TW452876B - Method and apparatus for drying washed objects - Google Patents
Method and apparatus for drying washed objects Download PDFInfo
- Publication number
- TW452876B TW452876B TW088105895A TW88105895A TW452876B TW 452876 B TW452876 B TW 452876B TW 088105895 A TW088105895 A TW 088105895A TW 88105895 A TW88105895 A TW 88105895A TW 452876 B TW452876 B TW 452876B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- pure water
- organic solvent
- mist
- tank
- solvent mist
- Prior art date
Links
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 183
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 167
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims abstract description 92
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 40
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 3
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 claims 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 abstract description 3
- 238000010926 purge Methods 0.000 abstract description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 17
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- -1 Japanese yen Substances 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000003920 environmental process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Description
五、發明說明(1) [發明背景] 本發明 有關一種已 洗及乾燥方 精密基 滌後的乾燥 響。鑑於該 有機溶劑蒸 係以第1 0圖 置包含乾燥 器41。乾燥 溶劑加熱至 有機溶劑42 之物件43如 劑比水更輕 物件43的表 = 洗淨物之乾燥方法及裝置,尤其β 法及裝置。+導體日日圓,玻璃基材等之沖 材如精細地形& + β 在自其移除满= 玻璃基材等在洗 種情形,為此目的=處逐漸地受到重大影 氣之乾燥裝置。使用有機5 = 用其中使用 使用有機溶劑蒸乳之乾燥裝置 不為列之方式構成。丨明確地說,此乾燥裝 槽40及安置在乾燥⑽底部之外表面上的加熱 槽40中置入有機溶劑42,藉由加熱器41將有機 其沸點,因而可在槽4〇之上區域或部份中形成 的蒸氣。然後,將已使用水等予以洗滌及沖洗 晶圓等放置在蒸氣令。此導致經氣化之有機溶 易地冷凝在物件43的表面上同時取代水黏附至 面。 蒸氣中之物件43的溫度逐漸增加至有機溶劑42的蒸氣 溫度或沸點,然後自蒸氣氣圍下取出,由於降低其潛熱而造 成黏附至物件43之溶劑快速地蒸發,導致物件43之乾燥完 成。乾燥槽40具有配置在其上部份中之冷却線圈44,其功 能為冷凝因加熱而蒸發的有機溶劑。由此冷凝的有機溶劑 滴入液體接收器45中,然後回收再使用。同樣地,藉由另一 個液體接收器46回收含有自物件43滴落的水之液狀的有機 溶劑。
C:\Program Fi1es\Patent\310543. ptd 第 5 頁 4 52 8 ? c
不幸地,在由此構成的習知乾燥裝置中由於加熱有機 溶劑,操作者需高度小心火。而且,由於加熱及冷却有機溶 劑造成能量消耗實質地增加。再者,由於加熱有機溶劑以 形成蒸氣層而需要較多的乾燥時間且由於蒸發之損失而增 加有機溶劑之消耗。此外,當使物件與蒸氣層接觸時,由物 件移除蒸氣(氣相)之熱,造成有機溶劑由氣相至液相之快 速相變化。此減少蒸氣層,因而造成物件曝露於周圍氣氛 中,導致問題如物件的沾污,乾燥失敗等。而且,似乎有機 溶劑因含於周圍氣氛中之塵土而沾污,導致物件沾污。 [發明概述]
本發明係鑑於先前技藝之前述缺點而完成D 因此,本發明之目的係提供一種能夠在減少的時間内 令人滿意地乾燥物件之洗淨物的乾燥方法及裝置。 本發明之另一目的係提供一種能夠有效地防止在乾燥 期間物件沾污之洗淨物的乾燥方法及裝置。 本發明之再一目的係提供一種能夠獲致能量節省並減 少所使用的化學藥品之消耗的洗淨物之乾燥方法及裝置。 本發明之又一目的係提供一種能夠在低溫時有效率地 產生作為乾燥劑之有機溶劑霧之洗淨物的乾燥方法及裝 置。 依據本發明之一形態,係提供一種洗淨物之乾燥方 法。此乾燥方法包括下述步驟:沖洗浸泡在純水槽之純水 中的物件;藉由以超音波激發有機溶劑而在有機溶劑產生 槽中於常溫產生有機溶劑霧;自有機溶劑霧產生槽供應有
C:\ProgramFiles\Patent\310543.ptd 第 6 頁 4 5 2 8 / l 五、 發明說明 ;3) 機 溶 劑霧 至純 水 槽同 時 以 預定速率自純水槽排放純水,因 而 將 物件 放置 在 有機 溶 劑 霧之氣圍下;以及將氮氣饋入純 水 槽 以利 用氮 氣 吹拂 有 機 溶劑霧。 本發 明之 較 佳實 例 中 ,乾燥方法進一步包括使有機溶 劑 之 溫度 保持 於 常溫 的 步 驟。 本發 明之 較 佳實 例 ,藉由具有兆赫範圍之頻率的超 音 波 激發 有機 溶 劑而 有 機 溶劑霧吸附在物件表面上。 本發 明之 較 佳實 例 中 ,藉由具0.5MHz至10MHz範圍之頻 率 的 超音 波振 盪 有機 溶 劑 ,有機溶劑霧的溫度選自20 °C至 50 °C ,及有機溶劑霧滴具有不大於的直徑。 本發 明之 較 佳實 例 中 ,選擇自純水槽排放純水之預定 速 率 ,使得在物件表面上形成純水及有機溶劑滴或厚度為 1 Onm 至1 /z m之 純 水及 有 機 溶劑的液體膜,不會在純水之表 面 上 形成 純水 與 有機 溶 劑 的混合層。 依據 本發 明 之另 形 態,係提供一種洗淨物的乾燥裝 置 0 此乾 燥裝 置 包含裝 配 成使純水可導入其中及可自其排 放 的 純水 槽,因而沖洗浸泡於純水中之物件;配置成於其上 部 份 選擇 性地 與 純水 槽 相 通且裝配成可藉由超音波振盪放 置 於 其中 的有 機 溶劑 之 有 機溶劑霧產生槽,园而在有機溶 劑 霧 產生 槽中 於 常溫 產 生 有機溶劑霧;自有機溶劑霧產生 槽 供 應有 機溶 劑 霧至 純 水 槽之有機溶劑霧供應機構;以預 定 速 率自 純水 槽 排放 純 水 同時操作純水槽及有機溶劑霧產 生 槽 而使 彼此 相 通因 而 將 #件放置在有機溶劑霧氣氛中的 純 水排放 機構 ;以及將氮氣饋入純水槽以利用氮氣吹拂有
C:\Program Files\Patent\310543. ptd 第 7 頁 五、發明說明(4) 機溶劑霧之氮氣饋入機構。 =發明之較佳實例中,有機溶劑霧產生槽具有包含内 僧構件及外槽構件之雙槽結構,外槽構件安置在具備具有 黏附其上的超音波變換器之振動板之其底部外表面上内 ^構件具有以使超音波能量能穿透其間的厚度所形成的底 A將内槽構件與外槽構件配置成使溫度節調用的循環水 在界定於内槽構件與外槽構件間之空間内流動内槽構件 中置入有機溶劑,有機溶劑在配置於循環水中的導管中循 環。 本發明之較佳實例中,將純水槽裝配成其上部份選擇 性地完全閉合。 本發明之較佳實例中,藉由具有兆赫範圍頻率的超音 波振盪有機溶劑並使有機溶劑霧吸附在物件表面上。 本發明之較佳實例中,藉由具有〇. 5MHz至10MHz範圍頻 率的超音波振盪有機溶劑,有機溶劑霧的溫度選擇為2〇 °c 至5〇°C,及有機溶劑霧滴具有不大於ι〇〇μιη之直徑。 本發明之較佳實例中,選擇藉由純水排放機構排放純 水之預定速率,使得在純水表面上不會形成純水與有機溶 劑之混合層,在物件表面上形成純水及有機溶劑滴或厚度 為l〇nm至1以m之純水及有機溶劑的液體膜。 [圖式之簡單說明] 藉由參照附圖之下述詳細說明將更清楚了解本發明之 此等及其他目的以及多種意圖之優點;其中: 第1圖為顯示依據本發明之洗淨物之乾燥裝置實例的 C:\Program Files\Patent\310543. ptd 第 8 頁 452876 五、發明說明(5) 說明圖; 第2圖為顯示將洗淨物置入乾燥裝置純水槽之步驟的 說明圖; 第3圖為顯示將純水及有機溶劑霧饋入純水槽中之步 驊的說明圖; 第4圖為顯示自純水槽排放純水及將物件置入有機溶 劑霧氣氛中之步驟的說明圖; 第5圖為顯示將氮氣饋入純水槽以吹拂有機溶劑霧而 完成物件表面乾燥之步驟的說明圖; 第6圖為顯示自純水槽移除物件之說明圖; 第7圖為說明有機溶劑霧產生原理之說明圖; 第8圖為顯示邊修刀之透視圖; 第9圖為顯示邊修刀與物件邊緣部份上之液滴接觸的 說明圖;以及 第10圖為顯示習知乾燥裝置之說明圖。 [較佳實例的詳細說明] 現在,依據本發明之洗淨物之乾燥方法及裝置將參照 第1至9圖說明於後文。 首先參照第1圖,說明依據本發明之洗淨物之乾燥裴置 的實例。通常以參考數10表示的說明實例之乾燥裝置通常 包含純水槽20及產生有機溶劑霧用之有機溶劑霧產生槽 30。霧產生槽30具有包含内槽構件31a及外槽構件3ib之雙 槽結構。外槽構件31b形成在具備具有黏附其上的超音波 變換器之振動板32之其底部的外表面上。内槽構件gia之
C:\Program Files\Patent\310543. ptd 第 9 頁 五、發明說明
底部係以能使超音波能量穿透其間的厚度所形成。而且 霧產生槽30裝配成使溫度調節用之循環水33在界定於内槽 構件31 a與外槽構件3 1 b間之空間内流動。 内槽構件31a中置入有機溶劑34,其係經由部份安置在 循環水33中的導管35循環地被引導,因而被冷却或加熱導 致有機溶劑34之溫度被調節於預定溫度,例如,2(TC至5|j °C。說明實例中,使用異丙醇(IPA)作為有機溶劑34。而 且,内槽構件31a中以位於内槽構件31a的中心之方式具備 飛滅防護板36。再者,内槽構件31a中以位於稍微低於其中 心位置之方式具備氮氣饋入口 37。此外,内槽構件3la裝配 成經由相通通道38於其上部份與純水槽2〇之上部份相通。 相通通道38中具備裝配成僅在由内槽構件31a向純水槽2〇 之方向流動而開放的閥39。 純水槽20在其下部份上具備純水饋入與排放閥21及以 第一預定流動速率排放純水用的第一及第二排放閥22a和 2 2b。說明實例中,純水饋入及排放閥21包括包含閥口 21ι, 212及2la之三向閥。或者,其可包括四向閥。因此,純水槽 20中經由純水饋入與排放閥21之閥口 21及212饋入純水,使 得當純水槽20中純水到達預定程度時,會使過量純水溢出 純水槽此造成氣體或蒸氣相空間23被界定在純水槽20之 上部份t。蒸氣相空間23中具備氮氣饋入口 24及連接至其 上的排氣管25(經由排氣管可使蒸氣相空間23與周圍大氣 相通)。排氣管25中具備安置成僅在由純水槽2〇向周圍大 氣之方向流動而開放的閥26。而且,純水槽2〇在其上部份
310543.ptc 第10頁 2001.06.12.010
r、 ο 4528 —___案號 88105895 年《月卞曰_修正 五、 具 内 撐 發明說明(7) 傷完全閉合型之可開啟蓋27,經由此蓋可自純水槽2〇之 部取得及移出洗淨物50。再者,純水槽20中具備用於支 其上物件50之支撐物28,如第1圖所示。 純水槽20中以位於與自第一排放閥22a延伸至純水槽 20之第一導管的開放端實質上相同高度或水平及實質上與 物件或晶圓50之下端相同水平或稍微低下的方式於其下部 份具備液位感測器29。安置成由第二排放閥2 2b延伸至純 水槽20之第二導管位於高於第一導管之開放端1至2πηη的水 平處具有開放端。 現在,後文將說明由此裝配的說明實例之乾燥裝置10 的操作方式。 首先,使純水槽20之蓋27開啟,由而經洗淨及/或施加 預先沖洗的物件或晶圓50支撐在支撐物28上,如第2圖所 示。支撐物28可放置在純水槽20中同時具有先前支撐於其 上之物件50。 然後,將預定量之有機溶劑(IPA)34置入有機溶劑霧產 生槽30之内槽構件3la中以具有5mm或更小的深度,再對安 置於外槽構件31b上之振動板32的超音波變換器施加高如 0. 5MHz或更高,更明確的說〇5|〇2至1〇|〇2頻率之高頻率電 麼,及〇. 5W/Cm2或更大的電力,導致變換器振盪。此造成藉 由毛細波之發生而於内槽構件31&中於2〇艺至50°C之常溫 產生有機溶劑霧。有機溶劑霧滴具有不大於1〇〇只之直 徑。 藉由毛細波C產生有機溶劑霧將參照第7圖說明之。當
4 528 7 五、發明說明(8) 藉由超音波變換器T使液體L中的超音波振動強烈時聲音 之輻射壓增加’而若振動頻率高則聲壓集中在一方向上。 此造成液體L部份地提昇以形成液體管柱。同時,在液體表 面上發生表面波,而在具有作為反射邊界之液體管柱周邊 的液體管柱表面上發上干擾波。當液體管柱表面上之液體 的碰撞及撕裂能量超過液體L之表面張力時,液體轉換成於 空氣中飛揚的精細顆粒Μ。 溫度調節用之循環水33在内槽構件31a與外槽構件31b 間之空間内循環,因而經由内槽構件31a的底部冷却或加熱 有機溶劑3 4。有機溶劑3 4亦藉由經由浸泡於循環水3 3中之 導管35部份循環之而予以冷却或加熱。儘管乾燥裝置1〇歷 經長時間的操作’該種裝配仍有效地保持内槽構件31a中之 有機溶劑34的溫度於2〇。(:至50 t,故而即使在内槽構件3ia 中無有機/容劑34時而無液體存在的狀態亦能正面地防止超 音波變換器之操作。 接著’閉合蓋27再將純水饋入純水槽2〇中以使物件 浸泡於純水中,造成對物件5〇施加最後沖洗β然後經由第 一及第二排放閥22a及22b以第一流動速率排放純水槽2〇令 的純水。純水槽2〇中的壓力隨著經由閥22&及22b之純水排 放的進行而逐漸降低,由而造成於安置在純水槽2〇與有機 溶劑霧產生槽30間之相通通道38中之閥39自動地開啟,使 得增加濃度中的有機溶劑霧可自有機溶劑霧產生槽3〇進入 純水槽20’如第3及4圖所示。選擇經由第一及第二閥22a及 22b之純水排放的第一流動速率,使得在純水表面上不形成
C:\ProgramFiles\Patent\310543.ptd 第 12 頁 V. 4528 7 五、發明說明(9) 純水與有機溶劑之混合物層而在物件50的表面上形成純水 及有機溶劑滴或厚度為1 〇nm至1私m之純水及有機溶劑的液 體膜。該種有機溶劑霧之進入使物件50上的水膜被有機溶 劑霧取代。冷凝並滴下由此被取代的水膜同時與有機溶劑 混合。 當純水槽20中的純水之水平低於連接至第二排放閥 2 2b之導管的開放端之下時,經由第二排放閥22b之純水的 排放被中斷,造成僅經由第一排放閥22a進行純水的排放, 導致純水排放速率降低《說明實例中,經由第一及第二兩 個排放閥22a及22b之純水的排放造成水位較低時之速度約 為2至4mm/sec;而當僅經由第二排放閥22a進行排放時,速 度低至約lmm/sec。 當進一步降低液位至足以使液位感測器29偵測到液位 的程度時,開啟閥21之閥口 212及213以確保排放速率增加。 該種純水排放速率之控制提供物件或晶園50的確實乾 燥。由於與晶圓50接觸的水易於殘留在晶圓5〇之下邊緣部 份,當液位低至晶圓50之下部份時純水的排放速率降低。 當晶圓50完全浮現純水時,無需以低速率排放純水而是經 由已開啟的二向閥21以增加的速率排放純水。 經過預定時間後,經由氮氣饋入口 24將加熱至約5〇 之氣氣錢入純水槽20中,如第5圖所示,以利用氮氣吹拂純 水槽20中的有機溶劑霧,由而有機溶劑霧經由閥26自排氣 管25向外排出,造成物件5〇被放置在加熱氮氣之氣圍下。 此使得自於氮氣氛中之物件50上移除任何濕氣或水及有機
C:\ProgramFiles\Patent\310543.ptd 第 13 頁 4 5 2 8 7 五、發明說明(10) 溶劑,接著開啟蓋27以自純水槽20移出物件50,如第6圖所 示。 說明實例之實際應用中,液滴易於殘留在物件50之支 撐部份上。為避免該種問題,可使用如第8圖所示具有於尖 銳邊緣磨銳利的末梢端60a之邊修刀60。邊修刀60,如第9 圖所示,安置成末梢端60a易於接近殘留在各物件5〇之邊緣 部份的液滴5 0a。於此例中,當邊修刀60係由親水性材料或 其表面係由親水性材料所製成的材料製得時經由邊修刀 60正面地向下引導殘留在物件50之邊緣部份上的液滴5〇a, 因而確保液滴自其快速移除。 ’ 如上所述,說明實例之乾燥裝置使用有機溶劑使物件 50於常溫施加乾燥,因而消除有機溶劑之加熱及冷却兩者 而促進能量節省。而且,由於操作者無需小心火,故能促進 乾燥操作。再者,即使當使物件舆霧接觸時,說明實例中於 常溫之乾燥操作亦不會造成欲藉由物件移除的有機溶谢霧 的熱,因而消除霧之任何相改變及使物件曝露於周圍大 氣。此外,說明實例以增加的濃度於有機溶劑氣氛中快速 地冷凝濕氣或水,因而呈現優異的乾燥特性。再者,說明實 例t,以惰氣或氮氣氛取代有機溶劑霧,因而有效地排除 氧,造成防止任何水痕之形成。而且,說明實例消除使用加 熱器加熱’因而使乾燥操作在短時間内進行,導致生產率增 加。再者,在密閉環境中發生乾燥操作,因而防止物件之沾 污。 依據本發明之一實例,藉由具有兆赫範圍頻率之超音
C:\Program Files\Patent\310543· ptd 第 14 頁 4 528 五、發明說明(11) 波振盪有機溶劑3 4以產生大量有機溶劑霧並藉由以相當高 流動速率排放純水在物件50表面上吸附有機溶劑霧,由而 防止在純水表面上形成純水與有機溶劑之混合物層。能藉 由加熱氮氣乾燥形成在物件50表面上之純水及有機溶劑的 液滴或厚度為1 Onm至1以m之純水及有機溶劑的液體膜。 再者,依據本發明之實例,藉由具有兆赫範圍頻率之超 音波振盪有機溶劑34,因而立即於常溫有效率地產生足夠 量的有機溶劑霧。習知裝置中,加熱有機溶劑,如IPA(其為 可燃液體)至沸點(大約82 °C),且單一乾燥操作IPA的消耗 量約為600ml,而本發明實例能將有機溶劑34之消耗量降至 200ml或更少,造成成本降低。此外,與需約iq分鐘之習知 裝置相較下,單一乾燥操作所需的時間減少至約6分鐘因 而整體提昇。而且,若使超音波輸出為可變則能控制有機 溶劑霧之產生量。說明實例中,於惰性或氮氣氛中在2〇艺 至50 C之低溫中使用有機溶劑如ιρΑ,因而防止火。 說明實例中,自二十五(25)個晶圓中選擇兩個,亦即, 第一個晶圓S1及第二十五個晶圓S2,在於乾燥裝置1〇中施 加乾燥操作之前與之後,計算直徑為02"^或更大且黏附 至晶圓50表面之沾污顆粒的數目。晶圓在乾燥操作前與乾 燥操作後之顆粒數目差異不大如表所示。
4 5 2 8 7、
晶圓數 顆粒數目 (直徑>0.2 "」m") 乾燥撫作德 S1 15〇 143 S25 1 50 no 應注意物件表面之乾燥度或濕潤度與形成在物件表面 上之液體膜的厚度間的關係說明於日本機械協合等第W 至49頁j 1 994年3月之”環境製程工業1 993高技術移轉之研 究報告。依據此文獻,具有小於1〇nm厚度之液體膜表示乾 燥狀態;具有lOnm至l#m厚度之液體膜表示吸附液體的狀 態;及具有超過1 //m厚度之液體膜表示濕潤狀態。本發明 之實例中,由於當晶圓50曝露於有機溶劑或IpA霧時形成在 晶圓50表面上之液體膜具有例如Q802 yjj的平均厚度故 該種液艘膜被sS為係由物件50表面上的吸附所造成而非由 IPA之冷凝所造成。 此外,有機溶劑或ΪΡΑ與純水之混合物的形成係被發現 在IPA霧進入純水槽20後約1〇秒在純水表面上容易發生。 因此,當自純水槽20之純水的排放在IPA霧初始導入純水槽 20後10秒内完成時,在純水表面上即不會形成混合物層。 說明實例中’係使用晶圓為例作為洗淨物5 〇。當然說 明實例同樣可有效地應用於平坦材料如液晶顯示玻璃硬 碟基材,小尺寸材料如透鏡等的乾燥。如上所述,純水饋入 及排放閥21可由二向閥或四向·閥構成。使用四向閥可使欲 C:\Prograra Files\Patent\310543. ptd 第 16 頁 4 5 2 8 7 匕 五、發明說明(13) -- 饋入的化學藥品及純水進行任何希望之化學處理。 由前述可知,本發明係由在有機溶劑霧產生 超音波產生有機溶劑霧並使洗淨物浸泡於純水槽s之純水 中’然後操作純水槽及有機溶劑霧產生槽使彼此相通而排 放純水及將物件放置在有機溶劑霧的氣圍下然後將氮氣 饋=純水槽中以利用氮氣吹拂有機溶劑霧而構成。該種構 成消除加熱及冷却有機溶劑之需求,因而促使能量節省。 ,且,由於乾燥操作期間操作者無需小心火而有助於乾燥 操作,因而確保生產率之改善。又,乾燥操作係在密閉環境 中進行,因而減少有機溶劑之消耗並防止物件受沾污^此 外’濕氣或水以增加的濃度在有機溶劑氣圍下快速地冷凝, 導致呈現優異的乾燥特性。而且,以惰氣或氮氣氛取代有 機溶劑霧,因而有效地排除氧,導致防止任何水痕的形成。
C:\ProgramFiles\Patent\310543.ptd 第 17 頁 馈入的化學藥品及純水進行任 案號 88105895 五、發明說明(13)
由前述可知,本發明係由在有 之化學處理。 超音波產生有機溶劑霧並使洗淨機溶劑霧產生槽中藉由 中,然後操作純水槽及有機溶劑霧浸泡於純水槽之純水 放純水及將物件放置在有機溶割 生槽使彼此相通而排 饋入純水槽中以利用氮氣吹拂有的氣圍下,然後將氮氣 成消除加熱及冷却有機溶劑之需灰心劑霧而構成。該種構 而且,由於乾燥操作期間操作者I宏因而促使能量節省。 操作,因而確保生產率之改善。;心火而有助於乾 人,乾燥操作係在密閉環境 中進行,因而減少有機溶劑之消耗並防止物件受沾污。此 外’濕、氣或水以增加的濃度在有機溶劑氣圍下快速地冷凝, 導致呈現優異的乾燥特性。而且,以惰氣或氮氣氛取代有 機溶劑霧,因而有效地排除氧’導致防止任何水痕的形成。 [元件符號] 10 乾 燥 裝 置 20 純 水 槽 21 排 放 閥 21] 閥 Ώ 2“ 閥 口 213 閥 U 22a 第 一 排 放 闊 22b 第 — 排 放 23 蒸 氣 相 空 間 24 氮 氣 餵 入 25 排 氣 管 26 閥 27 蓋 28 支 撐 物 29 液 位 感 測 器 30 霧 產 生 槽 31a 内 槽 構 件 31b 外 槽 構 件 32 振 動 板 33 循 環 水
ύ 528 7 6 _案號88105895 年 <月曰_修正 五、發明說明(14) 34 有機溶劑 35 導管 36 飛濺防護板 37 氮氣餵入口 38 相通通道 39 閥 40 乾燥槽 41 加熱器 42 有機溶劑 43 物件 44 線圈 45 液體接收器 46 液體接收 器 50 物件、晶圓 50a 液滴 60 邊修刀 60a 末梢端 C 毛細波 T 超音波變 換器 L 液體 Μ 精細顆粒
310543.ptc 第17-1頁 2001.06.12.018
Claims (1)
- 案號 88105895 ft?年(^月/〆曰 修正 >、由培皇夺丨益衝 1. 一種洗淨物之乾燥方法,包括下述步驟: 沖洗浸泡於純水槽之純水中的物件; 藉由以超音波振盪有機溶劑而在有機溶劑霧產生 槽中於常溫產生有機溶劑霧; 自該有機溶劑霧產生槽供應有機溶劑霧至該純水 槽同時以預定速率自該純水槽排放純水,因而將物件放 置在有機溶劑霧之氣圍下;以及 將氮氣饋入該純水槽t以利用氮氣吹拂有機溶劑 霧。 2. 如申請專利範圍第1項之乾燥方法,進一步包括使有機 溶劑之溫度保持於常溫之步驟。 3. 如申請專利範圍第1或2項之乾燥方法,其中係藉由具有 兆赫範圍頻率之超音波振盪有機溶劑並使有機溶劑霧 吸附在物件表面上。 4. 如申請專利範圍第3項之乾燥方法,其中係藉由具有 0. 5MHz至10MHz範圍頻率之超音波振盪有機溶劑,選擇 有機溶劑霧之溫度為2 0 °C至5 0 °C,及有機溶劑霧滴具有 不大於100/zffi之直徑。 5. 如申請專利範圍第3項之乾燥方法,其中選擇自該純水 槽排放純水之預定速率,使得在物件表面上形成純水及 有機溶劑的液滴或厚度為1 Οποί至1 # m之純水及有機溶 劑的液體膜而不致在純水表面上形成純水與有機溶劑 之混合層。 6. 如申請專利範圍第4項之乾燥方法,其中選擇自該純水310543.ptc 2001.06. 12.019 第1頁 4 528 7 6 88105895_9〇 车 月申請專利範圍 水之預^速率,使得在物件表面上形成純水及 Si:液滴”度為—至1…純水及有機溶 媒而不致在純水表面上形成純水與有機溶劑 —種洗淨物之乾燥裝置,包括: 沖洗配/使純水導入其中及自其排放,因而 洗次泡於純水中之物件; 該純1$ Γ劑霧產生槽,配置成於其上部份選擇性地與 音波予二』ί並田裝配/1使置於其中之有機溶劑藉由超 生有機溶劑霧; 冑機-劑霧產生槽中於常温產 二:溶劑霧供應機構,用以自胃有機溶劑霧產生槽 供應有機溶劑霧至該純水槽; 钟太放機構,用以以預定速率自胃純水槽排放該 操作該純水槽及有機溶劑霧產生槽以使彼此 相通,因而將物件放置在有機溶劑霧的氣 以及 氮氣饋入機構,用以將氮氣健 ’ 氣氣吹拂有機溶劑霧。饋入該純水槽中以利用 之Λ燥裝置,其中該有機溶劑霧 產生槽具有包含内槽構件及外槽構件之雙 該外槽構件安置在具備具有黏附其上的超音波變 換器之振動板之其底部的外表面上; 該内槽構件具有使超音波能量能穿透其間的厚度 所形成之底部;4528 7 6 案號 88105895 曰 申請專利範圍 該内槽構件及外槽構件配置成使溫度調節用之循 環水在界定於該内槽構件與外槽構件間的空間内流動; 該内槽構件中置入有機溶劑’有機溶劑經由配置在 循環水中的導管循環之。 9 如申請專利範圍第7或8項之乾燥裝置,其中該純水槽 裝配成其上部份選擇性地完全閉人。 〃 如申請專利範圍第7或8項之乾燥;置,其中藉由具有 赫範圍頻率之超音波振盪有機溶劑並使有機溶劑霧吸 附在物件表面上。 11. 如申請專利範圍第9項之乾焊奘罟甘士过丄目士 &滞衷置,其中藉由具有兆赫 範圍頻率之超音波振盪有楼变為丨# + m ^ ^ ^ ^ L 啕機溶劑並使有機溶劑霧吸附 在物件表面上。 12. 如申請專利範圍第1〇項之耔 該有機溶劑霧之溫度為2^5^振盈有機溶劑,選擇 具有不大於剛Ρ之直^至5〇C及該有機溶劑霧滴 13‘如申請專利範圍第11項之乾燥 0, 5MHz至10MHz範圍頻率之超立置,「中藉由具有 該有機溶劑霧之溫度為2 〇 3 ^。振盪有機溶劑,選擇 具有不大於ΙΟΟμιη之直徑。 C及該有機溶劑霧滴 14·如申請專利範圍第7或8項之 純水排放機構排放之兮妯士 、裝置’其中選擇藉由該 面上不形成純水與有機溶劑的1速率,使得在純水表 成純水及有機溶劑的液滴 Λ 。層’在物件表面上形 ^ 度為lOnm至1以m之純水2001. 06.12. 021 ^528 ^528 修正 曰 .案號 88105叩5 ?£> 、申請專利範圍 及有‘溶劑的液體膜。 15, 如申凊專利範圍第g項之乾燥裝置,其中選擇藉由該纯 水排放機構排放該純水之預定速率,使得在純水表面上 不形成純水與有機溶劑的混合層在物件表面上形成純 水及有機溶劑的液滴或厚度為1〇ηΒ111/ζπι之純水及有 機溶劑的液體膜。 16. 如申請專利範圍第1〇項之乾燥裝置,其中選擇藉由該純 水排放機構排放該純水之預定速率,使得在純水表 、 不形成純水與有機溶劑的混合層,在物件表面上,、上 水及有機溶劑的液滴或厚度為1 〇 nm至形成純 機溶劑的液體膜。 水及有2001.06.12. 〇22
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10252998A JP2922194B1 (ja) | 1998-04-14 | 1998-04-14 | 洗浄物の乾燥装置 |
JP11100268A JP3137244B2 (ja) | 1999-04-07 | 1999-04-07 | 洗浄物の乾燥装置及びその乾燥方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW452876B true TW452876B (en) | 2001-09-01 |
Family
ID=26441326
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088105895A TW452876B (en) | 1998-04-14 | 1999-04-14 | Method and apparatus for drying washed objects |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6216364B1 (zh) |
KR (1) | KR100452542B1 (zh) |
SG (1) | SG81975A1 (zh) |
TW (1) | TW452876B (zh) |
Families Citing this family (63)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW539918B (en) * | 1997-05-27 | 2003-07-01 | Tokyo Electron Ltd | Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
US7064070B2 (en) | 1998-09-28 | 2006-06-20 | Tokyo Electron Limited | Removal of CMP and post-CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
JP3448613B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2003-09-22 | オメガセミコン電子株式会社 | 乾燥装置 |
US6334266B1 (en) * | 1999-09-20 | 2002-01-01 | S.C. Fluids, Inc. | Supercritical fluid drying system and method of use |
KR100744888B1 (ko) * | 1999-11-02 | 2007-08-01 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 소재를 초임계 처리하기 위한 장치 및 방법 |
US6748960B1 (en) | 1999-11-02 | 2004-06-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces |
EP1277233A2 (en) | 2000-04-25 | 2003-01-22 | Tokyo Electron Corporation | Method of depositing metal film and metal deposition cluster tool including supercritical drying/cleaning module |
WO2002009147A2 (en) * | 2000-07-26 | 2002-01-31 | Tokyo Electron Limited | High pressure processing chamber for semiconductor substrate |
US6405452B1 (en) * | 2001-03-28 | 2002-06-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Method and apparatus for drying wafers after wet bench |
AU2002252637A1 (en) * | 2001-04-10 | 2002-10-28 | Supercritical Systems Inc. | High pressure processing chamber for semiconductor substrate including flow enhancing features |
AU2003215238A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-09-09 | Supercritical Systems Inc. | Pressure enchanced diaphragm valve |
WO2003070846A2 (en) | 2002-02-15 | 2003-08-28 | Supercritical Systems Inc. | Drying resist with a solvent bath and supercritical co2 |
US6924086B1 (en) | 2002-02-15 | 2005-08-02 | Tokyo Electron Limited | Developing photoresist with supercritical fluid and developer |
US7001468B1 (en) | 2002-02-15 | 2006-02-21 | Tokyo Electron Limited | Pressure energized pressure vessel opening and closing device and method of providing therefor |
EP1481284A4 (en) | 2002-03-04 | 2006-10-25 | Tokyo Electron Ltd | PROCESS FOR PASSIVATION OF MATERIALS WITH LOW DIELECTRIC CONSTANT IN THE PROCESSING OF WAFERS |
US7387868B2 (en) | 2002-03-04 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Treatment of a dielectric layer using supercritical CO2 |
US7169540B2 (en) | 2002-04-12 | 2007-01-30 | Tokyo Electron Limited | Method of treatment of porous dielectric films to reduce damage during cleaning |
DE10216786C5 (de) * | 2002-04-15 | 2009-10-15 | Ers Electronic Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Konditionierung von Halbleiterwafern und/oder Hybriden |
JP2003340386A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-02 | Toshiba Corp | 超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法 |
US6722642B1 (en) | 2002-11-06 | 2004-04-20 | Tokyo Electron Limited | High pressure compatible vacuum chuck for semiconductor wafer including lift mechanism |
US7021635B2 (en) | 2003-02-06 | 2006-04-04 | Tokyo Electron Limited | Vacuum chuck utilizing sintered material and method of providing thereof |
US7225820B2 (en) | 2003-02-10 | 2007-06-05 | Tokyo Electron Limited | High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer |
US7077917B2 (en) | 2003-02-10 | 2006-07-18 | Tokyo Electric Limited | High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer |
US7270137B2 (en) * | 2003-04-28 | 2007-09-18 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of securing a workpiece during high-pressure processing |
US7163380B2 (en) | 2003-07-29 | 2007-01-16 | Tokyo Electron Limited | Control of fluid flow in the processing of an object with a fluid |
US20050034660A1 (en) * | 2003-08-11 | 2005-02-17 | Supercritical Systems, Inc. | Alignment means for chamber closure to reduce wear on surfaces |
US7181863B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-02-27 | Sez America, Inc. | Wafer dryer and method for drying a wafer |
US7250374B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-07-31 | Tokyo Electron Limited | System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing |
US7307019B2 (en) * | 2004-09-29 | 2007-12-11 | Tokyo Electron Limited | Method for supercritical carbon dioxide processing of fluoro-carbon films |
US20060065288A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Darko Babic | Supercritical fluid processing system having a coating on internal members and a method of using |
US20060102590A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Limited | Method for treating a substrate with a high pressure fluid using a preoxide-based process chemistry |
US20060102208A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Limited | System for removing a residue from a substrate using supercritical carbon dioxide processing |
US20060102204A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Limited | Method for removing a residue from a substrate using supercritical carbon dioxide processing |
US7491036B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-02-17 | Tokyo Electron Limited | Method and system for cooling a pump |
US20060102591A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a substrate using a supercritical fluid |
US20060130966A1 (en) * | 2004-12-20 | 2006-06-22 | Darko Babic | Method and system for flowing a supercritical fluid in a high pressure processing system |
US7140393B2 (en) * | 2004-12-22 | 2006-11-28 | Tokyo Electron Limited | Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems |
US7434590B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system |
US20060134332A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Darko Babic | Precompressed coating of internal members in a supercritical fluid processing system |
US20060135047A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Alexei Sheydayi | Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system |
KR100678467B1 (ko) * | 2005-01-12 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 건조장치 및 이를 이용한 건조방법 |
US20060180174A1 (en) * | 2005-02-15 | 2006-08-17 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using a peroxide-based process chemistry in conjunction with an initiator |
US7435447B2 (en) * | 2005-02-15 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system |
US7291565B2 (en) * | 2005-02-15 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using fluorosilicic acid |
US20060180572A1 (en) * | 2005-02-15 | 2006-08-17 | Tokyo Electron Limited | Removal of post etch residue for a substrate with open metal surfaces |
US7550075B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-06-23 | Tokyo Electron Ltd. | Removal of contaminants from a fluid |
US7767145B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-08-03 | Toyko Electron Limited | High pressure fourier transform infrared cell |
US7380984B2 (en) | 2005-03-28 | 2008-06-03 | Tokyo Electron Limited | Process flow thermocouple |
US7399708B2 (en) | 2005-03-30 | 2008-07-15 | Tokyo Electron Limited | Method of treating a composite spin-on glass/anti-reflective material prior to cleaning |
US7494107B2 (en) | 2005-03-30 | 2009-02-24 | Supercritical Systems, Inc. | Gate valve for plus-atmospheric pressure semiconductor process vessels |
US7442636B2 (en) | 2005-03-30 | 2008-10-28 | Tokyo Electron Limited | Method of inhibiting copper corrosion during supercritical CO2 cleaning |
US20060255012A1 (en) * | 2005-05-10 | 2006-11-16 | Gunilla Jacobson | Removal of particles from substrate surfaces using supercritical processing |
US7789971B2 (en) * | 2005-05-13 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide |
US7524383B2 (en) * | 2005-05-25 | 2009-04-28 | Tokyo Electron Limited | Method and system for passivating a processing chamber |
JP4527670B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
JP4803821B2 (ja) | 2007-03-23 | 2011-10-26 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US20080236639A1 (en) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Masahiro Kimura | Substrate treating apparatus |
US8596336B2 (en) * | 2008-06-03 | 2013-12-03 | Applied Materials, Inc. | Substrate support temperature control |
US20120047764A1 (en) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | David Campion | System and method for drying substrates |
GB201218415D0 (en) * | 2012-10-15 | 2012-11-28 | Reckitt & Colman Overseas | Ultrasonic method of cleaning |
KR102314667B1 (ko) * | 2015-10-04 | 2021-10-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 작은 열 질량의 가압 챔버 |
JP6556945B2 (ja) | 2015-10-04 | 2019-08-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板支持とバッフルの装置 |
WO2017062135A1 (en) | 2015-10-04 | 2017-04-13 | Applied Materials, Inc. | Drying process for high aspect ratio features |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4984597B1 (en) | 1984-05-21 | 1999-10-26 | Cfmt Inc | Apparatus for rinsing and drying surfaces |
US4911761A (en) | 1984-05-21 | 1990-03-27 | Cfm Technologies Research Associates | Process and apparatus for drying surfaces |
NL8601939A (nl) | 1986-07-28 | 1988-02-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het verwijderen van ongewenste deeltjes van een oppervlak van een substraat. |
JPS63292629A (ja) * | 1987-05-26 | 1988-11-29 | Nec Corp | 有機溶剤処理槽 |
US4767292A (en) * | 1987-07-20 | 1988-08-30 | Trw Inc. | Electrical commutation apparatus |
NL8900480A (nl) | 1989-02-27 | 1990-09-17 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof. |
JPH06459A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-11 | T H I Syst Kk | 洗浄乾燥方法とその装置 |
JP3347814B2 (ja) * | 1993-05-17 | 2002-11-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板の洗浄・乾燥処理方法並びにその処理装置 |
US5571337A (en) | 1994-11-14 | 1996-11-05 | Yieldup International | Method for cleaning and drying a semiconductor wafer |
US5634978A (en) | 1994-11-14 | 1997-06-03 | Yieldup International | Ultra-low particle semiconductor method |
US5582650A (en) * | 1995-01-13 | 1996-12-10 | International Paper Company | Process for cleaning parts soiled or encrusted with polyester resin |
US5685086A (en) | 1995-06-07 | 1997-11-11 | Ferrell; Gary W. | Method and apparatus for drying objects using aerosols |
US5653045A (en) | 1995-06-07 | 1997-08-05 | Ferrell; Gary W. | Method and apparatus for drying parts and microelectronic components using sonic created mist |
US5715612A (en) * | 1995-08-17 | 1998-02-10 | Schwenkler; Robert S. | Method for precision drying surfaces |
US5752532A (en) * | 1995-08-17 | 1998-05-19 | Schwenkler; Robert S. | Method for the precision cleaning and drying surfaces |
JP3243708B2 (ja) * | 1995-12-07 | 2002-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
JPH09246230A (ja) * | 1996-03-01 | 1997-09-19 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法 |
-
1999
- 1999-04-13 KR KR10-1999-0012972A patent/KR100452542B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1999-04-13 SG SG9901665A patent/SG81975A1/en unknown
- 1999-04-14 TW TW088105895A patent/TW452876B/zh active
- 1999-04-14 US US09/291,860 patent/US6216364B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6216364B1 (en) | 2001-04-17 |
KR19990083160A (ko) | 1999-11-25 |
SG81975A1 (en) | 2001-07-24 |
KR100452542B1 (ko) | 2004-10-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW452876B (en) | Method and apparatus for drying washed objects | |
JP4038556B2 (ja) | レジスト膜除去装置及びレジスト膜除去方法、並びに有機物除去装置及び有機物除去方法 | |
JP3448613B2 (ja) | 乾燥装置 | |
CN101911261B (zh) | 循环成核法 | |
JP6236320B2 (ja) | 基板から窒化物を選択的に除去する方法 | |
US5685086A (en) | Method and apparatus for drying objects using aerosols | |
JP3001986B2 (ja) | 基板を乾燥する方法及び装置 | |
JP2009038282A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、プログラム、記録媒体および置換剤 | |
JP7030633B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2018107426A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
US6598314B1 (en) | Method of drying wafers | |
CN100565793C (zh) | 处理基材的设备和方法 | |
JP3996345B2 (ja) | 洗浄物の乾燥方法及び乾燥装置並びに洗浄乾燥装置 | |
JP4434435B2 (ja) | 乾性ガスを製造する方法並びに装置、及び乾燥させる方法並びに装置 | |
JPH07201795A (ja) | 洗浄方法 | |
KR100299486B1 (ko) | 에어로졸을 사용하여 물체를 건조 및 세척하는 방법 및 장치 | |
JP2922194B1 (ja) | 洗浄物の乾燥装置 | |
JPH11277008A (ja) | 洗浄物の洗浄乾燥方法及びその装置 | |
JP3137244B2 (ja) | 洗浄物の乾燥装置及びその乾燥方法 | |
JP2001127032A (ja) | 基板の洗浄・乾燥装置および洗浄・乾燥方法 | |
JP3009006B2 (ja) | 半導体基板の乾燥装置 | |
JP3387057B2 (ja) | 基板の乾燥法および乾燥装置 | |
KR200182724Y1 (ko) | 반도체 웨이퍼 건조장치 | |
JP2557515B2 (ja) | 水蒸気乾燥装置 | |
JP2007067072A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent |