TW476065B - Optical disk medium - Google Patents

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TW476065B
TW476065B TW089112894A TW89112894A TW476065B TW 476065 B TW476065 B TW 476065B TW 089112894 A TW089112894 A TW 089112894A TW 89112894 A TW89112894 A TW 89112894A TW 476065 B TW476065 B TW 476065B
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recording
super
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Tetsuo Ariyoshi
Motoyasu Terao
Takeshi Shimano
Toshimichi Shintani
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Hitachi Ltd
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Description

476065 A7 B7 五、發明說明（1 ) 【發明之所屬技術領域】 本發明係關於利用光記錄、再生資訊之光碟片媒體， 特別是關於再生以折回界限光點徑所決定之光學分解能以 下之記錄標記之超解析度光碟片媒體。 【習知技術】 由於近年來之高度資訊化、資訊通信、多媒體技術之 發展，光碟片媒體之高密度化、大容量化之要求提高。光 碟片媒體之記錄密度之上限主要係由於記錄或再生資訊之 光點之光束直徑所限制。光點徑在設光源之波長爲λ、設 形成光點用之物鏡之開口數爲Ν Α下，大家知道幾乎可以 以λ / N A來表示。如縮小光點徑，雖然可以提升記錄密 度，但是，光源之波長λ由於光學元件之吸收或檢測器之 感度特性之限制，以紫外線區域之波長被認爲係其界限， Ν Α之提升由於媒體之傾斜之容許量也幾乎被限制。即， 在藉由光點徑之縮小之記錄密度提升上，被認爲有界限。 超越此界限之技術，有利用記錄媒體之光學特性，以 縮小實效之光點徑之超解析度媒體技術。以下舉出代表性 之超解析度媒體技術。①磁氣超解析（Japan Journal of Applied Physics 3 1 ( 1 992 年）529 頁至 5 3 3 頁（Jpn. J. Appl. Phys3 1 ( 1 992)pp.5 29-5 3 3 ))、②利用無機氧化物膜之超解 析（Joint MORIS/ISOM 97 年 Post-deadline Papers Technical Digest 21 頁至 22 頁（Joint MORIS/ISOM 、 97
Post-deadline Papers Technical Digest pp.21-22 ))、③藉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
一一口、I n ϋ ϋ ϋ 1> ϋ· I ^1 ϋ ϋ ϋ I ϋ ^1 ϋ ϋ ^1 ϋ ^1 —ϋ ^1 a^i ϋ ^1 ϋ II ^1 ^1 I I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4- 476065 A7 B7 五、發明說明（2 ) 由利用有機色素之光罩層之超解析讀出（應用物理學會技 術演講會預稿集，1 〇 〇 〇頁、1 9 P — K — 5 ( 1 9 9 4年秋）、④藉由光致變色（photochromic )光罩 層之超解析（optical review 4(1997 年）65 5 頁至 659 頁（ Opt. Rev 4(1 997)ρρ· 655-659 ))。⑤利用相變化材料之溶 融之超解析讀出（Japan Journal of Applied Physics 32(1993 年）5210 頁（Jpn. J. Appl. Phys32(1993)p.5210 ))。這些係 利用光點所產生之溫度分布或透過率之變化，使產生遮蔽 記錄標記之效果，以縮小有助於記錄再生之寳效之光點， 提升記錄再生密度。 圖1係模型地顯示此媒體超解析效果者。光點1 1以 1 3所示方向相對地掃描超解析媒體上，進行記錄再生。 通常再生時，存在於光點1 1內之記錄標記1 2全部有助 於再生信號，在超解析媒體之情形，光強度之強光點之中 心區域1 4以外被遮蔽，只有區域1 4內之記錄標記1 5 被再生。此與有助於再生之實效光點徑縮小者相等。與圖 1之例相反地，區域1 4被遮蔽，以光點1 1檢測區域 1 4以外之記錄標記亦屬可能。 ①之方法係只適用於光磁性光碟，無法適用於現在普 及之CD — ROM或DVD — ROM等之讀出專用光碟。 ③以及④之方法，由於係將有機材料當成光罩層使用之故 ，容易因熱而被破壞，讀出可能次數在1萬次以下程度， 資訊再生之信賴度低之故，無法實用化。又，因熱被破壞 之故，無法適用於重寫型碟片。⑤之方法係在超解析光罩 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I ί ί ί I ϋ J f，· tmt ·ϋ I ϋ ϋ 1 I I ·ϋ i n ϋ ϋ i^i 1 emmmm ϋ emt Hi l ϋ ϋ I 言 矣 476065 A7 B7 五、發明說明（3 ) 層使用相變化材料之熔解之故，由於重複讀出，產生膜流 動，讀出可能次數在1萬次以下程度，資訊再生之信賴度 低之故，無法實用化。又，在相變化材料之熔點以上之溫 度進行再生之故，在重寫型碟片中，於再生之際之高溫狀 態，記錄標記被消除之故，只可適用於讀出專用光碟。在 Japan Journal of Applied Physics 3 8( 1 999 年）1 656 頁（Jpn. J. Appl. Phys.38( 1 999)p.l 656 )中，載明：利用無機氧化物超 解析膜之光碟之重複讀出可能次數爲1 0萬次以上，又， 利用此超解析膜之相變化媒體可以重寫。此係顯示②之方 法利用無機材料之故，與有機材料相比，不易因熱被破壞 。由此，無機氧化物超解析膜被期待爲可以適用於讀出專 用光碟與重寫型光碟之兩方之超解析材料。 【發明欲解決之課題】 無機超解析膜具有如被超過某種臨界値之程度之雷射 光照射，複數折射率會變化之性質。將此無機超解析膜適 用於光碟之情形，設爲如圖2所示之多層膜積層構造。再 生此光碟之情形，在溫度變高之光點之中心部，複數折射 率變化，藉由積層膜之多重干涉，複數折射率變化區域之 反射率變化。其結果爲：強調光點之一部份之信號，可以 進行讀出，可以縮小有助於再生之實效光點徑。 超解析膜2 與基板保護膜2 2、熱保持膜2 4之膜 厚係考慮以下3 而設計。（1 )以超解析膜2 3產生光 吸收。（2 )由於光吸收產生之熱藉由反射膜2 5不被擴 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I · ϋ I ·ϋ ·ϋ a n ϋ 言 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 I ϋ I I 1 ϋ ϋ 1 n ϋ n ϋ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 476065 ， A7 B7 五、發明說明（4 ) 散，於超解析膜產生溫度上升。（3 )超解析膜2 3之複 數折射率變化，藉由多層膜之多重干涉之反射率變化。基 板保護層2 2也有防止基板2 1因爲超解析膜2 3所產生 之熱而導致之變形之功能。 於超解析膜23使用包含Co、S i 、Na、Ca之 氧化物膜（以下，C ο — S i — N a — C a —〇膜）、於 基板保護膜2 2、熱保持膜2 4使用Z n S — S i〇2膜、 於反射膜2 5使用A 1 - T i膜而設計光碟，進行試做。 C 〇 - S i - N a — C a -〇膜之複數折射率在變化前n (折射率）=2 · 4 1、k (衰減係數）=〇 · 4 8之故 ，入射光變強時，設變化爲：η = 2 · 4 1、k = 0 . 5 7，考慮多層膜之多重干涉計算對於基板保護膜22 與熱保持膜2 4之膜厚之變化前之反射率（變化前）與 R (變化後）。圖3係設：Co — S i— Na — Ca —〇 膜之膜厚爲5 0 nm、反射膜2 5之膜厚爲1 0 0 nm， 描繪計算反射率之變化率{ R (變化後）一 R (變化前） }/ R (變化前）之結果者。由此結果，反射率變化最大 者了解到爲：基板保護膜2 2由1 2 0 n m至1 5 0 n m 、熱保護膜2 4由3 0 nm至5 0 nm。此處’試做基板 保護膜2 2 ( Z n S — S i〇2膜）爲1 2 0 n m、超解析 膜 23 (Co — Si— Na — Ca —〇膜）爲 50nm、 熱保持膜24 (ZnS - Si〇2膜）爲30nm、反射膜 2 5 (A1 - Ti膜）爲lOOnm積層之光碟。將量測 對於此試做光碟之入射光強度之反射光強度之結果顯示於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) # ϋ a— i·— 1 n *^δ、I ·ϋ tmmme 11 ϋ Bai 線丨帶-----l-i-------------- 476065 A7 _ B7 五、發明說明（5 ) 圖4 °無超解析效果之情形之結果4 1 ( □印）係顯示入 射光強度與反射光強度有比例關係。即，即使使入射光強 度變強，反射率也沒有變化。有超解析效果之結果4 2 ( ♦印）係在使光強度變強時，比例關係崩潰，顯示反射率 變低。將量測此光碟之再生信號之振幅之結果顯示於圖5 。記錄標記係單一頻率重複之相位位元（標記·空隔比： 1*1)，信號振幅以反射光準位被規格化。相位位元係 在基板上藉由物理之凹凸而形成，其深度爲使相位差成爲 λ / 6。量測以波長6 6 0 n m、物徑N A 〇 · 6之光碟 評價機進行。使產生超解析效果以再生之情形的結果5 2 與無超解析效果之情形的結果5 1相比，增加接近光學之 截取値（cut — off)(標記長〇.275//m)之 標記長0 · 2 8 // m之振幅。但是，在標記長〇 · 3 5 // m以上，反之振幅降低，無法獲得記錄密度提升可能之 特性。 爲了考察顯示此種特性之理由，藉由模擬計算光碟上 之實效再生點之形狀。圖6係將點掃描方向之通常的再生 點形狀與產生超解析效果時之實效再生點形狀以各別之峰 値規格化所描繪者。有超解析效果之情形的實效再生點 6 2比起通常之再生點6 1 ，雖然強度分布之上升側變尖 銳，但是寬幅變寬。寬幅變寬之故，全體之解析度降低’ 在標記長0 · 3 5 // m附近，振幅大爲降低。反之’上升 側變尖銳份，高頻成分之標記長0 · 2 8 // m之振幅增加 ，而被認爲乃顯示圖5所示之再生信號振幅特性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -8 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
-^0，_ ^1 ·ϋ ϋ 1 ϋ ϋ I ϋ 1 1 I ϋ ϋ 1 n ϋ ϋ ϋ 1 I ϋ ^1 I ^1 «ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 476065 A7 _ B7 五、發明說明（6 ) 在藉由超解析膜之複數折射率變化反射率變低之構造 中’了解到：實效再生點徑變寬之故，無法獲得能夠使記 錄密度提升之再生信號振幅特性。 因此，有鑑於此問題，本發明之目的在於提供：記錄 密度提升可能之光碟片媒體。 【解決課題用之手段】 爲了上述目的，本發明之光碟片媒體係一種具有基板 ，以及由2層以上之薄膜形成之積層膜之光碟片媒體，積 層膜之資訊記錄層，以及除了保護積層膜之目的之樹脂膜 之各層係藉由無機物構成，而且，積層膜之各層於資訊再 生光入射時，保持固體狀態，而且，前述積層膜之反射率 伴隨入射光強度之增加而變高。 進而此光碟片媒體之積層膜係設爲在基板上2組以上 之構成。 設在此光碟片媒體之資訊記錄再生區域中，記錄：光 碟識別信號、及最適再生光強度、及最適記錄光強度値、 及最適記錄波形圖案資訊之中之至少一個。 在此光碟片媒體之資訊記錄再生部設置設定資訊再生 時之最適再生光強度値用之嘗試讀取區域。 在此光碟片媒體之資訊記錄再生部設置設定資訊記錄 時之最適記錄光強度値、或最適記錄波形圖案之條件用之 嘗試寫入區域。 設此光碟片媒體之積層膜之中之至少1層爲含有C 〇 I紙^®用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -9- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
476065 A7 B7 五、發明說明（7 ) 之氧化物之薄膜。 進而在含有C 〇之氧化物之薄膜與前述基板之間，直 接或透過它層設置具有與基板不同之光學常數之薄膜。 此光碟片媒體具有與基板不同之光學常數之薄膜係設 爲含有Ge，. Si與N之薄膜。 或者此具有與基板不同之光學常數之薄膜爲含有A u ’ A g，A 1之薄膜。 此光碟片媒體之再生時之反射率與再生光之1/4程 度之光強度之反射率相比，爲成爲1 · 3倍以上1 · 7倍 以下之構成。再者，此光碟片媒體之再生時之反射率與在 再生光之1/4程度之光強度之反射率相比，成爲3 · 〇 倍以上4 · 0倍以下之構成。 【發明之實施形態】 以下，利用圖詳細說明本發明。 記錄再生本發明之光碟片媒體之裝置之主要構成有如 下述。具有：波長6 6 0 nm之雷射光源、使雷射光成爲 光束狀，再者在光碟片媒體上聚光之手段、使該聚光手段 與光碟片媒體相對運動之手段，此包含光碟片媒體之旋轉 或平行移動與聚光透鏡之光軸之直角方向之運動之一。將 由光碟片媒體來之反射光準位之高低轉換爲電氣信號之光 電轉換手段、雷射光之自動對焦以及追跡手段，在本實施 例中，此被收容在光學頭中。光學頭係藉由線性致動器、 或旋轉臂等使得能與光碟片媒體相對運動。這些之中，雷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -1〇 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一5 口，I ϋ n tMl ϋ ϋ ϋ ^1 I n ϋ I ι ^1 I ^1 ϋ II ϋ I I n I ϋ ϋ I ϋ ϋ ϋ I ϋ 476065 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（8 ) 射光源、將由光碟片媒體來之反射光準位之高低轉換爲電 氣信號之光電轉換手段係可以與將雷射光聚光於光碟片媒 體上之手段收容在不同之機殼。又，由藉由再生被設置於 上述光碟片媒體上之位址資訊標記所獲得之電氣信號檢測 位址資訊之位址資訊檢測手段、再生信號解調電路。再者 ’如具有可以調整被聚光之雷射光束與光碟片媒體之形成 角度，可以防止由於像差之產生之光點之劣化，較爲理想 0 圖7係一般之光碟之光學系。由光源之半導體雷射 7 1來之光束藉由平行透鏡7 2被轉換爲幾乎平行光，藉 由光束整型稜鏡7 3將光強度之分布整型爲幾乎圓形。此 幾乎圓形之平行光透過光束分光器7 4後，藉由物鏡7 5 被聚光於具有超解析膜之光碟片媒體7 6。此反射光在光 束分光器7 4被分歧，被導引於檢測光學系7 7。主軸馬 達7 8藉由旋轉光碟片媒體7 6，使光點在光碟片媒體 7 6上掃描。在檢測光學系7 7中，辨識由反射光之偏光 方向之變化或反射光強度之變化等來之信號，與讀取被記 錄於光碟片媒體7 6上之記錄標記之同時，檢測對於光點 之光碟片媒體7 6之焦點偏差信號與磁軌位置偏差信號， 藉由回饋於物鏡7 5之位置，以補正光點之位置偏差。物 鏡之開口數（N A )設爲〇 . 6。 本裝置可以以1個裝置記錄再生本發明之超解析媒體 (光碟片媒體）與不具有超解析效果之平常媒體之兩方之 故，對於使用者不需要數量太多之裝置之故，爲所期望。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -11 - 476065 A7 _ B7 五、發明說明（9 ) 因此，在超解析媒體之情形以及平常媒體之情形，雖然有 必要分別切換檢測器之增益、再生光強度、記錄光強度、 記錄波形、碟片旋轉數等，但是這些都是電氣可以控制之 範圍之故，與記錄再生平常媒體之裝置相比，不需要對光 學系做太大之變更。 接著，顯示本發明之超解析媒體之具體例。爲了在作 成使入射光強度變強時，反射率變高之構造上，於圖2之 積層構造中’由圖3之結果設.C 〇 — Si — N 3. — C 3 一〇膜之膜厚爲5 0 nm、反射膜2 5之膜厚爲1 0 0 nm、基板保護膜22爲120nm至150nm、熱保 持膜2 4爲0 n m至2 0 n m即可。或使基板保護膜2 2 爲Onm至3〇nm、熱保持膜24爲130nm至 1 5 0 nm即可。或設基板保護膜2 2爲1 2 0 nm至 1 7〇nm、熱保持膜24爲1 3 Onm至1 5 Onm即 可。又，在這些構造中，Co — S i — Na — Ca —〇膜 之膜厚使其在3 0 n m至7 0 n m之間變化，也可以使反 射率變高。但是，在這些之碟片構造中，雖然使入射光強 度變強時，反射率變高，但是其變化率{ R (變化後） 一 R (變化前）} / R (變化前）爲0 · 1以下，記錄再 生密度之提升效果被認爲比較少。 圖8顯示比前述實施例之反射率之變化率大之光碟片 媒體76之積層構造。在直徑12cm、厚度0 . 6mm 之聚碳酸酯基板預先記錄相位位元。在被記錄此資訊之側 之基板上藉由磁控管濺鍍法形成厚度約5 0 n m之反射附 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 訂---------I ------------ 476065 A7 B7 五、發明說明（ι〇 ) 加膜8 6 ( G e - N膜），形成厚度約5 5 n m之基板保 護膜8 2 ( Z n S — S i〇2膜），接著，堆積無機超解析 膜83 (C〇3〇4膜）50nm。再者，形成厚度約30 之熱保持膜84(ZnS — Si〇2膜），在其上形成 1〇0 n m之反射膜8 5 ( A 1 — T i膜）。必要時，進 而設置紫外線硬化樹脂保護層，保護積層構造。又，在其 上透過黏著劑層，與相同構造之另一片之碟片些疊合，保 持碟片之強度，可以在碟片之兩面記錄資訊。 此C 0 3〇4膜係具有一被超過某臨界値之程度的雷射 光照射，複數折射率會變化之性質。藉由光點照射，溫度 變高之區域之複數折射率變化，多重反射之結果，此區域 之反射率變高，只有高反射率區域之記錄標記被再生。被 形成於基板上之記錄標記之再生分解能係以無機超解析膜 引起複數折射率變化之部份與光點之重疊之大小所決定。 即，藉由使引起複數折射率變化之部份的大小變小，可以 高密度化。稱此種效果爲媒體超解析效果。在上述之 C 〇 3 0 4膜以外，也可以使用具有複數之化合物之元素的 組合之氧化物、氮化物、硫化物、氟化物、碳化物之中的 一種之無機超解析膜。利用組合3元素以上之氧化物、氮 化物、硫化物、氟化物、碳化物之中之一種之無機超解析 膜耐記錄時之高溫，具有可以讀出之次數多之長處。 藉由插入基板8 1與基板保護膜8 2之反射附加膜（ G e — N膜）8 6，在C 〇 3〇4膜之複數折射率變化時， 實現反射率變高。藉由插入G e - N膜，基板8 1與G e 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I 1. ϋ B.^1 I J f、 n -1·— Kmmmm emm— ϋ ·ϋ I ϋ ·ϋ -ϋ ϋ I ϋ ϋ 1 ϋ ϋ 1 ϋ ϋ I I ι 今 口 ^ -13- 476065 A7 _ B7 五、發明說明（11 ) 一 N膜之界面之反射效果相加。藉由此，可以實現在沒有 插入G e - N膜時無法實現之於反射率變高方向大爲變化 之媒體。 爲了比較圖3之結果，就插入G e - N膜之情形計算 藉由超解析膜之複數折射率變化之反射率變化。圖9係： 反射附加膜86 (Gi-N膜）固定爲50nm、無機超 解析膜83 (C〇3〇4膜）之膜厚固定爲50nm、反射 膜85 (Al—Ti膜）之膜厚固定爲lOOnm，對於 基板保護膜8 2 ( Z n S — S i〇2膜）、熱保持膜8 4 ( Z n S - S i〇2膜）之膜厚變化，計算超解析效果產生之 際之反射率變化之變化率{ R (變化後）一 R (變化前） } / R (變化前），以等高線表示。C 〇 3 0 4無機超解析 膜8 3複數折射率設爲：由變化前η (折射率）= 2 · 4 8、k (衰減係數）=0 · 4 8，於入射光變強時 ，變化爲 n = 2 · 41 、k = 〇 · 57°ZnS — Si〇2 膜基板保護膜82在4〇nm〜6〇nm、ZnS — S i〇2膜熱保持膜84在30nm〜50nm之範圍，變 化率成爲1以上。即，變化前之反射率在變化後變高爲一 倍以上。在圖3之結果中，反射率變高之情形的變化率爲 〇· 1程度之故，藉插入G e — N反射附加層8 6 ，了解 到加強了反射率變高之效果。 同樣之效果雖然在使用G e - N以外之材料也可以實 現，但是爲了此，需要使用比基板之折射率（1 · 5 8 ) 大之折射率之材料。此折射率之差愈大’在界面之反射效 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ον I ϋ ϋ ^^1 ϋ ^^1 I ^1 ^1 β^— 1 — ϋ ϋ ϋ II ϋ— ϋ ^^1 ·1 I ·ϋ ϋ i^i _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14 · 476065 A7 B7 五、發明說明（12 ) 果變得愈大之故，期望儘可能折射率差大之材料。但是， 在此層之光吸收以儘可能少爲佳。在G e - N以外，可舉 出：使用S i — N或金屬反射膜之Au、或Ag、或A 1 之薄膜等。但是，在使用這些材料之情形，必須重新設計 各層之膜厚。 如由實驗結果計算C 〇 3 0 4膜之複數折射率變化，考 慮藉由光照射，η (折射率）=2 · 4 8、k (衰減係數 )=0 · 48 ，變化爲 n = 2 · 41 、k = 〇· 57。衰 減係數之變化之比例與折射率之變化之比例相比，相當大 ’在此C 〇 3 0 4膜之情形，衰減係數變化之效果被認爲對 反射率變化有大的影響。 在上述之C 〇 3〇4膜以外，將具有複數之化合物之元 素的組合之氧化物、氮化物、硫化物、氟化物、碳化物之 中的一種使用爲無機超解析膜時，即使不插入G e - N膜 ，也有可以實現反射率變高之積層構造之可能性。此係： 顯示與上述C 〇 3 0 4膜之複數折射率變化不同之複數折射 率變化，或引起變化前之複數折射率因材料而不同之故。 此時，沒有插入G e — N膜之必要。層數減少之故，在生 產性提升之點，此爲所期望。在圖2之4層構造之習知例 中，爲了實現反射率變高之構造，超解析膜之複數折射率 之變化可以使用如下變化之材料即可。使用由η (變化前 )=2.4±〇.5、k(變化前）=0.4±0.2變 化爲{ η (變化後）二n (變化前）+ 〇 · 4 }以上、或 { η (變化後）二η (變化前）一 0 · 4 }以下、或{ k 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -15- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·—— 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
一 ον i_Bi —Mmm —Hi I ϋ n 1 ϋ l^i I ϋ n I— I ϋ .^1 11 ·ϋ ϋ I n I i^i ϋ I 476065 A7 B7 五、發明說明（13 ) (變化後）=k (變化前）一 0 · 1 }以下之超解析膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著，實際試做上述實施例之碟片，進行量測，顯示 確認效果之結果。量測條件係與【發明欲解決之課題】所 述者相同。圖1 0係量測對於入射光強度之反射光強度之 結果。可以了解：無超解析效果之情形的結果1 0 1 ( □ 印）雖然具有比例關係，但是，有超解析效果之情形的結 果1 0 2 ( ♦印）在光強度變強時，比例關係崩潰，反射 率往變高方向變化。圖1 1顯示量測此碟片之再生信號之 振幅之結果。信號振幅以反射光準位被規格化。使產生超 解析效果再生之情形的結果1 1 2與無超解析效果之情形 的結果1 1 1相比，接近光學截取値（標記長0 · 2 7 5 // m )之標記長0 · 2 8 // m之振幅增加。又，沒有產生 標記長0 . 3 5 // m以上之振幅降低。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 再者，藉由模擬計算實效再生點之形狀。圖1 2係將 點掃描方向之通常的再生點形狀與產生超解析效果時之實 效再生點形狀以各別之峰値規格化所描繪者。有超解析效 果之情形1 2 2的實效再生點比起通常之再生點1 2 1 ， 光束直徑（成爲峰値之1 / e 2之値）減少5 %。如此，在 作成使入射光強度變強時，反射率變高之媒體構造，實效 再生點之寬幅變窄，可以獲得能使記錄密度提升之再生信 號之頻率特性。由此，在使用無機超解析膜之光碟中，在 達成記錄密度提升上，需要作成使入射光強度變強時，反 射率變高之構造。又，無機超解析膜使用C 0 3〇4膜之情 形，藉由在基板保護膜與基板之間插入G e - N膜，可以 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 476065 A7 B7 五、發明說明（14 ) 實現反射率變高之構造。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 進而爲了提高記錄密度，在C 0 3〇4膜之組成最好使 用：以藉由光點產生之溫度分布之峰値溫度之6 0%至 8 5 %之間之値爲臨界値，複數折射率變化急遽變化者。 藉由此，引起反射率變化之區域被限定在只有光點之中心 部，可以更縮小實效再生點。複數折射率之變化雖然期望 :複數折射率之虛部（衰減係數）之値由變化前之0 . 3 〜0 · 5，增大爲變化後之1 . 0以上，如在3 · 5〜 4 · 5前後變化，變化區域之反射率成爲約5 0 %。在此 情形，即使反射率之變化區域只被限定於光點之中心部， 可以充分獲得信號強度之故，較爲理想。衰減係數在以某 溫度爲臨界値急遽變化之現象，可認爲係半導體一金屬轉 移。使C ◦ 3 0 4膜之組成成爲產生半導體-金屬轉移之組 成，或使無機超解析層爲包含Co、Fe、Ni 、Cu、 Ag、V等之元素1種類以上之氧化物，藉作成產生半導 體-金屬轉移之組成也可以達成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在上述實施例中，係以C 〇 3 0 4膜之衰減係數設爲以 藉由光點產生之溫度分布之峰値溫度之7 5 %之値爲臨界 値，變化後於4 · 0急遽變化之條件，計算對於標記長之 再生信號之振幅變化（圖1 3 )。將有超解析效果之情形 的結果1 3 2與無超解析效果之情形的結果1 3 1分別以 標記長1 . 5 // m之信號振幅規格化，在振幅成爲一 1 2 d B之地方之標記長爲止，實際讀出資訊時，當成可以加 以利用，比較成爲- 1 2 d B之標記長。無超解析效果之 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（15 ) 丨青形1 2 1 ，標記長成爲〇 · 4 // m，有超解析效果之情 I 1 2 2，標記長成爲〇 · 2 8 // m，線密度成爲1 · 4 & °半徑方向如也假定同樣之密度提升，可以使面密度成 爲約2倍。 又’在上述實施例中，雖就預先記錄標記以相位位元 #記錄之讀出專用光碟做敘述，但是有關一次寫入型光碟 $相變化光碟、光磁性碟片也可以期待同樣之效果。在追 @型或重寫型之光碟利用上述實施例所示之無機超解析膜 ’實現在入射光強度變強時，反射率變高之積層構造上， 胃要計算包含記錄膜或控制熱特性之膜之多層膜構造之反 射率變化以便進行設計。如作成入射光強度變強時，反射 $變高之積層構造，於記錄時被照射再生時之3〜1 0倍 之強度之光脈衝之故，伴隨光碟之反射率變高，光吸收減 少’有可能記錄標記無法順利形成。但是，超解析膜之複 數折射率變化並非伴隨加強功率，可以無限制地變化，即 使照射5〜6 m W以上之光，變化即飽和。圖1 4係將對 於圖8所示之光碟之入射光強度之反射光強度之關係擴大 比圖1 0之範圍更廣之結果。有超解析效果之情形，在6 m W以上時，對於入射光強度之反射光強度之變化，落於 顯示比例關係之直線上之故，在6 m W左右，反射率成爲 一定，即使將入射光強度加強爲此以上，了解到反射率不 會變化。不因碟片構造，幾乎所有之無機氧化物超解析碟 片之反射率變化都在5 m W〜8 m W左右顯示飽和性質。 考慮上述之性質，考慮於可重寫之相變化光碟利用無 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 2犯公釐） -18- 476065 A7 ___ B7 五、發明說明（16 ) 機超解析膜，作成入射光強度變強時，反射率變高之碟片 構造之情形。初期之反射率爲5 %、4 m W之再生入射光 時’反射率成爲2 0%之光碟之反射率變化在5〜6 mW 變化飽和之故，顯示如圖1 5之上圖般之變化。另一方面 ’光吸收率（％)成爲1 00% -反射率（％)之故，顯 示如圖1 5之下圖般之變化。通常記錄如圖1 6所示般地 ，需要使峰値溫度上升至接近1 0 0 0 °C，需要1 〇 m W 至1 5 m W之光照射。因此，在被照射記錄所需要之功率 之光脈衝之情形，反射率之變化飽和之故，光點內之反射 率分布與再生時相比，變少，幾乎不會影響記錄。又，反 射率由5 %變化爲2 5 %所必要之記錄功率之增加的影響 爲5%之光碟所需要之記錄功率之（9 5/7 5 =) 1 · 26倍，於反射率5%之光碟161之記錄中，需要 1〇mW之情形，在反射率2 5%1 6 2之光碟中，成爲 需要1 2 · 6mW，此以現在之半導體雷射可以充分獲得 之輸出，實用上沒有問題。在此光碟中，入射光強度與峰 値溫度之關係如圖1 6所示般地，如1 6 1與1 6 2之中 間之1 6 3般地變化。無機超解析膜之熔點1 6 6爲 1 5 0 0 °C附近，記錄時也不會熔解之故，可以多數次重 寫。 反射率變化飽和後之反射率R在哪種程度爲可以記錄 係依存於半導體雷射之輸出。在現在之DVD - RAM中 ，反射率約2 0%之光碟中，以1 OmW程度之記錄功率 進行記錄。由於半導體雷射之技術改良，如可以將記錄功 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
L 一口、I ϋ ·ϋ ϋ ϋ- I I 1 ^1 ϋ ϋ ϋ ^1 H ·ϋ ϋ ϋ H ^1 _ϋ 1ϋ ϋ ·ϋ n l^i I ϋ ϋ I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- 476065 A7 B7 五、發明說明（17 ) 率增加至1 · 5倍之1 5 m W之程度，如係滿足8 0 / ( 100 — R) <1 · 5之r，即r<46%之光碟，被認 爲可以記錄。半導體雷射現在可以獲得3 〇 m W級至5〇 m W級者’功率提升1 · 6倍以上。由此，如係飽和後之 反射率在4 6%以下之光碟，不會有因爲功率不足而無法 記錄之情形。 決定記錄標記之大小者爲溫度分布之故，藉由超解析 效果可以再生之最短標記即使變小，藉由控制溫度分布， 也可以寫入因應再生可能容量之增加之爲小的記錄標記。 爲此，與被使用於DVD - RAM等者相同，設置不同於 光碟之資料區域1 7 6之嘗試寫入區域1 7 5，將在該區 域可以形成最適記錄標記地，一邊調整記錄波形、記錄功 率’一邊嘗試寫入之機構設置於驅動器側，即使於入射光 強度變強時，反射率變高之光碟中，也可以形成最適之記 錄標記。又，預先在光碟把最適之記錄功率、記錄波形當 成資訊記錄，驅動器讀取該資訊，以該光碟具有之最適記 錄功率、記錄波形進行記錄，即使於入射光強度變強時， 反射率變高之光碟中，也可以形成最適之記錄標記。又， 在光碟之讀入區域（驅動器最初再生之區域）1 7 3預先 記錄上述無機氧化物超解析光碟之種類（讀出專用光碟、 追加型光碟、重寫型相變化光碟、光磁性光碟、資訊記錄 層之數目）之辨識資訊，與無超解析效果之平常之光碟賦 予區別，以1個之驅動器可以對應超解析光碟與平常之光 碟之兩方之記錄再生之故，可以供給下位互換性優異之驅 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
一：口Y 1 ϋ I I *ϋ I 1 ·>ϋ ϋ ϋ ^1 ϋ 1.ι> 11 I i^i 1·— emmmm 1 ϋ ·ϋ I ϋ I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20- 476065 A7 B7 五、發明說明（18 ) 動器之故，爲所期望。此讀入區域1 7 3係以與超解析膜 之不存在之讀出專用光碟或一次寫入光碟相同之構造記錄 資訊。再生讀入區域1 7 3之資訊，驅動器判定超解析光 碟之情形，驅動器再生被設置於光碟之嘗試讀取區域 1 7 4，設定最適讀出功率。之後，在嘗試寫入區域 1 7 5設定最適記錄功率、記錄波形後，進行超解析光碟 之記錄再生。或在上述讀入區域1 7 3預先記錄最適讀出 功率、記錄功率、記錄波形之資訊，驅動器讀取該資訊， 分別設定後，進行記錄再生。 再者，於上述光碟中，在藉由使資訊記錄層形成爲多 層’以提升記錄容量之多層記錄媒體如組合上述實施例之 反射率變高構造，不單可以獲得藉由超解析效果之各記錄 層之記錄密度提升效果，只在各記錄層對焦時，反射率變 高，也具有自動聚焦或追跡安定之大效果。多層記錄媒體 之情形，包含光入射側之各記錄層之各積層膜之反射率如 太高，光不易到達其之下一記錄層，記錄再生變成不可能 。因此，需要儘可能使光入射側之各積層膜之反射率要壓 低，以便設計各記錄層之記錄再生成爲可能。但是，反射 率如太低，有自動聚焦或追跡不安定之問題，各積層膜之 反射率之設定非常困難。 於上述實施例所述之光碟中，使入射光強度變強，反 射率變化之效果（圖4、圖1 0之結果）在由正確對焦之 位置使焦點之位置偏差2 // m (焦點深度之2倍程度之量 )變不會產生。即了解到此效果係在光之功率密度十分強 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I ^^1 i^i i^i ϋ ϋ ϋ ^1· I ϋ ^^1 ^^1 ^^1 ϋ mmmmem —tm I I ^^1 1· tmmmr I* ·ϋ ϋ iaaBi 1·· .ϋ ^^1 ϋ I 11 ·ϋ ·1 1 ^^1 ϋ ϋ· —^1 ι 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21 - 476065 A7 ____B7 五、發明說明（19 ) 時所產生之效果。通常，多層記錄媒體之各記錄層之間隔 爲1 0 //m〜5 0 //m。將在上述實施例所示之藉由無機 超解析膜之複數折射率變化之反射率變高之構造組合於多 層記錄媒體之各記錄層時，在某層即使被正確對焦，與包 含其之前後之記錄層之積層膜之距離比焦點深度大很多之 故’認爲藉由超解析膜之複數折射率變化之反射率變化不 會產生。因此，在焦點位置以外之反射率即使被壓低，對 焦時之反射率可以充分獲得之故，自動聚焦或追跡變得安 定。 取代無機超解析膜，使用藉由光照射，複數折射率變 化之光致變色有機色素或熱色（thermochromic )材料於包 含記錄層之各積層膜，也可以獲得同樣之效果。 如增加多層記錄媒體之記錄層之數目，產生由於球面 像差之點的劣化之故，現實爲記錄層爲2層之2層記錄媒 體。圖1 8係此2層記錄媒體之實施例。第1層之記錄層 係在直徑1 2 cm、厚度〇 · 6mm之聚碳酸酯基板預先 以相位位元記錄資訊。在被記錄此資訊側之基板上藉由磁 控管濺鍍法形成厚度約5 0 n m之反射附加膜1 8 6 — 1 (G e - N膜），形成厚度約5 5 n m之基板保護膜 182 — l(ZnS — 31〇2膜），接著，堆積 50nm 之無機超解析膜1 8 3 — 1 ( C 〇 3〇4膜）。再者，形成 厚度約30nm之熱保持膜184— 1 (ZnS — Si〇2 膜），在其上形成10nm之反射膜185 - 1 (A1 —
Ti膜）。接著，第2層之記錄層係在直徑12cm、厚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
一5、I n ϋ ϋ ϋ I I ϋ I ϋ n ϋ ϋ I ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ I ϋ n ϋ ϋ ϋ I 476065 A7 ____ B7_ 五、發明說明（2〇 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 度0 · 6 m m之聚碳酸酯基板預先以相位位元記錄資訊。 在被記錄此資訊側之基板上以與第1層之積層膜之相反順 序藉由磁控管濺鑛法以厚度約1 Ο Ο n m之反射膜1 8 5 —2 ( A 1 — T i膜）、約3 Ο n m之熱保持膜184-2 ( Z n S - S i〇2膜）、約5 Ο n m之無機超解析膜 1 8 3 — 2 ( C〇3〇4膜）、約5 5 n m之基板保護膜 182 — 2(ZnS — 31〇2膜）、約5〇nm之反射附 加膜1 8 6 - 2 ( G e — N膜）之順序積層。如圖1 8所 示般地，在反射膜1 8 5 - 1 ( A 1 - T i膜）與反射附 加膜1 8 6 - 2之間設置紫外線硬化樹脂1 8 7貼合之。 再生係由第1層之基板1 8 1 - 1側入射再生光進行。 如此，雖然設置2組之具有資訊記錄層之積層膜，但 是於接近光入射側之第1層之積層膜全部不反射光地，反 射膜1 8 5 — 1與1 8 5 — 2相比，成爲比較薄。因此， 在通常之2層媒體中，第1層之記錄層之反射率低之故， 自動聚焦或追跡不安定，對於再生時之雜訊比較弱。在本 實施例之2層媒體中，各別之積層膜之反射率顯示使入射 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之生之，是，再 高產膜時但故之 變時層層，之層 率 3 積 2 加差 2 射 8 之第增偏第 反 1 層生然當對 此層 1 再雖相會 ， 析第。率置不 又解，定射位， ， 超層安反點生 質在 1 跡之焦產 性存第追膜之不 之內於或層膜並 高度焦焦 積析層 變深對聚之解 1 率點，動層超第 射焦時自 2 之在 反之層，第膜果 ， 光 1 故，層效 時生第之層積之 強再生加 2 之高 變在再增第層變 度只，率於 1 率 強質即射焦第射 光性。反對與反 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 476065 A7 B7 五、發明說明（21 ) 生產生影響。 又，第1記錄層（接近基板側）、弟2記錄層（由基 板側來看，第1層之下一層）雖然可以皆組合引起複數折 射率變化之膜，以作成反射率變高之構造’但是在第2層 之下，不存在記錄層之故，不組合無機超解析膜使原來之 反射率變高亦無所謂。只有第1層設本來之反射率低，只 在第1層光點被聚焦時，反射率變高地組合與上述實施例 之超解析膜相同之材料之膜，以作成使反射率變高之構造 亦可。藉由在第1層適用複數折射率變化之膜，反射率設 計之困難被降低，2層記錄媒體之實現性變高。 不因記錄膜之層數關係，在讀出時如上述般地，反射 率變高，相對地吸收率雖然變低，但是在被照射記錄時之 非常強的雷射功率時，反射率變低地決定各層之膜厚，不 降低記錄感度地可以防止由於讀出光之資料破壞。 如此，媒體超解析效果不須對裝置加上大的變更，可 以達成高密度之故，在與既存之光碟之互換性之點也有利 。近年來，波長4 0 〇 nm前後之青紫色半導體雷射有有 實用化之希望。利用此青紫色半導體雷射，容量2 0 GB 前後之高密度D V D光碟之開發正進展著。在實施例敘述 之光碟片媒體其各各膜之光學常數在波長6 6 0 nm與波 長4 0 0 nm前後不同之故，雖然有需要使各層之膜厚最 適當化，但是認爲在波長4 0 0 n m前後也可以獲得同樣 之效果。如利用此光碟片媒體，利用2 0 G B前後之高密 度DVD裝置，可以實現4 0〜5 0 GB之記錄容量之光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 > · an ·.1 ·ϋ ϋ an 一：OJI ϋ an ϋ ϋ I ϋ ϋ ϋ «ϋ i^i n ϋ ϋ «ϋ ^1 1^— ϋ II ϋ ^1 ϋ ϋ «^1 ^1 —.1 ϋ _ϋ < 476065 A7 __—__B7 _ 五、發明說明（22 ) 碟片媒體。 又，由與既存之光碟之互換性之觀點，也在檢討此青 紫色半導體雷射在接近習知之光學系之構成利用之方法。 D V D之情形，物鏡N A爲〇 · 6，藉由短波長化之點之 縮小效果，容量可以增加爲2 · 7倍。D V D爲4 · 7 G B之故，增加2 · 7倍便成爲1 2 · 8 G B。但是，下 一世代D V D係被要求可以錄製H D T V動畫2小時份之 1 5 G Β (或2 0 G Β )之故，只是短波長化之效果，存 在並不足夠之可能性。需要利用某種方法，更使容量成爲 1 · 2倍（2 0 G Β之情形爲1 · 5 6倍）。圖1 9之上 圖係計算對於超解析再生時與沒有超解析效果時之反射率 之比之實效再生點徑之縮小比例者。圖1 9之下圖係計算 對於超解析再生時與沒有超解析效果時之反射率之比之記 錄密度增加之比例者。由此結果，使無機氧化物超解析媒 體適用於次世代DVD要達成1 5 GB上，超解析再生時 (再生光強度1 · 5mW至4mW程度）之反射率與通常 再生時（再生光強度0 · 5 m W以下）相比，如作成 1 · 3〜1 · 7倍變化之媒體構造，實效再生點徑成爲 〇· 9倍，認爲可以使容量成爲1 · 2倍。又，使無機氧 化物超解析媒體適用於次世代D V D要達成2 0 G B上， 超解析再生時（再生光強度1 · 5mW至4mW程度）之 反射率與通常再生時（再生光強度0 · 5mW以下）相比 ，如作成3 · 0〜4 · 0倍變化之媒體構造，實效再生點 徑成爲0 · 8倍，可以使容量成爲1 · 5 6倍。如此，藉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^25 -~~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I 1 1^1 «Βϋ 1B1 —Bi ·ϋ ϋ 一 I I 1 I ·ϋ 11 ϋ —i I ϋ ϋ ϋ Hi 11 ϋ ϋ n ϋ in n mtmmm ϋ aiBi ϋ n ϋ ϋ -1. 476065 A7 B7 五、發明說明（23 ) 由組合青紫色半導體雷射與既存之光碟之光學系，進而無 機氧化物超解析媒體，可以實現一邊可以保有與既存之光 碟之互換性，一邊可以錄製高精細動畫2小時份之使用者 需求非常高之光碟裝置、光碟片媒體。 【發明之效果】 依據本發明，不須大爲變更光碟裝置之光學系，藉由 媒體超解析效果，可以使記錄密度提升約2倍。 【圖面之簡單說明】 圖1係藉由超解析媒體技術之實效再生點縮小效果之 模型圖。 圖2係利用習知之無機超解析膜之超解析媒體之構造 圖。 圖3係依據習知構造媒體之超解析效果之反射率之變 化率。 圖4係顯示對於習知構造媒體之入射光強度之反射光 強度變化（實測値）。 圖5係顯示對於習知構造媒體之標記長之再生信號振 幅變化（各別以鏡面準位規格化）。 圖6係顯示在習知構造媒體之點掃描方向之實效再生 點形狀（計算値）。 圖7係光碟之光學系之模型圖。 圖8係利用實施例之無機超解析膜之超解析媒體之構 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 · ϋ ϋ I ϋ I ϋ 一： 口、 ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ I I I ϋ ϋ I 1 ϋ ϋ ϋ I ϋ ϋ n ϋ ϋ ^1 ϋ ^1 ^1 ϋ n ϋ ϋ . 476065 A7 一 _B7__ 五、發明說明（24 ) 造圖。 圖9係顯示藉由插入反射附加膜之媒體之超解析效果 之反射率之變化率圖。 圖1 0係顯示對於實施例之媒體之入射光強度之反射 光強度變化（實測値）。 圖1 1係顯示對於實施例之媒體之標記長之再生信號 振幅變化（各別以鏡面準位規格化）。 圖1 2係顯示實施例之媒體之點掃描方向之實效再生 點形狀（計算値）。 圖1 3係顯示實施例之媒體構造，C 〇 3〇4層之衰減 係數在溫度分布之峰値之7 5 %之溫度轉移性地變化，假 定由初期値之0 . 4 7變化爲4 . 0時之對於標記長之再 生信號振幅變化（分別以標記長1 · 5 // m規格化）。 圖1 4係顯示將圖9之量測在記錄功率附近爲止地進 行之結果。 圖1 5係顯示使入射光加強至記錄功率附近爲止時之 反射率之變化與光吸收率之變化。 圖1 6係入射光強度與記錄膜之溫度峰値之關係圖。 圖1 7係無機超解析光碟之資料區域之構成例。 圖1 8係2層記錄媒體之構成例。 圖1 9係顯示無機超解析媒體之對於超解析再生時之 反射率變化（比）之實效再生點寬幅之變化（比）（上之 圖）與記錄密度之變化（比）（下之圖）。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -27 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
I I— I ·_ϋ I i^i 一一0、 n I ϋ I I ϋ —ϋ ^^1 Mu i Bn ϋ tMmK ϋ— ϋ— —ϋ 1_ϋ 1^1 i^i ϋ> I .^1 ^^1 I 476065 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（25 【標號之說明】 11 12 13 14 15 2 1 2 2 2 3 2 4 2 5 4 1 4 2 5 1 5 2 6 1 6 2 7 1 7 2 7 3 7 4 7 5 7 6 A7 B7 再生點 記錄標記 再生點掃描方向 藉由媒體超解析效果之光罩開口範圍 被檢測之記錄標記 基板 基板保護膜 無機超解析膜 熱保持膜 反射膜 無超解析效果之情形 有超解析效果之情形 無超解析效果之情形 有超解析效果之情形 無超解析效果之情形 有超解析效果之情形 半導體雷射 平行透鏡 光束整形稜鏡 光束分光器 物鏡 光碟片媒體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - ϋ I ϋ ϋ ϋ H ϋ I ϋ I ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ I I 1^^^^ ϋ ϋ ϋ ϋ —1 ϋ I ϋ ϋ ϋ ϋ *1 ϋ ϋ H ϋ ϋ ϋ ϋ -ϋ «I _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -28- 476065 A7 B7 五、發明說明（26 ) 7 8 主 軸 馬 達 8 1 基 板 8 2 基 板保 護 膜 8 3 /frrp Μ 機 超 解 析 膜 8 4 熱 保持 膜 8 5 反射 膜 8 6 反射 附 加 膜 1 0 1 Μ J \ ΝΝ 超 解 析 效 果 之 情 形 1 0 2 有 超 解 析 效 果 之 情 形 1 1 1 Μ J \ 超 解 析 效 果 之 情 形 1 1 2 有 超 解 析 效 果 之 情 形 1 2 1 Μ 超 解 析 效 果 之 情 形 1 2 2 有 超 解 析 效 果 之 情 形 1 3 1 Μ j\\\ 超 解 析 效 果 之 情 形 1 3 2 有 超 解 析 效 果 之 情 形 1 4 1 Μ j\\\ 超 解 析 效 果 之 情 形 1 4 2 有 超 解 析 效 果 之 情 形 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) _·---- 訂· — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 16 1 對於反射率5 %之光碟之入射光強度之 峰値溫度之變化 16 2 對於反射率2 5 %之光碟之入射光強度 之峰値溫度之變化 163 對於顯示圖15之反射率變化之光碟之 入射光強度之峰値溫度之變化 164 相變化膜之熔點 線丨·------------------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） · 29 - 476065 A7 B7_五、發明說明（27 ) 165 記錄所需要之峰値溫度 167 無機超解析膜之熔點 17 1 光碟機板最內周部 172 光碟機板最外周部 173 讀入資料 174 嘗試讀取區域 17 5 嘗試寫入區域 176 資料區域 18 1 基板 182 基板保護膜 18 3 無機超解析膜 184 熱保持膜 185 反射膜 186 反射附加膜 187 紫外線硬化樹脂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
-I 11 I- ϋ· -ϋ ϋ 1 一-0、I .^1 ϋ 1_ ϋ ΙΒϋ I ^1 la__i —ϋ ϋ· 1_ ϋ —ϋ «βϋ 1 mmmme _1 i-i i^i iai ϋ ml ϋ a— I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30 -

Claims (1)

  1. 47606^ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種光碟片媒體，其係一種具有基板，以及由2 層以上之薄膜形成之積層膜之光碟片媒體，其特徵爲： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 前述積層膜之資訊記錄層，以及除了保護積層膜之樹 月旨膜之各層係藉由無機物構成，前述積層膜之各層於資訊 再生光入射時，保持固體狀態，前述積層膜之反射率伴隨 入射光強度之增加而變高。 2 .如申請專利範圍第1項記載之光碟片媒體，其中 前述光碟片媒體之積層膜係設爲在前述基板上2組以上之 構成。 3 .如申請專利範圍第1項記載之光碟片媒體，其中 設在前述光碟片媒體之資訊記錄再生區域中，記錄：光碟 識別信號、及最適再生光強度値、及最適記錄光強度値、 及最適記錄波形圖案資訊之中之至少一個。 4 ·如申請專利範圍第1項記載之光碟片媒體，其中 在前述光碟片媒體之資訊記錄再生部設置設定再生上述光 碟之情形之最適再生光強度値用之嘗試讀取區域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 .如申請專利範圍第1項記載之光碟片媒體，其中 在前述光碟片媒體之資訊記錄再生部設置設定在上述光碟 記錄資訊之情形之最適記錄光強度値、或最適記錄波形圖 案之條件用之嘗試寫入區域。 6 ·如申請專利範圍第1項記載之光碟片媒體，其中 設前述光碟片媒體之積層膜之中之至少1層爲含有C 〇之 氧化物之薄膜。 7 .如申請專利範圍第6項記載之光碟片媒體，其中 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -31 - 476065 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 在前述含有C 〇之氧化物之薄膜與前述基板之間’直接或 透過它層設置具有與基板不同之光學常數之薄膜° 8 ·如申請專利範圍第7項記載之光碟片媒體’其中 具有與前述基板不同之光學常數之薄膜係含有G e ’ s i 與N。 9 ·如申請專利範圍第7項記載之光碟片媒體’其中 具有與前述基板不同之光學常數之薄膜爲含有A u ’ Ag ，A 1 。 1 Ο ·如申請專利範圍第1項記載之光碟片媒體’其 中再生時之反射率與再生光之1/4程度之光強度之反射 率相比，爲成爲1 · 3倍以上1 · 7倍以下。 1 1 ·如申請專利範圍第1項記載之光碟片媒體，其 中再生時之反射率與在再生光之1/4程度之光強度之反 射率相比，成爲3 · 0倍以上4 · 0倍以下。 ^—^4 ϋ^— i^—ϋ —ϋ ϋϋ I —ϋ ϋϋ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、言 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -32-
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