TW469558B - Circuit and method to externally adjust internal circuit timing - Google Patents

Circuit and method to externally adjust internal circuit timing Download PDF

Info

Publication number
TW469558B
TW469558B TW086119343A TW86119343A01A TW469558B TW 469558 B TW469558 B TW 469558B TW 086119343 A TW086119343 A TW 086119343A TW 86119343A01 A TW86119343A01 A TW 86119343A01A TW 469558 B TW469558 B TW 469558B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
signal
circuit
test mode
output
patent application
Prior art date
Application number
TW086119343A
Other languages
English (en)
Inventor
Hing Wong
Toshiaki Kirihata
Bozidar Krsnik
Original Assignee
Siemens Ag
Ibm
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag, Ibm filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of TW469558B publication Critical patent/TW469558B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/30Marginal testing, e.g. by varying supply voltage
    • G01R31/3016Delay or race condition test, e.g. race hazard test

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

46 95 5 8 A7 B7 五、發明説明( > 式下 模式 業模 ch UBT 作種 的一 路那 電在 體會 積路 定電 決體 以積 式定 楔決 試以 潮號 用信 使式 ,模 式試 模測 試供 測提 及 , 位的 低輯 的邏 輯在 邏落 在號 落信 號式 信模 式認 模測 試於 測而 於 , 路作 電操 體式 積模 , 常 如正 例以 , 會 作時 操準 常的 正出 在導 落號 件信 元部 路内 電由 體序 積時 當的 ,號 作信 操制 式控 模部 試内 M, 以時 會式 時模 準業 位作 高的 時 , 的的 號出 信導 制號 控信 部部 内外 , 的 時上 式銷 模針 試部 測外 在之 落路 件電 元體 路積 電於 體供 積提 當 由 ,序 而 式 模 試 測 由 經 以 可 序 時 的 號 信 制 控 部 内 > 。明 式整說 方調蜇 -I 7J SH «搿辯 這外式 以作圔 示 \ϊ 甩 : 圖中 附其 所 , 照解 參 了 可的 將好 點更 優致 及獲 、 明 念說 概細 、詳 的的 目明 他發 其本 及對 述下 前 以 而 電 制 控 的 制 控 部 外 供 提 號 信 部 内 為 能 是 的 示 ; 顯圖 誦塊 1 方 第的 路 外 供 提 序 時 啓 開 一了 及 器 大 放 ·’ 測圖 感塊 為方 Ώτ IB 是路 勺 i 示制 顯控 _ 的 2 制 第控 部 画 序 時 的 業 作 路 電 之 中 。 圔 統 2 糸 第 腦 繪 電 描 種 以 一 用 是 係 的 圓 示 3Β顯 及及圖 3 以 4 第;第 示 部力一 外能有 用的中 利序 以時 義號 定信 的部 式内 模制 試控 测 0 關序 有時 俗的 明號 發信 本部 ,内 述制 所控 前去 如制有 控會 明 發 本 的 巨 之 繪 描 了 為 0 計 設 的 路 獨 於 利 本紙张尺度迖州十闽阄冢掠卒(CNS ) MML格(2丨0X 297公釐) (讀先閱讀背面之注意事項再楨,V?本页 装- --0 469558 A7 B7 五、發明説明 ( 了 ) 1 1 (未圖示)所 産 生 的 0 潮 試 楔 式 信 號 2 5 會 退 活 化 S A計 時 器 1 1 並 觸 發 m 試 模 式 電 路 2 0 而 允 許 從 外 部 潮 試 信 號 有 效 地 1 1 導 出 測 試 模 式 電 路 2 0 的 輸 出 2 3 〇 外 部 測 試 信 號 提 供 於 i气 1 先 諸 如 C Λ s的外部針銷上。 因為使用C AS針 銷 故 將 潮 試 信 號 閱 1 讀 1 1 標 示 為 T Η —C C S L E (使ϋ 辑試 i 5 7 C AS _針銷選擇線能動作) 背 1 | 0 雖 然 作 描 繪 之 用 下 * S C 電 路 4 中 所 使 用 的 外 計 針 銷 是 之 I 與 S C 電 路 3 中 的 外 部 針 銷 不 相 同 ί 但 曰 疋 它 們 不 必 曰 疋 不 相 事 項 功 1 1 同 的 〇 不 過 ) 使 用 不 同 的 外 部 控 制 針 銷 會 有 利 地 為 m 試 裝 本 模 式 提 供 獨 立 的 控 制 〇 如 圖 所 示 * 測 試 模 式 信 號 電 路 2 0 JJ 1 1 包 括 有 反 相 器 17及 Ν Λ N D 閘 1 e 〇 由 於 測 試 模 式 信 號 是 呈 動 1 ! 作 中 低 位 準 的 信 號 * 故 使 用 反 相 器 以 便 將 信 號 切 換 成 髙 ί 丨 位 準 〇 因 此 » 當 Τ Η _ccs LE及 測 試 模 式 信 號 都 是 動 作 中 時 ( 1 訂 1 J NASD 閘 1 C 的 輪 出 便 呈 低 位 準 〇 將 來 白 測 試 模 式 及 正 常 模 式 信 號 路 徑 30及 2 2 的 輪 出 信 1 I 號 送 進 例 如 是 ΝΑΟ 閘 的 選 擇 電 輅 18 D m 擇 雷 路 1 8 s£fr 曰 産 生 1 I 控 制 S A 作 業 的 Co 1 一 使 能 動 作 信 號 4 1 〇 C 〇 1 _ 使 能 spf, 動 作 信 號 ί 是 導 S 那 痼 時 刻 受 到 活 化 的 倍 號 路 徑 〇 依 此 3 S C 電 路 4 I 使 Co 1 一 使 能 動 作 信 號 的 時 序 能 動 作 以 便 接 受 外 部 信 號 的 1 1 控 制 〇 ! [ 於 替 代 的 實 施 例 中 > m 擇 電 路 1 5及 / 或 1 8包 括 用 以 選 1 I 擇 將 要 以 測 試 模 式 信 號 當 作 選 擇 信 號 導 白 測 試 或 正 常 模 1 I 式 信 號 之 輪 出 信 號 的 解 碼 電 路 〇 以 解 碼 電 路 實 現 選 擇 電 1 1 路 會 排 除 以 m 試 模 式 信 m 控 制 計 時 電 路 及 潮 試 模 式 電 路 1 I 的 需 要 〇 1 1 以 下 將 參 照 分 別 為 正 常 模 式 作 9 - 菜 及 测 試 模 式 作 業 之 時 1 1 1 1 本紙浓尺( CNS ) Λ4Α)ί格(210X297公釐) 95 5 8 Α7 Β7 五、發明説明) 個實施例是依提供測試模式以便對於DRAH積體電路内操 作感测放大器及行的信號作外部控制的内容而加以説明 的。 第1圖偽根據本發明之控制電路1的描繪用方塊圖。 控制電路1具有兩個作業模式亦即正常及潮試模式。於 正常模式中,是使用正常信號路徑以控制内部信號40的 時序正常信號路徑包括藉由内部信號21活化並産生輪 出信號31的子電路5。子電路5是例如像用來對輸入産 生經延遲輸出的計時之類的延遲電路,於測試模式中, 是使用潮試信號路徑以控制内部信號4 0的時序,而測試 信號路徑則包括有子電路1 0。 為了將控制電路切換成測試模式,偽將測試模式信號 提供給電路1Q以活化測試楔式信號路徑。也和子電路5 锶合的測試模式信號會因使子電路5失能而退活化正常 模式的信號路徑。藉由活化試模式信號路徑,而從外部 信號26導出子電路1Q的輪出信號31。外部信號是提供於 積體電路的外部針銷上。用以提供外部信號的可能外部 針銷扮演著與正常模式不同的功能。可替代地,外部針 銷可定義成僅供測試模式的功能使用。當然積體電路的 任何外部針銷都能用來輸入外部信號,只要其使用不致 與積體電路的作業有衝突β例如,若使用外部針銷以提 供電源而操作積體電路,顯然外部針銷並不能用來输入 外部的潮試倍號。 子電路15會接收信號31和36作為輸人信號並輪出内部 本紙恨尺度逍用tR&]家掠卑(CNS ) Μ规格(210X29?公釐) m 1^1^1 ^^^^1 pn^i pill '_- ^^^^1 11^^1 \ J Km ^^^^1 ^^^^1 —fftt "V 嗜 各 (誚先閲讀背而之注意事項再"寫本^ί) 16 95 5 8 A7 B7 五、發明説明(4 ) 部 次 i:. 而 合 卬 r 信號4 G β子 能,結果從 信號40。可 選取的解碼 器於正常模 式輸出信號 解碼器的選 和1 0的作業 外部控制導 第2圖顯 時序進行外 作S Α及行之 此外,C ο 1 _ 動作信號。 能動作信號 制電路包括 號之時序的 參照SC電 正常模式中 路徑而産生 計時器1 1會 生受到延遲 (1 )之WL — 使 生呈邐輯低 電路15是對信號31和3 6—起執行「或」的功 正常模式的信號31及測試模式的信號36導出 替代地,子電路1 5可為信號3 1和3 6之間進行 器。以測試模式信號為選出的信號,此解碼 式輪出信號31當作輸出倍號40,旦於測試模 3 6當作輪出信號。由於以測試模式信號當作 出信號,故不需以測試信號去控制子電路5 。因此,控制電路使吾人能由潮試楔式中的 出信號4 0的時序。 示的是對用以操作DRAM内SA及行之内部信號 部控制用的控制電路2。一般而言,用以操 内部信號是SA_使能動作和Col_使能動作。 .使能動作信號的時序通常是取決於S A _使能 SA_使能動作信號的時序通常是取決於(^_使 亦卽控制WL用的内部信號。如圖所示,此控 分別控制著S A _使能動作和C ο 1 _使能動作信 副控制(S C )電路3和4 β 路3,而提供了正常及糊試模式信號路徑。於 ,34_使能動作的時序是經由正常模式倍號 的。正常模式信號路徑含有WL計時器11。WL 接收WL使能動作以活化並導致WL計時器産 的輪出信號30ο如圖所示,呈邏輯高位準 能動作信號會活化WL計時器,導致計時器産 位準(〇>之受到延遲的输出信號。_試模式 -6 * ("先閱讀背面之注意事項再功寫本頁 裝. 'n 本紙张尺度述川十Ν國家標卑(CNS ) Λ4规格(2]〇X297公犮) .16 955 8 Α7 Β7 -"部中"iT';v/;J,-ci 1.消贽合竹和卬 y 五、發明説明u ) 信號路徑包括有_試模式電路19β澍試模式信號路徑是 與澜試模式電路19縝合。潮試模式信號於産生時會括由 使測試模式電路能動作而將D A 8 Μ切換成測試模式。另外 ,拥試模式信號是與WL計時器11網合以便在測試模式期 間使WL計時器11失能。依此,澜試模式信號會於潮試楔 式期間活化澜試模式信號路徑並退活化正常模式信號路 徑。對正常模式信號路徑的退活化會導致使WL計時器的 輸出信號30變為高位準β通常,DRAM内的模式記錄器(未 園示)會産生拥試模式倍號。於一實施例中,DRAK僳藉 由於具有棋式選擇用位址的WCBR(RAS之前的WE和CAS)期 間産生測試模式信號而切換成澍試楔式》&WCBR期間産 生測試模式信號的方式傈由Kalter等人發表於Digest of Technical Papers, ISSCC90 的論文「具有 10 棰微秒 之資料速率的50毫微秒16M位元DRAMA 50ns 16Mb DRAM with a 10ns Data Rate)」中,以下在所有的目的下將 此綸文行為參考文獻。測試模式電路19也會接收外部澜 試信號27並産生輪出22。已在動作中時,搜I試電路會透 過測試信號路徑而有效地執行潮試信號。 作為描繪之用,澜試模式電路19包括HADN(非及)閘13 及反相器14β外部測試倍號是提供於DRAM的G針銷上。 實例中的外部_試信號(G)是里動作中的低位準。反相 器14将外部信號切換成相反的信號位準。測轼樓式信號 使NAND閘13能動作時,會從舆反相器縝合的输入導出其 輪出倍號3U很清楚的反相器是用來在NAHD蘭之前將輪 -7 - 本紙乐尺H州t關家料ί CNS ) Λ视格(2’297公们 (ΐΐ先閱讀背面之注意事項再功寫本I } 装. 訂 • — sk 469558 A7 B7 五、發明説明(b ) (4先閱讀背而之注意事項再填艿本頁) 入信號轉換成想要的信號位準。常然,可以在NAHD閘之 前透過額外電銘(未標示)執行外部信號。不過,眈實例 顯示了由潮試路徑電路19所産生的信號於效_上是在測 試模式時從外部測試信號導出的。由於使用的外部針銷 G是針銷,故測試模式信號標示為Τ Μ _ G S A Ε (測試模式G針銷 使SA能動作)。當TH_GSAE及G信號均呈動作中時,NAND閘 13的輸出信號30會變成低位準。 來自信號路徑的輸出信號30和22會與選擇電路15耦合 。選擇電路會輸出SA_使能動作信號31,此信號不是在 正常模式中導自信號30就是在測試模式中導自信號3U 如圖所示,選擇電路15包括例如NAND閛。NAND閛會在其 任意一個輸入為高位準而不是兩個输入都是高位準時産 生高位準輸出。由於動作中的信號路徑會産生低位準信 號,故ΝΑΟ閛15的輪出是導自受到活化的信號路徑β如 上所述,S L使能動作是可以控制S Α作業的内部信號。 因此,SC電路3會提供測試信號路徑並以此於測試模式 期間經由外部信號控制SAi使能動作信號的時序。 也會在正常模式期間控制以1_使能動作信號的3六_使能 動作倍號偽與SC電路4耦合。類似於SC電路3, SC電路4亦 包括有正常及測試的信號輅徑。用於正常模式的正常信 號路徑包括SA有計時器12。SA計時器是由能動作 信號發動並以産生輸出倍號40作為回應。測試模式信號 路徑包括有輿SC電路3之電路19類似的潮試模式信號20 。潮試模式信號2 5是由例如裝設於晶Η上的模式記錄器 本紙认尺度述州十网四家標丰(CNS ) Λ4現格(210X 297公釐) 469558 好沪部中-""·導而,,"1消於仓竹^印來 A7 B7 广· — — 五、發明説明 ( T ) 1 1 | (未國示)所 産 生 的 〇拥 試 模式信 猇 25會 退 活 化 SA計 時 器 1 1 | 並 觭 發 測 試 樓 式 η 路20 而允許 從 外 部 澜 試 倍 號 有 效 地 1 1 導 出 拥 試 模 式 雷 路 2 0的 輪 出23β 外 部 測 試 信 號 % 提 供 於 ^' 讀 1 諸 如 CAS的外部針銷上》 因為使用c A S針 銷 故 將 m 試 倍 7L* 閲 讀 1 樣 示 為 T Η CS LE(使測試楔式行CAS _針銷選擇線能動作) 背 面 之 1 1 0 雔 然 作 描 繪 之 用 下, SC 電路4 中 所 使 用 的 外 計 針 銷 是 注 意 古 1 1 I 與 SC 電 路 3 中 的 外 部針 銷 不相同 > 但 是 它 們 不 必 是 不 相 爭 項 再 1 同 的 〇 不 過 * 使 用 不同 的 外部控 制 針 銷 會 有 利 地 為 m 試 % 木 裝 楔 式 提 供 镯 立 的 控 制β 如 圈所示 » m 試 模 式 信 號 霄 路 2 0 頁 •«W-» 1 1 包 括 有 反 相 器 17 及 N AND 閘 16,由 於 測 轼 模 式 倍 號 是 呈 動 1 I 作 中 低 位 準 的 信 號 ,故 使 用反相 器 以 便 將 倍 號 切 換 成 高 1 1 位 準 0 因 此 t 當 ΤΜ _ccs 1』E及潮試 模 式 信 號 都 是 動 作 中 時 1 訂 1 9 ΝΑΟ閛 16的 _ 出 便呈 低 位準。 將 來 i 測 試 模 式 及正 常 模式信 號 路 徑 30及 22的 输 出 信 1 1 號 送 進 例 如 是 N AND閘的 番 擇電路 18 〇 選 擇 電 路 18 會 産 生 1 I 控 制 SA作 業 的 Co 1_ 使能 動 作信號 41〇 Co 1_ 使 能 動 作 倍 號 1 I 是 導 白 那 届 時 刻 受 到活 化 的信號 路 徑 〇 依 此 * SC 電 路 4 1 使 Co 1_ 使 能 動 作 信 號的 時 序能動 作 以 便 接 受 外 部 信 號 的 1 1 控 制 〇 1 1 於 替 代 的 實 施 例 中, m 擇霣路 1S及 / 或 1 8包 括 用 以 選 1 擇 将 要 以 拥 試 模 式 信號 當 作遘擇 信 號 導 S m 試 或 正 常 模 I 1 式 信 號 之 輪 出 信 號 的解 m 電路β 以 解 碼 電 路 實 現 m 擇 霉 1 1 路 會 排 除 以 m 試 棋 式信 號 控制計 時 電 路 及 m 試 模 式 電 路 1 1 的 需 要 〇 1 I 以 下 將 參 照 分 別 為正 常 模式作 -9- 業 及 m 試 稹 式 作 集 之 時 1 1 1 1 1 ^ Λ] 尺 紙 本 釐 公 46 95 5 8 A7 B7 輕#部屮"打?ί,而'Ή-Τί;1抡合竹"印y 五、發明説明 ( ) 1 i 序 圖 的 第 3 A及 3B 圖 以 說 明 第 2 画 中 電 路 的 作業 首先 > 1 1 將 參 072 照 第 3 A 圖 說 明 産 生 使 能 動 作 (c 〇 1 _使能動作) 信號 的 1 正 常 信 號 路 徑 〇 通 常 1 同 時 有 外 部 及 内 部 的控 制 信號 曰 誚 1 先 産 生 Co 1 _ 使 能 動 作 信 號 Ο 外 部 控 制 信 號 是 RAS \ C AS、 Gs 閱 讀 1 及 資 料 信 號 〇 内 部 控 制 信 號 則 是 住 址 S WL _使能動作(使 脅 1 之 1 位 元 線 能 動 作 )、 S 使 能 動 作 (使感測放大器能動作)、 * j 及 Co 1 _ 使 能 動 作 (C 〇 1 _使能動作) fJk^· m 號 0 外 部閃 頻 RAS標示 事 項 I 1 再 位 址 的 産 生 且 因 而 産 生 WL _使能動作信號。 在WL計時器1 1 Φ' % 本 裝 時 结 束 時 使 库 生 了 Col 使 能 動 作 信 號 〇 頁 ! 1 活 化 測 試 模 式 的 信 m 使 計 時 器 11 和 12 失能 將 會導 致 ! I DR AM積 體 W 路 m 在 測 試 模 式 上 〇 參 昭 第 3B 圖, 其 中顯 示 1 I 的 是 外 部 及 内 部 信 號 的 時 序 圏 〇 如 前 所 述 ,外 部 選通 R AS 1 標 示 位 址 的 産 生 月. 因 而 産 生 V L 使 能 動 作 信 號, 但 是這 一 ^ j 1 次 S A _使能動作信號並不是由計時器1 1産生的。 取代的是 1 1 藉 箸 N A Ο閘 1 3 送 出 的 G信號從外部産生SA_ 使能 動 作信 號 ! 1 〇 不 過 » 這 m S A _使能動作信號不致産生C 〇 1 _使能動作信 1 丄 號 » 而 是 由 m 箸 N A ND閘 1 6 送 出 的 C A S倍號從外部産生C ο 1 _ [ 使 能 動 作 信 號 〇 1 1 如 時 序 圖 中 清 楚 可 見 的 是 内 部 信 m Co 1 _ 使能 動 作及 SA — 1 1 使 能 動 作 是 於 m 試 模 式 中 分 別 受 到 外 部 信 號G及C AS的 控 1 1 制 〇 控 制 内 部 信 號 時 序 的 能 力 基 本 上 在 時 序延 羥 上給 予 1 1 電 路 設 計 者 無 限 的 調 整 範 圍 以 便 在 設 計 實 現上 決 定出 要 1 1 求 的 確 實 延 遲 時 間 〇 1 1 第 1 圖 和 第 2 圖 中 所 顯 示 的 電 路 許 多 應 用β 例 如, 可 1 1 10 1 1 1 1 本紙张尺度述川十闽K!家掠卑(CNS ) Λ4規格(2] OX 297公趋) 好-::部ri'!'i;c;?"J_l);T_;/if 合 M"印-t ! 46 95 5 8 A7 B7 五、發明説明(9 ) 以在DRAM中實現此電路以使於活化測試模式時藉由提供 不同的信號路徑而調整WL_SA時序的時序。例如,不同的 信號路徑會導致在G的掉落邊線設定並在G的升起邊緣重 新設定S A。 此測試模式可以用來研究的情況例如: a) 因WL的升起時間及傳送閘延遲而生成的最小WL_SA 延遲。 b) 藉由延連長WL_S Α時序而以搔弱的洩漏逹成位元線 (BLs)的屏障。若暫停時間太長會使有洩漏的BL會失效。 儲存模式的串聯阻抗。若儲存模式的串聯電阻太高 ,則必需有很長的W L „ S A延遲。若延遲和各單位與W L驅 動器之間的距離無關,則懷疑存在有極髙的溝渠阻抗。 本發明也可以用來定義能調整SA_CSL時序的測試模式 ,這可以描繪成如第2圖中的電路。這種測試模式的卺 感是藉由模式記錄器産生TH_CCSLE信號而達成的。SA_ C S L時序可以利用C A S (行位址閃頻}針銷加以調整。對分 開之外部控制信號(G和CAS)的使用會允許WL SA時序和 SA CAS時序都能在一艏列位址閃頻(RAS)週期内獨立地 得到調整。g擇CAS針銷取代:Γ G針銷允許WL_SA時序和 SA_CSL時序都能在一饀列位址閃頻(RAS)週期内獨立地 得到調整。 也可以定義出用來調整行位址- DQ®測(來自S A的質間 資料)時序。類似地,這偭時序可以透過C A S針銷而得到 控制。藉由辋整各位址輿CAS邊線之間的時序差異,可 -1 1 - 本紙张尺度適圯十阀阐家柱卑(CNS ) Λ4叱格(2!〇Χ297公尨) (誚先閱讀背面之注意事項-S蛾艿本頁) 裝. 丁 ,\:ρ 469558 A7 B7 淤部中"秸^rx'm-T"'价合竹和卬*''r· 五、發明説明 ( ) 1 1 以 調 整 行 位 址 -記憶體資料質問的烕測延遲〇 t 1 用 來 控 制 内 部 時 鐘 的 m 試 模式也很有 用 〇 例 如, 添加 i 1 額 外 的 襯 墊 以 便 用 來 提 供 内 部時序。由 於 這 個 時鐘 襯塾 ->、- 1 I E3 疋 非 功 能 性 的 襯 墊 i 故 具 有 C AS或6針銷 不 發 生目 的上 先 閱 1 讀 f [· 的 衝 突 〇 若 將 m 値 額 外 襯 墊 連接到包裝 的 非 連 接用 針銷 背 1 1 上 * 則 可 以 使 用 潮 試 模 式 將 非連接用針 銷 轉 換 成一 般目 之 注 意 的 之 針 銷 以 供 内 部 時 序 控 制 之用。 事 項 1 I 再 1 本 發 明 可 以 用 在 積 體 電 路 裝置内以控 制 内 部 信號 像是 装 •”J 本 於 中 央 處 理 單 位 (C )内平移區域時鐘, 或是於具有自動 頁 1 I 重 設 的 靜 態 RAM ( S R AM )内調整WL重設計時器。 這些熟悉習 1 1 用 技 術 的 人 應 該 了 解 各 種 測 試模式是可 以 α〇 単 獨 或是 聯合 1 I 地 使 用 以 逹 成 積 om m 電 路 的 有 效設計。 1 1 參 昭 第 4 圖 其 中 顯 示 的 是檫準的電 腦 糸 统 4 0 0 〇 如圖 π 1 所 示 > 此 % 統 含 有 處 理 器 4 1 〇例如恪像由I Π t el所製 造之 1 1 類 的 撤 處 理 器 0 此 處 理 器 是 依處理器所 提 供 的 指令 集而 1 ! 執 行 算 術 或 邏 輯 上 的 蓮 算 〇 電腦程式及 資 料 是 儲存 於電 1 腦 的 記 億 體 儲 存 器 4 3 〇内。 此記憶體儲存器含有磁性或 :-,·<- I 疋 光 學 的 記 憶 體 儲 存 元 件 〇 1 1 提 供 鍵 盤 4 4 〇以便依使用者的意願將指令輪入到条統内 ! 1 〇 也 可 以 提 供 像 滑 鼠 之 類 的 其他輸入裝 置 以 便 由「 指和 ! 1 點 J 的 技 術 輸 入 指 示 Q 指 令 例如執行儲 存 於 電 腦儲 存器 i 1 内 的 程 式 〇 於 是 將 電 腦 程 式 載入電腦記 億 體 或 RAM之内β 1 I 此 RAH含有諸如本發明中所說明的DRAM 1C So 儲存於落 1 1 在 電 腦 儲 存 器 之 資 料 檔 内 的 資料以及執 行 電 腦 程式 時需 ! i -12- 1 1 1 1 本紙张尺度逍丨丨]中me家椋牟(CNS ) Λ4規格(210X297公潑) A7 46 95 5 8 B7 五、發明説明(Η ) 要的資料也會被傳送到電腦的RAM之内。另外,使用者 也會經由一値或多痼輪入裝置在必要或是想要時輪人資 料。 最新或是經常用到的部分資料及電腦程式是儲存於電 腦的高速記憶體亦即熟知的「快取記億體」415内。作 描繪之用,快取記憶偽處理器的一部分。然後由顯示器 450將程式的執行結果提供給使用者。 雖然本發明傜特別參照各種實施例而加以顯示和說明 ,熟悉習用技術的人應該可以看出能在不偏離本發明的 架構下作各種修飾和改變。所以,本發明的架構應該能 在不參照上逑説明下就能獲得決定,而取代的是參照所 附申請專利範圍及其等效架構下而達成。 --------1 裝------訂------二 (誚先閱讀背面之注意事項再楨巧本頁〕 #,'vc"J. ] Ί- MV, ΛΜ ^νΛ. -13- 本紙依尺廋適圯屮内阐家標丰(('NS ) Λ4规格(210X 297公錄) 部 Ί' AV, ifr.} 消 f- 合 n 印 46 95 g i A7 B7五、發明説明(P ) 參考符號說明 1,2......控制電路 3,4......副控制電路 5 ,10, 15.·子電路 11 ........W L _計時器 12 .......S A-計時器 1 3 , 1 6 ....非及閘 1 4,1 7 ....反相器 18.......選擇電路 1 9 , 2 0 ....測試模式電路 2 2 , 2 5 ....測試模式信號 23.......測試模式電路的輸出 26 .......外部信號 27 .......外部測試信號 3〇.......正常模式信號 3 1 , 3 6 ..…輸出信號 40.......内部信號 4 1.......Col_使能動作信號 4〇〇......電腦糸統 410......處理器 4 1 5......快取記億體 4 3 0 ......記億體儲存器 4 4 0 ......鍵盤 4 5 0 ......顯示器 -1 4 - I 扣^'1τ (誚先Μ讀背面之注意事項再硝巧本頁) 本紙张尺度迖州tW阁家枕卑(CNS ) Λ#見格(2ΙΟΧ297公釐)

Claims (1)

  1. Α8 Β8 C8 D8 469558 、申請專利範圍 第86119343 A01號「外調整內部電路時序之電路及方法」 專利案 90. 11.9 . (90年11月修正) 六申請專利範圍: 1·-種用來對電腦系統中DRAM中內部控制信號的時序作 外部控制之方法,該方法包括: 提供第一及第二信號路徑; ‘ 產生能提供作業模式的測試模式信號,DRAM裝置於測 試模式信號在第一信號位準時落在作業的第一模式內, 而於測試模式信號在第二信號位準時落在作業的第二模 式內; 當DRAM裝置落在作業的第一楔式內時,第一信號路 徑會接收內部信號並產生第一輸出信號以回應此內部信 號,第一輸出信號於作業的第一模式內用來導出內部控 制信號的時序;以及 當DRAJ«裝置落在作業的第二模式內時,第二信號路 徑會接收由積體電路之外部針銷所提供的外部信號並產生 第二輸出信號以回應此外部信號,第二輸出信號於作業 的第二模式內用來導出內部控制信號的時序。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該第一信號路徑包 括有第一電路能產生第一輸出以回應該內部信號。 3. 如申請專利範圍第2項之方法,其中該第一電路包括有 時序電路能產生對內部信號有延遲的第一輸出。 太紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 χ 297公1) ------------1 --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A8 B8 CS D8 469558 六、申請專利範圍 4. 如申請專利範圍第3項之方法,其中該延遲是由時序電 路決定的。 5. 如申請專利範圍第4項之方法,其中該第二信號路徑包 括有第二電路能產生第二輸出以回應該外部信號。 6. 如申請專利範圍第5項之方法,其中也包括具有選擇電 路且能產生內部控制信號的第一及第二信號路徑,該內 部控制信號作業之第一模式內係導’自第一輸出而於作 業之第二模式內係導自第二輸出。 7. 如申請專利範圍第6項之方法,其中該第一及第二電路 會對應到測試模式信號上,當測試模式信號在第一信號 位準時使第一電路能動作以活化該第一信號路徑而退 活化第二電路以使該第二信號路徑失能,而當測試模式 信號在第二信號位準時退活化第一電路以使該第一信 號路徑失能而使第二電路動作以活化該第二信號路徑 e 8·如申請專利範圍第7項之方法,其中該選擇電路會執行 邏輯或的功能。 9·如申請專利範圍第8項之方法,其中該測試模式電路的 第一信號位準是邏輯的0位準而其第二信號位準是邏輯 的1位準。 10.如申請專利範圍第9項之方法,其中該第二電路會執行 邏輯之及的功能且爲了回應該測試模式信號及該外部 信號而產生第二輸出。 本紙張尺度適用中Θ國家棉準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1'裝--------訂---------線# 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印彻农 46 95 5 8 B8 ^ C8 D8 六、申請專利範圍 11. 如申請專利範圍第6項之方法,其中該選擇電路包括用 以接收該測試模式信號與第一及第二輸出的解碼器,此 解碼器能產生內部控制信號以回應該測試模式信號,當 該測試模式信號在第一信號位準時此內部控制信號導 自第一輸出,而當該測試模式信號是在第二信號位準時 此內部控制信號導自第二輸出。 12. 如申請專利範圍第1項之方法,其丰於作業的第一模式 期間使用的是外部或是具有不同功能性目的的針銷且 會接收外部信號以便於作業的第二模式期間導出內部 信號的時序。 Π.如申請專利範圍第9項之方法,其中該RAM裝置包括有 動態隨機存取記憶體(DRAM)裝置,該內部信號是用來使 字元線能動作,而該內部控制信號是用來使感測放大器 能動作。 14. 如申請專利範圍第13項之方法,其中該外部针銷包括 有DRAM裝置的G針銷。 15. 如申請專利範圍第9項之方法,其中該RAM裝置包括有 動態隨機存取記憶體< DRAM)裝置,該內部信號是用來使 感測放大器能動作,而該內部控制信號是用來使能動作 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之方法,其中該外部針銷包括 有DRAM裝置的CAS針銷。 17.—種含有控制電路之RAM裝置,係用來以外部控制去控 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ---· I I 1 1 I.----|裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 95 5 8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 制內部信號時序,該控制電路包括: 能接收測試模式信號的第一子電路,當測試模式信·號 落在第一信號位準時該第一子電路能產生第一輸出以 回應內部信號; 能接收測試模式信號的第二子電路,當測試模式信號 落在第二信號準時該第二子能產生第二輸出以回應外 部信號; 能接收第一及第二輸出並產生內部控制信號的選擇電 路,當測試模式信號落在第一信號位準時該內部控制信 號導自第一輸出,而當測試模式信號落在第二信號位準 時該內部控制信號導自第二輸出》 18.如申請專利範圍第17項之RAM裝置,其中該第一子 電路包括時序電路,該時序電路係用以產生對內部控制 信號具有延遲的第一輸出。 19. 如申請專利範圍第1S項之RAM裝置,其中該延遲是由 時序電路預先決定的- 20. 如申請專利範圍第〗9項之RAM裝置,其中該第二子電 路會產生當測試模式信號落在第二信號位準時導自外部 信號的第二輸出。 21. 如申請專利範圍第20項之RAM裝置,其中該第一及第 二子電路會回應測試模式信號,當該測試模式信號落在 第一信號位準時會使第一子電路能動作以允許第一輸出 的產生且使第二子電路失能以防止第二輸出的產生,而 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格〈210 X 297公釐) ---:—----.----1 敢--------訂---------線一 . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 46 95S 8 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印1 六、申請專利範圍 當該測試模式信號落在第二信號位準時會使第一子電路 失能以防止第一輸出的產生且使第二子電路能動作以允 許第二輸出的產生π 2 2.如申請專利範圍第21項之RAM裝置,其中該選擇電路 會執行邏輯之或的功能以回應該第一及第二輸出。 2 3 .如申請專利範圍第22項之RAM裝置,其中該測試模式 信號的第一位準是邏輯的0位準而該測試模式信號的第 二位準是邏輯的1位準。 24.如申請專利範圍第24項之RAM裝置,其中該第一子電 路會執行邏輯之及的功能以回應該測試模式及外部信號 e 2 5.如申請專利範圍第24項之RAM裝置,其中該外部針銷 於該測試模式信號落在第一信號位準時與落在第二信號 準時是作不同的功能性目的之用。 26 .如申請專利範圍第26項之RAM裝置,其中該RAM裝置包 括有動態隨機存取記憶體(DRAM)裝置,該內部信號是用 來使字元線能動作,而該內部控制信號是用來使感測放 大器能動作。 27 .如申請專利範圍第26項之RAM裝置,其中該外部針銷 包括有DRAM裝置的G針銷。 28 .如申請專利範圍第24項之RAM裝置,其中該DRAM裝置 包括有動態隨機存取記憶體(DRAM)裝置,該內部信號是 用來使感測放大器能動作,而該內部控制信號是用來使 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) L"--------訂---------線-- 4 6 9 5 5 8 as DO D8 六、申請專利範圍 行動動作。 29.如申請專利範圍第26項之RAM裝置,其中該外部針銷 包括有DRAM裝置的CAS針銷。 --------:----1^· I 1-----訂-------- 丨 (請先閱讀背面之江意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21(^ 297公1 )
TW086119343A 1997-09-04 1998-09-15 Circuit and method to externally adjust internal circuit timing TW469558B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/923,593 US5903512A (en) 1996-12-30 1997-09-04 Circuit and method to externally adjust internal circuit timing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW469558B true TW469558B (en) 2001-12-21

Family

ID=25448936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW086119343A TW469558B (en) 1997-09-04 1998-09-15 Circuit and method to externally adjust internal circuit timing

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5903512A (zh)
EP (1) EP0903755A3 (zh)
JP (1) JPH11149800A (zh)
KR (1) KR100299155B1 (zh)
CN (1) CN1136582C (zh)
TW (1) TW469558B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6418547B1 (en) * 1998-02-26 2002-07-09 Micron Technology, Inc. Internal guardband for semiconductor testing
US6718487B1 (en) 2000-06-27 2004-04-06 Infineon Technologies North America Corp. Method for high speed testing with low speed semiconductor test equipment
JP4400999B2 (ja) 2000-06-29 2010-01-20 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
GB2370450B (en) * 2000-12-19 2004-07-07 Voxsurf Ltd Messaging protocol
FR2818424B1 (fr) * 2000-12-20 2003-02-28 St Microelectronics Sa Procede et systeme d'ajustement d'une temporisation interne ou d'une reference associee dans un circuit integre et circuit integre correspondant
JP4667594B2 (ja) * 2000-12-25 2011-04-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜磁性体記憶装置
JP2003109390A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Toshiba Corp 半導体記憶装置
KR100506450B1 (ko) * 2003-01-24 2005-08-05 주식회사 하이닉스반도체 불휘발성 강유전체 메모리를 이용한 테스트 모드 제어 장치
JP4440658B2 (ja) * 2004-01-20 2010-03-24 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置
JP2005339588A (ja) * 2004-05-24 2005-12-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置の検査方法と半導体記憶装置
WO2007029333A1 (ja) * 2005-09-09 2007-03-15 Fujitsu Limited 半導体集積回路
KR20160029378A (ko) * 2014-09-05 2016-03-15 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 장치
CN109345991A (zh) * 2018-12-14 2019-02-15 惠科股份有限公司 显示驱动方法、显示驱动装置和显示装置
CN110827911B (zh) * 2019-10-31 2021-05-25 西安紫光国芯半导体有限公司 一种dram晶圆级管脚连接性的测试电路及方法
KR102473229B1 (ko) 2020-11-19 2022-12-01 한양이엔지 주식회사 케미컬 탱크로리와 케미컬 저장 탱크간 케미컬 이송 시스템

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3633174A (en) * 1970-04-14 1972-01-04 Us Navy Memory system having self-adjusting strobe timing
US5031150A (en) * 1988-08-26 1991-07-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Control circuit for a semiconductor memory device and semiconductor memory system
US5406522A (en) * 1992-01-31 1995-04-11 Hirano; Hiroshige Dynamic random access memory device and inspection method thereof
US5394403A (en) * 1992-06-12 1995-02-28 Sun Microsystems, Inc. Fully testable chip having self-timed memory arrays
US5442642A (en) * 1992-12-11 1995-08-15 Micron Semiconductor, Inc. Test signal generator on substrate to test
JP3476231B2 (ja) * 1993-01-29 2003-12-10 三菱電機エンジニアリング株式会社 同期型半導体記憶装置および半導体記憶装置
JPH07130166A (ja) * 1993-09-13 1995-05-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置および同期型半導体記憶装置
JP4014669B2 (ja) * 1996-04-22 2007-11-28 株式会社ルネサステクノロジ 同期型半導体記憶装置
US5745430A (en) * 1996-12-30 1998-04-28 Siemens Aktiengesellschaft Circuit and method to externally adjust internal circuit timing

Also Published As

Publication number Publication date
EP0903755A2 (en) 1999-03-24
CN1217547A (zh) 1999-05-26
EP0903755A3 (en) 1999-10-06
CN1136582C (zh) 2004-01-28
KR100299155B1 (ko) 2001-09-06
KR19990036616A (ko) 1999-05-25
JPH11149800A (ja) 1999-06-02
US5903512A (en) 1999-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW469558B (en) Circuit and method to externally adjust internal circuit timing
TW544574B (en) Memory control method
TW512344B (en) SDRAM having posted CAS function of JEDEC standard
TW409256B (en) Synchronous semiconductor memory device
TW536704B (en) Non-volatile semiconductor memory
TW446953B (en) Method and structure for testing embedded memories
TW389904B (en) Synchronous burst semiconductor memory device with parallel input/output data strobe clocks
TW200923942A (en) A memory device and method of operating such a memory device
TW201019343A (en) A memory device and method of operating such a memory device
TW432672B (en) DRAM-mounting semiconductor integrated circuit
TW517236B (en) Synchronous semiconductor memory device and method for controlling input circuit of synchronous semiconductor memory device
TW498344B (en) A SDRAM with a maskable input
CN108630258A (zh) 嵌入式存储器及集成电路
TW417250B (en) Semiconductor integrated circuit
TW392266B (en) Circuit and method to externally adjust internal circuit timing
TW563131B (en) Semiconductor memory device having self-timing circuit
KR100604429B1 (ko) 반도체메모리장치 및 실장형반도체장치
TW465085B (en) Synchronous DRAM having different column operating cycle pulses in read-out and write-in operation
TW457614B (en) Integrated circuit device having an internal state monitoring function
EP0325105A1 (en) Multiport memory
CN112530490A (zh) 执行隐式预充电操作的半导体装置
TW498329B (en) Semiconductor memory device
TW309657B (zh)
TW588360B (en) Semiconductor memory device
TW310391B (en) Semiconductor memory device discriminating method