TW424123B - Method of welding flow passage-forming member and flow passage-forming member - Google Patents

Description

-2 4 1 2 3 ' ^ A? ______B7 五、發明説明（1 ) (技術領域） 本發明係關於一種流路形成構件之熔接方法及流路形 成構件者。特別是’關於一種可抑制熔接部之結晶組織變 質的流路形成構件之熔接方法及流路形成構件者。又，關 於一種減低表面粗糙度的流路形成構件者。 (背景技術） •裝 •IT. 爲了製作具備流體流動之路徑的流路形成構件，作爲 互相接合兩支以上內部呈中空構件之端面時的熔接方法， 眾知有揭示在日本專利2 6 2 6 8 9 8號公報的電阻熔接 。該電阻熔接，係分別介經銅合金鑄造兩支以上管構件， 互相對接兩管構件同時介經在兩管構件流通大電流，以兩 端面間之電阻所產生之發熱熔融該兩端面並予接合者。 .旅· 經潢部中央標準局月工消费合作杜印袈 然而，用以製作流路形成構件之熔接，係本來僅接合 部在短時間內加熱並施以熔融較理想。但是，在上述電阻 熔接，由於兩端面的加熱之上昇，下降較慢，因此，兩端 面之接合部以外之必需以上較廣部分也被加熱，或是接合 部之熔融狀態會長時間繼續必需以上。由此，兩端面之接 合部的結晶組織有變質之情形。由於一般之流路形成構件 係由耐蝕性優異的結晶組織所構成，因此，若結晶組織變 質時，則成爲降低耐蝕性。結果，在該流路形成構件流動 水等之流體而使用時，有由熔接之接合部腐蝕之問題。 又，上述流路形成構件係分別由銅合金鑄造兩支以上 之管構件，而介經電阻熔接接合兩管構件之端面者。因此 本紙張尺度適用中國國家標準i CNS ) 格（210χ 297ϋΊ~~ 經¾-部中央標準局is：工消费合竹社印¾ 424123 1 A7 B7 五、發明説明（2 ) ，該流略形成構件係具有鑄造品特有之表面粗糙度者。 本發明係考量如上述之事項而創作者，其目的係在於 提供一種介經僅接合部在短時間內加熱予以熔融，可抑制 接合部之結晶組織變質的流路形成構件之熔接方法及流路 形成構件。 本發明之其他目的，係在於提供一種介經熔接一體地 接合分割成兩件以上的中空構件之端面所形成的流路形成 構件，可減低表面粗糙度的流路形成構件。 (發明之揭示） 本發明之第1態樣的流路形成構件之熔接方法，係屬 於內部準備兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該 構件之端面所形成的流路形成構件之熔接方法•其特徵爲 :介經照射電磁波熔融上述端面予以熔接者。 在第1態樣的流路形成構件之熔接方法中，由於介經 照射電磁波未加熱中空構件之端面並予以熔融，因此，可 有效地利用電磁波照射之特徵的急速加熱與急速冷卻。亦 即，介經急速地加熱上述構件之兩端面的接合部，不會有 該接合部以外之必需以上廣泛部分被加熱，而可將接合部 之狹窄部分在短時間內予以熔融。由此，可儘量地防止在 熔接時接合部之結晶組織變質的情形》 本發明之第2態樣的流路形成構件之熔接方法，係屬 於內部準備兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該 構件之端面所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲 --L[-----裝 I — { ' {^1閱请贞而戈注^#項再填巧本頁) ,tx 線 本紙張尺度適用中國國家#率（CNS ) Λ4规梠（210x29D>Jti ) - 5- 4 24 123 ^ at Β7 五、發明説明（3 ) :介經將電磁波對於上述構件之表面從垂直方向向所定角 度傾斜之方向照射，熔融上述端面予以熔接者。又，上述 所定角度係大約10°較理想。 在第2態樣的流路形成構件之熔接方法中，由於熔接 中空構件時，將電磁波對於中空構件之表面從垂直傾斜所 定角度予以照射，因此，可防止照射在接合部的電磁波之 反射波，直接入射在放射電磁波的放射部的電磁波頭。 '裝·

*1T 本發明之第3態樣的流路形成構件之熔接方法|係屬 於內部準備兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該 構件之端面所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲 :介經在上述構件之端面照射電磁波之同時照射輔助氣體 溶融上述端面予以熔接者。又，上述輔助氣體係惰性氣體 或是氮氣氣體較理想。 —線 經"部中央標準局K工消費合作社印製 在第3態樣的流路形成構件之熔接方法中，由於熔接 中空構件時，將輔助氣體噴塗在熔接部，因此*可防止熔 接部之氧化。結果，中空構件之接合部在熔接時不會從環 境氣氛受到不良影響。又，介經噴塗輔助氣體，可將電磁 波順利地碰到接合部' 本發明之第4態樣的流路形成構件之熔接方法，係屬 於內部準備兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該 構件之端面所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲 :在上述構件中之其中一方的構件之端部形成用以重叠另 一方的構件之端部的階段差部，在該階段差部接合另一方 的構件之端部，介經在該接合部照射電磁波熔融上述端面 本紙乐尺度適用中國國家#準（CNS ) Λ4規梠（210ΧΜ7公匁）-6- 經潢部中央標準局^:工消f合竹杜印裝 4 2 4彳2 3a. B7 五、發明説明（4 ) 予以熔接者。 在第4態樣的流路形成構件之熔接方法中，由於在其 中一方的構件之端部，形成用以重疊另一方的構件之端部 的階段差部，因此，熔接時之兩構件的固定成爲容易。 本發明之第5態樣的流路形成構件之熔接方法*係屬 於內部準備兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該 構件之端面所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲 :具備介經照射電磁波熔融上述端面予以熔接的第1熔接 過程，及介經照射電磁波之同時供應塡隙料，熔融上述端 面及該塡隙料予以熔接的第2熔接過程。 在第5態樣的流路形成構件之熔接方法中。雖在第1 熔接過程讓切（Under cut)發生在接合部，惟由於在第2 熔接過程一面將塡隙料供應在發生讓切之部分一面實行熔 接，因此可塡補讓切。 本發明之第6態樣的流路形成構件之熔接方法，係屬 於內部準備兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該 構件之端面所形成的流路形成構件之熔接方法|其特徵爲 :介經一面織動電磁波一面照射熔融上述端面予以熔接者 在第6態樣的流路形成構件之熔接方法中•介經一面 織動電磁波一面照射，對於兩構件之端面的接合部可將電 磁波照射在具有所定寬度之領域。因此，可防止電磁波偏 離接合部。 本發明之第7態樣的流路彤成構件之熔接方法，係屬 本紙張尺度適用中國國雾標準（CNS ) Μ規梢（2]OX2W公釔）-7- (·ϊ.·^^閱讀Irvg之注念事項再填舄本頁) 擊‘ ,ye Α7 Β7 經潢部中央標準局只工消费合作社印製 五、發明説明（5 ) 於內部準備雨個以上之中空構件，介經熔接—體地接合該 構件之端面所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲 :較理想爲將電磁波分割成第1及第2電磁波，介經照射 該第1電磁波熔融上述端面予以熔接，並介經將該第2電 磁波照射在該熔接之端面之同時供應塡隙料，熔融該端面 及該塡隙料予以熔接者。 在第7態樣的流路形成構件之熔接方法中，將電磁波 分割成兩種，介經第1電磁波實行一次熔接•在此時，讓 切發生在接合·部，與此同時，介經第2電磁波實行二次瑢 接》此時，在一次溶接時所發生的讓切之部分一面供應塡 隙料一面實行熔接。因此，藉由塡隙料可塡補讓切。 本發明之第8態樣的流路形成構件之熔接方法，係屬 於內部準備兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該 構件之端面所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲 :在上述構件中之其中一方的構件之端面近旁形成較厚部 分，接合該端面與另一方的構件之端面，介經將電磁波照 射在該接合部及較厚部分熔融上述端面予以熔接者。 在第8態樣的流路形成構件之熔接方法中，在其中一 方的構件之端部近旁形成較厚部分，並重叠該構件之端部 與另一方的構件之端部時，較厚部分形成在接合部。在該 狀態，實行接合部之熔接。由此，即使在接合部產生讓切 ，也可以用焊縫結瘤分量相抵該讓切β 本發明之第9態樣的流路形成構件之熔接方法，係屬 於內部準備兩個以上之中空構件，介經溶接一體地接合該 ίΑίι間诮tlFJ之注¾事項再填寫本頁) .裝. -丁 -·在 .線- 本紙張尺度適用中國國家栋準（CNS ) Λ4規梢（2】0X2W公¢. ) .8- 經潢部中央標隼局另工消开合作社印製 424123 ^ A7 __；__B7 五、發明説明（e ) 構件之端面所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲 :介經照射電磁波熔融上述端面予以熔接的流路形成構件 之熔接方法中，攝影接合上述構件之部分，從該攝影之畫 像資料檢測上述電磁波所照射之肩位，補正該偏位後照射 電磁波者。 在第9態樣的流路形成構件之熔接方法中，由於從攝 影接合部分的畫像資料檢測電磁波所照射的偏位，並可補 正該偏位，因此，可防止以熔接點之偏位爲原因所發生的 熔接不良。 又，在第1態樣至第9態樣的流路形成構件之熔接方 法中，上述熔接時，至少熔融其中一方的中空構件，同時 該其中一方的中空構件，係由至少含有兩種類之金屬的合 金材料所構成；含有於上述合金材料之至少一種類的金屬 之沸點，係比上述合金材料之熔融點低者較理想。由於此 種合金材料，係在熔接時該沸點低之金屬容易氣化，因此 ，特別被要求急速加熱。串經急速地加熱構件之接合部， 並在短時間內熔融該接合部，可以儘量地減少含於上述合 金材料的低沸點之金屬在熔接時所消失之量。 作爲此種合金材料係黃銅較理想。因爲對於3 5 % Zn黃銅之熔融點爲904〜935 t，而Zn之沸點爲 908 °C，如此1熔接中，Zn成分消失之可能會較高。 又，黃銅中以表現上之Ζ η含有量爲2 5w t %以上 之黃銅較理想。在表現上之Ζ η含有量爲2 5 N b%以上 ，若熔接後緩慢地冷卻則折出r相，有接合部被脆化之虞 誚先間讀背而之注.項再填寫本頁) .裝- 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標隼{ CNS ) Μ吡格（210ΧΜ·^>ίί ) . 9 - 4 2 4 12 3 , Α7 Η 7 經滅部中央標準局R工消开合作社印t 五、發明説明（7 ) 。但是，在第1態樣至第9態樣的流路形成構件之熔接方 法中，由於介經電磁波照射急速地加熱接合部*不會有接 合部以外之領域被加熱必需以上，因此，在冷卻接合部時 也可以施加急冷》結果，在接合部不容易折出7·相，而可 防止接合部之脆化。 在此，「表現上之Zn含有量」之用語，係以「{( B+txQ)/(A+B+txQ)}X100」之意思 被使用。式中，A表示Cu含有量（wt%) ，B表示 Zn含有量（wt%) ，t表示第3.元素（例如Sn)之 Ζ η當量，Q表示該第3元素之含有量（wt%) » 又，作爲上述合金材料，有含有Ζ η的銅合金，或 Zn以外含有AS (沸點613°C) ，cd (沸點767 °C ) ，S e (沸點6 8 4 . 9 °C )等沸點低之金屬的合金 材。又，即使黃銅或含有此以外之Ζ η的銅合金的任何一 種，在表現上之Ζ η當量爲8w t %以上時，第1態樣之 第9態樣的流路形成構件之熔接方法係有效》若表現上之 Ζ η當量較多時，則消失之影響會較大所致者》 又，在第1態樣〜第9態樣的流路形成構件之熔接方 法中，介經照射上述電磁波急速地加熱中空構件之端面， 而欲防止接合部以外之加熱，則聚光照射於接合部之電磁 波者較理想。又，作爲電磁波，特別是使用YAG雷射較 理想。由此，可將接合部變成更急速加熱或急速冷卻。 本發明之第1 0態樣的流路形成構件之熔接方法，係 屬於準備黃銅材料所構成的構件，及黃銅材料或其他金藺 本紙張尺度適用中國國家樣率（CNS ) Λ4圯枋（210x297公1ΓΤ一- 1〇 . (邛閱谇背而之注ΪΚ-事項再植ΐΐΐ本頁) .裝'

LT 訂 線 經灌部中央標準局貝工消费合作社印紫 424123 ^ 五、發明説明（8 ) 材料所構成的構件，藉由照射電磁波介經至少熔融該黃銅 構件所構成的構件’俾熔接該構件與該金屬材料所構成之 構件的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲：熔融上述黃 銅材料所構成之構件前的結晶組織能滿足以下之（1)〜 (3 )的至少一種者。又，上述黃銅材料所構成的構件及 上述其他之金屬材料所構成之構件係內部均呈中空之構件 較理想。 (1) 平均結晶粒徑爲1.5#m以下，較理想爲 1 〇 " m以下。 (2) 含有石相，沒相中之Sn濃度爲1. 以上者。 (3) 含有r相，r相中之Sn濃度爲8wt以上， 同時r相包圍石相者。 亦即，本發明人係確認具有上述（1 )〜（3 )之結 晶組織的黃銅材料比以往之黃銅材料相比較表示耐蝕性優 異之性質。此種結晶組織係成立在極緻密之結晶控制上者 ，判明若實行不經意之熱處理等，則結晶組織變質而損及 耐蝕性。如此，在第1 0態樣的流路形成構件之熔接方法 中，由於使用電磁波在熔接時空行急速加熱或急速冷卻， 因此，在熔接時可防止接合部的結晶組織之變質，可儘量 地防止損及熔接部分之耐鈾性。又，介經上述熔接方法期 盼能製作流路形成構件。在流路形成構件對於耐蝕性之要 求品質較高。 又|在第1 0態樣的流路形成構件之熔接方法中，將 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) 梠（2丨0>(2^>>片）· 11 - {""間"奵而之注忍本項#^巧本頁) -裝. Τ 4 24 12 3 m A7 ΙΠ 五、發明説明（9 ) 電磁波聚光在兩構件之接合部較理想》又，作爲電磁波， 除了經外線聚光加熱等之外，使用雷射光較理想，使用 YA G雷射更理想。又，介經電磁波應加熱等熔融兩構件 之接合部也較理想。 本發明之第1 1態樣的流路形成構件之熔接方法，其 特徵爲：兩件金屬構件係介經比大氣壓髙之壓力環境氣氛 中之熔接一體地接合所形成者。又，上述兩件金屬構件係 介經在至少其中一方之金屬構件形成熔融池施以熔接也可 以。此時，形成有熔融池之其中一方的金屬構件中之成分 被氣化之可能性較高，而具有另一方的金屬構件中之成分 係不會受到影響的優點。 訂 經滅部中央標準而另工消费合竹社印裝 又，在第1 1態樣的流路形成構件之熔接方法，屬於 上述兩件金屬構件中之至少其中一方•爲至少含有兩種類 金屬的合計材料所構成的構件，介經至少熔融該構件來熔 接上述兩件金靥構件的流路形成構件之熔接方法，其特徵 爲：含於上述合金材料之至少一種類的金屬之沸點/比上 述合金材料之熔融點低較理想。在這種合金材料中，由於 如上所述，由於在熔接中沸點較低之金屬消失之可能性較 高|因此，使用第1 1態樣的流路形成構件之熔接方法特 別理想。 又，如上所述地，介經在比大氣壓高的壑力環境氣氛 施以熔接，可提高含有於熔融之接合部的成分之沸點β如 此，可防止在熔接中含有於接合部之成分介經氣化而消失 之情事，可儘量地防止該接合部變質之情事。又，如上所 本紙張尺度適用中國國家椋準（CNS ) Λ4圯枋（210 X 2叩公泣）.19 - 424123 ^ . A / H7 經滅部中央標津局只工消费合作社印裝 五、發明説明（1〇 ) 述地介經提高沸點，作爲用以熔接接合部的能量源，即使 不使用可急速加熱或急速冷卻者，也可儘量地防止在熔接 中含有於接合部之成分消失之情事。結果，可放大用以熔 接接合部的能量源之選擇性。 又，作爲上述合金材料係使用黄銅較理想，特別是使 用表現上之Ζ η含有量爲2 5w t %以上之黃銅較理想。 此時，如上所述地在接合部r相不容易被析出，而也發揮 防止接合部之脆化之效果。 又，作爲上述合金材料，除了黃銅以外，也可以使用 含有Zn之銅合金，除了Zn以外使用As (沸點613 aC) ，Cd (沸點 767°C) ，Se (沸點 684 · 9°C )等沸點低之金屬的合金材料。 又，在第1 1態樣的流路形成構件之熔接方法中，介 經惰性氣體或氮氣氣體形成比大氣壓高的壓力環境氣氛較 理想。由此，可減小依熔接時之環境氣氛對於金屬材料之 不良影響。 又，作爲實現比大氣壓高之壓力環境氣氛的方法，係 將上述兩個金屬材料之接合部配置於壓力容器內，並將該 壓力容器之內部壓力維持在壓力環境氣氛者。又，作爲其 他之方法，係不使用壓力容器，而介經在該接合部噴塗氣 體成爲大氣壓以上的壓力環境氣氛者。 又，在第1 1態樣的流路形成構件之熔接方法中，介 烴將電磁波從上述壓力容器之外部照射在上述金屬構件， 熔融該金屬構件較理想。如此地將用以熔接接合部的能量 本紙乐尺度適用中國國家榡隼{ CNS )以圯枯（210Χ 297ϋ1 ~~ -?!.?先閲详1Ϊ-而之：;>T-^f 項#4.S5本 Η ) -裝.

