TW475307B - Back facet flared ridge for pump laser - Google Patents

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475307 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作?i印製 五、發明說明（/ ) 〈本發明之背景〉 例如脊波導裝置以及雷射放大器的半導體雷射裝置被 使用於很多通訊系統。它們在製造以及封裝上增加的精確 性產生了一種具有令人滿意的性能特徵，以及一個已被充 分瞭解之長期運轉作用之高質量裝置。另外，微弱的導引 脊波導結構的製造係較不複雜，而且，與以埋置之異質結 構爲基礎更加複雜的構造相比，其係提供了絕佳的產量。 在大部份的應用中，將雷射或是放大器之有效操作功 率最大化係爲主要的設計準則。在訊號雷射的應用中，從 裝置輸出的功率係決定到達下一個中繼器之級的距離，而 且，在連接的初始費用與後續的維修中，一個給定連接之 級數係爲一主要的成本因素。在泵激雷射的應用中，其典 型的多泵激雷射裝置係被用來以光學泵激一增益或放大纖 維，}例如一種以稀土元素摻雜的纖維放大器或者是在一個 雷曼（R a m a η )泵激系統中，有效的功率輸出係決定 達到一個必須的泵激標準所需的泵數目以及/或是在泵/ 纖維放大率級之間的距離。 以目前的技術，用於泵激雷射的典型應用係爲使用稀 土元素顯影纖維做爲增益纖維之纖維放大系統。這些增益 纖維係沿著纖維連接的衰減規定距離而設置。它們典型地 係包含有餌摻雜的纖維放大器（E D F A)。該雷射泵典 型上是在9 8 0十億分之一米（nm)或者是1 4 8 0十 億分之一米（n m)運作，其係對應至在光學波譜中E D F A的吸收尖峰之位置。 4 本紙張尺^適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公 I I ill — I I I — II * I I I I I I I »1 — — — — — —— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 475307

五、發明說明（i) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 i又更近來地，雷曼泵激系統係被提出。其優點係爲特 殊的、週期性的、E D F A放大器增益纖維並不需要被接 合至纖維連接中。反而是可以使用一般的纖維。結果一個 增益纖維波譜甚至更較系統依據的E D F A的波譜爲寬。 其頻寬典型地延伸越過纖維的整個頻寬，從用於某些纖維 合成物的1 2 5 0 n m至1 6 5 0 n m伸展。該泵激雷射 係被設計成能夠在典型的執行中，以1 〇 6 0 n m至1 5 0 0 n m間的波長範圍中運作。 ‘關於雷曼放大系統的優點係爲對於每個放大器係不再 有一個如發生於E DFA之3分貝（dB)的雜訊損失。 然而，雷曼放大器係爲一種非線性製程。結果，其係需要 相當大的泵功率輸出。 在任何的情況中，無論是使用E D F A的或是一般的 /雷曼系統，高功率的泵係爲必須的。目前，產生1 8 0 至2 0 0千分之一瓦（m i 1 1 i W a t t s )功率的泵 係爲可獲得的。然而，更新的系統設計係甚至需要更高功 率的泵。 〈本發明之槪要〉 當需要較高的泵功率時’係需要對泵激雷射模組進行 額外的最佳化。在這些最佳化的課題中係關於模組內的泵 激雷射晶片。尤其是，在本發明中，雷射晶片之/脊的輪廓 係被對於高輸出功率以及以一種泵激裝置的操作二者最佳 化，在其中係呈現其他的波段光線還有該泵激波長。 特別是，本發明係關於一種脊波導雷射模組，其脊係 i . 5 本紙張尺度適ϋ國國家標準（CNS)A4規格（210><297公爱1 "~_ 裝--------訂—------線 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 475307 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（3 ) 在後刻面或反射刻面的方向展開。如此的一個脊輪廓係依 照特別的實施而產生一些優點。其造成在後刻面面積的增 加係散佈熱能，以改善裝置的性能並避免激變光學鏡射損 壞（COD)。其亦對於相同的輸出強度降低了能量密度 。再者，其提供信號側向模式的性能，作用如一種模式過 濾器。_較高等級的模式係遭受到較高的漏損，其因而易於 逐漸損壞那些模式的建立。更進一步地，從該後刻面以較 少的光線反饋進入凹部，該雷射裝置係整個的降低了外部 的反饋敏感度。因此，以一個泵激雷射的實施，在一個泵 的脊部波導凹部之主要部份中，返回被放大的信號波長係 有較少的光線。又再更進一步地，任何的後刻面功率監測 器可以被移動以改善其因爲大輸出與輸入區域所造成的敏 感度程度。 大體上，根據本發明的一個方面，本發明係關於一種 脊波導泵激雷射模組。該模組係適合於產生在1·2至1 • 6微米的波長範圍內的光線。其係包含有一個具有一背 部之脊波導雷射晶片、反射刻面以及一個前刻面。該泵激 光線係經由此前刻面發射。根據本發明，該脊的寬度係在 後刻面的方向上增加。 在特定的實施中，到該脊前區段的中點係具有一個1 • 5到7微米之間的寬度。該脊後面區段最寬的莫度係爲 3到1 4微米之間。尤其是，在一個較佳的實施例中，該 脊後面區段係具有一個8到9微米的最大寬度，且該脊前 區段的中點係具有5到6微米的寬度。 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公^7 ^-----------------^ 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 475307 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（f) 根據該實施例其他的特徵，被設置來接收由該脊波導 雷射晶片產生的光線之光纖引出端的末端，係較佳地包含 有一種頂部平坦之楔形纖維鏡片。該纖維的中心部份也可 以在晶片的方向上展開並且/或是橢圓形的。偏振維持的 纖維引出端（例如偏振控制纖維引出端）係爲較佳，尤其 是如果包含有一個用於功率穩定的格板。 在先前的實施中，該模組係用來泵激一個E D F A的 放大器，替代地，以非稀土元素摻雜的增益纖維係被用來 在一雷曼放大系統中當作增益纖維。 本發明之上述以及其他特徵包含的各種新穎的詳細建 構與部件組合以及其他的優點，現在將參照伴請隨的圖示 與在申請專利範圍中所指出的來作特別詳細的描述。將可 以了解的是，將本發明具體化之特殊的方法與裝置係以圖 示說明的方式表示，並且不應被當作本發明的限制。本發 明的原理與特徵在不悖離發明的範疇之中，係可以被利用 在各種與很多實施例中。 〈附圖之簡略說明〉 在隨附的圖示中，所有不同視圖之相同的參考符號係 指#相同的部件。圖示並不需要以比例繪製；重點係以圖 解本發明之原理作爲替代來進行。這些圖示爲； 圖1係爲一個根據本發明之泵激雷射模組的耷體圖； 圖2係爲本發明雷射晶片以及用來將該晶片產生的光 線連結進入纖維引出端之技術的一個示意立體圖； 圖3係爲一個平面俯視圖，顯示本發明脊部的輪廓； 7 本紙張尺度適砰中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公髮1 ---------^i.-------^ ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 475307 Α7 Β7 五 、發咐铜 圖遍: 圖4 D係爲一個截面圖，其所顯示的係爲製造 _的脊部泵激雷射晶片製程； β與圖5 B係爲顯示替代的脊部設計之一個截面 代 本發明 圖 圖； (圖6 Α -圖6 β係爲顯示本發明不同的脊部輪廓之平 面俯視圖。 〈元件符號說明〉 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 110 脊波導雷射晶片 112 次載片 114 模組殼體 116 輸出刻面/前刻面 118 纖維引出端 119 中心、部份 12 0 側壁 12 2 纖維末端表面/分離鏡片 12 4 標準纖維 12 6 疊接 12 8 格板 13 0 纖維放大系統 2 10 活性層 2 12 下電鍍層 2 14 上電鍍層 2 16 脊結構/脊部/後刻面 2 17 後刻面 ^ Μ------------------線f i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 475307 A7 B7 五、發明說明（么 ) 2 1 8 發射區域 2 2 0 圓柱形鏡片 2 2 2 P -金屬接觸層 2 2 4 金屬纜線 2 2 6 結合墊/金焊接區 3 1 2 蝕刻中止層 3 1 4 絕緣層 3 1 6 槽溝 3 1 8 槽溝 3 2 0 絕緣層 3 2 2 光致抗蝕層 4 1 0 側壁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〈較佳實施例之詳細說明〉 圖1係顯不一個栗激雷射模組，其係根據本發明之原 理建構，並且包含有一個根據本發明之脊波導雷射晶片。 i特別是，在此典型的實施中，該脊波導雷射晶片1 1 0係被安裝在一個次載片1 1 2上。該次載片1 1 2在雷 射晶片1 1 0與模組殼體1 1 4之間提供機械與電子連接 。一纖維引出端118係延伸穿過模組殼體114的一個 側壁1 2 0。其係典型緊緊地被固定至該次載片1 1 2， 使得纖維末端表面1 2 2係被支承在雷射二極體；L 1 0之 輸出刻面1 1 6的近內側處。 依照實施以及應用之需要，纖維引出端1 1 8係被從 標準的、或者是替代的偏振維持纖維建構。如果被使用， 9 --------^ ---------^ » (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 475307 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 五、發明說明（π ) 係可應用不同類型的偏振維持纖維。例如黑白的、橢圓應 力桿件，以及弓形枕木係爲偏振控制纖維之可實施的替代 品。 在一實施中，一格板1 2 8係被印記入標準纖維1 2 4中，以產生一外凹部來穩定該雷射晶片1 1 0的操作。 這些格板1 2 8典型地係以紫外線光束（U V beam )干涉來製造。該等格板1 2 8通常被印記至纖維中心部 份的深度。在泵激的應用中，它們係具有穩定模組抵抗短 暫的功率輸出波動的效果。 在該較佳的實施中，該纖維格板係提供大約1 4 5 0 n m的反射比，其係在該二極體雷射1 1 〇的增益波段之 內。再者，該纖維格板較佳地係具有一個0 · 5 — 5 n m 的頻寬，雖然對於某些實施係需要大到〇 · 2 — 7 nm的 範圍。 該偏振控制係最大化並且穩定纖維格板的效果。從標 準二極體雷射離開的光線係被偏振。結果，任何被連結至 另外的非有益的纖維主軸（也就是如果存在有如此的主軸 ’其係爲不與雷射二極體的偏振對準的纖維主軸）之光線 * / 被該格板反射；但既然該二極體並非是此偏振光線的原因 ，其對該雷射二極體係不具作用。 如果纖維引出端1 1 8係包含有稀土類元素纖維（P M f i b e Γ )，其係較佳地經由疊接1 2 6而被光學 地連接至一串標準纖維1 2 4。該標準纖維1 2 4較佳地 係具有一種標準的圓形截面核心，也就是不具有應力障礙 10 ---------------------訂-—------F (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適财_冢標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱) 475307 A7 經¾部智慧財產局員工消費合作社印制衣 五、發明說明（f ) ，或者是快速或緩慢的主軸。 雖然偏振保持纖維引出端1 1 8與標準、非偏振保持 纖維1 2 4之間的連接係表示以一直接熔合疊接，其臨界 特徵係爲該二纖維之間的光學連接。因此，其他用來獲得 這種連接的技術係可被當作如第二纖維的居中纖維長度來 使用。 在一相似的特色中，該稀土類元素纖維並不需要直接 地接受從二極體來的光線。相反地，該光線可以先被連接 至例如一長度相對較短的標準纖維，並且接著被連接至該 稀土類元素纖維，其傳導該光線通過該格板之大部份距離 。然而，此並非爲較佳的，因爲其係需要額外的疊接。 在任何的情況中，被連接進入至引出端1 1 8的光線 係被傳送朝向該纖維放大器系統。此系統係包含有一E D F A，在其中的纖維係爲有餌摻雜的。替代地，如於先前 的討論，係可使用雷曼放大原理。在這種情形之中，該纖 維放大系統1 3 0係包含有標準纖維，或者是可以被雷曼 放大器最佳化的纖維，並且其係具有組合的寬增益電磁波 譜。 i該模組係更包含有一熱電子冷卻器，以提供散熱。然 而’對於海底的應用，一個無冷卻器的模組係爲可接受的 〇 圖2係爲一示意圖，其顯示該雷射晶片1 1 〇以及用 於連接該晶片產生的光線進入該纖維引出端118的技術 〇 11 ^--------^----------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 475307 五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 、發明說明（7 ) 特別是，光線係以再組合而產生於活性層2 1 0中， 並且被一下電鍍層2 1 2與一上電鍍層2 1 4限制。其係 被該脊結構2 1 6縱向地導引，其中該脊結構2 1 6係已 被刻入該上電鍍層2 1 4。結果，該光線係被限定在一 部份地或抗反射的前刻面116與一高度反射的後刻面2 1 7之間振盪。大部份產生的光線係從該雷射晶片1 1 0 的一個發射區域2 1 8離開，其中該發射區域2 1 8係通 常爲橢圓形。 在一 I η Ρ基質的A 1 G a I n A s或者是I n G a A s Ρ的電鍍層係爲能與1〇60、1200 — 1600 n m光線的產生相容。典型上，係使用A 1 G a I n A s 、：f n G a A s P或者是I n G a A s的量子壁。 該發射的光線係形成一種具有橢圓形截面的圓錐體。 纖維引出端118的末端的設置係能使得連接效率被最大 化。產生的光線大部份係被獲取以被該纖維引出端1 1 8 傳導。一個將連接速率最大化的方法係爲在纖維引出端1 1 8的末端形成一鏡片。可使用各種不同的纖維鏡片系統 ，大體上係例如楔形的纖維鏡片、雙楔形的纖維鏡片\橢 圓錐形的纖維鏡片、以及包含有橢圓形鏡片或圓柱形鏡片 的鐃片系統。 在目前，係使用雙角度平坦頂部的微鏡片，.如描述於 標題名稱爲”平坦頂部、雙角度、楔形的纖維末端面（Flat Top, Double-Angle, Wedge-Shaped Fiber Endface) ? U.S.

Serial No· 08/965,798，作者爲 Jeffery Korn，Steven D· 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ -----------------^ 475307 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（/〇 ) Conover，Wayne F· Sharfin 以及 Thomas C· Yang，其係在此 合倂作爲參考。 雙角度平坦頂部的微鏡片的優點爲它們對於纖維主軸 並不是呈圓形對稱的，以藉此與從雷射二極體輸出面的光 線之橢圓形空間分佈配合。 4當非圓形對稱的接合技術係被與偏振維持纖維使用， 對準形成的微鏡片係相當重要，例如，倘若係呈現二個傳 輸主軸，係具有快速或緩慢主軸其中之一之偏振維持纖維 〇 替代地，也可使用一分離鏡片或是分離鏡片系統，其 如於圖2中所示。特別是，一個圓柱形鏡片2 2 0係設置 在該纖維引出端與雷射晶片1 1 0的發射區域2 1 8之間 。如此的一個鏡片係典型地被使用來與一個該纖維引出端 1 I8之簡單劈開末端表面組合。另外如所顯示地，在某 些實施例中，一個纖維鏡片係被用來與分離鏡片1 2 2組 合。 較佳地，因爲此寬脊雷射的橢圓形發射，如所顯示地 係較佳地使用一圓柱形鏡片。替代地，也可實施一種橫<向 的圓柱形分離鏡片。 替代地，該纖維引出端1 1 8的中心部份1 1 9在至 少一末端係具有一種橢圓形截面，其係設置來接败以雷射 晶片1 1 0產生的光線。這種建構係從該晶片之橢圓形發 i » 射區域2 1 8提供良好的配合。另外在某些實施例中，該 中心部份的一寬度係在光線從開雷射晶片離開的進行方向 13 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 475307 A7 B7 五、發明說明（丨丨） 成錐形（在晶片的方向展開），以將接合速率最大化。 一個P -金屬接觸層2 2 2係典型地位於上電鍍層2 14上方，但是其係被至少一絕緣層所分離（未顯示）。 該絕緣層係典型地未被顯示，然而，其係位於在脊部2 1 6區域中的P-金屬接觸層1 2 2與上電鍍層2 1 4之間 。此係容許一脊部射出的電流被向下傳導穿過脊部2 1 6 進入活性層2 1 0。該脊部射出電流係通常經由一金屬纜 線2 2 4而被提供至晶片，該金屬纜線2 2 4係被連結至 一通常包含有金或金的合金之結合墊2 2 6。P—金屬接 觸層2 2 2係典型地爲一金的合金。 圖3係爲顯示根據本發明之脊部輪廓的俯視平面圖。 大體上，一中間至脊部（A)的前部份具有一寬度w。此 寬度較佳地爲1 · 5至7微米。目前，5-6微米係被相 信爲最佳的。 脊部（B)—向後區段在後刻面的方向係爲展開的。 較佳地，該向後區段的最寬區段（X)係具有一個3 一 1 4微米的寬度。較佳地，根據本發明一個較佳的實施例該 寬度係爲8 - 9微米，尤其是當前側脊部的寬度爲5到6 微米時。 / 該裝置全部的寬度（A + B)通常爲在5 〇 〇到2 5 0 0 # m之間，較佳地大約爲1 2 0 0 // m。該後面區段 的長度較佳地爲1 0到2 0 0 // m。 結果，本發明中的角度α係大於〇度。然而在某些實 施中，其可以大於3 0度。在典型的實施中，角度α係在 » * 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^--------^----------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 475307 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 B7 弓說明（A ) Ο · Ο 1度與8度之間。 圖4 Α —圖4 D係顯示本發明展開脊泵激雷射晶片的 製程。 1特別地，如於圖4A中所顯示者，該製程係以一半導 體晶圓基底開始。該基底係具有嘉晶增長的下電鍍層2 1 2、活性層2 1 0以及上電鍍層2 1 4。 一蝕刻中止層312係較佳地被提供於該上電鍍層2 1 4，以控制後繼的脊部触刻步驟的鈾刻深度。在該較佳 實施例中，介於活性層2 1 0與蝕刻中止層3 1 2的距離 係相對地大，在0 · 3與0 · 9微米之間，在某些實施例 中可能大到1·1微米。該距離係與相對寬的脊部入口一 致。尤其是，其係產生一種更爲引導衰弱的晶片，而保證 單一橫向模式的操作至非長高的輸出功率並且藉著最低等 級的模式將功率的虧損最小化。特別地，在該較佳實施例 中’介於活性層2 1 0與鈾刻中止層3 1 2的距離係在〇 • 5與0 · 7微米之間。 絕緣層314係成長於該上電鍍層214的頂部上。 這些絕緣層3 1 4係在較上電鍍層21 4與隨後的p-金 屬接觸層之間提供電性絕緣。 / ’圖4 B係顯示下個步驟，其中槽溝3 1 6、3 1 8係 被蝕刻入較上電鍍層2 1 4，到達飽刻中止層3 /1 2的深 度；藉此係定義該脊部2 1 6。接著，一個另外的絕緣層 3 2 0係形成於該基底上。 隨之，光致抗蝕層3 2 2係使用硬質與軟質烘烤技術 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） --------^---------線 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 475307 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（I)) 而沉積於基底上。該光致抗蝕層3 2 2係隨後被部份地向 後蝕刻以曝置該脊部2 1 6的頂部。 圖4 C顯示接著的步驟，其中的絕緣層3 2 0係被鈾 刻離開脊部2 1 6的頂部。此係使剩下只有上電鍍層2 1 4脊部的區域曝露出來。 ，如於圖4 D中所示，該P -金屬接觸層2 2 2係被沉 積。典型地，該接觸層係以金的合金製造。在此之後，係 形成金焊接區2 2 6。 圖5 A與圖5 B係顯示一種也可以應用到本發明之替 代的脊部設計，其中相似的元件符號係被用來表示類似的 建構。在此，該脊部並不是以如圖4 A —圖4 D中以槽溝 來界定的，而是較上電鍍層附近周圍係完全被蝕刻完。 尤其是，一下電鍍層2 1 2以及一上電鍍層2 1 4係 將一活性層2 1 0夾在中間。在上電鍍層2 1 4上係有一 將該上電鍍層2 1 4從該P -金屬接觸層2 2 2隔絕的絕 緣層3 1 4。然而，該P -金屬接觸層2 2 2係與該上電 鍍層2 1 4在脊部2 1 6區域以電接觸。脊部2 1 6的其 中一側面或二個側面係形成有焊接區2 2 6，其亦提供脊 部的保護。 在顯示於圖5 A中替代的實施例中，該脊部的寬度係 如先前所定義的，也就是爲1 一 7 /zm，較佳地/係5 — 6 。既然脊部的側邊爲傾斜的，而不是如圖4 A-圖4 D中所顯示爲垂直的，寬度的界定係有稍許不同。在此， 脊部寬度係定義如上電鍍層214之傾斜的側壁410從 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） . --------. ^ ---------^ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 475307 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 A7 五、發明說明（降） 上而下之四分之三的脊部寬度。 在圖5 B中顯示的-反向脊部的實施例中，該該脊部 的寬度亦係如先前所定義的，也就晏爲1 一 7 ，較佳 地係5—Θ m。在此的寬度係爲脊部基座的寬度，w。 在更其他的實施中，該脊部係藉由沉積光致抗蝕劑、 ρ ο 1 y i m i d e、半導體材料、或是其他材料被埋置 /平面化於該脊部的其中一側邊。 如於習知技術中已知者，脊部的許多鏡片係典型上形 成爲邊對邊的，並且沿著一單一基底/晶圓而彼此互相平 行。在完成製造步驟之後，該晶圓典型地係沿著晶圓的長 度，以垂直於脊部平面劃線並分裂開來。此產生所謂的期 限橫桿（termed bars)。典型地’該反射後 刻面216的刻面塗層以及部份地或抗反射的前刻面11 6係接著被應用於這些橫桿上。在此之後，該等橫桿係被 在後繼的脊部之間劃線並分裂開來，以形成一個別的半導 體雷射裝置，如於圖2中所示者。 4此輪廓外形的修改係爲可能，且爲本發明所預期者。 特別是，圖6 A -圖6 B係顯示二種整個脊部輪廓的改變 〇 特別是，如圖6 A所示，在一實施例中，該脊部2丄 6亦展開於前刻面116的方向以進一步地也避免在該面 上激變的損害。 圖6 B係顯示另一種脊部輪廓，其中該脊部2 1 6係 在後刻面2 1 7的方向展開，但是接著該展開係恰好在後 > ' 17 ------------^裝·-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 475307 A7 __B7 ___ 五、發明說明（ij) 側面之前終止，且其寬度係保持爲固定的。 雖然本發明以參照其較佳得實施例來特別的展示與描 述，將可以明白的是，對於熟習該項技術的人士’在不淳 離包含於隨甫的申請專利範圍之本發明的範疇下的各種變 化的形式與細節係爲可達成者。 ------------i --------.—-------線 r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 適 度 張 j紙 本 格 I規 Α4 S) Ν (C 準 標 家 8 11 1公 97

Claims (1)

1. 475307 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種脊波導泵激雷射模組，其係包含有： 一脊波導雷射晶片，其包含有一後部的、可反射的刻 面以及該雷射晶片藉以發射光線的前刻面，其中一脊的寬 度係在該後刻面的一方向上增加，以及 一光纖，一設置來接受並傳送雷射晶片從前刻面發射 的光線之末端。 2·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射模 組，其中至向前區段脊的一平均寬度係爲1 · 5到7 /zm 〇 3·如申請專利範圍第2項所述之脊波導泵激雷射模 組，;其中一向後區段脊的寬度爲3到1 3 //m。 4·如申請專利範圍第2項所述之脊波導泵激雷射模 組，其中一向後區段脊的寬度爲8到9 em。 5·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射模 組，其中至向前區段脊部的一平均寬度係爲5到6 //m。 6·如申請專利範圍第5項所述之脊波導泵激雷射模 組，其中一向後區段脊部的寬度爲3到1 3 /zm。 7·如申請專利範圍第5項所述之脊波導泵激雷射模 組，i其中一向後區段脊的寬度爲8到9 //m。 8·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射模 組，其中一向後區段脊的寬度爲3到1 3 /zm。/ 9·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射模 組，其中一向後區段脊部的寬度爲8到9 /zm。 10·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 475307 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 . Λ8 ^ ?8s D8 六、申請專利範圍 模組，其中被設置以接收該波導雷射晶片所產生之光線的 該光纖的末端’係包含有平坦頂部之楔形的纖維鏡片。 0 i丨·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射 模，組，其中一光纖的中心部份的至少一末端係爲橢圓形， 該禾端係被設置以接受由雷射晶片所產生的光線。 ’12·如申請專利範圍第11項所述之脊波導泵激雷 射模組，其中$ +心、％份的一寬度係在光線行進離開雷射 晶片的方向上逐漸縮減。 13·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射 模組，其中在一活性層與一雷射晶片脊部之基底之間的一 距離係爲0 · 3到0 · 9 //m。 14·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射 模組，其中在一活性層與一雷射晶片脊之基底之間的一距 > * 離係爲0 · 6到0 · 7 // m。 15·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射 模組，其中該模組係使用於泵激一餌摻雜的纖維放大器（ EDFA amplifier)。 16·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射 模組，其中該模組係使用於泵激一雷曼放大器（R a m a n amplifier)。 ^ 1 7 ·如申請專利範圍第1項所述之脊波導，栗激雷射 模組，其中該模組係使用於泵激一分散補償纖維。 18·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射 模組，其中該雷射晶片係由I n G a A s P所組成。 _ 一—_2 ___^_ 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '^^· 線 475307 Λ8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 > . 19·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射 模組，其中該雷射晶片係由I n G a A 1 A s或者是I η G a A s Ρ所組成。 2 Ο ·如申請專利範圍第1項所述之脊波導泵激雷射 模組，其中該光纖係爲一種偏振維持（Ρ Μ)纖維。 2 1 · —種脊波導泵激雷射晶片，其係包含有一後部 、反射的刻面以及該雷射晶片藉以發射光線的前刻面，其 中一脊的寬度係在該後刻面的一方向上增加。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '^^. 、1Τ 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）