TW438835B - Process for producing aromatic polyester - Google Patents

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TW438835B TW087106394A TW87106394A TW438835B TW 438835 B TW438835 B TW 438835B TW 087106394 A TW087106394 A TW 087106394A TW 87106394 A TW87106394 A TW 87106394A TW 438835 B TW438835 B TW 438835B
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Mitsuru Teramoto
Masahiko Kosuge
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Description

經濟部中央樣隼局貝工消费合作社印裝 A7 B7___五、發明説明(1 ) 發明詳述 本發明係關於製造芳族聚酯的方法及自該聚酯製造膜 的方法。更特定言之,本發明係關於製造芳族聚酯的方法 ,該聚酯與冷卻滾筒間有極佳的緊密接觸,其幾乎不會污 染靜電導線並且當芳族聚酯膜係利用靜電鑄造法製得時其 可達到高的膜生產量,及關於自該芳族聚酯製得膜的方法 0 以聚對苯二甲酸乙二醇酯膜爲代表的芳族聚酯膜因爲 具有極佳的物理及化學性質而可用於多種不同的用途,例 如磁帶、電的絕緣體、電容器、照片及包裝材。 聚酯膜通常藉以下的方式製得*即將自壓擠模以熔體 壓出的薄膜形熔融聚酯在旋轉式冷卻滾筒的表面上施以冷 卻並做縱向及橫向的延伸。在此一例子中*爲了消除膜的 表面缺陷及改善膜在厚度上的均勻性,以熔體壓出之薄膜 形聚酯與旋轉式冷卻滾筒表面間的緊密接觸必須提高。爲 了達到此一目的,有人提出一種解決的方法(在下文中稱 之爲”靜電鑄造法”)其中壓擠模與旋轉式冷卻滾筒的表面之 間置有線狀金屬電極(在下文中稱之爲”靜電導線”)以將靜 電荷電積於薄膜形熔融產物的表面上。 藉膜之生產量的提高來降低製造成本是一項重要的課 題,此外,薄膜品質的改良亦有其重要性。藉以上之旋轉 式冷卻滾筒之圓周速度的加快來增加膜生成的速度是達成 以上課題最有效的方法。同其時,在以上的靜電鑄造法中 ,當旋轉式冷卻滾筒的圓周速度增加時,薄膜形產物表面 ---------i------IT-----1 ^ . * {請先閲讀背面之注意事項再填巧本頁) 本紙張尺度適用中圉國家標隼{ CNS > A4規格(210X297公;t ) 暇438835 Α7 Β7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印聚 五、發明説明(2 ) 上的每單位面積的靜電荷量會降低,因而使得膜與旋轉式 冷卻滾筒間的緊密接觸變低•膜上即生成表面缺陷,或者 膜的厚度會變得不均勻。藉增大施加至電極的電壓來增加 電#在熔融聚酯上的靜電荷量雖然可以使緊密接觸得到改 善,但是當施加的電壓過度增加時,電極與旋轉式冷卻滾 筒間會有弧光放電的現象發生,其結果爲冷卻滾筒表面上 的薄膜形產品可能會破裂,或者冷卻滾筒的表面可能會受 損。因此,施加至電極的電壓僅能增高到某個程度》 爲了藉膜生成速度的改善來有效率地製得聚酯膜(其 可以克服此種靜電鑲造法的限制),有人提出一種方法其 中熔融聚酯的比電阻得以降低* 亦即,USP 5,188,774提出一種芳族聚酯,其含有0.1至 45毫莫耳% (基於官能異常的二羧酸組份)的四級_磺酸 鹽(其在聚合鏈中具有酯生成官能基)且熔融膜的AC體積 電阻率爲6.5χ108Ω cm或以下。但是,經披露此一設計會遭 遇以下的問題。當實施以上的膜生成法時,因爲昇華物( 由壓擠膜壓出的薄膜形熔融聚酯所產生)會附著至靜電導 線而造成堵塞,所以聚酯與冷卻滾筒間的緊密接觸會因電 流的降低及放電火花的產生而變低,其結果爲靜電導線必 須在短時間內更換,不然生產置就會變低。此一公告亦揭 示一種芳族聚酯,其含有0.1至45毫莫耳% (基於官能異常 的羧酸組份)的四級鋳磺酸鹽(其在聚合鏈中具有酯生成 官能基)及0.1至20毫莫耳56 (基於官能異常的羧酸組份) 的鹼金屬或鹸土金靥化合物以改善聚酯的熔體安定性。但 --------#------1Τ------ (讀先聞讀背面之注1^-項再填窍本頁) 本执張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) -5 - Γ 經濟部中央橾準局员工消费合作社印製 A7 B7 五、發明说明(3 ) 是,此一公告亦指出經過共聚之四級锇磺酸鹽的量與加入 之鹼金屬或鹼土金屬化合物的量之間並沒有爲了達到較佳 的效果而有特定的重量比。此外,鹼金屬或鹼土金屬化合 物的加入與靜電導線的污染間的關係亦未提及。 本發明之目的係提供製造芳族聚酯的方法,該聚酯與 旋轉式冷卻滾筒間具有極佳的緊密接觸,其幾乎不會污染 靜電導線並且當芳族聚酯膜係利用靜電鑄造法製得時其可 達到高的生產量。 本發明之另一目的係提供依據靜電鑄造法以高生產量 自以上的芳族聚酯製得芳族聚酯膜的方法,其中芳族聚酯 膜與旋轉式冷卻滾筒緊密地接觸並且靜電導線的污染得到 抑制。 經由以下的說明可以明顯地看出本發明的其他目的及 優點。 依據本發明,本發明的以上目的及優點可藉芳族聚酯 的製法達成,該種方法係將主要包含芳族二羧酸的二羧酸 及主要包含乙二醇的二醇施以酯化作用,然後再將生成的 產物施以聚縮合作用,其中該方法包含在1至30毫莫耳5¾ ( 基於二羧酸)四級鳞磺酸鹽(其具有酯生成官能基)的存 在下實施酯化作用,並將至少一種選自包含鋰化合物、鈣 化合物、鎂化合物、铈化合物及鈷化合物的金屬化合物或 者該金屣化合物與磷化合物的組合物加至反應系統且加入 的量滿足下式(1)至(3): 本紙張尺度遑用中國國家標率{ CNS ) A4规格(210X297公釐) .Q. ---------¢------IT------^ (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明(4 ) A7 B7 1 s MS 100 ⑴ OS P客 20 (2) 1.0^ M/(S + P)g 5.0 (3) 經濟部中央榡準局員Η消费合作杜印31 其中,Μ、P及S分別爲金屬化合物、磷化合物及具有酯生成 官能基的四級锇磺酸鹽基於二羧酸的毫莫耳5« ,當酯化作 用實質上終止後,再於聚縮合觸媒的存在下實施聚縮合作 用。 本發明之方法係製造芳族聚酯的方法,其包含將二羧 酸(主要由芳族二羧酸組成)及二醇(主要由乙二醇組成 )施以酯化作用,然後再將生成的產物施以聚縮合作用》 主要由芳族二羧酸組成的二羧酸最好含有至少70莫耳 S6的芳族二羧酸,並以80莫耳%爲更佳,以85莫耳X爲最 佳。因此’除了芳族二羧酸之外的二羧酸,其含量最好爲 30莫耳?6或以下,並以20莫耳%或以下爲更佳,以15莫耳 %或以下爲最佳· 芳族二羧酸的說明例包括對酞酸、萘二羧酸、異酞酸 、二苯基二羧酸等。這些芳族二羧酸可以單獨使用或兩或 多種組合使用。 除了上述芳族二羧酸之外的二羧酸,其說明例包括脂 族二羧酸如己二酸及癸二酸;及脂環族二羧酸如環己烷-U4 -二羧酸》 主要由乙二醇組成的二醇最好含有至少8〇莫耳%的乙 二醇’並以至少90莫耳爲更佳,以至少95莫耳%爲最佳 本紙 尺度ϋ中81®家樣準< CNS > A4規格(210x297公釐^ · 7 · ' " U 裝 I n ^ (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) HU3 88 3 5 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明(5 ) 。因此,除了乙二酵之外的二醇,其含量最好爲20莫耳% 或以下,並以10莫耳%或以下爲更佳•以5莫耳96或以下爲 最佳》 除了乙二醇之外的二醇*其說明例包括具有3至10個碳 原子的聚伸甲基二醇如三伸甲基二醇、四伸甲基二醇及六 伸甲基二醇:脂環族二醇如環己烷二甲醇:及芳族二醇如 對苯二酚、間苯二酚及2,2-雙(4-羥苯基)丙烷。 由以上可以看出,本發明中的芳族聚酯爲包含芳族二 羧酸作爲主要酸組份及乙二醇作爲主要二醇組份的聚酯, 並且此聚酯實質上爲直鏈並具有膜生成性質,特別是藉熔 體壓出而有的膜生成性質。 最佳的芳族聚酯爲聚對苯二甲酸乙二醇酯,聚2,6-萘酸 乙二醇酯或者含有80莫耳S6或以上(基於所有二羧酸組份 的總量)之對酞酸或2,6-萘二羧酸及80莫耳%或以上(基於 所有二醇組份的總量)之乙二醇的共聚物。 衍生自氧代羧酸的組份例如芳族含氧酸(如羥基苯甲 酸)|或者脂族含氧酸(ω -羥基己酸)可以10莫耳56或以 下的量(基於二羧酸及氧代羧酸組份的總量)與上述的芳 族聚酯共聚或者鍵結至彼,只要其不損及本發明的效果β 具有至少3個官能基的聚羧酸或者聚羥基化合物(例如 苯偏三酸或者季戊四醇)可進一步與聚酯共聚,並且其用 量經過適當的選擇(例如基於所有酸組份的總量爲2莫耳% 或以下的量)可使得聚酯實質上.爲直鏈並且又不損及本發 明的效果。 I I I ' I I ~"訂 I ~^ ·< (请先閱讀背面之注意事項再填荇本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) .Q. 經濟部中央標準局負工消t合作社印笨 N9 4 3 p Γ: Α7 ________Β7_ 五、發明説明(6 ) 在本發明的方法中,以上的酯化反應係於1至3〇毫莫耳 K (基於二翔酸)四級鋳磺酸鹽(其具有酯生成官能基) 的共存下實施。酯化反應可在目前習知的酯化觸媒的存在 下或者在實質上無酯化觸媒的存在下實施因爲其即使在無 酯化觸媒的存在下仍可進行。酯化作用可在芳族二羧酸或 其低聚物之二醇酯的共存下起始。 *具有酯生成官能基的上述四級鱗磺酸鹽最好是以下式 表示的化合物: Yl-h-Y2 .R1 (S03-P^rI )„ \r4 其中A是具有6至18個碳原子的芳基其可被具有1至12個碳原 子的烷基所取代,Y1及Y2可以相同或者相異並且是氫原子 或者是酯生成官能基,R1' R2' R3及R4可以相同或者相異 並且是具有1至18個碳原子的烷基、苯甲基或者具有6至12 個碳原子的芳基,並且η是1或2,前提爲Y1及Y2不能同時爲 氫原子。 在上式中,以Α表示之具有6至18個碳原子的芳族環最 好是苯環、萘環或聯苯環。芳族環可以具有丨至12個碳原子 的烷基取代。具有1至12個碳原子的烷基可以是直鏈或者具 有支鏈,例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第 二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基,正辛基、 正壬基、正癸基、正十一烷基及正十二烷基。 ---------^------.η------t . - . {請先閲讀背面之注意事項再填莴本Vk ) 本紙張尺度連用中國國家標準(〇阳)八4規格(210><297公釐> ·9- 經濟部中央樣率局貝工消费合作社印製 A7 B7_五、發明说明(7 ) Y1及γ2可以相同或者相異並且是氫原子或者是酯生成 官能基,前提爲Y1及Y2不能同時爲氫原子且至少其一爲酯 生成官能基》 酯生成官能基的說明例包括-COOH、-COOR’、-OCOR’、-(CH2)m〇H、-(OCH2)mOH等。在這些基團中,R’是具有1至4 個碳原子的低碳烷基或者是苯基,並且m是1至10的整數* R’最好是甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基或類似的 基團。構成四級鋳磺酸鹽基團的R1、R2、R3及R4可以相同 或者相異並且是具有1至18個碳原子的烷基、苯甲基或者具 有6至12個碳原子的芳基。具有1至18個碳原子之烷基的說 明例包括以上所列之具有1至12個碳原子的烷基、硬脂醯基 等。 具有6至12個碳原子之芳基的說明例包括苯基、萘基、 聯苯基等。 四級鳞磺酸鹽的較佳實例包括3,5-二羧基苯磺酸四丁基 鐃、3,5-二羧基苯磺酸乙基三丁基鍈、3,5-二羧基苯磺酸苯 甲基三丁基錢、3,5-二羧基苯磺酸苯基三丁基鋳、3,5-二羧 基苯磺酸四苯基锇、3,5-二羧基苯磺酸丁基三苯基鎸,3,5-二甲酯基苯磺酸四丁基銹、3,5-二甲酯基苯磺酸乙基三丁基 銹、3,5-二甲酯基苯磺酸苯甲基三丁基锇、3,5-二甲酯基苯 磺酸苯基三丁基鍈、3,5-二(jS -羥基乙氧基羰基)苯磺酸四丁 基鋳、3,5_二(Θ-羥基乙氧基羰基)苯磺酸四苯基鋳' 3-二羧 基苯磺酸四丁基鍈、3-二羧基苯磺酸四苯基鋳、3·二(Θ-羥 基乙氧基羰基)苯磺酸四丁基鱗、3·二(yS-羥基乙氧基羰基) ---------^.------1T------^ 一 為 (請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS > A4規格(210X297公釐) -1〇 - 143 88 3 5 Α7 Β7 五、發明説明(8 ) 苯磺酸四苯基鍈、4-二(>δ-羥基乙氧基羰基)苯磺酸四丁基 锇,雙酚Α-3,3-二(四丁基锇磺酸鹽)、2,6-二羧基萘-4-磺酸 四丁基鱗鹽等•以上的四級鋳磺酸鹽可以單獨使用或兩或 多種組合使用。 本發明之方法包含將至少一種選自包含鋰化合物、鈣 化合物、鎂化合物、铈化合物及鈷化合物的金靥化合物, 或者該金屬化合物與磷化合物的組合物在酯化反應(於以 上四級鐃磺酸鹽的共存下)實質上完成之後(酯化反應以 至少完成90%爲較佳,以至少完成95%爲更佳)加至反應系 統。 加入的量必須滿足下式(1)至(3): 1 S 100 (1) 20 (2) 1.0 蕊 M/(S + P)芸 5.0 (3) 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印策 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中,Μ、Ρ及S分別爲金靥化合物、磷化合物及具有酯生成 官能基的四級鳞磺酸鹽基於二羧酸的毫莫耳!《 。 此處認爲金靥化合物係用以降低靜電導線上之污染物 附著的現象,其爲本發明的目的之一 •亦即,靜電導線上 的污染物爲熔融芳族聚酯造成之四級鳞磺酸鹽的分解產物 。此處認爲內含於聚酯中之金屬化合物的存在會抑制四級 鳞磺酸鹽的分解作用或者分解產物會陷於聚酯中。 就上式(1)而言,當金屬化合物的量超過10毫莫耳時 本紙伕尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -11 - 鯉濟部中央標準局貝工消费含作社印装 Α7 Β7五、發明説明(9 ) ,聚酯的熱安定性會降低•因而生成的膜會有顔色或者膜 中會產生表面缺陷。而當其量低於1毫莫耳%時*污染物附 著至靜電導線的現象又無法有效地降低。 就上式(2)而言,當磷化合物的量超過20毫莫耳J6時, 改善聚酯之熱安定性的效果會飽和,此外,磷化合物亦可 能變爲靜電導線污染的原因之一· 就上式(3)而言,當M/(S + P)的値小於1.0時,抑制污染物 附著至靜電導線的效果實際上無法達成,而當其大於5.0時 ,該效果又會飽和- 當金屬化合物太早加入時,會生成大量的副產物二甘醇 ,因而聚酯的熔點會降低,其結果爲膜易附著至旋轉式冷 郤滾筒,或者膜在延伸時易破裂。 上式(1)最好是以下的式子(1)·1 10SMS90 (1)-1 其中Μ的定義同上式 上式(2)最好是以下的式子(2)-1 1SPS20 (2)-1 其中Ρ的定義同上式。 上式(3)最好是以下的式子(3)-1 11111111 3^ 11 訂—111 —戒- , - (婧先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國困家標準(CNS > Α4規格(210X297公釐) -12- 經濟部中央標单局貝Η消费合作社印裝 A7 _B7___^_ 五、發明説明(10 ) 1.3^ M/(S + P)^ 4.0 (3)-1 在上式(2>-1中,當磷化合物的量超過1毫莫耳%時,製 得的芳族聚酯會有充份的熱安定性且靜電導線幾乎不會受 到污染,此爲有利之處》 鋰化合物最好是醋酸鋰、氯化鋰或氫氧化鋰。 鈣化合物最好是醋酸鈣、氧化鈣或氯化鈣。 鎂化合物最好是氧化鎂、氯化鎂、氫化鎂、氫氧化鎂 、硫酸鎂、磷酸鎂、醋酸鎂、苯甲酸鎂或酞酸鎂。 姉化合物最好是醋酸铈、氯化铈或氧化铈。 鈷化合物最好是醋酸鈷或氯化鈷= 以上的金靥化合物可以單獨使用或者兩或多種組合使 用。 在以上的金饜化合物中,以鎂化合物爲最佳。 磷化合物的說明例包括三甲基磷酸鹽、三乙基磷酸鹽 、三正丁基磷酸鹽、磷酸等。其中以三甲基磷酸鹽爲較佳 *最好是使用磷化合物因其可改善芳族聚酯的熱安定性。 在本發明的方法中,聚縮合作用係於聚縮合觸媒的存 在下實施。聚縮合作用係於減壓下實施。聚縮合觸媒可在 金靥化合物加入之前'之後或與之同時加至反應系統。 聚縮合觸媒係選自諸如鈦化合物、鋅化合物、錳化合 物、鍺化合物及銻化合物》 鈦化合物的說明例包括四丁氧化鈦、四異丙氧化鈦及 苯偏三酸鈦。 I I I ί 裝 —訂— I ! !1. n ^ (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度速用中國國家橾準(CNS > Α4規格(210X297公釐) _ <|3_ 經濟部中央標痒局負工消費合作社印聚 A7 B7五、發明説明(11 ) 鋅化合物的說明例包括醋酸鋅、苯甲酸鋅及氫氧化鋅 0 錳化合物的說明例包括醋酸錳、苯甲酸錳及氯化錳。 鍺化合物的說明例包括氧化鍺及氯化鍺。 銻化合物的說明例包括三氣化銻及醋酸銻。 這些聚縮合觸媒可以單獨使用或者兩或多種組合使用 0 依據本發明,製得具有較佳特性黏度(0.45至0.75)的芳 族聚酯。 藉本發明之方法製得的芳族聚酯當其熔融時最好具有 2.(^108〇(:1!1或以下的六(:體積電阻率,並以1.{^108至6.(^ l〇6〇cm爲更佳。 具有2.0x108Ω cm或以下之AC體積電阻率的芳族聚酯( 當其熔融時)可具有足量的電荷因此即使當旋轉式冷卻滾筒 以相當快的速度旋轉時,其仍能夠與之緊密的接觸並且膜 生成速度亦可由是得到改善,此爲本發明的目的之一。 此外,本發明中的芳族聚酯可視需要含有諸如顏料、 染料、抗氧化劑、光安定劑及遮光劑(例如碳黑、氧化鈦 或類似物)等添加劑只要其不損及表面平面性及抗乾熱劣 化性質的能力。 就本發明中之酯化反應及聚縮合反應的其他條件而言 ,習知的條件均可使用。 依據吾人所作的硏究,其顯示本發明之以上的目的及 效果亦可藉本發明之以下的方法達成。 I I I , 裝 I I I I 訂— I I I I 1.4. (請先閱讀背面之注^^項再填寫本\® ) 本紙張尺度適用中固國家搞準< CNS >A4規格(2丨0X 297公釐) .-|4 - 3?濟部中央橾準局貞工消費合作社印裝 其中,Μ、P及S分別爲金靥化合物、磷化合物及具有酯生成 官能基的四級鍈磺酸鹽基於二羧酸的毫莫耳?(1 。 當酯化作用實質上終止後•即將其在常壓下施以混合 ,然後再實施聚縮合作用。 本發明的第二種方法與本發明的上述方法(在下文中 可稱之爲”本發明的第一種方法”)有以下的不同點(當與本 發明的第一種方法相比較時)。 (i) 金屬化合物爲鋅化合物、鈦化合物、锰化合物或鍺化合 物:及 (ii) 金屬化合物係加至反應系統然後再於聚縮合作用實施之 稻43 88 3 5 A7 ____B7_ 五、發明説明(12 ) 亦即’依據本發明,在此提供製造芳族聚酯的方法( 在下文中稱之爲”本發明的第二種方法”),該方法係將主要 包含芳族二羧酸的二羧酸與主要包含乙二酵的二醇施以酯 化作用’然後再將生成的產物施以聚縮合作用,其中該方 法包含在1至30毫莫耳% (基於二羧酸)四級鋳磺酸鹽(其 具有酯生成官能基)的存在下實施酯化作用,並將至少一 種選自包含鋅化合物、鈦化合物、錳化合物及鍺化合物的 金屬化合物,或者至少一種該金屬化合物與磷化合物的組 合物加至反應系統,加入的量並滿足下式(1)至(3): 1 ^ Mf 100 (1) Pg 20 (2) 1.0^ M/(S + P)^ 5.0 (3) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4说格{ 210X297公釐) .15- I I mu ^1! 裝— I 訂— I I I I, (#先M讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標車局貞工消費合作社印製 五、發明説明(13 ) 前在常壓下混合。 鋅化合物、鈦化合物 '錳化合物或鍺化合物等金屬化 合物在本發明的第一種方法中係作爲聚縮合觸媒。亦即’ 在本發明的第二種方法中,金屬化合物係於聚縮合作用之 前加至反應系統。因此,聚縮合觸媒並不一定要在聚縮合 作用實施時方予加入。 在本發明的第二種方法中,當金靥化合物已加至反應 系統後,最好在聚縮合作用實施之前先在常壓下實施約5至 約30分鐘的混合。 此處應可瞭解有關本發明之第二種方法且未於本文中 述及的其他事項係等同於本發明之第一種方法者。 藉本發明之方法(包括第一及第二種方法)製得的芳 族聚酯可被賦予足量的電荷而使得其與旋轉式冷卻滾筒能 有緊密的接觸。 因此,依據本發明•在此處另提供製造芳族聚酯膜的 方法,其係將藉本發明之方法製得的芳族聚酯依據靜電鑄 造法製成膜。 依據本發明,以上的芳族聚酯係於其熔點(Tm; °C) 至(Tm + 70) °C的溫度下自孔口壓出至旋轉式冷卻滾筒上並 經淬火而製得10至5,000微米厚的無定向膜》該無定向膜在 (Tg-ΙΟ)至(Tg + 70) t (Tg:聚酯的玻璃轉移溫度)的 溫度下沿單軸方向(縱向或橫向)延伸2.5至5.0倍,然後再 於Tg至(Tg + 70) t的溫度下沿垂直以上方向的方向(若最 初沿縱向延伸此時爲橫向)延伸2.5至5.0倍而製得雙軸定向 (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) Τ 本紙張尺度適用中國S家梯準(CNS ) Α4规掊(210X297公釐) .jg. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7_五、發明説明(14 ) 膜。在此一例子中,面積延伸率最好爲9至22倍,其並以12 至22倍爲更佳。延伸的方法爲同時式雙軸延伸或者循序式 雙軸延伸。製得的膜可在(Tg + 7〇 )至Tm°C的溫度下進一步 地熱固化。舉例而W ’聚酷型對駄酸醋膜最好在200至240 °C下熱固化。熱固化時間可爲1至60秒。 在此一方法中,壓出至旋轉式冷卻滾筒上的熔融膜被 電極(金屬導線:靜電導線)強制賦予電荷,該電極係以 不接觸的方式安裝在離膜表面3至10毫米處靠近滾筒的位置 (正前方)。因爲芳族聚酯含有1至30毫莫耳%的四級錢磺 酸鹽(如上所述)並且當其熔融時最好顯現2.0χ108Ω〇ιη或 以下的AC體積電阻率,所以其被賦予電荷*即使旋轉式冷 卻滾筒轉動地相當快速其仍能夠與之有均勻且緊密的接觸 〇 如上所述,因爲芳族聚酯含有特定量的金颶化合物( 如鎂化合物),所以其幾乎不會污染靜電導線因而可以降 低靜電導線更換的頻率。 如上所述,在基於靜電鑄造法的膜生成方法中•本發 明的芳族聚酯可增加旋轉式冷卻滾筒的旋轉球形速度並改 善膜的製造效率。 藉本發明製得之芳族聚酯的膜可以具優勢的方式使用 於膜的領域,例如應用於磁帶、電的絕緣體、電容器、照 片及包裝材等用途。 實例 1.1 11 n 1.裝一"訂 ~~ I (婧先閲讀背*之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國固家標丰(CNS > A4規格<210X297公釐) -17- 經濟部中央樣準局負工消費合作社印製 览438835 ! A7 __B7_五、發明説明(15 ) 以下的實例係用以對本發明作進一步的說明。以下實 例中的”份數”係指’重童比的份數”。以下實例之各個性質的 數値係依據以下的方法測得。 (1) 特性黏度 以鄰位-氯基酚作爲溶劑在35°c下測得。 (2) 靜電鑄造性質 當聚合物自沖模壓出而成膜且鑄造於冷卻滾筒上時, 聚合物與冷卻滾筒間被電極施以7,000V的電壓,該電極係 安裝於壓出膜之上近沖膜處。此時,冷卻滾筒有最大的速 度,在此速度下膜可穩定地生成並且不會有膜表面缺陷的 產生及厚度均勻性的劣化現象發生。靜電鑄造性質可以依 據冷卻滾简的最大速度作如下的分級。 等級A:膜在冷卻滾筒速度爲70米/分鐘或以上的條件 下可穩定地生成。 等級B :膜在冷卻滾筒速度爲60米/分鐘或以上且低於 70米/分鐘的條件下可穩定地生成。 等級C :膜在冷卻滾筒速度爲55米/分鐘或以上且低於 60米/分鐘的條件下可穩定地生成。 等級D:膜僅在冷卻滾筒速度低於55米/分鐘的條件下 方可穩定地生成。 (3) 靜電導線的污染 ---------^------.η------J· <婧先閲讀背面之注意事項再填荇本頁) 本紙張尺度適用中國圉家標準(CNS ) Α4規格(210Χ29?公釐) -18- 鲤濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 3 8P c ^ A7 B7______五、發明説明(16 ) 靜電導線電流値因靜電導線的污染而降低的速率在以 上的靜電鑄造性質試驗(2)中査對並延長試驗時間。讀取試 驗開始時的電流値及試驗結束時的電流値並將兩者的差値 除以試驗時間而得到每單位時間的電流降低速率。靜電導 線的污染可以該數値爲基礎予以分級。 等級A :電流降低速率低於1%/小時。 等級B :電流降低速率爲1%/小時或以上且低於5%/小時 〇 等級C : ·電流降低速率爲5 %/小時或以上且低於10%/小 時。 等級D:電流降低速率爲10%/小時或以上。 當靜電導線的污染被分類爲A級時,靜電導線不會有實 務上的問題•當靜電導線的污染被分類爲B或C級時,靜電 導線必須時常更換並且就製造效率而言此爲不利之處。當 靜電導線的污染被分類爲D級時,靜電導線無法作實務的應 用。 (4)熔融聚合物的AC體積電阻率 將含有待測聚合物且具有一對插入該聚合物之電極的容 器置於加熱介質中,該聚合物藉加熱至285°C而熔融並保持 在此一溫度下。100V-50HZ的電壓自外接AC電源施加至插入 該聚合物的電極》聚合物的AC體積電阻率由電流表及電壓 表顯示的數値,電極的總面積與電極間的距離求得。 ---------'.^------ΪΤ1-----; (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙伕尺度適用中國國家櫺车(CNS ) A4規格(210X297公釐) -19 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7__ 五、發明説明(17 ) (5)膜表面缺陷 評估熱塑型聚酯之聚合步驟或其壓出步驟中副產的微 粒型外來物質*將熔融聚合物在285 °C下壓出並令其和旋轉 式冷卻滾筒緊密接觸以使其冷卻可製得實質上爲非晶形的 膜》其後,再將該膜在縱向延伸3.6倍且在橫向延伸3.9倍而 製得15微米厚的膜。利用相差顯微鏡Luzex 500影像分析儀 (Nippon Regulator Co.,Ltd的產品)對該膜作觀察以計算 顯微鏡影像內最大長度爲10微米或以上之粒子的數目》粒 子密度爲10/平方厘米或以下的膜可作實務的應用。 實例1 將30份乙二醇與0.04份3,5-二羧基苯磺酸四丁基銕的混 合物加至100份對酞酸之雙-jS ·羥乙酯及65份對酞酸中並在 210至230°C的溫度下實施酯化反應。當反應產生之水的量 達到13份時即終止反應,此時加入0.034份四水合醋酸鎂及 0.006份三甲基磷酸鹽並攪拌10分鐘*然後再加入含有0.075 份球狀矽石顆粒(平均粒徑爲0.5微米)及0.046份三氧化銻 的乙二醇淤漿。其後,即將反應產物移至聚合反應器並加 熱至290eC並且在0.2毫米汞柱或以下的高真空度下實施聚縮 合反應,由是製得特性黏度爲0.62的聚酯。此聚酯在285°C 下的AC體積電阻率爲5.8x107Ω cm * 將此聚酯的顆粒在丨70°C下乾燥3小時*然後送至擠壓 機的裝料斗並在290°C的熔化溫度下經1毫米孔口沖模熔融 壓出成200微米的厚度。利用線狀電極使壓出物與旋轉式冷 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -20- ---------襄------ΐτ_------β (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾皋局貝工消費合作社印裝 154388 35 A7 B7 — ----- --- —— ------ 五、發明説明(彳8 ) 卻滾筒(表面光潔度爲約0.3秒且表面溫度爲20°C )緊密地 接觸以使之固化•此時,冷卻滾筒的速度逐漸地增加並且 最大的鑄造速度(在此速度下冷卻的膜可以穩定地生成並 且不會發生因接觸失敗而產生膜表面缺陷的現象)爲100米/ 分鐘。其後,此一無定向膜即在75Ό下預熱*並藉單一IR 加熱器(表面溫度爲90(TC在膜上方15毫米處且位於低速滾 輪與高速滾輪之間)的加熱延伸3.6倍,然後送至展幅機並 在105 aC下沿橫向延伸3.9倍。將製得的雙軸定向膜在230°C 下熱固化5秒鐘即得到14微米厚的熱固型雙軸定向膜。 該膜的性質示於表1» 實例2-4 芳族聚酯及聚酯膜係以等同於實例1的方式製得但在此 處3,5-二羧基苯磺酸四丁基銹、醋酸鎂及三甲基磷酸鹽的量 分別改爲如表1所示的量。該等膜的性質示於表1。 實例5 將3 0份乙二酵M0.04份3,5·二羧基苯磺酸四丁基锇的混 合物加至120份2,6-萘二羧酸之雙-yS -羥乙酯及85份2,6-萘二 羧酸中並在210至230°C的溫度下實施酯化反應》當反應產 生之水的量達到13份時即終止反應,此時加入0.076份四水 合醋酸鎂及0.006份三甲基磷酸鹽並攪拌10分鐘,然後再加 入含有0.075份球狀矽石穎粒(平均粒徑爲0.5微米)及0.046 份三氧化銻的乙二醇淤漿*其後,即將反應產物移至聚合 I 裝 >1 ~- I I I I —.^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度通用中國國家榇隼(CNSM4規格(2丨ox297公釐) -21 - ΪΙ4 3 8 經濟部中央樣隼局貝工消費合作社印聚 Α7 Β7五、發明説明(19 ) 反應器並加熱至295TC並且在0.2毫米汞柱或以下的高真空度 下實施聚縮合反應•由是製得黏度爲0.61的聚酯。 以等同於實例1的方式將此一聚酯製成聚酯膜但在此處 熔化溫度改爲300°C » 該膜的性質示於表1。 啻例6 芳族聚酯及雙軸定向膜係以等同於實例1的方式製得但 在此處以0.05份3,5-二羧基苯磺酸四苯基鎸替代0.04份3,5· 二羧基苯磺酸四丁基鋳並且醋酸鎂的量改爲如表1所示的量 。該膜的性質示於表1。 實例7 芳族聚酯及雙軸定向膜係以等同於實例1的方式製得但 在此處以0.054份氧化鎂替代0.034份醋酸鎂*該膜的性質示 於表1 » 比較例1至3 芳族聚酯及聚酯膜係以等同於實例1的方式製得但在此 處3,5-二羧基苯磺酸四丁基鍈、醋酸鎂及三甲基磷酸鹽的量 改爲如表1所示的量。該等膜的性質示於表1。在所有的該 等比較例中,靜電導線均受到嚴重的污染。因此,無法得 到令人滿意的結果。 比較例4 ^^1 «m km In 1^1 II - .......... - - I— {对先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率{ CNS ) A4#t格(210X297公釐) · 22 - 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 B7五、發明説明(2〇 ) 芳族聚酯及聚酯膜係以等同於實例1的方式製得但在此 處以用量示於表1的醋酸鈉替代醋酸鎂。該膜的性質示於表 1。靜電導線受到嚴重的污染*因此,無法得到令人滿意的 結果。 比較例5及6 芳族聚酯及聚酯膜係以等同於實例1的方式製得但在此 處3,5·二羧基苯磺酸四丁基鍈、醋酸鎂及三甲基磷酸鹽的量 改爲如表1所示的量。該等膜的性質示於表1。在所有的該 等比較例中|製得的膜具有許多表面缺陷。因此,無法得 到令人滿意的結果。 比較例7及8 芳族聚酯及聚酯膜係以等同於實例1的方式製得但在此 處3,5-二羧基苯磺酸四丁基镂的量改爲如表1所示的量。該 等膜的性質示於表1。因爲在所有的該等比較例中四級鱗磺 酸鹽的含量小,所以無法得到足夠的靜電接觸。因此,亦 無法得到令人滿意的結果· 比較例9至11 芳族聚酯及聚酯膜係以等同於實例1的方式製得但在此 處3,5-二羧基苯磺酸四丁基镂及醋酸鎂改爲如表1所示者。 該等膜的性質示於表1。在所有的該等比較例中無法得到足 夠的靜電接觸。因此,亦無法得到令人滿意的結果。 I I I I I I * 裝 I I I 訂 I I —* , <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中圉國家樣準(CNS ) A4说格(210X297公釐) -23· A7
B 五、發明説明(21 ) 經濟部中央標嗥局負工消费合作社印掣 表1 四級鑲磺酸鹽 鎂化雜 三甲基 M/(S 熔融聚合 靜電鑄 靜電導線 膜表面 碟除薄 +P) 物的AC 造性質 的污染 缺陷(數 讎 置S淹 麵 體積電阻 目/100平方厘 莫耳%) 莫耳%) 莫耳%) 率(Ωαη) 米) Ex.1 3,5-二羧 10 醋酸 20 5 1.3 6.8χ107 A B 3 基苯磺 鎂 酸四丁 基锇 Ex.2 同上 10 同上 60 5 4.0 4.8χ107 A A 4 Ex,3 同上 25 同上 90 10 16 2.5χ107 A A 8 Ex.4 同上 2 同上 20 5 19 1.5xl〇8 B A 2 Ex,5 同上 10 同上 45 5 3.0 6.2χ107 A A 5 Ex.6 3,5-二羧 10 同上 50 5 3.3 5.5χ107 A A 6 基苯磺 酸四苯 基辚 Ex.7 3,5-二羧 10 氧化 40 5 2.7 6.0χ107 A A 9 基苯磺 鎂 酸四丁 基鍈 Ex.:實例 C.Ex.:比較例 -待續- 本紙張尺度適用中圉國家榡準(CNS ) A4规格(210X297公釐) -24 - I I r 裝 n H 訂I ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本黃) 陷43 88 3 5 A7 B7 五、發明説明(22 )表1(續) Μ濟部中央標车局員工消费合作社印製 四級麵酸鹽 鎂化雜 三甲基 ms 熔融聚合 靜電鑄 靜電導線 膜表面 磷酸鹽 +P) 物的AC 造性質 的污染 缺陷(數 麵 置scm 種類 量M(€ 置P(^ 體積電阻 目/1畔 莫耳%) 莫耳%) 莫耳%) 率(Ωαη) 方厘米) C.Ex,l 3,5·二羧 10 無 0 5 0 6.8xl〇7 A D 2 基苯磺 酸四丁 基鱗 CEx.2 同上 15 . 醋酸 15 5 0.75 4.3xl〇7 A C 3 鎂 C.Ex,3 同上 10 同上 50 30 1.25 5.2xl〇7 A c 8 C.Ex,4 同上 10 醋酸 50 5 3.3 5.5xl〇7 A D 4 鈉 C.Ex.5 同上 10 醋酸 110 10 5.5 3.2χ107 A B 25 鎂 C.Ex.6 同上 35 同上 75 5 1.9 1.3χ107 A c 18 C.Ex.7 同上 0.5 同上 10 5 1.8 2.5χ108 c A 12 CEx.8 無 0 同上 20 5 4.0 5.5χ108 D A 2 C.Ex.9 3,5-二羧 15 無 0 5 - 2.9χ108 C A 5 基苯磺 酸鈉 C.Ex.l 無 0 醋酸 15 5 - 2.8χ108 c A 4 0 鈉 C,Ex,l 無 0 醻酸 15 5 - 2.3χ108 c A 5 1 鉀
Ex.:實例 C.Ex.:比較例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )以規格(210X297公釐) -25- ο: un. 88.1 五 3A8 Ί
第87106394號專利申請案 中文說明書修正頁^ 民國88年1月修正 、發明說明(23) 實例 7辛1 4 芳族聚酯及聚酯膜係以等同於實例1的方式製得但在此 處3,5 -二殘基苯確酸四丁基鱗的量改爲丨5鼋莫耳%且鎂化合 物及三甲基磷酸鹽改爲如表2所示者。結果示於表2。在實 例9、1 1、1 2及14中,當金屬化合物加入之後,即在常壓與 不加Sb觸媒的條件下將成份施以約10分鐘的攪拌並在減壓 的條件下起始聚縮合作用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 表2 E X. 金屬化合物 三甲基 M/(S 熔融聚合 丨靜電鑄 靜電導線 :膜表面 磷酸鹽 +P) 物的AC ;造性質 的污染 ;缺陷(數 類型 量Μ(毫 量Ρ(毫 體積電阻 ; 目Π00平 莫耳%) 莫耳 :率(Ω cm) 方厘米) 7 醋酸 50 10 2.0 |5.3xl〇7 A A 5 鋰 ; , . 8 醋酸 50 10 2.0 6.2xl07 A :A :4 鈣 9 醋酸 50 10 :2.0 ;4.8xl07 A :A ;7 1 鋅 ! 10 醋酸 50 10 :2.〇 S.lxlO7 A A 丨4 .姉 11 .四丁 25 5 1.25 5.5xl07 A A ;5 氧化 * 鈦 12 醋酸 50 10 2.0 4.5xl07 :A .A 6 錳 13 醋酸 50 10 2.0 5‘3xl〇7 A :A 3 鈷 14 氧化 50 10 2.0 6.0xl07 A A 3 鍺 長尺度適用中國國家躺l ( CNS) Λ4現格 (;11^2()7公淹) - 紙 -26 訂 線 3 5 i 一一 符 丨…:..... A 7 .gft ^--^-------一. :------__—---— 五、發明説明(24 ) Εχ.:實例 實例1 5 芳族聚酯及聚酯膜係以與實例1相同之方式製備但是 於酯化反應時另外加入己二酸6份,製得特性黏度爲 〇 . 6 2之己二酸共聚合之聚對苯二甲酸乙二酯(酸成分 中己二酸爲5莫耳%)。此聚酯在285t下的AC體積 電阻率爲5 8xl07ficm。此膜的其他特性於下表3 表示之。 實施例1 6 芳族聚酯及聚酯膜係以與實例1相同之方式製備但是 於酯化反應時另外加入環己烷二醇8份,製得特性黏度爲 ◦ . 6 2之環己烷二甲醇共聚合之聚對苯二甲酸乙二酯( 二醇成分中環己烷二醇爲5莫耳%,飛散殘存率7 0%) 。此聚酯在285°C下的AC體積電阻率爲5 8X107 Ω c m。此膜的其他特性於下表3表示之° -----------1¾-------11-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消费合作社印裝 表3 \ 靜電鑄造性質 靜電導線的污染 膜表面缺陷 (數目/100平方厘米) 實例1 5 A B 3 實例1 6 A B 3 本紙張尺度適用中國®家榡準(CNS ) Λ4规格(210X 297公釐) -27 - ψ_Δ 3^;8.3 5 Λ 7 Β7 五、發明説明125 ) 因爲藉本發明之製法製得的芳族聚酯與旋轉式冷卻滾 筒有極佳的緊密接觸並且當芳族聚酯膜係利用靜電鑄造法 製得時其幾乎不會污染靜電導線’在膜生成步驟中可得到 高的生產量,並且生成的膜僅有少量的表面缺陷因此可以 具優勢的方式作多種不同的應用例如磁帶、電的絕緣體' 電容器、照片及包裝材。 -------ir _裝------—訂^------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消费合作社印裝 本紙浪尺度通用中國固家標隼(CNS ) Λ4^格(210x 297公釐) -28 -

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -----—-------一 — 六、申請專利範圍 附件2U):第8 7 1 0 6 3 9 4號專利申請案 中文中請專利範圍修正本 民國8 8年1月修正 1 · 一種製造芳族聚酯的方法,其係藉由使主要包含 芳族二羧酸的二羧酸與主要包含乙二醇的二醇行酯化作用 然後再將生成的產物施以聚縮合作用,其中該方法包含: 在1至3 0毫莫耳% (基於二羧酸)四級鱗磺酸鹽(其具 有酯生成官能基)的存在下實施酯化作用; 在酯化作用終止後,將至少一種選自鋰化合物、鈣化 合物、鎂化合物、铈化合物及鈷化合物的金屬化合物或者 至少一種該金屬化合物與磷化合物的組合物加至反應系統 其加入的量並滿足下式(1)至(3): 1 ^ Μ ^ 100 (1) 0 $ Ρ 客 20 (2) 1.0^ M/(S + P)^ 5.0 (3) 其中,Μ、P及S分別爲金屬化合物、磷化合物及具有酯生成 官能基的四級鋳磺酸鹽基於二羧酸的毫莫耳!^ ’ 然後再於聚縮合觸媒的存在下實施聚縮合作用’ 其中,具有酯生成官能基的四級銹磺酸鹽係以下式表 示: 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) — ^-I.-----—— {锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 “38835 8 88 8 ABCD Α丨 )« 1 2 9 I R R RR 六、申請專利範圍 其中A是臭有6至1 8個碳原子的芳基>i:可被具有1至丨2個 碳ϋί(子的保基所取代,Y 1及Υ Λ可以相|ϋ]或者相異並j.L是氫 原子或者是酯生成官能基,R 1、R 2、R 3及R 4可以相同B戈 者相異並且是具有1至1 8個碳原子的院基,苯甲基或者具有 6至12個碳原子的芳基,並且η是1或2,前提是Y1及Y2不能 同時爲氫原子。 2 .如申請專利範圍第丨項之方法,其中,聚縮合觸媒 係選向包含鈦化合物、鋅化合物、錳化合物、鍺化合物及 銻化合物。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中,聚縮合觸媒 係於金屬化合物加入之前、之後或與之同時加入。 4 .如申請專利範圍第1項之方法,其屮,金屬化合物 爲鎂化合物。 _ 5 .如申請專利範圍第1項之方法,其中,主要包含芳 族二羧酸的二羧酸含有70莫耳%至1 〇〇莫耳%的芳族::綾酸 〇 6 .如申請專利範圍第5項之方法,其中,除了芳族二 後酸之外的二羧酸爲脂族二羧酸或者脂環族二殘酸。 7 .如中請專利範圍第1項之方法’其中,主耍包含乙 二醇的二醇含有80莫耳%至100莫耳%的乙二_。 本紙银尺度逋用中國國家榡準(CNS ) A4规格(210X297公釐) _ 2 - — Ί--------裝-----—訂------線 (請先閱婧背面之項再填寫本1) .¾濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 5 3 CC 8 3 ABCD 經濟部中央樣率局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 8,如申請專利範圍第7項之方法,其中,除了乙二醉 之外的二醇爲具有3至1〇個碳原子的聚仲甲基二醇、脂環族 二醇或者芳族二醇。 9 .如中請專利範圍第1項之方法,其中,酯化作用係 於酯化觸媒不存在的條件下實施。 1 0 ·如申請專利範圍第丨項之方法,其中,酯化作用 係於芳族二羧酸或其低聚物之二甘醇酯的存在下起始。 1 1 _如申請專利範圍第丨項之方法,其中,金屬化合 物或者金屬化合物與.磷化合物的組合物係以滿足上式(1)及( 2)與下式(3)-1的量加入: 1.3^ M/(S + P)^ 4.0 (3)-} 其中Μ、S及P的定義同上 1 2 .如申請專利範圍第1丨項之方法,其中,加入量 滿足替代上式(1)的下式(1) -1 : 10^ 90 (1)-1 其中Μ的定義同上。 1 3 ·如申請專利範圍第1丨或丨2項之方法,其中,加 入量滿足替代上式(2)的下式(2) -1 : 1SPS20 (2)-1 本紙张尺度逋用中國國家標準(CNS) Α4規格(210Χ2!>7公釐) ,3 - I.---------裝-----1訂-------線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 其中P的定義同上。 1 4 · 一種製造芳族聚酯的方法’其特徵爲該方法係 將主要包含芳族二羧酸的二羧酸與主要包含乙二醇的二醇 施以酯化作用然後再將生成的產物施以聚縮合作用,其中 該方法包含: 在1至30毫莫耳% (基於二羧酸)四級鱗磺酸鹽(其具 有酯生成官能基)的存在下實施酯化作用; 將至少一種選自鋅化合物 '鈦化合物、錳化合物及鍺 化合物的金屬化合物’或者至少一種該金屬化合物與磷化 合物的組合物加至反應系統其加入的量並滿足下式(丨)至(3) 1 ^ Μ ^ 100 (1) 0 ^ Ρ ^ 20 (2) 1.0^ M/(S + P) ^ 5.0 (3) ^ ·-----!裝-- (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央樣隼局員工消f合作社印裝 其中,Μ、P及S分別爲金屬化合物、磷化合物及具有酯生成 官能基的四級鱗磺酸鹽基於二羧酸的毫莫耳% :當醋化作 用終止後即將其在常壓下施以混合;並在其後實施聚縮合 作用, 其中.具有酯生成官能基的四級鱗磺酸鹽係以下式表 示:
    本紙浪尺度適用中國國家標率(CNS ) A4現格(210x297公釐) -4- ®43 88 3 5 Α8 Β8 C8 D8 經濟部中央標隼局員工消費合泎社印装 六、申請專利範圍 其中A是具有6至1 8個碳原子的芳基其可被具有[至I 2個 碳原子的烷基所取代,Y 1及Y2可以相同或者相異並且是氫 原子或者是酯生成官能基’ R1、R 2 ' R 3及R 4可以相同或 者相異並且是具有1至18個碳原子的烷基,苯甲基或者具有 6至12個碳原子的芳基,並且η是1或2,前提是Y1及γ2不能 同時爲氫原子。 1 5 .如申請專利範圍第14項之方法,其中,常壓下 的混合貫施5至30分鐘。 1 6 .如申請專利範圍第14項之方法,其中,主要包 含芳族二羧酸的二羧酸含有70莫耳%至1〇〇莫耳%的芳族二 羧酸。 1 7 .如申請專利範圍第16項之方法,其中,除了芳 族二羧酸之外的二羧酸爲脂族二羧酸或者脂環族二羧酸。 1 8 .如申請專利範圍第14項之方法,其中,主要包 含乙二醇的二醇含有80莫耳%至1〇〇莫耳%的乙二醇。 1 9 .如申請專利範圍第18項之方法,其中,除了乙 二醇之外的二醇爲具有3至1 0個碳原子的聚伸甲基二醇、脂 環族二醇或者芳族二醇。 2 0 ·如申請專利範圍第14項之方法’其中,酯化作 用係於酯化觸媒不存在的條件下實施。 2 1 .如申請專利範圍第14項之方法,其中,酯化作 用係於芳族二羧酸或其低聚物之二甘醇酯的存在下起始。 2 2 .如申請專利範圍第14項之方法’其中,金屬化 合物或者金屬化合物與磷化合物的組合物係以滿足上式(1) ^^^1 ^^^^1 ^^^^1 i ml m4 Bn. • U3 t请先閱讀背面之注意事項#填寫本頁) -Φ 線 本紙張尺度適用+國國家梯準(0阳)六4現格(210父297公釐) -5- r; //3 8 8 3 15 經濟部中央標隼局員工消f合作社印裝 B8 C8 D8六、申請專利範圍 及(2)與下式(3)-1的量加入: 1.3S M/(S + P)S 4.0 (3)-1 其中Μ ' S及P的定義同上。 2 3 ·如申請專利範圍第22項之方法,其中,加入量 滿足替代上式U)的下式(1)-1 : 10 S Μ 客 90 (1)-1 其中Μ的定義同上。 2 4 .如申請專利範圍第22或23項之方法,其中,加 入量滿足替代上式(2)的下式(2)-1 : 1 ^ Ρ ^ 20 (2)-1 其中Ρ的定義同上。 2 5 . —種製造芳族聚酯膜的方法,其特徵爲該方法 將如申請專利範圍第1或14項之方法製得的芳族聚酯以靜電 鑄造法製成膜。 2 6 ·如申請專利範圍第25項之製造芳族聚酯膜的方 法,其中,膜的厚度爲10至500微米。 ,|^—,-----丨裝-----訂 <-------線 <請先閲讀背面之注意事項再4寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家梯準(CNS ) A4規210X297公釐) -6- ο: un. 88.1 五 3A8 Ί
    第87106394號專利申請案 中文說明書修正頁^ 民國88年1月修正 、發明說明(23) 實例 7辛1 4 芳族聚酯及聚酯膜係以等同於實例1的方式製得但在此 處3,5 -二殘基苯確酸四丁基鱗的量改爲丨5鼋莫耳%且鎂化合 物及三甲基磷酸鹽改爲如表2所示者。結果示於表2。在實 例9、1 1、1 2及14中,當金屬化合物加入之後,即在常壓與 不加Sb觸媒的條件下將成份施以約10分鐘的攪拌並在減壓 的條件下起始聚縮合作用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局負工消費合作社印装 表2 E X. 金屬化合物 三甲基 M/(S 熔融聚合 丨靜電鑄 靜電導線 :膜表面 磷酸鹽 +P) 物的AC ;造性質 的污染 ;缺陷(數 類型 量Μ(毫 量Ρ(毫 體積電阻 ; 目Π00平 莫耳%) 莫耳 :率(Ω cm) 方厘米) 7 醋酸 50 10 2.0 |5.3xl〇7 A A 5 鋰 ; , . 8 醋酸 50 10 2.0 6.2xl07 A :A :4 鈣 9 醋酸 50 10 :2.0 ;4.8xl07 A :A ;7 1 鋅 ! 10 醋酸 50 10 :2.〇 S.lxlO7 A A 丨4 .姉 11 .四丁 25 5 1.25 5.5xl07 A A ;5 氧化 * 鈦 12 醋酸 50 10 2.0 4.5xl07 :A .A 6 錳 13 醋酸 50 10 2.0 5‘3xl〇7 A :A 3 鈷 14 氧化 50 10 2.0 6.0xl07 A A 3 鍺 長尺度適用中國國家躺l ( CNS) Λ4現格 (;11^2()7公淹) - 紙 -26 訂 線 3 5 i 一一 符 丨…:..... A 7 .gft ^--^-------一. :------__—---— 五、發明説明(24 ) Εχ.:實例 實例1 5 芳族聚酯及聚酯膜係以與實例1相同之方式製備但是 於酯化反應時另外加入己二酸6份,製得特性黏度爲 〇 . 6 2之己二酸共聚合之聚對苯二甲酸乙二酯(酸成分 中己二酸爲5莫耳%)。此聚酯在285t下的AC體積 電阻率爲5 8xl07ficm。此膜的其他特性於下表3 表示之。 實施例1 6 芳族聚酯及聚酯膜係以與實例1相同之方式製備但是 於酯化反應時另外加入環己烷二醇8份,製得特性黏度爲 ◦ . 6 2之環己烷二甲醇共聚合之聚對苯二甲酸乙二酯( 二醇成分中環己烷二醇爲5莫耳%,飛散殘存率7 0%) 。此聚酯在285°C下的AC體積電阻率爲5 8X107 Ω c m。此膜的其他特性於下表3表示之° -----------1¾-------11-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消费合作社印裝 表3 \ 靜電鑄造性質 靜電導線的污染 膜表面缺陷 (數目/100平方厘米) 實例1 5 A B 3 實例1 6 A B 3 本紙張尺度適用中國®家榡準(CNS ) Λ4规格(210X 297公釐) -27 - ψ_Δ 3^;8.3 5 Λ 7 Β7 五、發明説明125 ) 因爲藉本發明之製法製得的芳族聚酯與旋轉式冷卻滾 筒有極佳的緊密接觸並且當芳族聚酯膜係利用靜電鑄造法 製得時其幾乎不會污染靜電導線’在膜生成步驟中可得到 高的生產量,並且生成的膜僅有少量的表面缺陷因此可以 具優勢的方式作多種不同的應用例如磁帶、電的絕緣體' 電容器、照片及包裝材。 -------ir _裝------—訂^------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消费合作社印裝 本紙浪尺度通用中國固家標隼(CNS ) Λ4^格(210x 297公釐) -28 -
    經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -----—-------一 — 六、申請專利範圍 附件2U):第8 7 1 0 6 3 9 4號專利申請案 中文中請專利範圍修正本 民國8 8年1月修正 1 · 一種製造芳族聚酯的方法,其係藉由使主要包含 芳族二羧酸的二羧酸與主要包含乙二醇的二醇行酯化作用 然後再將生成的產物施以聚縮合作用,其中該方法包含: 在1至3 0毫莫耳% (基於二羧酸)四級鱗磺酸鹽(其具 有酯生成官能基)的存在下實施酯化作用; 在酯化作用終止後,將至少一種選自鋰化合物、鈣化 合物、鎂化合物、铈化合物及鈷化合物的金屬化合物或者 至少一種該金屬化合物與磷化合物的組合物加至反應系統 其加入的量並滿足下式(1)至(3): 1 ^ Μ ^ 100 (1) 0 $ Ρ 客 20 (2) 1.0^ M/(S + P)^ 5.0 (3) 其中,Μ、P及S分別爲金屬化合物、磷化合物及具有酯生成 官能基的四級鋳磺酸鹽基於二羧酸的毫莫耳!^ ’ 然後再於聚縮合觸媒的存在下實施聚縮合作用’ 其中,具有酯生成官能基的四級銹磺酸鹽係以下式表 示: 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) — ^-I.-----—— {锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
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