TW425718B - Vertical transistor - Google Patents

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經潢部中决標隼局員J-消費合作妇印f 425718 A7 B7 五、發明説明（’） 發明領域 一聆而言，本發明僳鼷於元件及元件製造，尤指直立 式爾晶餺。 發明背哥 宑餺作半導艚元件時，翕在基板上形成絕緣曆，半 導爾覉和導霄層.瑄些層都要製作成圖案，以產生特激 和空間.而特徽和空間之最小尺寸或特戤尺寸（F)係取 決於撖影郸稃系統的解析度，將特擞和空間製作成圖案 .W形成半導艚元件，如電晶體，電容器和電姐器，然 後將瘡些元件相互連接Μ達成想要的電性功能，各種不 簡元件轉的形成和圓案製作都是使用傳統的製作技術達 成.諸如n化，雛孑布植，澱積，矽的磊晶成長，撤影 邾稈和触刻等，此處納人參考之技術說明在198S年New York之Mcfiraw-Ηίΐΐ出販社出版，由施敏所著之第二版 VLST Technoiofiy— 書中。 觫機存取記憶照，如動態鼸和存取記憶體（DRAMs ),含 有組成列和行K儲存資訊之記憤單胞，例如，有一種記 憤莆胞包含利用金鬭線連接到溝渠電容器之電晶體，典 型地.該電容器稱為”節點 '當工作時，允許電晶體_ 取雷容器的資料，或將資料寫入電容器。 元伴尺寸需要繼鳙縮小，以利於設計更高密度和更小 特激R寸及單睢面穑之DRAHs,例如，已研究將傳統單 胞而稹從8F2減小到低於6P2,但是，製作此種濃密地擠 存一起的特徵和輩胞尺寸之元件會有問題，例如，遮罩 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. 425718 A7 B7 經沪部中央標準局努工消贽合竹.d印繁 五、發明説明 ( > ) 1 1 1 准 位 m # 隳 敏 度 小 型 化 的 結 果 « 使 得 很 雞 設 計 和 製 作 1 1 I OR AMS 胞 中 的 窜 晶 體 » 此 外 1 此 種 小 型 化 產 生 陣 列 元 件 1 1 Η 夸 到 限 制 造 成 對 單 胞 操 作 有 不 利 影 響 之 短 通 道 請 1 先 1 間 m , 對 於 维 步 惡 化 該 問 題 % 短 通 道 元 件 設 計 規 則 與 閱 1 f- i 傳 統 的 節 接 面 低 m 位 揆 雜 相 矛 盾 〇 I 之 1 } 由 Η h 之 討 論 T 明 顯 地 * 有 需 要 提 供 —* 容 易 實 行 在 注 意 1 I 事 1 OR hHW. m 中 之 m 晶 髓 〇 項 再 1 I 發 明 m 述 填 % 1 本 本 發 明 係 翮 於 —- 種 直 立 式 電 晶 體 9 在 實 施 例 中 ， 直 立 頁 1 | m 晶 辑 係 為 具 有 满 渠 電 容 器 之 記 憶 單 胞 的 成 員 » 溝 渠 ! | 窜 m 器 係 形 成 在 基 板 9 如 矽 晶 圓 之 中 * m 渠 電 容 器 之 上 1 1 寿 面 內 凹 低 於 基 板 的 上 表 面 提 供 -- 種 淺 溝 渠 絕 緣 體 1 訂 1 I (S下T ) 使 記 憶 單 睢 與 其 他 元 件 隔 絕 * ST I重叠部分的溝 m 窜 η 器 * 保 留 在 满 渠 電 容 器 上 之 其 餘 部 分 * 此 外 電 1 1 晶 艚 位 在 相 對 於 ST T之基板上， 該罨晶體包含閘極， 汲極 i I 和 厢 择 而 閛 m 包 含 —. 具 有 水 平 部 分 和 垂 直 部 分 之 導 電 1 1 圃 - η 水 平 部 分 係 位 在 基 板 表 而 之 上 » 而 該 垂 直 部 分 則 [ m 入 存 讷 側 荦 和 ST I側壁之間的其餘部分， 電晶體的垂直 1 I 部 分 係 鞯 由 介 電 層 與 溝 渠 電 容 器 絕 緣 0 1 1 m 式 簡 m 說 明- 1 1 第 1 關 為 傳 統 的 DR AH簞 胞 ί 1 I 第 2 圖 為 根 據 本 發 明 之 DRAM 單 胞 反 1 1 第 3 a -3 i圄為第2 圖之DRAM單胞的製程。 1 I 發 明 詳 述 - 4 - 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X29·/公釐） 拎斌部中央標卑局兵^消費合竹社印繁 4 25 7 1 8 A7 B7五、發明説明（* ) 水發明係鼸於一種直立式電晶體，基於說明，將在文 脈中敘炖本發明之濟渠電容器DRAM單胞的製法，但是， 本發明可-廣泛的延伸到一般電晶體的製法，為了方梗 明瞭本發明，將說明一種傳统之溝渠電容器DRAM單胞。 參考第1鬮，其_示傳統之溝渠罨容器DRAM單胞100, 例如，眈癍納入參考的此種傳統溝渠電容器DRAM單胞取 材自等人在1993年IEDM研討會論文集第627頁所 發表之 A 0,6 wnf 256Hb Trench DRAM Cell with Se- t ... , .., .......... — --------- If- Aligned Buried Strap (BEST)論文，通常，軍胞 随列係賴由字元線和位元線相互連接而形成DRAM晶Η。 該DOM單胞，包含一形成在基板101中之溝渠電容器 160.該基板用Ρ型雜質，如硼（Β),作輕微摻雜（Ρ-), 禅常，該满渠是用有η型雜質，如砷（As),作大量摻雜 U + )旳多晶碑（poly)161填滿，該多晶矽當作電容器的 平板之一，而電容器的另一平板則由用As摻雜之埋人式 平板1 6 5構成。 該DRAM翬胞也缠包含一種水平式電晶體110,此種電 晶賻包含-閛棟1〗2,湄極113和汲搔14,而閘搔和源極 則：i·藉由布值γ»型雜質，如磷（P)所形成，該電晶體可 K經由金靨帶125完成連接電容器，該金屬帶低將溝渠 中As摻雜多晶矽的As雜質向外擴散而形成。 瓚管168係形成在溝渠的上部，共可Μ防止節點接面 穿透到該埋人式平板，穿透是不想要的，因其會影響單 睢的操作能力，如_所示.瓖管定義埋人式金臑帶的底 -5 - (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 *-° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公嫠） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 425718 Λ7 Η 7 五、發明説明（4 ) 部和地入式平板的頂部。 含有η型雜質，如P之埋人式井1 7 fl偽形成在基板表 面之下，此埋\式η犁井之雜質濃度的峰倌大約在環管 的底部，通常，此井為輕撒椟雜，埋入式井係要將D R A Μ 單胞之埤入式平板連掖成陣列。 電晶_要在源極提供一適當的電賴才能工作，而閘極 致能資料寫人到溝渠電容器或自溝渠電容器謓取，一般 而言，閘極和源棟係分別形成I) R A Μ陣列之字元線和位元 線，淺溝渠絶綈體（S Τ I ) 1 S 0之形成係要将D R A Μ單跑輿其 他單胞或元件隔離，如圖所示，宇元線1 2 0係形成在溝 渠之丨:.，fl藉由S Τ Τ從那裡隔離，字元線1 2 0稱為”通行 字元線”，此種紐態稱為折稱式位元線結構。 笔2圖為根搏本發明之苜立式雷晶體2 5 (]的菁施範例， 此稈首立式電晶體偽製作在D R A Μ單胞2 1 0之中，該13 R A Μ 單睢為一榑合併絶綠節點溝渠式（M U Τ )單胞，當然也可 以使用其他揮單胞組態。 如圖所示，該I) RA Η單胞採用一形成在基板2 (U中之溝 渠電容器2 1 0，例如，該基板用具有第一導電型之雜質 作輕檝探雜，在實施例中，該基板煤用Ρ型雜質，如Β ，作輕微摻雜（Ρ-),通常，該溝渠包含用具有第一導電 型之雜質作大鼉楔雜的多晶矽2如圖所示，該多晶 5々傜用η型雜質，如A s或Ρ大暈摻雜（η + )，在實施例中， 該多晶矽係用4 s大最楔雜，該多晶矽2 1〗為電容器平板之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規椹（21〇Χ29·Μ>^ ) ϋ - ----- - ---4-. - n - ----丁 __ I^i n ____ T-a 系 (鄣先閲讀背面之注意事項存填齊本頁) 425718 A7 B7 五、發明説明（ί· 經"_部中央標準局负工消费合作社印f 一.而甯容器的另一平板則為含有As,例如，之η型埋 Α式平板220。 瑁管227黄近溝渠旳頂部，且稍微延伸低於埋入式平板 的頂部.該環管要夠厚，才能防止從節點接面穿透到該 揮人式平板.在本首施例中，環管厚約30-40ϋ®,例如， 含有Ρ雜質之η型埋入式井2 2 5約在環管2 2 7的底部，該 揮λ式井將陣列中的其他DRAM單胞之埋入式平板連接在 一起0 例如.該苜立式電晶體250為一η通道罨晶體，此種 雷晶髑包含一 閘極256,源極251和汲極252,也稱 為”字元镍”之堆《閘極通常包含導電層253和氡化物層 2 5 5,存太實_例中，該導電膊253為一多晶矽層，二擇 其一地.該導窜曆也可Μ為一多晶矽化物層，Μ滅少字 元镍的電咀，多晶矽化物層包含一在多晶矽層頂部上之 讷化物瞑，包含銪（Μ 〇 S U ),钽ί T a S i X )，鎢（W S i X ),鈦 (T丨Six)或鈷iCoSix)之各檷矽化物可Μ用以形成該矽化 物覉.鋁或耐火金麵，如鎢和鉬，或許可以單獨使用或 甜矽彳h物組合而形成該導電暦。 含有多晶矽之閘樺的部分245畲延伸越過堆β閘極256 之邊緣而谁人溝渠之上部分，位在該閘極之部分245下， 有一介雷罾2 3 3,此介電層要夠厚，才能隔離部分245和 節點.存本管腌例中，該絕緣層包含一藉由高密度電漿 艄稹，例如.氣化物而形之介電質材料。 存IS閛極之下為一閘瘓氧化物259,此閘搔氧化物自 讀„ 先 聞 讀 背_ 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】0X 297公釐） d257 1 8 紂沪部中央標準局员工消资合竹社印繁 A7 B7 _五、發明説明（fc ) 推耨閛樺25R的下方延伸到源極251之另一側，且總繞著 某板側孽.延伸件該絕緣層233,該汲搔位在毗連該閛 楝氣化物鼸镜部分之矽基板中，該汲極和源極要有適當 的雜®縱琛.才能完成想要的電特性。 椴博太發明.該閘極包含一水平部分256和一垂直部分 ?4叭該银首水平部分之部分245垂直延伸到低於在溝渠 ?10卜_夕萆板表而，藉由垂育部分245，元件長度可Μ不 用增加弄而榑而仍能延伸，例如，元件長度可賴由形成 深人蓽板之垂肓部分而增加，因此，該直立式電晶體可 W辨免跟短埔道效鼴有醑之問題。 如圓所示，該介電層233係與該環管分隔，此分隔要夠 大.才能允許足夠多旳電流從節點流到該汲極，使得能 钿撺接該電晶體和該電容器，該汲極係藉由將溝渠多晶 矽之As沣外擄敗而形成。 為了要將該DRAM翬胞與陣列中其他的DRAM單胞分隔， 餺要製作一 STI 3 80,在本苜腌例中，該STI之上表面381 係凸起宑矽基板表商390之平面上，二擇其一地，也可Μ 伸用非凸起式STI,此處納人參考的凸起式STI(RSTI)說 明存美瞬未審寒用專利中，其名稱為Reduced Oxidation Stress In the Fabrication Of Devices (待審目錄第 ίί7Ρ74?；7Μ號），如此處所述，該RSTI之上表面凸起在該 萆板表而上要夠多，才硅有效地滅少在該矽基板表面底 下钲伸之薄曆的形成，在該矽基板表面底下延伸之薄層的 形成，對於陣列中之DRAM簞睢的操作性有不利的影響， -8 ~ (請'先閱讀"-面之注意事項再填寫本頁) '11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） Γ 4 2571 8 Α7 Β7 經消部中央標準局兵工消費合作衫印掌 五、發明説明 ( 7 ) 1 1 1 存 本 W _ 例 中 . 該 R ST [之 上 表 面 凸 起 旳 距 離 大 約 1 0 0 η « 1 ! | 較 佯 之 距 離 約 為 20-1 0 0 n si * 更 佳 之 距 離 約 為 4 0 _ 8 0 n id , 1 1 而 # 佯 之 距 雛 約 為 5 0 - 7 0 n ed 在另- -贾施例中， 該 RSTI /·v 誚 i 先' 1 上 m 而 凸 起 的 距 離 大 約 為 5 0 n a 1， 當 然 也 可 Μ 使 用 具 有 閱 讀 1 t- 1 致 h 為 平 m 表 而 之 矽 基 板 上 表 面 的 STI 〇 I 1 I 對 於 h m 之 RS Τ I 有 製 作 氧 化 物 2 40之薄層， 該氧化 注 意 1 I 事 1 物 钲 伸 谁 人 該 堆 # 閘 m 之 ___· 部 分 多 晶 矽 2 13, 該氧化物 項 再 1 I 係 當 作 紳 剃 停 ih 阍 用 Η 触 刻 形 成 該 堆 叠 閘 極 該 氧 化 寫 1 t 本 1 物 班 伸 m 人 該 堆 « 閘 極 要 夠 多 * 才 能 防 止 堆 叠 閘 極 蝕 刻 頁 1 1 不 # m 刻 携 人 該 閘 極 之 部 分 245 . 在S施例中， 該氧化物 1 I 名 義 h 約 延 伸 該 閘 m 寬 度 的 1/3 D 1 1 行 维 字 元 線 (未顯示） 係 形 成 在 該 RST I 之 上 9 此 行 進 字 - i 訂 1 I 元 m m 由 該 RSTI 與 該 溝 m 分 隔 9 在 本 實 施 例 中 * 該 行 進 字 元 線 的 某 一 m m 與 該 溝 渠 之 側 壁 對 齊 % 側 壁 之 相 對 側 1 1 m 該 閘 m 2 5 6對齊， 目自閛樓2 5 6延 伸 * 此 種 組 態 稱 為 開 1 I π 析 裙 式 位 元 媒 結 構 $ 也 可 Η 使 用 其 他 的 組 態 9 如 折 褶 1 1 線 式 或 開 π 式 結 構 〇 1 如 闢 所 示 * 該 第 — 導 電 型 為 P 型 而 該 第 二 導 電 型 為 1 I η 型 但 是 * 也 可 Μ 使 用 P 型 多 晶 % 填 滿 溝 渠 Ψ Μ 在 Π 1 ! 型 箪 板 中 形 成 DR AM 單 胞 » 此 外 * 有 可 能 用 雜 質 原 子 作 大 I 1 暴 地 或 輕 m 地 m m 基 板 井 t 埋 人 式 平 板 1 及 其 他 DRAM 1 I m 胞 之 m 件 ' Η 完 成 想 要 的 電 特 性 〇 1 1 第 3 a _ 為 將 該 盲 立 式 電 晶 體 形 成 在 含 有 溝 渠 電 晶 體 1 I 和 R ST T 之 DR AH單 胞 中 的 m 程 f 9 - 參 考 第 3 a 圖 ， 溝 渠 電 容 器 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 經來—部中决標if局Μ X,消费合作社 d257 1 B A7 B7五、發明説明（< ) 310係形成在華板301之中，該基板之主表面並不是很重 要.而目可W便用任何適當的方向，如（100), (110), 或Π11).在管_例中，該基板為已用P型雜質，如B, 銲徹揆雜（P-)之矽晶_，通常，堆*垫330係形成在該 某板之表而I：.例如，該堆#墊包含一墊氧化層331, 一拋光停士圃；? 3 2 .及一硬遮罩罾（未顯示），例如，該 啉光停止颦為氡化物，而該硬瑭罩層為TEOs,該硬遮罩層 也可W伊用其他的材料，如BPSG, BSG或SAUSG。 該溝渠窜容器3 10係利用傳統技術形成在該基板之中， 例如，此處納人參者的此_技術由M u I I e「等人發表在 199(5 年 TEDM論文集第 507頁之 Trench Storage Tec- hnolosv for Gigabit DRAM Generations ,如圖所示，該 满渠係由已用As雜質大量摻雜之多晶矽31 4填滿，此摻 雜的多晶矽為該電容器平板之一，含有As雜質之埋人式 平板3 20_销在該满渠的底部，E為該電容器的另一平 板，該灌渠和埋人式平板係利用節點介電層312使彼此相 百分隔，在本實晰例中，該節點介電層包含氮化物和氧 化物環管3 27係形成在該溝渠的上部之中，例如，該 頊管包含一埔介窜質材料，如TE0S,此外，堪有製作用 P雑質輕微揆雜之η塑井32 5,用Μ將該陣列中的DRAH 單胞之埤人式平板相互連接在一起。 如第3 a鬪所示，例如，該基板之表面已用化學和機械 式抛光法（CMP)拋光過，該氮化物層332為CHP停止層，就 是在作CMP時，一曰達到該氮化物層就會停止，结果，移 -1 0 - ---------真------訂------崠 (請_先鬩讀#面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經消部中央標準局貝Η消費合竹社印震 425718 A7 B7五、發明説明（9 ) 除覆蓋基板表面之多晶矽，保留在該氮化曆332和溝渠 多晶矽314之間大致平坦的表面，此係為了 Μ後之製程。 參考第.此圃示將溝渠連接到DRAM單胞的電晶體 之金靨帶的形成，例如，利用反應離子蝕刻（RIE),將 該溝渠中的摻雜多晶矽314製作一夠深之凹槽，使能容 納該菹立式電晶體之長度，在本實_例中，該多晶矽凹 進該矽表面之下約200 - 500n m,該多晶矽凹進該矽表面 之下約30〇-400ηβ較佳，約35 0πβ更佳，在該溝渠製作凹 槽之後，為了 Κ後的製程，要清洗該溝渠之侧清洗 該俩壁也可使該環管凹進該捿雜多晶矽314的上表面之 下，此會在該矽和多晶矽倒坚之間形成間隙。 多晶矽層係位在該基板之上，用以覆蓋該氮化物層330 和該溝渠的上部分，通常，該多晶矽層為本質或未摻雑 多晶矽層，平坦化該多晶矽層，使其降到該氮化物層332 ，例如，在平坦化之後，在該溝渠中之該多晶矽凹進該 基板表面之下約300ηιι,而在該摻雜多晶矽314上之金羼 帶340 厚約50na。 參考第3c圔，如氧化物之介電層係形成在該基板表面 之上，例如，該氧化物麿為藉由高密度化學氣相澱續法 (HDCVD)形成之共成形層，實行部分移除該氧化物之蝕 刻，Μ保留在金_帶340之上的氧化物層341,該氧化物 層要夠厚，才能分隔該電晶體之閘極，而此電晶體係要 形成在該溝渠的上部分之上，在本實施例中，該氧化層 厚約5 0 η β。 -1 1 - (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2)0X297公釐） ^消部中决標卑局只工消費合作社印繁 425718 A7 B7五、發明説明（、。） 之後，柊除該氮化物墊和氧化物層，例如，先利用濕 式化擧轴剌法柊除該氮化物墊，該濕式化學蝕刻法像選 擇轴刻氧化物，為了要確定有完全移除該氮化物層，則 揉用渦触剃的方法，接著，藉由選擇蝕刻氧化物之濕式 化璺紬刻法，柊除該氧化物塾，因為該氧化物層341比 該氬化物犁厚.所以蝕刻速率較低，结果，在移除該氧 化物嵆時.R柊除了 一定最之該氧化物層341。 接著.存該晶阆表而上形成一氧化物層（未顯示），此 稱為”W禳犧杵鼷”之氧化物睛係當作在之後的雜子佈植 ^麻解氧化物。 為了要形成用於DRAM單胞之η通道取存電晶體，需要 存該氛化物翳上轂穫一層光阻層（未顯示），再將此光阻 層製成_當的_案，以露出Ρ型并匾，最後將Ρ型雜質 .如Β,棺入此Ρ型井區，該雜質之植入要夠深.才能 防ih穿透效應產生，該雑質之縱深係要能達成想要之電 持件.如閘稼臨限電颸（Vt丨，當要設計雑質縱深時，要 考醴其後的製稈，井雜質有不同的熱處理。 此外.谭有要形成用於η通道支援電路之P型井，然 後再彩成用在互補式金氧半（CMOS)元件之互補井一 η型 井.要形成η型井就還需要額外的撤影製程和佈值步驟 .用W定義和形成該η型井，如同該Ρ型井，該ti型井之 縱深也是要肆到想要的電特性。 存佈棺之後.就要柊除該閘極镦牲層，然後形成閛極 氣化顆359,各種不同的製程步驟會使As雜質從該溝渠 -12- (請·先閱讀f面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4 25 7 1 8 A7 好"1部中央#準局Ml消费合竹社珥f, B7五、發明説明（） 中之揍嫌多晶讷3〗4擴散通過該金臑帶340,而形成該汲 楝3 3.5.該汲樺之雜質擗深要斟酌其後的製程熱處理。 參考第3d圖，一多晶矽層354澱積在該閘檯氣化物層 359之h,該多晶矽層為該堆#閘極之導電層的下部分， 存本啻嘛例中.該多晶矽罾厚約20-70τϊβ,而較佳值約 為：ϊ〇ηΒι,該多晶矽層與基板表面的形勢相同，照此，在 該潢渠之t形成一孔洞370,然後在該多晶矽層上形成 足wm滿該空隙之介電曆，例如，此介電曆為一氧化物 圃.當然也可以使闬氮化物瑣滿該空隙，在一實腌例中 .該介甯濟.即氣化物晴接著移除及薄擇多晶矽拋光， 而保留下存該满榘之上且由氧化物填滿之該空隙。 接著.存該多晶矽層之上形成一氮化物層372,此氮化 物厨要夠厚.才能當作後面製程之拋光停止層，通常該 氮化物層之典型厚度約為500-1000^。 第鬮為定義和形成該DRAM單胞之RSTI區的製程，如 鼷所示，該RSTI區與一部分的溝渠重叠，而保留其餘的 部分允許足夠大的電流能流過該電晶體和電容器之間， 存本奮_例中，該RSTI的重*部分运該溝渠寛度的一半 .而較佯值約為該溝渠寛度的一半。 該STf區3 30之定義係用傳統的微影製程技術完成，在 审義奸該RSTI區之後，例如，利用RIE技術作非等向性触 刻.钟刻該RSTI區要夠深，才能將該埋入式金匾帶340與 該碑側華隔開，該矽側壁為要形成DRAM單胞之該電晶體 的枏對側，如_所示，該RSTI區之蝕刻深度要低於該環 -13- (請‘先閲讀带面之注意事項再填寫本頁〕 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 425718 A7 B7 五、發明説明（< -部中央標率局另Η消費合竹杜印f 管327之頂部328,在本實胞例中，該RSTI區之触刻要低 於該的表而約450ηι*。 參者第3f_,在該基板之表面上，澱積一足以填滿該 RST丨蔺3 30之介電材料，如TEOS,在本實施例中，例如， 先利用快速熱氣化法（RTO),在該基板表面上形成一薄的 氣化物嗄.然後在該RT0氧化物層上澱積一較厚的氧化物 瞑*如1^(^，此TE0S要夠厚，才能填滿該RSTI,例如， 該TROSiS約5 000-6000¾.在該TE0S成長期間，要先形成 一薄的氣化物圄當作氧化物暦的晶種，用姒減少該較厚的 TFns圃之釅力。 闵為該TR0S屑為共形，如平面犁，所K採用無遮罩STI .而冬出的TE0S可利用RIE移除和抛光，使得具有該氮化 物翳37 2表面之該RSTI上表面很平坦，通常，密度化該 RSTI氣化物偁要改善後來的濕式蝕刻遘揮性，例如，藉 由退火密摩化該R S T I氣化物。 存第.移除該氮化物層，在移除該氮化物期間， 也會柊除一部分的該RSTI氧化物，而保留下基本上具有 平ffl的冬晶肿賻354上表面之RSTI上表面，然後在該氮 化物阍上形成一氣化物層，且將其製成圖案以形成氧化 物3 40.捅常此氧化物係位在該1?51'1330之上，旦延伸通 媧該灌渠側荦之邊逯，該溝渠側壁係在形成電晶髓Μ當 作桷耨閛橛Μ刻之蝕刻停！t層的邊緣上，該氧化物340 可W防ih該堆褥閛择蝕刻不會触刻進入在該满渠上部中 之冬晶矽的該部分351,在本實施例中，該氧化物340延 -14- 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 請. 先 閱 讀 背- 1¾ 之 注 意 事 項 再 ΐτ 經辦部中央標準局MJ.消費合竹社印絮 425718 A7 B7五、發明説明（G ) 伸辅過該灌渠荦之距離名義上約為該閘掻寬度的〗/ 3。 參考第3h圖，形成該堆穩閘極之各層係形成在多晶矽 354和氧化物340之上，如圖所示，一多晶矽層355形成 在眩冬晶的層3 5 4之上，該多晶矽層355偽要用Μ形成堆 褥閘择中之導窜層的上部分，任意地，例如，形成含有 WxSi之碎化物睛，亲生合成的堆#閛掻，Μ降低字元線 雷Β目.該翳355和354之組合厚度要夠，才能形成該閘極 ?該薄雷賻，常然.此厚摩取決於設計之規格，在本苜 _例中.該相合圄之Β麻約為50-100ηΒ,—氮化物層357 形成存謌3 5 5之卜.，該裰化物唐愫當作蝕刻停止層，用 W形成一非寬範閩之位元媒接點。 宑第：Π_.興作基板表面之圓案，Κ形成用於該DRAM __之罱晶艚380的堆#閘極，一通通的堆叠閘極370通 常形成存該満渠之上，且W由該RSTI分隔，源極381係 _由布棺或向外檐散雜質形成具有薄當縱深之源極381, W燁成想要的操作特性，在圔示之實施例中，係佈植P 雜質，以形成該源極，為了要改善源極到閛極之擴散和 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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Claims (1)

1. 425 7 1 8 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一辅陳機存取記憤餺單睢，包含： 一形成宑某板中之溝渠電容器，其中該溝渠電容器 W-·--- :>卜.表而问携人該基板上表而之下； —洚满_絕緣賻< s T I),該S Τ ΐ與一部分的該溝渠電 容器重轔.保留在該溝渠電容器上之其餘部分，及 一位存該蓽板相對於該ST1位置之電晶體，該電晶 艄包含-閘極，汲極和源極，該閘極包含一具有水平 部分和華首部分之導電餍，此導電層的水平部分位在 該某板之表商h,而垂直部分埋入該基板之表面下和 該满蕖雷容器h的其餘部分， 一位存該溝蕖甯容器上之介電層，該介電層係要分 鎘第二閛搔部分和該满繫電容器。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標率局員工消費合作社印裝 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）