440838 Α7 _____________Β7五、發明説明（1 ) 經濟部中央褚準局負工消費合作枉印製 1 發明範圍 本發明係有關於一半導體記憶體裝置，而更特別的是關 於一所合併的資料測試。 2.相關技藝之描述. _ 在一半導體記憶體裝置的—記憶體單元陣列中所儲存的 資料會經由資料1流排線而傳送至—衰減器的半導體記憶 體裝置。輸人至哀減器的資料會以同樣的方式而傳輸至記 憶體單元陣列。-資料匯流排線能夠是一區域性的輸入輸 出線或-全域性的輸入輸出線―。由記憶體單元陣列所輸出 的資料會經由區域性的輸入輸.出線而傳送至全域性的輸入 輸出線，而錢經由全域性的輸入輸出線傳送至該衰減 器。，由全域性的輸入輸出線而合併所傳輸資料及測試記 憶體單7L陣列功能的電路是由一資料測試電路所合成。 圖1是—傳統半導體記憶體裝置的資料匯流排料及記憶 體區塊的陣列圖。請即參考圖丨，—半導體記憶體裝置 101包括第一至第八個記憶體區塊1U至U8、第一至第十 八區域性輸入輸出，線121至138、及第—至第十六的全域 輸入輸出線H1至1 56。 第一至第八個記憶體區塊111至〗1 8 t的每—個包括多數 的記憶體單元陣列175及多數的附屬字線驅動器i7i。該 等記憶體單元陣列175及該等附屬字線驅動器ί7ι會交替 配置在每個記憶體區塊。全域性的輸入輪出線141 i 1596 係佈署在該等附屬字線驅動器1 71上。 4- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
440838 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印絮 B7 五、發明説明（2 ) 記憶體區塊111至118係經由某些的第一至第十六條全域 輸入輸出線141至156而連接至第一至第十八條區域性的 輸入輸出線121至13 8。 圖2是所合併之資料測試電路的一電路圖，用以測試在 圖1中所顯示的記憶體區塊111至118的功能。請即參考 圖2 ，所合併之資料測試電路211、221、231、241、 251、261、271、及281係分別連接至第一至第八個衰減 器 219、229 ' 239、249、259、269、279 ' 及 289。所 合併之資料測試電路2 1 1的輸入係連接至第一至第四條的 全域輸入輸出線141至144。所·合併之資料測試電路221的 輸入係連接至第-三至第六條的全域輸.入輸出線143至 146。所合併之資料測試電路231的輸入係連接至第五至第 八條的全域輸入輸出線145至148。此連接模型係持績用 於所有合併的資料測試電路。每個測試電路具有四個輸 入：兩輸入通常是與輸入連接至該先前的測試電路，而其 它的兩輸入通常是與輸入連接至下一個測試電路。最後所 合併之資料測試電路281的輸入係連接至第十五及第十六 條的全域輸入輸出線155和156，並連接至第一和第二條 的全域輸入輸出線141和142。 第一至第八個所合併之資料測試電路211至2 81中的每一 個係包括一 NOR閘213、一 AND閘21 5、及一OR閘2 1 7。 爲了要測試第一記憶體區塊Π 1 ，第一個，〇 '或'1'會寫入 在第一記憶體區塊111中的記憶體單元陣列175。如果，〇_ 已儲存在由第一記憶體區塊〗11中的一預定列位址及欄位 -5- 本紙伕尺度適用中國國家標準（) Λ4規格（210X297公楚）— "' ---^--J----裝------^-I订------砵 (_先閱讀背面之注意事項-S-填寫本 440838 A7 B7 五、發明説明（3 經濟部中央標準局W工消费合作社印取 址所選疋的記憶體單元中的時候，NOR閘213會輸出·Γ , 而and間215會輸出，〇ι。因此，⑽閉2i7f心υ 係指出由在第-記憶體區塊⑴中所預定的列位址及搁^ 址所選定之記憶體單元是正常的。 如果在第一記憶體區槐1U中的記憶體單元陣列PS的 -衰減器不良時，經由第—至第四條的全域輸入輸出線 ⑷至144所傳輸的資料會是，r。在此情況，舰閉扣 的輸出會變成，G·，而AND閘215的輸时保持爲，〇,。因 此’ 〇R Μ 217的輸出是.〇, ’其係指出第一記 111是不良。 — 及 測試第二至第八個記憶體.區埯112至118的操作是與第— 記憶體區塊111的操作是相同的。 如果所合併之資料測試電路211、221 、231、241、 251、261、271、及281的數目能夠減少時，半導體記憶 體裝置101的大小便能減少，而功率消耗也會降低。〜 發明概要 因此’本發明的-目的是要提供—半導體記憶體裳置， 其具有用以測試記憶體區塊之簡化的合併資料測試電路。 若要完成上述的目的，要提供一丰導體記憶體裝置，其 包括多數區域性輸入輸出線組、多數的全域輸入輸出線 組、多數的記憶體區塊、及多數的開關。 多數區域性輸入輸出線組中的每一组包括多數區域性輸 入輸出線，而它們係彼此平行佈署。 多數的全域輸入輸出線组是與該等區域性的輸入輪出線 ---„---- 裝—— (請先閲讀背面之注意事項再填艿本頁 1— -I Hi—. · -11 -丨嘁 -6- 本紙浓尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公沒） 440838 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印t 五、發明説明（4 、:形成相交’而每—個係包括多數的全域 彼此係平行佈署。 衔出線，而 多數用以儲存資料之記憶體區塊中的每 性^入輸出線組之間，並聯接至該等區域性輸入;;域 數開關中的每-個是在區域性輸人輸出線紅及全域輸 入輸出線組之間的其中之一交又上安裝，其區域及全域性 m出線组係彼此相連接’而會響應於一記憶體啓動 '就，▲啓動該等記憶體區塊時，此信號會生效。 若要完成上述的目的，要提供一半導體記憶體裝置，包 $多數區域性輸入輸出線组、多數的全域輸入輪出線組、 ‘多數的記憶體區塊、多數的開開、及多數所合併的資料測 試電路。 多數區域性輸人輸出線組中的每―組係包技多數區域性 輸入輪出線，而且彼此係平行佈署。 上多數：全域輸入輸出線組是與區域性的輸入輸出線組相 X叉每個係包括多數的全域輸入輸出線，而且是彼此 平行佈署。 儲存資料之多數的記憶體區塊中的每—個係位在區域性 輸=輸出線組之間，並連接至該等區域性之輸入輸出線。 多數開關中的每一個是在區域性輸入輪出線組及全域輪 入輸出線組之間的其中之一交叉上安裝，其區域及全域性 的輸入輸出線组係彼此相連接，而會響應於—記憶體啓動 信號’當啓動該等記憶體區塊時，此信號會生效。 多數所合併之資料測試電路中的每一個具有連接至全域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 袈
11T 本紙張尺度適/f] :料（CNS ) Λ4規格（2獻297公沒） 經濟部中失標準局員工消費合作社印製 4 0 8 3 8 A7 B7 五、發明説明（5 ) 輸入輸出線的輸入，而這些全域輸入輸出線的輸入係連接 至在多數記憶體區塊中的兩鄰近記憶體區塊。 當由在記憶體區塊之所預定的列及欄位址所選取的該等 記憶體單元皆是正常時’所合併的資料測試電路輸出是 (1 ’，而當由在記憶體區塊中所預定之列及攔位址所選取之 任何其中之一記憶體單元是不良時，連接至下一級記憶體 區塊之所合併的資料測試電路會輸出W。 根據本發明，該半導體裝置的大小會減少，而且功率消 耗也會降低。 圖式之簡^單説明 本發明的上述目的及優點.藉由附件的圖式及較佳具體實 施例的詳細描述而能顯而易懂，其中： 圖1是一傳統半導體記憶體裝置的資料匯流排線及記憶 體區塊的一陣列圖； 圖2是在圖1中所顯示用以測試記憶體區塊之合併資料 測試電路的一電路圖； 圖3係根據本發明的一較佳具體實施例的一半導體記憶 體裝置的資料匯流排線及記憶體區塊的一陣列圖； 圖4是合併資料測試電路的一電路圖，用以測試在圖3 -1中所顯示的記憶體區塊功能； 圖5是在圖3中所顯示的一節點（N 1 )的詳細囷； 圖6是在圖3中所顯示的一節點（N2)的詳細圖： 圖7是在圖3中所顯示的一節點（Nl 1)的詳細圖； 圖8是在圖3中所顯示的一節點（N12)的詳細圖。 '8- 尺度適用中國國家樣準（CNS ) Λ4規格（210X2^^ ~ --------裝------ir—------冰 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 40 83 8五、發明説明（6 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 發明之詳細翁n P參考圖J ,根據本發明的—較佳具體實施例的一半 體記憶體裝置301包括第—至第八記憶體區塊3u至 、第一至第十八條區域性輸入輸出線321至、及第 一至，十六條的全域輸入輸出線34]至3%。 —財區域性的輸入輸出線321至说係配置成多數的组。 :區域性的輸入輸出線組係包括兩連續區域性輸入輸出 例如’第—及第二區域性輸入輸出線321 # 322係形 成組而第二和第四區域性輸入輸出線323和似會形 成另一组。 — 曰 ，該等全域性的輸入輸出線·3扑至356係配置成四組…全 域性的輪入輸出線组係包括兩連續的全域性輸入輸出緣。 第-、第二、第九、及第十的區域性輸入丄 Ί、349、及35G會形成—組，而第三 '第四、第 十、及第十二區域性輸入輸出線343、344 ' 351 $ 352 會行形成另一组。 第—至第八的記憶體區塊311至318中的每—個係包括 數的記憶體單元陣列375及多數的附屬字線驅動器371。 記憶體單元陣列375及該等附屬的字線驅動器π奋上扶 地配置在每-1己憶體區塊。該等全域性的輸人輪出線⑷ 至3 58會在附屬字線驅動器371上傳遞。 伙第―和第二的記憶體區塊3叫312中的任—個係連接至 罘一至弟四的全域性輸入輪出線341至344，並 存的儲存》 延所儲 丨請先聞請背面之注意事項再-*4i?-J本頁 * m f I . • I I f I · ,·Ί ΐ 11 » i #--! -I I I W* --=-3 -9- 本紙狀歧财国國家標準（CNS ) Λ4規格（210x1^^7 ------- 4 40 83 8 A7 B7 五、發明説明（ 第三和第四個記憶禮區塊313和314中的任一個係連接至 第五至第八的全域性輸入輸出線345至3以，並傳送所錯 存的儲存。 _ ，第五和第六個記憶體區塊315和316中的任一個係連接至 第九至第十二的全域性輸入輸出線349至352，並 ^ 儲存的儲存。 ^ 第七和第八記憶體區塊317和318中的任一個係連接至第 十三至第十六的全域性輸入輸出線353至356，並 儲存的儲存。 第一和第二區域性輸入輸出線321和322係經由節點（νι 而連接至第—和第二的全域‘性輸人輸㈣341和342。 第三和第四區域性的輸入輸出線323和似係經由節點 ()和（NU)而連接至第—至第四的全域性輸人輸出線341 至 344。 第五和第穴區域性輸入輸出線325和326係經由節點（N3 牙（2)而連接至第二至第六的全域性輸入輸出343 346。 第七和第八區域性輸入輸出線327和係經由節點⑽ 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ()而連接至第五至第八的全域性輸入輸出線345至 348。 ·™ )厂 土 j九矛第十區域性輸入輸出線329和330係經由節點（N5 14)而連接至第七至第十的全域性輪入輸出線go至 3 50 ° 弟十~萬 1 弟十二區域性輸入輸出線331和332係經由節點 本紙張細· -10- 440838 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（8 ) (N6)和（N15)而連接至第九至 ， 349至352。 弗十—的全域性輸入輸出線 第十三和第十四區域性輸入輸出線如和咖係 (N7)和（N16)而連接至該等第十— 輸出線351至354。 弟十至弟十四的全域性輪入 第十五和第十六區域性輸入輸出線奶和3 (N8)和（N17)而連接至第十三至 由即點 線353至356。 “十”的全域性輸入輪出 第十七和第十八區域性輸入輸出線337和338係經由節點 (綱而連接至第十五和第十4全域性輸人輸出線州和 356。 .‘ t .L· 如上所述，每一全域性的輸入輸出線通常係連接至並鄰 近的記憶體區塊。即是，第一和第二的記憶體區塊3u、和 312係連接至第一至第四的全域性輸入輸出線34ι和μ#。 第三和第四個記憶體區塊313和3U係連接至第五至第八 的全域性輸入輸出線345和348。第五和第六個記憶體區 塊315和316係連接至第九至第十二的全域性輸入輸出線 349和3 52。第七和第八個記憶體區塊317和318係連接至 第十三至第十六的全域性輸入輸出線3 53和3 56。 該等節點（N I )到（N 8 )和（N1 1)到（N1 8)是每開關包括。 圖4是所合併之資料測試電路的電路圖，用以測試在圖 3中所顯示記憶體區塊311至318的功能。請即參考圖4 , 所合併之資料測試電路411、421、43 I、和441的輸出係 分別連接至第四個衰減器419、429、439、及449。 -11- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) AJ規格（21 0 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- il 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 440838 A7 _______B7 五、發明説明（9 ) ~ 所合併之資料測試電路4n的輸入係連接至第—至第四 的全域性輸入輸出線341至344。所合併之資料測試電路 421的輸入係連接至第五至第八的全域性輸入輸出線至 348。所合併之資料測試電路43〗的輸入係連接至第九至第 十二的全域性輸入輸出線349至352。所合併之資料測試 電路441的輸入係連接至第十三至第十六的全域性輸入輸 出線353至356。 所合併之資料測試電路411、421、431、及441中的每 —個係包括一NOR閘413、一 AND閘415、及一 〇R問 417 〇 - 爲了要測試該第一記憶體‘區塊i 3 11，第一個· 〇 '或'1，會在 第一記憶體區塊3 11的記憶體單元陣列中寫入。如果，〇，已 儲存在由第一記憶體區塊3 11中的一所預定的列位址及搁 位址所選取的記憶體單元311中的時候，該n〇R閘413會 輸出_ 1 ’，而該AND閘415會輸出’ 〇1。因此，該〇 r閘417 會輸出T，其指出由在第一記憶體區塊311中所預定的列 位址及欄位址所選取的記憶體單元是正常的。 如果由在第一記憶體區塊3 11的記憶體單元陣列1 75中 的所預定之列位址及攔位址所選取的一些記憶體單元是不 良的時候，經由第一至第四的全域性輪入輸出線341至3 44 所傳輸的資料會是'1 ’。在此情況，NOR閘413會輸出 ’ 0 1，而AND閘415仍會輸出1 0 f。因此，〇 R閘41 7會輪出 '〇 '，其指出由在第一記憶體區塊3 11中的所預定之列位址 及攔位址所選取的記憶體單元會是不良的。 -12- 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ2?7公浼） n . 辦衣 ，1τ------^ (請先閱讀背16之注意事項再填寫本頁) 440838 A7 B7 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 五、發明説明（10 第二至第八個記憶體區塊312至318的測試操作是*第一 記憶體區塊31〗的測試操作是相同，所以其重複性的描述 便省略。 圖5是在圖3中所顯示的節點（N 2 )詳細圖。請即參考圖 5，第-開關川係連接在卜區.域性和全域性的輸入輸 出線32〗及34!之間。第二開關521係連接在第二區域性和 全域性的輸入輸出線322及342之間。 第-開關511具有連接至第—區域性輸入輸出線321的 第-電極，及具有連接至第—的全域性輸入輸出線Μ的 第二電極。第一開關5Π係包括NM0S電晶體、及經由其 閉的一第—控制信號（P1)。_.因此，當第一控制信號（ρι)激 勵成邏輯的高電位信號時，第一開關5丨〗便會開啓。當第 一控制信號（P1)變成邏輯的低電位時，第—開關:n二會 關閉。 2二開關521具有連接至第二區域性輸入輪出線322的 一第一電極，及具有連接至第二全域性輸入輪出線342的 一第二電極，而且包括經由其閘而接收第—控制信號（ρι) 的-顧os電晶體。因此，當第—控制信號（ρι)激勵成邏 輯的高電位信號時，第二開關521會開啓。當第—控制信 號（p丨）改變成邏輯的低電位時，第二開關521會關閉。 當在圖3中所顯示的記憶體區塊311 、313、315 '及 j17激勵時，第一控制信號（P1)會改變成邏輯的高電位信 號。 圖6是在圖3中所顯示的節點（N2)詳細圖。請即參考圖 -13- 木錄尺度適用中國國€gT^T7^_(7r〇_x297；^ .—-----裝—-----ΪΤ (請先閱讀背面之ίΐ意事項再填寫本頁) 440838 A7 B7 五、發明説明（ 6 ’弟三關611係連接在第三區域性及全域性輸入輪出 線323和343之間。第四開關621係連在第四區域性及全 性的輸入輸出線324和344之間。 第三開關川具有連接至第三區域性輸人輪出線奶的 -第-電極’及具有連接至第三全.域性輸入輸出線⑷的 -第二電極。第三開關611包括一 NM〇s電晶體，並經由 其閘而接收圖1的第一控制信號（PI)。因此，當第一控制 信號（P1)激勵成邏輯的高電位信號時，第三開關611 ^開 啓。當第一控制信號（P1)改變成邏輯的低電位信號時，^ 三開關611便會關閉。 - 第四開關621具有連接至第四全域性輸入輸出線似的 一第一餘’及具有連接至第四全域性輸入輸出線⑷的 一第二電極。第四開關621也包括一 NM〇s電晶體，能經 由其閘接收第-控制信號（Ρ1)β因此，當第—㈣信號⑺） 激勵成邏輯的高電位信號時，第四開關621便會開啓。當 第一控制信號（Ρ1)改變成邏輯的低電位信號時，第四開二 621便會關閉。 圖=是在圖3中所顯示的節點（Ν11)詳細圖。請即參考圖 7，第五開關711係連接在第三區域性輸入輪出線323及第 一全域性輸入輸出線341之間。第六開關721係連接在第 四區域性輸入輸出線324和第二全域性輪入輸出線342之 間。 第=開關711具有連接至第三條區域性輸入輪出線323 的第Β極，及具有連接至第一全域性輸入輸出線341 -14- 本紙張尺度顏中@附:辟) 規格（別⑽秘龙；
^^1 - I— I -I --------裝----- <請先閲讀背面之注意事項再填{本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消资合作社印製 4 40 83 8 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明P2 的-第二電極。第五開關711係包括—NM0S電晶體，並 經由其閘而接收第二控制信號（P2)。因此，當第二控制信 號（P2)激勵成邏輯的高電位信號時，第五開關711 ^會^ 啓。當第二控制信號（!>2)改變成邏輯的低電位信號時，^ 五開關711便會關閉。 ° 第六開關721具有連接至第四區域性輸入輪出線似的 m及具有連接至第二全域性輸人輪出線342的 -弟二電極。第六開關721也包括一 NM〇s電晶體，能經 由其間而接收第二控制信號（Ρ2)β因此，當第二㈣㈣ (Ρ2)激勵成邏輯的高電位信號_時，第六開關便奋開 啓。當第二控制信號（Ρ2)改變戒邏輯的低電位信號時:二 六開關721便會關閉。 .1 當記憶體區塊M2、314、316、及318激勵時，第二控 制信號（Ρ 2)便會激勵成邏輯的高電位信號。 圖8是在圖3中所顯示的節點⑻辦細圖。請即參考圖 8，第七開關811係連接在第五區域性輸入輸出線奶和; 三條全域性輸入輸出.線343之間。帛八開_ 82ι係連接在 第六區域性輸入輸出線326和第四條全域性輸入輪出線 3 44之間。 第七開關811具有連接至第五條區域性輸入輪出線 的-第-電極’及具有連接至第三全域性輸入輪出線⑷ 的一第二電極。第七開關811包括—NM〇s電晶體，並經 由其閘而接收圖7的第二控制信號（P2)。因此，第二控制 仏號（P2)激勵成邏輯的高電位信號時，第七開關川便會 -15- -----------良--- I___丁 ，-u (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 440838 A7 --—___B7 五 '發明説明（13 ) 開啓。當第二控制信號（P2 )改變成邏輯的低電位信號時， 第七開關811便會關閉。 第八的開關821具有連接至第六條區域性輸入輸出線326 的一第一電極，及具有連接第四條全域性輸入輸出線344 行的一第二電極。第八開關821也,包括一 NMOS電晶體， 並經由其閘接收第二控制信號（P2)。因此，當第二控制信 號（P 2 )刺激成邏輯的高電位信號時，第八開關821便會間 啓。當第二控制信號（p 2 )改變成邏輯的低電位信號時，第 八開關821便會關閉。 節點（N3)至（N8)及（N13)至(N18)的結構和操作是與在圖 5至8的節點Nl-、N2、Nil·*、及N12是相同的，所以其 重複性的描述將省略。 根據如上述之本發明，該半導體記憶體裝置提供簡單的 合併資料測試電路411、421、431、及441，用以測試該 等記憶體區塊311至318 ，其中的大小會減少，而且功率 消耗也會降低。 本發明並非局限在上述的具體實施例，明顯可看出，技 藝中所熟知的技術能做不同的修改，而不會達背本發明的 技術精神《 -16- 本紙張尺度適用中國囤家標隼（CNS ) Λ4規格（210X29"；公趁） , ΐ衣--^----1Τ------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買)