TW445687B - Method of manufacturing a nitride series III-V group compound semiconductor - Google Patents

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''445 6 8 7 A7 _B7_____ 五、發明說明ή ) 發明領域 本發明係關於一種具改良結晶度之氮化物系I I I _ V族化合物半導體的製法，其係藉由控制起始材料氣體與 載體氣體之間的流動速率比。 相關技藝之描述 近幾年來，關於記錄及再製，例如光碟片及磁性光碟 片的更高密度及更高解析度的需求不斷增加，而且半導體 雷射發射綠光及藍光不斷發展，以縮短照射在記錄介質上 之雷射光束的波長。 置於用來製造能發射短波雷射光束之半導體裝置的材 料，已知有氮化物系I I I - V族化合物半導體，例如 GaN，AlGaN及GaInN(例如，Jpn.；I.Appl· Phys, 30 (1991) L41998 )是可適用的。 在生長，例如取向附生生長氮化物系I I I -V族化 合物半導體時，可採用能精確控制起始材料供應及具有再 製性的有機金屬氣體氣相生長方法（MOCVD方法）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，當藉由有機金屬氣相生長法進行氮化物系 Ϊ I I — V族化合物半導體的生長時，氨可以作爲V族用 的起始材料，亦即作爲氮起始材料。 氨係爲一種相當熱安定的材料，而且使用該起始材料 的氮化物系I I I— V族化合物半導體的氣相生長係在 1 0 0 0到1 2 0 0 °C的溫度下進行。 此外，因爲氛的分解效率相當具有優勢而且在氨分解 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格<210 X 297公釐） 4456 g 7 A7 _；____B7___ 五、發明說明έ ) 以大量的氨必 I I族化合物 族起始材料， M A 1 )，三 即，V族起始 商如大約 請 先 閱― 讀 背 S 之 注 意 事 項 再， 填 本 頁 後形成的氮起始材料物種具有高蒸汽壓，所 須在使用氨作爲起始材料來生長氮化物系I 半導體時供應，而且V族起始材料對III 例如三甲基鎵（TMG a )，三甲基|呂（τ 甲基銦（Τ Μ I η )及相似物的莫耳比，亦 材料（莫耳）/1 I I族起始材料（莫耳） 1 0 0 0到數萬。 氮化物系 I 一 V族化合物半導體生長的情況一樣大》 如上所述，氨氣的供應數量盡可能如使 控制欲供應之 供應之氫氣的 ，有許多非光 然而，習知技藝並沒有充分地硏究藉由 氨氣對除了氨氣以外之其它氣體，例如一起 比例，來改良化合物半導體的結晶度。所以 發射中心倂入因此所得之板半導體化合物結晶中而且一直 想要改良半導體化合物的結晶度。 發明槪述 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在上述的觀點裡，本發明係提供一種製造氮化物系 I I I 一 C族化合物半導體的方法，其目的在於獲得極佳 光發射性質的結晶，就製造氮化物系I I I 一 V族化合物 半導體的情況而言，其係使用I I I族元素用之起始材料 ，作爲V族元素用之起始材料的氨及氫的氣相生長法，藉 由控制氫對氫及氨總量的氣相莫耳比（H 2 / H 2 + N Η 3 ))，藉以降低倂入結晶內之非光發射中心的數量。 在使用I I I族元素用之起始材料’作爲7族元素用 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 '445 6 8 7 A7 ____；_B7____ 五、發明說明@ ) 之起始材料的氨及氫的氣相生長法製造氮化物I I I _ V 族化合物半導體時，本發明氮化物系I I I 一 V族化合物 半導體的方法係藉由明確設定氫對氫及氨總量的氣相莫耳 比在預定範圍內的方式進行。 本發明氮化物系I I I - V族化合物半導體的方法係 藉由明確設定氫對氫及氨總量的氣相莫耳比（Η 2 / ( Η2 + ΝΗ3))爲 0 . 3< (Η2/(Η2 + ΝΗ3)) < 〇 · 7 - 〇 . 3< (Ha / (H2 + NH3) ) <〇 . 6 ' 或 0 . 4< (H2 / (H2 + NH3) ) <〇 . 5 的方式進 行，該氨係作爲起始氣體中V族元素的起始材料，其適合 製造極佳結晶度之化合物半導體。 圖式的簡要說明 第1圖係顯示可用於本發明方法裡有機金屬氣相生長 裝置（MOCVD)之實例的槪視圖。 第2圖係顯示構成可以用於本發明氮化物系I I I _ V族化合物半導體方法之有機金屬氣相生長裝置的水平式 反應管的槪視圖。 第3圖係顯示藉由改變氣相莫耳比例（H 2/( Η 2 + NHs))所製得氮化物系III一V族化合物半導體之 G a Ν ( 〇 〇 〇 4 )的X光衍射光譜擺動曲線的半値寬度 〇 第4圖顯示藉由改變氣相莫耳比例（h2/ (H2 + Ν Η 3 ))所製得氮化物系I I I 一 V族化合物半導體之光 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------1/..裝--- (請先札讀背面.之注意事項再，填寫本頁) . 丨線、 4 45 6 8 7 A7 ___B7__五、發明說明θ ) -發光的發射強度變化。 第5圖顯示用來測量光一發光發射強度之氮化物系 I I I _ V族化合物半導體實例的槪示立體圖《 第6圖係顯示構成可以用於本發明氮化物系I I I-V族化合物半導體方法之有機金屬氣相生長裝置的垂直式 反應管的槪視圖。 第7圖係顯示構成可以用於本發明氮化物系I I I 一 V族化合物半導體方法之有機金屬氣相生長裝置的二流式 反應管的槪視圖。 主要元件對照表 10 有機金屬氣相生長裝置 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 反應 管 2 起始 氣 體 供 碰 應 區 段 3 氫氣 供 應 段 4 氨氣 供 應 區 段 5 起始 氣 體 供 應 溝 道 6 起始 氣 體 排放 溝 道 Ί 廢氣 處 理 裝 置 2 a ，2 b 閥 4 a ， 4 b 氣 體 閥 1 1，1 2 質 量 流 量 1 3 質 里 流 量 控 制 器 1 5 基 板 氏張尺度適用中囤國家標準(CNS>A4規格（210 X 297公釐） --------—---裝--------訂---------線 (請先閱讀背面t注意事項再於寫本頁) #45 6 8 7 A7 _. _ B7___ 五、發明說明6 ) 14 基座 8 加熱單元 9a，9b 壓力控制裝置 20 垂直式反應管 發明內容之詳細說明 當氮化物I I I 一 v族化合物半導體利用氣相生長法 以至少一種供I I I族元素用之起始材料，作爲V族元素 之起始材料的氨及氫製得時，本發明之氮化物系I I I -V族化合物半導體的製法係藉由明確指定氫對氫和氨總量 之氣相莫耳比（H2 / (H2 + NH3))在預定範圍裡面 的方式進行。 本發明氮化物系III-V族化合物半導體之製法的 實例將以圖式作參考，說明如下，但是本發明的方法不受 以下所示的實施例限制。 第1圖係顯示可用於本發明方法裡有機金屬氣相生長 裝置（Μ 0 C V D )之實例的槪視圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1圖所示的有機金屬氣相生長裝置10具有由例如 具有足以進行氣相生長之強度而且也具有熱安定性的石英 玻璃等材料做成的反應管，其包括供應I I I族元素之起 始氣體的起始氣體區段2，及供該裝置使用的純化裝置。 此外，也具有供應氫氣（Η 2 )的氫氣供應區段3，能夠供 應氨氣（ΝΗ3)的氨氣供應區段4，供應來自氣體供應區 段2之起始氣體的起始氣體供應溝道5，從氨氣供應區段 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） J .:·λ 4456 8 7 A7 ____B7 _ 五、發明說明$ ) (請先閱讀背面尤注咅？事項再填寫本頁) 4到反應管1的氨氣及從氫氣供應區段3到反應管1的氫 氣，用來排放氨氣的起始氣體排放溝道6，離開反應管1 的起始氣體及氫氣’及用來處理從該裝置排出之氣體的廢 氣處理裝置7。 在上述第1圖所示的有機金屬氣相生長裝置1〇裡， 雖然起始氣體供應區段2，氫氣供應區段3及氨氣供應區 段4以貯存器或容器表示，但是實際上可以採用數個對應 欲使用之起始材料種類之結構。 當氮化物系III-V族化合物半導體 BaAlbGacIndN (其中 ag〇，b20，c ^ 〇 > d^O > a+b + c + d = l)，例如 GaN， A 1 GaN或Ga I nN係利用MOCVD方法取向附生 生長，其係使用上述之有機金屬氣相生長裝置，有機金屬 起始氣體，例如三甲基鎵（TMg a)，三甲基鋁（

T M A 1 )，三甲基銦（TMIn)或三乙基硼（TEB )係作爲I I I族起始材料而從起始氣體供應區段2供應 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，氨氣從氨氣供應區段4供應作爲V族起始材料 〇 起始材料氣體供應區段2及氨氣供應區段4係經由起 始氣體供應溝道5連接至反應管1以進行氣相生長。 此外，氫氣供應區段3係爲一種具有純化裝置（未示 出）的供應來源，以供應作爲載體氣體或排廢氣體的氫氣 ，其流速受到質量流量控制（MFC) 1 1及1 2控制。 -9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） H /t5 6 8* A7 ___B7 五、發明說明6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 來自起始氣體供應區段2的起始氣體係以切換開關供 應至反應管1或以切換單元，例如閥2 a或2 b供應至氣 體氣體排放溝道6。 此外，來自氨氣供應區段4的氨氣也在切換之下供應 至反應管1或藉由切換單元，例如氣體閥4 a或4 b起始 氣體排放溝道6。 · 起始氣體供應區段2包含起始有機金屬起始材料，來 自氫氣供應區段3的氫氣在流動速率控制下經由質量流量 控制器（MFC)12吹向起始有機金屬起始材料，並變 成氣泡，而且有機金屬氣體係與氫氣一起倒入，作爲從供 應溝道5至目標反應管1的材料。 另一方面，來自氨氣供應區段4的氨氣在流動速率控 制下經由MF C 1 3取出並從起始氣體供應溝道5倒入目 標反應管1。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上述飼進反應管1的起始氣體及氨氣，如第2圖所示 ，係送至由藍寶石或相似物做成的基板1 5上，該基板 1 5係放在由例如石墨做成的基座1 4，其由加熱單元8 ，例如調頻線圈保持固定溫度，其中發生熱分解而且可能 在基板1 5上得到目標氮化物系I I I _ V族化合物半導 體。 在本發明製造氮化物系I I I - V族化合物半導體的 方法中，氣相生長係在明確指定氫對氫和氨總量之氣相莫 耳比（H2 / (H2 + NH3))在預定範圍裡面時進行。 在明確指定氫對氫和氨總量之氣相莫耳比（Η 2 / ( -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4456 8 7 五、發明說明6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) H£ + NH3))時，由氫氣供應區段3供應的氫氣流動速 率及由氨氣供應區段4供應的氨氣流動速率係限定（氫氣 流動速率）/(氫氣流動速率及氨氣流動速率的總速率） ，亦即（H2/(H2 + NH3))爲 0 · 3< (H2/( Η 2 + N Η 3 ) ) <0 _ 7，Ο 3< (Η2 / (Η2 + ΝΗ3) ) <0 . 6，或 Ο · 4< (Η2 / (Η2 + ΝΗ3) )<0 . 5，其分別以MFC11 - 13控制。 在第2圖所示的反應管1裡，壓力控制裝置9.a及 9 b分別設置於起始氣體供應溝道5的側邊上及廢氣溝道 的側邊上，藉此可以將反應管1裡的壓力控制到液化狀態 ，常壓狀態及減壓狀態任一種。 該情況裡，液化狀態係指反應管1裡的壓力以壓力控 制裝置9 a及9 b刻意控制到高於1 a t m的壓力，減 壓狀態係爲以壓力控制裝置9 a及9 b刻意控制到低於1 〔a t m〕的狀態，而常壓狀態係爲大約0 . 9到1 a t m，認爲是由反應管內起始氣體及載體氣體供應及排 放效應導致壓力稍微改變。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 可以採用蝴蝶閥，針狀閥1壓力降低泵，氣體液化器 等作爲壓力控制裝置9 a ，9 b。 然後，因此所得之結晶的性質將以在藍寶石基板1 5 上形成例如G a N : S i薄膜的情況做參考而說明之。 首先，藉由在0 . 9到1 . 1 a tm的常壓下》於 氫大氣中加熱至1 1 0 0°C，淸潔（000 1 )藍寶石基 板1 5。然後，將溫度降低至例如5 0 0 °C，將來自氨氣 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^45687

五、發明說明$ ) 供應區段4的氨氣及來自起始氣體供應區段2的三甲基鎵 CTMGa)供應至反應管1。 同樣地，先在藍寶石基板1 5上形成G a N緩衝層至 例如厚度3 0微毫米。 然後，只有將氨氣倒入反應管1，並將藍寶石基板 1 5加熱至例如大約9 5 0到1 1 0 0 °C。 然後，將反應管1裡的溫度保持在大約9 5 0到 1 1 0 0 °C，例如大約1 〇 5 0 °C，將三甲基鎵（ TMG a )及單矽烷從起始氣體供應區段2供應至反應管 2，並在控制壓力至例如常壓-增壓，例如大約1 . 4 a tm的同時進行結晶生長，最後GaN : S i的結晶可 能形成於藍寶石基板1 5上。 該實施例裡，三甲基鎵（TMG a )供應的數量爲， 例如3 0 (微莫耳/分鐘），氨的供應數量爲，例如6〔 S L Μ (每分鐘標準升）〕而單矽烷的供應數量爲，例如 1〔 S C C Μ〕。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後，實際上促成氣相生長的氨氣流動速率及包括氫 而用來供應三甲基鎵（TMG a )之載體氣體的總數量係 由第1圖所示的質量流動控制器1 1 _ 1 3 ，並選擇（氫 氣流動速率）/(氫氣流動速率及氨氣流動速率的總速率 )，亦即（H2/(H2 + NH3))爲 0 . 3< (H2/( H2 + NH3) ) <0 · 7，0 . 3< (H2/(H2 + NH3) ) <0 · 6，或 0 . 4< (H2/(H2 + NH3) )< 0 . 5 。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4456 87 A7 _____B7_____ 五、發明說明纟0 ) 此外，所用的反應管除了設有將起始氣體供應至赧反 應管的管線外，視需要地另設有一供應氣體的管線。例如 其爲供應氫氣，氮氣，各種惰性氣體或其氣體混合物的反 應管，以抑制起始氣體而得以充分供應給基板，或用來使 觀察視窗在從外側偵測反應管溫度時不起霧。此等氣體通 常稱爲次流或抑制氣體，因爲其不促成化合物半導體的氣 相生長，所以在本發明方法中明確設定氫氣流動速率對氨 氣及氫氣之總流動速率的比例時不列入考慮。 第3圖係顯示在Ga N : S i半導體氣相生長的情況 裡，因此製得化合物半導體之X光衍射的光譜擺動曲線的 半値寬度，其中氣相莫耳比例（H2/ (H2 + NH3)) 是自變數。 如第3圖所示，擺動曲線的半値寬度隨著氣相莫耳比 (Η 2 / ( Η 2 + N Η 3 ))增加而補少，如第3圖所示， 這是因爲結晶表面上的化學反應可能受到供應適量氫氣而 更激烈，而且可能生長結晶排列中積聚程度較低之良好品 質的結晶。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 然而，如果氣相莫耳比（Η2 / (Η2 + ΝΗ3))更 增加，則擺動曲線的半値寬度增加。這是因爲起始氣體中 的氨氣含量減少，使得供應給基板的氨氣數量不足，因此 再也無法得到良好品質的結晶。此外，如果供應給基板的 氨器數量不足，則結晶的表面狀態更糟，造成結晶生長不 正常並使厚度分佈變差，使半導體的薄膜品質更糟。 如第3圖所示，當氣相生長在明確設定氣相莫耳比（ -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 ZiSS B 7 a7 __B7__ 五、發明說明h ) H2/(H2 + NH3))爲◦ 3< (H2/(H2 + NH3))<0·7時進行，可以看到半値寬度小於250 或更小而且因此製得之氮化物系I I I - V族化合物半導 體的結晶品質良好。 此外，當氣相生長在明確設定氣相莫耳比（Η 2 / ( Η2 + ΝΗ3))爲 〇 . 3< (Η2/(Η2 + ΝΗ3)) < 0 . 6時進行，半値寬度小於2 0 0 (弧秒），可以得到 良好品質的結晶。 而且，當氣相生長在明確設定氣相莫耳比（Η2 / ( Η2 + ΝΗ3))爲 0 . 4< (Η2/(Η2 + ΝΗ3)) < 0 . 5時進行，半値寬度爲大約1 5 0 (弧秒），而且可 以得到極佳品質的結晶。 然後，第4圖顯示在GaN : S i半導體進行氣相生 長而得之氮化物系I I I— V族化合物半導體的光-發光 的發射強度變化，其中氣相莫耳比（H 2 /( Η 2 + N Η 3 ))是自變數。 第5圖顯示測量用氮化物系I I I _ V族化合物半導 體之實例的槪示立體圖。 在測量時*使用發射波長3 2 5毫微米的H e — C d 雷射作爲例如抽送光束。 如第4圖所示，如果氣相莫耳比（H 2 /( Η 2 + Ν Η 3 ))大於0 . 3 ’則光—發光的發射強度劇增。這是 因爲可能由於因此製得氮化物系I I I 一 V族化合物半導 體之結晶缺陷或相似物所致的不發射中心重新組合的比例 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 禽 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- A7 B7 4 456 8 7 五、發明說明纟2 ) ---------------^裝--- -: C (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 降低，以增加光-發光的發射強度。亦即，生長結晶的品 質可以藉由控制氣相莫耳比（h2 / (H2 + NH3))至 大於0 . 3的方式改良。 然而，反過來說，如果氣相莫耳比（H2/ (H2 + NH3))超過Ο _ 7則光-發光的發射強度劇降。此係使 起始氣體中的氨氣含量降低，致使氮化物系I I I_v族 化合物半導體一進行結晶生長時即缺乏氮化物系起始材料 。這使生長結晶裡的不發射中心增加，因而光一發光的發 射強度劇降。亦即，可以看到生長結晶的品質變差，如果 氣體莫耳比（H2 / (H2 + NH3))超過〇 . 7的話。 當本發明方法裡進行氮化物系I I I _ V族化合物半 導體的氣相生長時，可以在反應管內任何壓力下，亦即在 常壓，減壓或增壓下以相同方式進行，並且在明確設定氣 相莫耳比（H2 / (H2 + NH3))在上述預定範圍內的 任何情況裡可以獲得極佳結晶度的化合物半導體。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 尤其，在G a N系化合物半導體中，因爲飽和蒸汽壓 很高而且氨顯示因分解而發射氮原子之的效率低，氮原子 常常容易在氣相生長期間從G a N系化合物半導體薄膜蒸 發出來。 結果，所得的G a N系化合物半導體薄膜缺乏氮而且 薄膜品質可能受損。然後，藉由在高於反應管內壓力1 ( a t m )的增壓下進行氣相生長，可以烘應更多氮起始材 料給基板，此外，也可以氮在控制生長期間從G a N系化 合物半導體薄膜蒸發出來的程度，以避免所得G a N系化 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 4456 8 7 五、發明說明纟3 ) 合物半導體薄膜內缺乏氮，以致於可以提供能產生高品質 G a N系化合物半導體的效果。 在上述的實施例中，有機金屬氣相生長方法（ MOVCD)方法）係應用於進行氮化物系I I I 一 V族 化合物半導體的氣相生長時，但是本發明的方法不只限於 該實施例，而且氫化物氣相生長方法（Η V P E )也可以 應用於本發明的方法。 此外，在本發明之製造氮化物系III一V族化合物 半導體的方法裡，在基板上一形成氮化物系I I I —V族 化合物半導體薄膜時，除了氫氣或氨氣以外，可以同時使 用惰性氣體，例如氮氣，氦氣，氬氣或此等氣體之混合物 ρ該情況裡，混合氣體中氫對氫及氨的氣相莫耳比範圍明 確設定在預定値。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此外，在上述本發明方法的實施例裡，係使用所謂水 平式反應管，如第2圖所示，作爲製造氮化物系I I 1_ V族化合物半導體的反應管，本發明製造化合物半導體的 方法不只限於該實施例，而且也可以使用，例如第6圖所 示之所謂的垂直式反應管2 0。在使用垂直式反應管2 0 的情況裡，形狀可以比水平式反應管更簡化。此外，視情 況而定，可以使起始氣體及載體氣體從上網下流動，以提 供能避免起始氣體因熱傳導而停滯的效果。 此外，在上述本發明方法的實施例裡，雖然在加熱反 應管內的基座時一直是使用RF線圏，但是本發明不只限 於該實施例，也可以利用已知的加熱器來加熱基座。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 Χ 297公釐） ^ 4456 8 7 A7 ----------B7_____ 五、發明說明（14 ) 如上所述，本發明的方法裡，就以III族元素用之 起始材料，作爲V族元素用之起始材料的氨及氫，藉由氣 相生長法製造氮化物I I I 一 v族化合物半導體的情況而 言，因爲氣相生長法在明確設定氫對氫及氨總量的氣相莫 耳比（Η 2 / Η 2 + N Η 3 ))至可以促進結晶表面上的化 學反應，藉以可以獲得不發射中心較少且結晶度和電性質 極佳的氮化物系Ϊ I I - V族化合物半導體結晶。 在本發明的化合物半導體製法中，因爲本發明之製造 氮化物系III-V族化合物半導體的方法係在明確設定 氫對氫及氨總量的氣相莫耳比CH2/H2 + NH3))在 預定範圍內時進行，所以可以促進結晶表面上的化學反應 ，藉此製得不發射中心較少且結晶度和電性質極佳的不發 射中心較少且結晶度和電性質極佳之氮化物系I I I - V 族化合物半導體的結晶。 - -------------1111 ^0 ------線 (請先閔讀背面之注意事項再灰寫本頁) ί、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17-

Claims (1)

1. 4 4 5 6 8 7 AS B8 C8 D8 申請專利範圍 種製造氮化物 I - V族化合物半導體的方 {請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 法，其係使用I I I族元素用之起始材料，作爲V族元素 用之起始材料的氨及氫其中至少一種，藉由氣相生長法進 行，其中 氫對氫及氨總量的氣相莫耳比（以下稱爲Η 2 / η 2 + Ν Η 3 ))爲： 〇· 3<Η2〆（Η2 + ΝΗ3) <〇 . 7。 2 ‘一種製造氮化物ϊ I I— ν族化合物半導體的方 法’其係使用III族兀素用之起始材料，作爲V族元素 用之起始材料的氨及氫其中至少一種，藉由氣相生長法進 行，其中 氫對氫及氣總量的氣相莫耳比（以下稱爲Η 2 / Η 2 + Ν Η 3 ))爲： 0 - 3<Η2/(Η2 + ΝΗ3) <〇 . 6。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3，一種製造氮化物I I ι -ν族化合物半導體的方 法，其係使用I I I族元素用之起始材料，作爲V族元素 用之起始材料的氨及氫其中至少一種，藉由氣相生長法進 行，其中 氫對氫及氨總量的氣相莫耳比（以下稱爲Η 2 / Η 2 + Ν Η 3 ))爲： 长紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公嫠） _ 18 B8 C8 D8 4456 8 7 4 45 6 8 7 Ao 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 々、申請專利範圍 0 · 4<H.2/(H2 + NH3.) <0 . 5。 4 .根據申請專利範圍第1項之製造氮化物系ί I 1 -v族化合物半導體的方法，其中氣相生長法中的壓力Ρ 綺 . P>l(at.m)。 5 .根據申請專利範圍第2項之製造氮化物系I I I - V族化合物半導體的方法，其中氣相生長法中的壓力P 爲： P>l(atm)。 6 .根據申請專利範圍第3項之製造氮化物系I I I - V族化合物半導體的方法，其中氣相生長法中的壓力P 爲： P>l(atm)。 7 _根據申請專利範圍第1項之製造氮化物系I I ϊ - V族化合物半導體的方法，其中氣相生長法中的壓力P 爲常壓。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

   4456 8 7 μ D8 六、申請專利範圍 8 .根據申請專利範圍第2項之製造氮化物系I I I - V族化合物半導體的方法，其中氣相生長法中的壓力p 爲常壓。 9 ·根據申請專利範圍第3項之製造氮化物系I I I - V族化合物半導體的方法，其中氣相生長法中的壓力p 爲常壓。 1 0 ·根據申請專利範圍第1項之製造氮化物系 I I I_V族化合物半導體的方法，其中氮化物系I I I -V族化合物半導體係由氣相生長法，使用氫及惰性氣體 的氣體混合物而得。 1 1 .根據申請專利範圍第2項之製造氮化物系 I I I — V族化合物半導體的方法，其中氮化物系I I I -V族化合物半導體係由氣相生長法，使用氫及惰性氣體 的氣體混合物而得。 1 2 .根據申請專利範圍第3項之製造氮化物系 I I I - V族化合物半導體的方法，其中氮化物系I I I - V族化合物半導體係由氣相生長法，使用氫及惰性氣體 的氣體混合物而得。 1 3 .根據申請專利範圍第1項之製造氮化物系 I I I_v族化合物半導體的方法，其中氣相生長法係藉 由有機金屬氣相生長法（MOCVD)方法）進行。 1 4 .根攄申請專利範圍第2項之製造氮化物系 I I 1+- V族化合物半導體的方法，其中氣相生長法係藉 由有機金屬氣相生長法（Μ 0 C V D )方法）進行。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 尊 訂_ Η 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家糅準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 445687 A8 BB C8 D8 六'、申請專利乾圍 1 5 .根據申請專利範圍第3項之製造氮化物系_ I I I _ V族化合物半導體的方法，其中氣相生長法係藉 行 進 \ly 法 方 \)y D V C ο Μ Γν 法 長 生 相 氣 屬 金 機 有 由 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）