TW427031B - Semiconductor module - Google Patents

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（/ ) 搿明頜城 本發明係有關一種、來控制高電流的半導體模組，且 更特別的是有關一種v非絕緣式半導體模組其中可能附著 有一個用於保護内部電路的保護電铬。 相想I枝術說明 半導體模組不只廣泛地應用在處理控制信號而且廣泛 地應用在控制高電流。例如，於一個會驅動馬達K蓮轉 像電池-動力堆高機之類電動車輔的控制裝置內，是在 控制電路的最後階段利用一個具有高電氣容量的半専體 模組當作配置於電池與馬達之間的切換裝置。 有闞瑄種型式的半導體模組，已知有各種構造:一種構造 是藉由依並聯方式連接很多完全相同的動力半専體晶片 而得到一個極大的電流容量；一種構造是藉由利用數種 型式的半導體晶Η而形成一個簡單的電路；一種構造是 含有半専體晶片的驅動電路。 一種半導體模組，特別是一種動力半導體模組在正常 情形下是藉由將上述半導體晶Η放進一個樹脂封套内而 形成的。封套通常是塑膠製成的，且其内部的半専體晶 Η是藉由陶瓷等加以絕緣。封套內空出的空間則填充有 凝嘐或環氧樹脂，為的是防止半導體晶片及其周邊電路 被氧化。 由於有一個極高的電流會流進動力半導體模組，故所 產生能量的量額會變得極大。據此，必須考量其熱輻射 。作為一種用於輻射掉半導體模組之熱量的構造，經常 -3 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —丨訂---------線 427 0 ^ A7 B7 修止補充 五、發明說明（> ) 採用的方法是將半 以及極高輻射效應 此例中，是經由此 輻射掉。 第1圖係用Μ解 這裡是从H0SPET當 半導體模組1含 Η 2裝設於基底基 2的底部都是一個 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 體（金臑板） 汲極。具有 半導體楔組 將一個源 表面上。分 之間Μ及閘 δ將源極4 和閘極區域 此半導體 中並未顯示 外側Μ致吾 上所述的一 。如上述說 封套的底部 若將控制 。據此 此種結 〇 極4 Μ 別將各 搔5與 和閘極 上° 模組是 出來， 人能將 種基底 明，非 上，而 信號加 導體棋具装設於一個具有極大熱容量 (即具有極髙熱導性）的基底基板上。 基底基板將由半導體模姐產生的能量 釋半導體棋組之內部結構的透視圖。 作實例而加以顯示的。 有許多半導體晶片2。將許多半導體晶 板3的上表面上。每一個半導體晶片 汲極區域，而基礎基板3則是一個導 ,Μ基底基板3當作半専體模阻1的 構之半導體模組通常被稱爲非絕緣 1 '' —- 及一個閘極5配置於基底基板3的上 絕緣板7配置於源極4與基底基板3 基底基板3之間。分別藉由接合電線 5連接到每一個半等體晶片2的源極 包含於如上所述的封套内。雖然此圖 源極4和閘極5會從封套頂部突出到其 它們連接到各外部電路上。汲極是如 基板3且是位於半導體模組的底部上 絕緣式半導體模組之汲極平常是位於 其他電極都是位於封套的頂部上。 到具有上述構造之半導體模組1的閘 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2J0 X 297公釐） --I I ^---—r I -----------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,Λ 27〇3^ Α7 __Β7_ 五、發明說明（4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 極5上，則接通了每一個半導體晶H2。结果，主電流會 從汲極（基底基板）3經由半導體晶H2的底部、半導體 晶H2的頂部、从及接合電線δ而流到源極4上。 每當切換半導體元件時（特別是關掉電晶體時），都會 發生浪湧電壓。另外，由於半導體模姐1内存在有因接 合電線而造成的電感器（電感）等，故有時候會在翮掉半 導體晶片2時發生相當大的浪湧電壓。這種浪湧電壓會 依電氣及熱學的方式破壞半導體晶片2。 為了保護半導體晶片2不致受到上述浪湧電壓的破壞， 吾人經常會於其中配置像媛衝電路之類的保護電路。此 媛衝電路具有如第2圖所示的構造且會吸收浪湧電壓。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制^ 第3圖顯示的是一種半導體楔組及其保護電路的構造 。將保護電路11配置於半導體模組1的某一側邊上。除 此之外，此保護電路11是一種如第2圖所示的缓衝電路 。此例中，必須將保護電路11連接到半導體模組1的源 極和汲極上。於第3圖顯示的實例中，是藉由電線12使 保護電路11與源極4連接，而藉由電線13使保護電路11 與當作汲極的基底基板3連接。可Κ將之建造成使基底 基板3連接到一個像鋁塊之類的良好導體14上，再將保 護電路11與其良好導體14連接在一起Κ代替保護電路11 與基底基板3之間直接的連接。 不過，將具有上述構造之半導體揆組1的源極4配置 於封套上方，並將當作汲極的基底基板3配置於封套下 方。因此，電線12和13的長度不能比預定長度更短。如 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4270^1 A7 ___B7_ 五、發明說明（本） 同吾人所熟知的，當電線12和13的長度變得愈長時，則 它們的電感會變得愈大。當電感增加時，會使保護電路 11用於吸收浪湧電壓的能力受到破壞。 如上所述於習知構造中，無法完全圼琨出保護電路11 的能力，以致在某些例子裡無法充分地吸收掉浪湧電壓 。改良保護電路11能力的企圖會導致電時本身在尺寸或 成本上的增加。 此外，若將保護電路11配置於半導體模組1的某一側 邊上，則用於配置保護電路11的區域自然變得更大，因 而姐礙了元件尺寸的減小。 發阴镰沭 本發明的一個目的是提供一種其上具有保護電路的半 導體模組而改良了保護電路的性能。 根據本發明的一種半導體模組含有一個半導體晶片Μ 及一個用於容納此半導體晶片的封套。這種半専體模驵 也含有一個第一到第三電極Μ及一個保護電路。第一電 極是配置於封套的頂部上，且是用來使半専體晶片的主 電流流動。第二電極是配置於封套的底部上，且是用來 使半導體晶片的主電流流動。第三電極是配置於封套的 頂部上，且是依電氣方式連接到第二電極上。此保護電 路會保護半導體晶片，且是直接連接到第一和第三電極 上0 第一和第三電極是配置於封套的頂部上，且保護電路 是直接連接到第一和第三電極上。所Μ,當保護電路是 -6 - 本k張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) -----ίί f . ! ί ί I 訂·--------線γ {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明說明（，） 配置於封套的頂部上時，用K連接保護電路到半導體晶 Η之路徑的電感是很小的。结果，保護電路的能力從來 不致因為電線的電感而受到破壞。 若上述半導體晶片是一種MOSFST,則第一電極會相對 應於一個源極，而第二和第三電極則對應於一個汲極。 圖式簡單說明： 第1圖、係用以解釋一種半導體横組之内部结構的透 視圖。 第2圖、係用以解釋一棰保護電路的圖示。 第3圖、係用以解釋習知模組中一種半導體祺組結構 Μ及其保護電路的画示。 第4圖、係用以顯示一種根據本發明較佳實施例之半 導體模組结構Μ及用於保護此半専體模組之保護電路的 電路圖。 第5Α圖、係用以顯示一種根據本發明較佳寅施例之半 導體模組以及其保護電路的俯視圖。 第5Β圖、係用Κ顯示一種根據本發明較佳實_例之半 等體模姐以及其保護電路的側視園。 第6 Α和6Β圖、係用Μ解釋一種用於安裝汲極之方法的 圖示。 第7Α圖、係用Μ顯示一種根據本發明另一個較佳實陁 例之半導體模组Μ及其保護電路的俯視圖。 第7Β圖、係用以顯示一種根據本發明另一個較佳實施 例之半導體模組以及其保護電路的透視圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----1---:----- W 裝--------訂---------^〆 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 第8圖、依用Μ顯示一種根據本發明再較佳賁_例 之半導體槙組Μ及其保護電路的俯視圖。 發明的詳细說明 龄佯苜撫例的說明 第4圖係用Κ顯示一種根據本發明較佳實施例之半導 體模組結構Μ及用於保護此半導體模組之保護電路的電 路圖。於此較佳實豳例中，半導體模組是藉由一個MOSFET 加Μ施行的，而其保護電路則是藉由一個媛衝電路和一 個箝制電路加Μ胞行的。實際上，此MOSFET是藉由依並 聯方式連接很多完全相同的MOSFET而建造成的。此緩衝 電路包含一個電阻器和一個電容器，且會吸收腌加到汲 極D上的浪湧電壓。此疳制電路包含一個二極體和一個 Zener·二極體，且會在有浪涌電壓施加到汲極D上時令電 流沿著從汲搔D到閘極G的方向流動。结果，閛極G的 電位會昇高以接通此MOSFET。藉由接通此MOSFET會使汲 極D上的電位滑落，以致防止了汲極D與源極S之間的 破埭作用。 第5A圖係用Μ顯示一種根據本發明較佳實施例之半等 體模組JW及其保護電路的俯視圖，而第5 Β圖係用Μ顯示 一種根據本發明較佳實施例之半導體模姐Μ及其保護電 路的側視圖。這些圖顯示的是一個將保護電路30接到半 導體模組20頂部的狀態。 封套21係用於容納如第4圖所示的H0SFET。其上連接 有M0SFET之汲極區域的基底基板22是配置於封套21下方 本紙張尺度遶用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公Μ ) -----1---.-----裝---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -427031 A7 __B7_ 五、發明說明（7 ) {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 。基底基板22根本上是與參照第1圖而解釋之基底基板 3是相同的。將用於附著保謂電路30的附著區域配置於 封套21的頂部。 除此之外，堪將汲極電極2 4D、源極電極2 4S、和閘極 電極24G配置於封套21的頂部。汲極電極24D和源極電極 2 4S分別作為半専體模組之主電流輪入電極Μ及主電流 輪出電極。閘極24G則作為半導體模組控制用電極。源 極電極24S和閘極電極24G是分別連接到M0SFET的源極和 閘搔區域。瑄些連接構造都是例如與第1画中所顯示的 構造相同。汲極電掻24D是經由基底基板22而連接到Μ0-SFET的汲極區域，稍後將會對此作詳盡的說明。 於附著區域23內，配置有汲極電搔25D、源極電極25S 、和閘極電極25G。汲極電極25D、源極電極25S、和閘 極電極25G是分別連接到汲極電極24D、源極電極24S、和 閘極電極24G上。應注意的是汲極電極25D、源極電極25S 、和閘極電極25GM及汲極電極24D、源極電極24S、和閘 極電極24G是作緊密的配置使得其間的導電路徑是最短的 。在汲極電極25D、源極電極25S、和閘極電極25G的尖端 則分別形成了螺絲。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 汲極電極24D、源極電極24S、和閘極電極24G是用來連 接包含於封套21内的M0SFET以及外部電路，而汲極電極 25D、源極電極25S、和閘極電極25G則是用來連接包含於 封套21內的M0SFETM及保護電路30。因為汲極電掻25D和 源極電極25S不是如上所述直接連接到外部電路上，故吾 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 4270 3 Α7 Β7 五、發明說明（<?) 人不可以説它們是用於使主電流流動的電棰。不過，汲 搐電極25 D和源捶電極25S是分別連接到如第4圓所示的 圾搔電極24D和源極電棰24S。因此，可以将它們視為主 電流的输入和輸出電極的某些部分》 保護電路30是由一艏印刷電路31及裝設於印刷電路31 内各種型式的元件（像電阻器、電容器、二棰體之類）建 造成的。此較佳實施例中，保護電路3 0是一偏如第4圃 所示的缓衝電路和箝制電路。 於印刷電路31上，將孔洞32D,32S和32G配置於對應到 汲搔電極25D、源棰電棰25S、和閘搔電極25G的位置上。 也就是，將保護電路30附著於半導醱模組20的附箸匾域 23上時，汲極電棰25D、源極電掻25S、和閛棰電搔25G 分別會穿進孔洞3 2 D，3 2 S和3 2 G内。 將導體33D，33S,和336形成於孔洞32D,32S,和32G附近 。這些導體33D,33S,和33G是例如藉由形成於印刷電路31 之上的配線圖案而連接到鍰衝電路或箝制電路上β此較 佳實施例中，導體33D是連接到一個電容器C以及一個二 極體旦的陽極上。導體33S是連接到一摘電祖器1?上。導 體33G是連接到一値Zener二掻體的陽極上。

將保護電路30附箸到半導體模組20上時，汲極電掻25D 、源極電搔25S、和閘棰電掻25G是由螺帽34D，34S,和34G 加以固定，而各電極則分別穿進孔洞3 2 D , 3 2 S和3 2 6内β 螺帽34D，34S,和34G是由具有高導電性的材料形成的。依這 種方式，令汲極電極2 5 D、源極電極2 5 S、和閘極電極2 5 G -10- 本紙張尺度適用中圉國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) I I I I---訂•丨111111' 竣丫 - 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 427 0 3 Α7 Β7 五、發明說明（9 ) Μ電氣方式連接到導體33D,33S,和33G上。结杲，建造出 如第4匾所示的電路。 第6A和6B圖係用Μ解釋一種用於安裝汲極之方法的圖 示。如上所述，將根據此較佳實跑例之HOSFET的汲極區 域連接到基底基板22。據此，若將一個汲極配置於半導 體横組20的上邊部分内，則會如第6Α圖所示將一個具有 高導電性的鋁塊26連接到基底基板22上，旦將一個汲極 锺固地安置於鋁塊26上。Μ這樣的構造，於從M0SFET的 汲極區域到此汲極的路徑上不會存在有接合用或是鉛質 的電線。必然地，瑄個路徑上的電感就不會變大。 如第6Β圖所示，吾人能Κ類Μ的方法將汲極電極24D 和25D連接到基底基板22上。據此，從M0SFET汲極區域 到此汲極之路徑上的電感就不會變大。 於上述構造中，是將保護電路30直接連接到汲極電極 25D、源極電極25S、和閘極電極25G上。也就是說，連接 MOSFET的汲極電域與保護電路30的路徑會變得最短。必 然地，較之如第3圃所示的習知構造這個路徑的電感是 明顯地減小了，以致改良了保護電路30的能力（特別是 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 保 小 減 夠 能 人 吾 mK 结 Λ) 能 的。 壓本 電成 湧和 浪寸 收尺 吸的 路 3 電路 衝電 緩護 模最 體有 導具 半徑 令路 述接 ST tone 上的 如間 ， 之 時31 應路 效電 制刷 抑印 的的 壓30 電路 湧電 浪護 量保 考與 只20 組 過 不 ο 的 巨 化 佳 最 了 成 達 已 可 接 at*- a 種 這 依 而 量 考 入 列 置 位 的 極 電 各 或 片 晶 |§ ufin 導 半 離内 距21 性套 線封 的將 短 Μ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4270^1 A7 B7_ 五、發明說明（、° ) 各種方式逹成。卽使是依不同的方式達成此連接，較之 習知構造本發明還是能夠保證對浪湧電壓有充分的抑制β 除此之外，於上逑構造中是將保護電路30配置於半導 體模組20的上遴部份内，這排除了配置一個額外區域 以供附著保護電路30之用的需求。因此，可以顯著地減 少結合了半導體模組20與保謾電路30之整體構造的空間。 於習知模組中，由於基底基板與保護電路之間用於電 氣隔離的一個支持構件是配置成如第3圖所示，故其半 導體模組容易受到搖晃或是震盪。不過，因為保護電路 30是利用形成於汲搔電棰25D、源搔電槿25S、和閘棰電 極25G尖端上的螺絲以及螺帽34D，34S，和346而直接固定 在半導體模組20上，故根據本發明較佳實施例的半導體 模紐會變得比較不容易受到搖晃或是震盪的影蜜。另外 ，半導體模組20與保護電路30是以螺釘及螺帽聯合在一 起的，以致吾人能夠很容易地將保護電路3 G附箸到半導 體模組2G或自半導體模組20卸除。也就是說，能夠很容 易地將保護電路3 0取代成另一種保護電路。 上逑較桂實施例傺參照一種以螺釘及螺帽將半導體模 組20舆保護電路30聯結在一起的構造。不過，本發明並 不受限於這種構造， 第7A圖煤用以顙示一種根據本發明另一個較佳宵施例 之半導體模組以及其保護電路的俯視圖，而第7B圖僳用 以顯示一種根據本發明另一摘較佳實施例之半導體模組 以及其保護電路的透視圖。 -1 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i --------訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印則^ 427〇^ ι A7 __B7_ 五、發明說明（，| ) 不像如第5A圖所示的汲極電極25D、源極電極25S、和 閛極電極25G,所形成的汲極電極27D、源極電極27S、和 閘極電極27G是呈平板狀的。除此之外，於保護電路30 的印刷電路3 1上是將孔洞3 5 D , 3 5 S，和3 5 G配置於分別對 應到汲極電極25D、源槿電極25S、和閘掻電搔25G的位 置上·>也就是，將保護電路30附著於半導體模組20的附 箸區域23上時，汲棰電槿27D、源掻電槿27S、和閛搔電 極2 7 G分別會穿進孔洞3 5 D，3 5 S ,和3 5 G内。 將端子3 6 D , 3 6 S，和3 6 G形成於孔洞3 5 D , 3 5 S ,和3 5 G附近 β這些端子360,363(和366是依類似於如第5A匾所示之 導體33D，33S，和33G的方式連接到緩衝電路或箝制電路 .卜· 〇 將保護電路3D附箸到半導體模組20上時，汲棰電極27D 、源棰電極2 7 S、和閛捶電搔U (Ϊ是分別建接到端子3 6 D， 36S，和36G上，而汲極電搔27D、源極電極27S、和閛極電 極2 7 G則分別穿進孔洞3 5 D , 3 5 S，和3 5 G内。各電極和各端 子都是藉由接合或焊接而連接在一起的》有了這種構造 ，吾人便能夠使各電極與各端子之間的電氣連接變得更 為穩固。 上述較佳實施例是採用缓衝電路或箝制電路當作保護 電路。不過，本發明並不受限於這種施行構造。也就是 ,本發明也可以應用在除如第4圖所示保護電路以外的 其他保護電路。另外，本發明也不受限在用於保護半導 體模組的保護電路。本發明也可以應用在與半導體模組 -1 3 - 本紙張尺度適用中@ S家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 4270 3 1 A7 B7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 具 是汲模他 置D)極10於逋、上箸 晶體 纽本 熱於的 明個體其 配25汲是置於搔2D附 體導。模成 少用H 發一導而 都和，都配限電組30導半上體且 減而晶 本到半搔 域4D說能極受搔模路 半他 W 導小 時上體 ，接種電 匾 W 是可電不汲醱電 作其 Μ 半寸 組其導 是連此極。體^就目的並摘導護 當用 護尺 模接半 的時，汲上導㈣也數別明一半保ΕΤ應 U 保種。體連使 意同用作分半 Μ 。的個發令於使SF以1^於一本導要並 注是有當部摘^造有將本成置極ΗΟ可Br用用成半將小 有 晶 該路地板邊 一si構所以，造配電。用也 了使和作使減 應電别基上每S1種等可過建掻些示採 ，r,良夠間操能寸 - 過的特底的 ，1:@這搔中不之電這所是過^改能空在而尺1 不上得基套中|6±於電例。將極用圖例不 而 ，了 能因的 _ 。紐顯的封例li限極施方以閘利 8 旃 。0明以少人*置 區 晶 路模時片傾施 h 受閘實上可個並第實的i發所滅吾損装 围 電 電體極晶一實ί 是和佳的，一 ，如佳釋彳本。此得耗熱 肋導電體於佳 w 總、較套例和上上較解 據力因使的散 輔半各導置較[$[]非極述封賁、側20述以彳根能 > ，率之 的到他半配述(ΐ並電上之箸搔 一組上加g ,的路地功掉 關箸其用是上極明極，組藉電的模，而 述路電然及射 I 客 有附及應則於電發源外模。搔 2 體外例 δ 所電護必生輻 業要極是極外傾本 '此體造源套導此實 < 上護保此産能 作將電中電此兩而極又導構個封半又的件如保的因的熱 之當極組各 有 ，電 半種一有於 片 Μ 之低 能將 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 427031 A7 B7 五、發明說明（β 夠 能 且 度 靠 可 的 組模 措 導 半 了 良 改 * ο 果本 结成 。 造 少製 減其 目 低 數減 11IJ.J----..--11. 裝 -------訂-----i*^y (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 427031 A7 _B7_ 五、發明說明（Μ ) 符號之說明 I, 20.......半導體模組 2..........半導體晶片 3,22.......基底基板 4 ..........源極 5 ...........閘極 7 ..........絕緣板 8 ..........接合電線 II, 30......保護電路 12,13......電線 14.........良好導體 21.........封套 23.........連接面積 24D,25D , 27D ...汲極電極 24G,25G,27G .,.閘極電極 24S,25S,27S...源極電極 26.........鋁塊 31.........印刷電路 32D，32S，32G，35D，35S,35G..孔洞 33D，33S,33G ·..導體 34D,34S,34G. ·.螺帽 36D,36S,36G ...端子 C..........電容器 D..........汲極 -1 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） i ---.----W 裝！----訂---------線 y* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 427031 A7 B7 五、發明說明（^ ) D...........二極體 G..........閘極 R..........電阻器 S..........源極 ZD...... ...Zener二極體 ------.---,----y 裝--------訂----- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 427031 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 . 一種半導體模組,含有一個半等體晶片Μ及一個用於容 納此半導體晶片的封套，這種半導體棋姐含有： 一涸第一電極是配置於封套的頂部上，且是用來使 半導體晶Η的主電流流動； 一個第二電極是配置於封套的底部上，且是用來使 半導體晶Η的主電流流動； 一個第三電極是配置於封套的頂部上，且是依電氣 方式連接到第二電極上；以及 一個保護電路係用於保護半等體晶片，其特激為 該保護電路是直接連接到該第一和該第三電極上。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體横組，其中該第二電 極是一種導電的基板，並將會有半導體晶片的主電流 流經其内的某一個半導體區域連接到該第二電極上。 3. 如申請專利範圍第1項之半導體模組，其中該保護電 路能夠附著到半導體模組上或自半導體模組卸除。 4. 如申請專利範圍第3項之半導體模組，其中： 將螺绦形成於該第一和該第三電極的尖端上；且 該保護電路是利用形成於該第一和該第三電極尖端 上的螺絲以及螺帽接固定在該第一和該第三電極上。 5. 如申請專利範圍第1項之半導體模組，其中： 該保護電路含有分別對應到該第一和該第三電極上 的各端子；且 該第一和該第三電極是依電氣彤式連接到個別的對 應端子上。 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----*---r------------訂---------線'^ {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 888ΰ ABCD 4270 3 1 六、申請專利範圍 6. 如申請專利範圍第5項之半導體模組，其中該第一和 該第三電極是藉由接合或焊接而依電氣形式連接到假 別的對應端子上。 7. 如申請專利範圍第1項之半専體模組，其中： 再令一個用於將控制信號輸入到半導體晶片上的第 四電棟配置於封套的頂部上；且 將該保護電路直接連接到該第一電極、該第三電極 、和第四電極上。 8. 如申請專利範圍第1項之半導體模組，其中該保護電 路是一種用於吸收加到半導體晶片上之浪湧電壓的緩 衡電路。 9 . 一種半導體模組，含有一個半導體晶Η以及一個用於容 納此半導體晶片的封套，這種半導體模組含有： 一個第一電極，是配置於封套的頂部上，且是用來使 半導體晶Η的主電流流動； 一個第二電極，是配置於封套的底部上，且是用來使 半導體晶Μ的主電流流動； —個第三電極，是配置於封套的頂部上，且是依電氣 方式連接到第二電極上；其特激為： 所形成的該第一和該第三電極是使得用於保護半導體 晶片的保護電路是直接連接於其上。 10. —種半導體模組，含有一個半導體晶Η Μ及一個用於容 納此半導體晶片的封套，其特戤為可Κ將其上連接有 用於保護半導體晶片的保護電路之第一主電流電極和 -19- 本紙張尺度適用中1國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----.11---i------------訂---------線 β (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 427031 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第二主電流電極直接配置於此封套的頂部上。 1 1 . 一種半導體模組，含有一個半導體晶片Μ及一個用於容 納此半導體晶片的封套，其特徵為： 將一個第一主電流電極和一個第二主電流電極配置 於此封套的頂部上；且 將一個用於保護半導體晶片的保護電路直接連接於 此第一主電流電搔和此第二主電流電極上。 ----I*---------------訂 -------- 雇線^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 — 20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）