TWI423545B - 腔內上轉換雷射 - Google Patents

腔內上轉換雷射 Download PDF

Info

Publication number
TWI423545B
TWI423545B TW096114455A TW96114455A TWI423545B TW I423545 B TWI423545 B TW I423545B TW 096114455 A TW096114455 A TW 096114455A TW 96114455 A TW96114455 A TW 96114455A TW I423545 B TWI423545 B TW I423545B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
laser
conversion
upconverting
laser system
radiation
Prior art date
Application number
TW096114455A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200746578A (en
Inventor
Ulrich Weichmann
Gero Heusler
Original Assignee
Koninkl Philips Electronics Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koninkl Philips Electronics Nv filed Critical Koninkl Philips Electronics Nv
Publication of TW200746578A publication Critical patent/TW200746578A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI423545B publication Critical patent/TWI423545B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00—Details of colour television systems
    • H04N9/12—Picture reproducers
    • H04N9/31—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1039—Details on the cavity length
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • H01S5/18388—Lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

腔內上轉換雷射
本發明係關於一種上轉換雷射系統，該上轉換雷射系統包含具有配置於第一鏡面與第二鏡面之間的增益結構之至少一半導體雷射，該第一鏡面及該第二鏡面形成半導體雷射之雷射共振腔。
高度有效之半導體雷射通常發射在紅外線(IR)波長範圍內之基本輻射。然而，許多應用需要在可見光或紫外線波長範圍內之光輻射。為了將IR半導體雷射用於此等應用，已知將半導體雷射之輸出端耦合至產生在可見光波長範圍內之所要雷射波長的上轉換雷射(通常為特殊波導或纖維雷射)之增益介質中。
在上轉換過程中，藉由經由中間共振吸收兩個或兩個以上泵浦光子來生成原子之高位電子態。由此高位電子態，發射相較於泵浦輻射具有更高能量及相應更短波長的光子。使用此上轉換過程，有可能將紅外線雷射輻射轉換為在可見光波長範圍內之輻射。突出實例為基於摻雜Er之ZBLAN玻璃的上轉換雷射，其中兩個具有970 nm波長之光子被Er3＋ 離子吸收且發射約550 nm之輻射。目前，對此過程之關注在增加，因為其提供實現整合之綠色雷射源之可能。
然而，由於上轉換過程需要吸收兩個光子，故必須提供高泵浦功率密度。現今，如在上轉換纖維雷射之狀況下，此高泵浦功率密度藉由將泵浦光限於波導來達成。在此雷射中，來自(例如)雷射二極體之泵浦輻射聚焦至玻璃纖維之摻雜Er的纖芯中。纖維端面(fiber facet)塗佈有介電塗層，該等介電塗層傳輸泵浦輻射且具有針對上轉換雷射輻射之特定反射率，使得形成共振器。通常，此等纖維之纖芯具有在2 μm－40 μm範圍內之直徑。此等小直徑使得泵浦輻射之耦合成為困難任務。泵浦輻射至纖維之耦合損失限制上轉換雷射之效率且導致相對較高之雷射臨限值。
在WO 2005/022708 A1中揭示且在圖1中展示改良耦合效率之上轉換雷射系統的實例。將若干半導體雷射作為雷射二極體條1提供於Cu冷卻板2上。每一雷射二極體之輸出端耦合至由上轉換材料組成之波導雷射3中。波導雷射3之尺寸適合於雷射二極體之尺寸，亦即，其在幾微米範圍內。儘管如此，泵浦輻射自雷射二極體至波導雷射3之耦合為困難的且導致顯著耦合損失。歸因於此等耦合損失及該上轉換雷射系統之總體設計，包含上轉換材料之波導或纖維的長度在典型50 cm之範圍內以達成上轉換輻射之所要功率。
本發明之一目標為提供一種相較於上文所述之上轉換雷射系統在相同或甚至更高輸出功率下具有緊密尺寸的上轉換雷射系統。
該目標以如請求項1之上轉換雷射系統來達成。此雷射系統之有利實施例為附屬項之標的物或在以下描述及實施例中描述。
所提議之上轉換雷射系統包含：至少一半導體雷射，其具有配置於第一鏡面與第二鏡面之間的增益結構，該第一鏡面及該第二鏡面形成半導體雷射之雷射共振腔；及上轉換雷射，其用於上轉換該半導體雷射之基本輻射。本發明之上轉換雷射系統特徵在於該上轉換雷射係配置於半導體雷射之雷射共振腔中，該半導體雷射充當用於上轉換雷射之泵浦雷射。
此意謂上轉換材料係置放於泵浦雷射共振腔內。在泵浦雷射共振腔內，泵浦功率密度最高且對此共振腔之損失理想地僅由上轉換材料之吸收引起。此外，經由上轉換材料以多程吸收泵浦輻射，使得此材料之單程吸收相較於(例如)纖維雷射可保持明顯較低。因此，上轉換材料之長度可為約幾毫米。如此，大小急劇減小，甚至無需上轉換材料之摻雜濃度中之任何變化。因此，可以非常緊密之尺寸來設計所提議之上轉換雷射系統。
在用於上轉換雷射之此腔內激發(intracavity pumping)方案中不需要波導或纖維。上轉換雷射之增益區域由泵浦光束來界定。此使得該上轉換雷射之對準成為簡單任務且將耦合損失減小至最小值。
當置放於泵浦雷射共振腔內時上轉換材料被更均勻地激發。在纖維雷射中，歸因於纖維中泵浦輻射之吸收，纖維之第一部分較最後部分總是被更強地激發。如上文所解釋，由於在本發明之上轉換雷射系統中交互作用長度急劇減小，因此沿上轉換材料之泵浦吸收較在纖維雷射中明顯更均勻。
在相對較高輸出功率下之緊密大小使得所提議之上轉換雷射成為良好選擇以取代現今作為投影系統光源之UHP燈或充當光纖照明單元中(例如，在內視鏡或顯示系統中)之光源。該雷射系統使功率調整及大量製造很容易。上轉換材料及半導體雷射之多個共振器鏡面中的一者可製造在單一元件中。此元件可置放於單條紋邊緣發射雷射之前面以及雷射條乃至雷射二極體堆疊之前面。其可置放於單一上轉換雷射系統之單一VECSEL(垂直外部共振腔面射型雷射)前面或VECSEL陣列之前面。在所有此等狀況下，給定適當光學共振腔布局，唯一關鍵的參數為定位上面塗佈有鏡面之上轉換材料所必需之角度。此意謂雷射對準之簡單性。
在所提議之上轉換雷射系統中，上轉換雷射較佳包含在兩鏡面之間之由上轉換材料製成之固態介質，對於經上轉換之輻射，一鏡面為高度反射的(較佳T<1%)且另一鏡面為部分透射的(較佳T＝1－30%)。儘管如此，甚至30%以上的透射對於部分透射鏡面可為較佳的(高達96%已證明在PrYb纖維中有效達成，對於Er－ZBLAN則高達70%)。在較佳實施例中，上轉換雷射之該等鏡面中的一者為半導體雷射之第二鏡面。此鏡面較佳與上轉換材料直接接觸且亦允許耦合輸出經上轉換之輻射之一部分。在較佳實施例中，上轉換雷射之兩鏡面由直接塗覆至上轉換材料表面之介電塗層形成。
在亦可與所提議之上轉換雷射系統之其他實施例組合的另一較佳實施例中，在上轉換材料內產生基本輻射之光束腰的光學系統配置於半導體雷射共振腔內。此光學系統可為單透鏡或為光學元件之更複雜配置。此光學系統具有雙重優點。第一，泵浦雷射共振腔或共振器之端面鏡可為平面鏡，其便利雷射對準。第二且更為重要地，光束直徑減小且因此在上轉換材料內泵浦功率密度增加，使得上轉換雷射之效率進一步得以改良。將泵浦雷射之光束腰置於共振器鏡面(第二鏡面)處，達成關於泵浦功率密度之最佳情形。
在泵浦雷射具有發射在紅外線波長範圍內(例如，970 nm之中心波長)之基本輻射之增益材料的狀況下，上轉換雷射之上轉換材料較佳為摻雜Er3＋ 之ZBLAN玻璃。儘管如此，本發明之上轉換雷射系統並不限於紅外線輻射之上轉換或限於使用經摻雜之ZBLAN玻璃作為上轉換材料。熟習此項技術者能夠使用增益材料之其他組合用於產生所要波長之雷射輸出。此等材料為(例如)其他稀土離子，或ZBLAN中之離子之組合，或如LiLuF4 、YLF、BaY2 F8 、Y2 O3 、YAlO3 之其他主體，或亞碲酸鹽玻璃，其所有者特徵為低聲子能量。儘管在以下實例中描述兩特殊共振腔布局，但關於所提議之上轉換雷射系統之共振腔布局亦存在其他在雷射技術領域中通常已知之可能性。
在本描述及申請專利範圍中，單詞"包含"不排除其他元件或步驟，且"一"也不排除複數個。又，不應將申請專利範圍中之任何參考符號解釋為限制此等申請專利範圍之範疇。
圖2展示本發明所提議之上轉換雷射系統之實例的示意圖。一紅外線二極體雷射由置放於第一端面鏡5與第二端面鏡6之間的增益介質4形成，該第一端面鏡5及該第二端面鏡6形成二極體雷射之共振腔，下文中亦稱為泵浦雷射共振腔7。第一鏡面5對於二極體雷射之基本IR輻射為高度反射的，且塗佈至增益介質4之端面。第二鏡面6塗佈於上轉換材料8之端面上，該上轉換材料8置放於泵浦雷射共振腔內。此第二鏡面6對於基本IR輻射亦為高度反射的，且同時形成上轉換雷射之外耦合(outcoupling)鏡面，該上轉換雷射由在第二鏡面6與第三鏡面9之間的上轉換材料8形成。在上轉換材料8末端處之第二鏡面6及第三鏡面9建立上轉換雷射之共振器，亦即，上轉換雷射共振腔10。第三鏡面9對於基本IR輻射為透明的且對於經上轉換之可見光輻射為高度反射的。此第三鏡面9亦較佳包含針對基本IR輻射之抗反射塗層。第二鏡面6及第三鏡面9可由直接塗覆至上轉換材料8表面之介電塗層形成。亦如圖2中所示，泵浦雷射之增益材料4具有針對IR輻射之抗反射或部分反射塗層11以最小化在泵浦雷射共振腔7內基本IR輻射之反射損失。
在泵浦雷射共振腔7中，透鏡12經置放以在上轉換材料8(例如，3000 ppm摻雜Er：ZBLAN)內達成泵浦雷射輻射之光束腰13。經由第二鏡面6自此上轉換雷射系統耦合輸出經上轉換之輻射，該經上轉換之輻射在圖2中被指示為可見光輸出14。
透鏡12減小在上轉換材料8內泵浦輻射之光束直徑，從而使上轉換過程之效率得以改良。在圖2中，上轉換雷射之共振器草擬為不穩定共振器，僅在上轉換材料8之相對兩端處具有兩平行表面。然而，光學共振腔布局可相較於圖2中草擬之布局而更複雜。舉例而言，上轉換材料8之一端可形成球形曲面以使得上轉換雷射之共振器為穩定的。此必須由泵浦雷射共振腔中之光學器件來補償，以使得兩雷射(泵浦雷射及上轉換雷射)使用具有匹配模式之穩定共振器。
圖3為根據本發明之上轉換雷射系統之另一實例的示意圖。在此實例中，以VECSEL組態，亦稱為PUCSEL(菲利普上轉換面射型雷射)來設計雷射系統。第一端面鏡由DBR(分散式布瑞格反射器)16形成，其附著於作為泵浦雷射之增益介質的活性層17。在活性層17之右側，配置部分DBR 18，該部分DBR 18部分地反射基本紅外線輻射(較佳T＝5－20%)，以降低泵浦雷射之雷射臨限值。熱透鏡或積分透鏡20用於在上轉換材料8內產生光束腰13。電接點19用於半導體泵浦雷射之電激發。此等組件配置於散熱片15上用於在操作期間移除熱。上轉換雷射共振腔10係以與已結合圖2所述之相同方式來形成。泵浦雷射之兩DBR層16、18用於調整紅外線雷射之操作的波長，使得外部共振腔鏡可為非常簡單的元件。
歸因於上轉換材料中之吸收，製造上轉換材料8應使得腔內功率減少1至10%。上轉換材料之吸收性質可由介質之摻雜濃度及長度來調整。應以摻雜3000 ppm Er3＋ 之ZBLAN作為上轉換材料之實例來解釋此考慮。此材料在約970 nm波長下具有約α＝0.12 cm－1 之吸收係數。經由長度為x且吸收係數為α之材料的吸收由以下方程式來描述：I (x )＝I 0 e － αx
材料應具有長度L。泵浦輻射在材料中之來回程(roundtrip)則對應於2 L之吸收路徑。所吸收泵浦功率之分數k應為自泵浦雷射共振腔之來回程損失。因此，反饋至泵浦雷射共振腔之功率示為：I (2L )＝(1－k )I 0
最終，作為吸收k之函數之上轉換材料的長度L(k)可根據下式來計算：
在圖4中繪製此曲線，其展示關於所吸收泵浦功率之各種分數k之上轉換材料長度L。L＝2 mm之長度得到上轉換材料中k5%之泵浦功率吸收。明顯的是，與上轉換纖維雷射之典型50 cm長度相比，上轉換材料之長度可為約幾mm。如此，大小急劇縮減，甚至無需摻雜Er之ZBLAN上轉換材料的摻雜濃度中之任何變化。
1．．．雷射二極體條
2．．．冷卻結構
3．．．上轉換雷射
4．．．二極體雷射之增益介質
5．．．第一鏡面
6．．．第二鏡面
7．．．泵浦雷射共振腔
8．．．上轉換材料
9．．．第三鏡面
10．．．上轉換雷射共振腔
11．．．抗反射塗層
12．．．透鏡
13．．．光束腰
14．．．可見光輸出
15．．．散熱片
16．．．DBR
17．．．活性層
18．．．部分DBR
19．．．電接點
20．．．積分透鏡
圖1為已知上轉換雷射系統之實例；圖2為根據本發明之上轉換雷射系統之第一實例的示意圖；圖3為根據本發明之上轉換雷射系統之第二實例的示意圖；及圖4為視所吸收泵浦功率之分數而定之上轉換材料之長度的計算函數。
6．．．第二鏡面
7．．．泵浦雷射共振腔
8．．．上轉換材料
9．．．第三鏡面
10．．．上轉換雷射共振腔
13．．．光束腰
14．．．可見光輸出
15．．．散熱片
16．．．DBR
17．．．活性層
18．．．部分DBR
19．．．電接點
20．．．積分透鏡

Claims (12)

  1. 一種上轉換雷射系統，其包含：至少一半導體雷射，其具有一配置於一第一鏡面(5、16)與一第二鏡面(6)之間的增益結構(4、17)，該第一鏡面(5、16)及該第二鏡面(6)形成該半導體雷射之一雷射共振腔(laser cavity，7)；及一上轉換雷射，其用於上轉換該半導體雷射之一基本輻射(fundamental radiation)，其中該上轉換雷射係配置於該半導體雷射之該雷射共振腔(7)中，該上轉換雷射系統之特徵在於：該上轉換雷射並未使用任何波導或纖維(fiber)。
  2. 如請求項1之上轉換雷射系統，其中該上轉換雷射包含一在兩鏡面(6、9)之間的上轉換固態介質(8)，對於經上轉換之輻射，該等鏡面中之一者為高度反射的且另一者為部分透射的。
  3. 如請求項2之上轉換雷射系統，其中該上轉換雷射之該等鏡面(6、9)中的一者為該半導體雷射之該第二鏡面(6)。
  4. 如請求項2或3之上轉換雷射系統，其中該上轉換雷射之該等鏡面(6、9)由該上轉換固態介質(8)上之介電塗層形成。
  5. 2或3之上轉換雷射系統，其中該半導體雷射包含一在該上轉換固態介質(8)內產生該基本輻射之一光束腰(beam waist，13)的光學系統(12)。
  6. 2或3之上轉換雷射系統，其中該半導體雷 射以一VECSEL組態來設計。
  7. 如請求項6之上轉換雷射系統，其中該第一鏡面(5、16)作為一DBR結構(16)形成於該增益結構(4、17)上。
  8. 2或3之上轉換雷射系統，其中該半導體雷射經設計以產生IR輻射。
  9. 如請求項2或3之上轉換雷射系統，其中該上轉換固態介質(8)由Er：ZBLAN製成。
  10. 2或3之上轉換雷射系統，其中該等半導體雷射中之若干者經配置以形成雷射源之一陣列。
  11. 一種投影系統，其包含如請求項1至10中任一項之上轉換雷射系統。
  12. 一種光纖照明單元，其包含如請求項1至10中任一項之上轉換雷射系統。
TW096114455A 2006-04-27 2007-04-24 腔內上轉換雷射 TWI423545B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP06113175 2006-04-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200746578A TW200746578A (en) 2007-12-16
TWI423545B true TWI423545B (zh) 2014-01-11

Family

ID=38655888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096114455A TWI423545B (zh) 2006-04-27 2007-04-24 腔內上轉換雷射

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20090161704A1 (zh)
EP (1) EP2011205A2 (zh)
JP (1) JP2009535796A (zh)
KR (1) KR20080112419A (zh)
CN (1) CN101496237A (zh)
TW (1) TWI423545B (zh)
WO (1) WO2007125452A2 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101682169A (zh) 2007-05-07 2010-03-24 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于探测距离增加的自混合干涉测量术的激光传感器
DE102008030818B4 (de) * 2008-06-30 2022-03-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenemittierender Halbleiterlaser mit mehreren aktiven Zonen
US10530125B1 (en) 2018-11-30 2020-01-07 Poet Technologies, Inc. Vertical cavity surface emitting laser
US20220006263A1 (en) * 2019-02-13 2022-01-06 Sony Group Corporation Laser processing machine, processing method, and laser light source
WO2022249733A1 (ja) * 2021-05-26 2022-12-01 ソニーグループ株式会社 レーザ素子及び電子機器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6320885B1 (en) * 1999-09-02 2001-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Upconversion fiber laser apparatus
US6510276B1 (en) * 1998-05-01 2003-01-21 Science & Technology Corporation @ Unm Highly doped fiber lasers and amplifiers
US20040202218A1 (en) * 2003-04-11 2004-10-14 Thornton Robert L Fiber extended, semiconductor laser

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4452533A (en) * 1981-07-22 1984-06-05 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy External cavity diode laser sensor
US4953166A (en) * 1988-02-02 1990-08-28 Massachusetts Institute Of Technology Microchip laser
US5177752A (en) * 1989-06-30 1993-01-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical pulse generator using gain-switched semiconductor laser
NL9000532A (nl) * 1990-03-08 1991-10-01 Philips Nv Inrichting voor het opwekken van blauw laserlicht.
US5008890A (en) * 1990-05-01 1991-04-16 Hughes Aircraft Company Red, green, blue upconversion laser pumped by single wavelength infrared laser source
US5615043A (en) * 1993-05-07 1997-03-25 Lightwave Electronics Co. Multi-pass light amplifier
JP2989454B2 (ja) * 1993-09-20 1999-12-13 松下電器産業株式会社 希土類イオン添加短波長レーザ光源装置
JP3005405B2 (ja) * 1993-10-12 2000-01-31 日本電気株式会社 周波数上方変換固体レーザ装置
JPH08307000A (ja) * 1995-03-06 1996-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 希土類イオン添加短波長レーザ装置、希土類イオン添加光増幅器及び希土類イオン添加波長変換器
FR2734092B1 (fr) * 1995-05-12 1997-06-06 Commissariat Energie Atomique Microlaser monolithique declenche et materiau non lineaire intracavite
US6101201A (en) * 1996-10-21 2000-08-08 Melles Griot, Inc. Solid state laser with longitudinal cooling
JP3244116B2 (ja) * 1997-08-18 2002-01-07 日本電気株式会社 半導体レーザー
JP3816261B2 (ja) * 1999-04-21 2006-08-30 三菱電機株式会社 波長変換レーザ及びその波長変換条件決定方法
JP2000305120A (ja) * 1999-04-26 2000-11-02 Nikon Corp 共振器及び共振器を有する顕微鏡
US6393038B1 (en) * 1999-10-04 2002-05-21 Sandia Corporation Frequency-doubled vertical-external-cavity surface-emitting laser
US6879615B2 (en) * 2000-01-19 2005-04-12 Joseph Reid Henrichs FCSEL that frequency doubles its output emissions using sum-frequency generation
JP3394932B2 (ja) * 2000-01-21 2003-04-07 株式会社東芝 アップコンバージョンレーザ装置
US6778582B1 (en) * 2000-03-06 2004-08-17 Novalux, Inc. Coupled cavity high power semiconductor laser
US6650677B1 (en) * 2000-04-11 2003-11-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Up-conversion laser
US6888871B1 (en) * 2000-07-12 2005-05-03 Princeton Optronics, Inc. VCSEL and VCSEL array having integrated microlenses for use in a semiconductor laser pumped solid state laser system
JP2002094154A (ja) * 2000-09-13 2002-03-29 Toshiba Corp 青色アップコンバージョンレーザ装置
US6611543B2 (en) * 2000-12-23 2003-08-26 Applied Optoelectronics, Inc. Vertical-cavity surface-emitting laser with metal mirror and method of fabrication of same
US6944192B2 (en) * 2001-03-14 2005-09-13 Corning Incorporated Planar laser
US7283242B2 (en) * 2003-04-11 2007-10-16 Thornton Robert L Optical spectroscopy apparatus and method for measurement of analyte concentrations or other such species in a specimen employing a semiconductor laser-pumped, small-cavity fiber laser
JP2005057043A (ja) * 2003-08-04 2005-03-03 Topcon Corp 固体レーザ装置及び波長変換光学部材の製造方法
DE602004018158D1 (de) * 2003-08-29 2009-01-15 Philips Intellectual Property Wellenleiterlaserlichtquelle geeignet zur verwendung in projektionsanzeigen
JP4784966B2 (ja) * 2003-11-18 2011-10-05 シャープ株式会社 半導体レーザ装置および照明装置
US20060153261A1 (en) * 2005-01-13 2006-07-13 Krupke William F Optically-pumped -620 nm europium doped solid state laser
KR100714600B1 (ko) * 2005-06-30 2007-05-07 삼성전기주식회사 외부공진구조를 갖는 업컨버젼 광섬유 레이저

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6510276B1 (en) * 1998-05-01 2003-01-21 Science & Technology Corporation @ Unm Highly doped fiber lasers and amplifiers
US6320885B1 (en) * 1999-09-02 2001-11-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Upconversion fiber laser apparatus
US20040202218A1 (en) * 2003-04-11 2004-10-14 Thornton Robert L Fiber extended, semiconductor laser

Also Published As

Publication number Publication date
WO2007125452A2 (en) 2007-11-08
TW200746578A (en) 2007-12-16
JP2009535796A (ja) 2009-10-01
WO2007125452A3 (en) 2008-11-06
CN101496237A (zh) 2009-07-29
KR20080112419A (ko) 2008-12-24
US20090161704A1 (en) 2009-06-25
EP2011205A2 (en) 2009-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6801550B1 (en) Multiple emitter side pumping method and apparatus for fiber lasers
US7826702B2 (en) Optically coupling into highly uniform waveguides
TWI446012B (zh) 具降低斑點之寬頻雷射燈
JPH09283847A (ja) 半導体レーザモジュール
US7627017B2 (en) Laser amplifier and method of making the same
WO1990013161A1 (en) External cavity semiconductor laser
Ruppik et al. High-power disk and fiber lasers: a performance comparison
US20050100073A1 (en) Cladding-pumped quasi 3-level fiber laser/amplifier
TWI423545B (zh) 腔內上轉換雷射
US20080273570A1 (en) Optically Pumped Waveguide Laser With a Tapered Waveguide Section
EP1618634A1 (en) Eye-safe solid-state laser system
US20080219298A1 (en) Fiber laser system using fiber having dysprosium
US9118164B1 (en) Composite laser gain medium
Strzelecka et al. High-power high-brightness 980-nm lasers based on the extended cavity surface emitting lasers concept
US5966392A (en) Butt-coupling pumped single-mode solid-state laser with fiber-coupled diode
US7161966B2 (en) Side-pumped fiber laser
WO2011065148A1 (ja) レーザ光源装置
US6014389A (en) Fiber-based continuous wave blue laser source
JP2006339451A (ja) 半導体レーザ装置及び半導体増幅装置
Shulga et al. Off-axis pumping of a photonic crystal fiber laser
JPH11284257A (ja) 半導体レーザ励起固体レーザ装置
Selvas et al. Tuning characteristics of cladding-pumped Neodymium-doped fiber laser
KR100714609B1 (ko) 가시광선 레이저 장치
Kong et al. Lens-less edge-pumping high power single-mode Yb: YAG microchip laser
Laurand et al. Tunable doped-fibre vertical cavity surface emitting laser

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees