TW445194B - Resinous grinding stone for semiconductor wafer grinding, the production method thereof, semiconductor wafer grinding method, semiconductor element and semiconductor device - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ------B7____ 五、發明說明（1 ) [技術範圍] 本發明有關在半導體晶圓上所形成配線材料以及進行 多層配線時所形成之層間絕緣膜之研磨有用的樹脂砂輪； 特別是關於少有刮傷（Scratch)發生，又可快速研磨’具有 優越的表面平坦化性能之半導體晶圓研磨用樹脂砂輪、其 製造方法、將其使用於半導體晶圃之研磨方法、使用該半 導體晶圓之半導體元件，以及含有該半導體元件之半導體 裝置。 [以往技術] 隨著半導體元件的高集積化，裝置的微細化、多層配 線構造化方面頗有進展。結果，對矽晶圓上所形成之配線 層’為微細化、高信賴度化起見，平坦化已成不可或缺的 要件。平坦化技術而言，以往採用如旋塗式玻璃（s〇G spin on Glass)等’先薄薄塗佈一液狀絕緣膜後再以化學氣相沈 積（CVD)等方法形成無機膜之方法、使用如聚醯亞胺等塗 佈型耐熱性有機膜之方法、形成無機膜之後、將此無機膜 以離子蚀刻等回蝕等方法。然而這些方法的平坦化性能不 高已到需要改進之地步α 取代以上之方法，有於柔軟的樹脂板片所構成之研磨 整上以二氧化矽或氧化鄉等之研漿研磨’亦即所謂化學機 械研磨法（CMP)已進入實用化。 然而’採用這種方法研磨時由於柔軟樹脂研磨墊的使 用’被研磨物的凹部及凸部均被研磨以致難以達成全面完 全平坦化’而若採用較硬樹脂板片則又常有刮傷的問題發 本纸―張尺度適用*關家標車（CNS)A.丨規格（L)u) X 297公餐) ---' 1 310870 --------if--------- (请先聞讀背在二涑意事读矜填寫本 445194 A7 五、發明說明〇 ) 生。 而且’研磨墊壽命短之故，每研磨數百片晶圓就需要 更換新研磨墊，研磨條件也需要隨著調整，以致耗品及维 護費用高、而不經濟之問題。再者，高價的研漿研磨劑在 使用後丟棄之故，其廢液必須加以處理，以致成本报高β 加之，研漿在保管中有發生凝集、沉降之可能，在使用之 前必須加以充分分散，否則研磨特性將大幅度變化等，處 理上的困難是實用上的一大障礙。 [發明概要] 本發明之第1個目的在於提供一種不需使用高償研漿 作為研磨劑、研磨面刮傷少、又可快速研磨、平坦化性能 優越的半導體晶圓研磨用樹脂砂輪。 本發明之第2個目的在於提供一種上述半導體晶圓研 磨用樹脂砂輪之製造方法。 本發明之第3個目的在於提供一種使用上述半導鱧晶 圓研磨用樹腊砂輪的半導體晶圓之研磨方法β 本發明之第4個目的在於提供一種使用上述半導體晶 圓之半導體元件》 本發明之第5個目的是在提供一種含有上述半導體元 件的半導體裝置。 本發明是為提供一種使用常溫下為固体且平均粒徑 50 以下以之樹脂材料而製得：以弩曲彈性模數1〇〇() 至3 5,000kgf/cm 2之結合樹脂a至33容積％、最大粒徑2 以m之磨粒18至33容積％為必要成份之具有連續孔隙的 令玳放人度坶用r國國冢標芈（CNS)A4規¥1^0 x 297公爱） <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝-------- 訂------ ---f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 310870 A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印较 五、發明說明（ 構這体，而礼隙度為45至55容積％為特徵之半導體晶圓 研磨用樹脂砂輪。 本發明也提供一種將樹脂材料與磨粒，按能使結合樹 脂1 8至33容積％、磨粒1 8至33容積％、以及孔隙度45 至55容積％之比例均勻混合後，所得之混合粉充填於預 疋之金屬模具，並於模具溫度1〇〇至2001下壓縮成型為 特徵之半導體晶圓研磨用樹脂砂輪的製造方法。 再者，本發明提供一種以使用上述半導體晶圓研磨用 樹脂砂輪為特徵之半導體晶圓研磨方法β 又再者，本發明提供一種使用經上述砂輪研磨的半導 體晶圓所製得之半導體元件及半導體裝置。 [實施本發明的最佳條件] 本發明所使用的樹脂材料’在砂輪成型前之形態，於 常溫下為固態粉末，其平均粒徑在5〇 # m以下，而以在2〇 M m以下為較佳。若使用常溫下為液態之樹脂，則磨粒表 面將被覆蓋而大幅降低研磨速度，無法製得可耐實用的樹 脂砂輪。在本發明t，樹脂材料與磨粒的混合方法甚為重 要。藉由使用常溫下為固態之樹脂材料，並調整砂輪成型 時的加熱成型溫度條件，以製成為磨粒不致被結合樹脂完 全覆蓋的構造，實屬重要。 結合樹脂的使用範圍係按砂輪容積之18至33容積 %。若樹脂量超過3 3容積％，則磨粒比例過低，磨粒為 結合樹脂所被覆之比例將增高’以致不僅研磨速度低，砂 輪本身也將太過柔軟而平坦化性能降低；若低於容積 .度中國國家標準（CNS)A4規烙（2】()χ297公望}~~~--------- 3 3i087〇 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 445 1 經濟部智慧財產局員I-消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4 ) % *則有磨粒與結合樹脂的結合力不夠，砂輪變很腺，以 致產生研磨時龜裂、破碎等缺點。 本說明書中所謂「樹脂材料」係指本發明用於製造樹 脂砂輪之’常溫下為固体，且平均粒徑在50/ζπ1以下之 粉末狀樹脂材料之意。 而「結合樹脂」係指在樹脂材料與磨粒混合、加熱成 型後，形成磨粒與孔隙的粒結劑（matrix)之狀態之樹脂之 意。 以熱固性樹脂作為樹脂材料時，結合樹脂的弩曲彈性 模數，可依如下方法測定。亦即僅將成型前之樹脂材料本 身以砂輪成型同樣之加熱條件（必要時加壓）加熱成型為樹 脂板’並切取5 mm厚xl 〇mm寬xl 20mm長的試片，按照 JIS-K-6911之方法測定。如以熱塑性樹脂為樹脂材料時， 結合樹脂的弩曲彈性模數則依樹脂種類而定，按上述的 5mm厚？d 0mm寬xl 20mm長大小之樹脂板，按照jIS_K、 6911的方法測定。 結合樹脂的弩曲彈性模數係在1，000至 35,000kgf/cm2。若彎曲彈性模數低於i，〇〇〇kgf/cm2時，雖 能極有效抑制刮傷的發生，但平坦化性能降低；若.考曲_ 性模數高於35,000kgf/cm2，則研磨時由於應力集中容易 造成刮傷。 & 連續孔隙的孔陈度係砂輪容1積的45至55容積％ 〇若 孔隙度低於45容積％，則研磨時砂輪與晶圓之間的排水 不良，晶圓因漂浮而研磨速度降低；若孔隙度高於55容 ------------ .I--------訂_ (請先閱讀背面之注意事項爯填寫本I> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 310870 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 A7 _ B7-------- 五、發明說明（5 ) 積％，則樹脂砂輪本身過於脆弱而研磨時容易發生裂開、 缺口等。 本發明所使用之常溫下為固体的樹脂材料’可例舉常 溫下為固体之不飽和聚酯、苯二甲酸二烯丙酯樹脂、環氧 樹脂、聚乙烯、聚丙烯、聚醯胺、壓克力樹脂、聚丁二烯 樹脂、或苯乙烯丁二烯共聚物；但以選自不飽和聚酯、笨 二甲酸二稀丙醋樹脂及環氧樹脂中之至少一種為較好。 不飽和聚酯基本上為具有不飽和基的二鹽基酸與多元 醇反應之產物°二鹽基酸可以用具有不飽和基的順丁稀二 酸、反丁烯二酸、冰片烯二酸等之外，不具有不飽和基的 二鹽基酸，如鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對笨二甲酸、己 二酸等也可以併用。而多元醇可例舉乙二醇' 丙二醇、二 乙二醇、聚乙二醇、甘油、新戊二醇等。 反應啟始劑方面’各種類型均可使用，但實用上以過 氧化物、偶氮化合物等之自由基啟始劑較好用。 表一甲酸二婦丙醋樹脂可使用鄰苯二甲酸、間苯二甲 酸、對笨二甲酸'或其酸酐等與丙烯醇或齒化芳基等反應 以酯化者。至於反應啟始劑，可以使用與上述不飽和聚酯 之合成所使用者同樣之啟始劑。 環氧樹脂可以使用雙酚A型環氧樹脂、清漆型環氧 樹脂'聯苯型環氣樹脂等，只要常溫下為固趙者即可使用。 環氧樹脂的硬化劑則可以用酸酐、多官能盼類化合物、胺 類化合物等。這些樹脂材料都能買到’但以不含雜質的高 純度產品為佳。 家標单（CN^X^m(h 297 公餐厂----- 310870 -------------裝-------—訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（6 ) 為求結合樹脂的低彈性模數化，也可以採用橡膠微粒 之分散構造。橡膠微粒的分散有種種方法，例如以分子量 較低的樹脂材料與反應性橡膠成份共聚，藉以使橡膠微粒 伴隨硬化而析出，室溫附近可得具有低彈性模數之硬化 物1> 橡耀成份則以末端具有乙烯基、環氡基、羧酸基、胺 基等官能基而分子量在1，〇〇〇至7,000之程度者為佳。例 如聚矽氧橡膠、丁二烯橡膠、丙烯腈丁二烯橡膠、壓克力 橡膠等β這些橡膠成份或預先與樹脂材料反應或硬化時使 其與樹脂材料反應’即可得所欲之橡膠分散構造。但經分 散之橡膠微粒之大小以及橡膠微粒與樹脂材料之間的界面 反應因深受互相之相溶性之影響’故有必要對其組合作適 當的選擇<*此外，也有藉添加已架橋的橡膠微粒以降低彈 性率之方法。 至於磨粒，一般可以使用氧化鈽'二氧化矽、三氧化 二鋁、氧化锫、鑽石、藍寶石、碳化硼、碳化矽等。而這 些磨粒也以高純度者為佳《較好是選自氧化鈽、二氧化矽、 二氧化二鋁及氧化锆中之至少一種；特別是研磨對象為二 氧化矽系者時，因高速研磨下亦不易引起損傷之故以氧 化筛為佳。 磨粒的最大粒徑定為2;zm之理由，係因使用含有最 大粒徑超過2em的磨粒之樹脂砂輪研磨時，到傷的發生 量會比以最大粒徑為2以m之磨粒做成的樹脂砂輪時顯著 增多之故。 ^ . ---I I * * I I —--! I ^ . I ------- I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

6 310870 B7 B7 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 (210 X 297 ) 7 五、發明說明（7 ) 以抑制刮傷為著眼點而言’最大粒徑應進一步放細， 而以〇 ‘ 8 y m以下為佳。 磨粒的最大粒徑可以濕式分級法容易控制之。例如， 氧化飾可以分散於含聚丙烯酸銨鹽等分散劑之水溶液而成 泥褒狀’按照所欲之最大粒徑調節靜置深度與時間令其靜 置沉降’分取上層液加以乾燥後粉碎，就能任意控制最大 粒徑。 磨粒為估砂輪容積的18至33容積。/〇β低於18容積％ 則磨粒被樹脂覆蓋之比例增加而研磨速度降低；若超過33 容積％，則成型困難而且所得樹脂砂輪也變脆。 其它添加劑方面，必要時可以添用各種分散劑、偶合 劑等。 製造本發明之樹脂砂輪時，舉例來說，按能得前述結 σ樹知、磨粒及孔隙度之比例範圍之方式將樹脂材料與磨 粒以韓蘇混合機（Henschel M1Xer)等，通常在室溫下於】〇 至30分鐘均勻混合而得混合粉。由各成分之密度按重量 %計算結合樹脂與磨粒之配合比例藉以調配。此時，所使 用樹脂材料為經粉碎至最大粒徑5〇ym以下較佳者為Μ β m以下者。先將樹脂材料加以粉碎的理由係為使樹脂材 料與磨粒得以均勻分散與混合之故。 然後，將混合粉體均勾充填於模具内’模具溫度1〇〇 至2〇〇°C，較佳為：熱固性樹脂之情形時丨4〇至16〇充、儿 分鐘至1 5小時，熱塑性樹脂之情形則為1 20至i 60 π、 數分鐘經由壓縮成型製得本發明之樹脂砂輪^成 之 永紙張弋夜適用申國國家櫟皐（CNS)A•丨規烙 310870 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填冩本頁) 445194 A7 -------B7 五、發明說明（8 ) 成型壓力係因模具為桿剪構造之故，僅需要桿剪上模之壓 力以及能防止上模被樹脂材料或磨粒所產生的氣體所推開 之壓力。 孔隙度的調整’可以藉由調節相對於最終目的之樹脂 砂輪谷積之混合粉重量而容易達成。混合粉中之樹脂材 料、磨粒均係微粒而極為蓬鬆，故能容易調整孔隙度到45 至55容積％ ’而製得具連績孔隙之樹脂砂輪。按在模具 内能殘留所欲之容積％的孔隙之方式，將混合粉投入模 具。孔隙度係測定樹脂砂輪之體積及重量以測定密度，再 由磨粒和樹脂材料的密度及調配比計算之。 如此製得的樹脂砂輪，具有足夠的研磨速度，在研磨 半導體晶圓時少有刮傷的發生，而可得平坦化性能優異的 研磨面。 使用本發明的樹脂砂輪研磨半導體晶圓時，可將本發 明的樹脂砂輪設置於回轉圓盤上，一面洗撖水或界面活性 劑水溶液’一面押壓受有荷重且固定在固持器上的半導體 晶圓而加以研磨即可。 使用本發明的樹脂砂輪研磨之材料，可例舉形成半導 體元件的多層配線構造所需的種種材料。特別是對二氣化 矽系的層間絕緣膜，或淺渠溝隔離（Shallow Treneh Isolation)等因二氧化矽系材料所形成之元件分離膜之平 坦化有效》 經本發明的半導體晶圓研磨用樹脂砂輪研磨之半導體 晶園，被切割（dicing)之後即成為半導趙元件。將此半導 參紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閱讀背面之>i意事項再填寫本頁) 裝---- 訂---------Λ! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印a； 310870 A7 A7 絰濟部智慧財產局員工消費合咋让印製 五、發明說明（9 體元件接合至導線架或實裝基板上，以導線、焊球等與導 線端子接合，再經由環氧樹脂封裝材等進行絕緣處理，即 可製成半導體裝置。 實施例 本發明可藉以下實施例加以說明，但本發明並不僅限 於這些實施例。 實施例1至10 使用不飽和聚酯[日本由比加（株），8523】或苯二甲酸 二烯丙酯樹脂[大曹（株），DT_170]作為樹脂材料，以樹脂 成分2重量。/ί>的反應啟始劑，過氧化二異丙笨[三井東壓 (株）’ DCP-F】’與之配合。再依下述將環氧樹脂和作為磨 粒的最大粒徑為2#m之氧化鈽按表1所示之比例調配， 於室溫下1 0分鐘以韓森混合機混合，製得均勻混合粉。 實施例7中’使用重量比50:50的不飽和聚酯與苯 一甲酸一稀丙輯樹脂，混合後以過氧化二異丙笨進行共 聚。其硬化後的彎曲彈性模數約為中間值。 實施例9至10中，作為樹脂材料使用之環氡樹脂， 係使用雙酚A型環氧樹脂[油化謝爾（shell)(株），EP-10〇4 ’環氧當量925]中、將清漆型酚醛樹脂[日立化成工 業（株），HP-85 0 N ’軟化點80aC ]作為硬化劑、將四苯基 膦蝴酸四苯酯作為硬化促進劑先經熔融混合 '再加以冷卻 固化粉碎而得的微粉。又為分散橡膠微粒起見，按能於最 終佔環氣樹脂全體的10或20重量％的方式將分子量1，〇〇〇 而末端具羧酸基之二甲基矽氧烷[信越化學（.株），矽拉布 1 . . .... ..... ..... — ___________ ιΤΤ 適用中囷國家標準（CNS)A·丨規格（:?.1ί}χ:?97公f 310870 -------------裝--------訂---------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 445 1 9 4 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（W ) 連FM-4411]於150°c經3小時與環氧樹脂調配並於150°c 反應3小時 然後按對模穴容積能殘留45至55容積％之孔隙度的 方式稱取上述混合粉體，於模具溫度160t、成型時間40 分鐘之條件下壓縮成型，製成直徑100mm、厚度7mm之 成型體。為使樹脂完全硬化，該成型髏於脫模後再於160 °C，進行2小時之後硬化，製得樹脂砂輪。 其次’使用本實施例1至10之樹脂砂輪研磨形成於 矽晶圓上的層間絕緣膜（以電漿CVD法形成的Si02膜）》 研磨試驗係於純水流動下 '對樹脂砂輪以壓力200 g/cm2、 刷動速度9 cm/sec、加工時間3分鐘之條件下進行β研磨 之後晶圓表面刮傷之測定係以光學顯微鏡對大刮傷（即有 傷及下部配線層之虞者）作6英吋晶圓全面檢查，對微刮 傷（其它的微細刮傷）則作局部觀察再換算為相當於每片6 英吋晶圓中之個數。而平坦化性能的測定係將上面刻劃有 寬1 mm、深500 nm、間隔7 mm的碁盤格子狀溝榜之6 英吋晶圓’研磨至能去除凸起部份（7 mm X 7 mm X高500 nm)為止’然後測董晶圓面上所留存的高低段差（即最高處 與最低處之高低差）。 從研磨試驗的結果可知，使用實施例1至丨〇之樹脂 砂輪，晶圓表面刮傷少有發生，平坦化性能亦良好。 比較例 1至3 取與實施例1所用者相同的不飽和聚酯依表1所示之 比例進行調配’採用與實施例1同樣方法製造樹脂砂輪並 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 310870 n I n It -I n !i ϋ 1* n . - i - It - I— ^5' i f ϋ n I -I _ _ I _ (請先閲讚背面之注意事項再填寫本頁) A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作.社印裂 五、發明說明（U ) 進行研磨試驗，其结果，比較例丨雖盔 >…刮煬之發生但因磨 板含量少’研磨速度、平垣 · :此較低，比較例2因孔隙 度低而研磨速度不冑’而且可以觀察到有到傷的發生：而 比較例3因磨粒的最大粒徑大，有不少到傷發生。

置施例U 調配與實施例9 1 10中相同的方法製作之環氧樹脂 (改質橡膠30重量％)25容積％，及最大粒徑2“m之氧化 飾25容積％’以實施例丨相同之方法製成樹腊砂輪並進 行研磨試驗。 結果，與比較例5相比平坦化性能較佳，而且在平坦 化性能、刮傷、研磨速度等方面也能取得平衡之成果。 實施例1 2 作為樹脂材料的超高分子量聚乙缔粉（三菱石油化 學’米配隆XM-221U;平均粒徑26#m，最大粒徑 m ’彎曲彈性模數1〇,〇〇〇 kg/cm2) 12份（重量份，下同）， 與最大粒徑0·8μπι/平均粒徑〇.4ym之氧化鈽粉88份先 在塑膠袋中預先；見合’再以虎合機充分混合。從所得昆合 粉稱取能使餘留孔隙度為模穴容積的50容積％之量並投 入模具中，於熱盤溫度160 °C之壓機經40分鐘壓縮成型， 製得直徑100mm'厚7mm之成型體。該成型體在模具 冷卻到80°C以下時脫模製成所欲之砂輪（結合樹脂25容 積％、磨粒25容積％、孔隙度50容積％)。 然後，如實施例丨至1 〇之樹脂砂輪同樣，在表面具 有經電漿CVD法形成之Si〇2膜之矽晶圓，以相同研磨條 木纸張纥度適用尹國國家標隼（CNSU4現格（210 W97公餐 310870 -------------裝--------訂---------線 (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

II 445194 Λ7 B7 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 五、發明說明（12) 件進行研磨。砂輪表面先以#100鑽石砂輪修整作為前處 理。結果’其研磨速度82 nm/min，大刮傷〇個/6英时晶 圓。 再以具低段差的晶圓作平坦化性能之測定，結果殘 留高低段差為120nm’雖略遜於實施例1之使用不餘和 聚酯之情形，但仍優於以軟質研磨墊所作CMP研磨。 實施例13 以軟質尼龍（聚醯胺，EMS化學公司製，克利爾特斯， 平均粒徑23 ym、最大粒徑80 vm，彎曲彈性模數 4,000kg/cm2)為樹脂材料，其他配方及成型方法則與實 施例12相同製作砂輪（結合樹％ 25容積％，磨粒25容積 % ’孔隙度50容積％)。然後以實施例】2之同樣方式評估 研磨特性。其結果’研磨速度52 nm/min，大刮傷〇個/6 英吋晶圓。 其次’在具有高低段差圖樣之晶圓之平坦化性能的測 定結果’殘留高低段差為180 nm，係約為與使用軟質研 磨墊所作之CMP研磨相當。 比較例4 調配酚樹脂[曰立化成工業（株），HP-6(HljP，弯曲彈 性模數55,000 kg/ cm2 ] 25容積〇/〇，及最大粒徑2以拉之 氡化鈽25容積％，以實施例1同樣方法製作樹脂砂輪並 進行研磨試驗》結果，在晶圓表面有比實施例i為多的刮 傷發生。 . 比較例5 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂-------- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)rVl規袼（210 X 297公f ) 12 310870 Λ7 Λ7 經濟部智慧財產局3工凊費合作.?££?1裂 五、發明說明（13 ) 以聚氨酯研磨墊（羅德公司製，ICM 000)作CMP研 磨實驗。研磨墊使用壓縮彈性率l，〇〇〇kgf/ cm2之聚氦輯 泡體；研磨漿使用將與實施例1相同的最大粒徑2 y m之 氧化鈽按能成為3重量％之方式分散於作為分散劑添加有 0.03重董％之聚丙烯酸銨鹽（和光純藥，試藥級，44重量 %水溶液，粘度1 〇〇至200 CpS)之水溶液中。研磨試驗係 與實施例1同樣之研磨條件進行。其結果，並無到傷之發 生，研磨速度亦相當快，惟平坦化性能則不如實施例1者a 比較例6 實施例1中按樹脂量ΐ6容積％，磨粒量34容積％， 孔隙度50容積％之方式使用樹脂材料及磨粒以外，其餘 則按實驗1同樣製造樹脂砂輪。所得之樹脂砂輪之機械性 脆弱’脫模時產生龜裂，無法當作砂輪加以評估。 砂輪之壓縮彈性率的測定方法：將砂輪切成寬丨2 5 mm、長U.5 mm '厚25 mm的試片，使用島津製作所的 自動繪圖儀iOTE型測試機，藉由壓縮荷重下之變形量與 荷重的關係求出砂輪之壓縮彈性率。 將實施例1至Π及比較例丨至6所使用之氧化鈽係 將日琪株式會社製高級品（純度99.99%)，分散於比較例5 所使用之聚丙烯酸銨鹽的丨重量％水溶液中’得固體成份 2〇重量。/。之漿液，使之沉降分級為最大粒徑為2 〇⑺， 並將上澄液於乾燥15小時再以嗜射磨（jetMiu)粉 碎後使用之。分級後與乾燥粉碎後之粒徑分布為幾乎相 同0 >10870 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 445 1 9 4 at B7 五、發明說明（14) 又’實施例1 2至1 3所使用之氧化鈽粉係以實施例1 至11同樣的方法製作，但其中延長沉降分級時間，以分 取最大粒徑為O.Sjtzm之氧化鈽。 本發明的樹脂砂輪係容易製造且具有優越的研磨特 性，可用於半導體晶圓上所形成之配線材料、及進行多層 配線時所形成的層間絕緣膜之研磨，也為達成半導體裝置 之平坦化、多層化、高性能化、高信賴度化等方面有用。 (諳先閲讀背面之沒意事項再填寫本頁) 經-部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國囿家標準（CNS>A4規格（2]0^ 297公餐） 14 310870 五、發明說明（15 ) iriAfflff^^^tt^l^^^^^a'^ia^^i^itfT^IL^^^UJa^^^^^^eiLf^" Λ7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印汉 〇\ ί-η w NJ rr^ s 玄 1-^ Z = o v〇 00 〇\ Ni / 濟 思 i 难 $ ΰ〇Β Off S' P： 想 濟 A 恭 » "S* 讳 铕 讳 c* 痒 a? 商 痒 P 萆 dUT 痒 P $ m 痛 P $ 恭 讳 Sr l· 蓽 恭 $ 商 審 3¾ 思 $ 恭 r -« 1' 路 $ 恭 M m Sr 赛 想 赛 想 赛 λ 1» our n 葫 UJ Lrt "〇 Ο i u* "ο ο U» Ln 〇 〇 LA 〇 o i-rt "〇 〇 g 〇 Ο o o 00 ο ο \jy o o o o 〇 o Κϊ J» ο ο μ ο ο g ο o 〇 UJ Ο 8 ut 'ο § LrJ U> g 〇 s #萆 〇Q ϋ* im 3，i 9Γ 垂 L/Λ s s s KJ\ L/l o Ln Ο kj% yj\ S £； s 式谇 On 4 is) LA Ki Ln» N> to ^Ti Si s> U\ to SJ to ο to u> Ni N> Ut K) <«n NJ Ι,Λ o $聋 jjl· ^ ^ Λ 〇 W U> to •^A Ui o z Lrt to \J\ to ν-Λ NJ U\ K) ^J\ to S) «-Λ 兰 KJ KJ> ro w Ln NJ Vi L/1 9 56 at t to »-Λ tsJ 〇 00 o +00 to to N> to NJ r〇 NJ S> M N> 3箨渖 Φ 〇 〇 KJ* 〇 Lrt U\ 〇 -J o N) 〇 o o N) <MlJ "b\ o "Uj 8 产 Ο L/t Ο UJ 00 o 户 o Wl 〇 〇 i-ri 〇 〇 1—» 〇 〇 W^t- o o o 谷 o o o 〇 o 〇 ο ο o o o o o $痒 gm ^ s染 w 〇 s o o o 〇 o o o o o ο ο Q o o o o 遵> 困尜 w\ 〇〇 g 5； 〇 \j\ to 00 K> Ui UJ -J 〇 〇\ σ> On U> KJ\ Ul N> U o 芝56 3择 〇 〇 LTi LA i K> o NJ o ON tn UJ Ul 〇 Λ NJ N> ^ is i >1 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 'C\S)：U J9： :-¾ 15 U0870

Claims (1)

1. 申請專利範圍 一種半導體晶圓研磨用樹脂砂輪，該樹脂砂輸之特徵 為： 經濟部智毯財產局3工消费合作社印；^ 16 使用常溫下為固体且平均粒徑50 # m以下之樹脂 材料而製得；以弩曲彈性模數1,000至5,000 kgf/cm2 之結合樹脂18至33容積％、最大粒徑2；um之磨粒18 至33容積％為必要成份之具有連續孔隙之構造體；而 孔隙度為45至55容積％。 2·如申請專利範圍第1項之半導體晶圓研磨用樹脂砂輪， 其中樹脂材料係常溫下為固体並選自不飽和聚酯 '笨 甲酸一婦丙酯樹脂以及環氧樹脂而成之組群中之至 少一種。 3. 如申請專利範圍帛j項或第2項之半導體晶圓研磨用 樹脂砂輪，其中磨粒係選自氧化鈽、二氧化矽、三氧 化二銘以及氧化错之組群令之至少一種。 4. 如申請專利範圍第j項之半導體晶圓研磨用樹脂砂輪 之製造方法，纟中將樹脂材料與磨粒^使結合樹脂 18至3 3各積％、磨粒1 §至3 3容積y0以及孔隙度4 5 至55合積％之比例均勻混合後，所得之混合粉充填於 預疋之金屬模具，並於模具溫度1〇〇至艺下壓縮 成型。 5- 一種半導體晶圓研磨方法，該研磨方法之特徵為使用 申請專利範圍第！項之半導趙晶圓研磨用樹脂砂輪。 6. -種半導體元件，該元件係使用中請專利範圍第5項 之半導體晶圓者。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2.10 X 297公蜚） 310870 •------------ --------訂---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員-消货"_泎.吐.·''

   -------------裝'-- (請先閿讀背面之注意事項再填寫本頁) 匕竟適用Φ围因家蠛jl iCNS)--\4規格、297 17 310870 申請專利範圍 一種半導體裝置，該裝置係含有申請專利範圍第6項 之半導體元件者。 線