができ、第2の洗浄手段において酸化層を溶解し金属膜を溶解しない性質を持つシュウ酸を用いることで、第1の洗浄手段で形成された酸化層を選択的にエッチングすることができる。これにより、金属膜の膜減りを第1の洗浄手段で形成した酸化層のみに抑え、なおかつパーティクル除去を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態のCMPの処理ステップを示すフロー図である。
【図2】この発明の実施の形態の半導体装置の製造方法の工程断面図である。
【図3】過酸化水素水の酸化還元電位とパーティクル発生数の関係を示すグラフである。
【図4】過酸化水素水の洗浄時間に対するCu膜減少量を示すグラフである。
【図5】シュウ酸洗浄時間に対するCu膜減少量を示すグラフである。
【図6】
従来例の工程断面図である。
【符号の説明】
10 Cu(金属膜)
11 バリアメタル
12 CuBTA
13 絶縁膜
14 パーティクル
15 CuO層(酸化層)
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置の製造工程で、半導体装置基板に堆積した金属膜を化学機械研磨(CMP)により除去する工程における半導体装置の製造方法および製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、CMPは、半導体装置の製造において、絶縁物であるシリコン酸化膜の平坦化加工に用いられてきたが、近年、半導体装置性能の高速化から、配線材が、アルミニウム(Al)からより低抵抗な銅(Cu)に変わり、これに伴い、Cuの加工にもCMPを使うようになった。これは、Cuのドライエッチ加工が極めて困難なことからきており、CMPを使ったCuダマシンと呼ばれる新たな工法が適用されるようになった。Cuダマシンとは、絶縁膜であるシリコン酸化膜に配線となる溝を予めドライエッチにより形成し、配線材であるCuを埋め込み、余剰なCuをCMPにより除去する一連の工程をいう。
【0003】
但し、実際にCuを配線材として用いる場合、Cuのシリコン酸化膜への熱拡散が従来のAlに比べ速いことから、シリコン酸化膜の絶縁性を確保するため、Cuの拡散防止膜として、導電性のバリアメタル膜をCuの下地膜に用いるのが一般的である。したがって、ここでのCMPでは、Cuとバリアメタルの2種類の金属を除去する工程となる。
【0004】
ここで、CuダマシンにおけるCMPの構成を図6に基づいて説明する。CMPの処理は、前記のように2種類の金属を研磨し、さらに、研磨後の洗浄を行うことから、大きく3つのステップから構成される。1ステップ目は、図6(a)に示すようにバリアメタル11上のCu10を研磨により平坦化しながら除去し、配線となる溝部のみCu10を残す処理である。研磨スラリには、砥粒と酸化剤を含み、Cu表面を酸化させながら砥粒により削り取っている。
【0005】
2ステップ目は、図6(b)に示すように1ステップ目で表面に残るバリアメタル11を研磨により平坦化しながら除去する処理である。研磨スラリには、基本的に、Cuと同様、砥粒と酸化剤を含むが、Cu10が、バリアメタル11に対し削れ易い性質をもつことから、Cu10の過剰研磨(ディッシングと呼ばれる)を防止するために、研磨スラリに、Cuの酸化防止剤であるベンゾトリアゾール(BTA)を添加している。BTAは、Cu表面に結合しCuBTA12を形成することで酸化を防いでいる。BTAによるディッシングの抑制効果は、添加量と共に高まるが、1×10−2モル濃度以上でほぼ飽和する。
【0006】
3ステップ目は、図6(c)に示すように研磨後の洗浄である。従来、シリコン酸化膜のCMPで使われてきた洗浄液は、アンモニアや、フッ酸であるが、Cu研磨後の洗浄では、アンモニアはCuを溶解し、フッ酸はシリコン酸化膜を溶解するため、研磨後の膜厚や、平坦性、均一性を確保する上では適応困難である。このため一般的には、シュウ酸を主成分とする洗浄液が使われている。シュウ酸は、フッ酸に比べシリコン酸化膜(絶縁膜13)を溶解する力が弱く、かつ、Cuを溶解しない(酸化銅は溶解する)性質をもつため、研磨後の洗浄液として一般的に使われている。
【0007】
しかしながら、前記洗浄後、Cu表面に多数の欠陥(パーティクル)14が発生していることがわかり、さらに、これが配線の断線あるいは短絡となり、半導体製品不良の主原因であることがわかった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
前記不良を対策するため、原因を詳細に調査した結果、バリアメタル研磨で、Cu表面が、BTAにより酸化防止されることと、その後洗浄で使うシュウ酸がCuを溶解しない(酸化銅は溶解する)性質が、パーティクル多発の原因であった。つまり、酸化防止されたCu表面のパーティクルは、シュウ酸が表面を溶解しないため、離脱せず残留していることがわかった。
【0009】
これは、BTAの添加濃度を減少させCu表面の酸化防止効果を弱めた場合や、あるいは、Cuを溶解する液、例えば、アンモニアといった液で洗浄することで、パーティクルの減少傾向が得られたことから確認できた。
【0010】
しかしながら、こういった方法は、Cuのディッシングや、膜厚ばらつきを生み、実際の適応は困難である。
【0011】
このことから、研磨スラリに対するBTAの添加を1×10−2モル濃度以上とし、なおかつCuを溶解しないシュウ酸を用いながら、Cu表面のパーティクル除去を可能にする洗浄方法が要求される。
【0012】
したがって、この発明の目的は、こういった課題に対し、研磨条件を変えることなく、また金属膜を溶解しない洗浄液を用いながら、パーティクル除去を可能にする半導体装置の製造方法および製造装置を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するためにこの発明の請求項1記載の半導体装置の製造方法は、半導体装置基板上に堆積した金属膜を、化学機械研磨(CMP)により除去するCMP処理工程が、金属の酸化防止剤を用いて前記金属膜を研磨する研磨工程と、前記金属膜の研磨面に付着した汚染物やパーティクルを除去する洗浄工程とを含み、前記洗浄工程が、研磨後の金属面に酸化処理を行い酸化層を形成させる第1の段階と、洗浄して前記酸化層を除去する第2の段階とからなる。
【0014】
このように、CMP処理工程が、金属の酸化防止剤を用いて金属膜を研磨する研磨工程と、金属膜の研磨面に付着した汚染物やパーティクルを除去する洗浄工程とを含み、洗浄工程が、研磨後の金属面に酸化処理を行い酸化層を形成させる第1の段階と、洗浄して酸化層を除去する第2の段階とからなるので、研磨工程で酸化防止された金属膜表面に対し酸化処理と洗浄を段階的に行うことにより、表面の酸化層のみを選択的に除去し、かつ金属膜表面のパーティクル除去を可能とする。
【0015】
請求項2記載の半導体装置の製造方法は、請求項1記載の半導体装置の製造方法において、金属膜を銅、酸化防止剤をベンゾトリアゾールとし、第1の段階の酸化処理の際に、酸化還元電位が、550mv vs.SHE(標準水素電極に対する電位)以上の電位を持つ酸化剤を用い、第2の段階の洗浄にシュウ酸を用いる。
【0016】
このように、金属膜を銅、酸化防止剤をベンゾトリアゾールとし、第1の段階の酸化処理の際に、酸化還元電位が、550mv vs.SHE(標準水素電極に対する電位)以上の電位を持つ酸化剤を用い、第2の段階の洗浄にシュウ酸を用いるので、第1の段階の酸化処理では、研磨後の酸化防止されたCu表面に強制的に酸化層を形成させることができる。このことにより、第2の段階のシュウ酸洗浄では、シュウ酸が酸化物(CuO)を溶解しCuを溶解しない性質から、表面酸化層のみを選択的にエッチングし、かつパーティクルの除去も可能となる。
【0017】
請求項3記載の半導体装置の製造方法は、請求項1または2記載の半導体装置の製造方法において、研磨工程で使用する研磨スラリーに対する酸化防止剤の添加を1×10−2モル濃度以上とした。このように、研磨工程で使用する研磨スラリーに対する酸化防止剤の添加を1×10−2モル濃度以上としたので、金属膜の過剰研磨を防止することができる。
【0018】
請求項4記載の半導体装置の製造装置は、半導体装置基板上に堆積した金属膜を化学機械研磨(CMP)により除去するCMP装置を備え、酸化防止剤を用いて前記金属膜を研磨する半導体装置の製造装置であって、前記CMP装置が、研磨後の前記半導体装置基板を酸化剤に浸漬させる第1の洗浄手段と、シュウ酸液を供給しながらブラシにて前記半導体装置基板をスクラブする第2の洗浄手段とを備えた。
【0019】
このように、CMP装置が、研磨後の半導体装置基板を酸化剤に浸漬させる第1の洗浄手段と、シュウ酸液を供給しながらブラシにて半導体装置基板をスクラブする第2の洗浄手段とを備えたので、第1の洗浄手段において研磨により酸化防止された金属膜表面に酸化層を形成する処理を行うことができ、第2の洗浄手段において酸化層を溶解し金属膜を溶解しない性質を持つシュウ酸を用いることで、第1の洗浄手段で形成された酸化層を選択的にエッチングすることができる。これにより、金属膜の膜減りを第1の洗浄手段で形成した酸化層のみに抑え、なおかつパーティクル除去を可能にする。
【0020】
【発明の実施の形態】
この発明の実施の形態を図1〜図5に基づいて説明する。図1はこの発明の実施の形態のCMPの処理ステップを示すフロー図、図2はそのCMP処理工程断面図である。
【0021】
この半導体装置の製造方法は、半導体装置基板上に堆積した金属膜を、化学機械研磨(CMP)により除去するCMP処理工程が、金属の酸化防止剤を用いて金属膜を研磨する研磨工程と、金属膜の研磨面に付着した汚染物やパーティクルを除去する洗浄工程とを含む。
【0022】
研磨工程の1ステップ目は、図2(a)に示すようにバリアメタル11上のCu10を研磨により平坦化しながら除去し、配線となる溝部のみCu10を残す処理である。研磨スラリには、砥粒と酸化剤を含み、Cu表面を酸化させながら砥粒により削り取っている。
【0023】
研磨工程の2ステップ目は、図2(b)に示すように1ステップ目で表面に残るバリアメタル11を研磨により平坦化しながら除去する処理である。研磨スラリには、基本的に、Cuと同様、砥粒と酸化剤を含むが、Cu10が、バリアメタル11に対し削れ易い性質をもつことから、Cu10の過剰研磨(ディッシングと呼ばれる)を防止するために、研磨スラリに、Cuの酸化防止剤であるベンゾトリアゾール(BTA)を添加している。BTAは、Cu表面に結合しCuBTA12を形成することで酸化を防いでいる。BTAによるディッシングの抑制効果は、添加量と共に高まるが、1×10−2モル濃度以上でほぼ飽和する。
【0024】
洗浄工程は、研磨後の金属面に酸化処理を行い酸化層を形成させる第1の段階と、洗浄して酸化層を除去する第2の段階とからなり、第1の段階の酸化処理の際に、酸化還元電位が、550mv vs.SHE(標準水素電極に対する電位)以上の電位を持つ酸化剤を用い、第2の段階の洗浄にシュウ酸を用いる。
【0025】
すなわち、図1に示すように、Cu研磨とバリアメタル研磨(BTA1×10−2モル濃度添加の研磨スラリを使用)を経たウェハを、純水でリンスした後、1段目に表面の酸化処理を行う(S1)。洗浄液には、過酸化水素水や、オゾン水に代表されるような酸化剤を用いる。酸化還元電位は、酸化剤の濃度や温度により変化させることができ、550mv vs.SHE以上にするには、過酸化水素水であれば、室温の場合、濃度を9%以上にすることで実現できる。この過酸化水素水に、ウェハを浸漬させることにより、研磨により酸化防止されたCu表面に、酸化層15が形成される(図2(c))。
【0026】
次に、純水でウェハをリンスした後、2段目のシュウ酸による洗浄を行う(S2)。これにより1段目で、表面に形成された酸化層15はエッチングされる。14はパーティクルである。その後、純水リンスをした後、スピン乾燥を行い一連の処理は完了する(図2(d))。
【0027】
この実施の形態の半導体装置の製造方法によらず、表面酸化処理を行わない場合や、酸化還元電位が550mv vs.SHEを下回る酸化剤では、表面に酸化層が十分形成されず、その後シュウ酸で洗浄しても、表面のエッチング量が不十分なためにパーティクルが検出される。一例として、ウェハ上に堆積した金属膜を化学機械研磨(CMP)により除去するCMP装置を備え、酸化防止剤を用いて金属膜を研磨する半導体装置の製造装置において、CMP装置の洗浄工程で、1段目にウェハを過酸化水素水に浸漬させる洗浄方式(第1の洗浄手段)と、2段目にシュウ酸液を供給しながら、ブラシにてウェハをスクラブする洗浄方式(第2の洗浄手段)を備えた装置を用い、2段目のシュウ酸洗浄条件は一定(室温、濃度5%、洗浄時間60秒)のもと、1段目の過酸化水素水の濃度のみ振り(室温、洗浄時間60秒)、その時の酸化還元電位とパーティクル発生数の関係を調べた結果を図3に示す。図3より酸化還元電位が、550mv vs.SHEを下回るとパーティクルは増加していることが分かる。
【0028】
また、この実施の形態の洗浄方法によれば、研磨後に対するCuの膜厚は減少するが、洗浄時間に対し、減少量を一定に保つことができる。このことを示す例として、1段目に10%濃度(室温)の過酸化水素水(図において、過水と略す)、2段目に5%濃度(室温)のシュウ酸を用いた場合において、1段目の酸化洗浄時間のみを変化させた時(2段目は60秒固定)のCu膜厚の減少量を図4に示す。この場合、Cu膜の減少量は、少なくとも30秒以上では一定を示している。また同様に、1段目に10%濃度(室温)の過酸化水素水、2段目に5%濃度(室温)のシュウ酸を用いた場合において、2段目のシュウ酸洗浄時間のみ変化させた時(1段目は60秒固定)は、図5に示す通り、30秒以上で一定を示している。
【0029】
【発明の効果】
この発明の請求項1記載の半導体装置の製造方法によれば、CMP処理工程が、金属の酸化防止剤を用いて金属膜を研磨する研磨工程と、金属膜の研磨面に付着した汚染物やパーティクルを除去する洗浄工程とを含み、洗浄工程が、研磨後の金属面に酸化処理を行い酸化層を形成させる第1の段階と、洗浄して酸化層を除去する第2の段階とからなるので、研磨工程で酸化防止された金属膜表面に対し酸化処理と洗浄を段階的に行うことにより、表面の酸化層のみを選択的に除去し、かつ金属膜表面のパーティクル除去を可能とする。
【0030】
請求項2では、金属膜を銅、酸化防止剤をベンゾトリアゾールとし、第1の段階の酸化処理の際に、酸化還元電位が、550mv vs.SHE(標準水素電極に対する電位)以上の電位を持つ酸化剤を用い、第2の段階の洗浄にシュウ酸を用いるので、第1の段階の酸化処理では、研磨後の酸化防止されたCu表面に強制的に酸化層を形成させることができる。このことにより、第2の段階のシュウ酸洗浄では、シュウ酸が酸化物(CuO)を溶解しCuを溶解しない性質から、表面酸化層のみを選択的にエッチングし、かつパーティクルの除去も可能となる。
【0031】
請求項3では、研磨工程で使用する研磨スラリーに対する酸化防止剤の添加を1×10−2モル濃度以上としたので、金属膜の過剰研磨を防止することができる。
【0032】
この発明の請求項4記載の半導体装置の製造装置によれば、CMP装置が、研磨後の半導体装置基板を酸化剤に浸漬させる第1の洗浄手段と、シュウ酸液を供給しながらブラシにて半導体装置基板をスクラブする第2の洗浄手段とを備えたので、第1の洗浄手段において研磨により酸化防止された金属膜表面に酸化層を形成する処理を行うことができ、第2の洗浄手段において酸化層を溶解し金属膜を溶解しない性質を持つシュウ酸を用いることで、第1の洗浄手段で形成された酸化層を選択的にエッチングすることができる。これにより、金属膜の膜減りを第1の洗浄手段で形成した酸化層のみに抑え、なおかつパーティクル除去を可能にする。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態のCMPの処理ステップを示すフロー図である。
【図2】この発明の実施の形態の半導体装置の製造方法の工程断面図である。
【図3】過酸化水素水の酸化還元電位とパーティクル発生数の関係を示すグラフである。
【図4】過酸化水素水の洗浄時間に対するCu膜減少量を示すグラフである。
【図5】シュウ酸洗浄時間に対するCu膜減少量を示すグラフである。
【図6】
従来例の工程断面図である。
【符号の説明】
10 Cu(金属膜)
11 バリアメタル
12 CuBTA
13 絶縁膜
14 パーティクル
15 CuO層(酸化層)
Claims (4)
- 半導体装置基板上に堆積した金属膜を、化学機械研磨(CMP)により除去するCMP処理工程が、金属の酸化防止剤を用いて前記金属膜を研磨する研磨工程と、前記金属膜の研磨面に付着した汚染物やパーティクルを除去する洗浄工程とを含み、
前記洗浄工程が、研磨後の金属面に酸化処理を行い酸化層を形成させる第1の段階と、洗浄して前記酸化層を除去する第2の段階とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 金属膜を銅、酸化防止剤をベンゾトリアゾールとし、第1の段階の酸化処理の際に、酸化還元電位が、550mv vs.SHE(標準水素電極に対する電位)以上の電位を持つ酸化剤を用い、第2の段階の洗浄にシュウ酸を用いる請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 研磨工程で使用する研磨スラリーに対する酸化防止剤の添加を1×10−2モル濃度以上とした請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体装置基板上に堆積した金属膜を化学機械研磨(CMP)により除去するCMP装置を備え、酸化防止剤を用いて前記金属膜を研磨する半導体装置の製造装置であって、前記CMP装置が、研磨後の前記半導体装置基板を酸化剤に浸漬させる第1の洗浄手段と、シュウ酸液を供給しながらブラシにて前記半導体装置基板をスクラブする第2の洗浄手段とを備えた半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002219368A JP2004063735A (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002219368A JP2004063735A (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004063735A true JP2004063735A (ja) | 2004-02-26 |
Family
ID=31940297
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002219368A Pending JP2004063735A (ja) | 2002-07-29 | 2002-07-29 | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004063735A (ja) |
-
2002
- 2002-07-29 JP JP2002219368A patent/JP2004063735A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3667273B2 (ja) | 洗浄方法および洗浄液 | |
JP3003684B1 (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄液 | |
JP3111979B2 (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
US7727891B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device using a wet process | |
JP4221191B2 (ja) | Cmp後洗浄液組成物 | |
JP3307375B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2000290638A (ja) | 研磨方法 | |
JP2000315666A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP3970439B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US6992009B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
KR100729972B1 (ko) | 화학적 기계적 연마 후 반도체 웨이퍼를 세정 및 처리하기 위한 방법 | |
US6992006B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device | |
JP2004063735A (ja) | 半導体装置の製造方法および製造装置 | |
JP3925511B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005191034A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW424002B (en) | A cleaning method after finishing polishing process of Cu interconnection | |
JP3843112B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006517737A (ja) | 集積回路の金属層の研磨装置および2段階研磨方法 | |
JP2002050606A (ja) | 基板用リンス液及び基板処理方法 | |
JP3680063B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4764604B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2004363464A (ja) | 配線の形成方法 | |
US20120048296A1 (en) | Cleaning Method for Wafer | |
JP2002246390A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2007043183A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20051221 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060808 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |