TW472351B - Method for observing cross-sectional structure of sample - Google Patents

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472351 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（i) 【發明之背景】 本發明係關於使用集聚離子束裝置之試料表面之剖面 形狀之觀察方法，尤其關於適用於半導體元件或薄膜磁頭 等之溝部觀察之剖面加工與其構造觀察方法。 集聚離子束裝置因可進行材料之加工與顯微鏡觀察， 近年，使用此之試料剖面加工·觀察頻繁地被實施。剖面 尺寸大約爲數Mm〜數十/zm左右。基本形之步驟係如第 3 A圖所示首先將變成特定欲實施試料中之剖面觀察之處 所（以虛線所圍住之部分），但是爲了觀察剖面就必須將 露出部之前方騰空爲寬廣。其係欲獲得剖面之顯微鏡像必 須對於剖面從深角度之光束掃描所致。若特定加工領域時 就如第3 B圖所示在試料面從垂直方向之離子束施加粗加 工。此加工與其說露出觀察剖面不如說是觀察所需之開孔 加工，所以變成使用大電流之粗蝕刻而如B所圖示觀察剖 面已受到損傷。在結束開孔加工之階段由抑低光束電流之 蝕刻實施對於觀察剖面之硏磨加工，如第3 C圖所示露出 漂亮剖面。傾斜試料台對於剖面從深的角度照射離子束執 行光束掃描，以得到觀察所需剖面之掃描離子顯微鏡像。 然而，當加工時爲了防止因集聚離子束引起之損傷， 在加工之先在試料表面進行形成保護膜之作業。此作業係 稱爲澱積，一般爲從氣槍將w ( C ◦ ) 6或菲\ phenanthrene )等噴吹於加工部分以形成保護膜，但是此際 該保護膜之材料若與試料之表面物質之材料相同時原本之 試料表面與該保護膜之境界，就會發生不能在欲觀察之顯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -4- ------------I ---------訂·-------- (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 472351 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（2) 微鏡像上識別之問題。尤其欲觀察之剖面像爲溝部之表面 形狀時，會發生在該溝部大量地堆積保護層材而埋塡溝部 之現象，具有原本之溝部形狀不能在顯微鏡像上識別之問 題。本發明之目的課題，係解決上述問題，亦即關於使用 集聚離子束裝置之觀察剖面之加工·觀察技術，在剖面部 加工之過程儘管會發生在試料表面附著堆積保護層形成材 料之現象，但是可提供明示原本之試料表面形狀之顯微鏡 像之方法。 【發明之槪要】 本發明係在未加工之試料表面首先形成與該試料表面 不同材料之被覆層，其後執行形成保護層之澱積，並且藉 在其部分實施剖面加工，藉在原本之試料表面與澱積，在 保護層爲附著堆積部分之境界成爲具有不同材料被覆層之 形態’於顯微鏡像此不同材質之被覆層之存在也可明示原 本之試料表面之形狀。 【較佳實施例之詳細說明】 本發明係在試料之加工部分執行形成保護層之前，在 試料表面形成與該試料表面不同材料之被覆層之點具有特 徵’但是就如何進行此被覆層之形成說明如下。 原理上在未加工狀態之試料表面與形成該試料表面之 物質不同材料之被覆層，在剖面加工後其被覆層以可識別 之狀態留下就可以，作爲較佳之實施形態係適當之材料可 --------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) » 本紙張尺度適财關家標準（cii)A4規格⑽X 297公髮） -5- 472351 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（3) 選擇使用噴濺（sputtenng )附著，以澱積附著，使用氣槍 噴吹之離子束照射之方法。 又，因係使用集聚離子束裝置進行之作業，所以在與 試料之觀察剖面部隔離之適當部分藉照射集聚離子束加以 開孔，與表面材料不同之材質，例如表面爲抗阻劑時，飛 濺碳以外之鐵或鎳之金屬材料等，再附著於試料表面之方 法也是簡便之被覆層形成形態。 按，執行此開口時若表面材料與觀察部分相同時，當 初雖然飛濺相同材料但是此飛濺材料之附著爲與保護層形 成之澱積時不同，並非一下子就形成大量之附著層，慢慢 地附著於表面以形成被覆層者所以不會因此而不能識別表 面形狀。 又’在同種材料時混合有作爲離子束所使用之物質（ G a等）之化合物等附著所以充分地保全表面形狀。 茲於第1圖表示本發明之加工步驟。 如A圖示’特定包括欲觀察之試料1中之溝部2處之 加工領域3 ’以上述之適當方法執行試料表面形成被覆層 〇 如B圖所示’在已形成被覆層之階段在觀察剖面附近 以氣槍邊噴射既定之氣體照射離子束形成保護層4。形成 此保護層4之狀態下如第3圖所示，雖然執行與以往相同 觀察剖面之加工，但是如在C圖示由粗蝕刻開觀察用之孔 5 ’當開到所需大小之孔時關斷光束電流，執行觀察剖面 之硏磨加工。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6 - --------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472351 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4) 在觀察剖面6被硏磨成漂亮狀態下傾斜試料台對於觀 察剖面6從深的角度（約6 0度）掃描離子束，得到該觀 察剖面6之顯微鏡像。 D係將該加工部從掃描光束之照射方向所視之斜視圖 ，但是如於此所圖示，在溝部2表面有被澱積之保護層4 之材料附著到深的位置，在淺入口附近成爲橋狀，但是， 欲觀察之溝部2之原本表面剖面形狀係由於被覆層7之存 在所保全。 因此，即使試料表面之材料與保護層之材料爲同種， 若攝影此觀察剖面6之掃描離子顯微鏡像時溝部2之原本 表面剖面形狀作爲境界線由被覆層7明示。 本發明之手法係執行由碳之澱積時，磁頭或半導體元 件等表面由抗阻劑所覆蓋之試料或碳集聚物作爲材料者作 爲試料時爲有效，又，執行以鎢之澱積時，通孔接觸形成 製程階段之半導體元件等最表面爲由鎢所覆蓋者作爲試料 時爲有效。 【實施例1】 於第2圖表示作爲薄膜磁頭之樣品，由本發明之手法 所加工之觀察剖面之掃描離子顯微鏡像。 於此實施例爲了在試料表面形成被覆層7，採用在觀 察部以外之場所照射集聚離子束飛濺表面材料以外之材料 將其再附著於試料表面之方法。此方法係形成被覆層不必 特別執行前處理，在集聚離子束裝置之中可執行之點來說 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472351 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（5) 爲方便。 在試料開5 "mx 5 //m左右之孔，直到出現基板邊 監視加工畫面執行。藉將基板上之試料全部飛濺就可確實 飛濺與表面物質不同之材料所致。 此作業係附著被覆於試料表面上之層必須於剖面像只 能可識別程度之量儘量執行’此係由於試料變成不同之作 業量，但是若既知時作爲一系列之加工製造程也可進行軟 體設計。 在形成適當厚度之被覆層7之階段在觀察剖面6附近 從氣槍邊噴吹菲照射集聚離子束’形成碳之保護層4。 在此階段進入剖面加工’以4 η A之光束電流執行觀 察用之孔5加工。按，此種粗蝕刻加工一般爲使用2〜5 η A左右之光束電流。此係快速開孔爲主觀察剖面受到損 傷情形。因0 . 5〜1 # m 3 / s e c之材料被蝕刻之加 工速度。接著’將受到損傷之觀察剖面6以緻密之蝕刻施 加硏磨’但是，以此4 Ο Ο p A之光束電流執行。此蝕刻 係將受到損傷之觀察剖面變成漂亮地硏磨所需之作業所以 光束電流爲被抑低，而是0 . l//m3/s e c之蝕刻速 度進行。觀察剖面6被硏磨之狀態下傾斜試料台，對於觀 察剖面6從約6 0度之角度照射離子束，掃描成光柵（ r a s t e r )狀所得到之掃描離子顯微鏡像爲第2圖。 如觀察此顯微鏡像就可淸楚在觀察剖面6有磁頭之原 本溝部之表面形狀’爲由被覆層7作爲堆積於試料表面上 之保護層4之境界線被明示。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472351 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（6) 本發明係在實施加工之前在原本試料表面形成與該試 料表面材料不同材料之被覆層，因其後執行保護層之澱積 及觀察剖面之加工’所以例如形成於試料表面之保護層之 材料即使與試料表面材料同質，由於上述被覆層之存在保 全原本之試料表面之形狀，於剖面像可淸楚地觀察到。 又，因係使用集聚離子束裝置進行觀察，所以形成被 覆層則刻意經由其他裝置作爲前處理不會採取有煩雜之工 夫’在試料之觀察部附近照射集聚離子束在試料開孔，將 表面物質以外之材料只要由蝕刻飛濺就可進行此項作業。 圖式之簡單說明 第1 A圖係用來說明本發明之觀察剖面部之加工步驟 與觀察顯微鏡像之攝影方法之圖。 第1 β圖係用來說明本發明之觀察剖面部之加工步驟 與觀察顯微鏡像之攝影方法之圖。 第1 C圖係用來說明本發明之觀察剖面部之加工步驟 與觀察顯微鏡像之攝影方法之圖。 第1 D圖係用來說明本發明之觀察剖面部之加工步驟 與觀察顯微鏡像之攝影方法之圖。 第2圖係依本發明之手法所加工之薄膜磁頭溝部之剖 面顯微鏡像。 第3 Α圖係用來說明以往試料之觀察剖面加工步驟之 圖。 第3 B圖係用來說明以往試料之觀察剖面加工步驟之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -9 - — — — — — — — — — — — — — * I I I I I I I ^ 0 1------— I — II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472351 A7 B7 五、發明說明（7) 圖。 第3 C圖係用來說明以往試料之觀察剖面加工步驟之 圖。 元件 對照 表 1 試 料 2 溝 部 3 加 工 領 域 4 保 護 層 5 觀 察 用 孔 6 觀 察 剖 面 7 被 覆 層 0 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -10-

Claims (1)

1. 472351 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制^ 六、申凊專利範圍 1 ·一種試料溝部之剖面構造觀察方法，其係由： 在試料表面形成與該表面之物質不同材質所成之被覆 層之步驟，與 在觀察剖面部附近由氣槍之噴射與離子束之照射以形 成保護層之步驟，與 從試料面上部方向照射高電流之集聚離子束，在觀察 剖面前方施加開觀察用孔加工之步驟，與 從試料面上部方向照射低電流之集聚離子束以硏磨觀 察剖面之步驟，與 傾斜試料台對於觀察剖面掃描深角度之離子束以得到 該觀察剖面之顯微鏡像之步驟所構成。 2 .如申請專利範圍第1項之試料溝部之剖面構造觀 察方法’其中試料表面之被覆層係照射集聚離子束在試料 開孔，將表面材料以外之物質藉蝕刻飛濺形成者。 3 .如申請專利範圍第1項之試料溝部之剖面構造觀 察方法，其中試料表面之被覆層係由氣槍噴射與離子束照 射以形成澱積。 4 .如申請專利範圍第1項之試料溝部之剖面構造觀 察方法，其中試料表面之被覆層係由噴濺所形成者。 5 ·如申請專利範圍第1項之試料溝部之剖面構造觀 察方法，其中試料表面之被覆層係由熱澱積形成者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） if -------------------------訂---------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)