TW440855B - Method to repair the defect memory-cells of an integrated memory - Google Patents

Method to repair the defect memory-cells of an integrated memory Download PDF

Info

Publication number
TW440855B
TW440855B TW088114175A TW88114175A TW440855B TW 440855 B TW440855 B TW 440855B TW 088114175 A TW088114175 A TW 088114175A TW 88114175 A TW88114175 A TW 88114175A TW 440855 B TW440855 B TW 440855B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
line
defect
spare
lines
stylization
Prior art date
Application number
TW088114175A
Other languages
English (en)
Inventor
Florian Schamberger
Helmut Schneider
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of TW440855B publication Critical patent/TW440855B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/20Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/72Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring with optimized replacement algorithms

Description

440855 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(/ ) I I 本 發 明 係關 於 一 種 積 體 記 憶 體 中 有 缺 陷 之 記 億 體 vra 军 胞 I I I 修 復 用 之 方法 〇 I 在 US 5 4 1 D 6 8 7 Α中己描逑此種方法。 記億體之各別之 請 I 1 先 早 胞 (其存在於各列和各行之交點)須 被 測 試 〇 此 種 記 億 閱 讀 1 背 1 體 在 每 —* 行和 每 列 都 具 有 缺 陷 計 數 器 > 其 中 可 將 每 面 I 之 1 或 每 列 所 偵測 到 之 缺 陷 數 巨 相 加 0 在 所 有 記 億 體 an 军 咆 被 注 意 i 1 1 潮 試 之 後 ,由 於 缺 陷 計 數 器 中 所 儲 存 之 資 訊 而 須 藉 由 備 項 再 l I 用 之 行 線 和列 绵 來 復 之 這 有 缺 陷 之 記 憶 體 bti 卑 胞 〇 此 f 本 1 裝 種 方 法 之 缺點 是 進 行 此 方 法 所 需 之 缺 陷 計 數 器 需 要 較 頁 Sw-· 1 I 大 之 空 間 需求 0 1 1 在 US 5 2 0 6 5 8 3 Α中 描 逑 —-1 種 積 體 電 路 9 其 具 有 可 切 tfcfet: m 1 1 之 連 接 件 (熔絲)以 供 備 用 元 件 永 久 程 式 化 之 用 Φ 此 外 1 1 1丁 此 種 積 m 電路 具 有 —一 lit 與 熔 絲 並 聯 之 閂 鎖 (L a t c h )形式 1 之 可 反 向 的可 程 式 化 元 件 ? 垣 元 件 用 來 測 試 上 逑 備 用 I 1 元 件 可 反向 之 程 式 化 0 1 | 本 發 明 之目 的 是 提 供 一 種 方 法 以 及 修 復 積 體 記 憶 體 之 1 1 有 缺 陷 的 απ ΠΛ-, 军胞 此 方 法 中 所 需 之 硬 m 組 件 具 有 一 種 盡 可 線 t 能 小 之 空 間需 求 1 此 種 百 的是 以 專 利 範 圍 第 1 項 之 方 法 來 達 成 本 \ ! 發 明 有 利 之其 它 彤 式 描 述 在 Φ i主 專 利 範 圍 各 附 屬 項 中 〇 1 I 本 發 明 之方 法 具 有 以 下 各 步 驟 ; 1 I 記 億 體單 胞 依 序 被 測 試 } 1 1 - 在 確 定所 測 試 之 記 億 體 αα 军 胞 之 缺 陷 之 後 相 m 之 列 1 I (I 1 0 V ')線或相關之行 C C 11) m r )線Μ由- -條備用線之程式 [ | 3 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2 [ 0 X 297公釐) 4 40 85 ο Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明( ) 1 1 化 而 直 接 被 取 代 » 1 ! I - 指 定 數 之 備 用 線 已 1 t-l 兀 成 程 式 化 之 後 在 確 定 其 它 缺 1 陷 時 至 少 .一 備 用 線 之 程 式 化 須 停 止 1 請 1 I 先 - 對 此 條 備 用 線 進 行 程 式 化 以 便 修 復 另 -一 記 憶 體 早 胞 閱 讀 1 1 之 缺 陷 0 ift I 之 1 此 種 行 線 例 如 可 以 是 位 元 線 且 列 線 可 以 曰 疋 此 積 體 記 憶 意 1 r # 1 體 之 字 線 0 在 另 - 實 施 例 中 此 行 線 亦 可 以 曰 疋 字 線 而 列 線 項 再 1 I 則 為 記 憶 體 之 位 元 線 ΰ f 1 裝 本 方 法 之 優 點 是 (和本文開頭所逑之US. 5 4 10 6 87 A 頁 1 I 不 同 )對每- -待測試之行線和列線而言都不需缺陷計數 1 1 I 器 * 這 是 因 為 修 復 一 値 缺 陷 是 直 接 在 此 缺 陷 確 定 之 後 進 1 1 行 為 了 要 使 即 將 進 行 之 修 復 逹 到 某 種 程 度 之 最 佳 化 > 1 訂 則 隨 後 須 依 據 先 刖 已 程 式 化 之 備 用 線 之 數 巨 使 這 jit 備 用 1 線 中 至 少 一 條 備 用 線 之 程 式 化 停 止 以 便 接 著 以 此 m 備 1 1 用 線 來 修 復 稍 微 已 確 定 之 缺 陷 〇 I I 這 備 用 線 之 可 反 向 之 程 式 化 例 如 可 m 由 可 反 向 之 可 1 1 線 1 程 式 化 之 元 件 (例如, L S 5 2 0 6 5 8 3 A中所逑之閂鎖(L a t ch) 來 達 成 ΰ 本 明 之 修 愎 方 法 所 具 有 之 待 是 特 別 少 之 硬 1 體 費 用 ? 因 此 待 別 適 合 用 來 達 成 一 種 我 測 試 以 及 速 成 ί 1 此 待 修 復 之 .積 體 記 11' m 之 S 我 修 ίί 〇 表 示 進 行 此 種 1 | 修 復 方 法 所 需 之 組 件 是 積 體 記 億 體 之 構 成 元 件 或 與 記 億 1 | 體 共 同 配 置 之 積 體 電 路 上 〇 另 方 面 本 發 明 之 方 法 當 1 1 妖 /1.·、 亦 能 以 軟 W 方 式 來 逹 成 或 亦 可 fl 由 積 體 記 億 體 之 外 部 1 1 制 試 器 來 進 V 行 〇 ~ 4 - 1 ί 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 440855 A7B7 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 五、發明説明( ) 1 1 依 據 此 修 愎 方 法 之 第 一 實 施 形 式 3 以 列 之 方 式 對 記 憶 1 1 I 體 αα 早 胞 進 行 缺 陷 之 測 試 且 在 確 定 剛 剛 所 測 試 之 記 憶 ϋ aa 卑 1 胞 之 缺 陷 時 ? 刖 柑 關 之 行 線 由 備 用 之 行 線 來 取 代 , π 要 'V 請 1 1 kj 備 用 行 線 進 行 程 式 化 之 數 百 不 超 過 値 極 限 值 時 0 若 超 閱 讀 1 # I 過 此 極 限 值 1 刖 備 用 行 線 所 進 行 之 所 有 之 程 式 化 (其是 ιέ 之 1 由 於 相 關 列 線 中 所 確 定 之 缺 陷 而 進 行 )都須停止, 而相 注 意 1 I 事 1 關 之 列 線 PJJ 由 備 用 之 列 線 中 之 . 所 取 代 〇 項 再 1 I 在 此 種 實 施 形 式 中 已 辨 認 之 缺 陷 之 修 復 因 此 是 垂 直 ί 本 1 裝 於 潮 試 方 向 來 進 行 C 即 3 以 列 之 方 式 來 測 試 而 以 行 之 方 頁 1 | 式 來 取 代 0 只 有 當 已 使 用 之 備 用 之 行 之 數 百 超 過 此 極 限 1 I 值 時 則 先 前 進 行 之 程 式 化 中 至 少 * 部 份 須 停 止 〇 當 然 1 1 Π 有 m (it 備 之 行 線 由 於 相 m 之 列 線 中 之 辨 認 之 缺 陷 而 1 訂 已 進 行 之 此 種 程 式 化 須 被 ίψ 止 由 於 相 m 之 列 線 妷 後 由 1 I 備 用 之 列 線 所 取 代 且 這 備 用 行 線 由 於 先 前 所 測 試 之 列 1 1 線 而 進 行 之 程 式 化 並 未 停 止 j 刖 在 存 在 足 夠 之 備 用 線 時 1 I 以 此 方 式 即 可 修 ft 此 記 憶 體 aa 军 胞 之 唯 一 測 試 流 程 中 所 有 1 1 線 1 已 確 定 之 缺 陷 0 依 據 此 修 復 方 法 之 此 種 實 施 形 式 之 進 __ 步 方 式 * 則 這 1 ) 待 程 式 化 之 備 用 行 線 之 數 巨 之 極 限 值 在 測 試 期 間 須 改 1 i 雙 〇 這 樣 就 可 調 整 此 種 仍 未 程 式 化 之 備 用 行 線 之 現 有 之 1 ! 數 百 0 I I 依 據 此 修 愎 方 法 之 ?3 實 施 形 式 » 記 憶 體 αα 早 胞 須 由 一 1 1 種 起 始 位 址 進 行 測 試 0 在 所 有 之 備 用 線 被 程 式 化 之 後 i 1 f 則 在 確 定 其 它 缺 陷 時 這 5 備 用 線 中 之 之 程 式 化 須 停 1 1 1 i 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS } A4規格(210X297公釐) 440855 A7 B7 五、發明説明(4 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 要應披 ,値停位此 Γ 卜化 。 。。圖位定 這 外 只對須線三化有以的 I ? 式 述 列列 1 使設售 另 α相線導之式定是著 Μ } 程 詳 。 施施第地器 修¾ 試則用常行程確陷空 b、之 來 圖 。實實據應數 只 缺 測),備正進之未缺為^-線 式 程 圖之之依對計 新J)之之所一間種成(.:用 圖 流。程用用η相刖 前 f 重 應同止之期此而 線®備。之 之份流法法Η須 , 又U對相停線試則止 用1之態列 式部之方方α ,時Π "1 PL 始力相代之用測,停 備 關.,狀施 形充例復復HI胞線 開ΙΪ>取化備胞在之 種4 相護實 施補施修修 ί 億列 址 即前式些單存化 此 i 在修各 宵之實示示(:記的 其 位S。之程這體陷式。使:,,己示 一圖二所所胞値新 始鑛止之在憶缺程護可?il此持頭 第程第圖圖單一條 起 繼停線要記種之修式 ;^因保空: 之流之 3 1 體下 一 由 i 須化甩只之此線來形^;。仍這 法之法第第憶試試 後^; 即式備。行的用線施1J除陷據 方圖方行行記測測 然匕化程條複進前備用實 Η 排缺依 復 1 愎進進之了始 胞陷式其一重所之條備種),所些將:修第修 體為開 單缺程在另須後陷一條此陷線這下明本是本圖圖憶。次 體個之便於驟隨.缺逑此之缺用後以説10-12記試每k 億 一 線以對步在一上的明之備之明單圖圖圖至至ilsll。 記定用化相之後 C力於e)發定它止發簡 1 2 3 411積序加 。確備式後前之在由re本確其停本式第第第第第此依增 止己之程然先止址種(f已由已 圖 而址 裝------訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X2y7公釐) 1: Η B ..- A7 B7 經濟部智慧財產局ai工消費合作社印製
五、發明説明( r ) I I 成 0。 若己辨認- -種缺陷, 則計數器X 之值加1 且計數 I ! I 器 X 之 狀 態 須 與 一 個 極 限 值 Y 相 比 較 〇 極 限 值 Y 適 用 於 I I 修 復 時 在 實 際 之 列 線 中 所 允 許 之 可 程 式 化 之 最 大 之 行 線 ,·~··. 請 先 I 數 0 在 確 定 -----' 種 缺 陷 時 以 行 之 方 式 進 行 修 復 期 間 > 記 閱 讀 I 億 胞 之 測 試 是 以 列 之 方 式 來 進 行 0 在 確 定 .一 種 缺 陷 時 只 脅 之 I I 要 計 數 器 X 不 超 過 此 極 限 值 Y, 刖此缺陷卽不會由備用 注 意 事 I ! 行 線 所 去 除 0 但 若 計 數 器 X 超 過 此 極 限 值 Y, 則這些備 項 再 I 用 行 線 之 程 式 化 (其已用來修復這些在實際之- -條列線 t 本 I 裝 中 所 辨 m 之 缺 陷 )須停止。 然後此條實際之列線即由- 頁 I | m 備 用 之 列 線 所 修 復 C ! I 右 — 條 取 代 用 之 備 甩 之 列 線 在 取 代 之 後 甚 至 被 測 試 成 I I 有 缺 陷 則 此 種 情 況 曰 疋 待 別 有 利 的 0 為 了 此 -™' 的 1 則 I 訂 I 本 方 法 須 藉 由 此 條 備 用 列 線 之 行 位 址 取 小 之 記 憶 胞 之 測 試 來 繼 續 進 行 0 若 在 此 條 備 用 之 列 線 發 現 缺 陷 J PJJ 就 像 I I 先 前 —j 樣 首 先 對 備 用 之 行 線 進 行 修 復 0 若 這 JLtfc 行 線 之 數 I ! 超 過 可 容 許 之 極 限 值 刖 %-1^ 11 行 線 之 程 式 化 須 停 止 且 I I 此 條 備 用 之 列 線 須 由 另 一 m 備 用 之 列 線 所 取 代 0 若 一 些 線 I 備 用 線 在 其 程 式 化 之 前 己 被 測 試 且 接 箸 只 有 無 缺 陷 之 備 I 5 用 線 被 視 為 須 修 復 時 1 則 對 一 條 S 程 式 之 備 用 列 線 之 記 i I 憶 朐 之 測 試 , 當 然 不 須 要 0 I ! 本 發 明 之 修 復 方 法 之 第 —-. 實 施 形 式 的 一 種 實 施 例 以 下 I I 將 依 據 第 1 1和 1 2圖來描 述 〇 在 第 1 1圖 中 9 左 邊 部 份 是 此 I i 積 體 記 億 體 之 記 憶 am 體 陣 列 而 右 邊 部 份 疋 備 用 線 之 概 要 表 I I ΰ 第 1 1和 1 2圖以 及 第 4 至 第 1 0圖基本 上 使 用 相 同 之 圖 解 I I 7 I t I I 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消f合作杜印製 440855 A7 B7五、發明説明(知) 方式,因此只說明一次。積體記億體之記憶胞MC配置在 位元線BL和字線WL之交點處。位元線BL之數目由0至3 而字線之數目是由β至4。有缺陷之記億胞M C是以” X ” 號表示。已由備用線所修復之記憶胞M C是以正方形表示。 圓形則表示記憶胞M C中實際(因此是剛才第一次)已確定 之缺陷。第1 1圖之右邊部份是一種表,其含有此記憶體 之所有可用之備用線。依據第11和12圖所示之實施例中 ,此記億體具有二條備用之字線R W L 0 , R W L1和三條備用 之位元線RBLO, EBL1, SBL2。此.表顯示:這些備用線中 嘟一條已被程式化來取代正常線B L , W L中之一。表中之 ” 0”表示:所屬之備用線仍未被程式化,’'〗π則表示:已 完成一種程式化。 由第Η圖之左邊部份可知:這些有缺陷之記憶胞MC是 以何種方式而已被修復。記億胞陣列之右方是用來取代 各正常之位元線B L而程式化之備用位元線R B L i且記憶胞 陣列下方是此種用來取代正常之字線而程式化之備用字 線Rli Li。在目前之情況中已在第11圖中所示之情況,之 前由記億胞位址〇 , 〇 (即,字線W L 0和位元線B L 0 )開始對 記億胞H C進行-糸列之测試e此種測試是在字線W L之方 向中進行。’記億胞〇, 〇沒有缺陷e然後測試記億胞D , 1 (字線W L 0 ,位元線B L 1 ),其中己確定一痼缺陷。此缺陷 以下述方式修復:位元線I以備用之位元線K B L (3來取代 。然後繼續對記億胞進行測試,其中在開始下一筷字線 WL1時缺陷計數器X須重置(reset)為D,字線WL1上有缺 II--------辦衣------1T------.^ (請先閱讀背面之注意事項再填本頁) 本紙張尺度適用中國國家標隼{ CNS ) A4規格(210X297公釐} 440355 A7 B7 五、發明説明(7 ) 線 元 位 之 用 備 以Ιο 是至 ο 加 1’..增 胞值 憶之 記 X 之器 陷數 線 元 位 於 由 計所 陪LO 缺RB 且之 復用 修備 來由 L1已 下 之 線 元 位 之 用 備 以 是 W 陪 線缺 字此 則 - ,示 代表 取來 址 位 以 是 陷 缺 之 定 確 所 個 計 陷 缺 復 修 來
至 力 增 值 之 X 第 在 示 顯 況 情 器此 數 〇 脑線 一 元 下位 成之 定用 確備 被以 陷是 缺不 之陷 3缺 1’此 胞 。 憶中 記圖 器 數 計 陷 缺 為 因 是 這 Y , 值 復限 修極 來過 是 值 之 能 可 其 線 元 位 之 用 備 些 W 這線 超 已 此 因 且 3 至 力 增 己 止 停 須 Η 因 原 It 種 此 於 由 化 式 程 之 址 位 在 定 設 而 陷 缺 之 定 確 已 中 字 際 實 於2。 由 , 其3 之 反 式到 程測 之偵 1)所 BL中 線L1 元 字 之 常 正 t-ΙΡΛΙ 取 可 其 線 字 際 宵 於 由 會 不 其 o frr L 為 B I R 因 線’ 元止 位停 用 會 備不 ,化 位 備 之由 定是 確L1 所V b 線 中 ο 字 W 之 線常 字正 於後 由然 是 。 一了 #J.·- /#1— 式進 程才 其時 。陷 止缺 停之 而1 陷0, 缺是 之址 為 定 設 又 Y 值 限 極 〇 況 情 之 體 億 〇 記 取積 所此 L 示 RW顯 線圖 字12 之第 用 線 元 位 之 用 備 筷 二 有 又 新 重 為 因 所 化 式 程 供 可 (請先閱讀背面之注意事項再〆k本頁) .裝- 線 線 元 位 之 用 備 為 此 ο 用 使 才 网 如 化 式 程 其 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 缺修 Μ來 一L1 下RB 使線 ,元 試位 測之 被用 地備 續以 持又 胞陷 憶缺 記此 ο 1 止G 停 3 被址 合Ε 位 樣在 一 定 述確 所陷 器常 數通 計化 若式 中程 其之 ,線 行一兀 進位 缠用 繼備 式此一一 方某 似則 類 , 以 Υ 法值 方限 復極 修過 種超 。 此值止 。之停 護 X 須 線 元 位 用 備 之 化 式 程 未 仍 些 這 之 用 使 供 可 若 數 之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) 440855 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明説明( ) 1 1 a 己 改 變 1 則 在 開 始 測 試 下 一 條 字 線 WL i時須重新設定 1 1 此 極 限 值 Y。 第2 圖是對第1 圖中以A 和B 所表示之位 1 1 置 處 之 流 程 圖 之 補 充 ί 其 中 若 此 種 己 程 式 化 之 備 用之 行 請 1 先 線 之 數 百 己 超 過 此 值 Ζ, 則極限值ϊ 例如須調整。 在此 閩 1 1 下 仍 Π 有 較 少 數 a 之 備 甩 之 行 線 可 供 此 程 式 化 所 使用 » 背 \i 1 I 之 1 I 使 極 限 值 Y 必 須 降 低 至 值 Y ' 〇 意 1 I 事 1 第 3 圖 是 發 明 修 復 方 法 之 第 — 實 施 例 之 程 圖 〇記 億 項 再 1 1 睢 以 位 址 AD R = 0 為 起 始 位 址 而 依 序 被 測 試 0 π 要 未確 定 K 太 1 裝 有 缺 陷 存 在 , 則 位 址 即 持 地 增 加 〇 若 已 到 達 最 後之 位 頁 1 I 址 而 仍 未 留 下 不 可 修 復 之 缺 陷 J 則 此 積 體 電 路 被 視為 已 1 1 I 修 復 且 結 束 此 修 復 方 法 0 巨 已 確 定 — 有 缺 陷 之 記憶 胞 1 1 則 a 要 有 —一 m 備 用 線 可 供 此 程 式 化 使 用 > 可 藉由 適 i IT 當 之 備 用 線 來 取 代 相 m 之 列 線 或 相 關 之 行 線 來 進 行此 缺 1 陷 之 修 復 〇 但 宕 所 有 之 備 甩 線 已 程 式 化 > 則 備用 線 1 1 中 之 一 條 之 程 式 化 須 停 止 使 原 來 正 常 之 行 線 或 列線 又 1 I 被 定 址 0 狀 後 所 有 之 記 億 胞 以 起 始 位 址 AD E = =0 開 始又 依 1 i 序 地 被 浏 試 0 若 尚 未 確 定 一 種 缺 陷 (其位址是在上次所 線 1 已 確 定 之 缺 陷 之 前 ), 則可確定 這些由此條備用線( 其 1 程 式 化 已 停 j.h )所修復之缺陷亦可由它備用線(因 此可 能 i I 有 複 數 )所修愎。 因此已空箸的(f r e e )備用線可用來 1 l 修 復 上 己 確 定 之 缺 陷 〇 但 若 已 確 定 一 種 缺 陷 (其位址 1 ϊ 較 上 次 已 確 定 之 缺 陷 之 位 址 還 小 ), 則相關之備用線之 1 1 程 式 化 不 可 停 止 〇 這 表 示 其 須 重 新 被 程 式 化 j 就像 其 1 1 在 程 式 化 停, 止 前 之 情 況 一 樣 〇 此 條 備 用 線 因 此 不 可用 來 1 1 1 -1 0 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 440855 A7 B7 五、發明説明(9 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 化 ,用。可 法備 L。 之各 L 指 化備陷字 件一這 式行備止邸 方條RB示陷中 ^ 。 式之缺用 條由慮 程進之為法 復二,表缺列 &LOΟΡ程化之備PS決藉考 之複有時方 修用LO號之序iEWWL之式ο由 先可只 線重所陷復 示使 0” 認之1線M成程1’藉:時這是 X , 線 i匕 用直至缺修 所體線,辨示Q字 完待胞是此。於 備一直之此 中億元以被所為之 所條億陷έ 。的。 條法或際而 圖記位亦已中址用WLO1 記缺 ± 試陷定 一方止宵陷 3 體之中。表位備RW下巨此 1 測缺確 另本停復缺 第積用列陷右復用。 線在行 ,w 作無來 是。己修有 明此備陣缺之修使線 字指進圖線陷是試 的試化能為 説中筷胞之圖 了須用卜之卩序6 字缺須測 之測式未稱 來列二憶定此為,備 u 用標依笫在些線之1-代新程而片 圖施及記確由。陷之 ^ 備指試據。這用行-1 而重之止晶10實以在已藉成缺用 $ 。。測依復對備進 取須條停此 至此11MC際是逹一使οί體示之 。修須之所 。胞一序中 4 在RW胞實中來第可VL憶表胞陷來不化前 陷億之依此 第 。 ,憶示例化之搽線記 1 億缺化而式之 缺記中己況 據例LO記表施式η一 字體以記個式復程化 之此線化情 依施RW之號實程BL下是積是 。一程修已式 際且用式種 將實線陷"此之線在圖的中 ^下之被些程 實止備程二 。下體字缺"X在線元指 5 後表RW成1.1動這其 復停至之第束以具之有種復用位 Ρ 第之此绵定RW自..在 修須直線在結 之用。此修備 .標 代在用確線亦是種 裝 訂 (請先閱讀背面之注意事項再,本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )Α4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 440855 A7 B7五、發明説明(、° ) 些確定為無缺陷之備用線來作為修復用。 由於下一條字線WL2没有缺陷,則下一個所確定之缺陷 是位址3, 0處之缺陷。指標P此時指在第三備用線RBL0 ,使實際之缺陷可由備用之位元線R B L (ί所取代。這顯示 在第7圖中。依據第8圖,下一缺陷(位址為3,].)是由 備用之位元線R B L 1所取代。 下一個所確定之缺陷(位址為3, 3)現在不能輕易地被 修復,因為所有之備用線已被程式化且指標Ρ又重新指 在第一備用線RWLQC在此實施例中,指檫Ρ所指之此條 備用線(此為第一次程式化之備用線RBLE1)之程式化現在 須停止。由於目前為止由備用之字線K W L 0所修復之唯一 之缺陷是位址為[1 , 1處之缺陷,此外,此缺陷亦可藉由 備用之位元線I? B L1之程式化來消除,則在隨後對所有之 記憶胞作測試時,位址在實際缺陷Γ位址為3, 3 )之前的 此種缺陷不會被發覺。因此 > 由於其程式化之停止而成 為空箸的(f r e e )此饶備用之字線R W L G可用來修復記憶胞 3 , 3之缺陷。此種狀態顯示在第S圖中。指標P向前移 至下一條備用線。記億體測試以這些仍未測試之記憶胞 μ c繼績進行a確定了位址是4, 2之缺陷。然後使指標P 所指之備用字線!? W L 1之程式化停止。這些記億胞以位址 Π , 0又開始重新測試,其中位址1, 2處之缺陷被確定為 第·値,其位址小於實際缺陷之位址4 , 2 ^於是備用字 線R W L 1之程式化又不可停止。 指標向前移至下一條備用線RBL0 (第1G圖由於位址 -1 2 - --»--------^衣------訂------線 (請先間讀背面之注意事項再本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準i CNS ) A4規格(210X 297公釐) 經濟部智慧財4_局員工消費合作社印製 44085b A7 B7五、發明説明卜I ) 4, 2之實際之缺陷通常仍未被修復,因此現在須停止此 條備用紱 RBLO 之程式化。記憶胞又以起始位址〇 , 0 開始重新測試。此種位於實際缺陷(位址是4, 2 )之前的 缺陷因此未被發覺。這是由於:位址是I , Q和3, Q之這 呰缺陷已由備用之字線R B L 1和R W L 0所修復。成為空箸的 (f r e e )之此條備用位元線ϋ B L Q因此可被程式化以用來修 復實際之缺陷《此種情況顯示在第1 G圖中。指標P向前 移至下一條已程式化之備用線R B L ]。下一値仍須測試此 種位址是4, 3之記億胞(其不具有缺陷)。於是本修復方 法即以完全已修愎之積體記憶體而結束。 符號之説明 X......計數器 Y......極限值 Μ,B L 0,B L 1 . . . ·位元線 W L , W L D,W L 1 ,...宇線 M C.....記億胞 RWLO , RVll , RW1......備用之字線 RBL0,RBL1,RBI......備用之位元線 P......指標 ---------^------訂------0 (請先閱讀背面之注意事項再f .本頁) -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 440855 頌 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種積體單胞中有缺陷之記億體單胞(《c)修復用之方 法,這呰記憶胞(M C )配置在列線(W L )和行線u L )之交 點,本方法是Μ由備用列線(R W L )和備用行線(R B L )之 可反向之程式化來進行,其恃擻為以下各步驟: -記憶胞(M C )依序被測試, -在確定所測試之記憶胞之缺陷之後相關之列線(W U 或相關之行線(B L )直接由這些備用線(R W L , R B L )中 之一之程式化所取代, -在指定數目之備用線U W L , R, B L )已程式化之後,在 確定另一値缺陷時這些備用線中至少一條之程式化 須停止, -備用線U W L , Ο丨」)被程式化以便修復另一記億胞(M C ) 之缺陷。 2 .如申請專利範圍第1項之方法,其中 -記憶咆(M C )以列之方式來測試其缺陷 -在確定剛才所測試之記憶胞(《「)有缺陷時,刖相關 之行绵(Β 1.)是由備用之行绵(R Β 1,)所取代,只要已 程式化之備用之字線R tH.之數目U )未超過極限值(Υ ) 時; -在起過極限值(Y )時,備用之行線U B L )之所有之程 式化(其是由於相關之列線(W L )中已確定之缺陷而 進行)須停止, -相關之列線U L )是由這呰備用之列線(R W L )中之一 條所ζ代。 -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) I----------- --------^---------線 (請先閲讀背面之注意事項真窝本頁) 4 40 85 6* A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3.如申請專利範圍第2項之方法,其中該極限值(Y)在 測試期間須改變。 4 .如申請專利範圍第1項之方法,其中 -記億胞(M C )是以一種起始位址作開始而被測試, -在所有之備用線U W L, R B L )已程式化之後s在確定 B —缺陷時這些備用線中之-條之程式化須停出: -記憶咆(Μ「)然後以起始位址開始又重新測試, -只要發覺値缺陷(其位址是在另一缺陷之前),則 相對應之備用線(R W L , R B L )之程式化不可停止,. -然後三傾先前進行之步驟須相對於這些備用線(R « ,R B L )中另一條之程式化之停止而重複進行, -只要在這些備用線(β W L , R B L )中之一之程式化睜止 之後在隨後對記憶胞(M C )進行測試期間·發覺有缺 陷(其位址在另一缺陷之前)存在,則此缺陷由其程 式化之停止而變成空箸的(f r e e )此種備用線所修愎 3 .如申請專利範圍第4項之方法,其中若在確定另一缺 陷之後所有備用線(R B L , R W L )之程式化之依序進行之 停it不能修復所有目前己辨認之缺陷時,則此記億體 — d-----------III ---1 —---^ -------1 I <請先閱讀背面之注意事項至 K本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 復 0 可 不 為 CUJ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x297公釐)
TW088114175A 1998-08-26 1999-08-19 Method to repair the defect memory-cells of an integrated memory TW440855B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19838861A DE19838861A1 (de) 1998-08-26 1998-08-26 Verfahren zur Reparatur von defekten Speicherzellen eines integrierten Speichers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW440855B true TW440855B (en) 2001-06-16

Family

ID=7878822

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088114175A TW440855B (en) 1998-08-26 1999-08-19 Method to repair the defect memory-cells of an integrated memory

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6418069B2 (zh)
EP (1) EP1105802B1 (zh)
JP (1) JP3734709B2 (zh)
KR (1) KR100404016B1 (zh)
DE (2) DE19838861A1 (zh)
TW (1) TW440855B (zh)
WO (1) WO2000013087A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19901206C2 (de) 1999-01-14 2003-02-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Reparatur von defekten Speicherzellen eines integrierten Halbleiterspeichers
US20020133769A1 (en) * 2001-03-15 2002-09-19 Cowles Timothy B. Circuit and method for test and repair
US6904552B2 (en) * 2001-03-15 2005-06-07 Micron Technolgy, Inc. Circuit and method for test and repair
JP2002343098A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置の試験方法
US6968479B2 (en) * 2002-03-06 2005-11-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Verifying data in a data storage device
US7509543B2 (en) * 2003-06-17 2009-03-24 Micron Technology, Inc. Circuit and method for error test, recordation, and repair
JP2006185569A (ja) * 2004-12-01 2006-07-13 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2006228330A (ja) * 2005-02-17 2006-08-31 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US7260004B2 (en) * 2006-01-12 2007-08-21 International Busniess Machines Corporation Method and apparatus for increasing yield in a memory circuit
JP5497631B2 (ja) * 2007-04-26 2014-05-21 アギア システムズ インコーポレーテッド ヒューズ焼付け状態機械及びヒューズダウンロード状態機械に基づく内蔵メモリ修理方法
JP4877396B2 (ja) * 2010-01-20 2012-02-15 日本電気株式会社 メモリ障害処理システム、および、メモリ障害処理方法
US11217286B2 (en) 2016-06-27 2022-01-04 SK Hynix Inc. Semiconductor memory device with power down operation
US11133042B2 (en) 2016-06-27 2021-09-28 SK Hynix Inc. Semiconductor memory system and semiconductor memory device, which can be remotely initialized
KR102592359B1 (ko) 2016-06-27 2023-10-20 에스케이하이닉스 주식회사 반도체장치
US10181346B2 (en) 2016-08-02 2019-01-15 SK Hynix Inc. Semiconductor devices and operations thereof
US10037788B2 (en) * 2016-08-02 2018-07-31 SK Hynix Inc. Semiconductor devices and semiconductor systems
US10157097B2 (en) * 2016-08-11 2018-12-18 SK Hynix Inc. Redundant bytes utilization in error correction code
US11682471B2 (en) 2020-05-28 2023-06-20 International Business Machines Corporation Dual damascene crossbar array for disabling a defective resistive switching device in the array

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4586178A (en) 1983-10-06 1986-04-29 Eaton Corporation High speed redundancy processor
JP2842923B2 (ja) * 1990-03-19 1999-01-06 株式会社アドバンテスト 半導体メモリ試験装置
US5206583A (en) * 1991-08-20 1993-04-27 International Business Machines Corporation Latch assisted fuse testing for customized integrated circuits
US6026505A (en) * 1991-10-16 2000-02-15 International Business Machines Corporation Method and apparatus for real time two dimensional redundancy allocation
FR2699301B1 (fr) * 1992-12-16 1995-02-10 Sgs Thomson Microelectronics Procédé de traitement d'éléments défectueux dans une mémoire.
JP3774500B2 (ja) * 1995-05-12 2006-05-17 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
JPH1064294A (ja) * 1996-08-20 1998-03-06 Advantest Corp メモリデバイスの不良救済解析方法
DE19725581C2 (de) 1997-06-17 2000-06-08 Siemens Ag Verfahren zur Funktionsüberprüfung von Speicherzellen eines integrierten Speichers

Also Published As

Publication number Publication date
EP1105802B1 (de) 2002-05-22
KR100404016B1 (ko) 2003-11-05
US6418069B2 (en) 2002-07-09
DE19838861A1 (de) 2000-03-02
EP1105802A1 (de) 2001-06-13
KR20010072986A (ko) 2001-07-31
DE59901516D1 (de) 2002-06-27
US20010017806A1 (en) 2001-08-30
JP2002523856A (ja) 2002-07-30
JP3734709B2 (ja) 2006-01-11
WO2000013087A1 (de) 2000-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW440855B (en) Method to repair the defect memory-cells of an integrated memory
TW396345B (en) Apparatus and method for implementing a bank interlock scheme and related test mode for multibank memory devices
CN106257595A (zh) 自修复器件及其方法
CN104464819B (zh) 自修复器件
TWI298493B (en) Method and system for merging multiple fuse decompression serial bitstreams to support auxiliary fuseblow capability
KR20060083336A (ko) 보안 리던던시 블록을 구비한 낸드 플래시 메모리 장치
KR20170055222A (ko) 리페어 단위 변경 기능을 가지는 메모리 장치 및 메모리 시스템
TW574705B (en) Semiconductor memory device
DE10110469A1 (de) Integrierter Speicher und Verfahren zum Testen und Reparieren desselben
TW446955B (en) The read/write memory with self-testing device and its associated test method
CN110277130A (zh) 涉及冗余区域的修复的半导体装置
TW466498B (en) Semiconductor memory arrangement with BIST
TW298650B (zh)
JP2006286141A (ja) 半導体記憶装置
CN101599305A (zh) 具有数据修复功能的储存系统及其数据修复方法
KR100959848B1 (ko) 반도체 메모리 및 테스트 시스템
CN107430558A (zh) 半导体存储装置
TW400474B (en) Wordline and bitline redundancy with no performance penalty
JP2001229693A (ja) 半導体集積メモリ
CN112542203A (zh) 非易失性存储器的坏块修复方法、装置、存储介质和终端
JP2002008390A (ja) 冗長セルを有するメモリデバイス
CN109584946A (zh) 具有备用列重映射储存器的存储器件
JP3483724B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置
KR102485487B1 (ko) 반도체장치
TW525180B (en) Integrated semiconductor-memory with memory-cells in several memory-cells-arrays and method to repair such a memory

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees