TW466782B - Semiconductor luminescent element and method of manufacturing the same - Google Patents

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4 6 6 782 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（/) 發明背景 1. 發明領域 本發明有關一種能藉由激發子(exciton)發射光線之半 導體發光元件，且特別地有關一種粗里嘉晶..ZnO臈所形成 且H波長在.藍光至紫外光範圍中之半導體發光元件，以 及有關一種製造其之方法。 2. 相關技藝說明 近年來，已有用於發展多重彩色發光顯示器之需求以 及用於改善資料密度以相對於資料通訊及資料記錄之需求 。因此，對於製造具有波長在：藍光至紫外光範圍中之半導 + 七、· · · 體發光元件有著強烈的需求。眾人已感興趣於以GaN系統 爲主之半導體材料當作甩於形成能發射藍光之半導體發光 元件之材料。但是因爲在此一半導體材料之製造方法中有 著許多技術性之問題，故此材料尙未付諸實用。因面，本 發明人已建議利用具有波長在藍光至紫外光之範圍中可當 作半導體材料之ZnO，藉此可以以此一材料來取代GaN系 統材料。更明確地，利用ZnO會使ZnO膜磊晶地成長於棊 板之上。且已嘗試利用此磊晶膜取得了能藉由在370奈米 (nm)波長之附近處之激發子來寬現光線發射之發光元件。 然而，已有下列問題於利用上述ZnO膜所形成之該半 導體光元件。也就是說，將_使甩爲發光層之Zn◦膜(下文 中稱爲ZnO發光層）必須具有極端優異之(晶體度h。但此 ZnO發光層之形成係極度困難。習知地，ZnO膜係使用不 週..在罵子裝置。若其僅係具相當低晶體度之多晶ZnO膜時 3 • — — I— I ! — llllJ' 乂 - I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .5J· -康·

C 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 0 0 7 ^ ^ Α7 ______ Β7______ 五、發明說明（2 ) ，可易於使屈J1盤兹來大量製造。進一步地，若使用藍寶 石基板作爲基板時，則可採用藉由濺鍍處理之膜形成友j去 來形成ZnO磊晶膜。然而，利用上述方法所形成之磊晶 ZnO膜並未具有令人滿意之定向，因此，使其無法在形成 發光元件中提供所需之良好晶體度。爲此理由，必須使用 藍寶石基板作爲基板及使用諸如雷射MBE (分子束磊晶） 法之昂費及精細之膜形成法以便形成可使用爲發光元件之 Zn〇發光層。然而，此一膜形成法在其利用上係極度地受 限。進一步地，即使利用上述方法仍無法確定能重現地取 得具有完全令人滿意之膜品質的ZnO發光膜。此外，以該 雷射MBE法，可獲得之該ZnO發光層的區域極小，亦即 ，最多數平方毫米。而且，用於形成該膜之速度低，使該 方法不適用於產業大量生產。 發明槪述 因此，本發明之目的在於提供一種具有ZnO發光層之 半導體發光元件，該ZnO發光層顯示出當作發光元件之令 人滿意的晶體度。 另一目的在於提供一種能在大量生產比例上重現地製 造此元件之方法。 上述及其他目的係根據本發明之若干觀點藉由一種半 導體發光元件而達成，該半導體發光元件包含：一底座基 板；一 Zn〇發光層，形成於該底座基板之上；以及一Zn〇 緩衝層，摻雜有雜質且形成於該底座基板與該ZnO發光層 之間。 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· !線— 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 Μ徭；？疳谪用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公Θ ~ 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 466782 A7 __ _ B7 五、發明說明（$ ) 較佳地’該底座板係由選擇自含有藍寶石、石英、砂 、玻璃及熔成石英之群組的材料所製成。較佳地，該雜質 係選自含有 Li、Cu、Ni、Y、Ag、Mn、Mg、Al、V、Fe、 La、Ti、Ta、Nb 及 Ga 之群組。 根據本發明’可以以使用諸如濺鍍法之相當容易之方 法及以高生產率來製造一種具有良好定向/晶體度之適用 於使用作爲發光元件之難以在以往製造的ZnO發光層。 爲了描繪本發明，在附圖中顯示有目前較佳之若干形 成，然而將理解的是，本發明並未受限於所示絲毫不差之 設置及手段。 圖式簡單說明 第1圖係橫剖面視圖，表示根據本發明一實施例所製 作之半導體發光元件的結構； - 第2圖係顯示根據本發明所製作之ZnO發光層上所取 得之光致發光測量結果與根據習知技術方法所製作之Zn0 發光層上所取得之光致發光測量結果間之比較圖； 第3圖係顯示根據本發明所製作之ZnO發光層上戶斤$ K得之光致發光測量結果圖，該測量結果係相對於不同1 重類 之底座基板所取得；_ 第4圖係橫剖面視圖，表示根據本發明另一實施例所 製作之半導體發光元件結構；以及 卜 第5圖係橫剖面視圖，表示根據第4圖中所示實施例 之變化所製作之半導體發光元件結構。 較佳實施例之詳細說明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） — — — — — — —--I A i ! T- I — 訂---------線—'- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ，4 6 6 7 3 2 A7 ___B7______ 五、發明說明（中） 本發明之半導體發光元件含有一諸如藍寶石基板之底 座基板以及一形成於該底座基板上之ZnO發光層，其特徵 係：一摻雜有雜質之ZnO緩衝層形成於該底座基板與該 ZnO發光層之間。此處，例如使用作底座基板，令人滿意 地係使用藍寶石、石英基板、矽基板、玻璃基板或熔成石 英基板。進一步地，將摻雜於該ZnO緩衝層內之雜質至少 係一種選擇自含有 Li、Cu、Ni、Y、Ag、Mg、A1、V、Fe 、La、Ti、Ta、Nb及Ga之群組的金屬。 本發明人已發現到，若摻雜有雜質之ZnO緩衝層插置 於底座基板與ZnO發光層之間時，可改善形成在該緩衝層 上之ZnO發光層的定向/晶體度，藉此達成本發明。此係 因爲，藉摻雜一預定雜質於ZnO緩衝層中可改善該ZnO緩 衝層之定向及晶體度，藉此可同時改善形成在該緩衝層上 之Zn〇發光層的f曰體度。 在此方式中，因爲緩衝層係形成具有良好之定向及良 好之晶體度，故在習知技術中鑑於造成不良晶體度而無法 使用爲形成ZnO發光層之膜形成方法Μ靈.重逢.1已可使用 , ..... -..... '·......... 於製造本發明中之半導體發光元件之ZnO發光層中。 須注意的是，在此說明書中所述之Zn〇緩衝層及ZnO 發光層可含有ZnO、ZnMgO。 在下文中，將更詳細地考照附圖說明本發明之較佳實 施例。 如第1圖中所示：根據本發明第一實施例所製作之半 導體發光元件1含有：c —平面藍寶石基板2，含有Ni當 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " ： ,(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

466 78 2 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（Γ ) 作雜質之緩衝層3，以及形成在該ZnO緩衝層3上之Zn〇 發光層4 〇 具有上述結構之半導體發光元件1係以下列製程予以 製造。首先製備一j:-平面藍寶石基板2供ft用作底座基 里。然後利甩濺鍍法在該藍寶石基板2之上形成摻雜有Ni 之ZnO緩衝層3，藉此獲得1.3微米之膜厚度。在膜形成 之製程斯間，係使用Ar/Ch氣體，且可使用含有Ni當作雜 質之ZnO陶質靶或Zn金屬靶作爲濺鎪靶以便獲得上述膜 。可利用諸如RF濺鍍裝置或ECR濺鍍裝_之裝置來當作 濺鍍裝置。在形成ZnO緩衝層3之後，再採用相同之利用 Zn〇陶質靶或Zn金屬靶來形成具有1.0微米厚之ZnO發光 層4。所以可利用濺_來製造半導體發光元命1。然而， 各上述ZnO膜係磊晶膜。 在過去，雖只要使用濺鍍法在c-平面藍寶石基板上形 成ZnO膜即可形成ZnO磊晶膜，但會難以獲得充分之定向 /晶體度。爲此理由，並不使用此一磊晶膜來當作ZnO發光 層。進一步地，即使是使用該磊晶膜爲緩衝層且在該處之 上形成第二ZnO磊晶膜，該第二磊晶膜亦ρ以獲得充分之 晶體度，使得無法利用此膜來當作ZnO發光層。然而，當 使用濺鏟法形成Ni摻雜之ZnO緩衝層時可取得具有優異 定向/晶體度之ZnO晶晶層。雖然如此’但因爲ZnO緩衝 層本身係摻雜有雜質’故其不適用爲ZnO發光層。相對地 ，若在具有優異定向/晶體度之ZnO緩衝層上形成Zn〇磊 晶膜，則可形成能使用來形成發光層之ZnO發光層。 41 先 閱· 讀 背- 意 事 項|Q 本 · 頁 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4.規格（21〇χ 297公釐） 466 782 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（έ ) 較佳地，形成ZnO緩衝層以具有0.3微米或更大的厚 度。當緩働層具有小於0.3微米之厚度時，即使添加雜質 亦難以形成 1馬_有:充分定向/晶體度之緩衝層。此處，充分之 定向/晶體度意指藉ZnO緩衝層之X射線繞射所取得之擺 動曲線半値寬度係兩度或更小。上述理由在於藉選擇該等 値可取得相當穩定之ZnO發光層及因此可使用於形成發光 元件。此外，較佳地，可形成該ZnO發光層爲具有0.05'微 米或更太的厚度。此理由在於即使是ZnO緩衝層之晶體度 良好，但是當ZnO發光層並未形成爲具有0.05微米或更大 之厚度時，將難以獲得具有足以使用爲發光層之良好晶體 度之ZnQ.發光層。該ZnO緩衝層之厚度與ZnO發光層之厚 度間之關係如下所述：該ZnO緩衝層之厚度愈薄則更需要 形成具有大厚度之ZnO發光層；以及該ZnO緩衝層之厚度 愈大，則該ZnO發光層可作成更薄。例如當緩衝層之厚度 小至0.3微米時，ZnO發光層需具有〇.1有微米或更大厚 度。相對地，當該緩衝層具有約1.0微米之厚度時，則該 ZnO發光層僅需具有約0.05微米或更大的厚度。 在本實施例中，雖使用Ni來當作雜質，但可添加其他 雜質於該緩衝層，且較佳地係使用下列含有Li、Cu、Y、 Ag、Μη、Mg、A1、V、Fe、La、Ti、Ta、Nb 及 Ga 之金屬 元素之至少之一以改善ZnO緩衝層之定向/晶體度。進一步 地4然在本實施例中使用c-平面之藍寳石基板爲底座基 板，但已理解的是’若上述雜質摻雜於ZnO緩衝層中藉典_ 而類似地形成具有良好定向/晶體度之ZnO緩衝層時，則亦 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21(^297公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁y 言

T 衾· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 66 782 A7 ^___ B7________ 五、發明說明（f]) 可使用z-切割石英基板、IT型矽基板、玻璃基板或熔成石 英基板。較佳地，在製程5用里發座办0緩衝層及ΖηΟ發 光層所使用之加熱溫度爲..mo至五ααϊι以確保良好之晶體定 租。較佳地，在膜形成之製程期間的Ar/〇2之部分壓力比 ，當使用陶質靶時係在60/40至95/5之範圍中，但是當使 用金屬靶時則在40/60至90/10之範圍中。 此處，爲確認本發明之1ZnO發光層之膜品質，實驗係 | 執行以實現上述發光層與利用習知製造方法所獲得之Zn〇 發光層間之比較。更詳細地，在藍寶石基板.上透過濺鍍處 理直接形成ZnO發光層而不形成ZnO緩衝層於該處之上所 獲得之元件係製備爲樣..品1(習知技術）；在藍寶石基板上透 過雷射MBE法直接形成ZnO發光層而不形成ZnO緩衝層 於該處之上f獲之元件係製備爲樣品2(習知技術）；先.在. 藍_惠互棊板i形成Nk藥雜1 之ZnO緩衝歷著透過濺鍍 處理而形成ZnO發光層於該處之上所獲得之元件則製備爲 樣品3(本發明）。之後，各等樣品係以具有325奈米(nm)之 波長的He-Cd雷射光束照射，隨後藉由光致發光測量。該 測量之結果係顯示於第2圖中。例如從第2圖可理解的是 ，具有透過濺鍍處理直接形成ZnO發光層於藍寶石板上所 獲得之樣品1，並未發現光致發光之光線發射。然而，具 有透過雷射MBE法直接形成Zn◦發光層所獲得之元件， 以及具有在Ni摻雜之ZnO緩衝層上形成ZnO發光層所獲 得之元件，會發現到光致發光之光線發射。儘管如此，應 理解的是該樣品3具有比該樣品2更強的發光強度。 9 $紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐〉— 一

-----------------訂-------II--線 — ' ' 广、 .. 、厂ί/. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4. 6 6 7 8 2 Α7 ___Β7 五、發明說明u ) 進一步地，關於樣品2及樣品3，它們不僅在ife囊身寸. 強度中相異而且在其生產性中亦相異。亦即，蔽攘品2係 藉雷射MBE法來獲得，所以除：!..最名：數平方毫米之相當小 的面積外，無法用於ZnO發光層。相反地，該樣品3係藉 由濺鍍處理來取得，使得ZnO緩衝層/發光層同時形成， 贩確保了僅在一操作期間形成所要之膜於具有3至6吋直 徑之底基板之整個區域上，所以確保極高的生產率。 接著，使本1 發明之方法所製造之半導體發光元件接受 實驗’ |L驗」係執行以便調查ZnO發光層之膜品質中之變化 。此一變化係僅因爲底座基板改變而造成的。更詳細地， 使甩:C-平面藍寶石基板、z-切割石基板、η型砂基板、及缠 璃基板來形成所有使用爲底座基板之該等基板而製備諸樣 品。接著利用He-Cd雷射光束以相同於上述之方式來實行 光致發光測量。該測量之結果顯示於第3圖中。例如從第 3圖可理解的是，任何利用藍寶石基板、z-切割石英基板、. η型矽基板及玻璃基板所形成之該等樣品，會發現它們的 光致發光之光線發射強度幾乎彼此相同。進一步地，如該 圖中所示，當使用熔成石茱基板當作底座基板時，如該圖 中所示，當使用熔成石英基板當作底座基板時，可取得幾 乎相同於其中使用η型矽基板之情況中的光線發射性質。 因此，將由此事實理解是，若該元件係藉插置摻雜有雜質 之ZnO緩衝層所形成時，可形成具有良好晶體度之Ζη〇發 光層於石英基板或矽基板之上，而且該發光層係無法在習 知技術中獲得。 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -^· ^ I ^ I 一&、i n I n I ^ ^ ^ I <\| if n ^ n I n n n . ~ I n ·1 ϋ _ ____B7__I_ 五、發明說明（？） 然而，爲形成各具有進一步改良之定向/晶體度的ZnO 緩衝層及ZnO發光層，較佳地使用具有99.99%或更大純度 之高純度靶，或使用具有99.99%或更大約度之高純度引發 氣體。 根據本發明第二實施例所製作之半導體發光元件11係 利用ZnO發光層所形成之半導體發光元件，其係LED，該 LED具有用於從該元件11之外面施加電壓於其上所形成之 電極。在下文中，將參照第4圖來給予本發明此實施例之 發光元件之結構。 首先，摻雜有A1之ZnO緩衝層13係形成於c-平面藍 寶石基板12之上。此時與爲A1已摻雜進入緩衝層，該 ZnO緩衝層13形成η型ZnO。接著形成ZnO主動層14於 該ZnO緩衝層13之上。進一步地形成摻雜有N纟或其離子) * ? 之ρ型ZnO層15於該主動層之上。該等ZnO層13、14及 15均係各藉由濺鍍處理所形成之磊晶膜。 該p型ZnO層15及ZnO主動層14部分地透過蝕刻處 理予以去除。在該蝕刻處理之後所獲得之ZnO緩衝層13 之曝露區域上，形成一以歐姆接觸於ZnO之下方電極16。 該下方電極16係由諸如Ti/Au之金屬材料所製作。類似地 ，在P型ZnO層15之上係形成含有金屬歐姆接觸於ZnO 之上方電極17。 在具有上述結構之p-n組合型半導體發光元件11中， 若施加電壓於下方電極16與上方電極17間之位置時，可 實現激發子光線發射以發射出藍光至紫光範圍中之光線。 π 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）'' ' ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ~ - .n n ^-OJ _1 ai n -n n I A} I n n -n n n u n ϋ . A7 B7 發明說明（P) 在該第二實施例之上述結構之變化例中，Ζη〇緩衝層 13可形成爲兩層結構。如第6圖中所示，半導體發光元件 21含有ΖηΟ緩衝層23於〇平面藍寶石基板12與ΖηΟ主動 層14之間。β ΖηΟ緩衝層23具有一形成於該c-平面藍寶 i正理 i 6 6 t8 2 五 石基板12 —副層23a及一接觸於該Zn〇主動層14 之第二副層較隹地該第一副層23a係由摻雜有優於改 善ZnO之定晶體度之摻雜物的Zn0所製成。此一摻雜 物含有 Li、Cu、Ni、Y、Ag ' Mn、Mg、Fe、La、Ti、Ta、 Nb及Ga，I Ni係更佳爲該摻雜物。相對地，較佳地該第 二副層..2.3b係.由摻雜有能降低ZnO電阻之摻雜物的ZnO所 製成。此一摻雜物含有A1及V。 根據該結構，可形成具有優異晶體性.ZnO主動層Η 於該ΖηΟ緩衝層23之上，且由於該第二副層23b之低電陧 而能注入大電流於該ZnO層14之中。 雖已揭示本發朋之較佳實施例，但執行本文中所揭不 之原理的種種模式係視爲涵蓋於下文申請專利範圍之範疇 之內。因此應理解的是，除了該等申請專利範圍中之所載 述之外，本發明之範疇並未受限。 主要元件符號說明 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 . I I n ϋ n n n 一ajI I I I <n n n n I I-!^ΐ n n II ί ! - n n n„ - l .1 - K n - I I n . 1 半導體發光元件 2 藍寶石基板 3 ZnO緩衝層 4 ZnO發光層 11 半導體發光元件 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（？1〇 X 297公釐〉 466782 A7 B7 五、發明說明（！f) 12 c-平面藍寶石基; 13 Zn〇緩衝層 14 Zn〇主動層 15 ρ型Zn〇層 16 下方電極 17 上方電極 21 半導體發光元件 23 ZnO緩衝層 23a 第一副層 23b 第二副層 n n n n n I. a n ϋ ϋ J,J· n n n- Q t (請先閲讀背面之注咅？事項再填寫本頁) >^IJ--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐各

Claims (1)

1. 8008Φ ABCD 466782 六、申請專利範圍 1. -種半導體發光元件，其係包含 —底座基板； (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) — Zn〇發光層’形成於該底座基板之上，·以及 Zn〇緩衝層’摻雜有雜質及形成於該底座基板與該 Zn〇發光層之間。 2. 如申·專_#第1項之半導體發光元件，其中該 底座基板由-種選擇自含有藍寶石、石英、砂、玻璃及熔 成石英之群組的材料所製成。 3. 如申請專利範_第1項之半導體發光元件，其中該 雜質係選擇自含有Li、Cu、Ni、Y、Ag、Mn、Mg、Al、V 、Fe、La、Ti、Ta、Nb 及 Ga 之群組。 4. 一種半導體發光元件，其係包含： 一底座基板； -ΖηΟ發光層’形成於該該底座基板之上； 一第一 ΖηΟ層’摻雜有第一導電型之雜質及形成於該 底座基板與該ΖηΟ發光層之間；以及 一第二Ζη0 ® ’摻雜有第二導電型之雜質及形成於該 ΖηΟ發光層之上。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5_如申請專利範圍第4項之半導體發光元件，其中該 底座基板係由一種選擇自含有藍寶石、石英、矽、玻璃及 熔成石英之群組的材料所製成。 6. 如申請專利範圍第4項之半導體發光元件，其中該 第一導電型係η型以及該第二導電型係ρ型。 7. 如申請專利範圍第4項之半導體發光元件，其中該 1 本^尺度適用中國^家標準（CNS)A^規格（210 X 297公釐) ~ " 4 2 8 7 6 8888 ABCD 六、申請專利範圍 第一Zn〇層含有一形成於該底座基板上之第一副層及一接 觸於該ZnO發光層之第二副層，以及該第二副層係摻雜有 第一導電型之雜質。 8. 如申請專利範圍第7項之半導體發光元件，其中該 第一導電型之雜質選擇自A1及V中之一，以及該第一副 層係摻雜有一種選擇自含有Li、Cu、Ni、Y、Ag、Mn、Mg 、Fe、La、Ti、Ta、Nb及Ga之群組的雜質。 9. 如申請專利範圍第7項之半導體發光元件，其中該 第一副層摻雜有Ni。 I； 10·—種製造半導體發光元件之方法，其係包含下列步 驟： 形成摻雜有雜質之一 ZnO緩衝層於一底座基板之上； 並且 形成一ZnO發光層於該ZnO緩衝層之上。 11.如申請專利範圍第10項之製造半導體發光元件之 方法，其中該底座基板係由一種選擇自含有襄貴赛、石英 、矽、玻璃及熔成石英之群組的材料所製成。 12_如申請專利範圍第10項之製造半導體發光元件之 方法，其中該雜質選擇自含有Li、Cll、Ni、γ、Ag、Mll、 Mg、A1、V、Fe、La、Ti、Ta、Nb 及 Qa 之群組。 13.如申請專利範圍第10項之製造半導體發光元件之 方法，其中該ZnO發光層藉一種濺鍍法所形成。 14· —種製造半導體發光元件之方法，其係包含下列步 驟： 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------：---------- - C (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -& •線. 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A8 B8 C8 D8 466782 六、申清專利範圍. 形成摻雜有第一導電型之雜質的一第Zn0層於—底座 基板之上； 形成一 ZnO發光層於該第一ZnO層之上；並且 形成摻雜有第二導電型之雜質的一第二Zn0層於該 ZnO發光層之上。 15·如申請專利範圍第14項之製造半導體發光元件之 方法’其中該底座基板係由一種選擇自含有藍寶石、石英 、矽、玻璃及熔成石英之群組的材料所製成。 16.如申請專利範圍第14項之製造半導體發光元件之 方法’其中該第一導電型係η型以及該第二導電型係p型 〇 Π.如申請專利範圍第14項之製造半導體發光元件之 方法，其中該第一 ZnO層、該ZnO發光層、以及該第二 ZnO層各藉由一種濺鍍法形成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）