TW445488B - X-ray diagnostic system - Google Patents

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TW445488B
TW445488B TW088106437A TW88106437A TW445488B TW 445488 B TW445488 B TW 445488B TW 088106437 A TW088106437 A TW 088106437A TW 88106437 A TW88106437 A TW 88106437A TW 445488 B TW445488 B TW 445488B
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Eric H Silver
Herbert W Schnopper
Russel Ingram
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Smithsonian Astrophysical Obse
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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    • G03F7/7015Details of optical elements
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Description

4 454 8 8 88106437__年月一^ -__ 發明說明⑴ 汉本政府所享有本發明物中之權利,建立在編號 = ·ν〇0〇 1 4-9 5-1 - 1 248 之授權下。 發明背景 一本發明物係有關X光診斷系統’以及較特別地’係有關 可集中來自於光源之X光,並將之傳送至一 X光光譜儀之 大部份聚焦之X光,所具有之優點是’在入射光線為掠 a角(glancing angles)之角度下,了得2全反射。但 依反射材料之特性以及X光之能量而定,全反射只有 上入射角小於臨界角時才會發生。雖然,上述技術之設 。十’而視實際情況而定,然而大部份像這樣的設計’是使 用到掠射角度為1 〇至1 5 0分(度的六十分之—)的弧度範 圍’外層鍍有鎳、金或銥之金屬戒被璃基質。Wo 1 ter- I或 Kirkpa1;iCk-Baez组態之雙重反射幾何’已可以作到可聚 焦出平行的X光束。Wolter-I的外觀’是由共焦的拋物雙 曲面所組成,並且已大部分使用在雨角度解析之X光望遠 鏡設計上。成束的軸向光線,具有通度之視野’在一些案 例中,眾多個望遠鏡的套疊,更佔據了入口孔徑之大部份 比例。—種類似於研〇 11 e r _ I的設計,則疋以簡單的圓錐取 代此有著精確外形之光線。建立在類似於此類設計上之望 运鏡’已發展出各種不同的天文學上之載件(payloads)。 使用平行對點(parallel-to-point)對焦式之兩個拋物表 面的Ki rkpat ick-Baez幾何’則已改造為X光顯微鏡上之點 對點幾何。近來,利用整束玻璃毛細管之光管,已成為聚
第5頁 4454 8 8 案號 88106437 _3 曰 五、發明說明(2) 焦X光的一個方法 修正 X光在通過破璃導管(channel)過 所歷經之多次反射’造成這些光線與上述之雙重反射中 相比,會有較低之功率。 ’、 統 電子顯微鏡已被廣泛地使用到,包括半導體構造工 之諸多應用,當目標物具電子輻射時’則副作用土會^ ^ X光。由於X光光譜儀可提供有關目標物中所含成份之資 料’因此’ X光常被用在分析工作上之偵測用。在前述技 術中’已知是在掃描式電子顯微鏡之中,非常靠近目標物 處之位置上’放置一像是鐘漂移;5夕或鍺(lithium-drifted
silicon or germanium)偵測器之偵測器D像這樣的偵測 器’典型上疋裝設在冷鍵(c〇ld finger)之末端上,冷鑑 是以大量且可在7 7度K下沸騰之液態氮,以熱傳導方法冷 卻。利用將偵測器冷卻至將近〇 度κ,則可達到較高之解 析度’益且,在本文中’將偵測器放置在SEM設備本體之 外’也可以達到另人滿意之結果。無論如何,击於我們所 熟知,強度與X光光源距離平方成反比之定律,因此,當 偵測器與光源距離越遠時,光譜儀所接收到之X光強度便 會降低。我們也知道’可以在SEM設備本體内,使用整束 的聚毛細玻璃光管 U〇n〇Uthic polycapillary glass
optics),以集中X光並依序加以分析,但在,SEM設備本 體之外’則不使用像這樣的集中器。 發明摘要 $ # 、從一個觀點來看,本發明物之χ光診斷系統包括一 χ光 源;以及一與X光源相隔一段距離,並可用來接受來自χ光
·' 4 454 8 8 —-案號」81j64jl. ,-^_____曰 修正____ 五、發明說明(3) 光源之X光束集中器,;以及用來接受來自於集中器χ光之_χ ,光譜儀。X光光源可以以像是掃描式電子顯微鏡的電子 束所激發出,或疋以一聚焦式同步加速粒子束、離子束或 雷射所激發出樣本容積(sample valume)之點光源。χ光之 點光源可以是一工業用X光管,或者可以由受限類型之磁 學和/或靜電學上,實驗室電漿機所產生出熱氣體之樣本 各積而產生,也可以疋丨貝性上(inertia iiy)之受限電衆。 X光光源也可以是一工業用之電子撞擊設備,或甚至是隔 開一遠距空間之X光發射體。 在較佳具體實例中’點對點式之x光集中器是由套疊的 圓柱表面,或是繞成圓柱螺旋形之表面,所產生之單一反 射。點對點式集中器也可以是由相對組之套疊圓錐表面, 或是繞成圓錐螺旋形之表面所產生之多重反射β在另一具 體實例中’點對點式集中器是一單一玻璃毛細束,單一玻 璃毛細束也可以是整束的。在另一具體實例中,點對點式 集中器包括,與一平行對點式玻璃毛細束偶接之點對平行 式玻璃毛細束,並且’是經由真空或可變距離之氣體而產 生偶接。 光譜儀若是像微熱量計,鋰漂移矽偵測器、鍺偵測器、 碲化編鋅(cadmium zinc telluride,CZT)偵測器、氣體 閃爍比例計,或是氣體比例計之能量分散式X光偵測器, 則會較佳。 光諸儀也可以是在Johann组態或von Hamos組態下,使 用至少一個薄的Bragg水晶,或利用至少一個Bragg水晶之
4454 8 8 案號 88106437 曰 修正 五、發明說明(4) 波長分散式X光光譜儀。 在更進一步之另一觀點,本發明物係一種X光集中器, 包括一具有反射用表面,並且排成具有多重環繞螺旋狀之 條狀材料。這種集中器可以是單一或者多重反射之集中 器’長條若是塑膠箔片、鋁箔或水晶條,則會較佳。適宜 的塑膠箱片可以是聚酯(p〇lyester )、聚醯亞氨薄膜 (kapton,商品名)、聚酯薄膜(mel inex,商品名)、 hostaphan、apilcal或密拉聚酯薄膜(mylar)。而特佳之 ,膠材料’可得自Eastman Kodak公司之ESTARTM設計。所 ===適合厚度範圍為〇.〇〇4到〇〇15英吋,長條若是鍍 二薄,金屬則較佳,若是像鍍、金或銥之高Z金屬則更 或複合:2冗;;二"】;:外觀是以由金屬、塑膠 銘在鈹、不鱗構所成型’適合之材料則為 之另—觀點’本严明物係由具有反射用表面 光集中器。,多重套《之同軸圓柱或圓錐之一種χ 塑膠箔片、;疊之圓柱或圓錐,可以由玻璃、鋁箔、 發明物在螺旋所製成,適宜的塑膠材料則如上,與本 與螺旋外觀面之觀點所述相同',塑膠材料也可以鍍上 本發明同材料。 體之外,並鍊^中益可放置在,舉例而言,在sm設備本 之間並無窗口 可穿透過Χ光之窗口,或者在SEM與X光 聚集至,、放晉柘Ξ經由一輸送管來接收Χ光。Χ光可集中或 放置位置與S Ε Μ之内之目標物相距數公尺之光譜戈
