TW472249B - Laser power control device, optical head and optical recording and/or reproducing apparatus - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（i ) 發明背景 發明部份 本發明係有關雷射功率控制裝置，用以控制由多個雷 射源所發躬之輸出雷射光，並係有關使用此雷射功率控制 裝置之光學頭，用於光學記錄及/或再生裝置中。 有關技藝之說明 目前，光學記錄及/或再生裝置通常裝有一雷射光源 ，此發射於光學記錄媒體上，用以記錄及/或再生資訊。 在此等裝置，所發射之雷射光之輸出功率需預設定於一預 定位準上。此等裝置中通常構製有雷射功率控制裝置，以 監視及維持輸出功率於預定位準。 目前，市面上有多種光學記錄媒體供應。許多記錄媒 體使用不同之記錄密度。此等不同之密度常需使用不同波 長之雷射光。 已發展光學記錄及/或再生裝置，此能使用若干不同 之雷射波長。如此使此等裝置可使用若干不同之光學記錄 媒體操作。此等多媒體裝置現使用獨立之雷射功率控制裝 置，以控制由每一媒體所使用之各別雷射源。然而，各別 雷射功率控制裝置之如此使用難以減小裝置之體積。而且 ，此等多媒體裝置之生產成本趨於高不可攀。 最近有提出製造多個雷射源於一單石晶片上，並安排 各雷射源相互接近。然而，如各雷射源相互密切接近安排 ，則難以設置每一雷射源之獨立雷射功率控制裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 472249 A7 B7 —----—------- 五、發明説明（2 ) 發明目的 基於以上問題，本發明之目的在使用一單個雷射功率 控制裝置，控制多個雷射源。 本發明之另一目的在提供一種雷射功率控制裝置’能 控制多個雷射源所發射之各別雷射光束之輸出。 本發明之又另一目的在提供一種使用此一雷射功率控 制裝置之光學記錄及/或再生裝置。 本發明之其他目的及優點部份明顯然可知，且部份可 自說明及附圖獲得明瞭。 發明根要 爲達成以上目的’本發明提供一種雷射功率控制裝置 ，用以控制由多個雷射源所發射之各別雷射光束之輸出， 包含多個可變電阻器與雷射源關連，一單個光偵測器與雷 射光源關連，及一雷射輸出穩定器用控制雷射光之輸出， 俾由雷射源所發射之雷射光之輸出恆定。改變可變電阻器 之電阻値，以設定與可變電阻器關連之雷射源所發射之雷 射光之輸出。由雷射光源所發射之雷射光之強度由光偵測 器偵測，及雷射光之輸出由雷射輸出穩定器根據所偵得之 強度控制，俾使雷射光源所輸出之雷射光束恆定。 本發明並提供一光學頭’包含多個雷射光源，光學元 件用以發射由雷射源所發射之雷射光束於一記錄媒體上， 一光接收器用以接收來自記錄媒體之還回光，及一雷射功 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ29?公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} .裝-

、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 472249 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（3 ) 率控制器用以控制由雷射源所發射之雷射光之輸出。雷射 功率控制器爲上述型式。 由本發明之雷射功率控制裝置及光學頭，可由單個電 路分別控制多個雷射源所輸出之雷射光功率。 附圖簡述 爲更完全明瞭本發明，參考以下說明及附圖，在附圖 中： 圖1爲電路圖，顯示本發明之雷射功率控制裝置之一 實施例； 圖2爲電路圖，顯示本發明之雷射功率控制裝置之另 一實施例； 圖3爲電路圖，顯示本發明之雷射功率控制裝置之又 另一實施例； 圖4爲電路圖，顯示本發明之雷射功率控制裝置之又 另一實施例； 圖5爲方塊圖，顯示本發明之光學記錄及/或再生裝 置之一實施例； 圖6爲側視圖，顯示本發明之光學頭之一實施例； 圖7爲平面圖，顯示構成本發明之光學頭之光學整合 裝置；及 圖8爲平面圖，顯示圖7所示之光學整合裝置之光接 收表面。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 472249 A7 B7 五、發明説明（4 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主 要 元件對照表 1 雷 射 功 率控 制 裝 置 2 雷 射 —. 極體 4 可 變 電 阻器 6 開 關 8 功 率 監 視二 極 體 9 白 動 光 量控 制 放 大 器 1 0 放 大 器 1 2 P N P 電晶 體 1 3 電 阻 器 1 4 電 源 8 0 光 學 記 錄及 / 或 再 生 8 1 光 碟 8 2 轉 動 馬 達 8 3 光 學 頭 8 4 進 給 馬 達 8 5 數 據 機 8 6 驅 動 控 制電 路 8 7 系 統 控 制器 8 8 外 部 電 路 1 0 4 光 學 整 合裝 置 1 0 5 準 直 透 婉 1 0 6 孔 徑 1 0 7 對 物 透 婉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -7- 472249 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 108 追蹤控制致動器 109 矩陣處理電路 114 稜鏡 116 光學系統 117 半導體基體 118 包裝 119 玻璃蓋 125 信號偵測光偵測器 較佳宴施例之詳細說明 以下參考附圖，說明雷射功率控制裝置，光學頭，及 使用此光學頭之光學記錄及/或再生裝置之特定結構。 本發明之雷射功率控制裝置之第一實施例顯示於圖1 。此雷射功率控制裝置1控制由一第一雷射二極體2及一 第二雷射二極體3所發射之雷射光輸出。控制第一雷射二 極體2及第二雷射二極體3，以防止同時操作。 此雷射功率控制裝置1包含一第一可變電阻器4與第 一雷射二極體2關連，一第二可變電阻器5與第二雷射二 極體3關連，一第一開關6連接至第一可變電阻器4，— 第二開關7連接至第二可變電阻器5，一功率監視光二極 體8與第一及第二雷射二極體2，3關連，及一自動光量 控制放大器9用以控制雷射光輸出，俾使第一及第二雷射 二極體2，3所發射之雷射光束之輸出恆定不變。 自動光量控制放大器9包含一第一放大器1 0用以控 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 472249 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（6 ) 制由第一雷射二極體2所發射之雷射光於恆定之位準上， 及一第二放大器1 1用以控制由第二雷射二極體所發射之 雷射光於恆定之位準上。 在此雷射功率控制裝置1中，第一可變電阻器4具有 一端連接至第一開關6 ，俾當第一開關6接通及關斷時， 此端分別接地及放開。第一可變電阻器4具有其另一端連 接至第一及第二放大器1 0 ，1 1之輸入端。同樣，第二 可變電阻器5具有一端連接至第二開關7 ，俾當第二開關 7接通及關斷時，此端分別接地及放開。第二可變電阻器 5具有其另一端連接至第一及第二放大器1 0 ，1 1之輸 入端。連接於第一及第二放大器1 0，1 1之輸入端上之 第一及第二電阻器4，5之端亦連接至光二極體8之陰極 0 第一雷射二極體2具有其陰極接地，及其陽極連接至 一 P N P電晶體1 2之集極。P N P電晶體1 2之射極連 接經一電阻器1 3至一電源1 4。當第一雷射二極體2通 時，電源1 4經由電阻器1 3饋送電壓於射極。PNP電 晶體1 2之基極連接至第一放大器1 0之輸出端。由流過 第一雷射二極體2之電流幅度控制雷射光輸出。 同樣，第二雷射二極體3具有其陰極接地，及其陽極 連接至P N P電晶體1 5之集極。P N P電晶體1 5之射 極連接經一電阻器1 6至一電源1 7。當第二雷射二極體 3通時，電源1 7經由電阻器1 6饋送電壓於射極。 P N P電晶體1 5之基極連接至第二放大器1 1之輸出端 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ------------装-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -9- 472249 第89112758號專利申請案 A7 中文說明書修正頁民國90年10月修正 B7 經濟部智慧財產局員工消費 五、發明説明（ ’俾由第二放大器1 1控制 幅度，從而控制雷射光輸出 流過第二雷射二極體3之電 ϋ\1 爲設定第一 定値，第一開關 接地；第二開關 浮懸。如此，當 排開關6 ，7 ， 變電阻器4之電 射光之輸出於一 一雷射二 與所偵得 放大器1 極上。Ρ_ ，與所施 雷射強度 增加基極 強度。如 強度恆定 应 f几 爲δ又 /1 y /-τ£γ Λ*Ατ· 疋値，罘 接地；第 浮懸。如 排開關6 變電阻器 極體2 之光強 0變換 Ν Ρ電 加之基 增加， 電壓， 此，光 雷射二 6接通 7切斷 設定第 俾僅使 阻，以 預定位 所發射 度成比 爲電位 晶體1 極電壓 則產生 此導致 二極體 極體 ，從 2之雷射光之 而使第 而使第 —可變 雷射二極 用第 設定 準。 /2. EB 例之 ，此 2控 成反 更多 減少 8有 —可變 第一雷 在此情 射光之 一電流 施加於 制流至 比。例 之電流 雷射驅 效調節 二可變 體2之 電阻器 射二極 形，由 強度。 。所產 Ρ Ν P 雷射二 如，如 ，放大 動電流 驅動電 輸出功率 電阻器4 電阻器5 功率位準 4。然後 體2所發 光二極體 光二極體 生之電流 電晶體1 極體之驅 光二極體 器使用此 ，從而降 流，以保 於一預 之一端 之一.端 時，安 變化可 射之雷 8偵第 8產生 由第一 2之基 動電流 8偵得 電流來 低雷射 持雷射 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 定第二雷射二極體 ，從 ，從 二雷 用第 5Λ- 5又疋 二開關7接通 一開關6切斷 此r當設定第 ，7，俾僅使 5之電阻，以 3之雷射光之輸出功率於一預 而使第二可變電阻器5之一端 而使第一可變電阻器4之一端 射二極體3之功率位準時，安 二可變電阻器5。然後變化可 第二雷射二極體3所發射之雷 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） -10- 472249 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 射光之輸出於一預定位準。在此情形，由光二極體8偵測 第二雷射二極體3所發射之雷射光之強度。光二極體8產 生與所偵得之光強度成比例之一電流。所產生之電流由第 二放大器1 1變換爲電位，此施加於P N P電晶體1 5之 基極上。P N P電晶體1 5控制流至雷射二極體之驅動電 流，與所施加之基極電壓成反比。例如，如光二極體8偵 得雷射強度增加，則產生更多之電流，放大器使用此電流 來增加基極電壓，此導致減少雷射驅動電流，從而降低雷 射強度。如此，光二極體8有效調節驅動電流，以保持輸 出雷射強度恆定。 由上述雷射功率控制裝置1 ，可由一單個電路設定及 控制由二雷射二極體2，3所輸出之雷射光之功率於各別 預設定位準。由使用此裝置，與每一雷射二極體設置各別 獨立之雷射功率控制裝置相較，可減小產品體積。此亦由 減少組成件之數，減少產品成本。 如第一及第二雷射二極體2，3構製於一單石單位上 ，則第一及第二雷射二極體2，3極爲接近一起。此密切 接近極難設置每一雷射二極體之個別光強度偵測裝置。丫f 此雷射功率控制裝置1中，由第一雷射二極體2及由第二 雷射二極體3所輸出之光強度之偵測由一單個功率監視光 二極體8應付。單個偵測元件之此使用可單石製造第〜及 第二雷射二極體2，3於一單個晶片中。 在上述雷射功率控制裝置1中，由於每次僅使用可_ 電阻器4，5之一，故可獨立執行任一二極體之功率設定 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I-------------^-------訂------t ,ί (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 - 472249 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（9 ) 之調整。 以下參考圖2 ，說明本發明之雷射功率控制裝置之第 二實施例。此雷射功率控制裝置2 1控制由第一雷射二極 體2 2作爲第一光源所發射之雷射光及由第二雷射二極體 2 3作爲第二光源所發射之雷射光。控制第一雷射二極體 2 2及第二雷射二極體2 3，以防止同時操作。 此雷射功率控制裝置2 1包含一第一可變電阻器2 4 與第一雷射二極體2 2關連，一第二可變電阻器2 5與第 二雷射二極體2 3關連，一功率監視光二極體2 6與第一 及第二雷射二極體2 2 ，2 3關連，及一自動光量控制放 大器2 7用以控制雷射光輸出，俾第一及第二雷射二極體 2 2，3 3所發射之雷射光之輸出恆定不變。第一可變電 阻器2 4及第二可變電阻器2 3與光二極體2 6並聯。 自動光量控制放大器2 7包含一第一放大器2 8用以 保持由第一雷射二極體2 2所發射之雷射光之尖峰強度恆 定，及一第二放大器2 9用以保持由第二雷射二極體2 3 所發射之雷射光之尖峰強度恆定。 在此雷射功率控制裝置2 1中，第一可變電阻器4具 有一端連接至光二極體2 6之陽極，及另一端連接至第一 放大器2 8之輸入端。同樣，第二可變電阻器2 5具有其 一端連接至光二極體4 6之陽極，及另一端至第二放大器 2 9之輸入端。光二極體2 6之陰極接地。 第一雷射二極體2 2具有其陰極接地，及其陽極連接 至一 P N P電晶體3 0之集極。P N P電晶體3 0之射極 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 472249 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（10 ) 連接經一電阻器3 1至一電源3 2 ，及P N P電晶體3 0 之基極連接至第一放大器2 8之輸出端。當第一雷射二極 體2 2通時，電源3 2經由電阻器3 1饋送電壓於射極。 。由流過第一雷射二極體2 2之電流幅度控制雷射光輸出 〇 ' 同樣，第二雷射二極體2 3具有其陰極接地，及其陽 極連接至一 PNP電晶體3 3之集極。PNP電晶體3 3 之射極連接經一電阻器3 4至一電源3 2。當第二雷射二 極體2 3通時，電源3 5經由電阻器3 4饋送電壓於射極 。PNP電晶體3 3之基極連接至第二放大器2 9之輸出 端，俾由第二放大器2 9控制流過第二雷射二極體2 3之 電流幅度。 當設定及控制由第一雷射二極體2 2所輸出之雷射之 功率位準時，變化第一可變電阻器2 4之電阻，以設定輸 出於一預定位準。在此狀態，由光二極體2 6偵測第一雷 射二極體2 2所發射之雷射光之強度。光二極體2 6產生 與所偵得之光強度成比例之一電流。所產生之電流由第一 放大器2 8變換爲電位，此施加於PNP電晶體3 0之基 極上。P N P電晶體3 0控制流至雷射二極體之驅動電流 ，與所施加之基極電壓成反比。例如，如光二極體2 6偵 得雷射強度增加，則產生更多之電流，放大器使用此電流 來增加基極電壓，此導致減少雷射驅動電流，從而降低雷 射強度。如此，光二極體2 6有效調節驅動電流，以保持 雷射強度恆定。 I------*-----^------、玎 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210Χ297公釐） -13 - 472249 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7五、發明説明（H ) 同樣，當設定及控制由第二雷射二極體2 3所輸出之 雷射光之功率位準時，變化可變電阻器2 5之電阻，以設 定輸出於一預定位準。在此狀態，由光二極體2 6偵測第 二雷射二極體2 3所發射之雷射光之強度。光二極體2 6 產生與所偵得之光強度成比例之一電流。所產生之電流由 第二放大器2 9變換爲電位，此施加於P N P電晶體3 3 之基極上。P N P電晶體3 3控制流至雷射二極體之驅動 電流，與所施加之基極電壓成反比。例如，如光二極體 2 6偵得雷射強度增加，則產生更多之電流，放大器使用 此電流來增加基極電壓，此導致減少雷射驅動電流，從而 降低雷射強度。如此，光二極體2 6有效調節驅動電流， 以保持雷射強度恆定。 在上述雷射功率控制裝置2 1 ，可由一單個電路獨立 控制由二雷射二極體2 2，2 3所輸出之雷射功率。與每 一雷射二極體設置各別獨立之雷射功率控制裝置之安排相 較，使用本裝置之系統可減小體積。此亦由減少組成件之 數，減少生產成本。 如第一及第二雷射二極體2 2，2 3構製於一單石單 位上，則第一及第二雷射二極體2 2，2 3相互極爲接近 。如此極難設置每一雷射二極體之個別光強度偵測裝置。 在此雷射功率控制裝置2 1中，由第一雷射二極體2 2及 由第二雷射二極體2 3所輸出之光強度之偵測由一單個光 二極體4 6應付。單個光二極體之此使用使第一及第二雷 射二極體2 2，2 3可構製於一單個晶片上 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^^1- In In n^n If 1^—^i · - . . 士^^ i 1^1^1 n^i 一^ (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) -14 - 472249 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（12) 在上述雷射功率控制裝置2 1中，由於第一可電阻器 2 4及第二可變電阻器2 5相互並聯，故大致獨立執行第 一及第二雷射二極體之輸出控制。 以下參考圖3 ，說明本發明之雷射功率控制裝置之第 三實施例。此雷射功率控制裝置4 1控制由一第一雷射二 極體4 2作爲第一光源所發射之雷射光，及由一第二雷射 二極體4 3作爲第二光源所發射之雷射光。控制第一雷射 二極體4 2及第二雷射二極體4 3，以防止同時操作。 此雷射功率控制裝置4 1包含一第一可變電阻器4 4 與第一雷射二極體4 2關連，一第二可變電阻器4 5與第 二雷射二極體4 3關連，一功率監視光二極體4 6與第一 及第二雷射二極體4 2，4 3關連，及一自動光量控制放 大器4 7用以控制雷射光輸出，俾第一及第二雷射二極體 42 ，43所發射之輸出恆定不變。第一可變電阻器4 4 及第二可變電阻器4 5與光二極體4 6串連。 自動光量控制放大器4 7包含一第一放大器4 8用以 保持由第一雷射二極體4 2所發射之雷射光之尖峰強度恆 定，及一第二放大器4 9用以保持由第二雷射二極體4 3 所發射之雷射光之尖峰強度恆定。 在此雷射功率控制裝置4 1中，第一可變電阻器4 4 具有一端接地，及另一端連接至第一放大器4 8之輸出端 。第二可變電阻器4 5具有一端連接至第一可變電阻器 4 4及第一放大器4 8之相接處，同時另一端連接至第二 放大器4 9之輸入端。連接至第二放大器4 9之輸入端之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X2.97公釐） -15- 472249 A7 B7 五、發明説明（13) 該端亦連接至光二極體4 6之陽極；其陰極接地。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第 —· 雷 射 一 極 體 4 2 具 至 P N P 電 晶 體 5 0 之 集 極 接 經 - 阻 器 5 1 至 一 電 源 通 時 y 電 源 5 2 經 由 電 阻 器 晶 體 5 0 之 基 極 連 接 至 第 過 第 * 雷 射 一 極 體 4 2 之 電 晶 體 5 0 調 節 0 同 樣 ， 第 一 雷 射 極 體 極 連 接 至 —* P N P 電 晶 體 5 之 射 極 連 接 經 * 牵 m 阻 器 5 4 極 體 4 3 通 時 電 源 5 5 經 0 P N P 電 晶 體 5 3 之 基 極 端 0 由 流 過 第 ~* 田 射 — 極 體 由 電 晶 體 5 3 調. 節 〇 爲 設 定 第 一 雷 射 一 極 體 —一 預 定 位 準 5 變 化 第 — 可 變 操 作 期 間 中 5 由 光 —. 極 體 4 發 射 之 雷 射 光 0 光 一 極 體 4 例 之 —* 電 iJli 〇 所 產 生 之 % 流 > 此 施 加 於 P N P - Pa t 晶體 5 5 0 控 制 流 至 田 射 二 極 體 之 壓 成 反 比 〇 例 如 5 如 光 一 極 產 生 更 多 之 电 流 放 大 器 使 有其陰極接地，及其陽極連接 。P N P電晶體5 0之射極連 5 2。當第一雷射二極體4 2 5 1饋送電壓於射極。P N P 一放大器4 8之輸出端。由流 流控制雷射功率。此轉而由電 4 3具有其陰極接地，及其陽 3之集極。P N P電晶體5 3 至一電源5 5。當第二雷射二 由電阻器5 4饋送電壓於射極 連接至第二放大器4 9之輸出 4 3之電流控制雷射功率，此 4 2所輸出之雷射功率位準於 電阻器4 4之電阻。在其後之 6偵測第一雷射二極體4 2所 6產生與所偵得之光強度成比 由第一放大器4 8變換爲電位 0之基極上。P N P電晶體 驅動電流，與所施加之基極電 體4 8偵得雷射強度增加，貝 用此電流來增加基極電壓，此 I---------------,玎 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 472249 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（14 ) 導致減少雷射驅動電流，從而降低雷射強度。如此，光二 極體4 6有效調節驅動電流，以保持輸出雷射強度恆定。 爲設定第二雷射二極體4 3所輸出之雷射光之功率位 準，變化並設定第二可變電阻器4 5之電阻，俾輸出在預 定位準上。在操作期間中，由光二極體4 6偵測第二雷射 二極體4 3所發射之光強度。光二極體4 6產生與所偵得 之光強度成比例之一電流。所產生之電流由第二放大器 4 9變換爲電位，此施加於P N P電晶體5 3之基極上。 P N P電晶體5 3控制流至雷射二極體之驅動電流，與所 施加之基極電壓成反比。例如，如光二極體4 6偵得雷射 強度增加，則產生更多之電流，放大器使用此電流來增加 基極電壓，此導致減少雷射驅動電流，從而降低雷射強度 。如此，光二極體4 6有效調節驅動電流，以保持輸出雷 射強度恆定。注意僅在第一可變電阻器4 4之電阻固定後 ，改變第二可變電阻器4 5之電阻。 由上述雷射功率控制裝置4 1 ，可由一單個電路分別 控制由二雷射二極體4 2，4 3所輸出之功率。故此，與 每一雷射二極體設置獨立之雷射功率控制裝置之安排相較 ，可減小裝置體積。此亦由減少組成件之數’減少生產成 本。 如第一及第二雷射二極體4 2，4 3構製於一單石單 位中，則第一及第二雷射二極體4 2，4 3相互極爲接近 。如此極難設置每一雷射二極體之個別光強度偵測裝置。 在此雷射功率控制裝置4 1中，由第一雷射二極體4 2及 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •丨装. -訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -17- 472249 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（15 ) 第二雷射二極體4 3所輸出之光強度之偵測由一單個光二 極體4 6應付。單個光二極體之此使.用使第一及第二雷射 二極體4 2，4 3可單石構製於一單個晶片中。 在雷射功率控制裝置1中，依據本發明之第一實施例 ，獨立執行由第一可變電阻器2 4控制第一雷射二極體 22之輸出及由第二可變電阻器2 5控制第二雷射二極體 2 3之輸出。在雷射功率控制裝置2 1中，依據本發明之 第二實施例，亦獨立執行由第一可變電阻器2 4控制第一 雷射二極體2 2之輸出及由第二可變電阻器2 5控制第二 雷射二極體2 3之輸出。然而，在雷射功率控制裝置4 1 中，依據本發明之第三實施例，第一雷射二極體4 2之輸 出設定及第二雷射二極體4 3之輸出設定並非完全獨立。 可變電阻器4 4及4 5合倂，故需在第一雷射二極體4 2 之輸出設定後，方設定第二雷射二極體4 3之輸出。如此 ，控制第一雷射二極體2 2之輸出及第二雷射二極體2 3 之輸出於所需之位準上。 以下參考圖4，說明本發明之雷射功率控制裝置之第 四實施例。此雷射功率控制裝置6 1控制由一第一雷射二 極體6 2作爲第一光源所發射之雷射光，及由一第二雷射 二極體6 3作爲第二光源所發射之雷射光。控制第一雷射 二極體6 2及第二雷射二極體6 3，以產生同時操作。 此雷射功率控制裝置6 1包含一第一可變電阻器6 4 與第一雷射二極體6 2關連，一第二可變電阻器6 5與第 二雷射二極體6 3關連，一功率監視光二極體6 6與第一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -18 - 472249 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 Μ Β7五、發明説明（16) 及第二雷射二極體6 2，6 3關連，及一自動光量控制放 大器6 7用以控制雷射光輸出，俾使第一及第二雷射二極 體6 2，6 3所發射之雷射光輸出恆定不變。 自動光量控制放大器6 7包含一第一放大器6 8用以 保持由第一雷射二極體6 2所發射之雷射光之尖峰強度恆 定，及一第二放大器6 9用以保持由第二雷射二極體6 3 所發射之雷射光之尖峰強度恆定。 在此雷射功率控制裝置6 1中，第一可變電.阻器6 4 具有一端接地，及另一端連接至第一及第二放大器6 8 ， 6 9之輸出端。同樣，第二可變電阻器6 5具有一端接地 ，同時具有其另一端連接至第一及第二放大器6 8 ，6 9 之輸入端。連接於第一及至第二放大器6 8，6 9之輸入 端上之第一及第二變電阻器6 4，6 5之端亦連接至光二 極體6 6之陽極，其陰極接地。 第一雷射二極體6 2具有其陰極接地，及其陽極連接 至一 P N P電晶體7 0之集極。P N P電晶體7 0之射極 連接經一電阻器7 1至一電源7 2。當第一雷射二極體 6 2通時，電源7 2經由電阻器7 1饋送電壓於射極。 PNP電晶體7 0之基極連接至第一放大器6 8之輸出端 。由流過第一雷射二極體6 2之電流控制雷射輸出，此轉 而由電晶體7 0調節。 同樣’第二雷射二極體6 3具有其陰極接地，及其陽 極連接至P N P電晶體7 4之集極。P N P電晶體7 4之 射極連接經一電阻器7 5至一電源7 6。當第二雷射二極 本紙張尺度適财賴家縣（CMS ) A4^ ( 21GX297公釐)~ ' -19- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 装. 、言 472249 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（17) 體6 3通時，電源7 6經由電阻器7 5饋送電壓於射極。 p N P電晶體7 4之基極連接至第二放大器6 9之輸出端 。由流過第二雷射二極體6 3之電流控制雷射輸出，此由 電晶體7 4調節。 爲設定第一雷射二極體6 2所輸出之雷射功率位準於 一預定位準，變化第一可變電阻器6 4之電阻。在其後之 操作期間中，由光二極體6 6偵測第一雷射二極體6 2所 發射之雷射光。光二極體6 6產生與所偵測之光強度成比 例之一電流。所產生之電流由第一放大器6 8變換爲電位 ，此施加於P N P電晶體7 0之基極上。P N P電晶體 7 0控制流至雷射二極體之驅動電流，與所施加之基極電 壓成反比。例如，如光二極體6 6偵得雷射強度增加，貝ij 產生更多之電流，放大器使用此電流來增加基極電壓，此 導致減少雷射驅動電流，從而降低雷射強度。如此，光二 極體6 6有效調節驅動電流，以保持輸出雷射強度恆定。 爲設定第二雷射二極體6 3所輸出之雷射光之功率位 準，變化並設定第二可變電阻器6 5之電阻，俾輸出在預 定位準上。在操作期間中，由光二極體6 6偵測第二雷射 二極體6 3所發射之光強度。光二極體6 6產生與所偵得 之光強度成比例之一電流。所產生之電流由第二放大器 6 9變換爲電位，此施加於P N P電晶體7 4之基極上。 PNP電晶體7 4控制流至雷射二極體之驅動電流，與所 施加之基極電壓成反比。例如，如光二極體6 6偵得雷射 強度增加，則產生更多之電流，放大器使用此電流來增加 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 472249 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（18 ) 基極電壓’此導致減少雷射驅動電流，從而降低雷射強度 。如此，光一.極體6 6有效調節驅動電流，以保持輸出雷 射強度恆定。 由上述雷射功率控制裝置6 1 ，可由一單個電路分別 控制由二雷射一極體6 2 ’ 6 3所輸出之功率。故此，與 每一雷射二極體設置獨立之雷射功率控制裝置之安排相較 ，可減小裝置體積。此亦由減少組成件之數，減少生產成 本。 如第一及第二雷射二極體6 2，6 3構製於一單石單 位中，則第一及第二雷射二極體6 2 ，6 3相互極爲接近 «如此極難設置每一雷射二極體之個別光強度偵測裝置。 在此雷射功率控制裝置6 1中，由第一雷射二極體6 2及 第二雷射二極體6 3所輸出之光強度之偵測由一單個光二 極體6 6應付。單個光二極體之此使用使第一及第二雷射 二極體6 2 ’ 6 3可單石構製於單個晶片中。 在雷射功率控制裝置6 1中，依據本發明之第四實施 例，由於二電阻器並聯，故第一可變電阻器6 4及第二可 變電阻器6 5之電阻値相互影響。故此，如改變第一可變 電阻器6 4之電阻値，以改變第一雷射二極體6 2之輸出 設定，則第二雷射二極體6 3之輸出設定隨之改變。同樣 ，如改變第二可變電阻器6 5之電阻値，以改變第二雷射 二極體6 3之輸出設定，則第一雷射二極體6 2之輸出設 定隨之改變。如此，第一雷射二極體6 2之輸出設定不能 與第二雷射二極體6 3獨立控制。故此，需考慮第一及第 |»^—· ^^^1 «^1— —^n HI i i n c請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 良 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 472249 A7 ___ B7 五、發明説明（19) 二可變電阻器6 4，6 5二者之電阻値，俾第一雷射二極 體6 2及第二雷射二極體6 3之輸出在其所需之位準上。 以下說明一種光學記錄及/或再生裝置8 0，使用裝 有上述雷射功率控制裝置之一光學頭。參考圖5 ，光學記 錄及/或再生裝置8 0包含一轉動馬達5 ，用以轉動驅動 光碟8 1 A，8 1 B ; —光學頭8 3用以照射雷射光於光 碟8 1 A，8 1 B上，及用以記錄及/或再生資訊；及一 進給馬達8 4用以沿光碟8 1 A，8 1 B之半徑.上進給光 學頭8 3。光學記錄及/或再生裝置8 0亦包含一數據機 8 5用以執行預定之調變/解調操作，一驅動控制電路 8 6用以伺服控制光學頭8 3 ，及一系統控制器8 7用以 執行整個系統控制。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1^1- mi .mf »i^i ^1^1- n^i ^ϋΜ·— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 光學記錄及/或再生裝置8 0可使用二種光碟，供記 錄及/或再生之用。二種光碟各需要一不同之雷射。選擇 置苐一光碟8 1 A或第二光碟8 1 B於轉動馬達8 2上， 並從而轉動。例如，第一光碟8 1 A能以較第二光碟 8 1 B爲局之幣度記錄貧訊。此較局密度之資訊可由雷射 光通過透明基體而照射於資訊記錄表面上加以寫入或讀出 ，基體具有板厚度在約1 . 2 m m。 轉動馬達8 2由驅動控制電路8 6驅動，並以預定_ 度轉動。即是，作爲記錄媒體之光碟8 1 a ，8 1 b由轉 動馬達8 2頂住’並由驅動控制電路8 6所驅動之轉動馬 達8 2以預定速度轉動。 當記錄及/或再生資訊信號時，光學頭8 3照射·胃射. 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公貉） -22- 472249 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（20) 光於轉動光碟8 1 A，8 1 B上，並偵測反射回之光。光 學頭8 3具有二雷射二極體，各具有不同之掁盪波長，且 構造在應付二種光碟。光學頭8 3連接至數據機電路。當 再生資訊信號時，雷射光照射於轉動光碟8 1 A，8 1 B 上’及自光碟反射回之還回光讀出回放信號。如此所讀出 之回放信號輸送至數據機8 5。當記錄資訊信號時，由外 部電路8 8所輸入之記錄信號由數據機8 5以預定之方式 調變，並输送至光學頭8 3，此然後由調變雷射光照射光 碟8 1八’8 113，記錄資訊信號。 光學頭8 3連接至驅動電路8 6 ，在記錄及/或再生 資訊信號之期間中，由轉動光碟8 1 A，8 1 B反射回之 光產生聚焦誤差信號及追蹤誤差信號。此等誤差信號然後 輸送至驅動控制電路8 6。 數據機8 5連接至系統控制器8 7及外部電路8 8。 當記錄資訊信號於光碟8 1 A，8 1 B上時，由系統控制 器8 7控制數據機8 5，俾由外部電路8 8發送信號於其 上。所供應之信號然後經調變並輸送至光學頭8 3。數據 機8 5亦由系統控制器8 7控制，俾自光碟8 1 A， 8 1 B讀出之回放信號由光學頭8 3輸送至數據機8 5， 此然後對讀出之信號解調。由數據機8 5解調之回放信號 然後由數據機8 5輸出至外部電路8 8。 進給馬達8 4構造在置光學頭8 3於與光碟8 1 A ’ 8 1 B相關之預定位置。此進給馬達8 4連接至驅動控制 電路8 6 ，且其驅動操作由驅動控制電路控制。驅動控制 m· —^f n^i» 1 ί^ϋ ^^^1 mu ^^^1 111 ^^^1- —^1 Γ Jr 沐 、\兵 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐〉 -23- 472249 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（21 ) 電路8 6亦連接至轉動馬達8 2，且由系統控制器8 7控 制。如此，在記錄及/或再生資訊信號之期間中，驅動控 制電路8 6控制轉動馬達8 2之驅動，俾光碟8 1 A， 8 1 B以預定速度轉動。 驅動控制電路8 6亦連接至光學頭8 3。在記錄及/ 或再生資訊信號之期間中，聚焦誤差信號及追蹤誤差信號 供應至驅動控制電路8 6 ，俾對光學頭8 3執行聚焦伺服 及追蹤伺服操作。聚焦伺服及追蹤伺服操作由驅動一雙軸 致動器執行，適於驅動及移動光學頭8 3上所設置之一對 物透鏡。 上述光學記錄及/或再生裝置使用圖6 - 8所示之光 學頭8 3。此光學頭8 3可使用二種不同之光碟。此等光 爲第一及第二光碟8 1A，8 1B。選擇使用第一及第二 光碟8 1 A，8 1 B，以執行記錄及/或再生資訊信號之 方式顯示於圖6。 本發明之光學頭8 3之構造在使光學整合裝置1 0 4 中所含之雷射光源所發射之雷射光透射通過一準直透鏡 105，一孔徑106，及一對物透鏡107而至光碟 8 1 A，8 1 B。由光碟8 1 A，8 1 B反射回之光然後 通過準直透鏡1 〇 5，孔徑1 0 6，及對物透鏡1 0 7而 入射於光學整合裝置1 0 4上。 光學整合裝置1 〇 4包含一光偵測器用以偵測第一光 碟之雷射源之信號，一光偵測器用以偵測第二光碟上雷射 源之信號，及一光偵測器用以監視功率。此等元件整合於 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 472249 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（22) 一單個包裝中’其方式以後述之。在光學整合裝置1 〇 4 中’構成各別雷射源之半導體雷射二極體沿光碟8 1 A， 8 1 B之半徑上相隔約1 〇 〇微米安排。此二半導體雷射 二極體在系統控制器8 7之控制下對光碟8 1 A，8 1 B 獨立操作。由獨立驅動二半導體雷射二極體，光學整合裝 置1 0 4選擇照射與光碟8 1 A或8 1 B相關之一波長之 雷射光’並偵測由與該光碟相關之一信號偵測光偵測器所 還回之光。由每一半導體雷射二極體所發射之雷射光落於 功率監視光二極體上，此使雷射功率控制裝置能控制雷射 功率。 準直透鏡1 0 5變換由光學整合裝置1 0 4所發射之 雷射光爲準直光束。準直透鏡1 〇 5與光學整合裝置 1 0 4相對安排，俾準直透鏡之光軸與第一光碟8 1 A之 雷射光之光軸重合，但偏離第二光碟8 1 B之雷射光之光 軸。 孔徑1 0 6爲圓形孔，構製於具有介質薄膜之一透明 板構件中，此作用如波長過濾器。用作過濾器之孔徑 1 0 6適於阻止第一光碟8 1 B用之7 8 0 n m雷射波長 ，並透射第一光碟8 1 A用之6 5 0 n m雷射波長。如此 構造之孔徑1 0 5用以修整7 8 0 n m雷射波長之波束形 狀至由開口之大小所決定之光束直徑。如此，7 8 0 n m 雷射光以經修整之光束形狀傳播，而第一光碟8 1 A用之 6 5 0 n m之雷射光則光束形狀不改變傳播。 對物透鏡1 0 7爲非球形透鏡，例如由透明合成樹脂 II----------%-----—ΐτ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25- 472249 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（23) 注入模鑄製造。由合理選擇構成透鏡之苯乙烯樹脂之折射 率，對物透鏡1 0 7聚集入射於其上之第一及第二波長之 光成爲大致準直光束。該光然後傳播於所關連之光碟 8 1 A或8 1 B之信號記錄表面上。即是’對物透鏡 Γ ◦ 7構成所關連之第一及第二光碟8 1 A ’ 8 1 B之雙 焦透鏡。 對物透鏡1 0 7由一追蹤控制致動器1 〇 8 A支持’ 俾沿第一及第二光碟8 1 A，8 1 B之半徑上移動。發生 追蹤控制，俾當反應追蹤誤差信號T E而驅動追蹤控制致 動器1 0 8 A時，雷射光掃描光碟8 1 A或8 1 B之預定 軌道。對物透鏡1 0 7亦由一聚焦控制致動器1 0 8 B支 持，用以沿雷射之光軸移動。發生聚焦控制，俾當反應聚 焦誤差信號F E而驅動聚焦控制致動器1 〇 8 B時，雷射 光聚焦於光碟8 1 A或8 1 B之信號記錄表面上。 光學頭8 3設有一矩陣處理電路1 0 9 ，用以對由光 學整合裝置1 0 4之信號偵測光偵測器所接收之反射光執 行矩陣處理。此電路反應追蹤誤差量之改變而產生追蹤誤 差信號T E，反應聚焦誤差量之改變而產生聚焦誤差信號 ，及反應光碟上記錄標記（例如坑串）之改變而產生回放 信號。矩陣處理電路1 0 9產生追蹤誤差信號，此與碟型 式無關。 參考圖7 A及7 B，更詳細說明光學整合裝置1 〇 4 。光學整合裝置1 0 4爲半導體基體1 1 7所構成，其上 構製光學系統1 1 6。半導體基體1 1 7 ..丨二攜帶信號偵測 I-----------^--------訂-----I 1. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -26- 472249 A7 B7 五、發明説明（24 ) 光偵測器 1 2 5 A，1 2 5 B，1 2 6 A，及 1 2 6 B。 光學系統1 1 6包含一棱鏡1 1 4，第一及第二半導體雷 射二極體1 1 5 A，1 1 5 B，及功率監視光偵測器 1 3 0用以控制半導體雷射二極體1 1 5 A，1 1 5 B之 雷射功率。光學系統116置於包裝118內並接線，並 由一玻璃蓋1 1 9密封，成一透明密封構件。 第一半導體雷射二極體1 1 5 A及第二半導體雷射二 極體1 1 5 B沿光碟8 1 A，8 1 B之半徑上相互分開約 1 ◦ 0微米。來自第一及第二二極體二者之雷射光向稜鏡 1 1 4發射。雖第一及第二半導體雷射二極體1 1 5A， 1 1 5 B分開顯示爲不同波長之二光發射源，但亦可整合 二光發射點於-晶片上，成爲一晶片二波長發送雷射單位 0 功率監視光偵測器1 3 0在與稜鏡1 1 4相對之第一 及第二半導體雷射二極體1 1 5 A，1 1 5 B方。如此， 光二極體接收由第一及第二半導體雷射二極體1 1 5 A， 1 1 5 B之背面所發射之雷射光。根據由此功率監視光偵 測器1 3 0所接收之雷射光之偵測結果，第一及第二半導 體雷射二極體1 1 5 A，1 1 5 B由上述第一至第四實施 例所示之雷射功率控制裝置設定於各別預定之功率位準。 在設定預定之功率位準後，控制輸出，俾雷射功率位準恆 定。 在本實施例中，第一及第二半導體雷射二極體 1 1 5 A，1 1 5 B安排相互接近，故宜使用一單個光偵 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X29"7公釐） ------------装-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、tT - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27- 472249 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明説明（25 ) 測器作爲該二二極體之功率監視光偵測器1 3 0。 稜鏡1 1 4爲一光學組成件，用以分離入射於光碟 8 1 A，8 1 B上之雷射光，且構造成大致平行六面體’ 具有一斜表面在其一側面上。棱鏡1 1 4反射雷射光離開 其斜表面而至準直透鏡1 0 5。由光碟反射之光沿反向光 徑路傳播，並還回入射於斜表面上，並進入稜鏡。注意還 回之光落於較低之棱鏡表面（以下稱爲前面）上之一特定 位置上，約5 0 %之入射光透射通過此面，其餘.5 0 %反 射回至上稜鏡表面。爲此，稜鏡1 1 4有蒸氣沉積之鏡表 面在其上表面上。如此，反射光此時再反射離開鏡上表面 而回至下表面。此二次反射光然後入射於下表面（此後稱 爲後面）上之一不同點上，並透射通過該表面。此等表面 確保第一·次透射通過下稜鏡表面之光之強度約等於透射通 過下稜鏡表面之二次反射光之強度。 在半導體基體117上自光碟還回之第一雷射光及第 二雷射光所降落之此等部份上，分別構製有第一光碟 8 1 A用之信號偵測光偵測器1 2 5 A，1 2 6 A，及第 二光碟8 1 B用之信號偵測光偵測器1 2 5 B，1 2 6 B 。光偵測器1 2 6 A，1 2 6 B向後面安排。圖8顯示此 等光偵測器之安排。選擇半導體雷射二極體11 5A， 1 1 5 B之朝向及稜鏡1 1 4之大小，俾由光碟反射.並透 射通過稜鏡114之光形成於半導體基體117上之光束 點形狀大致爲分別在後面及前面上之一焦線及一橢圓（具 有長軸在垂直於後面之焦線之延長線上之方向）之形狀。 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS〉A4规格（210X297公釐） " -28- I -- ---------4----^----、玎 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 472249 A7 B7 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 五、發明説明（26 ) 大致爲方形輪廓之第二光碟8 1 B用之光偵測器 1 2 5 B ，1 2 6 B沿圓周上，並在第二光碟8 1 B之正 切方向上並列安排。此等沿第二光碟8 1 B之徑向上由延 伸於圓周正切方向上之一分隔線相互分開。形成於每一光 接收表面上之光束點沿第二光碟8 1 Β之半徑上分割爲四 節段。外前面光接收表面由參考元件m及Ρ標示。內前面 光接收表面由參考元件η及〇標示。外後面光接收表面由 參考元件Q及t標示。內後面光接收表面由爹考.兀件Γ及 S標示。 第一光碟8 1 B用之光偵測器1 2 5 A，1 2 6 A亦 大致爲方形輪廓。並沿圓周上並在第一光碟8 1 A之正切 方向上並列安排。後面光偵則器1 2 6 A構造與第二光碟 8 1 B之後面光偵測器1 2 6 B相似。然而，前面光偵測 器1 2 5 A具有光接收表面沿光碟之圓周正切方向上分割 爲二節段，但其他與第二光碟8 1 B之前面光偵測器 1 2 5 B相似。朝向前面內面及斜表面由參考元件b及c 標示。朝向前面之外面及遠離斜表面之面由元件符號e及 h標元。朝向前面之內面及遠離斜表面之面由參考元件f 及g標示。朝向後面之外面由參考元件i及1標示。朝向 後面之內面由參考元件j及k標示。 由參考元件a - t所標示之此等各種光接收表面各量 度由光碟8 1 A或8 1 B所反射之光束點之一不同節段/ 郃份之強度。半導體基體1 1 7處理由此等光接收表面所 &收之光’使用電流至電壓變換及算術演算，以輸出結果 本紙張尺度適用中關家標準（CNS ) A4胁（2lGxm公釐） I n I *^^ 土衣 . ~ 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -29 - 472249 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（27) 信號。矩陣處理電路1 0 9處理此等輸出信號，以產生追 蹤誤差信號及聚焦誤差信號，如以後所述。 對光碟8 1 A，由D — 3 D F (微分3分聚焦）方法 產生聚焦誤差信號F E A，由D P D (微分相位偵測）方法 產生追蹤誤差信號TEa，及讀出之信號RFa爲表面a至 1之和，如分別顯示於等式1 - 3。在此等等式中，符號 a至1代表由元件a至1所偵得之光所產生之電流。 FEA = (a + b + d + h + j + k)-(b + f+c + g + i + l) 等式 1 TEA = (a + b + g + h)-(c + d + e + f) 等式 2 RFA = (a + b + c + d + e + f+g + h + i+j+k + l) 等式 3 對光碟8 1 B ，由D - 3 D F方法產生聚焦誤差信號 F Eb，由推挽方法產生追蹤誤差信號T Eb，及讀出之信 號R F b爲表面m至t之和，如分別顯示於等式4 一 6。在 此等等式中，符號m至t代表由元件m至t所偵得之光所 產生之電流。 FEb二（m + p + r + s)-(n + o + q + t) 等式 4 TEb二（m + n + s + t)-(o + p + q + r) 等式 5 RFB = (m + n + o + p + q + :r + s + t) 等式 6 光學整合裝置1 0 4可由安排各別組成件，諸如稜鏡 1 1 4，第一及第二半導體雷射二極體1 1 5 A， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) b τ t 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） -30 - 472249 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7______ 五、發明説明（28 ) 1 1 5 B，及功率監視光二極體1 3 0於半導體基體 1 1 7上，而包裝於具有高位置精確度之小巧體積中。可 由適當安排功率監視光偵測器1 3 〇與二雷射二極體 1 1 5 A，1 1 5 B之關係，有效利用本發明之雷射功率 控制裝置》 包含本發明之光學頭在內之光學記錄及/或再生裝置 8 〇具有在不同掁盪波長上之二雷射二極體。如此能操作 於需要不同波長之雷射光之二種光碟上。即是，.本發明不 獨可選擇記錄及/或再生二種光碟之資訊信號，且亦有效 使用不同波長之雷射光束，對單一種光碟執行不同之記錄 及再生操作。 由本發明（其中，裝於光學頭8 3上之二雷射二極體 之輸出由一雷射功率控制裝置控制），由多個雷射二極體 所輸出之雷射光功率可由一單個電路分別控制。如此，由 本發明之光學記錄及/或再生裝置8 0 ，整個系統之包裝 可較之每一雷射二極體各設有一功率控制裝之包裝爲小。 而且，組成件數可減少，從而生產成本降低。故此，依據 本發明（其中，多個雷射源可由單個雷射功率控制裝置控 制）’使用此裝置之系統較之現行系統減小體積，組成件 數，生產成本。 故此，可見有效達成上述目的以及由上述可明瞭之其 他目的’且由於以上方法及所述之結構可作某些改變，而 不脫離本發明之精神及範圍，故此，上述所含及附圖所示 之所有事項應解釋爲實例，且無限制意味。 -------,---d-------訂------t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -31 -

Claims (1)

1. 472249 經濟部智慧財ISM工消費合作社印製 A8 B8 C8 __ D8六、申請專利範圍 1 . 一種用以控制由多個雷射源所發射之各別雷射光 束之輸出之雷射功率控制裝置’包含： 多個可變電阻器，與多個雷射源相對應，每一可變電 阻器之電阻値可改變’以設定由對應之雷射源所發射之雷 射光束之輸出功率於一預定位準； 一單個光偵測器，用以偵測由多個雷射源所發射之雷 射光束之輸出功率；及 一輸出穩定器，用以根據所偵得之輸出功率，維持由 雷射源所發射之雷射光束之輸出功率恆定於該預定位準上 〇 2 .如申請專利範圍第1項所述之雷射功率控制裝置 ，另包含多個開關分別連接至多個可變電阻器；開關構造 在設定雷射光束之輸出功率，俾僅與設定中之雷射源相對 應之可變電阻器可操作上連接至該雷射二極體’而其餘之 可變電阻器則浮懸。 3 .如申請專利範圍第2項所述之雷射功率控制裝置 ’其中，多個開關另構造在當控制雷射光束之輸率時’僅 與控制中之雷射源相對應之可變電阻器可操作上連接至該 雷射二極體，同時其餘之可變電阻器則浮懸。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之雷射功率控制裝置 ’其中’多個可變電阻器與光偵測器並聯。 5 .如申請專利範圍第1項所述之雷射功率控制裝置 ’其中’多個可變電阻器與光偵測器串連。 6 .如申請專利範圍第1項所述之雷射功率控制裝置 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家操準（CNS) A4規格（210X297公釐） 32- 472249 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財是工消費合作社印製 六、申請專利範圍 ，其中，該輸出穩定器包含與雷射源相對應之控制放大器 〇 7 . —種光學頭，包含： 多個雷射源； 一光學單位，用以傳播由多個雷射源所發射之雷射光 束至記錄媒體； 一光接收器，用以接收由記錄媒體所反射之還回光； 一功率控制器，用以控制由多個雷射源所發射之雷射 光束；該功率控制器包含與多個雷射源相對應之多個可變 電阻器；每一可變電阻器之電阻値可改變，以設定由對應 雷射源所發射之雷射光束之輸出功率於一預定位準； 一光偵測器，用以偵測由多個雷射源所發射之雷射光 束之輸出功率；及 一輸出穩定器，用以根據所偵得之輸出功率’維持由 雷射源所發射之雷射光束之輸出功率於預定位準° 8 ·如申請專利範圍第7項所述之光學頭，另包含多 個開關，分別連接至多個可變電阻器；開關構造在設定雷 身寸光束之輸出功率，俾僅與設定中之雷射源相對應之司變 電阻器方可操作上連接至雷射二極體，同時其餘可變電阻 器浮懸。 9 .如申請專利範圍第8項所述之光學頭’其中’多 個開關另構造在當控制雷射光束之輸功率時，僅與控制中 之雷射源相對應之可變電阻器可操作上連接至該雷射二極 體，同時其餘之可變電阻器則浮懸。 --------------裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -33- 472249 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財/ί、^Μ工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 〇 .如申請專利範圍第7項所述之光學頭，其中， 多個可變電阻器與光偵測器並聯。 1 1 .如申請專利範圍第7項所述之光學頭，其中， 多個可變電阻器與光偵測器串連。 1 2 .如申請專利範圍第7項所述之光學頭，其中， 該輸出穩定器包含與雷射源相對應之控制放大器。 1 3 .如申請專利範圍第7項所述之光學頭，其中， 多個雷射源各發射一不同波長之雷射光束。 1 4 .如申請專利範圍第7項所述之光學頭，其中， 多個雷射源相互密切接近安排。 1 5 .如申請專利範圍第7項所述之光學頭，其中， 多個雷射源，光接收器’及光偵測器整合於一單個基體上 0 1 6 .如申請專利範圍第1 5項所述之光學頭，其中 ，光偵測器及多個雷射源分別置於與光接收器相對之側。 1 7 . —種用以在光學記錄媒體上記錄資訊及或再生 資訊之光學記錄及/或再生裝置，包含： 多個雷射源； 一光學單位，用以傳播由多個雷射源所發射之雷射光 束至記錄媒體； --光接收器，用以接收自光記錄媒體所反射之還回光 ) 一驅動器，用以轉動驅動光學記錄媒體；及 .一雷射功率控制裝置，用以控制由多個雷射源所發射 本紙張尺度適用中國國家標準（C:NS ) Α4規格（210Χ297公釐） Μ—---------^------ir------,^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -34- 472249 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 之各別雷射光束之輸出，包含： 多個可變電阻器，與多個雷射源相對應；每一可變電 阻器之電阻値可改變，以設定由對應之雷射源所發射之雷 射光束之輸出功率於一預定位準； 一光偵測器，用以偵測由多個雷射源所發射之雷射光 束之輸出功率；及 一輸出穩定器，用以根據所偵得之輸出功率，維持由 雷射源所發射之雷射光束之輸出功率恆定於該預定位準上 〇 1 8 .如申請專利範圍第1 7項所述之光學記錄及/ 或再生裝置，另包含多個開關分別連接至多個可變電阻器 ;開關構造在設定雷射光束之輸出功率，俾僅與設定中t 雷射源相對應之可變電阻器可操作上連接至該雷射=®體: ，同其餘之可變電阻器則浮懸。 1 9 ·如申請專利範圍第1 8項所述之光學記錄及/ 或再生裝置，其中，多個開關另構造在當控制雷射光束之· 功率時，僅與控制中之雷射源相對應之可變電阻器可'操作 上連接至該雷射二極體，同時其餘之可變電阻器則浮胃° 經濟部智慧財是A工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 0 .如申請專利範圍第1 7項所述之光學記錄及/ 或再生裝置，其中，多個可變電阻器與光偵測器並聯° 2 1 .如申請專利範圍第1 7項所述之光學記錄及/ 或再生裝置，其中，多個可變電阻器與光偵測器串連° 2 2 .如申請專利範圍第1 7項所述之光學記錄及/ 或再生裝置，其中，該輸出穩定器包含與雷射源相對M t

   本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -35- 472249 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 控制放大器。 2 3 .如申請專利範圍第1 7項所述之光學記錄及/ 或再生裝置，其中，多個雷射源各發射一不同波長之雷射 光束。 -------1------裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財-Α·'Η工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國圃家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） -36-