TW436760B - Magneto-optical storage medium with double mask - Google Patents

Description

436760 A7 B7 五、發明說明（1〉 本發明關於磁性光學儲存媒體供高密度資訊之窝入及讀 取’該媒體包括一基板低磁層以以讀取資訊，第二磁中間 層及第三磁層以儲存資訊，第二層之居里溫度低於第—及 第三層之居里溫度。 磁性光儲存媒禮可使大批資料之經濟儲存及輸送。其可 以磁性儲存之永久性及易擦性結合高位元密度及光資料記 錄之資料統合=在傳統之磁性儲存媒體中，資訊之儲存係 以不同磁化區之順序，即以磁域圖暗。磁性光學儲存媒體 之特性爲極度可靠，迅速及無限之再寫入能力α 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 結合磁場效應及雷射之熱效應可將資訊寫入磁性光學儲 存媒體中。雷射光將儲存媒體之局部區加熱，而磁場之方 向在此區域〇磁化方向與所加磁場之局部區加熱。讀出由 一雷射爲之但以較低之強度爲之。反射或發射之光之極化 方向與相關位置之磁化有關^極化之變化可以測量’及再 產生處存之資訊。實際上，磁物質及極化之雷射光間之相 互作用被稱爲柯爾效應（反射），或法拉第效應（輸送）。磁性 光學儲存媒體應有高資料密度，高寫入靈敏度及高讀出準 確性。磁光學媒體之可達成之最大資料密度受限於磁之最 小尺寸及雷射光系統之光解析度之限度。因爲磁減之最小 尺寸較傳統之肥射光系統之工解析度，j、許多，與所用之雷 射光系統之波長成正比例，儲存密度最後受雷射光系統之 解析度所限制。 與光學相位改變儲存媒體相反，也磁性光學儲存媒體而 言，利用搞合層系統交換及利用雷射束所生之媒體之度 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公藿） 436760

、發明說明 (2 Άΐϋ級解析度可以達成。此-職方法可使讀出 位元，除虑进度高於雷射光系統之相對解析度，因爲所有 =可2理之電流位元外，均位於磁屏蔽之下。結果 出 #雷射光系㈣目對解析度之密度之資料密度讀 之硬體外’尚企圖進—步增、加資料密度及降低驅動機所需 —EP G 686 97G專利揭示―磁性光學儲存媒體中包 :基板’第-磁層堆在基板上以便再生資料，第二磁層 登在第一磁層上以便儲存資料，及$三層酉己置在第—及 =一磁層之間’其居里溫度低於第-及第二磁層之居里溫 第三磁層爲鄰之一區之第一磁層之一區之磁化方向 在恤度等於或高於第三層之居里溫度時，爲與第一磁層 相鄰之一區之磁化方向。 。本發明之目的爲提供一磁性光學儲存媒體，其可有高信 號解析度及高資料密度。 松據本發明，此目的係由—磁性光學儲存媒體達成，其 可在高於室溫Ta之寫入溫度TWT ’或者二溫度Th，1作 重復< 資訊寫入，及以高出室溫Ta之溫度Tf下之前屏蔽及 恤度爲Tr之後屏蔽來在外磁場He中作重復讀取（溫度Tm下） ;該媒體包括一基板’配置在基板上之第—磁層，及有— 溫度相關矯頑磁力Hd(T)，補償溫度Tcpl及居里溫度TC1 ’及堆疊在第一磁層上之第二磁層，及有一溫度相關矯頭 磁力HC2(T)，補償溫度Tcp2，及居里溫度Tc2，及堆疊在第 二磁層上之第三磁層，其有一溫度相關矯頑磁磁力hc3(t) -5- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 裝--------^---------^ Γ清先閱讀背面之注秦JS%寫本I > 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 436760 A7 經濟邨智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3 補償溫度TCf>3，及居里溫度，其中 < Tf < TmSTcpi<Tcp2 < Tc2 < τ 及

Hcl(T) < He 時 Ta < τ <

Hc2(T) < He 時 Ta < τ < Tm Hc3(T)>He 時 T < Tw 由於改進之磁性光學效應本發明之磁性光學儲存媒體之 特性局高k麵波。#出層之磁特性在讀出點劇烈改變 ’及在由超磁解析方法讀出期間，在不同之磁構型間產生 適當限定之轉移。 本發明之磁性光學儲存媒體之較佳實施例之特徵爲，其 包括一第四磁層堆疊在第三磁層上，及有一溫度相關矯頑 磁力Hc4(T)，補償溫度Tcp4，居里溫度Tc4，及寫入溫度ΤΊ ，Th，其中

Ta ^ Tf < Tm^Tcp|<Tcp2 ^ TC2 < Tr < Tel < Tcp3^TCp4 < Tc3 < T, < Tc4STh 及 HC4(T) < He 時 Ta < T < Tm 及 TSTh 本發明之此一儲存媒體之實施例適於以LIMD0W(雷射 強度調變直接修改）之方法寫人，其中I雷射束決定最=磁 化方向。新資料在-通過時直接寫入舊資料上’而不需在 個別寫入週期擦拭舊資料。因此可減少寫入週期。磁’&光 -6 - 大纸張尺度家標準(CNSM4現格(210 X 297公釐） — Ι1ΙΪΙΙΙ --------------- (請先閱讀背面之注意^-¾ 填寫本1) 436760 A7 B? 五、發明說明（4 外 學驅動機在二實施例中均可有一簡單結構，因僅驚 場供窝入及讀出之用。 本發明將以四圖式及二實施例予以詳述。 '邀輯 圖1爲本發明一磁性光學儲存媒體實跑例2讀取” 信號期間之構型， 圖2爲讀取”邏輯0"信號時之構型， 鱿時 圖3爲磁性光學儲存媒體之實施例2寫入，，邏輯〗 之構型， 圖4爲寫入”邏輯〇”信號之構型。 本發明之磁性光學儲存媒體之第一實施例包括—基板及 二磁層，安排成一個在另一之上。其尚包括一或多個非磁 層供改正保護’耦合光之反射及熱擴散。 第磁層稱爲磧取層1 ’弟二磁層稱爲中間層2，第― 磁層爲記憶體層3。 — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 讀取層配置在透明基板上，俾其面對雷射讀取頭。在讀 取t瞬間，即在讀取點之中央區之溫度爲，及在磁場札 之驅動磁鐵之影響圍内，其攜帶自記憶體層讀取之資訊於 雷射束涵蓋之小型子區中。在此子區之外，但仍然在驅動 磁鐵影向區内，讀取層在外磁場之方向被均勻磁化，產生 一永久時間常數信號。因此，其不攜帶信號資料=在驅動 磁鐵影響區之外’其含與記憶體層相同之信號資料。 在凟取瞬間，即在讀取點之中心區及驅動磁鐵之影響 區二中間層自記憶體層轉移信號資料至讀取層。記憶體層 與咕取屬間之磁耦合在讀取點前及後區被中斷。 JS)A4 規格（210 X 297 公爱） 436760 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（5 ) 記憶體層爲儲存信號資料之一層。在讀取作業期間，在 其它層改變與溫度及外磁場相關之磁化性質時，其可儲存 資訊。 其次’本發明磁性光學儲存姑體之第二實施例包括一基 板及四個磁層，其安排成一個在另一個之上。除讀取層， 中間層及記憶層外，此實施例尚含一參考層4。 參考層在以LIMDOW方法寫入時，有一功能。其有一高 補償點及高居里點。在以LIMDOW方法寫入時，理想之磁 化以高溫加在參考層上，以此高溫’其他三層被中和；其 在較低溫度將此磁化傳下，而與外磁場無關。 磁層由磁性光學材料組成，其具有早抽各向異性，有 一較佳磁方向與層表面垂直延伸，及溫度有關之矯頑磁力 Hc及飽和磁化Ms，並能次分爲磁域。 較佳之磁性光學材料爲稀土金屬（RE ·· Gd，丁b，Dy) 之非晶合金及轉換金屬（TM : Fe，Co)，例如，GdCo， GdFe，TbFe，GdTbFe或GdTbFeCo。爲額外之居里溫度 調整’額外之Si可加入RE/TM合金。此等RE/TM合金爲 磁性亞鐵。其磁特性可稱爲RE及TM成份磁炬之向量增加 ，彼此反平行耦合。合金之淨磁化係由RE與TM成份之和 所產生。 RE及TM之磁矩之降低係以溫度爲函數是不同的，此乃 爲何淨磁化之符號可能因溫度而改變。在較低溫度，RE 成份磁化較TM成份在較高溫度之磁化更爲重有^有—特 性溫度，即所謂補償溫度Tcp，在此溫度時淨磁化量爲零 ----------I---裝----- I--訂----- --線 f請先閱讀背面之注意事項ΐ填寫本頁) 4367Sg A7 五、發明說明（6 -IIIIIIIIII1I — - 11 (請先閱讀背面之注音爹卢填寫本頁) ，因爲在此溫度時，其等於Mre = _M頂。上述補償溫度中 ，淨磁化之符號改變直到居里溫度Te，二成份之磁矩之方 向消失，此乃由於熱動作而引起，淨磁化再度降低爲零。 在補償溫度時，矯頭磁力比趨向接近無限大，此乃由於外 加磁場不能與任何外部有效磁化相互作用之故。另一方面 ，在低於居里溫度之下，—弱磁場亦足夠將磁化反轉。因 此，亞鐵磁RE/ΤΜ合金有一高矯頑磁力於補償溫度之附近 ，及低矯頑磁力於居里溫度附近。一磁性光學信號亦在補 償點產生，因爲柯爾效應或法拉第效應未由材料之淨磁化 所產生’但僅由典型雷射波長時之ΤΜ成份所產生。 但在本發明之各層中，不僅—層中之RE及ΤΜ成份間有 核&存在，並存在於二層之間，及在一側之RE成份與另 一側之ΤΜ成份之間。層間之耦合被稱爲磁交換耦合。 -線· 當二層均被一固定溫度時之同一成份所支配時，二成份 之磁矩及一淨磁化Ms將在基本狀態下成平行導向。各層 稱爲平行耦合。如一層被某一溫度之R£成份所磁支配， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另一層由TE成份所支配時，在基本狀態中，二成份之磁矩 均爲平行導向’但二層之淨磁化Ms則彼此反平行，此等 層稱爲”反平行耦合’％當二層之平行淨磁化加在反平行柄 合層時，二成份之磁矩將彼此相反。結果，儘管有平行淨 磁化’在二層之間形成一水平介面壁（水平布洛赫壁），RE 及TM磁矩在該介面壁中180度旋轉。此介面壁包含一額 外能量分布，其被稱爲耦合能量或介面壁能量，其中， Hw = ow/2Mst，其中之Hw，Μ及t爲與壁能量對應之場強 -9 - 本紙張疋度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 436760 經-部智慧財產局員工消費合作钍印製 A7 ________B7_____ 五、發明說明（7 ) 度，飽和磁化及層厚度^ 在RE/TM層之補償點附近，該層實際上不受磁場之影響 。但如一水平介面壁存在於此RE/TM層及第二RE/ΤΜ層 之間，一層之磁化亦可在其補彳貧點附近反應轉，如介面之 消滅所釋放之能量在磁化反向期間夠大時，可對外磁場相 反0 本發明之磁性光學儲存媒體之磁層可用自rE/tm目標之 RF潑濺而沉積在基板上。磁層之補償溫度及居里溫度可由 改變層中RE及TM相對量而予以調整。耦合能量可被層之 成份，保護氣體之部份壓力，在潑濺處理期間施加磁場及 改變等離子程序之參數等受到影響。 各層亦可由熔融快速冷卻或基本成份之同時蒸氣化形成。 基板可含光透明介電材料，如玻璃’壓克力破璃或综合 材料如聚碳酸酯或其他聚合料。爲增加光學特性及防止腐 姓’磁性光學儲存媒體可包括介質材料之更多層，例如Si3N4 ’ AIN ’ SiO ’ SiOx ’ 2nS或MgF2。儲存媒體亦可含反射 層以反射雷射光及消耗熱。 實施例1 磁性光學儲存媒體之第—實施例包括透明基板面對雷射 ’其上備有三磁層’即讀取層1，中間層2及記憶體層3。 三層之補償及居里溫度如下式：

Ta < Tf < Tm<Tcp,<Tcp2 < xc2 < Tr < Tcl < Tcp3 < Tc3<Tw 及

Hcl(T)< ^^時 Ta < T < T„ -10 - m ιι! m s 家鮮（cnsw4 祕~~ 一 I n ί I i ^ t— ϊ I 1 I* I · > f I I I ϋ I ^eJ« n at ·1 If ·1 1· I 2靖先閱讀背^<;i意事項两填寫本頁) 436760 A7 B7 五、發明說明（β ) --------------裝— (請先聞讀背面之注意事JB填寫本頁) hc2(t)< 只6時 Ta < T < Tm hc3(t)>hc 時 T < Tw 在此磁性光學儲存媒體上寫入可用通常使用之磁性光學 儲存媒體之方法爲之。例如一雷射將一區，即儲存媒體之 一域加熱至Tw »由於各層之墙頑磁力在其居里溫度降低， 加熱區之磁化可由一小磁場加以反轉。當第一次寫入期間 ’存在之資訊由均勻之磁化在與磁層平面垂直與磁場平行 之方向被擦掉。在第二寫入通過期間，磁場之方向反轉。 磁性光學之局部區由雷射脈衝加熱，其磁化之方向改變爲 與第一磁化方向之反平行之方向。儲存媒體於是含二進位 資訊。 線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 儲存在本發明之磁性光學儲存媒體之資訊由MSR方法 讀取，該法係在讀取期間利用雷射施以中度加熱，在讀取 點之中心有一窗之前屏蔽及後屏蔽在中間層形成。在前後 屏蔽區’讀取層之方向均勻的與外磁場平行。讀取機構利 用同一磁場He與寫入機構相同。：MSR讀取方向利用由雷 射束在儲存媒體中產生，及讀取頭與儲存媒體相對運動之 結果，及媒體之熱傳導率等之溫度分布e二機構之合作產 生讀取點之一摘圓溫度分布’該分布在輸送方向觀之，在 讀取點之後側，與讀取點相關，有—非中心溫度最大値。 讀取點在其前面有一低溫度T f ’在中心區有一中間温度， τπι，及其後部之溫度Tr。 在讀取信號”邏輯0"期間，該期間各層之磁化方向與外磁 場平行’三磁層之磁化狀態不改變，直到以"邏輯〇 ”之寫入 -11 - 本紙張尺度適甲t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 436760 A7 B7

| k 冬 頁 I I I I 請 先 閱讀 背 面 之 注意事. J5 線 4 3 6760 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*1^ A7 B7 玉、發明說明（1〇 ) 行。層3爲實際記憶體層，仍保留其磁化方向爲與Η成反 平行*因爲其在室溫時有極高矯頑磁力。結果，在此層與 相鄰之層2間形成一水平介面壁。爲使層3保留其磁化方 向’矯頑磁力能量Ec；i必須大於壁能量〇^，3加上外磁場中 之塞曼能量。 因Ta<T<Tm，因此下式成立：

Ec3 > 2HeMs3t3 + aw2,3 下式亦成立：

Ec] + Ec2 + ow2；3 < 2HeMslti + 2HeMs2t2 在溫度範圍Ta< T < ，讀取層及中間層，其方向 爲與外磁場平行，將記憶體層之資訊孱蔽。 在層1及層2之補償溫度附近，橋頑磁力向無限大增加 ，外磁場不能影響此等層之淨磁化之方向《但如圖1所示 ，層1及層2之磁化可由與相鄰記憶體層3交換耦合而予 以反向，其所需之能量可自已被消滅之介面壁導出。層2 之單獨磁化反向而維持層1之磁化方向，及配合層1及層2 間之介面壁之形成，需要較層1及層2同時磁化反向所需 之能量爲多。因此，層1及層2之淨磁化將被導向與外磁 場反平行。 因Tm；STep2 ’下式成立：

Eel + Ec2 < 〇w2,3 < CT'vl，2 在層1及2之補償溫度時，層1，2及3之RE及TM成 -13- 本紙張尺度適用1ί7國國家標準（CNS)A4規格⑵0x297公愛） --------------裳----1---—訂---------線 ί請先閱讀背面之注辛苯爲蜞寫本頁) 43 676 0 經I財產局員工消費合2印以 本 A7 五、發明說明（μ ) 份之磁化因而被導向平行。4 度範圍載有資訊，•邏輯丨”1 丁，。崤取層因此在讀取點之中間溫 其居里溫度Te2。 '自層2之補償溫度Tcp2延伸至 在雷射之熱區，層2之居 不變。RE及TM成份之方。:度超過，但層1之磁化方向 平行構成後屏蔽。讀取:向二保持相同。與外磁場之磁化 式成立： 义‘，'、區中之後屏蔽之面積言，下 STm<T<Tr:

Eci + < 2HeMslt, 因Tc2 < 丁 < Tf，下式成立：

Ec] < 2HeMs11j 在進一步作業中’磁域龅門今扮、 Η η Λ 飞離開靖取點之熱區及再廑Α彻， 層2於是被導向與外磁 夂再度冷卻 低至声1及於 田近一步冷邻期間，溫度降 -曰及補仏,點以下，而不在外磁場之 層丨及2之淨磁化之方向之 牵圍争， 〜π ώ 门《付號相反。結果，在層】及2之 補心皿度以下，再度達到原始狀態，其中，所有各層之方 向均爲與外磁場成反平行。 實施例2 本發明之磁性光學存儲媒體之第二實施例包括一基板 四㈣層安排成一個在另—個之上’及一或多個非竣層。’ 除謂取層，中間屢及記憶體屬之外，儲存媒體之實施例包 括-參考層4。磁性工學儲存媒體之實施例可以 -14-

436760 A7 B? .'iR 4 Μ I" 智 產 Mj 消 f 合 五、發明說明（12 ) 方法寫入。符合LIMDOW方法之寫入可使在驅動磁鐵之外 磁場中之一次通過不會使磁場反向。由雷射光點產生之聚 焦點之溫度輪廓在寫入期間亦被利用。雷射功率加以調整 ，俾理想之磁構型（對應一寫入步驟）每次僅在最熱區發生。 以符合LIMDOW方法之寫入作業，所有層之淨磁化，記 憶層外，在室溫之下，均爲He之方向，因爲，各層之矯頑 磁力較驅動磁鐵之磁場He在此溫度時爲小。 在Ta時下式成立：

Hci, Hc2; Hc4 < He < Hc3 爲寫入邏輯〇 ’ 一較弱雷射脈衝將層I」加熱超過居里 點，及將層4加熱超過其補償點至溫度T|(見圖4)。層4之 磁化未被外磁場反向。 乃時，下式成立： 2HeMs4t4 < Ec4 因此’將看4加熱超過其補償點表示層4之淨磁化，被 導向與外磁場成反平行。在冷卻時，首先達到^ 3之居里 溫度：結果，外磁場He導引層3爲其方向，因而造成層3 及4之RE及TM成份之反平行方向。此代表具有壁能量 σ、ν.3·4之水平介面壁已在兩層之間形成。在此溫度時，先決 條件爲： 因Td時，下式成立： σ.3,4 < 2HeMs3t3 — — — — — — — — — — — I* - I I I I I ! * — — — 11111 - . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) S'； -15- (CNS)/V!規格⑵〇 X挪公髮 經濟郃智慧財產局員工消費合作祍印製 43676〇 五、發明說明（13 ) 在進一步冷卻期間，層3及4之補償溫度同時到達，水平 壁I消滅造成層3與層4之方向平行，層4在其補償溫度以 下時被導向再度與外磁場平行。 因Tcp3 < Tcp4 ’下式成立： < Gw3 4 < Ec4 ，在進一步冷卻期間，層丨之溫度降低至居里溫度以下。因 爲在居里點之附近，其矯頑磁力很小，層丨之淨磁化被導向 與外磁場He平行。 在丁。1時，下式成立：

Hc, < He 當層2之溫度降低至居里點以下時，其淨磁化亦被導向與 外磁場平行或與層1及3平行。 因爲層1及2之溫度範圍受TM成份之磁影響，層3及4 則受RE成份之磁影響，層2之RE及TM成份之磁矩被導向 與相鄰層1平行，與層3成反平行。因此，在層2及3之間 之水平介面壁含有對應量之壁能量。 時，下式成立： σ、ν2,3 < 2HeMs2t2 + σνν1.2 進一步冷卻時，層〗及2之溫度降至其補償點以下。與層 3内疋·父換耦合於是將層1，2間之磁化反向，並消滅層2 ’ 3間之水平介面。 -16 - 本丐甲0國家標準（CNS〉Ai丨規格（2川 * 297公坌 — 1 — — — I I I f I I ί ^ "Ι1ΙΙΙΙΙ· (請先閱讀背面之注意事項声填寫本 43^760 經濟郜智慧財產局員工消費合作社印装 A7 B7_________ >、發明說明（14 ) TCP| S Tep2時，下式成立： EC1 十 Ec2 < 〇w2'3 進步冷卻至罜溫時，各層之磁化不再變化。因此 較弱之雷射脈衝方式寫入可使各磁層之磁化狀態將與外: 場平行。此與"邏輯〇，，對應。 爲寫入"邏輯1"，各層以強雷射脈衝加熱過其居點，即至

Th(圖3)。冷卻期間，第四層之溫度降至居里點以下。第四 層於是接收外磁場之磁化方向。 溫度僅低於丁 c 4時，下式成立：

Ec4 < 2HeMS4t4 隨後，層3溫度降至其居里點以下，層3採取與外磁場平 行之磁化方向。在層3及4之間未形成介面壁，因爲，RE 及TM成份之磁矩爲平行。 在進一步冷卻中，層3及4到達其補償溫度。其淨磁化方 向在其溫度降至補償溫度以下時，與外磁場之反平行方向 反向’二成份之磁化方向不變。因爲此層接近補償點之矯 頑力甚高’外磁場無法反轉附近之層3及4之磁化方向。 丁 <Tcp3<TcP4時，下式爲眞： 2HeMs3t3 < E c3 + ^w3,4 2HeMs4t4 ^ EC4 + σνν3ι4 2HeMs3t3 + 2HeMs4t4 < Ec3 + Ec4 進一步冷卻時，層1之居里點再度到達，在He方向之淨 -17- 本紙&屮*舀國家樣準（CNS)A4蜆格（2扣X 297公藶） — 丨 I1IIII1I — 丨-· I! I 1 I I 訂·ί 丨 ίί -線 {靖先閱讀背面之注意事項#填寫本Ιί A7 B7 43678 五、發明說明（15 ) 磁化增加，因爲接近居里點之矯頑力較小。 T c 1時，下式爲眞：

Hc, < He 隨後，層2之居里點到達，此層之方向爲外磁場之方向。 此層與層3間無水平介面壁行成，因爲二層之RE及TM成 份之磁化被導向平行。 進一步冷卻期間，層1及2之溫度降至其補償點以下， 其淨磁化方向反轉’與層3及4平行，但與外磁場爲 行。 、’、' 因爲在補償點附近，其矯頑力爲無窮大，外磁P ^ 將此等層之淨磁化反轉。 野He播法 丁 S TCp2 $ Tcpl時，下式爲眞： 2HeMS|t] < Ecl + σνν)ι2 2HeMs2t2 < Ec2 + 〇vvI 2 + aw2,3 + 2HeMs2t2 < EC1 + EC2 + σ\ν2,3 最後，所有層在以強度脈衝寫入期間，其方向與外磁場 成反平行。此點與”邏輯1"對應。 本發明之磁性光學儲存媒體之第二實施例亦哥m

J可用MSR 方法讀取。此讀取作業與第一實施例之1f取作I4 采相同方式 發生。額外層並不影響讀取作業。因爲，與記憶體相似 其有一補憤溫度及居里溫度，其遠超過讀取溫疳 ^ 哎，其磁特 性在讀取作業期間不改變因爲參可層在室文時， 有—低矯 -18- 本泛张Ήρ P3 0家標準（CNS)AJ規格（21ϋ X 297公S > -------------裝---------訂---------線 一 * (請先閱讀背面之注意事項f%寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印裂 43676 0 A7 _；_B7_ 五、發明說明（16 ) 頑磁力，當讀取期間，其進入磁場時，其與外磁場之方向 相同。 在溫度範圍Ta< T< Tm時，下式爲眞：

Ec3 > 2HeMs3t3 + CTW2,3 + σνν3,4 及

Eci + EC2 + 〇'w2,? + EC4 + aW3,4 < 2HeMsiti + 2HeMs2t2 + 2HeMS4i4 ° I I limit— — ^ i I I ---I till--I I--^ (請先閱讀背面之注意事項椒寫本頁> 經濟部智慧財產局員H消費合作社印製 本紙張尺变適吊中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 67 6 0 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1. 一種磁性光學儲存啤體/^共％高於室溫T a义寫入溫度T W '.f 或二寫入溫度Th及Τι重復寫入資訊，並以高於室溫Ta 之溫度Tra，及在溫度Tf時之前屏蔽及在溫度Tr時之後 屏蔽在一外加磁場He中重復讀取，該媒體包括一基板， 一配置在基板上之第一磁層，及有一與溫度相關之矯頑 磁力Hcl(T)，一補償溫度Tcpl，及居里溫度Tcl，一配置 在第一磁層上之第二磁層及有一溫度相關之矯頑磁力 hc2(t)，補償溫度Tcp2，及居里溫度Tc2 ’及配置在第二 磁層之上第三磁層，有一溫度相關之矯頑磁力Hep3(T)， 補償溫度TCP3，其中；Ta < Tf < Tm<Tcpl<Tcp2 < Tc2 < Tr < Tcl < Tcp3 < Tc3<Tw 且Hcl(T)< He 時 Ta < T < Tm Hc2(T)< Hc 時 Ta < T < Tm Hc3(T)>He 時 T < Tw， 2. 如申請專利範圍第1項之磁性光學儲存媒體， 其特徵在於， 其包括第四磁層，堆疊在第三磁層上，其有一溫度相 關之嬌頑磁力Hc4(T)，一補償溫度Tcp4，一居里溫度Tc4 ，及寫入溫度L及Th，其中Ta < Tf < Tm<TcpI<Tcp2 < Tc2 < Tr < Tc] < Tcp3<TcP4 < Tc3 < Ti < Tc4<Th 及因爲 TaCTCT^ 且因爲 TSTh，Hc4(T)< He。 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐) -----^---訂--------- (請先閱讀背面之^'意事，項a 寫本頁>