第8頁 4454 8 8 _案號88106437_年月曰 修正_ 五、發明說明(5) 儀上,由於這樣的距離,使得像是冷卻至0 . 1度K顯微鏡-之 光譜儀,可以因光線解析度大為增加,而更方便使用。 圖形簡述 圖1所舉出係本發明物使用單一反射圓柱,或圓柱螺旋 箔片之一具體實例之一圖例。 圖2所舉出係本發明物使用雙重或多重反射圓柱,或圓 錐螺旋箔另之一具體實例之一圖例。 圖3所舉出係本發明物利用一多重反射,點對點式毛細 束之一具體實例之一圖例。 圖4所舉出係本發明物使用一多重反射點對平行式,以 及平行對點式毛細束之一具體實例之一圖例。所舉出之此 圖形,也是本發明物使用,點對平行式單一或多重反射圓 錐或圓錐螺旋集中器,以及單一或多重反射平行對點式, 圓錐或圓錐螺旋集中器之一具體實例之一圖例。 圖5係圓柱集中器之一底視圖。 圖6係螺旋集中器之一底視圖。 圖7所示係一圓柱集中器之射線執跡模擬圖。 圖8所示係一螺旋集中器之射線執跡模擬圖。 圖9係由一圓柱箔片望遠鏡所反射出X光之軌跡投影圖。 圖1 0係由一圓柱螺旋望遠鏡所反射出X光之軌跡投影 圖。 圖1 1係支撐圓柱或圓柱螺旋集中器之條狀元件結構體, 所分離出之透視圖。 圖1 2係圓柱或圓柱螺旋集中器之組合結構體之透視圖。
^ 4 45 4 8 8 _案號88106437_年月曰 修正_ 五、發明說明(6) 圖13係1. 49 keV下,由AIK α X光所產生光線之影像。--圖14係本發明具有及不具有望遠鏡或集中器,計數率相 對於能量之圖形。 圖1 5係圖1 4中之曲線之能量比值圖形。 圖1 6係得自於使用一螺旋光線,以及一微熱量計之一掃 描式電子顯微鏡之微分析光譜圖。 圖1 7係使用整束之聚毛細玻璃光管,修正增益係數相對 於能量之圖形。 圖1 8係利用整束之點對平行式,平行對點式聚毛細玻璃 光管之光譜圖形。 圖1 9係利用整束之點對平行式,平行對點式聚毛細玻璃 光管,增益係數相對於能量之圖形。 圖2 0所舉出係本發明物應用在X光攝影術上之圖形。 圖2 1所舉出係本發明物應用在X光平版印刷術上之圖 形。. 圖2 2所舉出係本發明物應用在X光射線治療上之圖形。 主要元件符號說明 1 0掃描式電子顯微鏡 1 2Χ光束 1 4單一反射圓柱或圓柱螺旋箔片 1 6光譜儀 18多重反射圓柱或圓柱螺旋箔片集中器 2 0點對點式毛細束 2 2多重反射點對平行式及平行對點式毛細束 24圓柱或圓錐集中器 26, 28, 30套疊之集中圓柱或圓錐
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3 4長條 36點光源 3 8環形影像 4 0前盤 4 4中心輪較 48套疊之圓錐矣且 5 2被檢視之試 5 6基底 , 6 0受損部位 案號 88106437 五、發明說明(7) 3 2螺旋集中器 3 5點影像 37圓柱箔片 3 9螺旋箔片 42後盤 46不銹鋼栓 50近似平行之光束 5 4二維X光檢測器 58光罩 62周圍健康組織 較佳具體實例之描述 示 片 我們所研究出來自於遙遠點光源X光之庵 子i/lL里會隨者距離平方而遞減,因此使得別资’由於光 受到很大之限制。在本文中,提出了一趣χ1;8:上的靈敏度 敏度上之問題’一個設計概念是建立在如學毁計在靈& 以來自於套疊式圓柱、圓錐、圓柱螺旋或圓及圖2所 而掠擦入射過表面所造成之單一或多重反射錐螺旋箔 ,,一掃描式電子顯微鏡10產生出分散之X先在這些圖形 單一反射圓柱,或圓柱螺旋箔片集中器14, ·東丨2,根據/ Ϊ2,並且聚焦至一光譜儀16中。在圖2中,當八射出X光 .12遇到套疊式或多重反射圓錐,或圓錐螺旋/散之X光束 時,也同樣地會將X光束12聚焦至光譜儀16中^。片+集_中器 計概念如圖3及圖4所示,其優點在於破璃毛細束^^二<個^設i 反射。在圖3中,分散之X光1 2在通過可將X光1 2聚焦之點 對點式毛細束2 〇後,而到達光譜儀1 6中。在圖4中,多重
第11頁 案號88〗(lft437 曰 修正 五、發明說明(8) 反射點對平行式以及平行對點式毛細束2 2,都同樣可將--光 束1 2聚焦至光譜儀丨6中。圖4中也顯示出一點對平行式單 一或多重反射圓錐,或圓錐螺旋集中器,以及接著的單一 或多重反射平行對點式圓錐,或圓錐螺旋集中器。具體實 例之細節圖示於圖1至圖4中’下文中會加以描述,並顯示 出由實驗所得之性能。每一個圖示於圖i至圖4中之χ光系 統,都會加以密集化,以便使收集到之固體角度(s 〇丨丄d angle)大為增加。這此具體實例特別適用於實^室之天體 學,以及X光微分析之應用。因為’它們可使低溫但 '恤益(cryostat)之偶合大為改善,以維持 電子顯微鏡1 〇在X光微熱量計之高解析户 辟而/自仏式 在本文中所提出之這些科技中之技z \ ° ’
測上之天體物理學方面之應用。由於集中^用、n =以將分散光束加以聚焦’因此可將光線接收至光譜。J 本片集中器之兩個具體實例,圖示於圖5及圖6 =。在圖5中,一圓柱或圓錐集令器24包括 等等。集中圓柱或圓錐由鍍金之塑勝 長條所形成。套疊之圓柱或圓錐26、28、30 ,也可以 mi' 所製成。®示於圖6之螺旋集中y ,金之塑膠:銘猪、或水晶條。圖5及圆成6具;以Π a之塑膠材料包括聚酉旨(p〇iyester)、聚黯亞氛 (polyimide) ' 聚酯(p〇1yester)、聚醯亞9氨薄膜 (kapton ’商品名)、聚酯薄膜(mennex,商品名)、
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、在 4 5 4· 8 8 _案號88106437_年月曰 五、發明說明(9) hostaphan、apilcal、密拉聚酯薄膜(mylar),或任何適 合之平坦且可伸縮之材料,而特佳之塑膠材料,可得自 Eastman Kodak公司之ESTAR設計。像這樣之塑勝辖片厚度 範圍舉例而言’可以是0.004到0.015英叫厚。塑勝材料 若鐘上一薄層金屬則較佳,若是像錄、金或鼓之高z金屬 則更佳’也可以鍍上多層。鍍金屬層之適合厚度為將近 800埃(人),將金屬鐘上塑膠長條之適合技術,可二是蒸發 法或喷濺法。圖5及圖6之具體實例,可以由圖1所示之單 一反射’或圖2所示之多重反射,而將之具體化。 圖5及圖6所示之具體實例,都是在〇. i keV至ι〇^之 能量帶下’使用點對點式之幾何,以得到顯著之增益以及 固體角度。增益是依X光反射度 ' 焦點距離、長條之寬 度]螺旋旋數或套疊圓柱之數目而定。藉由在沒有鍍上材 料以及链上金屬之塑膠上,沉積多層的,舉例而言,鎢 碳、姑碳或鎳碳’來改善集中器24及32之X光之反射度’ 並使此設計可函括較大之掠擦角度。 在美國麻薩諸塞州,康橋的Sm i thson i an天體物理觀測 (Jm i thson.i an strophs i cal Observatory),已經以微 2刀析上之應用’建立起並對圓錐螺旋集中器32之一具體 ==,行過測試。其中,X光源(掃描式電子顯微鏡,SEM) 與能S分散福測器(鋰漂移矽偵測器和/或X光微熱量計)之 間之距離將近兩公尺。這個架構起來之具體實例,是使用 點對點式幾何下之單一反射,螺旋集中器32之條狀,則是 斜度(P ch ) 0 ‘ 0 5英吋並且在中心孔隙直徑5 〇公釐内,有 1 9個螺旋。在圓柱形集中器24方面,長條截成2 〇斷,以組
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五、發明說明(10) f同軸圓柱體。圖7所示為長條寬度為25公釐 i私么尺之圓柱形集中器2 4 ,以電腦程式所挺Μ I、又 ^執跡影像圖形。圖8則描緣出,由出,射 ί S 3 ^ ^ ^ 2 4 , ί ; f J ;-, ^J ^ - t , 之蟫斿#啓.少在4 一圖中將圖5之圓桎光管盥圖6 i、ί 3 反射幾何關係作互相比較β如圖9所;? ! ;連接該點光源36至圓柱猪片37反射面之光;9所,不’因 ;箱片面之法向量的光束係同一光束,故$ 點#像35 〇對照之下,如圖」G所示,二光 36至螺旋箔片39反 連接該點先源 光束並非同一光^射,=先束與形成該箱片面之法向量的 摘M m 1 1 =束,故該螺旋光官形一環形影像3 8。 中心輪^44之螺旋集中器32包括,彼此分隔且支持著 圓盤4〇i42i: 40及後盤42’ *此具體實例中,每-個 外延伸,輪輻上^ J t輻,並且甴中心輪轂44呈輻射狀往 =申輪軺上穿鑿出孔洞(未圖示出)以固 :;於6圖Γ二鋼检長= 峭則箝入外部支持^46中之—端箝入中/輪轂44中,另一 集中器32,必ΐϊΐ的r之一。圖12中圖示出一組合後之 由ϊί 固定住。支樓住長條34之構造可以 皱、不㈣:3;料所製成’適合之材料可以是铭、 X光W文Λλ如圖、H所示之螺旋光管32 ’被評估可應用在 η 。光管(或集中器)32裝設在與一五個自由
4 454 8 8 _案號 88106437 五、發明說明(11)
度,三個移動軸及兩個轉動軸,並與可動式美底相連之美 台(stage)上。基台位於一掃描式電子顯^鏡Ί目一微頻土 道平版型偵測器或鋰漂移矽偵測器之間軸線之中點(5 2英 忖)上’這些設備被依序使用來測量影像特性及光遞 特性。 圖13所示係’在1‘ 5 kev之能量下’以影像偵測器所測 量到之影像。以圖8模擬而預測出,非常明顯地是環狀之 影像結構。具有及不具有X光集中器3 2所得到之光譜計數 率’則圖示於圖1 4中。在這些測量中,用到一鋰漂S移石夕值 測器’三個峰值依序為9 3 0 eV的銅L α、8. 04 keV的銅 、 L α、8. 9 keV的鋼L沒 '具有及不具有望遠鏡所記錄到之 強度比值’是由X光所提供之增益所測量出之結困,並圖 示於圖1 5中。在此特別之案例中,以一直徑1公釐之孔隙 取代彳貞測器’以模仿大小像是一微熱量計之較小X光彳貞測 器,在2 keV之下將近200之增益,所代表的意義為,與光 源相距2公尺之望遠鏡所可提供之X光強度,與偵測器放置 在和光源距1 4倍近(1 4公分)相等。以冷凍式微熱量計取代 鋰漂移矽偵測器’所得出高解析度微分析光譜之一範例, 則圖示於圖1 6中。 整束之毛細玻璃光管,已被改造來用於包括微螢光分析 以及蛋白質結晶學[見參考資料]之實驗室應用上。成錐形 之玻璃光管,使得它可以將來自點光源,角度範圍為6度 之X光截斷’並聚焦為直徑為〇. 2公釐大小FWHM之光點。 這些整束之聚毛細玻璃光管,可以用在SEM之微分析 上,以及像是鋰漂移矽偵測器、鍺偵測器或冷凍式冷卻型
第15頁 4454 8 8 修正 案號 88106437 五、發明說明(12) 微熱量計上。如圖3及圖4所圖示,有兩種方法可以以毛τ細 束產生出點對點式之聚焦。第一種如圖3所示,是使用單 一之整束式聚毛細束2 0 °我們已在6 k.eV之能量範圍下, 以X光測試過像這樣之毛細束,在此測試中所使用之光 管,具有1 4英吋之點對點式焦距,如圖1 7所示,所測量到 之增益高達400,並且為能量之函數。 第二個方法如圖4所示,是使用兩個整束的聚毛細束 2 2,輸入光管將來自點光源1 0之X光截斷,並將射線1 2導 入一平行束,輸出之透鏡部份則將X光之平行部分截斷, 並將之聚焦成點。這種技術具有之優點為,光源與影像之 間之距離為可變的,而且在每次作實驗用之外觀修正時, 不需要再製造特殊之整束的聚毛細束。圖18所示為,安裝 好之聚毛細玻璃光管所得出之光譜,其增益為能量之函 數,並圖示於圖1 9中。 本發明物之集中器。可以應用在X光攝影術、X光平版印 刷術以及射線治療上之領域。舉例而言,常見之乳房攝影 機器,是將一Mo K之X光點光源形成一分散之光束,在通 過乳房後記錄於一照相平版上,乳房之損害程度,以各部 位之對比光線強度而呈現於影像中。由於乳房組織較厚, 因此損害部位可以沿著光束路徑,在不同的距離上來加以 定位。但是光束之分散,會造成所記錄到之損害部位大 小,會依光束路徑上之定位不同而有很大之不同,這個效 應會導致特殊解析度之損失,並影響到乳房攝影之診斷結 果。如果,以平行之X光取代分散之X光,則這個效應便可 以消失。
第16頁 ' 4454 8 8 _案號88106437_车月日 修正____ 五、發明說明(13) 由於大部份常見之X光源,都是得自似點(P〇 i n t — 1 i k e·) 之幾何形狀,因此較大直徑之X光束並不常見’解決此問 題之方法,是在光源與胸部之間架設一光學系統’則可由 得自點光源之X光,而得出平行之光束,這可以由圖20所 示,可藉由高效率多層反射Mo K X光之一組套疊圓錐,或 者點對平行束之玻璃毛細管來達成。在圖20中,由光源36 發出之X光分散光束經過一組套疊之圓錐48而產生近似平 行之光束50,在被二維X光檢測器54檢測出之前穿過被檢 視之試樣5 2。該組套疊圓錐及點對平行之玻璃毛細管束與 拋物線面之透鏡相近,且提供具有小發散角度之近似平行 光束。為了要使依續來自圓錐所反射出之X光,能作到部 份重疊,以及能移除任何因圓錐所產生之陰影,因此,某 個角度的分散則是必須的。對這種平行光束而言,受損部 位之影像,不會受到沿著光束路徑之定位所影響,並且可 移除診斷上某種程度之不確定成分。 同樣地,如圖21所示,本發明之集中器可以形成一 X光 微平版印刷術,在圖21中’由光源3 6發出之X光分散光束 經過一組套疊圓錐48而產生近似平行之光束5〇再被一光罩 58之基底56阻擋。低能量之X光一般是使用在微影術,而 多層之技術則無必要。近似平行之光束可以碟保該光罩精 確地成像在該基底上。光束不發散代表有可能在基底上以 較細的線構成影像。 ^ 在應用上’ X光治療必須能夠破壞位於組織深處之受損 部位’一般的方法’是使用可貫穿受損部位之一^精密準直 光束’這種方法會導致沿著該線上之組織,都接受到幾乎
第17頁 4 454 8 8 _案號88106437_年月日 修正_ 五、發明說明(14) 同等之高劑量輻射。有一種方法,可使周圍組織比受擤-組 織接受到較低劑量。便是使輻射以圓錐形狀進入體内,並 使其尖端座落於受損部位上,這可以以機器將病患旋轉 至,可使圓錐尖端位於受損部位之中心來達成。筆狀光束 一般是可以穿越尖端的,但是隨著方向的不同,可以降低 曝露在周圍健康組織中之輻射°達到同樣目的之另一種手 段係使用一種可將由如圖2 2所示之X光源之分散光束重新 聚焦之光管。該光管之焦點位於受損部位6 0,且該圓錐形 之再聚焦之光束將以最大強度投射在該受損部位上,且遠 小於在周圍健康組織6 2上。此光管可作出近似於點對點式 之透鏡,這種近似可以以套疊圓柱或兩組相對之套疊圓錐 來達成,在另一案例中,也可以以多層化之薄箔片組出鏡 面,而反射出我們想要之X光。 要認清的一個事實是,本文中所提出之發明物,报明顯 地可以在這些技術上作修正及變動,而且,所有的這些修 正及變動,都包括在所附加申請專利範圍之領域中。 所申請之專利範圍為:
第18頁

Claims (1)

  1. 4454 8 8 案號 88106437 曰 修正 六、申請專利範圍 1. 一種X光診斷系統,包括: -- —X光光源; 與X光源相隔一段距離,並可用來接受來自X光源之X 光的一 X光束集中器;以及, 用來接受來自於集中器之X光的X光光譜儀。 2. 根據申請專利範圍第1項之系統,其中X光光源係一掃 描式電子顯微鏡,或電子顯微探測器。 3. 根據申請專利範圍第1項之系統,其中X光光源係以離 子光束、同步加速光束、或雷射、照射在樣品上之一設 備。 其中X光光源係一實 其中實驗室電漿機 其中實驗室電漿機 其中X光光源係一電 其中X光光束集中器 其中集中器係一雙 ,其中集中器係一雙 4. 根據申請專利範圍第1項之系統 驗室電漿機。 5. 根據申請專利範圍第4項之系統 是在,磁性和/或電性上受限之類型。 6. 根據申請專利範圍第4項之系統 是慣性上受限之類型。 7. 根據申請專利範圍第1項之系統 子碰撞裝置。 8. 根據申請專利範圍第1項之系統: 係一點對點式之X光集中器。 9. 根據申請專利範圍第8項之系統: 重或多重反射之圓柱集中器。 1 0.根據申請專利範圍第8項之系統 重或多重反射之圓錐集中器。
    4454 8 8 _案號881Q6437_年月日__ 六、申請專利li圍 1 1.根據申請專利範圍第9或第1 0項之系統,其中圓柱--形 集中器包括,兩個或更多個套疊之圓柱或圓錐。 12.根據申請專利範圍第1 1項之系統,其中套疊之圓柱 由玻璃、鋁箔、塑膠箔片、矽或鍺所製成。 1 3.根據申請專利範圍第1 2項之系統,其中塑膠箔片為 聚酯(polyester)、聚酿亞氨(polyimide)、聚醯亞氨薄膜 (kapton,商品名)、聚酯薄膜(melinex,商品名)、 hostaphan、apilcal、或密拉聚酯薄膜(mylar)。 1 4.根據申請專利範圍第1 2項之系統,其中塑膠是 ESTAR™。 1 5.根據申請專利範圍第1 3項之系統,其中塑膠箔’片具 有0 . 0 0 2至0 . 0 1 5英吋之厚度範圍,或是,任何可使箔片彎 曲成圓柱形之厚度。 1 6.根據申請專利範圍第1 2項之系統,其中套疊之圓 柱,鑛上一薄層金屬。 1 7.择據申請專利範圍第1 6項之系統,其中金屬為一高Ζ 金屬。 1 8.根據申請專利範圍第1 7項之系統,其令高Ζ金屬為 鎳、金或錶。 1 9.根據申請專利範圍第1 2項之系統,其中套疊之圓柱 鑛上多層。 2 0.根據申請專利範圍第8項之系統,其中集中器係一單 一反射之圓柱螺旋集中器。 2 1.根據申請專利範圍第8項之系統,其中集中器係一雙
    第21頁 4454 8 8 _案號 88106437_± 六、申請專利範圍 月 曰 修正 重或多重反射之圓錐螺旋集中器。 , 2 2.根據申請專利範圍第2 0或2 1項之系統,其中該螺旋 是由塑膠箔片、鋁箔或石英條所製成。 2 3.根據申請專利範圍第22項之系統,其中塑膠箔片是 聚酯(polyester)、聚醢亞氨薄膜(kapton,商品名)、聚 酯薄膜(melinex,商品名)、hostaphan ' apilcal、或密 拉聚酯薄膜(my 1 ar )。 2 4.根據申請專利範圍第2 2之系統,其中塑膠箔片是 ESTAR ° 2 5.根據申請專利範圍第2 3項之系統,其中箔片為0 · 0 0 2 至0 . 0 1 5英吋厚,或是任何可使箔片彎曲成螺旋形之厚 度。 2 6.根據申請專利範圍第2 2項之系統,其中螺旋鍍上一 薄層金屬。 2 7.根據申請專利範圍第2 6項之系統,其中金屬為一高Z 金屬。 2 8.根據申請專利範圍第2 7項之系統,其中高Z金屬為 錄、金或銀。 2 9.根據申請專利範圍第2 2項之系統,其中套疊之圓柱 鍍上多層。 30. —種X光集中器,包括: 具有可反射之表面,並且排成具有多重環繞螺旋狀之 條狀材料。 31. —種X光集中器,包括一多重套疊,具有可反射之表
    第22頁 1 4 454 8 8 _案號88106437_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 面條狀材料之同軸圓柱。 -_ 3 2 .根據申請專利範圍第3 0或3 1之集中器,還包括以一 軸心相連,且相隔一距離之一對圓盤,該圓盤包括,一以 輪軸支撐之外環,並且用來作為反射用之表面。 3 3.根據申請專利範圍第3 2項之集中器,其中用來作為 反射用表面之方法,包括以輪輻支撐不銹鋼銷。 3 4.根據申請專利範圍第32項之集中器,其中用來支撐 反射用表面之方法,包括在互相分隔之圓盤輪輻上加上溝 槽。 3 5.根據申請專利範圍第3 2項之集中器_,其中圓盤與軸 心是由金屬所製成。 3 6 .根據申請專利範圍第3 5項之集中器,其中金屬為 鋁、鈹、不銹鋼、鈦或鎢·。 3 7.根據申請專利範圍第8項之系統,其中集中器為單一 之玻璃毛細管。 3 8.根據申請專利範圍第3 7項之系統,其中玻璃毛細管 為整束的。 3 9.根據申請專利範圍第3 8項之系統,其中玻璃毛細管 具有3 5 0公釐之焦距,或製造成任何之焦距。 4 0.根據申請專利範圍第1項之系統,其中集中器包括, 與一平行對點式玻璃毛細管偶合之一點對平行式玻璃毛細 管。 4 1.根據申請專利範圍第40項之系統,其中,經由真空 或可變距離之氣體才能產生偶接。
    第23頁 2001.03.16. 023 4454 8 8 _ 案號 881064TZ_年月曰 一-——___ 六、申請專利範圍 4 2.根據申請專利範圍第1項之系統’其中光讀儀係一--能 量分散之X光偵測器。 4 3.根據申請專利範圍第4 2項之系统,其中^能量分散偵 測器是由,包括有微熱量計、鋰漂移矽偵測器、鍺偵測 器、比例計、氣體閃爍比例計和氣體比例計’這些族群當 中所選出。 44.根據申請專利範圍第1項之系統,其中光譜儀是一波 長分散之X光偵測器。 45·根據申請專利範圍第44項之系統,其中波;長分散之X 光光谱儀’使用至少一個薄的Bragg水晶。 4 6,根據申請專利範圍第4 4項之系統,其中波長分散u之X 光光譜儀’使用至少一個Johann組態或von Hamos組態之 薄的Bragg水晶。 47. —種X光診斷系統,包括: 一可產生X光之掃描式電子顯微鏡; 與掃描式電子顯微鏡相隔一段距離,並可用來接受來 自掃描式電子顯微鏡X光之一 X光束集中器;以及 用來接受來自於集中器X光之X光光譜儀,其中集中器 具有可反射用表面,並且排成具有多重環繞螺旋狀之 條狀材料’條狀材料為鍍上金屬之塑膠。
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