TW463256B - Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印數 46325 6 A7 ___B7 五、發明說明（1 ) 技術領域 本發明係有關一種特別可用於自表面去除顆粒或金屬性 污染物之酸性含水組成物。本發明特別可用於自諸如那些 在積體電路裝置（如含有銅鑲嵌及雙嵌入結構之半導體晶 園）中被用作互連結構之結構表面去除顆粒或金屬性污染 物。根據本發明處理之結構包括那些先前已藉機械拋光技 術予以平坦化（planarized)者。 發明背景 在VLSI及ULSI半導想晶片上，銘及銘合金被用做傳統 晶片互連/導線材料。然而，近來有愈來愈多的銅及銅合 金已被發展作為晶片互連材料。銅及銅合金的使用，當與 鋁及其合金比較時，將導致改良的裝置性能。 在製造半導體裝置時，金屬互連材料或導線（如銅或其 合金）典型地在沉積後被平坦化。 供此種平坦化使用之拋光漿料典型為水懸浮液，係由金 屬氧化物研磨劑（如氧化鋁）、有機酸、表面活性劑及適合 之氧化劑所構成。此方法熟知為化學-機械拋光技術(CMP) 。氧化劑係用來藉由腐蝕輔助過程促進材料之機械性去除 。此等用在商業上可獲得或專賣之漿料上之氧化劑典型為 無機金屬鹽，如FeN03或ΚΙ03，及以明顯濃度存在之過氧 化氩。其他被添加至漿料以改良分散性或其他增進性能之 化學品為有機酸（如檸檬酸）。鈉、鉀及鐵鹽及/或化合物 經常被用於漿料調配物中，而且此等金屬離子不純物之蘋 本纸張尺度遶用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------— II ! I — I — — 訂· —II---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 463256 A7 B7 五、發明說明（2 ) 著用量，在拋光及後-拋光清洗後仍留在晶圓上。 因此，對各種顆粒狀污染物而言，有留在拋光後表面上 的傾向存在》顆粒狀材料相當難以去除。這尤其是一大問 題，因為去除必定會影響經拋光的表面。 再者，因為拋光衆料典型包含一種氧化劑，所以氧化層 經常會由於CMP處理期間銅之氧化而存在於銅上β此層 可能對裝置之電特性有不利的影響，較好是將其去除。事 實上，此層亦可被歸諸於污染物》 目前’對於在化學機械拋光後清洗利用銅作為互連材料 之積體電路裝置方面，尚無已知的方法。 因此，仍需要去除金屬性及顆粒污染物之後化學機械拋 光清洗化學法。此外，清洗步驟去除任何殘餘之氧化銅及 /或其他非所欲之表面薄膜，留下裸露的銅表面。 發展此種清洗法的問題，因必需減低銅之蚀刻以及避免 明顯增加表面粗糙度而使問題更形嚴重《 發明概述 本發明係有關一種睃性水溶液，其特別可用於清洗金屬 性/金屬離子污染物及特別是留存在CMP後之半導體晶 圓表面之金屬及非金屬氧化物顆粒。 本發明特別可用於自銅去除顆粒污染物。本發明亦去除 在銅表面上可找到之任何殘餘氧化層，而不會蝕刻或顯著 增加銅之表面粗糙度。 特別地，本發明係有關一種含水組成物，包含約0.2% —4— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------竣 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46325 6 A7 _____B7 五、發明說明（3 ) 至約5重量％之含氟化物物質，約0 05%至約1重量％之 至少一種二羧酸、其之鹽類或其混合物，約0.2%至約5 重量％之羥基羧酸、其之鹽類或其混合物，及其餘者實質 上為水；其具有約3.0至約5.7之pH。 本發明之另一方面係關於一種於CMP平坦化後自銅表 面去除顆粒污染物之方法。特別地，此方法包括將已藉 CMP平坦化之銅表面與一種包含含氟化物物質、至少一種 二羧酸、其之鹽類或其混合物及至少一種羥基羧酸、其之 鹽類或其混合物且具有pH約3.0至約5.7之含水組成物接 觸。 本發明之又一方面係有關一種製造半導體積體電路的方 法。該方法包括藉照相平版印刷法在半導體晶圓上形成電 路，其中該電路包含銅或銅合金；藉化學機械拋光技術使 表面平坦化；及藉與一種包含含氟化物物質、至少一種二 羧酸、其之鹽類或其混合物及至少一種羥基羧酸、其之鹽 類或其混合物且具有pH約3.0至約5.7之含水組成物接觸 ’而自表面去除顆粒狀及金屬性（如金屬離子）污染物。 本發明之其他目的及優點，對熟悉此項技術者而言，由 下列之詳細說明（其中其僅被顯示及描述本發明之較佳具 體例）及單純地藉由企圖實施本發明之最佳模式的說明， 將變得明顯可知β應瞭解本發明可有其他及不同之具韹 例，且其許多細節關於各種顯而易知的部分都能加以修 飾，而不致偏離本發明《因此，本說明書在本質上應被認 為是說明性的而非做為本發明之限制》 —5— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） C锖先閱讀背面之注急事項再填寫本頁) 裝—! 1訂--------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 463256 _B7___________ 五、發明說明（4 ) 實施本發明之最佳及不同楳皮的描沭 I—..... 1 * 1 ' ' I Πΐί, 許多標準必須被考慮以建立一種可接受之晶圓清洗法。 尤其，理想的清洗法應減低晶圓上之顆粒狀及金屬性污染 物至抛光步驟前所存在的程度。而且，清洗法及化學法必 須與曝露在CMP後之晶圓表面上之材料相容。再者，吾 人應能利用商業可得之晶圓或製造設備安全地實施清洗 法。而且’理想的是’該方法可相當便宜地實施。 依據本發明處理之結構典型為具有銅互連（導線、插頭、 導孔、球形及局部互連）包埋於諸如二氧化破之低k介電 材料中之半導體裝置’其亦可包括一種覆蓋層，諸如在低 k介電質/金屬鑲嵌及雙嵌入結構中之氮化矽。二氧化妙 典型為一種高密度電漿沉積二氧化矽或TEOS (四乙基正 矽酸鹽）。 銅互連典型使用鈕、氮化钽或鈦或氮化鈦作為銅和介電 質間之阻障物或内襯材料。就其本身而論，後_CMP清洗 溶液意表清洗至多達4或更多不同的材料、銅、内襯枯料、 介電質或覆蓋層，以及晶圓背側（其通常為一薄層之氧化 的矽）。所有此等類型材料被曝露於後-CMP清洗期間之半 導體裝置的表面。因此，清洗組成物必須不會不利地影響 任何此等材料至非所欲之程度，而仍能有效地去除污染 物。這對發展適當之組成物來說，給予相當的限制。 銅在藉化學機械拋光之沉積後典型利用一種含有研磨劑 和氧化劑之含水漿料予以平坦化。此種組成物為已知且無 須在本文中予以詳細地描述。一些化學機械拋光漿料之實 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------ 裝------訂-----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 463256 ____B7__ 五、發明說明（5 ) 例可見於美國專利案5,527,423、美國專利案5,693,239及 PCT公開案WO 97/43087中，彼等之揭示併入本文作為 參考。 此結構隨後與根據本發明之含水組成物接觸。此組成物 包含一種含氟化物物質；至少一種二羧酸及/或其鹽類； 及至少一種羥基羧酸及/或其鹽類。 典型提供根據本發明氟離子來源之化合物為氟化銨或氩 氟酸。其他可提供氟離子來源之化合物包括例如金屬鹽， 如氟化銻（III/VI)、氟化鋇、氟化錫（Π) '氟化鋁（III)及氟 硼酸化合物β另可使用其他諸如氟化四甲銨之氟化物來 源，以及其他在水性基質中可解離氟離子之有機化合物 此等其他來源包括脂族一級、二級及三級胺之氟鹽。如具 有下式者：

RiN(R3)R2 其Ri、R2及R3各自獨立地代表η或烷基。 典型地，在Ri、R2及R3基困中之碳原子的總數為Π個 破原子或更少。較佳之氟化物為氟化銨。 典型之二羧酸包括具有二至六個碳原子者，其包括草 酸、丙二酸、琥珀酸、己二酸、順丁烯二酸及反丁烯二酸β 較佳之酸為丙二酸。適合之鹽包括鹼金屬、鹼土金屬及銨 鹽。 經基羧酸之實例包括蘋果酸、酒石酸及檸檬酸β 較佳之羥基羧酸為檸檬酸。適合之鹽包括鹼金屬、鹼土金 屬及銨鹽。 —7— 本紙張尺度適用中關家料（CNS)A4規格（210 公楚）" -----------* ----- -- 訂· ----I 線 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46325 6

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明（6 ) 較佳之衍生物為檸檬酸銨。 除了水外，組成物可包括小量之表面活性劑。適合之表 面活性劑包括陰離子、陽離子、非離子及兩性離子化合物* 一些用於本發明中之表面活性劑的實例被揭示於例如Kirk -Othmer之化學技術百科，第3版，第22冊（John Wiley & Sons，1983)、Sislet&Wood，表面活性劑百科（化學出版股份 有限公司，1964)、McCutcheon’s之乳化劑&清潔劑’北美及 國際版(McCutcheon部分，MC出版股份有限公司’ 1991)、 Ash之表面活性劑簡明百科（化學出版股份有限公司， 1989)、Ash之“化學技術專家想知道的事…乳化劑及濕潤 劑”，第1冊（化學出版股份有限公司，1988)、Tadros之表 面活性劑（學術出版社，1984)、Napper之膠體分散液之聚合 物安定化（學術出版杜，1983)及Rosen之表面活性劑與界面 現象，第2版(John Wiley & Sons，1989)，所有均併入本文 作為參考。典型之實例為烷基聚（環氧乙烷）非離子表面活 性劑9 R __―松—3· 組成物典型包含約0.2至5重量％，較佳^約0.4至約 1.3重量％之含氣化物之化合物。 二羧酸及/或鹽典型存在之量為約0.05至約1重量％， 較佳為約0.05至約0.2重量％。 羥基羧酸典型以約0.2至約5重量％，較佳為約0.5至 約2重量％之用量存在於組成物中。 —8'— 本紙張尺度適用中國圉家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂—-------線 463256 A7 _B7__ 五、發明說明（7 ) 當存在時，表面活性劑在組成物中之濃度典型為介於約 50及約3,000 ppm之間，特別之例為約500 ppm。 此外’本發明組成物具有pH約3_0至約5.7，較佳約 3·5至約5.4 ’ 一特別之例為約4.0。此pH典型為利用pH 試紙或適合之pH參考電極來測定》根據本發明現已發現， pH在達成本發明之目的方面是重要的。 尤其，本組成物可去除金屬性及非金屬性顆粒氧化物以 及二氧化矽；金屬離子污染物，如K、Ca、Ti、Cr、Μη、 Fe、Ni、Cu及Ζη;被吸附於晶圓上存在之各種表面材料 上之各種硫及氣化物不純物》CuO在本發明組成物之pH 範圍内為熱動力學上不安定的。 去除被達成同時僅輕微蝕刻金屬銅諸如低於5埃/分鐘 及蝕刻介電質（諸如低密度電漿沉積氧化矽或TEOS)在 低於約20埃/分鐘。 介電質之部分蝕刻諸如約10埃/分鐘至約2〇埃/分鐘 係在本發明之清洗過程期間所發生者〇輕微姓刻導致強力 被吸附在晶圓表面上之顆粒的錄姓’而有助於去除。輕微 姓刻亦闬來幫助去除以洗厚度被合併在介電質層中之被吸 收之金屬離子污染物β 現亦已發現本發明之組成物不會顯著增加銅之表面粗糙 度。例如，銅在空白銅膜上之AMF表面粗糙度（RMS)為 1.2毫微米。於根據本發明之（：1^1>及清洗後之空白銅膜上 為1·27亳微米（RMS)(表面粗糙度之微小的增加）。 本發明之另一特徵在於濃縮形式之組成物相當安定。例 本紙張尺度剌t國(CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 裝·！-----訂--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 325 6 A7 ___B7__ 五、發明說明（8 ) 如，包含約1至約20重量％之含氟化物物質，約1至約 30重董％之羥基羧酸、約1至約10重量％之二羥基羧酸 及約30至約50重量％水之組成物的濃縮物可被提供及運 送至末端使用者，使用者隨後為便利及經濟的理由可以加 工用具將其稀釋諸如約19:1稀釋度（重量計 組成物可被用於雙面刷布模組中，用以在銅CMP拋光 步驟之後清洗整個晶圓。另外，其可被用在兆音波浴或噴 霧器具清洗裝置或其組合中。下列非限制性實施例被提出 以進一步說明本發明》 實施例1 製備一包含約960克檸檬酸、約80克丙二睃、約1，600 克之40%氟化銨水溶液及約1，360克去離子水之濃縮物。 然後將濃縮物以去離子水稀釋19:1 (重量計）以配製成含 有約1·2重量％檸檬酸、約0.1重量％丙二酸、約2重量 %之40%氣化銨及約96.7重量％水之含水清洗混合物。 此組成物依據利用標準銻參考電極或pH試紙測量，具有 約4.0的pH。 先使具銅導線被包埋於二氡化矽中之晶圓及具内襯材料 之導線接受CMP處理（其係利用包含約2重量％氧化鋁、 約3%H202，其餘為水及小量添加物之含水漿料 於CMP之後，使晶圚與上述含水清洗混合物接觸。 會施例2 在清洗實驗中，利用Tencor 6420光點缺陷（LPD)計數 —10— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（2】〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝------1— 訂!1 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6325 6 A7 ___B7__ 五、發明說明（9) 器，預讀25個沉積態之TEOS塗覆晶圓及25個沉積態之 銅塗覆晶圓之晶圓表面上之0.2微米顆粒尺寸之顆粒數。 然後將晶圓分成兩批13 TEOS/12銅及12 TEOS/13 銅。在每一群中，TEOS晶圓及銅晶圓被間隔置於25個晶 圓匣中。 晶圓隨後被浸潰於以Cabot 4110氧化鋁之漿料1分鐘， 並於去離子水中緩衝15秒。在浸潰及缓衝步驟之後立即將 晶围轉移至Ontrak Synergy雙面刷片模組清洗器具上》利 用500毫升/分鐘流速之根據實施例1製備之清洗溶液清 洗晶圓，在第一盒子中之刷片模組的清洗時間為45秒，在 第二盒子中為10秒。最後，以30秒去離子水旋轉洗滌及 風乾以完成清洗。 在清洗步称之後，再次利用Tencor LPD計數器觀察晶圓 之顆粒β下表1顯示在上述試驗中，由清洗前及清洗後顆 粒計數所獲得之數據。可見的是，對TEOS及銅晶圓而言， 幾乎沒有在20.2微米範圍之加法器顆粒（adder particle) 。TEOS之平均加法器顆粒為-2.4+/ -10。銅之平均加法器 顆粒為-185.1+/- 155。應注意的是對銅晶圓之加法器之負 數係因此等沉積態銅晶圓可能不是像試驗前一樣乾淨。 在清洗之後，兩個TEOS晶圓，批次#1之#1及批次#2 之#20被送出作正面TXRF分析（見表2中之1及20 兩 個其他TEOS晶圓，批次#1之#3及批次#2之#22被送出作 晶圓背面TXRF分析（見表2中之3及22)»表2顯示對 晶圓正面及背面分析之TXRF數據。這是為檢查是否在銅 一 11— 本紙張尺度適用中圉圉家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝—--訂！---線 A7 463256 _B7_ 五、發明說明（10 ) 和TEOS晶圓之間有金屬交又污染，以及在晶圓背面之金 屬污染物之去除效果。 TXRF分析顯示金屬濃度在偵側極限或以下，但正面之k 除外。k可能深埋於TEOS的表面，因此很難被去除。低 濃度之金屬污染物顯示在銅和TEOS晶圓之間沒有經由刷 子之金屬交叉污染。此外，於清洗期間在晶圓背面沒有污 染物。 表1 前-及後-LPD計數20.2微米U LDP =光點缺 同及TEOS晶圓） m 晶圓# 晶圓類型 前- 後- 加法器 1 TEOS 58 44 -14 2 CU 626 729 103 3 TEOS 38 32 6 4 CU 1985 1546 -439 5 TEOS 61 59 2 6 CU 2535 2083 -452 7 TEOS 60 55 -5 8 CU 2693 2247 -446 9 TEOS 54 45 -9 10 CU 2012 1779 -233 11 TEOS 46 50 4 12 CU 2198 1927 -271 13 TEOS 167 154 -13 14 CU 1995 1716 -279 15 TEOS 113 105 -8 16 CU 1747 1530 -217 17 TEOS 99 97 -2 18 CU 1834 1571 -263 19 TEOS 63 56 -7 20 CU 706 771 65 21 TEOS 55 37 -18 22 CU 1788 1612 -176 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.I I-----訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 463256 A7 _B7 五、發明說明（11 ) 表1 前-及後-LPD計數20.2微米（4 LDP =光點缺 同及TEOS晶圓） % 23 TEOS 88 87 -1 24 CU 2166 1915 -251 25 TEOS 48 56 8 26 CU 559 557 -2 27 TEOS 22 21 -1 28 CU 1350 nil -239 29 TEOS 32 27 •5 30 CU 841 674 -167 31 TEOS 15 24 9 32 CU 569 469 100 33 TEOS 38 37 -1 34 CU 796 560 -236 35 TEOS 33 26 -7 36 CU 769 513 -256 37 TEOS 34 25 -9 38 CU 1147 897 -250 39 TEOS 23 26 3 40 CU 690 516 -174 41 TEOS 50 40 -10 42 CU 721 490 -231 43 TEOS 46 42 -4 44 CU 592 673 81 45 TEOS 27 29 2 46 CU 568 418 -150 47 TEOS 15 49 34 48 CU 481 368 -113 49 TEOS 39 41 2 50 CU 254 323 69 — — — — — — — — — — — — -----— II » — — — — — — — — 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 6325 6 A7 B7 五、發明說明（12 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ to κ> to ο U> 1—» go 困 Ή: 峰 & & & & Λ + 1 U> Λ 私 u> ''-w. 1 私 ?*Γ UJ Λ Λ Λ oj Λ 私 η » Λ Λ to Λ h— Λ Ν> 〇 <1 Λ Λ Λ Ο Λ η •-t ον X ο ο 7Γ ~ ο 〇s X Ν—^ "s a Ο t-Λ Λ Ο ΚΑ to + ο ίΛ Ο + 擊 ο U) N-L Μ + « Ο t-Λ 节 η Ο Ufc Λ ο U* mi Ο + I Ο ο σν + £ to Λ ο 00 ζ Μ > Ο Lrt Λ ο Λ ο 00 Λ Ο Λ Ο 00 η C Ο Ο + I Ο UJ ^«4 I Ο Ui — ϊ-Λ + I Ο U> ο + ''·'«. I Ο Ul Ν 3 >2 :洳婵^:»ί珠知萚銾Λ ;瘁-CMPJ_^·薛frlmeaiE&^蛑&《TXHF冷耸由茄：^烊钵 (昶眘：10-。钿屮/卡蚪、V今) — — — — — — — —— — — — - I I I I I I I * — — — — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中圉國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 325 6 A7 _B7_ 五、發明說明（13) 實施例3 進行原子力顯微分析以測定細TEOS導線當曝露於本發 明之含水清洗溶液中時之蝕刻速率。 A. 清洗調配物[CP 60] 製備一包含960克之檸檬酸、約80克之丙二酸、約1600 克之40%氟化銨水溶液及約1360克去離子水之濃縮物》 然後將濃縮物以去離子水稀釋19:1 (重量計）以配製成含 有約1.2重量％之檸檬酸、約0.1重量％之丙二酸、約2 重量％之40%氤化銨及約96.7重量％水之混合物。此組 成物依據利用標準銻參考電極或pH試紙測量，具有約4 的pH。 B. 減低檸檬酸調配物[CP 60 RCA] 製備一包含480克檸檬酸、約80克丙二睃、約1600克 之40%氟化銨水溶液及約1840克去離子水之濃縮物。然 後將濃縮物以去離子水稀釋19:1 (重量計）以配製成含有 約0.6重量％檸檬酸、約0.1重量％丙二酸、約2重量％ 之40%氟化銨及約97.3重量％水之混合物。此組成物依 據利用標準銻參考電極或pH試紙測量，具有約4的pH。 C. 減低檸檬酸及減低氟化銨調配物：[CP60RCARF] 製備一包含480克檸檬酸、約80克丙二酸、約800克之 40%氟化銨水溶液及約2640克去離子水之濃縮物。然後將 濃縮物以去離子水稀釋19:1(重量計）以配製成含有約0.6 重量％檸樣酸、約0.1重量％丙二酸、約I重量％之40% 氟化銨及約98.3重量％水之混合物。此組成物依據利用標 —15— 本紙張尺度適用中國@家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) ------------^--------訂 i n 1 n. i E (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 4 6325 6 _B7_ 五、發明說明（κ) 準銻參考電極或pH試紙測量，具有約4的pH。 先使具有銅導線被包埋在亦具有TEOS(四乙基正矽酸 鹽）導線之基質上的晶圊接受CMP處理（其係利用包含 約5%矽石及其餘為水及小量添加物之含水漿料 >於CMP 之後，使晶圓與上述含水清洗混合物接觸。 下述為各種清洗下，TEOS蝕刻速率vs.導線厚度的列 表。小的前-拋光之銅鑲嵌晶圓物件起初係藉在旋轉拋光機 上拋光而製備者。樣品被拋光使反面凹陷（即銅圖樣突出） 被觀察到。在分別的實驗中，隨後將個別的樣品伴隨攪拌 浸潰於各上述之稀釋清洗混合物[CP 60、CP 60 RCA、CP 60RCARF]中2分鐘τ以去離子水清洗1分鐘，然後以過 濾壓縮空氣吹乾。 由下表之數據可見，使用未修飾之CP 60之TEOS的蝕 刻速率為介於每分鐘約57至66埃之間。當調配物中之檸 檬酸濃度減少50%[CP 60 RCA]時，TEOS導線的蝕刻速率 範圍為每分鐘約43至67埃。減低一半的檸檬酸濃度對 TEOS的蝕刻速率不會有影窣。當未修飾CP 60調配物中 檸檬酸濃度及氟化銨濃度都被減少一半時[CP 60 RCA RF] ，TEOS的蝕刻速率降至每分鐘約10至23埃。當目標之 TEOS蝕刻速率被特定於每分鐘約10及20埃之間時，對 TEOS導線而言，較低的蝕刻速率是較理想的。 原子力顯微掃瞄係以通過TEOS導線以1) 6,0微米螺 距、2.0微米銅線寬、4微米TEOS線寬；或2) 2.0微米 螺距、0,5微米銅線寬' 1,5微米TEOS線寬之任一者來進 —16— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐) ------------^________訂_________線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6325 6 A7 B7五、發明說明（1S) PETEOS導線測量 TEOS TEOS寬度 原始厚度 (埃V 最後厚度 (埃V 姓刻速率 (埃/分鐘） 清洗 A. CP 60 4.0微米 122.7+/-5.7 237+/-13 57.2 1.5微米 99.6+/-6 232+/-10.5 66.2 B. CP 60 RCA [1/2檸樣酸] 4,0微米 237+/-13 324+/-24 43.5 1.5微米 232+/-10.5 366+/-40 67 C. CP 60 RCA RF [1/2檸檬酸及1/ 2NH4F@40%] 4.0微米 150+/-14.2 170+/-9.2 10 4.0微米 150+/-9.6 183+/-8.2 16.5 1.5微米 122+/-7.9 168+/-6.4 23 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之前文敘述係說明及描述本發明。另外*此說明 書僅顯示及描述本發明之較佳具體例，而誠如上述，應瞭 解本發明能用於各種其他組合、修飾及環境中，且能在本 文所表達之發明概念之範疇内作變化或修飾，而與上述相 關技藝之教示及/或技術或知識相稱。上述之具體例進一 步被用來說明實施本發明之最佳模式的知識，及使其他熟 悉此項技術者得以此等或其他具體例，或藉因特殊應用或 本發明之用途所需要之各種修飾來利用本發明。因此，本 說明書並非用來限制本發明於本文所揭示之形式。再者， 期望附隨之申請專利範圍被構成以包括不同的具體例。 II ill *7 ' 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4蜆格（210 X 297公釐） ------------ \-------- 訂·! -----線. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印4ί衣 4 6 3 2 5 6 as § — ______D8 六、申請專利範圍 1. 一種含水組成物*其包含約〇2%至約5重量％之含氣 化物物質’約〇·〇5%至約1重量％之至少一種二羧酸、 其之鹽類或其混合物； 約0.2%至約5重量％之羥基羧酸、其之鹽類或其混合 物；及其餘者實質上為水，且 具有約3.0至約5.7之pH。 2. 根據申請專利範圍第1項之組成物，其中含氟化物之化 合物係選自氟化銨、氩氟酸、氟化銻（III/VI)、氟化鋇、 II化鎮（II)、氟化紹（ΠΙ)、反调酸、氟化四甲錄及具有下 式之脂族一級、二級及三級胺之氟鹽： RiN(R3)R2 其R^R2及R3各自獨立地代表Η或具12個碳原子或 更少之烷基。 3. 根據申請專利範圍第1項之組成物，其中含氟化物之化丨 合物係選自氟化錢或氩氟敗《 4. 根據申請專利範圍第1項之組成物，其中含氣化物之化 合物為氟1化錢。 5. 根據申請專利範圍第丨項之組成物，其中二叛酸或其鹽 具有二至六個碳原子。 6. 根據申清專利範圍第1項之組成物，其中二叛跋係選自 草酸、丙一酸、破拍酸、己二酸、順丁稀二酸及反丁稀 二酸。 7. 根據申請專利範圍第1項之組成物，其中二叛酸為丙二 酸》 一18— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -I n I .I I _ A8B8C8D8 4 6325 6 六、申請專利範圍 8_根據申請專利範圍第1項之組成物，其中羥基羧酸係選 自蘋果酸、酒石酸及檸檬酸。 9_根據申請專利範圍第1項之組成物，其包含檸檬酸或檸 檬酸銨。 10. 根據申請專利範圍第1項之組成物，其包含檸檬酸。 11. 根據申請專利範圍第1項之組成物，其包含檸檬酸銨。 12. 根據申請專利範圍第！項之組成物，包含氟化銨、丙二 酸及檸樣酸。 13. 根據申請專利範園第1項之组成物，具有約3.5至約5.4 之pH。 14. 根據申請專利範圍第i項之組成物，其中含氟化物之物 質的用量為約0.2至約1.3重量％。 15. 根據申請專利範圍第1項之組成物，其中二羧酸的用量 為約0.05至約0.2重量％。 16. 根據申請專利範圍第1項之組成物，其中羥基羧酸的用 量為約0.2至約2重量％。 17·根據申請專利範圍第1項之組成物，其另包含一種表面 活性劑。 18. 根據申請專利範圍第1項之組成物，其中表面活性劑的 用量為約50 ppm_至約3000 ppm。 19. 一種於CMP平坦化後自銅表面去除顆粒污染物之方 法，其包括將已藉CMP平坦化之銅表面與一種包含含 氟化物物質； 至少一種二羧酸、其之鹽類或其混合物；及 —19— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公S ) ------------- ^--------訂---------線· * r - * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 463256 AS B8 C8 ________D8 六、申請專利範圍 ~ 至少一種羥基羧酸、其之鹽類或其混合物且具有pH約 3.0至约5.7之含水組成物接觸。 20_—種製造半導體積體電路的方法，其包括： (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉照相平版印刷法在半導體晶圓上形成電路，其中該電 路包含銅或銅合金； 藉化學機械拋光技術使表面平坦化； 及藉與一種包含含氟化物物質； 至少一種一幾酸、其之鹽類或其混合物；及至少一種經 基叛酸、其之鹽類或其混合物且具有pH約3. 〇至約5.7 之含水組成物接觸，而自表面去除顆粒狀污染物。 21‘根據申請專利範圍第20項之方法，其中銅或銅合金被 包埋於介電材料中且其中阻障層存在於介電材料及銅或 銅合金之間。 22. 根據申請專利範圍第20項之方法，其中介電材料為二 氧化石夕及阻障層為至少一種選自包含组、鈦及氮化物之 材料。 - 23. —種含水組成物’其包含約1至約2〇重量％之含氟化 物物質； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 約1至約10重量％之一種二羧酸、其之鹽類或其混合 物； 約1至約30重量％之羥基羧酸、其之鹽類或其混合物； 及30至約50重量％之水。 —20— 本紙承尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董）