JPS6035503A - 小さい安定な磁区を作る熱磁気記録材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の背景］ この発明は情報貯蔵装置、更に具体的に云えば、情報の
熱磁気記録（ｔｈｅｒｍｏ−Ｉｇａｇｎｃｔｉｃ　ｒｅ
ｃｏｒｄｉｎｇ　）の為の小さい安定な磁区を支える新
規な材料に関する。

データの各ビットを磁気１１！質に磁気的に記録するこ
とによって、情報を貯蔵することが知られている。情報
の貯′Ｒ密度を最高にづる為、各々の磁区の面積は出来
るだＣノ小さくリベきぐある。従来、数マイクロメータ
程度の直径を持つ磁区を支える為に、保磁力の大きい材
料を使うことが知られている。こういう材料は）（トス
バッタリングの様なｈ法によって沈積りるのが典型的ぐ
あり、この時、約６０ボルト乃至約２００ポル１−の範
囲内のＲトバイアスを使う。

熱磁気記録用の比較的小さくて安定なＶａ区を支える材
料を提供づることか望ましい。

［発明の詳細な説明］ この発明では、熱磁気記録用の磁気材料から成る薄膜層
を提供する。磁気１４料は、少なくとし１種類の希土類
元素及び少なくとも１種類の遷移金属元素の合金か、又
はマンガン・ビスマス（ＭｎＢ１〉、マンガン・アルミ
ニウム・ゲルマニウム（ＭＩ　Ａｔ　Ｇｅ　）　、ｖン
ガン銅ビスマス（ＭｎＣｕＢｉ）又は白金コバル１−（
ＰｔＣｏ）の内の１つである。この磁気記録材料は異方
性を持つと共に磁壁エネルギが比較的小さく、保磁力が
太きい。

好ましい実施例では、ガドリニウム・コバルト（Ｇｄ　
Ｃｏ　”）　、ガドリニウム・テルビウム・コバルト（
Ｇｄ　ｌｂ　Ｃｏ　）　、ガドリニウム・テルビウム鉄
（Ｇｄ　Ｔｂ　Ｆｆ！　＞　、テルビウム鉄（ＴｂＦｅ
）、ジスプロシウム鉄（ＤｙＦｅ）及びガドリニウム鉄
イツトリウム（Ｇｄ　Ｆｅ　Ｙ）４４料の様な希土類／
遷移金属合金が、無定形（ａｍｏｒｐｂｏｕｓ　）合金
の薄膜として形成される。この簿膜はＲトスバッタリン
グによって沈積される。約６０ポル：〜より低いか或い
は約２００ボルトより高いＲＦバイアスを使うことによ
り中位のバイアス条件の下Ｃ作成された材料にりも一層
小さい磁区を支える様な磁気記録材料の合金を得る。

従って、この発明の目的は、熱磁気記録用の新規無定形
合金を提供りることである。

この発明の上記並びにその他の目的は、以下図面につい
て詳しく説明づる所から明らかになろう。

［発明の詳細な説明］ 情報の記録は、磁気記録材料の薄膜層の温度を１４部的
に高めＣ１この加熱された区域の磁化の方向を局部的な
磁界の方向に応答して変えることによって達成し得る。

この発明では、反強磁性結合の磁化を持つ少なくとも２
つの部分格子を成る補償温度で反対向さで等しくなる様
に作って、正味の磁化がゼロになる様にりることの出来
る１群の無定形合金、具体的に云うと、少なくとも１種
類の遷移金属元素及び少なくとも１種類の希土類元素を
持つ無定形合金を見出した。こういう材料の保磁力は、
補値点で無限大に向う傾向を持つと共に、温度がこの補
償温度より高くなるにつれて、単調に減少づる。小さな
磁界の存在の下にこういう種類の無定形合金から成る材
料をその補償温度より十分高い温度まで加熱することに
より、加熱された領域の磁化は印加された磁界の方向を
とる様になる。加熱された領域が冷却した後、この発明
の材料の磁気的なパラメータは、安定であって、拡大し
たり、崩壊したりしない磁区が発生される様になってい
る。

一般的に薄膜磁気材料の保磁力が増加Ｊると、その材料
の磁区の安定性が改善されることが認識されている。然
し、数マイクロメータ程度の直径を持つ比較的小さな磁
区を安定化させるのに十分な保磁力がないことがよくあ
る。この為、材料の所望の磁区の容積か加熱されでいる
間は、所望の磁区を形成し得るが、材料が冷えた時、所
望の磁区がｌ］ｉｊ壊する傾向がある。記録層の材料が
安定化用バイアス磁界の存在の下に、磁気異方性、磁化
及び交換」−ネルギ定数の正しい値を持っていれば、保
磁力がゼロであるか或いはごく小さい材料でも、数マイ
クロメータ未満の直径を持つ安定な逆磁区を形成Ｊるこ
とが可能であることが知られている。

こういう月利は、被膜の厚さ、交換エネルギ定数、磁化
及び磁気ｗ方性の値に関係する様な特定の臨界的な直径
すなわち崩壊直径までの刈払を持つバブル磁区を支える
。こういう通磁１メは材料内に動的に形成ることが出来
るが、安定化用バイアス磁界を取去った時に崩壊づる。

この発明の熱磁気記録材料は、非常に小さな寸法を持つ
磁区を形成することが出来、この磁区はバイアス磁界が
なくても安定であり、人聞の情報を貯蔵することが出来
る。この熱磁気記録材料では、保磁力の高いことだ警プ
でなく、記録材料に形成された磁区の１６１壊直径が非
常に小さくなる様に、他の磁気的なパラメータを選択づ
ることか出来ることも望ましい。他の磁気的なパラメー
タを適当に選択づれば、保磁力に幾分小ざい値を用いて
も、依然として安定な磁区が１９られる。

磁区の平衡直径は次の式で決定されることが判っている
。

（−ｅ／ｌｉ）→−（＋−１／／！πＭ）　（ｄ／ｂ　
）　−Ｆ　（ｄ／ｈ　）＝Ｏ（１）こ）ｔ”＋１は被膜
の厚さ、１−１は被膜の平面に対して垂直に印加した磁
界、Ｍは材料の磁化、ｄはバブル（０区の直径、Ｆ　（
ｄ／ｂ　）は力関数（これをム１０した表は当業者に知
られている）及びＬは特性長であり、２は次の式で定銭
される。

Ｚ＝σｗ／（４πＭ２）＝＜０℃）／（πＭ２）＝Ｑ■
蜜／πＭ（２）こ）でσＷは単位面積あたりの磁壁エネ
ルギ、Ａは交換定数、Ｋｕは単軸異方性定数であり、Ｑ
＝Ｋ　ｕ　／　２πＭ２である。即ち、式（１）の第１
項（−ｅ／ｌ＋）は、（逆磁区を取囲む）磁壁に対して
、磁壁１ネル−１：によっ−Ｃ発生される単位面積あた
りの正規化しにツノである。この正規化した力は表面張
ツノの様に作用づる。一層大きな磁１スは磁壁が一腑大
きり、ｒ／１１壁１ネルギも一層大きい。従って、この
項は磁区を収縮さゼる１１縮力を表わづ。式％式％）磁 区の磁化と反平行に磁界１（を印加したことによって磁
壁にか）る単位面積あたりの正規化しにツノである。こ
の正規化した力はやはり磁区を収縮させる様に作用づる
圧縮力である。式（１）の第３Ｊ貞Ｆ　（ｄ／１１　）
は、材料の静磁減磁エネルギによる単位面積あたりの正
規化しＩ、：力であって、正の関数である。この単位面
積あたりの正規化した力は、磁区を拡大づる様に作用づ
る。これら３つの力が釣合う時、平衡が達成され、その
結果書られる磁区【よ安定である。

磁気材料の保磁力Ｈ６は熱磁気記録合金に所要の安定性
を持たせる様に作用する。これと対照的に、磁気バブル
の用途ぐは、磁区の安定性は印加された磁界ｌ］に応答
づるものＣなければならない。

保磁力１−１ｃは常に磁壁の運動に対抗づる様に作用り
る（そし“Ｃ臨界崩壊直径Ｊ、り小さい＼」法を１・５
つ小さな磁区では、崩壊を防止りる様に作用りる）から
、式（１）は次の様に、保持力の影響を含む様に修正づ
ることか出来る。

＜　９／ｈ　）→−（１−ｌ　Ｈｃ　）　（ｄ、／ｈ　
）　／　（４πＭ＞−Ｆ　（ｄ／旧　＝Ｏ（３）この発
明では、特性長に式（２〉を用い、前述の式〈３）を利
用して、次の様になることが判つ１こ。

Ｌｌｃ　Ｈ＝　（４（’ｆＦＫＱ　（４πＭ＞　（ｈ／
ｄ　）Ｆ　（ｄ／ハ　）　（４）このざ２明では、記録
材料の被膜のＶさ１１を熱磁気記録用としては、磁区の
直径ｄに較べて小さくする様に選んだ。従って Ｆ　（ｄ／１１）よｄ／ｂ　（５’） Ｈｃ　−Ｈ＝　（４羽／ｄ　）　（４πＭ）　（６）室
温近くで適切な保磁力を達成する為、この発明の熱磁気
記録材料は室とシ近くの補償点及び比較的小さい磁化Ｍ
を持っている。即ら Ｈｅ　−１−１＝４　Ｆり臥フ／ｄ　（７）印加磁界Ｈ
がゼロであれば ｄ＝　４　ａｉで／Ｈｃ　（８） 従って、この発明では、材料中の安定な磁区に出来るだ
け小さな直径を達成づる為には、保磁カド１ｃを大きく
ずべきであり、この材料の交換定数へ及び（ｉＱは出来
るだけ小さな値に減少しなＧ）ればならないことが判っ
た。実際には、交換定数Ａの値を減少りることは望まし
くない場合が多い。

これはこの減少は、キューり渇庶が低下り−ることを意
味してＬｉ２つ、一般的には、この結果前られる記録合
金被膜の温度利用範囲が制限されるからぐある。更に、
交換定数Ａの減少は、磁気光学係数の減少を伴うことが
ある。これによって磁気光学式の読出しの際の信号対雑
音比が低くなる。更に、極めて大きい値の保磁力を持つ
材料を使うことは望ましくない。これは保磁力が一層大
さい材料は、磁区の書込みの為に、例えばレーＩＦ・パ
ルス等から一層多くのエネルギを必要とりる為ぐある。

この発明の１面では、無定形合金の記録薄膜は、最小の
Ｑを持つ月利で形成され、適度の保磁力及び適度の交換
定数Ａを持つ材料を使うことが出来る様にする。材料が
垂直の磁化を持つ様にＪる為、Ｑは１より大きいか又は
それに等しくなりればならない。こ）で説明づる材料は
１≦Ｑ≦２′ｃある。

こういう熱磁気記録合金材料は、拡大した温度範囲にわ
たつＣ動作出来る様にしながらも、適切な磁気光学式の
信号対雑音比を持つ。

りｆましい幾つかの実施例では、薄膜記録層は、少なく
とも１種類の希土類元素と少なくとも１種類のｊ！！移
金属元索との無定形合金で形成される。

こういう材料は、好ましいと考えられるＲＦスパッタリ
ング法により、スパッタリング沈積の間、振幅で約６０
ボルト未満の非常に小さいＲＦバイアスか、或いは典型
的には約２００ボルトより高い非常に大きなＲＦバイア
スを用いて、被膜を沈積りることにより、小さい異方性
及び大きい保磁力をもつ様に作成される。ガドリニウム
・コバルト（Ｇｄ　Ｃｏ　）及びガドリニウム・テルビ
ウム・コバルｈ　（Ｇｄ　−１−ｂ　Ｃｏ　）の様な無
定形合金の被膜が好ましいと考えられ、ガドリニウム・
テルビウム鉄（Ｇｄ　ｌ’ｂ　Ｆｅ　）　、テルビウム
鉄（ＴｂＦｅ＞等の被膜も用途によっては役立つことが
考えられる。使われる遷移金属は■族金属のどれであっ
てもよく、記録材料のコストを下げる為に、第４周１１
Ｊのものが好ましい。第６周期の希土類元素も利用づる
ことが出来、６方晶描造を持つ元素が好ましい。

非常に小さい］（１：バイアス又は非フルに大きなＲ１
：バイアスを用いて沈積された、希土類／希土類金属元
素の無定形合金は、０．５乃至３マイクロメ一タ程度の
直径及び大きい保磁力（約５００乃至１５００エルステ
ツド）を持つ熱磁気貯蔵磁区を支える。

典型的な中位のバイアス条件（約６０ポル１−乃至約２
００ボルト）を用いて作成された被膜は、こういう小さ
い直径の磁区を支えないと思われる。と云うのは、非常
に小さな振幅又は非常に大ぎな振幅のバイアスによって
得られる小さな異方性が存在しないためであり、実際に
これはこの発明以前には認識され−Ｃいなかったと思わ
れる。

次に第１図について説明りると、薄いディスク基板１２
を沈積手段９の隔離手段９ａ内、例えば真空室の中に配
置することにより、記録ディスク１１が製造される。基
板１２は硝子、レラミツク、プラスチック等の様な非磁
性材料であつＣよい。基板１２は面１２ａの上に反射被
覆１２ｂどその後で重ねた二酸化シリコン等の保護材料
の薄層１２ｃとを持つ形式にづることが出来る。沈積手
段９は、ディスク基板の而１２ａの上に記録媒質の解雇
１４を沈積するのに適した従来公知の任意の形式のもの
であってよい。図では、例としＵＧｄ　ＣＯ記録媒質の
溜１４を沈積りる為に、ＲＦスパッタリング手段９Ｃを
用いている。必要に応じて別々にするか或いは混合した
ガドリニウムとコバルトの源を真空外被９ａの中に持込
み、関連したＲＦＦｅｂを付勢して、前述の大きさを持
つ無線周波数の電圧ＶＲＦをスパッタリング手段９Ｃに
加える。合金の成分の分子１４′が面１２ａ上に沈積さ
れる。手段９ｂ、９Ｃは、層１４が所要の厚さ１１、典
型的には１００乃至５０００人の厚さに沈積されるまひ
、作動覆る。約５００人の厚さ１１が好ましい。この後
、実質的に隔離手段９ａ内の真空を切らず（ご、手段９
ａ内にあって全体的な沈積手ｆ受９の一部分を形成りる
別の装置９ｄを用いて、磁気媒質の層の自由面＋４ａの
上に、厚ざｔの光学的に略透明な材料の層１６を設【）
る。例として、層１Ｇは二酸化シリコンであり、従来周
知のＲＦスパッタリングビーム１６′を用いた沈積り法
に」：す１０００人程度０重９ざに作られる。層１６の
厚さ【は、后１６の材料の屈折率に対して補正し−Ｃ１
情報を読取るのに使われる光ビーム〈後′Ｃ説明づる）
の波長の約１／４の伯に等しくなる様に選ぶのが右利で
ある。層１６が磁気記録層の面１４ａを保護し、上に述
べた厚さの条件を守れば、データの読出しをよくする様
に作用する（この読出しは後で説明する）。

記録層１４の面を層１６によっＣ不働態化した後、記録
ディスク１１を装首９から取出し、それに情報を記録す
る時まで保管することが出来る。

第２図はディスク１１に２進ｒＪ号の情報を記録りる方
法を示している。くこの方法は１９８３年５７］１１０
出願の米国特許出願通し番号用４９３，４９４号に詳し
く記載されている。）最初に磁界発生手段２０が、記録
層ＩＱの面１２ａに対して第１の磁界方向、例えば基板
１２から保Ｆ、！？？Ｉ！Ｉｔ’、１１１３へ上向きの
方向を持っていＣ１人ささＨｓを持つ飽和磁界をディス
クにか（）る。飽和磁界Ｈｓを取去ると、各々の磁区区
域ｌ４−Ｎに１でにＮ≦Ｘであり、Ｘは図示の実施例で
は少なくども１０である）（Ｊ、飽和磁界１−１３の方
向の残留磁気モーメントＭを持つ。ベクトルＭの方向が
第１の２進状態、例えば磁［Ｍ１４−１の２進状態を定
める。他方の２進状態は、特定の磁区１４−Ｎに反対り
向（］」Ｓに対しＣ反対方向）の磁化Ｍ′を設定づるこ
とによっＣ１；１られる。

成る磁区、例えば＋ｉｌｌメ１４−２の磁化Ｍ′は、こ
の磁区を記録層膜１４の材料、例えばＧｄ　Ｃｏの融点
より低い温度まぐ加熱づると共に、被膜にバイアス磁界
Ｈｂをかけることによって記録される。

バイアス磁界は同じ磁界発生手段２０によって発生づる
ことが出来る。バイアス磁界のベクトルは飽和磁界１−
１６の方向と反対向きであり、飽和磁界の大きさ１Ｈｓ
ｌより小さい大きさ１Ｈｂｌを持つＣいる。

成る磁区、例えば磁区１４−２を局部的に加熱づること
は、書込み源手段２５からの光エネルギをそこに集束す
ることによって行なわれる。手段２５が、パルス幅］−
を持つ電流パルス２８に応答して、パルス状光ビーム２
７ａを放出するレーザ・タイオード２７を含ｌυでいる
。放出されたビームが光学手段３０によつＣ集束される
。集束ビーム３２が透明な被膜１６を透過して、記録被
膜の面１２ａの内、所望の磁ｌメ、例えば、磁区１４−
２を限定りる区域に入ＱＪ＝Ｊる。入射エネルギが記録
被膜１２の内、所望の磁区にある部分を加熱Ｊる。被膜
１２の保磁力が加熱された場所に於りる正味の磁界より
下がる。レーデ・パルスの持続時間Ｔが終った後、記録
被膜が正味の磁界の存在の下に室温まで冷ＩＩされる。

正味の磁界は被膜の磁化の分布とバイアス磁界の合成ぐ
あるから、バイアス磁界の大きさＬｌ　ｂは所望の値、
例えば被膜の保磁力Ｈ６の人ぎさの約２イ８に設定Ｊる
ことが出来、冷却づる磁区は正味の磁界の方向の磁化Ｍ
′を持つ。

ＩＧ　ＩＸを記録りるのに、直径が約１ミクＵ１ンの各
々の磁区に約２０ナノ秒乃至約１マイク［１秒の持続時
間−］を持つ１個の光学記録パルスを加えて、約１／４
マイタロメータ平方乃至約２マイクロメータ平方の磁（
ス面積を加熱ｌることによって、約１００°Ｃ乃至約２
００℃の磁区温度に加熱した場合、（６化Ｍ′を持つ記
録された磁区は高い飽和１社界Ｈｓによって、消去する
ことが出来る。この磁界が磁区を消滅さける。磁区区域
を消去可能な磁区を作るのに必要な温度よりずっと高い
温度に加熱することにより、永久的な磁区を持つ消去不
能の記録が作られる。各々の磁区に於（］る永久記録温
度は約２００℃より高くなりればならないが、記録被膜
１４の融点より低くなければならない。同じレーザ・ビ
ームのエネルギ、例えば約５ミリワット乃至約１５ミリ
ワツトのエネルギＣは、前掲米国特許出願通し番号第４
９３，４９４号に記載されている様に、約２ミクロン乃
至約３ミクロンの直径ｄを持つ磁区に対し、約１０マイ
クロ秒の持続時間゛「を持つ１個のパルス〈又は１マイ
ク【」秒の一連の逐次的なパルス）を用いることが出来
る。

非永久的に配録され／、：　１４区区は個別に消去りる
ことも出来る。ビット磁区１４−２は、バイアス磁界１
−１ｂを逆転りると共に、時間１−の間光源２７をパル
ス駆動して、磁区区域を記録の時に使ったのと略同じ温
度に加熱することによって消去される。この時、ビット
１１区１４−２の正味の磁界はもとの飽和磁界Ｈｓと同
じ方向であるから、冷却した時のビットｖ１１１５＜内
の磁化はＭの方向である。バイアス磁界ト１ｂは飽和磁
界１−１８より十分低いから、この磁界Ｈｂを受【ノる
他のビット磁区は変化しない。

これは、それ等が光源２７によって加熱されないからで
ある。

記録の後、記録済みの磁気ディスク１１は貯蔵データの
読出しを希望する時まで保管づることが出来る。非永久
的に記録したディスクは、飽和磁界Ｈｓに近いかそれよ
り人きな大きさを持つ磁界のない環境内で物理的に保管
ηべきである。非永久的に記録したディスクは、飽和磁
界にょっＣ消去した後、非永久記録様式又は永久記録様
式の何れかで再び情報を記録することが出来ること、並
びにこの後の記録の永久性は、記録過程の間に磁区にか
ける温度に関係ツることを承知されたい。

記録済みのディスクは、各々の磁区１４−Ｎの磁化の方
向に応じ−（相り′シなる出力を発生する様な効果を利
用することによって読取られる。入射光を使っＣ１適当
な光学効果により、例えばディスクを透過する光に９Ｊ
ツるファラデー効果を利用づることにより、又はディス
クから透明層１６を介して反射された光にス・１するカ
ー効果を利用づることによって、貯蔵された情報を読取
ることが出来る。

前に述べた様に、層１６の材料の屈折率に対して補正し
た、１／４波長の厚さに沈積し！、：層１６を段重）る
ことによって、（カー効果を利用した）反則光によるデ
ィスクの読取りがよくなる。例として、カー効果読取装
置３４が、不規則な偏光ベクトル３８を持つ光ビーム３
６を放出する光源３５を含む。ビーム３６が平面偏光手
段４０に通され、その結果寄られるビームは単一偏光ベ
クトル４０ａを持つ。平面偏光ビーム４２がディスク１
１に八則し、実質的に透明なその保護層１６を通過する
。入射ビーム４２が＠膜記録層の面１２ａで反射され、
層１６を通過しＣ１反則ビーム４４として光解析手段４
６に送られる。手段４６は、入用ビームの偏光Ｉ。に対
りる反射ビーム４４の偏光の回転に応じて、２つの２進
状態の内の一ノｊの出力電圧Ｖｏを介生りる。カー効果
により、（被膜の反射領域が磁化されていなりれば、相
補的な平面偏光ｒ。のベクトルを持つはずの）偏光ベク
トルの反射面は、磁化Ｍを持つ磁化された磁区の面から
反射された場合には、第１の方向に回転した平面偏光ｒ
ｃベクトル４９を持ち、反対向きの磁化Ｍ′を持つ磁化
された磁区の面から反射された場合には、反対向きに回
転した平面偏光ｒｒベクトル５０を持つ。磁化Ｍ及びＭ
′が反対向きで略同じ大きさである場合、ベクトル４９
．５０の回転の度合は略反対向きで略同じである。

図示の様に、ディスクが矢印△の向きに移動づる時、照
会ビーム４２が時刻ｔ。に、磁化Ｍを持つ磁区１４−３
の面から反射される。反射ビーム４４は回転した偏光１
゛ｃのベクトル４９を持ら、解析手段はそれを受取ると
論理１出力を光生りる。大々磁化Ｍ、Ｍ’及びＭ′を持
つ前に照会された磁区１４−４乃至１４−６は、時刻　
（０の直前の時シリτに、２進１．０及び０のデータ・
ビットとして胱取られＣいる。同様に、ディスクが引続
いて回転づると、ビーム４２が磁区１４−７を照会し、
その磁化Ｍ′にＪ：す、反射ビームには偏光の回転ｒｌ
−が加えられ、この為解析手段４６が２進Ｏ出力を発生
する。同じく、照会ビームがこの後…区１４−８乃至１
４−１０の位置に来ると、時刻ｔ。より後の逐次的な時
刻τに、反射ビーム４４は人々の偏光の回転ｌ＼りｈル
ｒｃｑ　ｒ、及びｒｅを持ち、解析手段の出力電圧Ｖ。

はそれに応じて夫々２進１．０及び１の状態になる。

現在好ましいと考えられる実施例を詳しく説明したが、
当業者にはいろいろな変更が考えられよう。従って、こ
の発明はこ）に実施例によって例示した細部及び計装に
よって制約されるのではなく、特許請求の範囲の記載に
よって限定されることを承知されたい。

【図面の簡単な説明】

第１図は熱磁気記録ディスクにこの発明の考えに従つ−
Ｃ無定形合金を沈積づる装置の略図、第２図は磁気記録
ディスクの一部分の側面図であって、情報をディスクに
書込み、ディスクから読取る様子を示し、この発明の詳
細な説明Ｊるための図である。 （主な符号の説明） １２：基板、 １４：２録媒質の層、 １６：透明な材料の層、 ２０：１４［発生手段、 ２５：書込み漁手段、 ３４：）ｊ−効果読取装置。 昭和　年　月　日 特許庁長官　志　賀　学　殿 １、事件の表示 昭和５９年特許願第０８３０５６号 ２、発明の名称 小さい安定な磁区を作る熱磁気記録材料３、補正をづる
者 事件との関係　特許出願人 住　所　アメリカ合衆国、１２３０５、ニューヨーク州
、スケネクタデイ、リバーロード、１番 名　称　ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ代表者
　４ノムンン・ヘルツボッ１〜 ４、代理人 住　所　１０７東京都温区赤坂１−１１」１４番１４号
第３５興和ビル　４１１Ｉ！ｉ 日本ゼネラル・エレクトリック株式合着・極東特許部内
電話（ｂ８８）５２００−５２０７

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）面を持つ基板と、該基板の面上に沈積されていて、
   マンガン・ビスマス、マンガン銅ビスマス、マンガン・
   アルミニウム・ゲルマニウム、白金コバルト、並びに少
   なくとも１ＦＮ！類の希土類元素と少なくとも１種類の
   遷移金属元素の無定形合金の内の１つから成る薄膜記録
   層とを有フる熱磁気情報記録１１を拐。 ２、特許請求の範囲１）に記載し１．ｌ：熱磁気情報記
   録部材に於て、前記基板がディスクである熱磁気情報記
   録部ｌ０ ３）特も１請求の範１１１１１）に記載した熱磁気情報
   記録部材に於て、前記少なくとも１種類の希土類元素及
   び少なくとも１＠類の遷移金属元糸が、それらから得ら
   れる合金の単位面積あたりの磁壁エネルギの値を最小に
   り−る様に選ばれている熱磁気情報記録部材。 ４）特許請求の範囲３）に記載した熱磁気情報記録部材
   に於て、得られる合金の補償温度が室温に近い熱磁気情
   報記録部材。 ５）特許請求の範囲１）に記載した熱磁気情報記録部材
   に於Ｃ，前記少なくとも１種類の遷移金属元素が鉄及び
   コバルｌ−から成る群から選ばれる熱磁気情報記録部材
   。 ６）特許請求の範囲１）に記載した熱磁気情報記録部材
   に於又、前記少なくとも１種類の希土類元素がガドリニ
   ウム、ジスプロシウム及びテルビウムから成る群から選
   ばれる熱樋１気情報記録部材。 ７）特許請求の範囲６）に記載しＩＣ熱磁気情報記録部
   材に於Ｃ１前記少なくとも１種類の遷移金属元素が鉄及
   び］コバルトから成る群から選ばれる熱磁気情報記録部
   材。 ８）特許請求の範囲７）に記載した熱磁気情報記録部材
   に於て、前記記録層がガドリニウム・コバル１〜無定形
   台金で作られる熱磁気情報記録部材。 ９）特許請求の範囲７）に記載した熱磁気情報記録部材
   に於て、前記記録層がガドリニウム・テルビラム・コバ
   ルト無定形合金ぐ作られる熱磁気情報記録部材。 １０）特許請求の範囲７）に記載した熱磁気情報記録部
   材に於て、前記記録層がテルビウム鉄無定形合金で作ら
   れる熱磁気情報記録？１ｉｌｌ材。 １１）特許請求の範囲７）に記載した熱磁気情報記録部
   材に於て、前記記録層がガドリニウム・テルビウム鉄無
   定形合金で作られる熱磁気情報記録部材。 １２、特許請求の範囲１）に記載した熱磁気情報記録部
   材に於て、前記薄膜記録層が、該層によって支えられる
   記録層１７．の直径より小さい厚さを持つ熱磁気情報記
   録部材。 １３）特許請求の範ｔｉｌｌ　１２　）に記載した熱磁
   気情報記録部材に於て、前記記録層の厚さが約１００人
   乃至約５０００人である熱磁気情報記録部材。 １４）特許請求の範囲１３）に記載した熱磁気情報記録
   部材に於゛Ｃ１前記記録順の厚さが約５００人である熱
   磁気情報記録部材。 １５）特許請求の範囲１）に記載した熱磁気情報記録部
   材に於て、前記記録層の内、前記基板から一番遠い面の
   上に、透明材料の被膜が作られ−Ｃいる熱磁気情報記録
   部材。 １６）特許請求の範１ｆｌ＋　１５　＞に記載した熱磁
   気情報記録部材に於て、前記透明な被膜が１０００人程
   度０厚さを持っている熱磁気情報記録部材。 １７　）　１１ｉｉ’Ｆ品求”　ＲＩＩＪＩ　ｌ　ｂ　
   ＞　ニ記ｔ　Ｌ　タ情！１　記録部祠に於て１前記基板
   の面の上に作られた反射材料の層と、該反則層の上に作
   られた透明材料の別の被膜とを有し、前記反射層及び前
   記別の透明被膜が前記基板と前記記録層の間に挾まれて
   いる熱磁気情報記録部材。 １８）熱磁気記録部材を製造り−る方法に於て、面を持
   つ基板を用意し、少なくとも１種類の遷移金属元素と少
   なくとも１！！類の希土類元素を用意し、前記少なくと
   も１種類の希土類元素と前記少なくとも１種類の遷移金
   属元素の無定形合金の薄ＩＩＩ層を前記基板の面の上に
   所望のＰＪ４ざに沈積づる工程から成る方法。 １９）特許請求の範囲１８）に記載した方法に於て、前
   記無定形合金がＲＦスパッタリングによって沈積され、
   更に、スパッタリング中のＲＦ　）＼イアスが約６０ボ
   ルトより小さいか或いは約２００ボルトより高い値を持
   つ様に調節す゛る工程を含む方法。 ２、特許請求の範囲１９）に記載した方法に於て、前記
   無定形合金層の内の前記基板から一番遠い面の上に実質
   −的に透明な月別の保護層を作る］工程を含む方法。 ２、特許請求の範囲２０）に記載した方法に於て、前記
   保護層を作る工程が電子ビーム熱着によって実施され−
   る方法。 ２、特許請求の範囲２１）に記載した方法に於て、前記
   スパッタリング工程及び蒸着工程が、その間に媒質を円
   囲の雰囲気にさらさずに実施される方法。 ２３）熱磁気記録部材を製造する方法に於て、面を持つ
   基板を用意し、該基板の面の上に、マンガン・ビスマス
   、マンガン銅ビスマス、゛マンガン・アルミニウム・ゲ
   ルマニウム又は白金コバルトの内の１つから成る薄膜層
   をＲＦスパッタリングにｊ、って）尤槓し、スパッタリ
   ングの間、［ヨ１ニバスアスの大ぎさを約６０ポル１−
   未満又は約２００ポル１〜より高い値に調節する工程か
   ら成る方法。 ２、特許請求の範囲２３）に記載した方法に於て、前記
   無定形合金層の内の前記基板から一番遠い面の上に実質
   的に透明な材料の保股−を作る工程を含む方法。 ２、特許請求の範囲２４）に記載した方法に於て、前記
   保護層を作る工程が電子ビーム蒸着によって実施される
   方法。 ２、特許請求の範囲２５）に記載した方法に於て、前記
   スパッタリング工程及び蒸着する工程がイの囚にａ質を
   周囲の雰囲気にさらさずに実施される方法。 ２７）薄膜熱磁気記録層を形成りる材料であって、少な
   くとも１種類の希土類元素と少なくとも１ｇ！類の遷移
   金属元素の無定形合金で椛成８れる材料。 ２、特許請求の範囲２７）に記載した材料に於て、前記
   少なくとも１種類の遷移金属元素が鉄及びコバルトから
   成る群から選ばれる材料。 ２、特許請求の範囲２７）に記載した材料に於て、前記
   少なくとも１種類の希土類元素がガドリニウム、ジスプ
   ロシウム及びテルビウムから成る群から選ばれる材料。 ３０）特許請求の範囲２７）に記載した材料に於て、前
   記無定形合金が、ガドリニウム・コバルト、ガドリニウ
   ム・テルビウム・］パル］・、テルビウム鉄、ガドリニ
   ウム・テルビウム鉄、ジスプロシウム鉄及びガドリニウ
   ム鉄イッ１〜リウムの内の１つの合金である材料。