TW474847B

TW474847B - Polishing apparatus and dressing method

Info

Publication number: TW474847B
Application number: TW089116873A
Authority: TW
Inventors: Hisanori Matsuo; Hirokuni Hiyama; Yutaka Wada; Kazuto Hirokawa
Original assignee: Ebara Corp
Priority date: 1999-08-20
Filing date: 2000-08-19
Publication date: 2002-02-01
Also published as: EP1080839A2; JP2001129755A; SG99868A1; US6672945B1; SG143964A1; KR20010050142A; EP1080839A3

Description

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474847 五、發明說明（1 ) [發明背景] 本發明係有關用以研磨基板，例如半導體晶圓之使用固定研磨構件或研磨盤之研磨裝置。更明確之，本發明係有關用以整修（再生）該固定研磨構件之整修構件之配置，以及有關該研磨盤之整修方法。近來隨著高密度積體半導體裝置之快速進步，配線寬度愈來愈細。為製造如此微細之配線圖案，有必要將形成該圖案之基板表面極高度平坦化。為此，所謂化學機械卻磨（CMP)已廣為採用。化學機械研磨機係由黏貼有研磨布 (塾）之轉盤及基板固持器（substrate carrier)構成。基板固持器係設計成可以固持被研磨之半導體基板並使之與研磨布接觸。研磨時供給含磨粒（abrasive partick)之化學研磨料 (漿料）於研磨塾，將被研磨基板之表面研磨至平坦且如鏡面。然而，傳統之化學機械研磨機（CMPs)有產生圖案依賴性（Pattern Dependency)之問題之傾向。亦即對圖案間距小之配線圖案區域趨於相對高度研磨，而對圖案間距大之配線圖案區域則作相對低度之研磨，而於半導體基板之研磨面上產生淺波紋狀之不一致之缺陷（undulation)，導致無法獲取被研磨面之必要之平坦度。再者，在使用研磨墊之化學機械研磨機上，當基板上已形成有配線圖案而基板表面上具有凸部及凹部時，不僅凸部，連凹部也受到研磨。於是當凸部已研磨至帶給基板表面高度平坦之際仍無法實現研磨機之所謂自動停止功能，就是使研磨機實質上停止本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 311737 474847 A7 五、發明說明（2 ) 磨，亦即研磨速率幾乎為零之功能。 -為—求」專务CMP—夕^方备終料㈣，七氧一化筛 (Ce〇2)之磨粒以例如黏結劑黏接之固定研磨構件（fixed abrasive member)作半導體晶圓等之研磨進行研究。相較於使用研磨塾之傳統化學機械研磨裝置，使用固定研磨構件之優點在相對易於獲取被研磨面之必要之平坦度，因為形成於配線圖案區域之凹部不會受到研磨。此外，如果固定研磨構件係與特殊種類之磨粒併用，即可實現上述之所謂自動停止。再者，使用固定研磨構件時不須使用研磨漿，有利於環保。然而，在使用固定研磨構件作半導體晶圓之研磨之程序中，在該固定研磨構件剛整修過之時研磨效率雖高，但會逐漸惡化。因而，為維持高效研磨，有必要在每次研磨前用整修構件對該固定研磨構件整修或調整；而該整修構件可以係將鑽石顆粒黏結於其表面使產生足夠量之游離或鬆散磨粒者。但是每次進行研磨前對固定研磨構件作整修’效率差且對生產力具負面影響。再者，使用有鑽石顆粒之整修構件再生固定研磨構件之表面時，會有鑽石顆粒脫落而刮傷或損傷被研磨基板之表面之問題發生。 [發明概要] 針對上述情況’本發明之一目的在提供基板研磨裝置，係使用固定研磨構件之裝置，而該固定研磨構件不致有鑽石顆粒鬆脫掉入研磨面之問題，並可自研磨構件之研本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐)~'~~------ 2 311737 裝--------訂ί.------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明說明（3 ) 磨面t疋釋出磨粒’因而可於穩定之研磨速率下進行研磨，並在提供研磨構件之整修方法。 x之另目的在提供可以適當地從研磨構件消除磨粒並因而延長該研磨構件之壽命之整修裝置或方法。本發明提供一種基板研磨裝置’包括··具備研磨面之固定研磨構件，該研磨面係可滑動地與被研磨基板貼合， =具：整修面之整修構件，其整修面係配置成可滑動地與該研磨構件之研磨s 面貼合以整修該研磨面。該整修面設置有複數個具有不小於100。，鈕& 么个』P 100之鈍角之角度部分（anguiar portion)之突起。整修固定研磨構件時，整修構件之表面係與研磨構件之研磨面/月動貼合，而能自該研磨構件釋出足夠量之磨粒。因此，依據本發明，可以避免鑽石顆粒脫落，如:用傳統之鑽石整修構件時所可能發生者，因而得以防止被研磨基板之表面之刮傷或其它損傷之產生。整修構件係以使用基本上由碳化石夕（S1C)或類鑽碳（diam〇nd Hke⑽之陶瓷整修構件為佳。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又’根據本發明之另-態樣，提供-種基板研磨裝置，包括：具有研磨面之固定研磨構件，該研磨面係可滑動地與被研磨基板貼合，以及具有整修面之整修m m 面係設置成可滑動地與固定研磨構件之研磨面貼合以整修該研磨構件之研磨面。該整修構件係棒狀，並自該研磨構件之中心延伸至其外緣。如此，該棒狀整修構件可與被整 I修之研磨構件於研磨構件之整體半徑作均句之線磨構件本本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱 474847 A7 五、發明說明（4 ) 觸。該整修構件因而可以均勻地整修該研磨構件。又’教據—本—發暴之—另，應顧―供二基柄―磨―裝—置丄包括用以載置基板之基板載具，及具有研磨面之固定研磨構件，該研磨面係可滑動地與載置於該基板載具之基板貼合以有效地研磨，以及具有整修面之整修構件，其整修面係配置成可滑動地與固定研磨構件之研磨面貼合以整修該研磨面。該整修構件係環狀，並設置於基板載具上而使該整修構件配置成圍繞基板且整修面與被研磨基板之表面齊平。本研磨裝置中，於研磨進行中，磨粒可有效、適當地自研磨構件釋出。又，根據本發明之另一態樣，提供—種整修研磨裝置中之固定研磨盤的研磨面之方法，其令，該研磨裝置係使基板與繞著其本身之軸旋轉之固定研磨盤之研磨面貼合，同時旋轉該基板者。該方法包括以下步驟：準備具有整修面之整修構件’使整修構件之整修面與旋轉令之固定研磨盤之研磨面貼合，及控制整修構件之轉數與固定研磨盤之轉數之比值以調整整修條件。如此，可將研磨盤之表面形狀調整為所欲之形狀，而使研磨盤之研磨面雖非平坦亦可. 將基板表面研磨至必要之平坦度。整修構件之整修面與旋轉中固定研磨盤之研磨面之貼合壓力係以不高於3〇g/cm2為佳，以提升研磨速率之穩定度而延長研磨盤之壽命。又’根據本發明之又另-態樣，提供一種整修固定研件之研磨面之方法，該固定研磨構件係用於使基板與本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規；（21G X 297公势） *---- 4 311737 請先閱讀背 © 之注意事 Ιφ 本頁I I I I I I I 訂 # 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __B7 五、發明說明（5 ) 固定研磨構件之研磨面貼合，並业使具間作相典該基板之基板研磨程序。該方法包括· ' 研磨研磨面供給可溶解用以黏接磨粒而形成該：： = :之研磨面之黏結劑之液體，以促進游離磨粒之之不須利用整修構件。產生。本方法又，根據本發明之又一態樣’提供—種整修固定研磨構件之研磨面之方法，該固定研磨構件係用於使基板與固疋研磨構件之研磨面貼合，並使其間作相對滑動以研磨該基板之基板研磨程序。該方法包括：於該固定研磨構件通過電流，以打斷黏接該固定研磨構件之磨粒之黏結劑之黏結，以促進游離磨粒之產生。又，根據本發明之又一態樣，提供一種整修固定研磨構件之研磨面之方法，該固定磨粒單元係用於使基板與固定研磨構件之研磨面貼合，並使其間作相對滑動以研磨基板之基板研磨程序。該方法包括：準備在以黏結劑黏結磨粒而成的研磨面中含有光觸媒之固定研磨構件，以及照射固疋研磨構件之研磨面以打斷研磨面之黏結劑之黏結而促進游離磨粒之產生。本發明之上述目的、特徵及優點，藉以下之實施形態及相關圖式，可以更顯而易見。 [圖式之簡單說明] 第1(a)、1(b)、1(c)及1(d)圖係本發明之第一實施形態中整修構件之整修面的各形狀之剖視圖。第2(a)圖係本發明之第二實施形態中具有棒狀整修構 „— ^--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 5 311737 ^ /4847 A7 五、發明說明（6 ) 件之研磨裝置之俯視圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) )_ 圖一係一第_2_(1)一圖_^裝一暴視-圖第3(a)圖係第2圖之研磨裝置之一變化例之俯視圖。第3(b)圖係第3(a)圖之裝置之側視圖。第4圖係沿第2及第3圖之IV-IV線之棒狀整修構件之剖面形狀之示意圖。第5圖係第2圖中之研磨裝置之另一變化而其棒狀整修構件為圓筒狀者之側視圖。第6(a)圖係本發明之第三實施形態中之研磨裝置之側視剖視圖。第6(b)圖係第6(a)圖中之研磨裝置之一變化之側視剖視圖。第7(a)圖係第6(a)圖中之裝置之一變化之側視剖視圖。第7(b)圖係第7(a)圖之裝置之俯視圖。第8圖係研磨後之表面之形狀隨整修構件對轉盤之旋轉次數比之變動關係圖。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第9(a)圖係本發明之第四實施形態中之研磨裝置之俯視圖。第9(b)圖係第9(a)圖之裝置之剖視圖。第10(a)圖係可研磨之基板數隨整修面壓力之變動關係圖。第10(b)圖係研磨速率隨整修面壓力之變動關係圖。第11圖係採用本發明之第六實施形態中之整修方法 311737 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公蹵）

五、發明說明（7 ) 之研磨裝置之剖視圖。聲修方法第1 2圖係採用本發明之第七實施形邊中之之研磨裝置之剖視圖。之研磨裝第1 3圖係以雷射光源作為光源之第1 2圖^ 置之一變化例之剖視圖。丄 > 黎修方法第1 4圖係採用本發明之第八實施形態中之贫之研磨裝置之剖視圖。 @ I 側第1 5圖係本發明之第九實施形態中之研磨裝視圖。第1 6圖係本發明之第十實施形態中之研磨裝置之側視圖。第17圖示一研磨裝置。第1 8圖係一整修方法圖。第19圖示本發明之第九實施形態中之研磨裝置。第20圖示本發明之第十實施形態中之裝置。 -----------t---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [元件符號說明] 11a至lld，llf，llg整修構件 15a至15c 整修構件 16 中心軸桿 17 軸承 18 馬達 20 研磨盤 20a 研磨環 20A，20B，20C，20D 研磨盤 21 基板載具 22 按壓缸 23,29 支撐架 24 轉盤 25 導環 25a，25b 整修構件 27 基板固持器 28 整修構件本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 7 311737 474847 五、發明說明（8 ) A7 B7 30 電源 31 旋轉連接器 3-2 電-極 33- 導—環 35 光源 35A 雷射光源 36 超音波振盪器 38 溝槽 45 突起 46 設備 5 1 a,5 lb 研磨單元 52a,52b 晶圓儲存卡g 54a,54b 傳送機械手臂 55,56 翻轉設備 57a，57b，58a，58b 清洗設備 60 晶圓載具 61 機械式整修裝置 62 光整修裝置 63 燈 64 電源 65 鏡片 66 升降機 67 噴嘴 68 過濾器 69 閥門 70 鼓風機 71 溫度感測器 72 控制電路 73 溫度指示器 76 致動器 77 軸臂 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) [發明之詳細說明] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以上參照所附圖式說明本發明之實施形態。第1圖顯示本發明之第一實施形態中陶瓷整修構件之整修面之各種形狀。如圖所示，這些整修面係設有複數之角度不小於100。之突起。該整修構件係用於整修或調整固定研磨構件’係包括—硬質構件或底座構件，及一定數量之磨粒黏接於該硬質構件，並係用於研磨半導體基板， -研磨係u可仴動貼合於該固定研磨構件之研磨面為之峨張尺&_ T關家標準（CNS)A4規格（21〇 ;公爱）經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（9 ) 第1U)圖顯示一三角形波狀整修面。m ^ ^ W 第1(b)圖顯不一四邊形波狀整修面。更明这句分於a 吏明確說，該整修構件Ua係具有由複數之有不小於100。之鈍角两之一角幵）大起之三角形波狀整修面。相似地，陶曼整修構件llb係具有由複數之有不小 ;100 t鈍角冷之四邊形突起之四邊形波狀整修面。較佳之該陶曼整修構件係以碳化石夕（S1C)製成，而該突起之高度約〇.5nim具其間距約0 5inm，如第1(a)及第1(b)圖所示〇使用具有整修面之陶瓷整修構件1 la、1 lb，可以僅只使整b面抵著固定研磨構件滑動而自固定研磨構件釋出足夠之磨粒，不像使用傳統研磨墊之操作，須以設在例如整修構件上之鑽石磨粒刮擦研磨墊之表面。如上所述，鑽石磨粒會從整修構件脫離，落於研磨墊表面而在後續之研磨操作中造成半導體基板表面之刮傷或其它形式之損傷。第1(C)及第1 (d)圖分別顯示整修構件1 lc及丨丨d，各具塗覆層12，係將類鑽碳（Dlc)或類似材料以所謂動態混合法（dynamic mixing method)或其它成膜法形成於金屬底座上而成。有如第1 (a)及第1 (b)圖所示之情況，塗覆層1 2 之角α及角万各為不小於1 〇(Τ之鈍角。使用有以例如動態混合法塗覆類鑽碳之整修構件Π c 或lid，也可去除鑽石磨粒脫落之可能，如使用傳統之含鑽石之整修構件時可能發生者，因而可以防止對被研磨基材之表面產生刮傷或其它損傷。第2圖至第5圖顯示本發明之第二實施形態之研磨裝 --------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 9 311737 474847 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（10 ) 置。第2及第3圖顯示基材研磨裝置，係以將被研磨基材 t表面於壓力下配置於固定研磨盤之研磨面上雨研鏖該基材之表面。該研磨盤20係黏接於轉盤24。被研磨之基材（圖未示）係以基板載具21固持而在驅動器（圖未示）之運作下使其與研磨盤20之研磨面接觸。轉盤24及基板載具21各繞其轴旋轉^於是基板及該研磨盤2〇就成可相抵滑動而對被研磨基材之表面進行研磨。一般研磨裝置係設置有用以整修固定研磨盤之整修構件，於研磨作業前整修該研磨盤。如上述，由於該研磨盤一般相較於傳統之CMP裝置之研磨布（墊）較為堅硬，該研磨盤本身必須平坦以能將基材表面研磨至必要之平坦度。然而，在傳統整修程序中，一般係使用直徑小於研磨盤之半徑之具有盤狀整修面之整修構件β結果，整修面只能作用在研磨盤之整個面積的-部分’意味著該整修作業有可能無法於整個研磨盤之表面均勻進行。為解決該難題，如第2及第3圖所示’係使用從研磨盤2〇中心延伸至其外緣之棒狀整修構件15a或15b。第圖顯示例，其棒狀整修構件15a係從研磨盤20 之中心C延伸至外緣〇。相似地，第3圖顯示一例，其棒狀整修構件！5b係通過研磨盤20之中心（：沿研磨盤2〇之直徑延伸於周邊表面〇1及〇2之間。基板載具21固持被研磨基板。基板載具2!繞其軸旋轉，_面以預定壓力將基材堡抵在研隸20之研磨面上。結果，基㈣著研磨盤2〇之研磨面滑動’研磨盤20也在旋轉’於是如上述進行研 k紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) ---- _ 10 311737 ---裝--------訂.-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 474847 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製一一 N…、王 | 本紙張尺度適用中國準（CNS)A4 χ 297 — A7 B7 五、發明說明（U ) " 磨。整修作業中，以按壓缸（pressing Cylinder)22啟動棒狀王修構件15a及l5b，同時，轉動安裝於轉盤24之研磨盤 2〇 °如此’研磨盤2〇之研磨面即進行整修。由於棒狀整修構件15a或15b與研磨盤20之被整修面係於研磨盤2〇之整個半徑作線接觸，可以對研磨盤20於其整個半徑均勻地整修。再者，整修可於固持於基材載具21之基材以研磨盤 Μ研磨之際當場（in_Slta)施行。 i 第4圖示第二及第3圖之棒狀整修構件之沿線之剖面形狀。如圖所示，棒狀整修構件i 5a及丨5b之刊面形狀可以係圖形、方形、三角形或六角形。棒狀整修構件 15a及15b係以具有第j圖所示之整修面之一為佳。然而，棒狀整修構件15a & 15b之整修面並非僅限於第工圖所示者。第5圖顯示具有圓形剖面形狀而彳繞其轴旋轉之棒狀整修構件之研磨裝置之構造例。棒狀整修構件⑸係具有圓幵面形狀之輥筒。該棒狀整修構件具有一支撐於轴承 17之中心軸桿16。中心軸桿係由馬達18驅動而旋轉。該棒狀整修構件（耗筒）係、藉支撐部23以按壓缸U壓抵在: 磨盤2〇之研磨面上。該研磨盤20係固定於轉盤24。同時，純載具21崎被研磨基板，例如半導體晶圓。基板栽呈 21 -面將基板壓抵在研磨盤2〇之研磨面上一面旋轉，研磨於是進行。該研磨裝置中’棒狀整修構件He本而固定於轉盤24之研磨盤也旋轉。因此，整修構件l5c 及研磨盤20之被整修面係於整磨盤2〇之半徑作 311737 -----------1--裝·-------訂·--------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4/4847 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（12 ) 之相互間之線接觸。如此即。此即了對研磨盤20進行適當之整修第 6(a)及第 6(b)圖 | si - 4· ~ 顯不本發明之第三實施形態之基扳研磨裝置之要點部位，特 v 将別疋基板载具及其附近之部 & °於該研磨裝置中， °又置於用以固持被研磨基板W之緣。卩份之基板載具21之外$ 的導環25之表面上，設有構件25a〇但該導環本身亦可由整修構件心形成。 = 6(a)圖中’導環25係可動地安裝於用以將作為被研磨基扳之半導體晶圓W壓抿在研麻般隹研磨盤2〇之研磨面上之基板載具2 1之外緣，並使半導體a圓w p政# 丁守菔阳圓跨該研磨面滑動；而整修構件25a係安裝於導環25之下迪志品，衣之下端表面。如此，整修構件25a之整修面橫跨研磨盤2〇之讲齒，思i 之研磨面滑動，而進行研磨盤20之研磨面之整修。整修構稱仟2 5 a 了以係包含以動態混合法或其它成膜方法於金屬底座25上洲番結應—七& 两瓜瓜ζ:»上a又置類鑽碳或類似材質之被覆層之整修構件。第6(b)圖顯示利用導環25a實現整修構件之功能之一例。例如’以陶竟材料，例如碳化矽形成導環而利用其下端表面作為整修構件之表面。在此，如第6(a)圖之情況，設置於旋轉中之基板載具21之外緣部位之導環2讣之整修面，橫跨安裝於旋轉t之轉盤24之研磨盤2〇之研磨面滑動，以整修研磨盤20之研磨面。依據本發明，研磨中會有游離磨粒（freed abrasive particie)產生，而有效地供給於被研磨基材W及研磨盤20之界面。第7圖顯示本發明之又一實施例。本實施例中設置有 ^纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 >c 297公釐） .^w· ^--------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 474847 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（13 ) 研磨環20a，基板固持器27，及整修構件28。該整修構件 28係設置成環繞固持於基板固持器27之外緣而成為固持基板w之導環。整修構件28之上部設有整修面。在本實施例中，整修構件28係配置成環繞基材w以使整修構件28之整修面能與基板w之被研磨面齊平。杯形研磨環2 0a係作圓形執跡運動或旋轉平移運動。結果研磨當中研磨環20a也被整修，有游離磨粒產生並供給於研磨中之表面。如此，由於游離磨粒可以有效地供給於基板w之被研磨面，可以進行高效研磨。須注意者是第7圖中符號29 指用以使研磨環2 0a與被研磨基板w之表面齊平之支撐板。第8及第9圖係用以說明本發明之第四實施形態之圖。在以研磨盤研磨例如半導體晶圓之基板之程序中，基板之被研磨表面傾向於隨該研磨盤之表面形狀而變動。而研磨盤之研磨面之形狀又隨使該研磨盤旋轉之轉盤之轉數 (number of revolutions)其整修構件之轉數之比值而變動。如此，控制該比值即可變動該研磨盤之表面形狀，而可隨之變動該基板之研磨後之表面形狀。第8圖顯示當探討整修單元與轉盤之轉數之比值與研磨盤之表面形狀之關係的實驗之結果。橫轴表示與研磨盤之中心之距離（mm)，縱軸表示研磨盤表面之高度第8圖中所示之從研磨盤之中心之距離與研磨盤表面之高度之關係，是以轉數之比值為參數。由第8圖可知，當整修構件之轉數相對低於轉盤之轉數時，例如轉數之比值（整 * n I ϋ n tmKK I l ϋ n n I 0 n i n n n )OJ· n n n ϋ I ϋ I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 13 311737 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（14 ) 修構件之轉數/轉盤之轉數）=0.24，則研磨盤之研磨面成一般之山峰形，其争央部份最高。當整修構件與轉盤之轉數之比值為〇.6〇時，此係—恰當比值，研磨盤之研磨面成為大致平坦。當整修構件與轉盤之轉數之比值為1·00時，此係—相對高之比值’研磨盤之研磨面廣泛磨損成谷狀，其中間部份最低。第9圖顯示具有用以測定研磨盤表面形狀之感測器之研磨裝置。在該裝置中，有一研磨盤2〇黏接於轉盤24。基板W係固持於本身也旋轉，並使基板於壓力下與研磨盤 20接觸以施行其研磨之基板載具2 該研磨裝置可作如上疋義之當場整修（in_situ dressing)。該研磨裝置具有基板載具21以將被研磨基板w壓抵在研磨盤20之研磨面，同時’使基板W橫跨研磨盤20之研磨面滑動。該研磨裝置進而具有整修構件U，以於壓力下可滑動貼合於研磨面而整修研磨盤20之研磨面。再者，該研磨裝置具有研磨盤表面形狀測定感測器3 7，以測定碟狀研磨盤2 0之從中心至其外緣之區域内研磨盤2〇之表面之高度。如此即可於研磨盤20之旋轉當中測定研磨盤表面之高度在每一半徑方向之分佈。在該研磨裝置之使用中，以感測器37測定研磨盤20之表面形狀，若研磨盤20之測定表面形狀與所欲之表面形狀不一致，則根據第8圖之數據調節整修構件11之相對於轉盤24之轉數。如此可將研磨 & 20 g整至所欲之表面形狀。當研磨盤2〇之研磨面之形尽紙狀度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵㈣97公楚） 311737 ------!丨裝 i 1----'訂—-----— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 474847 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（15 ) 狀為一般之山峰形而中央最高時，則將整修構件丨丨之轉數相對於轉盤24之轉數予以降低，即可使研磨盤2〇之研磨面廣泛受到谷形研磨而以中央部位之磨耗率為最高。如此，研磨盤20即可被再生成具有平坦之研磨面而可將基板 W之表面研磨成平坦。在使用研磨盤之研磨程序中，若該研磨盤係於過高之承載壓力下進行整修’則會有過量之游離磨粒之產生，導致研磨盤之過度磨耗而降低其使用壽命。第1〇(4圖顯示探討整修面壓力與研磨盤所能研磨之晶圓片數之關係之實驗結果。從該圖可知，傳統化學機械研磨（CMp)所使用之研磨蟄之使用壽命’不論整修面壓力多大，係在1〇〇〇片晶圓之程度。使用固疋磨研磨盤之研磨程序中，一研磨盤可研磨晶圓數恆大傳統CMP所能達到之片數。當表面壓力低，例如2至3g/cm2時，可研磨之晶圓數係在傳統CMpi 3〇倍以上。當整修面壓力在30至40g/cm2時，可研磨之晶圓數約在傳統CMP之10倍之程度。當整修面壓力在7〇g/cm2 時，可研磨之晶圓數則在傳統CMP之2至3倍之程度。故當整修面之壓力不超過30g/cm2時，一研磨盤可研磨之晶圓數係使用傳統CMP所能達到者之1 〇倍以上。第10(b)圖係整修面壓力與研磨速率之關係圖，其中橫座標代表整修面壓力’縱座標代表研磨速率。亦即，第10(b) 圖顯示探討整修面壓力與（有平坦獏之）毯覆式晶圓（bunket water)之研磨速率之關係的實驗之結果。當整修面壓力低，亦即2至3g/cm2時，研磨速率低，亦即約400 a /min， -----------—裝--------訂--------.線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 15 311737 474847 A7 五、發明說明（16 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 雖然可研磨晶圓數係傳統CMP之30倍以上。在研磨圖案化晶圓時，可得足供實際應用之高研磨速率。當整修面屢力提高為30至40 gW時，毯覆式晶圓之研磨速率也‘ 高至1，400 A/min。從而，在使用研磨盤之研磨程序中，若該研磨盤係於過大壓力下整修，則有過量游離磨粒產生，導致不必要之磨耗而研磨盤壽命縮短。因此，若施加於整修構件之壓力不超過30〆時’則可獲安定之研磨操作且研磨盤壽命延長。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以下說明本發明之第五實施例之整修方法。該整修方法係應用於包括使研磨盤於壓力下與基板接觸之基板研磨裝置。依照該整修方法，係於研磨盤供給可溶解構成該研磨盤之黏結劑之液體，以產生具有整修該研磨盤之功能之游離磨粒。當以純水作為研磨液時，可以利用以下之高度可溶於水的黏結劑之一，以產生游離磨粒’導致相當於整修之效果。較佳之具水溶性之黏結劑有，例如，瓊脂、澱粉、羥丙基澱粉、褐藻酸鈉、羧基甲基澱粉醚、阿拉伯膠、 SMC(竣基甲基纖維素納）、甲基纖維素、部分驗化p^八（聚乙烯醇）、黃蓍膠、膠原、酪蛋白、結晶性纖維素、羧基尹基纖維素約、Tween、Pluronic、月桂酸鈉、羧酸樹脂、硫酸銨、氣化鈣、鹽、膨潤土加各種氣化物、尿素、陰離子界面活性劑、葡萄糖、蔗糖、乳糖、L-谷氨酸單鈉、5，_肌代酸鈉、糊精、澱粉、玉米粉、石灰粉、酚系樹脂、呋喃樹脂、及異氰酸酯樹脂。以水與醇類之混合液用作可以溶解構成研磨盤之黏鈇本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 16 311737 474847 A7 B7 五、發明說明（口）劑之液體時，係以使用以下黏結劑之一為佳：PVP(聚乙稀吡咯烷_ )、HPMC(羥丙基甲基纖維素）、HPC(羥丙基纖維素）、PEG(Macrogol ·•聚乙二醇）等。以酸液用作可溶解構成研磨盤之黏結劑之液體時，使用AEA(聚乙烯縮乙醛二乙基胺基乙酯）的效果很好。以絵:液用作可以溶解構成研磨盤之黏結劑之液體時，以下任一黏結劑均可有效使用··盼、醋酸酞酸纖維素、Eudragit L(甲基丙烯酸甲酯曱基丙烯酸共聚物）、及HPMCP(羥丙基甲基駄酸纖維素）。整修使用上述各種黏結劑之一之研磨盤時，供給有作用於所使用之黏結劑之研磨液以溶解該黏結劑，因而可使進行自我整修作業。第11圖顯示本發明之第六實施形態之整修方法。第 11圖所示之研磨裝置係使用金屬黏結（metal bond)作為構成研磨盤20A之黏接劑，當電流通過研磨盤2〇a時黏接劑之黏結破壞，在自我整修之作業中促進游離磨粒之產生。黏結可由通過電流而破壞之黏結劑之例包括鑄鐵黏結、纖維黏結、鐵黏結、及这些材料之複合黏結。這些材料可用以構成具導電性之研磨盤20A。在該研磨裝置中，電流係從電源30經旋轉連接器3 1供給於基板載具2丨。電流從可導電之導環33流入具導電性研磨盤2 0A，並從連接於研磨盤20A之電極32返回電源30。使用該研磨盤2〇八時，一面供給水一面研磨’同時從電源3 0經上述路徑供應電流於研磨盤20A，以達成基板W之研磨。當研磨盤之黏結劑係，例如，實質上由金屬黏結構成，則於供給作研磨液之水中 -- ί靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 言 Γ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 17 311737 A7

474847 五、發明說明（18 ) 離子化（水解）。結果黏結劑之黏結因而斷裂，於自我整修作業中游離ώ磨粒t 少第12圖顯示本發明之第七實施形態之整修方法。在本實施形態中，係以二氧化矽、氧化鋁、或氧化鈽作為磨粒材質，以例如酚或聚醯亞胺樹脂材料作為黏結劑。由於黏結劑係有機物’當以光照射時，黏結劑被光觸媒物質（ph〇t〇 catalytic substance)分解，黏結劑内之鍵結因而斷裂並游離出磨粒。以光觸媒物質，例如，二氧化鈦或氧化辞製成研磨盤20B，即可以利用較低能量之光線產生游離磨粒。第 12圖顯示使用該研磨盤20B之一研磨裝置例β使用研磨盤 20Β之研磨裝置具有光源35。以光源35產生之光線照射研磨盤20Β，則研磨盤20Β之黏結劑内之鍵結斷裂而游離出磨粒，類似於上述之自我整修作業中者。除光源35之外’類似上述各研磨裝置，該基板W之研磨裝置係配置成使其於壓力下以固持基板W之基板載具21與研磨盤20B 之研磨面可滑動貼合。如此即可進行以配置於旋轉中之轉盤24之研磨盤20 B研磨基板’例如半導體晶圓，時之當場整修；其時’從光源35以光線照射研磨盤2〇B，藉此整修研磨盤20B。除以光觸媒物質與研磨盤之材料混合之外，可光分解之物質之光阻材料也可以用作黏結劑。第13圖係第12圖示研磨裝置之變化圖。在該裝置中，係以雷射光源3 5 A作為光源’以將雷射光束照射於研磨盤 20B。雷射光源35A具有多數個雷射光束出口，可將雷射光照射於其所照射之研磨盤2 0 B之全面。雷射光源3 5 A可 ------------裝-------—訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 18 311737 474847 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（l9 )

依圖中之雙則頭所示之方向擺動。如此可避免雷射光束之局部集中，同時，也能藉由強雷射光束之照射於研磨盤20B 表面而導入高密度能量。因而可得游離磨粒之高效產生，亦即可作高程度整修。一般以樹脂材料作為黏結劑時，係使用具有C_H或 C-C鍵結之化合物之類材料。藉由打斷存在於構成研磨構件之表面之C-H或C.-C鍵結，保留所欲之官能基連結於其餘鍵、以黏結劑固持於硬質底座構件之磨料可以釋出，產生游離磨粒。此即產生與使用含鑽石粒之傳統整修構件之整修作業所能獲致之整修效果相同之整修效果。一般，樹脂材料之C-H鍵結能及C_C鍵結能各約為98kcal/m〇1 及80.6kcal/mol。故若以具有大於上述能量之光線照射於黏結劑並為其所吸收以致所吸收之光子能量超過上述鍵結能，分子鍵結即可被打斷。可用作打斷此類分子鍵結之光源者有，例如，具有波長248nm而光子能量U4kcal之KrF準分子雷射光，具有波長193nm而光子能量147kcal之ArF準分子雷射光，及具有波長172nm而光子能量l62kcal之Xe準分子雷射燈光。雖然這些光源具有狹窄之波長分佈並能產生高能量光線，但也昂貴。因此，用作低成本整修光源者經常係低壓水銀蒸氣燈，在253.7nm及184.9nm之波長（水銀之共振線> 有強光線產生，雖然其波長分佈廣。如上述，例如，樹脂材料之c-c鍵結有8〇.6kcal/mol 之能量’則產生游離磨粒所需之能量可以根據鍵結能計 ^--------訂---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 19 311737 4/4^4/ A7 五、發明說明（2〇 ) 算。假設以光照射之研磨構件之表面可將光之所有光子能量吸收，從之肩像，f朗息常數， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) V :波長）’可知波長在351nm或以下之光的照射，可打斷上述之分子鍵結。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製然而，與此有關存在有研磨構件與在研磨構件上之化學液體及研磨液或類似物的溫度在高能量光線之照射下升高，而可能引起特性變化之問題。該特性變化可能對研磨或拋光效能造成影響。故在上述之光整修法中，以設有冷卻或溫度控制系統者為佳。該冷卻或溫度控制系統可以係熱交換型，其中例如溫度低於室溫之冷卻氣體或液體之冷卻m霧或喷射之形式供給。此外，該冷卻系統亦可以係包括配置成與研磨構件上之化學液體，或研磨液等及/或與研磨構件接觸以將彼等冷卻之熱交換構件。在利用冷卻作業以達成研磨構件之適當研磨時須注意冷卻劑或熱父換構件之使用，不致引起研磨液，或化學液體之分解或密度之任何改變。故為實現冷卻效果，似以供給例如氫氧化鉀液及氧化劑之助研磨劑，及/或例如具有如下述之親水性官能基之液體之助整修劑為佳。藉由將光子由光源射向研磨構件及其表面上之水性化合物溶液，可打斷研磨構件表面之C_H及c_c*子鍵；而打斷之C-H及C-C分子鍵，在分子鍵再結合發生前，可與水性化合物溶液在光化學反應中所產生之不同分子或原子形成鍵結。可分離親水性官能基之溶液均適用作水性化合物溶液。為實現利用研磨構件之穩定研磨式拋光作業以本紐尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑵〇 x 297公楚） -- ^ 20 311737 474847 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（21 )

使用具親水性之研磨構件為佳；由於研磨構件之親水性，研磨液不受拒斥，可實現橫跨被研磨體之全面之均勻研磨•親水性官能基包括-〇H、_C〇〇H、_NH2、_e〇、_s〇3H 等，而以供給可黏結彼等於研磨構件之水性化合物溶液為佳。再者，以於相同方式之光線照射下將親水性官能基黏結於磨粒者為佳。如此，藉由使用經親水性官能基修飾之磨粒，研磨或抛光效能可以提升。第14圖係設置有本發明之光整修設備（ph〇t〇_dressing device)之研磨裝置俯視圖。如第14圖所示，該研磨裝置整體呈方形，並包括.一對相鄰置於研磨裝置之一端之相反側之研磨單元51a、51b，及一對置於研磨裝置之另一端而配置成可承接晶圓儲存卡匣52a及52b之裝載/卸載站。沿連接該研磨裝置之相對之二端之中心線上設有傳送機械手臂54a及54b。並且，於中心線之各側各設有一對清洗設備57a、57b及58a、5 8b，介於清洗設備之間穿插置有翻轉設備55' 56。研磨單元包括升降機（lift) 66，以從傳送機械手臂5 4b承接半導體晶圓，並傳送設置於研磨單元中之晶圓載具，或反之。研磨單元51a及5 lb各包括裝配有研磨盤之轉盤24，用以持載半導體晶圓使之與研磨盤接觸之晶圓載具60，由鑽石粒纟且成而使之與研磨盤之表面貼合以作整修之傳統整修裝置，及本發明之光整修裝置62以進行上述之光整修。各研磨單元中之轉盤，傳統整修裝置及光整修裝置係對該研磨裝置之中心或晶圓傳送線成對稱配置。 . --------^--------•線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 21 311737 474847 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_____ 五、發明說明（22 ) 第15圖顯示光整修裝置62之一構造例。該光整修裝置裝配有，例如，低壓水銀蒸氣燈63 ’以作為照射研磨構件之表面以促進從該研磨構件產生游離磨粒之光源。電源 64係連接該燈63以供給電流使該燈63可以產生上述之短波長光線。所產生之光線以鏡片65(普通鏡片或紅外線可以透過之冷鏡片（cold mirror)收集並導向研磨構件或研磨盤之表面。此外，該整修裝置62配置有研磨冷卻系統，包括過遽器68、閥門69、風扇或鼓風機70、熱交換器71，及喷嘴67 ’·藉此，冷卻氣體經喷嘴67導向研磨構件之表面以防止該研磨表面溫度上升。該整修裝置62進而配置有紅外線溫度感測器71。該感測器7 1感測出研磨表面之溫度’並將代表所感測到之溫度之信號送往控制電路72，於此將該彳§號與參考信號作比較，以將冷卻氣體之溫度調整為預定值。設置溫度指示器7 3以經常指示研磨構件表面之溫度則較佳。第16圖示光整修裝置之透視圖。光源燈63及溫度調整氣體噴嘴67係配置於覆蓋構件75，而該覆蓋構件係經由垂直之氣缸/活塞型致動器76固定於軸臂77。該致動器 76使該覆蓋構件75連同該光光源燈63以及喷嘴67於垂直方向移動以調節光源燈6 3與研磨構件之被整修面間之距離。該軸臂能繞安裝該臂近端之垂直之迴旋轴桿（圖未示）枢轉’以決定要被整修之研磨構件表面的位置。第17圖顯示研磨單元51a。如上述，該研磨單元包括設置有研磨構件20B之轉盤24及用以載持半導體晶圓之本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（21Q x 297公餐） -------- 22 311737 ------------裝--------訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) # 4/484/ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --------- B7____ 五、發明說明（23 ) 晶圓載JLfio.:# , /、 ’而藉由將晶圓配置成與隨同轉盤旋轉之研磨件 2 0 R 姑· ah ^ 得觸’即可研磨該晶圓。該研磨單元進而包括一般之機械式整修裝置61，以及光整修裝置62;該光整修裝酉己 jLk jr 光源燈63，以能如上述藉由將光線導向研磨盤之磨面而進行整修。該光整修器係於研磨前及/或研磨當中使用該傳統機械式整修裝置係用以將整個研磨面平坦化傳統上係於研磨複數片半導體晶圓之後確認研磨面有相田程度之凹凸（umdulati〇n)時使用。該機械式整修裝置可以與用以監視研磨面的狀況之監視器併用，以偵測研磨盤之研磨面之凹凸其高低差達l//m或以上的情況。第1 8圖係本發明之第八實施形態之整修方法圖。在圖中之研磨裝置’取代上述光源35或35a，設置有超音波振盪器36。當對研磨盤2〇c施以超音波振動時，其黏結劑内之鍵結打斷而游離出磨粒以整修該研磨盤2 0C。如此，超音波振盪器36具有第12或第13圖中之光源之類似功能。此一裝置並且具有研磨液供給系統19以及基板載具21以載持被研磨基板W，有如上述裝置之情況。並且，本裝置中由於從超音波振盪器36對研磨盤2〇c施以超音波振動’黏結劑内之鍵結斷裂而游離出磨粒並整修研磨盤 20C。在此一程序中，被研磨基板界係於壓力下可滑動地與研磨盤20C貼合，以如上述其它實施例，進行基板w之研磨。須注意者係，在第五至第八實施形態中，機械式整修未必要與該整修程序一併施行。第19圖顯示本發明之第九實施形態之研磨置。在該 n I ϋ i ϋ I i.— 1 in ·ϋ I I · II ϋ I I— I in n 一 ( n n I n ϋ ·ϋ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） 23 311737 474847 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 I--------- B7_______ 五、發明說明（24 ) 研磨裝置中’研磨盤2〇D具有用以排出研磨基板時所產生之顆粒之溝槽38。然而，使用中研磨盤20D之磨損，會導致該溝槽38之露出。因此，在本實施形態中’係設置有具有突起45以再生或維持排出用溝槽38之整修構件llf。更明確言之，該整修構件j lf係配置成於壓力下與研磨盤 20D接觸’並能使整修構件uf之突起45研磨盤2〇D上之排出用漢槽38相契合，以使溝槽能於進行研磨盤2〇Ε)之研磨面之整修當中維持現狀。在本實施形態中，其研磨裝置可於進行基板研磨之同時（當場）施行該研磨盤之整修。第20圖顯示本發明之第十實施形態之研磨裝置。該研磨裝置包括直徑小於被研磨基板w之整修構件Ug，以及用以將整修構件llg依圖中雙箭頭所示之方向擺動之機構 (圖未示），以控制整修構件Ug之位置。該研磨裝置進而包括一没備46以測量基板w研磨後之表面形狀，或一設備以測量研磨盤20之表面形狀，以及一控制器（圖未示），該控制器係用來根據以測量設備所測量出之表面形狀而移動整修構件11 g。研磨基板時，研磨速率依自研磨盤脫落之游離磨粒之量而變動。為得均勻之研磨操作，本實施形態中，設備46 測量基板W之被研磨面之研磨速率之變動，並根據該測量結果，將整修構件llg移往研磨盤上研磨速率低之處，以將該處進行整修，游離出磨粒。在上述實施形態中，固定研磨構件係硬質板，由磨粒及固定黏結該磨粒之樹脂黏結劑所構成。然而，另一形式本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱] --- 24 311737 — II-----^---I--I I ^ · 11 I I I--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 474847 A7 ___B7 五、發明說明（25 ) 之固定研磨構件，所謂的“固定研磨墊”，其中有一薄固定研磨層裝置於一彈性層上，亦可使用。如上述，依照本發明，使用固定研磨構件可以在研磨程序中進行高效且適當之整修，而無造成被研磨表面之刮傷等之虞。須注意者，本發明並非僅限於以上實施形態，而係可以有多種變化。 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 25 311737

Claims

474847 A8 B8 C8 D8 ^、申請專利範圍 1. 一種基板研磨裝置，包括：具有研磨面之研磨構件，該研磨面係可滑動地與被研磨基板貼合，以及具有整修面之整修構件，該整修面係配置成可滑動地貼合於研磨構件之研磨面以整修該研磨面；該整修面設有複數個具有不小於100。之鈍角之角度部分之突起。 2. 3. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 種基板研磨裝置，其研磨構件包含固定研磨構件。種基板研磨裝置，包括：具有研磨面之研磨構件，該研磨面係可滑動地與被研磨基板貼合，以及具有整修面之整修構件，該整修面係配置成可滑動地貼合於研磨構件之研磨面以整修該研磨構件之研磨面；該整修構件係棒狀’並從該研磨構件之中心延伸至外緣。 4. 一種基板研磨裝置，包括：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製基板載具’用以載置基板，具有研磨面之研磨構件，該研磨面係可滑動地與載置於基板載具之基板貼合以進行研磨，以及具有整修面之整修構件，該整修面係配置成可滑動地與研磨構件之研磨面貼合以整修該研磨面；該整修構件係環狀並係設置於基板載具上而使該 _整修構件配置成環繞該基板者 1本紙張尺度適用中咖冢標準（CNS)A4規格⑵g χ 297公楚· 311737 474847 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍 5· —種基板研磨裝置，包括：基板載具，用以載置基板，具有研磨面之研磨構件，該研磨面係可滑動地與載置於基板載具之基板貼合以進行研磨，以及整修設備，包含光源以產生光線，以該光線照射研磨構件之研磨面以整修該研磨面。 6·如申請專利範圍第5項之基板研磨裝置含水銀燈。 7·如申請專利範圍第5項之基板研磨裝置生雷射光線。 8.如申請專利範圍第5項之基板研磨裝置以冷卻研磨構件之冷卻系統。 9·種整修方法，其係在使基板與繞著其本身之軸旋轉之固疋研磨盤之研磨面貼合，同時旋轉基板之基板研磨裝置中’用以整修研磨面之方法，包括以下步驟：準備具有整修面之整修構件，使整修構件之整修面與旋轉中之固定研磨盤之研磨面貼合；以及控制整修構件之轉數與固定研磨盤之轉數之比值，以調整整修條件。 10.如申請專利範圍第9項之方法，其中整修構件之整修面係與旋轉中之固定研磨盤之研磨面貼合，其貼合壓力不大於 30g/cin2。 11· 一種整修方法’其係在使基板與研磨構件之研磨面貼合表紙張尺度適用中國國家；T^I^_(21Q x 297公爱）其中該光源包其中該光源產其中復包括用 27 311737 --------------^---.-----^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 28 並使其間作相對滑動，以研磨該基板之基板研磨程序中’用以整修研磨構件之研磨面之方法，包括：於研磨構件之研磨面供給液體，該液體可以溶解黏、结研磨構件之磨粒之黏結劑，以促進游離磨粒之產生。 12·—#整修方法’其係在使基板與研磨構件之研磨面貼 5 ’並使其間作相對滑動，以研磨該基板之基板研磨程序中’用以整修研磨構件之研磨面之方法，包括：於該研磨構件通過電流，以打斷黏結該研磨構件之磨粒之黏結劑之黏結，而促進游離磨粒之產生。 13. —種整修方法’其係在使基板與研磨構件之研磨面貼合’並使其間作相對滑動，以研磨該基板之基板研磨程序中’用以整修研磨構件之研磨面之方法，包括：準備在以黏結劑黏結磨粒而成的研磨面中含有光觸媒之研磨構件；以及以光線照射該研磨構件之研磨面，以打斷研磨面之黏結劑之黏結，而促進游離磨粒之產生。 14·如申請專利範圍第13項之方法，其中該光線具有355]ttffi 或以下之波長。 15·如申請專利範圍第13項之方法，其中復包括於整修作業當中或整修作業之後’供給化學液體或化學品於研磨構件之研磨面，以使該研磨面具親水性之步驟。 16‘如申請專利範圍第15項之方法，其中供給於研磨面之該化學液體或化學品具有親水性官能基，例如_〇H、 -COOH、-NH2、-CO 及-03H - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 311737 -----------裝 i·----— 訂------I-- ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁}