4268 1 1 A7 經濟部中央標率局貝工消费合作社印装 五、發明说明< ) (發明所屬之技術領域） 本發明係關於一種具備薄膜電晶體之液晶顯示裝置， 關於一種配設對向地設於像素電極的儲存電容產生用之電 極的構造。 (以往之技術） 第10圖與第11圖係表示在以往之薄膜電晶體型液 晶顯示裝置中，將閘極配線G與源極配線S等部分具備於 基板上之薄膜電晶體陣列基板的一構造例子者。 在表示於第10圖與第11圖之薄膜電晶體陣列基板 中，玻璃等之透明基板1 3上.，矩陣狀地配線有閘極配線 G與源極配線S。又，閘極配線G與源極配線S所圍繞的 領域作爲像素部1 ，而在各像素部1設有薄膜電晶體T 10 0° 表示於第1 0圖與第1 1圖之薄膜電晶體T 1 0 0係 逆交錯型之一般構成者，在閘極配線G與兼用該閘極配線 G之一部分所設置的閘極電極2上，設置閘極絕緣膜3， 在閘極電極2上之閘極絕緣膜3上對向於閘極電極2設置 非晶質矽（a S i )所構成的半導體能動膜4，又在該半 導體能動膜4之一側端部與另一側端部上互相對向地設置 導電材料所構成之汲極電極6+與源極電極7所構成。又， 在半導體能動膜4兩側之上部側形成有高濃度地摻雜成爲 碟等施體之不純物的非晶質矽等的電阻接觸膜8、8 » 覆蓋上述閘極絕緣膜3與源極電極6及汲極電極7等 -n 11--- . - —1— -ΙΪ —a^i I - i I- - - 1 — -I I (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) /π Λ 本纸張Λ度適用中國8家橾準（CNS > Α4规格（210X297公釐） -4- 4268 1 1 經濟部中央揉率扃負工消费合作杜印* A7 B7五、發明説明4 ) 上面而在此等上面設有絕緣膜所構成的鈍化膜10，在鈍 化膜1 0上，從汲極電極6上至汲極電極6之側方邊位於 像素部1之所有全領域設有I TO (銦錫氧化物）等透明 導電材料所構成的像素電極1 1。又，在像素電極1 1與 鈍化膜1 0上形成有未予圖示之配向膜，而在該配向膜上 方設有液晶，同時設有具備共用電極之對向基板構成主動 矩陣型液晶顯示裝置，藉由上述透明像素電極1 1將電場 施加於液晶分子，則成爲可控制液晶分子之配向。 在表示於第1 0圖之構造的液晶顯示裝置中，在基板 13上形成閘極電極2時同時形成之輔助電極12與像素 電極1 1對向地設置。由於該輔助電極1 2係如第1 1圖 所示，對應於像素電極1 1之外周部並環狀地設置成能圍 繞像素部1之輪廓者，因此，以像素電極1 1與輔助電極 1 2夾住閘極絕緣膜3與鈍化膜1 0來構成電容，而將電 容利用作爲儲存電容構成可抑制在驅動液晶時所必然地發 生的寄生電容所產生之影響。 又，在上述構造之液晶顯示裝置，一般在透明基板 1 3之後方設置後照光，構成藉由被控制配向之液晶遮斷 或透過從該後照光所發出之光俾使用者認識明暗。 (發明欲解決之課題） 表示於第1 0圖及第1 1圖之構造時，由於在像素電 極1 1與輔助電極1 2之間夾住閘極絕緣膜3與鈍化膜 1 0以構成儲存電容因此具有驅動液晶上之優點，惟具有 本紙^尺度適用家梯準（CNS ) A4规格（2丨0X 297公釐）一JT] I -----------裝----：---訂-------3^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本瓦) 經濟部中央檁率局貝工消费合作社印製 4 268 11 A7 B7 五、發明説明ί ) 如下述之問題。 首先，閘極絕緣膜3係爲了絕緣而介裝於閘極電極2 與半導體能動膜4之間的膜，由於特別須將膜質成爲良質 。須嚴格地管理成膜條件，而鈍化膜1 0係此閘極絕緣膜 3並不被嚴密地要求膜質，因此，一般以比閘極絕緣膜3 更寬容之成膜條件所形成。 如此，如表示於第1 0圖與第1 1圖之以往構造方式 ，在像素電極11與輔助電極12之間夾住閘極絕緣膜3 與鈍化膜1 0以構成儲存電容構造時，由於以兩種絕緣膜 構成儲存電容，因此，具有無法儲存較多之儲存電容，同 時無法將儲存電容控制在規定値之問題。 本發明係鑑於上述事項所創作者，其目的係在於提供 一種比以往構造容易設定儲存電容可得到信號之穩定化* 但可提高孔徑比率，同時刪減製造時所必需之光罩枚數而 可簡化製程的液晶顯示裝置。 (解決課題所用之手段） 本發明係爲了解決上述課題* —種液晶顯示裝置，其 特徵爲：在基板上矩陣狀地設有閘極配線與源極配線，在 上述閘極配線與上述源極配線之各交叉叉點近旁形成有與 上述閘極配線電氣式地連接的閘極電極，上述源極配線形 成在上述閘極配線及形成在閘極電極上之第1絕緣膜上， 同時半導體能動膜經由上述第1絕緣膜形成在上述閘極電 極上方，在上述半導體能動膜上分別形成有與上述源極配 ί !J-----------裝-------.訂-------Λ. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本ίλίΜΛϋ财 SSC料（CNS > 2IGX297公釐)~' 426811 經濟部中央標準局wc工消费合作社印裂 A7 _B7五、發明説明4 ) 線連接之源極電極及與該源極電極隔離的汲極電極，在上 述第1絕緣膜上至少迎接於上述源極配線排設有電容產生 用之電極膜，在設置上述電極膜，源極配線，源極電極| 汲極電極及半導體能動膜的第1絕緣膜上形成有第2絕緣 膜|又，像素電極能與上述電極膜協動以構成電容地連接 於上述汲極電極而形成在上述第2絕緣膜上者。 在本發明構造中，由於不是如以往構造之複數絕緣膜 ，以單一膜構成儲存電容，因此作成與使用複數絕緣膜之 以往構造相同之儲存電容，則可減少用以構成儲存電容的 電極之對向面積，由此，可提高作爲液晶顯示裝置之孔徑 比率β 又，在本發明構造中，由於以單一膜構成儲存電容， 因此，與使用複數絕緣膜之以往構造相比較，將用以構成 儲存電容的電極之對向面積作成相同之對向面積，則可增 加儲存電容，並可得到信號之穩定化。 在上述構成中，介經將成爲介質膜之第2絕緣膜隔著 電極膜與像素電極以構成儲存電容，由於將用以構成儲存 電容之介質膜作爲單一膜，因此，比如以往構造由複數絕 緣膜所構成的情形成爲可正確地實行儲存電容之設定 又，在本發明之構成中，介經像素電極之緣部與電極 膜作成隔著第2絕緣膜，由於像素電極緣部側所產生之電 氣力線形成與像素電極之中央部分側所產生之電氣力線不 相同，因此，可將沾著像素電極之中央部分側所產生之電 氣力線配向的液晶，及沿著像素電極之緣部側所產生之電 本紙乐尺度適用中國國家榇準（CNS ) Α4规格（2ΙΟΧ297公釐） 7 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 268 1 1 經濟部中央糅準局真工消费合作社印衷 A7 ____B7 五、發明説明右) 氣力線配向的液晶之配向狀態稍微不相同，由此，在作爲 液晶顯示裝置觀看時，以沿著.像素電極之中央部側的電氣 力線之液晶，及沿著像素電極之緣部側的不同電氣力線之 液晶可產生兩種配向狀態，由於可多領域化，因此，以此 等配向狀態之不同液晶可彌補液晶顯示裝置之視野角度狹 窄之問題。 又在本發明中，構成電極膜係貫穿上述第1絕緣膜而 直接連接於閘極配線所形成，爲其特徵者也可以。由於該 構成，可删減以先刻法工程製造時所使用之光罩枚數，並 1 可提高良品率。 又，在本發明中 > 構成在形成上述像素電極時，形成 氣式地連接上述電極膜與上述閘極配線的連絡路，爲其特 徵者也可以。由於該構成，與形成像素電極之同時可形成 電氣式地連接電極膜與閘極配線的連絡路。 又本發明之液晶顯示裝置，其特徵爲：在基板上分別 形成平行之複數源極配線，與該源極配線連接之源極電極 及與該源極電極隔離之汲極電極，設有連接上述源極電極 與汲極電極之半導體能動膜，在設置上述源極配線，源極 電極，汲極電極及半導體能動膜之基板上設有第1絕緣膜 ，上述閘極電極經由上述第1絕緣膜形成於上述半導體能 動膜上方，同時在上述第1絕緣膜上與上述源極配線互相 交叉地設有與上述閘極電極連接之閘極電極，在上述第1 絕緣膜上至少近接於上述閘極配線排設有電容產生用之電 極膜，在設置上述電極膜，閘極配線及閘極電極之第1絕 (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家揉率（CNS )八4洗格{ 21〇><297公釐） -8- 4268 1 1 A7 B? 趣濟部中央棣準局貝工消合作社印製 五、發明説明έ ) 緣膜上形成有第2絕緣膜，又，像素電極能與上述電極膜 協動以構成電容地連接於上述汲極電極而形成在上述第2 絕緣膜上者。 在該構造中也與上述構造.同樣地，由於以單一膜構成 儲存電容，因此作成與使用複數絕緣膜之以往構造相同之 儲存電容，則可減少用以構成儲存電容的電極之對向面積 ，由此，可提高作爲液晶顯示裝置之孔徑比率。又，與使 用複數絕緣膜之以往構造相比較，將用以構成儲存電容的 電極之對向面積作成相同之對向面積，則可增加儲存電容 ，並可得到信號之穩定化。 (發明之實施形態） 以下詳述本發明之各實施形態，惟當然本發明並不被 限定於此等實施形態者。 第1圖與第2圖係表示將本發明適用於逆交錯型之主 動矩陣液晶顯示裝置的第1形態之要部者，該例子之液晶 顯示裝置3 0係具備：薄膜電晶體矩陣基板3 1，及平行 於該薄膜電晶體陣列基板31並隔離地設置的透明對向電 極3 2，及封裝於上述薄膜電晶體陣列基板3 1與對向基 板3 2之間的液晶3 3所構成。 在上述薄膜電晶體陣列基板3 1，與表示於第1 0圖 ，第1 1圖之以往之構造同樣地有多數源極配線3 5與多 數閘極電極3 6，排列形成平面觀看時如第2圖所示成爲 矩陣狀，以源極配線3 5與閘極配線3 6所圍繞之多數各 TH IV— —7 l^i I - i —If.....m n <請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂
A 本紙張尺度逋用中8國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 4268 1 1 A7 鲤濟部中央榡準局•^工ϋ?费合作社印¾ 五、發明説明if ) 該領域成爲像素部3 7，在對應於各像素部3 7之領域形 成有分別由I TO等透明導電材料所構成之像素電極3 8 ，同時在各像素部3 7之隅部，跨越鄰接之另一像素部3 7之一部分地設有薄膜電晶體T « 第2圖係放大表示對應於以源極配線3 5與閘極配線 3 6所圍繞之一像素部3 7所設置之薄膜電晶體T之部分 及其周圍部分的平面圖，在薄膜電晶體陣列基板3 1多數 排列形成有像素部3 7而構成作爲液晶顯示裝置3 0之顯 示畫面。 更詳述該形態之薄膜電晶體陣列基板31之構造如下 :在基板40上互相平行地形成有Cr ，HO等遮光性導 電材料所構成的多數閘極配線3 6，各閘極配線3 6之一 部分作爲閘極電極4 1，同時覆蓋該閘極電極4 1與基板 40而設有第1絕緣膜（間極絕緣膜）42，閘極電極 4 1上之第1絕緣膜4 2上與閘極電極4 1對向有半導體 能動膜4 3形成疊膜，在該半導體能動瞑4 3之兩端部側 ，與半導體能動膜4 3之中央部側隔著間隙互相離開叠層 有n+膜等所構成的電阻接觸膜45、 46。 又|由於在該形態之構造中電阻接觸膜45、 46係 分別設於閘極電極4 1之一側與另一側，_因此，其中一方 的電阻接觸膜4 5設於一個像素部3 7之領域內時，則另 一方的電阻接觸膜4 6設於鄰接之其他像素部3 7之領域 內。 又，分別形成有能連接於電阻接觸膜4 5之C r， -ί :- -- ί —ϊ ,..... !: . I I - I 1= I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --訂 ▲ 本纸張尺度適用中B國家揉準（CNS ) A4规格（210Χ2ί>7公釐） -10- 經濟部中央標率局貝工消费合作社印裝 42681 1 A7 _____B7五、發明説明ίί ) Mo等遮光性導電材料所構成的汲極電極48，及有能連 接於電阻接觸4 6之C r，Mo等之遮光性導電材料所構 成的源極電極4 9。 之後，覆蓋薄膜電晶體T與絕緣膜4 2設有第2絕緣 膜（鈍化膜）5 0，在該第2絕緣膜5 0上，設有能覆蓋 對應於像素部3 7之領域的像素電極3 8，該像素電極3另 係介經形成在薄膜電晶體T之汲極電極4 8之端部上的 第2絕緣膜5 0之導通孔5 1所形成的連接導通膜5 2連 接於汲極電極4 8。 又，如第2圖所示，在源極配線3 5之薄膜電晶體形 成側之第1絕緣膜4 2上，設有沿著源極配線3 5之配線 狀之電晶體側第1電極膜5 3，該電晶體側第1電極膜 5 3如第1圖所示地被第2絕緣膜5 0覆蓋》 該電晶體側第1電極膜5 3，係如第2圖所示在鄰接 之薄膜電晶體T，Y之間的部分，與源極配線3 5平行地 延伸的直線部5 5，及迂迴薄膜電晶體T地連續於直線部 5 5的折彎部5 6所構成》第1電極膜5 3之直線部5 5 形成於對向在像素電極3 8之緣部的位置，而設置直緣部 5 5成爲將直線部5 5之內側部分配置於比像素電極3 8 之緣部之位匱稍內側，並將直線部5 5之外側部分配置於 此像素電極3 8之緣部之位置稍外側，又，設置折彎部 5 6成爲在接近薄膜電晶體T之部分中將折彎部5 6之一 部分配於比像素電極3 8之緣部之位置稍內側，並將折彎 部5 6之緣部側的一部分配置於比像素電極3 8之緣部之 本紙永尺度適用^困國家標丰（〇奶）八4洗格（2丨0><297公釐)_ — 1.------------裝--------訂------冰 {請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 268 11 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印* A7 __B7_五、發明説明4 ) 位置稍外側。 在第2圖中，在與源極配線3 5之薄膜電晶體側相反 側的第1絕緣膜4 2上，設有沿著源極配線3 5直線狀地 配置之源極側第1電極膜5 8，同時該源極側第1電極膜 5 8係將其內側部分配設於比像素電極3 8之緣部之位置 稍內側，並將其外側部分配設於比像素電極3 8之緣部之 位置稍外側而設在第1絕緣膜4 2上，源極側第1電極膜 5 8也如第1圖所示，介經第2絕緣膜5 0所覆蓋。 上述第1電極膜5 3 ..........5 8 .........係分別沿著 源極配線3 5 .........延伸至基板4 0之源極配線3 5…… …之各端部側，而在基板4 0之端部側互相地連接被接地 ，各第1電極膜5 3 ..........5 8 .........係形成作爲接地 電位。又，在延伸至源極配線3 5 .........之各端部側的各 第1電極膜53、 58之端部側的連接，例如在第2絕緣 膜5 0形成接觸孔，以形成像素電極3 8時所使用之透明 導電膜作爲互相連接之構造。 如第1圖所示，在設於薄膜電晶體陣列基板3 1之對 向基板3 2的液晶側。從透明基板6 1側依順序疊成有濾 色片6 2及共用電極膜6 3。上述濾色片6 2係用以覆盖 隱藏對顯示無用之薄膜電晶體部分或閘極配線部分及源極 配線部分等的黑色基體，及將通過以設置像素電極3 8之 像素部3 7對顯示有用之部分之光予以透過，又以用以彩 色顯示之彩色像素部作爲主體所構成。此等之彩色像素部 係在液晶顯示裝匱爲彩色顯示之構造時所必需，而設在每 表紙张尺度逋用中B國家橾車{ CNS ) A4规格（210X297公釐）~~~_ _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 268 1 1 經濟部中央揉準工消费合作社印輦 A 7 B7五、發明説明{〇 ) 一像素部，惟在鄰接之像素部成爲顏色不同地，例如規貝IJ 地或隨機地配置成紅（R)、緣（G)、藍（B)之三原 色者不會有顔色之配置偏差。 又，在表示於第1圖之剖面構造，係省略設於薄膜電 晶體陣列基板3 1之液晶側與對向基板3 2之液晶側的配 向膜，同時也省略設於薄膜電晶體陣列基板3 1之外側與 對向基板32之外側的偏光板等。 以下，說明表示於第1圖與第2圖之構造的液晶顯示 裝置之作用與效果。 本案發明之該形態構造，係藉由交換元件之薄膜電晶 體T之動作，切換是否將電壓施加於所期望之像素部3 7 的像素電極3 8與對向基板側之共用電極膜6 3間而切換 成顯示或非顯示而可使用。 因此，可實行對應於施加電壓之像素部3 7之領域的 液晶分子之控制配向*介經導入來自設於基板4 0下方之 後照燈的光線，以該後照燈之光線介經液晶分子之控制配 向狀態成爲偏光或仍然通過而可切換成暗狀態與明狀態。 設置第1電極膜5 3、5'8,對此等經由第2絕緣膜 5 0，形成對峙地配設像素電極3 8之緣部，而在此等之 間形成儲存電容，以該電容抵銷產生在液晶顯示裝置之寄 生電容之一部分，並可得到薄膜電晶體T之安定動作。 又，由第1電極膜5 3、5 8與像素電極3 8係僅經 由第2絕緣膜5 0使之對向，因此，與經由兩種物理性質 之不同的絕緣膜來構成儲存電容的以往構造相比較，可正 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度逍闲令Η國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -13- ^268 1 1 Α7 經濟部中央標準局具工消费合作社5-裝 五、發明説明h ) 確地設定電容，結果，可得到薄膜電晶體T之安定動作。 亦即，在該實施形態之構造 > 由於並不是如以往構造之複 數絕緣膜，而是以單一膜構成儲存電容，因此，形成與使 用複數絕緣膜之以往構造相同之儲存電容，則可減少用以 構成儲存電容之電極的對向面積像素電極3 8之緣部與第 1電極膜53、 58之對向面積），由此，可提高作爲液 晶顯示裝置之孔徑比率。 又，由於以單一膜構成儲存電容，因此，與使用複數 絕緣膜之以往構造相比較，將用以構成儲存電容之電極的 對向面積（像素電極38之緣部與第1電極膜53、58 之對向面積）成爲相同之對向面積，則可增加儲存電容， 可得到信號之安定化》 由於第1電極膜53、 58係分別作爲接地電位，因 此在像素電極3 8所產生之電場中，與接地之第1電極膜 53、 58相對向之緣部之領域的電場係成爲與像素電極 3 8之中央部側之領域所產生之電場不相同。由此，液晶 之配向性在對應於像素電極3.8之中央部側的領域與像素 電極3 8第2電極膜3 8Α，3 8Β側的領域成爲不相同 。由於可多領域化，由此，液晶顯示裝置可緩和以往就作 爲問題的視野角度依存性。 亦即，從像素電極3 8所發出的電氣力線*係在像素 電極3 8之中央部側領域爲向對向基板3 2之共用電極膜 6 3，惟在像素電極3 8之緣部側，由於電氣力線係拉向 第1電極膜53、58側方式變形地產生。因此|對於該 -^1^1 - 1 If In— I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙浪尺度適用中國國家榡窣（CNS ) A4说格（210X297公釐） -14 - 4268 1 1 經濟部中央揉準局貝工消费合作杜印装 A7 B?五、發明説明<j2 ) 變形之電氣力線向直角方向有扭矩作用於液晶分子，結果 ，液晶分子係對應於像素電極3 8之中央部側領域者，及 對應於對峙在第1電極53、 58的像素電極38之緣部 側者而構成複數領域而採用均勻配向狀態。結果，施加電 場即可自動地產生複數領域，由此，可將相同傾斜角之均 勻配向狀態之液晶分子所構成的領域在每一像素部3 7自 動地變成具有複數之狀態。 故，液晶顯示裝置之上下方向之急激且非對稱之對比 的變化確實地被緩和使之對稱比，而不會產生沖間調之色 調之反轉的領域可確實地得到放大之效果，由此，可得到 視野角度依存性較少之應視野.角度特性的液晶顯示裝置。 又，第3圖係表示本發明之液晶顯示裝置之第2實施 形態者，在該形態之構造，係在各像素部3 7環地形成對 應於像素電極3 8之緣部所設置的第1電極膜7 0，而將 第1電極膜7 0形成對應於像素電極3 8之所有週邊的形 狀，爲其特徵者。又，設於各像素部3 7之第1電極膜 7 0係藉由平行地配置於源極配線3 5之連接導體7 1互 相地連接，各連接導體7 1係延伸至基板之源極配線之各 端部側而互相連接在基板之端部側並被接地，各第1電極 膜7 0 .........係形成作爲接地電位。 對於其他之構造係與如上以第1圖與第2圖作爲依據 所說明之形態的構造同等》 表示於第3圖之構造也可得到表示於第1圖與第2圖 之構造同等之效果。 (诗先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用辛8國家標準（〇«)六4規格（210父297公釐） -15- 4 268 1 1 經濟部中央揉丰局貝工消費合作社印装 A7 _B7___五、發明説明纟3 ) 又，在表示於第3圖之構造中，由於從像素電極3 8 所發出之電氣力線係放射狀地變形產生成爲拉向設於像素 電極3 8之所有週邊的第1電極膜7 0側，因此，對於該 放射狀地變形之電氣力線有扭矩向直角方向作用於液晶分 子，結果，液晶分子係構成複數領域下成爲均勻配向狀態 。結果，施加電場即可自動地產生複數領域1由此，可將 相同傾斜角之均勻配向狀態之液晶分子所構成的領域在每 一像素部自動地變成具有複數之狀態。 故在比以第1圖與第2圖爲依據所說明之像素電極 3 8之所有週邊的如上形態之構造更廣之面積可產生電氣 力線之變形，並可比如上形態之構造更多領域化，液晶顯 示裝置之上下方向的急激且非對稱之對比的變化確實地被 緩和形成對稱化，可確實地得到不會產生擴大中間調之色 調的反轉之領域的效果，由此.，可得到視野角度依存性較 少而可得到廣視野角度特性之液晶顯示裝置。 第4圖與第5圖係表示本發明的液晶顯示裝置之第3 實施形態者，第5圖係表示於第4圖之液晶顯示裝置之V - V剖面者。該形態之構造係產生儲存電容用之電極膜之 構造與如上之形態的構造不相同者。 該形態之液晶顯示裝置8 0係具備：薄膜電晶體陣列 基板8 1，及平行於該薄膜電晶體陣列基板8 1而隔離地 設置的透明對向基板8 2，及封裝於上述薄膜電晶體陣列 基板8 1與對向基板8 2之間的液晶8 3所構成。 在上述薄膜電晶體陣列基_板81，與表示於第10圖 t,—---------------裝-------.訂------J. (#先聞讀背面之法$項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家#準（CNS } A4规格（210X297公釐） -16- 426811 Λ7 B7 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印裂 五、發明说明“） 與第1 1圖的以往構造同樣地排列形成有多數源極配線 8 5與多數閘極配線8 6成爲平面視時呈矩陣狀，以源極 配線8 5與閘極配線8 6所圍繞之各該多數領域的像素部 8 7，對應於各像素部8 7之領域分別形成有I TO等透 明導電材料所構成的像素電極8 8，同時在各像素部8 7 之隅部設有薄膜電晶體T 2 » 更詳述該形態之薄膜電晶體陣列基板81的構造，在 各像素部87互相平行地形有Cr |Mo等之遮光性導電 材料所構成之多數閘極配線8 6於基板9 0上，並延伸各 閘極配線8 6之一部分形成有閘極電極9 1，同時，覆蓋 該閘極電極9 1與基板9 0設有第1絕緣膜（閘極絕緣膜 )9 2，在閘極電極9 1上之第1絕緣膜9 2上與閘極電 極9 1相對向疊膜有半導體能動膜9 3，在該半導體能動 膜9 3之兩端部側經由η +膜等所構成的電阻接觸膜分別形 成有汲極電極9 8與源極電極9 9，又在第1絕緣膜9 2 上形成有源極配線8 5。 覆蓋薄膜電晶體Τ2與第1絕緣膜9 2及源極配線 8 5而設有第2絕緣膜（鈍化膜）1 0 0，位於該第2絕 緣膜1 0 0上，設有像素電極8 8成爲覆蓋對應於像素部 8 7之領域的大部分，同時該像素電極8 8係介經形成於 薄膜電晶體Τ 2的汲極電極9 8之端部上之第2絕緣膜 1 0 0上所形成的接觸孔1 0 1之連接導通膜8 8 a連接 於汲極電極9 8。又，在像素電極8 8與薄膜電晶體T2 之連接部相反側的部分，形成有延伸至對應於鄰接之相鄰 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 本紙乐尺度逋用中a國家標準（CNS > A4说格（210><297公釐） -17- 4 268 1 Α7 Β7 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印装 五、發明説明牦） 的像素部8 7之閘極配線8 6之領域的延伸部8 8 A，該 延伸部8 8 A係形成能覆蓋對應於一像素部8 7之閘極配 線8 6之約一半長度部分。 又，在像素部8 7位於未設置薄膜電晶體τ 2之一邊 的像素電極8 7之端部側的第1絕緣膜9 2上，設置第1 電極膜1 0 3成爲夾位左右之源極配線8 5，並覆蓋該第 1電極膜1 0 3而形成有上述第2絕緣膜1 0 0。 在該第1電極膜1 0 3，形成有延伸至對應於與像素 電極8 8同樣地鄰接之相鄰的像素部8 7之閘極配線8 6 之領域的延伸部103A，該延伸部i〇3A係形成佔有 比前一延伸部8 8較廣之部分·。在閘極配線8 6上，形成 有貫穿於未覆蓋在延伸部1 0 3A之部分的第1絕緣膜9 2與第2絕緣膜1 0 0及閘極配線8 6的接觸孔1 0 5， 又，在鄰接於接觸孔1 0 5之位置的第2絕緣膜1 0 0形 成有貫穿第1電極膜10 3的接觸孔10 6，介經跨越於 兩接觸孔105、 106所形成的連絡路107，電氣式 地連接有閘極配線8 6與第1電極膜1 〇 3。又，在像素 電極8 8緣部，第1電極膜1 〇 3與對於此並經由第2絕 緣膜1 0 0相對向的像素電極8 8之端部8 8A成爲對向 電極而以兩者與第2絕緣膜100來構成電容。 依照表示於第4圖與第5圖之構造，由於在第1電極 膜1 0 3與像素電極8 8之端部8 8Α之間隔著第2絕緣 膜1 0 0而可構成儲存電容，以該儲存電容可抵銷產生在 液晶顯示裝置的寄生電容之一部分，並可得到薄膜電晶體 ΙΊ.— -Ί-------裝--------訂-------点 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度遘用中國a家揉準{ CNS ) Α4祝格（210Χ297公釐） -18- 4 268 彳 1 A7 經濟部中失揉率扃貞工消费合作社印製 五、發明説明（|6 ) T 2之安定動作。 又，由於第1電極膜1 0 3與像素電極8 8端部3 8 A係僅經由第2絕緣膜1 0 0相對向，因此，經由兩種物 理上性質不同之絕緣膜比構成儲存電容之以往構造相比較 可正確地設定電容設定，結果，可得到薄膜電晶體T 2之 安定動作。 對於採用表示於第4圖與第5圖之構造的薄膜電晶體 陣列基板之構造時之優點，說明有關於製造該構造之方法 〇 欲製造表示於第4圖與第5圖之薄膜電晶體陣列基板 •在基板9 0之全部上面形成Cr .Mo等的遮光性之導 電性金屬膜，在該膜使用光罩（第1枚）施以以蝕刻除去 不要部分的圖案俾在基板上形成在第4圖形平面構造的閘 極電極與閘極配線/ 然後，在此等上成膜第1絕緣膜（閘極絕緣膜）與半 導體能動膜與電阻接觸膜，在此等上面使用光罩（第2枚 )之後實行圖案形成，形成弧島狀之半導體能動膜與電阻 接觸膜。 之後，在此等上面覆蓋導電性金屬膜之後，使用光罩 (第3枚）實行圖案形成，形.成源極電極與源極配線及與 汲極電極相鄰接之源極配線間之第1電極膜。然後，介經 蝕刻除去源極電極與汲極電極間之弧島狀電阻接觸膜與半 導體能動膜之不要部分俾形成作爲薄膜電晶體之通路部。 在此由於可將介經先前圖案形成所形成之源極電極與源極 (請先Η讀背面之注意事項再填寫本页) 本紙張尺度逋用中國國家標车（CNS ) A4C格（2tOX297公釐） -19- 經濟部中失樣準局貞工消费合作社印策 4268 1 1 A7 _B7五、發明説明（17 ) 配線及與汲極電極鄰接之源極配線間之第1電極膜利用作 爲光罩，因此，通路部形成用並不特別需要光罩。 然後，在此等上面形成第2絕緣膜（鈍化膜），並在 該第2絕緣膜施以光罩（第4枚）之後經蝕刻形成達到閘 極配線之接觸孔之達到第1電極膜之接觸孔及達到汲極電 極之接觸孔。又，欲形成達到閘極配線之接觸孔，除了第 2絕緣膜外第1絕緣膜也被蝕刻，惟由於在第1絕緣膜下 面存有導電性金屬膜之閘極配線，因此在該部分停止蝕刻 α 之後，在經接觸孔加工之第2絕緣膜上成膜I TO之 透明導電膜時，透明導電膜係成膜成塡補第2絕緣膜上與 各接觸孔。在此使用光罩（第5枚）來圖案形成透明電極 膜以形成像素電極。之後，覆蓋接觸孔而留下透明像素電 極部分，可形成電氣式地連接.第2絕緣膜下之第1導電膜 與第1絕緣膜下之閘極配線的連絡路，由此，可得到表示 第4圖與第5圖之構造之薄膜電晶體陣列基板81。 用以上之製造方法製造薄膜電晶體陣列基板則可將使 用之光罩之使用枚數成爲5枚，可儘量減少所需光罩枚數 而可簡化製程，並可提高良品率。尤其是，在下述之方法 要六枚光罩，惟在本例子之製造方法，由於可使用五枚光 罩可製造，因此對提高良品率有貢獻。. 第6圖與第7圖係表示將與表示於第4圖與第5圖之 構造之液晶顯示裝置在基本上構造作爲相同，而將閘極配 線8 6與像素電極1 〇 8之端部1 0 8 a的連接構造作成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫表頁) 本紙伕尺度逋用中國國家揉隼（CNS ) A4*t格（210X297公羞） 經濟部中央揉丰局Μ工消费合作杜印装 4 2 6 8 1 1 A7 _- _B7_五、發明説明<8 ) 其他構造時的形態。 在該形態中，疊層第1絕緣膜（閘極絕緣膜）1 2 2 與第2絕緣膜（鈍化膜）128,惟與像素電極108之 端部1 0 8 a—起構成儲存電容之第1電極膜1 2 3的構 造及連接狀態與先前形態不相同，惟對於可產生儲存電容 之點具有同等效果。 首先，僅在第1絕緣膜1 2 2形成有貫穿於閘極配線 8 6之接觸孔1 2 4 »介經利用該接觸孔1 2 4所設置之 連絡路1 2 5連接有第1電極膜1 2 3與閘極配線8 6。 又，設於像素電極1 0 8之緣部的延伸部1 0 8 a係作爲 相當於一個像素部8 7之寬度的寬度，延伸形成成覆蓋相 當於一個像素部8 7之閘極配線8 6之大部分，而第1電 極膜1 2 3也延伸形成成覆蓋相當於一個像素部8 7之閘 極配線8 6的大部分。 欲製造表示於第6圖與第7圖之薄膜電晶體陣列基板 ，係在基板9 0上與先前形態時同樣地實行使用光罩（第 1枚）之圖案形成俾形成閘極電極與閘極配線。之後，在 此等上面與先前形態時同樣地形成第1絕緣膜，又使用光 罩（第2枚）形成弧島狀之半導體能動膜與電阻接觸膜 然後，在閘極絕緣膜上使用光罩（第3枚）實行圖案 形成|俾形成接觸孔，然後在此等上形成源極電極與汲極 電極形成用之導電性金屬膜，使用光罩（第4枚）實行圖 案形成，俾形成源極電極與源極配線及汲極電極以及儲存 電容用之電極。之後，在此使用圖案形成之膜來實行半導 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS > A4洗格（210X297公釐)~~_21 . " ίΊ!„------裝------.訂------減 {請先聞讀背面之注意事項再填商本頁) 426811 Λ7 B7 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 五、發明説明彳9 ) 體能動膜之通道部分的蝕刻，俾形成通路，然後，疊膜覆 蓋此等之SiNx之鈍化膜。 、 然後，使用光罩（第5枚）實行鈍化膜之蝕刻，形成 達成汲極電極的接觸孔。 之後’在此等上面實行I TO之透明像素電極形成用 的成膜，使用光罩（第6枚）來形成透明像素電極，同時 也形成儲存電容形成用之電極而可得到在第6圖表示剖面 構造之構造。 介經採用如上述之製造方法，可將表示於第6圖之構 造使用6枚之光罩加以得到。 第8圖及第9圖係表示在.順交錯型液晶顯示裝置適用 本發明之實施形態的剖面圖與平面圖。 該例之液晶顯示裝置1 3 0係具備：薄膜電晶體陣列 基板1 3 1，及平行於該薄膜電晶體陣列基板1 3 1隔離 所設置之透明對向基板1 3 2，及封裝於上述薄膜電晶體 陣列基板1 3 1與對向基板1 3 2之間的液晶1 3 3。 在上述薄膜陣列基板1 3 1，與表示於第1 0圖與第 1 1圖之以往構造同樣地，多數源極配線1 3 5與多數配 線1 3 6排列形成平面視時成爲矩陣狀，源極配線1 3 5 與閘極配線1 3 6所圍繞之各該多數領域作爲像素部 137,在對應於各像素部之領域分別形成有I T 0等之 透明導電材料所構成的像素電極1 3 8，同時，在各像素 部1 3 7之隅部，有薄膜電晶體T 1設於鄰接之其他之像 素部1 3 7之一部分。 —Ί J；------裝-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
*1T 本紙張尺度遑用中«國家樣準（CNS > Α4现格（210Χ297公釐） -22- 經濟部中央標率局—工消费合作社印«. 4 268 1 1 Λ7 _______B7 五、發明説明如） 第9圖係放大表示對應於以源極配線1 3 5與聞極配 線1 3 6所圍繞之一像素部1 3 7所設置之薄膜電晶體 T 1之部分與其周圍部分的平面圖，在薄膜電晶體陣列基 板1 3 1多數排列形成有像素部1 3 7而構成作爲液晶顯 示裝置130之顯示畫面。 更詳述本形態之薄膜電晶體陣列基板131的構造； 在各像素部1 3 7有多數源極配線1 3 5互相地平行形成 在基板1 4 0上，各源極配線1 3 5之一部分作爲源極電 極1 4 9，同時有汲極電極1 4 8形成於基板1 4 0上成 爲對向於該源極電極1 4 9，而在基板1 4 0上設有半導 體能動膜1 4 3成爲連接於源極電極1 4 9與汲極電極 1 4 8，覆蓋此等設有第1絕緣膜（閘極絕緣膜）1 4 2 ，在半導體能動膜1 4 3上之第1絕緣膜1 4 2上與半導 體能動膜1 4 3相對向地積膜有閘極電極1 4 1。 然後’覆蓋薄膜電晶體T1與第1絕緣膜1 4 2設有 第2絕緣膜（鈍化膜）150,位於該第2絕緣膜150 上|設有像素電極1 3 8成爲覆蓋對應於像素部1 3 7之 領域，該像素電極1 3 8係形成於薄膜電晶體T 1之汲極 電極1 4 8之端部上的第1絕緣膜1 4 2及第2絕緣膜 1 5 0的導通孔1 5 1所形成的連接導通膜1 5 2連接於 汲極電極1 4 8。 然後，對應於像素電極1 3 8之緣部所設置之第1電 極膜1 7 0係在各像素部1 3 7環狀地形成，並將第1電 極膜1 7 0形成對應於像素電極1 3 8之大約週邊的形狀 本纸乐尺度適用中國國家橾率{ CNS )如规格（2丨0><297公嫠） --Ί.----^—裝--------訂-------Λ. (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -23- 4268 1 A7 B7 經濟部中央橾準局及工消费合作社印家 五、發明说明h ) 。又，設於各像素部1 3 7之第Ί電極膜1 7 0係藉由平 行地配置於閘極配線1 3 6的連接導體1 7 1互相地連接 ，各連接導體1 7 1係延伸至基板之閘極配線的各端部側 而互相地連接在基板之端部側被接地，各第1電極膜 17 0 .........係形成作爲接地電位。又，在像素電極 1 3 8中與第1電極膜1 7 0對向之部分係作爲第2電極 膜 1 3 8 A。 即使使用如上之構成之順交錯型之薄膜電晶體的液晶 顯示裝置1 3 0，也可得到與表示於第3圖之實施形態時 同等之效果。亦即，由於以像素電極1 3 8之全周圍的第 1電極膜170，及對峙於該第1電極膜之第2電極膜 1 3 8A可構成儲存電容，因此，可抵銷在液晶顯示裝置 必然產生之寄生電容而可得到薄膜電晶體T 1之安定動作 〇 亦即，在該實施形態之構造，由於並不是如以往構造 之閘極絕緣膜與鈍化膜之複數絕緣膜，而是僅以鈍化膜 1 5 0之單一膜構成儲存電容，因此，形成與使用複數絕 緣膜之以往構造相同之儲存電容，則可減少用以構成儲存 電容之電極的對向面積（像素電極.1 3 8之緣部與第1電 極膜170之對向面積），由此可提高作爲液晶顯示裝置 之孔徑比率。 又，由於以單一膜構成儲存電容，因此，與使用複數 絕緣膜之以往構造相比較|將用以構成儲存電容之電極的 對向面積（像素電極1 3 8之緣部與第1電極膜1 7 0之 n Li-H— l· I I .—I I—--n I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -f1T' 本纸張尺度遢用中國鬭家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- A2BS 1 1 /· A7 B7 經濟部中央梯率局貝工消费合作杜印製 五、發明説明如） 對向面積）成爲相同之對向面積'則可增加儲存電容，可 得到信號之安定化。 . 又，由於在表示於第8圖與第9圖之構造，從像素電 極1 3 8所發出的電氣力線，係拉向設於像素電極1 3 8 之所有週圍的第1電極膜1 7 0側方式變形地產生，因此 ，對於該放射狀地變形之電氣力線而直角方向有扭矩作用 於液晶分子，結果，液晶分子係構成複數領域而採用均勻 配向狀態，結果，施加電場即可自動地產生複數領域，由 此*可將相同傾斜角之均勻配向狀態之液晶分子所構成的 領域在每一像素1 3 7自動地變成具有複數之狀態》 故，由於在像素電極1 3 8之大約週圍的廣面積可產 生電氣力線之變形，並可得到多領域化，因此，液晶顯示 裝置之上下方向之急激且非對線之對比的變化確確實地被 緩和使之對稱化，而不會產生中間調之色調之反轉的領域 可確實地得到放大之效果，由此，可得到視野角度依存性 較少之廣視野角度特性的液晶顯示裝置。 (實施例） 比較表示於第1圖與第2圖之本發明構造之薄膜電晶 體陣列基板，及表示於第1 0圖與第1 1圖之以往構造之 薄膜電晶體陣列基板的儲存電容》 在表示於第2圖之構造中，在一像素部將構成儲存電 容之第1電極膜與第2電極膜之間的對向面積設定在6 7 5 vm2，而在此等之間將厚度0 · 4#m之氧化矽所構成 I ft -' n i I - I —I !i 1 I (請先閱讀背面之注意^項再填寫本页)
-.1T 4 本紙張尺渡逋用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -25- 經濟部中夹揉率局貝工消费合作社印家 d268 1 1 A7 ___B7____五、發明説明妇 ) 的鈍化膜作爲介質膜時，則可得到0 · 1 P F之電容》 對此，在表示於第1 0圖與第1 1圖之構造中’在一 像素部將構成儲存電容之第1電極膜與第2電極膜之間的 對向面積設定在1 0 〇 〇 Am2，而在此等之間將厚度 0 · 4/zm之氮化矽所構成的鈍化膜與厚度0 . 3#m之 氮化矽所構成的閘極絕緣膜作爲介質膜時，則可得到 0.085PF之電容β 由以上事項，採用表示於第1圖與第2圖之構造’在 相同對向面積，可增大約7 0%之儲存電容β 又，在鈍化膜之介質係數，以往構造或本發明構造均 相等爲約6 . 7。 若以與表示於第1 0圖與第1 1圖之先前例子所得到 儲存電容相同之儲存電容採用表示於第1圖及第2圖之構 造時，爲了得到0 . 085PF之電容，由於可將第1電 極膜與第2電極膜之間的對向面積減少1 . 5%，因此， 在作爲相同儲存電容時，可將液晶顯示裝置之孔徑比率提 局約1 %。 (發明之效果） 如上所述地依照本發明之薄膜電晶體，在具備逆交錯 構造之薄膜電晶體的液晶顯示裝置，由於區分閘極絕緣膜 與半導體能動膜的第1絕緣膜係經由另外所設置之第2絕 緣膜對峙地設置第1電極膜與像素電極，並僅將第2絕緣 膜作爲介質膜來構成儲存電容，因此，與如以往構造以電 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本页} 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4规格（210X297公釐} -26- 4268 1 1 鲤濟部中央揉準局貞工消费合作杜印* A7 B7五、發明説明知） 極膜夾住兩種類之絕緣膜來構成儲存電容的構造相比較， 於爲相同對向電極面積，可提高儲存電容，並可得到薄膜 電晶體之安定動作。又，若將儲存電容爲與以往構造相同 電容，則可減少對向電極面積並可得到作爲液晶顯示裝置 之孔徑比率。 又，由於可兼用形成源極電極與汲極電極之膜及形成 第1電極膜之膜，因此，與形成源極電極與汲極電極時之 成膜處理與圖案形成處理之同時也可形成第1電極膜，又 ，由於形成像素電極時之成膜處理與圖案形成處理之同時 也可形成對向電極，因此也不會將製程成爲複雜，又在不 會降低良品率之狀態下可得到儲存電容產生用之電極膜。 在上述之構造中，若以貫穿第1絕緣膜與第2絕緣膜 之連絡路將像素電極連接於閘極配線|由於形成像素電極 時之圖案形成之同時也可形成連絡路，因此，可減少使用 之光罩枚數而可簡化製程。 第1電極膜作爲接地電位時，在產生像素電極之電場 中，被接地之第1電極對向之緣部的領域之電場係成爲與 像素電極之中央部側的領域所產生之電場不同。由此可知 ，液晶之配向性係在對應於像素電極之中央部側的領域與 像素電極之第2電極膜側的領域成爲不同，由於可成爲多 領域化，由此，液晶顯示裝置係成爲可緩和以往就作爲問 題的視野角度依存性。 亦即，從像素電極所產生之電氣力線係在像素電極之 中央部側領域向對向基板之共用電極膜，惟由於在像素電 本紙#尺度通用中國國家標準（CNS ) A4现格（210XM7公釐）刀· itl·--1------裝----：--.訂------I <請先閱讀背面之注意事項再填本頁) 426811 A7 B7 經濟部中央梯準局員工消费合作社印簟 五、發明説明如） 極之緣部側中電氣力線係產生變形成拉向第1電極膜側， 因此，對於電氣力線有扭矩向直角方向作用於液晶分子之 結果，液晶分子係對應於像素電極之中央部側領域者，及 對應於對峙在第1電極膜的像素電極之緣部側者，一面構 成複數領域一面成爲均勻配向狀態。結果，施加電場即可 自動地產生複數領域*由此，可將相同傾斜角之均勻配向 狀態的液晶分子所構成之領域自動地變更於每一像素部成 爲具有複數狀態。 故，在液晶顯示裝置之上下方向的急激且非對稱之對 比的變化會確實地被緩和而成爲對稱化，可確實地得到放 大不會產生中間調之色調的反轉之領域的效果，由此，可 得到視野角度依存性較少之廣視野角度特性的液晶顯示裝 置。 又，並不是將上述之構造具備逆交錯型之薄膜電晶體 的液晶顯示裝置，而也可適用於如申請專利範圍第4項所 述之具備順交錯型之薄膜電晶體的液晶顯示裝置，此時也 可得到同等之效果。 〔圖式之簡單說明〕 第1圖係表示本發明之逆交錯型之第1實施形態之液 晶顯不裝置的剖面圖。 第2圖係表示同第1實施形態之液晶顯示裝置的平面 圖。 第3圖係表示本發明之第2實施形態之液晶顯示裝置 --Γ----------裝-- <請先閱讀背面之注意ί項再填寫本頁) ,ιτ 本紙張尺度遒用中國國家揉率{ CNS ) Α4洗格（2丨ΟΧ297公釐） -28- 4 268 1 經濟部中央棟隼局負工消费合作杜印装 〔記號之說明〕 T,T1 .T2.T100 30.80.1 10,130 31 ,81,1 1 1,131 32.82.1 12,132 33.83.1 1 3,1 33 38.88.1 08,138 A7 B7 五、發明説明<6 ) 的平面圖。 ' 第4圖係表示本發明之第3實施形態之液晶顯示裝置 的平面圖。 第5圖係同第3實施形態之液晶顯示裝置的剖面圖。 第6圖係表示本發明之第4實施形態之液晶顯示裝置 的剖面圖。 第7圖係表示同第4實施形態之液晶顯示裝置的平面 圖。 第8圖係表示本發明之順交錯型液晶顯示裝置之實施 形態的剖面圖。 第9圖係表示同液晶顯示裝置之一實施形態的平面圖 0 第10圖係表示具備以往之液晶顯示裝置之一例子之 薄膜電晶體陣列基板的剖面圖》 第11圖係表示具備以往之液晶顯示裝置之一例子之 薄膜電晶體陣列基板的平面圖。 薄膜電晶體 液晶顯示裝置 薄膜電晶體陣列基板 對向基板 液晶 像素電極 本纸张尺度適用中國®家梯率（CNS)A4规格（2丨0X297公釐）_ J—„---------裝----r--:訂------^ (請先閱讀背面之注f項再填拷本！) 1268 1 Λ7 B7 五、發明説明釘) 40.90.140 41.91.141 42,92,122,142 43,93 49,99 48,98 50,100,128,1 50 1 70 基板 閘極電極 第1絕緣膜（閘極絕緣膜） 半導體能動膜 源極電極 汲極電極 第2絕緣膜（鈍化膜） 第1電極膜 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局負工消f合作社印装 本紙張尺度遑用中國國家標车（CNS > A4洗格（210X297公釐） -30-