--1T 線 424123 Α7 R7 五、發明説明（11 ) 源配置於壓力容器之外部的理由係如下所述。若在壓力容 器內部配置能量源時，則需要該能量源對於該容器內部之 加壓環境氣氛的耐久性，惟在該容器外部配置能量源則不 需要考慮此種課題。 .裝. ,11 又，將透過形成於上述壓力容器之透過部的上部電磁 波，聚光在熔接上述金靥構件的接合部較理想。又，上述 電磁波係照射於上述接合部時者比通過上述透過部時者更 被聚光較理想。如此地介經將作爲能量源之電磁波聚光照 射在接合部，可儘量地防止介裝於能量源與接合部之間的 壓力容器被加熱之情形。乃由於依電磁波照射的加熱係不 需要媒體所致者，又，可減低通過上述透過部時的能量密 度所致者。又，將電磁波聚光於接合部，乃依高能量之急-速加熱或急速冷卻可更適合地實現。 又，在上述壓力容器之外部聚光電磁波，並將該聚光 之電磁波照射在配置於該壓力容器內部的該接合部時施加 不會有透過部之加熱的對策較理想。又，作爲照射電磁波 來加熱接合部的方法，也可使用電磁感應加熱。 經溁部中央標卑局只工消费合作社印鉍 又，在第1 1態樣的流路形成構件之熔接方法中，作 爲聚光之電磁波，係除了紅外線聚光加熱等之外，使用雷 射光，特別是YAG雷射光較理想。由此，可用高密度急 速加熱或急速加熱接合部，可儘量地防止接合部以外之部 分被加熱之情形。 又，本發明之第1態樣〜第1 1態樣的流路形成構件 之熔接方法中，上述流路形成構件爲吐出水的吐出裝置者 本紙張尺度適用中國國家棍準（CNS ) AWi枯（公公）-14 - 經潆部中央標卑局月工消#合作社印絮 424123 ^ A7 B7 五、發明説明（12 ) 較理想。 本發明之第1 2態樣的流路形成構件，屬於至少將分 割成兩個以上之內部爲中空構件之端面，介經熔接一體地 接合所形成的流路形成構件，其特徵爲：上述構件係對於 棒材施以锻造，切削加工所形成者。又，上述構件內部之 中空形狀係介經對於棒材施以鍛造，切削加工所形成者較 理想。 在第1 2態樣的流路形成構件中，由於中空構件係對 於棒材施以鍛造，切削加工所形成，因此可減少流路形成 構件之表面粗糙度。又，不使用熔接而對於棒材施以鍛造 ，切削加工所形成的流路形'成構件也可減小表面粗糙度。 又，在第1 2態樣的流路形成構件中，上述中空構件 係均由黃銅材料所構成|至少熔融其中一方的構件而被熔 接，上述黃銅材料之锻造時的結晶組織係滿足以下之（1 )或（2 )者較理想。 (1 )在再結晶溫度領域，平均結晶粒徑爲1 5 /zm 以下，較理想爲1 0 以下，且点相之面積比率爲3 0 〜8 0%而α相與/3相爲均勻地分散者。 (2 )在再結晶溫度領域，平均結晶粒徑爲1 5 Am 以下，較理想爲1 0 //m以下，且α相之面積比率爲4 4 〜6 5%，相之面積比率爲1 0〜5 5%，r相之面積 比率爲1〜25%’而a相，冷相，r相爲均勻地分散者 0 又，上述中空構件爲以6 5 0 °C以下之溫度領域所鍛 (ΪΛ1間 #Λ'=而之ν.ί.^ΐ^ 再填ΐΐτ 本打) .裝·

、1T 線 本纸張尺度適用中國國家樣準（CNS ) 210x^7^7^~~ *15 -

經漭部中央標舐局另工消费合作社印製 五、發明説明（13 ) 造者較理想。又，上述中空構件係均由黃銅材料所構成。 至少熔融其中一方之構件並予以熔接，而上述構件爲以 6 5 0°C以下之溫度領域所鍛造者較理想。 亦即，本案發明人確認具有上述（1 )或（2 )之結 晶組織的黃銅材料與以往之黄銅材料相比較在6 5 0 °C以 下之低溫度領域的熱延性（锻造性）上表示優異性質’使 用此種黃銅.材料，判明中空構件之鍛造可容易施行所致。 因此，介經熔接在6 5 0 °C以下之低溫度領域經锻造之黃 銅材料形成中空構件，可得到實現依低溫鍛造的高精度形 狀之實現與依熔接的複雜形狀之實現。 又，在第1 2態樣的流路形成構件，爲具有上述（1 )或（2 )之結晶組織的黃銅材料，而熔融上述中空構件 前的該構件之結晶組織爲滿足以下之（1 )〜（3 )之至 少一種較理想。 (1 )平均結晶粒徑爲1 5 /zm以下，較理想爲1 0 # m以下。 (2) 含有卢相，而/3相中之Sn濃度爲1 . 5wt %以上者。 (3) 含有r相，且r相中之Sn濃度爲8wt%以 上，同時r相爲包圍万相者。 上述（1)〜（3)之結晶組織與以往之黃銅材料相 比較在耐蝕性上表示優異之性質乃如上所述，將具有此種 結晶組織之黃銅材料使用在流路形成構件乃爲極適合才使 用者。 (背而之注憑事項.¾塢巧本万) -裝. ,ιτ 線 本紙张尺度適用中國國家標!f- ( CNS ) Μ叱格（210X29"?公i(f. ) -16- 五、發明説明（14) 又，本發明之第1 2態樣的流路形成構件中，上述流 路形成構件係吐出水的吐水裝置較理想。吐水裝置係被要 求美麗的外觀。 (實施發明所用的最佳形態） 第1圖係表示用以說明本發明之第1實施形態的流路 形成構件之熔接方法之熔接裝置的模式圖。該熔接裝置係 具有加壓容器2，在加壓容器2內介經熔接管構件la， 1 b之端面互相地接合者，管構件la，lb係例如黃銅 製，在加壓容器2內互相地熔接，而使用於水用配管》 加壓容器2係具備：進出管構件1 a，1 b所用的開 閉擋門3，及將惰性氣體或氮氣氣體導入在該容器2內部 所用的導入口 4。導入口 4係與供應惰性氣體或氮氣氣體 的供應裝置（未予圖示）相連接。該供應裝置係介經將惰 性氣體或氮氣氣體經由導入口 4供應於加壓容器2之內部 ’可將該容器2之內部壓力構成比大氣壓高約例如〇.2 氣壓》 經濟部中央橾準局貝工消费合作杜印裝 在加壓容器2之外壁形成有透過雷射光的透過窗5。 在加壓容器2之外部配置有YAG雷射放射裝置6。該 Y A G雷射放射裝置6係構成經由透過窗5將高密度之 YAG雷射光6 a配置在加壓容器2內的管構件la， lb的接合部。又，YAG雷射光6a係如第1圖所示， 放射成愈接近管構件1 a，1 b之接合部愈逐漸變高密度 ’該接合部與該雷射光6 a之焦點位置6 b成爲一致者。

本紙張尺度適用中國國家標丰（CNS ) Λ4圯梏（2丨OX297d ) -TjZ 4 2 4 12 3 A. A i H? 經沭部中央標伞局負工消於合竹社印狀 五、發明説明（15) 因此，依透過窗5之YAG雷射光6 a的發熱量係極力被 抑制。 以下，說明在上述熔接裝置中熔接管構件1 a ’ 1 b 之方法。 打開開閉擋門3，在加壓容器2內配置管構件1 a ’ lb »此時，管構件la，lb係將兩構件之端面在互相 接觸之狀態下所配置《之後，將惰性氣體或氮氣氣體經由 導入口 4藉由供應裝置供應於加壓容器2內，俾將該容器 2內之壓力上昇至約1 . 2氣壓。然後，將YAG雷射 6 a從放射裝置6經透過窗5照射在加壓容器2內，在管 構件1 a ，1 b之接合部聚光該雷射光6 a ，熔融其中一 方之管構件來形成熔融池之後•介經冷卻該管構件而與另 一方之管構件相接合。 依照上述第1實施形態，由於熔接管構件1 a，1 b 時，使用YAG雷射，因此，可急速地加熱接合部，同時 可急速地冷卻。所以，可防止接合部以外之不必需部分被 加熱之情形。由此，可儘量地防止熔接時接合部之結晶組 織變質之情形》 又，由於使用黃銅製之管構件la，lb。因此，在 熔接中，Ζ η成分有被氣化之可能性。由此，管構件之熔 接部分的結晶組織會變質，結果，有降低管構件之耐蝕性 之情形。此乃由於例如3 5%Ζ η黃銅之溶融點爲9 0 4 〜935 °C ’而Ζη之沸點爲908°C所導致者。因此， 上述熔接方法係在熔接黃銅製管構件時較有效。又，使用 本紙張尺度適用中國國家標丰（CMS )/W兄枯（2丨0x29*?公对）-18 - -裝.

.IT

T 凉— —ϊ _ 4-1 2 3 . A f _____ΙΠ 五、發明説明（16 ) 於製作水用配管等時較有效。水用配管係在接合部也被要 求維持高耐蝕所導致者。 又，介經將熔接黃銅製之管構件時之壓力環境氣氛形 成比大氣壓高，可上昇管構件中之Ζ η的沸點。由此，可 儘量地防止管構件中之Ζ η成分的氣化，結果，可儘量地 防止熔接部分的結晶組織之變質。 又，由於以惰性氣體或氮氣氣體滿足加壓容器2內， 因此，管構件之接合部在熔接時不會從環境氣氛氣體受到 不良影響。· 又，在上述第1實施形態中，在熔接時使用YAG雷 射光，惟在熔接時也可使用其他之雷射光。又，在熔接時 也可使用其他之電磁波，而在熔接時也可使用電磁感應加 熱。 又，在本實施形態中，將上述熔接方法適用在管構件 la，lb，惟也可將上述熔接方法適用於其他構件。例 如也可適用於具備管構件以外之流體所流動之路徑的流路 形成構件。 經潢部中央標準局β工消贽合作社印狀 又，在本實施形態中。介經熔融其中一方之管構件 1 a，1 b來形成熔融池而加以熔接，惟介經熔融兩管構 件來形成熔融池而加以熔接也可以。 又，在本實施之形態中 > 將上述熔接方法適用於黃銅 製管構件1 9 a，1 9 b，惟管構件之材質係並不被限定 於黃銅製，而在其他材質之管構件也可適用上述熔接方法 。例如，也可適用於包含Ζ η之銅合金製管構件，又，在 本紙張尺度適用中國國家摞if ( CNS ) ( 210χ2<^Γ)Ιί,. ) . 19 - A? H7 4 24j2_3 五、發明説明（17) 包含於合金材料的金屬之沸點比該合金材料之熔融點更低 者所構成的管構件，也可適用上述熔接方法。 依本實施形態之熔接方法，係至少一方適用在下述之 黃銅材料所構成之管構件。在熔接該管構件時，更必須急 速加熱或急速冷卻所導致者β 第1黃銅材料所構成的管構件係熔接前之結晶組織滿 足以下之（1)〜（3)之至少一種者。 (1 )平均結晶粒徑爲1 5 以下，較理想爲1 〇 // m以下β ' (2)含有/5相，且yS相中之Sn濃度爲1 . 5wt %以上。 (3 )含有r相，且r相中之s η濃度爲8wt%以 上，同時r相包圍/3相。 本案申請人在先前申請之P CT/J P 9 7/ 03 1 52中，具備上述（1)〜（3)之結晶組織的黃 銅材料確認與以往之黃銅材料相比較在耐蝕性表示優異之 性質。此等結晶組織係成立在極緻密之結晶控制上者，判 明若實行不經意之熱處理等則結晶組織會變質且損及耐蝕 性。如此，在依本實施形態的流路形成構件之熔接方法中 ，由於使用YAG雷射而在熔接時實行急速加熱或急速冷 卻，因此，可防止接合部之結晶組織的變質，可維持熔接 部分之耐蝕性。 作爲第2黄銅材料所構成的管構件1 a，lb，係該 黃銅材料之表現上之Ζ η含有量爲2 5w t %以上者，在 本紙俵尺度通用中囷國家樣丰（CNS )八4吡枋（21〇Χ2(Π*ίη -20

、1T 線 經沪部中央標準局只工消費合竹社印裝 vr. 424 123 ^ Α7 Η 7 五、發明説明（18 ) 該黃銅材料時，更需要急速加熱或急速冷卻。因爲在表現 上之Ζ η含有量爲2 5w t %以上，由於在熔接後緩慢地 冷卻時’則在被熔接之接合部會析出較脆之r相，故該接 合部有脆化之虞，惟急速冷卻被熔接之接合部時’由於在 該接合部不容易析出r相，因此可防止該接合部之脆化* 在此，所謂「表現上之Ζ η含有量」之用語係在「ί (B+txQ)/(A+B+txQ)}x100j之意 思下使用。式中，A係C u含有量〔wt%〕，6係2]1 / 含有量〔w t %〕，t係所添加之第3元素（例如S η ) 之Ζη當量，而Q係該第3元素之含有量〔wt%〕。 作爲第3管構件1 a，1 b，係對於棒材施以鍛造， 切削加工所形成者。藉由將該管構件1 a及該管構件1 b 不是鑄造而是分別以鍛造所形成，即可減小熔接後之水用 配管的表面粗糙度。該管構件1 a_，1 b係具體而言，鍛 造時之結晶組織能滿足以下之（A)或（B)較理想。 (A )在再結晶溫度領域，平均結晶粒徑爲1 5以m 以下，較理想是1 0 /zm以下，且/5相之面積比率爲3 0 〜80%，又，α，沒相爲均勻地分散者。 (Β)在再結晶溫度領域，平均結晶粒徑爲1 5//m 以下，較理想是1 0 以下，且r相之面積比率爲4 4 〜6 5%，/3相之面稹比率爲1 〇〜5 5%，r相之面積 比率爲1〜2 5%，α，/3，r相爲均勻地分散者· 本案申請人係在先前所申請的P C T/ J P 9 7/ 0 3 1 5 2，確認具有上述（A)或（B)之結晶組織的 --.------^I裝— 計t閱讀背面之注¾事項搏填巧本打) 訂 诔 經碘部中央標卒局只Η消贽合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4^格（2]0x29\>Jti ) -21 - 424123」礴 A7 Η 7 五、發明説明（19) 黃銅材料比以往之黃銅材料在6 5 0 °C以下之低溫度領域 的熱展性（鍛造性上）表示優異性質，使用此種黃銅材料 ，乃判明了可容易實行如管構件1 a，1 b的中空構件之 鍛造。因此|介經熔接在6 5 0°C以下之低溫度領域經鍛 造的黃銅材料來形成中空構件，可得到依低溫鍛造的高精 度形狀之實現，及依熔接的複雜形狀之實現的兩立* -裝. 訂 又，具有此種結晶組織的黃銅材料確認與以往之黃銅 材料相比較在耐蝕性表示優異之性質。此等結晶組織係成 立在極緻密之·結晶控制上者，判明若實行不經意之熱處理 等則結晶組織會變質且損及耐蝕性。如此，在依本實施形 態的流路形成構件之熔接方法中，由於使用YAG雷射而 在熔接時實行急速加熱或急速冷卻，因此，可防止接合部 之結晶組織的變質，可維持熔接部分之耐蝕性。 線_ 具有上述的（A)或（B)的結晶組織之管構件1 a ，1 b係又在熔接時熔融前之結晶組織滿足以下之（1 ) 〜（3)之至少一種較理想。 經滅部中央標準局Β工消资合竹社印製 (1 )平均結晶粒徑爲1 5 //m以下，較理想爲1 〇 // m以下。 (2) 含有/3相，且/S相中之Sn濃度爲1 . 5wt %以上。 (3) 含有r相，且r相中之Sn濃度爲8wt%以 上，同時r相包圍石相。 具有上述（1 )〜（3 )之結晶組織的黃銅材料比以 往之黃銅材料在耐蝕性上表示優異之性質係如上所述，而 本紙張反度適用中囷國家標芈（CNS )以坭枱（210x29h>并）· 22 - 42dl23 ^ A7 B7 經滂部中央#準局lfl工消费合作社印犁 五、發明説明（20 ) 將具有此種結晶組織的黃銅材料使用於流路形成構件爲極 適合者。 以下，說明黃銅製管構件1 a，1 b之熔接後的使用 狀態'又以下所說明之所有構件，係在熔融前乃具有上述 之（1 )〜（3 )之結晶組織者，而在以下所說明之構件 中介經鍛造所形成的所有構件係具有如上所述之（A)， (B )之結晶組織者。 第2圖係表示依本發明之第2實施形態的流路形成構 件之熔接方法的模式性剖面圖，在與第1圖相同部分附與 相同記號，而相同之說明係省略一部分。 該熔接裝置係未具備加壓容器，惟具有輔助氣體噴私 裝置7。該噴射裝置7係在熔接管構件1 a，lb時，將 氮氣氣體或惰性氣體等之輔助氣體7 a噴射至管構件之接 合部者。又，熔接裝置係具有YAG雷射放射裝置6。該 Y A G雷射放射裝置6係構成將高密度之YA G雷射光 6 a對於管構件表面從垂直傾斜所定角度（例如約1〇° )照射在管構件la，lb之接合部《又，YAG雷射光 6 a係如第2圖所不地放射成愈接接近管構件1 a，1 b 之接合部愈逐漸地增高密度，使該接合部與該電射光6 a 之焦點位置6 b成爲一致者。 以下，說明在上述熔接裝置熔璋管構件la，lb之 方法。 首先，將黃銅製之管構件1 a，1 b配置在互相接觸 兩構件之端面的狀態。之後，介經輔肋氣體噴射裝置7將 本紙乐尺度適用中國國家棉苹（CNS ) Λ4現桔（2iOX 297*_ii, ) 对先閱讀背而之ί.ί,-Λ--s事項再4rt?本頁) '装.

*1T ▲ 424 123」_ _tn 五、發明説明（21 ) 惰性氣體或氮氣氣體等之輔助氣體7 a供應至管構件之接 合部。然後.，從放射裝置6將YAG雷射光6 a對於管構 件之表面從垂直傾斜所定角度照射在該接合部，在管構件 1 a，1 b之接合部聚光該雷射光6 a，熔融其中一方之 管構件而形成熔融池之後，介經冷卻該管構件使與另一方 之管構件相接合。 裝. 依照上述第2實施形態，熔接管構件1 a，1 b時， 由於使用YAG雷射，因此，可將接合部予以急速地加熱 同時急速地冷卻。所以，可防止接合部以外之不需要部分 被加熱之情形。由此，可儘量防止在熔接時接合部之結晶 組織變質之情形。

，1T 線 又，由於使用黃銅製之管構件la，lb，因此，在 熔接中有Ζ η成分被氣化之可能性，惟在上述熔接方法中 •由於將接合部予以急速地加熱同時急速地冷卻，因此， 在熔接黃銅製管構件時有效果。又，使用於製作水用配管 等時有效果。又，使用於製作水用配管等時有效果/水用 配管係在接合部也被要求維持高耐蝕性所致者。 經沪部中央標準局Ε工消费合作社印製 又，熔接黃銅製管構件時，由於將惰性氣體或氮氣氣 體等之輔助氣體7 a噴塗在接合部•因此，可防止接合部 之氧化。結果，在管構件之接合部熔接時不會從環境氣氛 氣體受到不良影響。又，介經噴塗輔助氣體7 a，可將 YAG雷射光6 a順利地碰接在接合部。 又，在熔接管構件時，介經將YAG雷射光對於管構 件之表面從垂直傾斜所定角度施以照射，可防止照射在接 本紙張尺度通扣中國國家枕準（CNS ) Λ4規枱（2】ΟΧ 297公^ ) - 24~ 經步-部中央標準局Μ4消費合作社印^ 4 2 4 12 3 ^ Α7 Η 7 五、發明説明（22) 合部之雷射光之反射光，直接入射在放射YAG雷射光之 放射部的雷射頭。 又，由於YAG雷射光係可用光纖運送，因此，可提 高熔接作業之自由性。 又，在上述第2實施形態中，在熔接時使用YA G雷 射光，惟在熔接時也可使用其他之雷射光，又在熔接時也 可使用其他之電磁波，而在熔接時也可使用電磁感應加熱 c 又，在本實施形態，係將上述塔接方法適用於管構件 1 a，lb，惟也可將上述熔接方法適用於其他之構件， 例如，也可適用在具體管構件以外之流體流動的路徑的流 路形成構件。 又，在本實施形態中，介經熔融其中一方之管構件 1 a，1 b並形成熔融池施以熔接，惟介經熔融兩管構件 並形成熔融池施以熔接也可以。 又，在本實施形態中，將上述熔接方法適用於黃銅製 管構件1 a · 1 b，惟管構件之材質係並不被限定於黃銅 ，也可在其他材質之管構件適用上述熔接方法。例如也可 適用於含有Ζ η之銅合金製之管構件，又，在含於合金材 料之金屬的沸點比該合金材料之熔融點低者所構成之管構 件也可適用。 依本實施形態之熔接方法，係適用於至少其中一方由 下述之黃銅材料所構成的管構件較理想。熔接該管構件時 *乃更需要急速加熱或急速冷卻。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) 格（210X297公趁）-25 - 对1«1谇背而之注項再4-ίί?本S ) '裝_ 線 424123 ^ A7 __Η 7 ______ 五、發明説明（23 ) 第1黃銅材料所構成的管構件係熔接前之結晶組織滿 足以下之（1)〜（3)之至少一種者。 (1 )平均結晶粒徑爲1 5 Am以下，較理想爲1 〇 ju m以下。 (2)含有泠相，且相中之Sn濃度爲1 · %以上。 (3 )含有r相，且r相中之Sn濃度爲8wt%以 上，同時r相包圍点相。 作爲第2黃銅材料所構成的管構件la，lb ’係該 黃銅材料之表現上之Ζ η含有量爲2 5w t %以上者。 作爲第3管構件la，’lb，係對於棒材施以鍛造’ 切削加工所形成者。藉由將該管構件1 a及該管構件1 b 不是鑄造而是分別以鍛造所形成，即可減小熔接後之水用 配管的表面粗糙度。該管構件1 a，1 b係具體而言，鍛 造時之結晶組織能滿足以下之（A)或（B)較理想。 (A)在再結晶溫度領域，平均結晶粒徑爲1 5 以下，較理想是1 0 以下，且/5相之面積比率爲3 0 〜8 0%，又_，α，/3相爲均勻地分散者。 (Β )在再結晶溫度領域，平均結晶粒徑爲1 5 以下，較理想是1 0 以下，且r相之面積比率爲4 4 〜6 5%，沒相之面積比率爲1 0〜5 5%，r相之面積 比率爲1〜2 5%，a，，r相爲均勻地分散者。 具有上述的（A)或（B)的結晶組織之管構件1 a ，：L b係又在熔接時熔融前之結晶組織滿足以下之（1 ) '本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) { 210X 297公¥ ) . OR - -裝· *^τ

Lr. :線 經"-部中史標4'-局另工消费合竹社印裝 五、發明説明（24 ) 〜（3)之至少一種較理想。 (1 )平均結晶粒徑爲1 5 //m以下，較理想爲1 〇 // m以下。 (2) 含有沒相，且沒相中之Sn濃度爲1.5wt %以上。 . (3) 含有r相，且r相中之Sn濃度爲8wt%以 上’同時r相包圍万相。 第3圖（a) ， （b)係用以說明固定依本發明之第 1或第2實施形態的流路形成構件之熔接方法的兩件中空 構件之方法的模式圖。 第3圖（a )係表示依I形接上之固定方法的模式圖 ’依該I形接上之固定方法，係接觸中空構件2 a之端面 與中空構件2 b之端面並予以固定者。 經於-部中央標卑局KCT;消费合作社印^ 第3圖（b )係表示依階段差接上之固定方法的模式 圖。在其中一方之中空構件2 a的端部，設有可重叠另一 方之中空構件2 b端部及其近旁的階段差部。因此，依階 段差接上之固定方法，係在中空構件2 a之階段差部重疊 中空構件2 b之端部之狀態下加以固定者。 第4圖（a )〜（c )係表示用以說明使用依本發明 之第1或第2實施形態的流路形成構件之熔接方法的塡隙 料溶接的模式圖。 首先，使用上述熔接方法實行第一次熔接。由此，如 第4圖（a )所示，由於介經加熱使Ζ η消失，因此在接 合部發生稱爲讓切之凹陷部。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )六4忧枋（2】0 X 297公;ίί ) -27- A7 ΙΪ7 五、發明説明（25) 之後，使用上述熔接方法實行第2次之熔接。此時， 如第4圖（b )所示，介經塡隙料供應裝置8 1—面將塡 隙料8 2供應於發生厚度損失之部分一面實行熔接。由此 ，如第4圖（c )所示，藉由塡隙料8 2即可塡補厚度之 損失。 第5圖係表示用以說明使用依本發明之第1或第2實 施形態的流路形成構件之熔接方法之織動熔接的模式圖。 裝. 在熔接黃銅製管構件4 a與黃銅製管構件4 b之接合 部時，介經使用鏡8 4來織動雷射光6 a，對於熔接線 8 5具有所定寬度之領域可照射雷射光6 a «因此，可防 止雷射光從熔接線偏離之狀態。又，此種織動熔接係特別 是使用在供應塡隙料實行熔接之情形。 第6圖係表示用以說明介經1次之熔接可實行塡隙料 熔接之熔接方法的構成圖。 以半透鏡8 7 —部分透過雷射光6 a，在聚光透鏡 線 經逆部中央標4,·局K工消费合作社印製 9 0來聚光雷射光。由此，在構件實行一次熔接，惟在此 時發生讓切。與此同時，以半透鏡8 7 —部分反射雷射光 6 a，並以全反射鏡8 8全反射該反射光，而以聚光透鏡 8 9聚光雷射光。由此，在構件實行第2次熔接。此時， 在發生於第1次熔接時的讓切之部分介經塡隙料供應裝置 8 1 —面供應塡隙料8 2 —面實行熔接。因此，藉由塡隙 料8 2可塡補讓切。 第7圖（a) | (b)係表示用以說明可防止讓切之 發生的無塡隙料熔接的構成圖》 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS } Λ4见枯（2]0X2W公^ ) - 28 - A2a^3 ^ A7 __in 五、發明説明（26 ) 裝. 第7圖（a )係表示一般之熔接者，此時係會發生讓 切。對於此，第7圖（b )係表示即使無塡隙料也不會發 生讓切的熔接方法者。亦即’將其中一方之構件9 3之端 部事先做爲焊縫結瘤形狀。重疊該構件9 3之端部與另一 方的構件9 2之端部時，在接合部形成焊縫結瘤部分.在 該狀態’介經上述熔接方法實行接合部之熔接。如此，即 使在接合部產生厚度之損失，也可在焊縫結瘤分量相抵消 該厚度之損失。因此，即使不實行塡隙料熔接，也可防止 讓切之損失。_ *-β 第8圖（a )係表示用以說明在依本發明之第1或第 2實施形態的流路形成構件'之熔接方法，加上修正熔接點 之偏位之方法的熔接方法之模式性的裝置構成圖。第8圖 (b )係表示圖示於第8圖（a )之C CD攝影機之畫像 的圖式。 線 Μ滅部中央標α'-局Κ工消费合作社印装 如第8圖（a )所示，該熔接裝置係具備C CD攝影 機9 4，該C CD攝影機9 4係用以攝影初期之熔接點的 攝影機。該熔接點係Y A G雷射光所照射的位置。該 C C D攝影機係經由配線連接於畫像處理裝置9 5，而畫 像處理裝置9 5係處理從C CD攝影機9 t所傳送之攝像 資料者。畫像處理裝置9 5係經由配線連接於工件位置控 制裝置9 7。工件位置控制裝置9 7係爲了修正表示於第 8圖（b)之熔接點98與熔接線99之偏位1〇〇 ’控 制固定熔接之構件的固定手段1 0 1之位置者。又’ C CD攝影機9 4係也連接於監察器9 6，監察器9 6係 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規估{ 210X 297公处）-29 - A7 B7 五、發明説明（27 ) 顯示以C C D攝影機9 4所攝影之畫像者。 以下，說明上述熔接裝置之動作》 裝. 首先，介經C CD攝影機9 4來攝影初期之熔接點 9 8。此時，若該熔接點9 8與熔接線9 9之位置有偏差 時，以畫像處理裝置9 5檢測該偏位1 0 0。然後，介經 在工件位置控制裝置9 7之控制下將固定手段1 0 1移動 該偏位分量，來修正熔接點之偏差。然後，開始依YAG 雷射光之熔接。 依照上述溶接方法，即使熔接點有偏差，由於也可以 修正該偏差，因此，可防止熔接點之偏差作爲原因所發生 的熔接不良。 、?τ 第9圖係用以說明使用依本發明之第1或第2實施形 態的流路形成構件之熔接方法，並協調複數之機器人來實 行熔接作業之熔接方法的構成圖。該熔接方法係介經第1 及第2機器人103、 104來固定熔接構件，並介經具 Τ線 經漪部中央標準局Κ工消费合作社印紫 備放射YAG雷射光之雷射頭1 〇 7的第3機器人10 5 實行熔接作業者。第3機器人1 0 5係構成可自由地移動 雷射頭1 0 7者β 依照上述熔接方法，由於介經第3機器人1 0 5可自 由地移動雷射頭1 0 5，因此，可放大雷射加工之自由性 0 第1 0圖係表示使用於上述之熔接方法的雷射光之波 形的圖式。第1 〇圖（a )係表示CW波（連續波）的波 形圖，第1 0圖（b )係表示脈衝波的波形圖，第1 〇圖 本紙乐尺度適用中國國家標率（CNS ) ΛΑ現梢（210X 2?·?公幻）~30~ 經浸部中央標卑局兵工消f合竹社印¾ A7 __B? 五、發明説明（28 ) (c )係表示S I N波的波形圖。 上述熔接方法係使用CW波較理想，惟隨著用途也可 適用其他波形。CW波之優點係可容易得到穩定之熔接。 脈衝波之優點係可得到高輸出峰値。S I N波係可得到高 輸出峰値。 (產業上之利用可能性） 本發明的流路形成構件之熔接方法及流路形成構件係 可適用於以下之構件。又以下所說明的所有構件，係在熔 融之前作爲具有上述之（1 )〜（3 )的結晶組織者，而 以下所說明的構件中以鍛造所形成的所有構件係作爲具有 上述之（A)或（B)的結晶組織者。 第1 1圖係表示適用本發明之吐水裝置的剖面圖。吐 水裝置1 0係由基端部1 1，及管材1 2，及連接軟管1 3，及整流單元1 4所構成。在該基端部1 1連接有管材 1 2之一端。在管材1 2之內部配置有連接軟管1 3及整 流單元1 4。連接軟管1 3之一端係連接於基端部1 1， 而連接軟管1 3之另一端係連接於整流單元1 4。基端部 1 1係在鍛造後施加切削加工者，管材1 2係在直管施以 彎曲加工者。 該吐水裝置係在管材12內配置連接軟管13及整流 單元1 4之後，使用表示於第1圖之熔接方法並介經熔接 基端部11與管材12所製作。由於該吐水裝置1〇係利 用製造成品，因此，高精度且表面粗糙度較小，又由於在 本紙張尺度適用中國囤家椋牟（CNS )以说格{ 2丨0X297·^-31 - ^1間讳背而之注^事項再楨-1-:?本.只) 裝 -ο 五、發明説明（29 ) 管材1 2內周面與連接軟管1 3外周面之間設置間隙，因 此隔熱效果較大。 第1 2圖係表示適用本發明之停止旋塞的剖面圖。停 止旋塞係具備流動流體的路徑。停止旋塞2 0係由蓋體 2 1，及閥體2 2，及在锻造後施以切削加工的本體2 3 所構成。該停止旋塞2 0係在本體2 3內配置閥體2 2之 後，介經使用表示於第1圖的熔接方法來熔接本體2 3與 蓋體2 1所製作。在該停止旋塞20，係介經鍛造與熔接 之組合可實現以往不可能的停止旋塞_2 0內部之精密加工 ，又將閥體2 2之插入化成爲可能。 第13圖係表示適用本發明之熱水和水混合旋塞之裝 配彤象的模式圖。該熱水和水混合旋塞係具備流體流動的 路徑。熱水和水混合旋塞3 0係將分別锻造製之自動關閉 單元31，定量停水單元32，自動停水單元33，固定 噴口單元3 4，身體淋浴單元3 5等，介經使用表示於第 1圖之熔接方法選擇性地熔接於熱水和水混合旋塞本體 3 0所製作，每一各元件零件3 1〜3 5可成爲幹造，切 削，硏磨的構造》 第1 4圖係表示適用本發明之二閥型熱水和水混石旋 塞的外觀圖及剖面圖。該二閥型熱水和水混合旋塞係具備 流體流動的路徑》 表示於第1 4圖（a )的二閥型熱水和水混合旋塞係分 別介經鍛造，切削形成熱水和水側入水部4 1，混合部 4 2及水側入水部4 3之後，使用表示於第1圖之熔接方 本紙張尺度適用中國國家標皁（CNS > AWJL将(21 OX297^¾4 ) -32- 4 2 4 | 2 3 '/f' A7 117 五、發明説明（3〇 ) 法，在混合部4 2之其中一方側熔接熱水側$水率4 1， 而在混合率4 2之另一方側介經熔接水側入水部4 3。 表示於第1 4圖（b )之二閥型熱水和水混合旋塞， 係以吐水口 4 4爲中心也可均等地分割左側單元4 5與右 側單元4 6，分別介經鍛造，切削形成左側單元4 5及右 側單元4 6之後，使用表示於第1圖的熔接方法，介經熔 接左側單元4 5與右側單元4 6所製作。 表示於第14圖（c)之二閥型熱水和水混合旋塞， 係不均等地分割包含吐水口 4 4的大型單型4 7及未包含 吐水口 4 7及小型單元4 8，大型單元4 7及小型單元 4 8分別介經鍛造，切削所形成後，使用表示於第1圖之 熔接方法來熔接大型單元4 7與小數單位4 8所製作》 第15圖係表示適用本發明的一閥型熱水和水混合旋 塞的外観圖。該一閥型熱水和水混合旋塞係具備流體流動 之路徑。 線-‘ 經滅部中央標準局K工消费合竹杜印掣 表示第1 5圖（a )之一閥型熱水和水混合旋塞，係 介經鍛造，切削形成本體5 1之後，介經將蓋5 2覆蓋在 該本體5 1所製作。 表示於第1 5圖（b )之一閥型熱水和水混合旋塞， 係被分割成熱水側入水部5 3，混合部5 4，水側入水部 5 5，分別介經鍛造，切削加以形成之後，使用表示於第 1圖之熔接方法而將熱水側入水部5 3熔接於混合部5 4 之一方側，另介經將水側入水部5 5熔接於混合部5 4之 另一側所製作 本紙張尺度適用中國國家標準（cns )以規掊（2丨) - 33 - 經漪部中央掠準局β工消费合作社印¾ J4123 揭， a7 ____ H7 五 '發明説明（31 ) 第16圖係表示安裝於適用本發明之臉盆上面等的水 龍頭的外觀圖及剖面圖。該水龍頭係具備流體流動的路徑 〇 表示於第1 6圖（a )之水龍頭係分別介經锻造，切 削形成調整鈕6 1，6 2及另體之本體6 3之後，介經以 蓋6 4阻塞該本體6 3之開口部所製作。 表示於第1 6圖（b )之水龍頭分別介經锻造，切削 形成具備安裝孔67、 68的本體69及調整鈕65、 6 6之後，介經在該安裝孔6 7、6/8安裝調整鈕6 5、 6 6所製作。 第17圖係表示安裝於適用本發明的廚房之上面等之 水龍頭旳外觀圖，接合形象圖及剖面圖。 表示於第1 7圖（a )之水龍頭係分別介經鍛造，切 削形成水龍頭本體71，直線管72，彎曲管73，凸出 管7 4，短管7 5及切換功能單元7 6之後，使用表示於 第1圖之熔接方法介經選擇性熔接所製作。 ^ 表示於第1 7圖（b )之水龍頭係介經锻造，切削水 龍頭整體7 7所製作。 (圖式之簡單說明） 第1圖係表示用以說明依本發明之第1實施形態的流 路形成構件之熔接方法之熔接裝置的模式圖。 第2圖係表示依本發明之第2實施形態的流路形成構 件之熔接方法的模式性剖面圖 本紙張尺度適用中國國家#準（CNS ) Λ4規格（210X297公黏）-34 - (对1問讳卄而之ίί.&肀項再Μίΐ?本S ) .裝- 訂 線 1 Α7 Η 7 經漭部中央標卑局Κ.Χ消f合作社印¾ 五、發明説明（32 ) 第3圖（a)、 （b)係表示用以說明固定有關於依 本發明之第1或第2實施形態的流路形成構件之熔接方法 的兩件中空構件之方法的模式圖。 第4圖（a )〜（c )係表示用以說明使用依本發明 之第1或第2實施形態的流路形成構件之熔接方法之塡隙 料熔接的模式圖《 第5圖係表示用以說明使用依本發明之第1或第2實 施形態的流路形成構件之熔接方法之織動熔接的模式圖。 第6圖係表示用以說明介經一次熔接可實行塡隙料熔 接之熔接方法的構成圖。 第7圖（a)、 （b)係表示用以說明可防止讓切之 發生之無塡隙料熔接的構成圖。 第8圖（a )係表示用以說明在依本發明之第1或第 2實施形態的流路形成構件之熔接方法，加上修正熔接點 之偏位之方法的熔接方法的模式性裝置構成圖。 第8圖（b)係表示圖示於第8圖（a)之C&D攝 影機所攝影之畫像的圖式》 第9圖係表示用以說明使用依本發明之第1或第2實 施形態的流路形成構件之熔接方法，並協調複數機器人來 實行熔接作業之熔接方法的構成圖。 第1 0圖（a )〜（C )係表示使用於上述熔接方法 的雷射光之波形的圖式。 第1 1圖係表示適用本發明之吐水裝置的剖面圖。 第1 2圖係表示適用本發明之停水旋塞的剖面圖。 iitlyl#背而之>.ί.ά 事項/>4巧本石 -裝- 訂 線 本紙張尺度適用中國國家標嗥（CNS ) Λ4蚬柊（2】0Χ 2们公及· ) - 35 - 經漪部中央標準局只工消贽合作社印装 A7 Η 7 五、發明説明（33 ) 第1 3圖係表示適用本發明之熱水和水混合旋塞之裝 配形象的模式圖。 第1 4圖（a )〜（c )係表示適用本發明之二閥型 熱水和水混合旋塞的外觀圖及剖面圖。 第15圖（a)、 （b)係表示適用本發明之一閥型 熱水和水混合旋旋塞的外觀圖及剖面圖。 第16圖（a)、 （b)係表示適用本發明之臉盆用 水龍頭的外觀圖及剖面圖。 第17圖（a)、 （b)係表示適用本發明之廚房用 水龍頭的外觀圖，接合形象圖及剖面圖。 (記號之說明） 1 a > 1 b 2 4 5 6( 6 a 6 b 7 10 11 1 2 13 管構件 加壓容器 導入口 透過窗 Y A G雷射裝置 Y A G雷射光 焦點位置 輔助氣體噴射裝置 吐水裝置 基端部 管材 連接軟管 -β Γ 本紙張尺度咖巾關料球（⑽）λ4^(210χ 297^^Π_736： 424 23 5 H? 五、發明説明（34 ) 14 2 0 2 1 2 2 3 0 經漪部令央標準局只工消费合作社印裝 3 3 9 1 4 2 9 3 4 4 4 5 4 6 4 7 4 8 5 1 5 2 6 1 6 7 7 1 7 2 7 3 7 4 7 5 5 3 5 4 5 5 6 3 6 4 6 2 6 8 6 9 6 5-66 整流單元 停水旋塞 蓋體 閥體 熱水或水混合旋塞 自動開閉單元 自動停水單元 熱水側入水部 混合部 水側入水部 吐水口 左側單元 右側單元 小型單元 大型單元 本體 菩 調整鈕 安裝孔 水龍頭本體 直線管 彎曲管_ 凸出管 切換功能單元 本紙張尺度適用中國國尜標準（CNS > Μ圯格（210Χ 297公兮）-37 - -裝 111 線 d ? 4 1 23 ' A7 B7 經演部中央標4,-爲另工消费合作社印5Ϊ 五、發明説明（35) 8 1 8 2 8 4 8 5 8 7 8 8 8 9-90 9 4 9 5 9 6 9 7 9 8 9 9 10 1 10 3 10 4 10 5 107 雷射頭 塡料供應裝置 塡料 鏡 熔接線 半透鏡 全反射鏡 聚光透鏡 C C D攝影機 畫像處理裝置 監察器 工件位置控制裝置 熔接點 熔接線 固定手段 第1機器人 第2機器人 第3機器人 閱诔背而之注憑事項再蛾$本刃)

本紙張尺度適用中國國家椋隼（CNS ) Λ4圯枯（210Χ2*Π';Η4 ) - 38 -

Claims (1)

1. 8 8 8 8 ABCD “24 123 ?爾 六'申請專利範圍 第87117861號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國89年1 1月修正 1 . 一種流路形成構件之熔接方法，係屬於內部準備 兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該構件之端面 所形成的流路形成構件之熔接方法’其特徵爲：介經照射 電磁波熔融上述端面予以熔接者。 2 . —種流路形成構件之熔接方法，係屬於內部準備 兩個以上之中空構件，介經溶接一體地接合該構件之端面 所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲：介經將電 磁波對於上述構件之表面從垂直方向向所定角度傾斜之方 向照射，熔融上述端面予以熔接者。 3 . —種流路形成構件之熔接方法，係屬於內部準備 兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該構件之端面 所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲：介經在上 述構件之端面照射電磁波之同時照射輔助氣體熔融上述端 面予以熔接者。 4 . 一種流路形成構件之熔接方法，係屬於內部準備 兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該構件之端面 所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲：在上述構 件中之其中一方的構件之端部形成用以重疊另一方的構件 之端部的階段差部，在該階段差部接合另一方的構件之端 部，介經在該接合部照射電磁波熔融上述端面予以熔接者 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS > A4規格{ 2I0X297公釐） ： ' (、請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ja i£"那智慧时4-局择'工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ο 5 . —種流路形成構件之熔接方法，係屬於內部準備 兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該構件之端面 所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲：具備介經 照射電磁波熔融上述端面予以熔接的第1熔接過程，及介 經照射電磁波之同時供應塡隙料，熔融上述端面及該塡隙 料予以熔接的第2熔接過程。 6 ·—種流路形成構件之熔接方法，係屬於內部準備 兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該構件之端面 所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲：介經一面 織動電磁波一面照射熔融上述端面予以熔接者。 7 —種流路形成構件之熔接方法，係屬於內部準備 兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該構件之端面 所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲：介經照射 該第1電磁波熔融上述端面予以熔接，並介經將該第2電 磁波照射在該熔接之端面之同時供應塡隙料，熔融該端面 及該塡隙料予以熔接者。 8 . —種流路形成構件之熔接方法，係屬於內部準備 兩個以上之中空構件，介經熔接一體地接合該構件之端面 所形成的流路形成構件之熔接方法，其特徵爲：在上述構 件中之其中一方的構件之端面近旁形成較厚部分，接合該 端面與另一方的構件之端面，介經將電磁波照射在該接合 部及較厚部分熔融上述端面予以熔接者。 9 · 一種流路形成構件之熔接方法，係屬於內部準備 本紙張及度適用中國國家標準（CNS ) A4規格{ 210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再4寫本頁) 裝- 訂 經-部智慧时4局员工消費合作社印製 -2- A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 兩個以上之中空構件’介經熔接一體地接合該構件之端面 所形成的流路形成構件之溶接方法，其特徵爲：介經照射 電磁波熔融上述端面予以熔接的流路形成構件之熔接方法 中’攝影接合上述構件之部分，從該攝影之畫像資料檢測 上述電磁波所照射之肩位，補正該偏位後照射電磁波者。 1 0 如申請專利範圍第1項至第9項中任何一項所 述的流路形成構件之熔接方法，其中，上述熔接時，至少 熔融其中一方的中空構件，同時該其中一方的中空構件， 係由至少含有雨種類之金屬的合金材料所構成，含有於上 述合金材料之至少一種類的金屬之沸點，係比上述合金材 料之熔融點低者》 1 1，如申請專利範圍第1 〇項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，上述合金材料係黃銅者。 1 2 如申請專利範圍第1 1項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中’上述黃銅之表觀上之z n含有量爲 2 5 w t %以上者。 1 3 .如申請專利範圍第1 〇項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，上述合金材料係含有Ζ η之銅合金者 〇 1 4 如申請專利範圍第1項至第9項中任何一項所 述的流路形成構件之熔接方法，其中，上述電磁波係雷射 光或Y A G雷射者。 1 5 —種流路形成構件之熔接方法，係屬於準備黃 銅材料所構成的構件，及黃銅材料或其他金屬材料所構成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2Ι0Χ297公釐） {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 -裳， 、1T 經、-部智"-財4^邑(工消費合作社印製 -3- 424123」_ Bd D8 六、申請專利範圍 的構件，藉由照射電磁波介經至少熔融該黃銅構件所構成 的構件，俾熔接該構件與該金屬材料所構成之構件的流路 形成構件之熔接方法，其特徵爲：熔融上述黃銅材料所構 成之構件前的結晶組織能滿足以下之（1)〜（3)的至 少一種者， (1 )平均結晶粒徑爲1 5 v m以下， (2) 含有/3相，；3相中之Sn濃度爲1 . 5wt% 以上者， (3) 含有r相，γ相中之Sn濃度爲8wt%以上 ，同時r相包圍万相者。 1 6 · —種流路形成構件之熔接方法，係屬於準備黃 銅材料所構成的構件，及黃銅材料或其他金屬材料所構成 的構件，.藉由照射電磁波介經至少熔融該黃銅材料所構成 的構件，俾熔接該構件與該金屬材料所構成之構件的流路 形成構件之熔接方法，其特徵爲：熔融上述黃銅材料所構 成之構件之前的平均結晶粒徑爲1 0 # m以下者。 1 7 如申請專利範圍第1 5項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，上述黃銅材料所構成的構件及上述其 他之金屬材料所構成之構件係內部均呈中空之構件者。 1 8 ·如申請專利範圍第1 6項所述的流路形成構件 之熔接方法’其中，上述黃銅材料所構成的構件及上述其 他之金屬材料所構成之構件係內部均呈中空之構件者。 1 9 _如申請專利範圍第1 5項至第1 8項中任何一 項所述的流路形成構件之熔接方法，其中，上述電磁波係 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（2丨0X2W公釐） - 1-- - s -- I — I— I— n^i m ^if 1^1. I . r (請先閱讀背面之、注意事項再填寫本頁) 訂 經.-邹智慧57是^技工消費合作社印製 w- c-,1 2 4 2 4 οσ 8 8 8 abcd 經4部智总吋4.-^3;工消費合作社印製 六、申請專利範圍 雷射光或YAG雷射者。 2 0 . —種流路形成構件之熔接方法，其特徵爲：兩 件金屬構件係介經比大氣壓高之壓力環境氣氛中之熔接一 體地接合所形成者。 2 1 .如申請專利範圍第2 0項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，上述雨件金屬構件係介經在至少其中 一方之金屬構件形成熔融池施以熔接者。 2 2 .如申請專利範圍第2 0項所述流路形成構件之 溶接方法，其中，上述兩件金屬構件中之至少其中一方， 爲至少含有兩種類金屬的合計材料所構成的構件，介經至 少熔融該構件，來熔接上述兩件金屬構件含於上述合金材 料之至少一種類的金屬之沸點，比上述合金材料之熔融點 低者。 2 3 ·如申請專利範圍第2 1項所述流路形成構件之 熔接方法，其中，上述兩件金屬構件中之至少其中一方， 爲至少含有兩種類金屬的合計材料所構成的構件，介經至 少熔融該構件，來熔接上述兩件金屬構件含於上述合金材 料之至少一種類的金屬之沸點，比上述合金材料之熔融點 低者。 2 4 ·如申誚專利範圍第2 2項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，上述合金材料係黃銅者。 2 5 .如申請專利範圍第2 3項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，上述合金材料係黃銅者。 2 6 .如申請專利範圍第2 4項所述的流路形成構件 本紙ft尺度適用中國國家禕準（CNS )八4说格（210X297公着]~~ (請先Ε讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝- *νβ Α8 BS C8 D8 424123 ^ 六、申請專利範圍 之熔接方法，其中，上述黃銅之表觀上之ζ η含有量爲 2 5 w t %以上者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 7 .如申請專利範圍第2 5項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，上述黃銅之表觀上之Ζ η.含有量爲 2 5 w t %以上者。 2 8 .如申請專利範圍第2 2項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，上述合金材料係含有Ζ η之銅合金者 0 2 9 .如申請專利範圍第2 3項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，上述合金材料係含有Ζ η之銅合金者 〇 3 0 .如申請專利範圍第2 0項至第2 9項中任何一 項所述的流路形成構件之熔接方法，其中，上述壓力環境 氣氛係由惰性氣體或氮氣氣體所形成者。 3 1 .如申請專利範圍第2 0項至第2 9項中任何一 經濟部智慧时屹"a:工涓费合作社印製 項所述的流路形成構件之熔接方法，其中，介經將上述兩 件金屬構件配置於壓力容器內，並將該兩件金屬構件維持 在上述壓力環境氣氛者。 3 2 .如申請專利範圍第3 1項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，介經將電磁波従上述壓力容器之外部 照射在上述金屬構件者。 3 3 ·如申請專利範圍第3 2項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，將上述金屬構件介經電磁感應加熱予 以熔融者。 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS > Α·4現格（2I0X297公着） -6- A8 B8 C8 D8 2 4 12 3 六、申請專利範圍 3 4 .如申請專利範圍第3 2項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中’將透過形成於上述壓力容器之透過部 的上述電磁波，聚光在熔接上述金屬構件的接合部者。 3 5 .如申請專利範圍第3 4項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，上述電磁波係雷射光或YAG雷射者 〇 3 6 .如申請專利範圍第3 4項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，上述電磁波係照射於上述接合部時者 比通過上述透過部時者更被聚光者。 3 7 .如申請專利範圍第3 5項所述的流路形成構件 之熔接方法，其中，上述電磁波係照射於上述接合部時者 比通過上述透過部時者更被聚光者。 3 8 .如申請專利範圍第1項至第9項，第1 5項至 1 8項，第2 0項至第2 9項中任何一項所述的流路形成 構件之熔接方法，其中，上述流路形成構件係吐出水的吐 出裝置者。 3 9 . —種流路形成構件，屬於至少將分割成兩個以 上之內部爲中空構件之端面，介經熔接一體地接合所形成 的流路形成構件，其特徵爲：上述構件係對於棒材施以鍛 造，切削加工所形成者。 4 0 .如申請專利範圍第3 9項所述的流路形成構件 ，其中’上述構件內部之中空形狀係介經對於棒材施以鍛 造，切削加工所形成者。 4 1 _如申請專利範圍第3 9項所述的流路形成構件 本紙法尺度適用中國國家標準（CMS ) Μ現格（210X297公着） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- -* Ο 4 A& BS C8 D8 七、申請專利範圍 ’其中上述中空構件係均由黃銅材料所構成，至少熔融其 中一方的構件而被熔接，上述黃銅材料之鍛造時的結晶組 織係滿足以下之（1 )或（2 )者， (1 )在再結晶溫度領域，平均結晶粒徑爲1 5 β m 以下，較理想爲1 0//m以下，且卢相之面積比率爲30 〜8 0%而α相與/3相爲均勻地分散者， (2 )在再結晶溫度領域，平均結晶粒徑爲1 5 m 以下，較理想爲1 0 // m以下，且〇：相之面積比率爲4 4 〜6 5%，/3相之面積比率爲1 〇〜5 5%，r相之面積 比率爲1〜2 5%，而α相’万相，7相爲均勻地分散者 〇 4 2 .如申請專利範圍第4 0項所述的流路形成構件 ，其中上述中空構件係均由黃銅材料所構成，至少熔融其 中一方的構件而被熔接，上述黃銅材料之鍛造時的結晶組 織係滿足以下之（1 )或（2 )者， (1 )在再結晶溫度領域，平均結晶粒徑爲1 5 # m 以下，較理想爲1 0 "m以下，且万相之面積比率爲3 0 〜8 0%而α相與；5相爲均勻地分散者， (2 )在再結晶溫度領域，平均結晶粒徑爲1 5 " m 以下，較理想爲1 0 " m以下，且α相之面積比率爲4 4 〜6 5%，沒相之面積比率爲1 〇〜5 5%，Τ相之面積 比率爲1〜2 5%，而£2相，/3相，7*相爲均句地分散者 〇 4 3 .如申請專利範圍第4 1項所述的流路形成構件 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS > A4規格（210X297公釐} (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，装 經濟部智.¾时4局ΜΪ工消費合作社印製 -8- Μ B8 C8 D8 經.-.V皙慧时4局員工涓費合作社印製 六 、申請專利範圍 - 1 1 y 其 中 > 上 述 中 空 構 件 爲 以 6 5 0 t 以下 之 溫度 領 域 所 鍛 4 - I i 、'生 IS 者 〇 1 1 * 4 4 * 如 中 請 專 利 範 圍 第 4 2 項 所述 的 流路形 成 構 件 請 1 1 | 1 其 中 » 上 述 中 空 構 件 爲 以 6 5 0 °C 以下 之 溫度 領 域 所 鍛 先· 閱 1 1 i£L· m 者 〇 背 面 1 1 之 1 4 5 * 如 串 bP3 專 利 範 圍 第 3 9 項 所述 的 流路 形 成 構 件 1 I 事 1 ) 其 中 » 上 述 中 空 構 件係均 由 黃 銅 材料所 構 成， 至 少 熔 融 項 再 1 中 方 填一 其 —> 之 構 件 並 予 以 熔 接 ί 而 上 述 構件 爲 以6 5 0 °C 以 寫 本 > ] 下 之 溫 度 領 域 所 鍛 造 者 0 t 1 1 4 6 • 如 甲 請 專 利 範 圍 第 4 0 項 所述 的 流路 形 成 構 件 1 ! > 其 中 上 述 中 空 構 件係均 由 黃 銅 材料所 構 成， 至 少 熔 融 I | 其 中 — 方 之 構 件 並 予 以 熔 接 而 上 述 構件 爲 以6 5 0 V 以 訂 I 下 之 溫 度 領 域 所 鍛 造 者 〇 1 1 4 7 如 串 請 專 利 範 圍 第 4 1 項 所述 的 流路 形 成 構 件 1 1 1 其 中 熔 融 上 述 中 空 構 件 刖 的 該 構 件之 結 晶組 織 爲 滿 足 1 1 以 下 之 ( 1 ) ( 3 ) 之 至 少 一 種 1 ( 1 ) 平 均 結晶 粒 徑 爲 1 5 β m 以下 t 1 I ( 2 ) 含 有 β 相 而 β 相 中 之 S η濃 度 爲1 5 W t 1 1 % 以 上 者 1 1- ( 3 ) 含有 7 相 > 且 r 相 中 之 S η濃 度 爲8 W t % 以 1 1| 上 » 同 時 r 相 包 圍 β 相 者 〇 1 I 4 8 - 如 串 δ円 專 利 範 圍 第 4 2 項 所述 的 流路 形 成 構 件 1 1 1 » 其 中 ， 熔 融 上 述 中 空 構 件 前 的 該 構 件之 結 晶組 織 爲 滿 足 1 1 以 下 之 ( 1 ) ( 3 ) 之 至 少 —1 種 T 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )及扣見格（2I0X297公釐） 4 ? A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 (1 )平均結晶粒徑爲1 5 e m以下’ (2)含有；S相，而々相中之Sn濃度爲1 _ 5wt %以上者， (3 )含有r相，且r相中之S η濃度爲8 w t %以 上，同時7相爲包圍iS相者。 4 9 .如申請專利範圍第4 1項所述的流路形成構件 ，其中，熔融上述中空構件前之該構件的平均結晶粒徑爲 1 0 ；« m以下者。 5 〇 .如申請專利範圍第4 2項所述的流路形成構件 ，其中，熔融上述中空構件前之該構件的平均結晶粒徑爲 1 0 y Π1以下者。 5 1 .如申請專利範圍第3 9項至第5 0項中之任何 一項所述的流路形成構件，其中，上述流路形成構件係吐 出水的吐水裝置者。 {請先閏請背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧时4局8工消費合作杜印製 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS M4规格（2丨Ox 297公釐） -10-