.修正册 Α7 Β7 水 ^ Μ:, ί 五、發明說明（17 ) (請先閱讀背面之注急事項再填寫本頁) 組成的噴濺氣體，將0.77kW的電力導入20cm* 7 cm*〇 . 5 cm大小的η型矽化合物中，再以直流反 應性噴濺法形成8 5 nm的二氧化矽膜* 所獲得之試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦之原子數比 值爲0 . 2 5 »並從玻璃基板剝掉所獲得之試樣，而塗敷 黑色塗料於未形成有膜之P E T面，且測定形成有膜一側 之分光反射率•將所獲得之分光反射率顯示於圇8 *因存 在有由硬罩之干捶而產生之波紋，而有關幅寬比並無法加 以測定，惟獲得了低反射波長範圍爲極廣闊之光吸收性反 射防止體* 〔例9〕 除了形成1 2 nm之氧氮化鈦膜，使用p型（含有微 置之硼）矽化合物來形成氮化矽，使用P型矽化合物來形 成8 5 nm之二氧化矽膜以外的條件，以與例1相同地來 獲取光吸收性反射防止體· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而所獲得之試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子數 比值爲0·21·並塗敷黑色塗料於所獲得試料之未形成 有膜之玻璃面，且測定形成有膜一側之分光反射率•其結 果，所獲得之分光反射率係與囫1同樣*帶幅寬比爲 1 · 71。以如此，即使使用p型矽化合物來形成氮化矽 及二氧化矽時，亦與使用η型（包含微量之磷）矽化合物 之狀態時同樣，可獲得低反射波長範園極爲廣闊之光吸收 性反射防止體· 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20 - 415922 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 五、發明説明（1 ) 〔技術領域〕 本發明是有關光吸收性反射防止體及製造方法。 〔背景技術〕 以往，顯示器的顯示部等的防止反射和遮蔽電磁波等 問題，是由基體側上積層可見光中實質、透明的低屈折率 誘電體膜、高屈折率誘電體膜、高屈折率導電體膜來解決 (特開昭60 — 168102)。但是這些由多層積層所 構成的反射防止層中，爲招寬低反射的波長範圍，必需增 加構成反射防止膜的層數，伴隨而來的是製造成本增加的 問題。 另外*爲了製造具上述的反射防止和電磁波遮蔽效果 的膜，亦有發明以極爲簡單，由基體側積層光吸收性膜及 二氧化矽膜等2層的反射防止膜，但使用此由氮化鈦層等 製成的光吸收性膜和二氧化矽膜等2層構成之光吸收性反 射防止膜，所得的光吸收性反射防止體的低反射之波長領 域很狹窄，因此其反射防止特性並不足夠。 本發明主要開發單純的層構造，且具充分反射防止特 性的光吸收性反射防止體及其製造方法爲目的。 本發明亦提供單純的層構成具優良耐熱性的光吸收性 反射防止體及其製造方法爲目的。 〔發明的開示〕 本發明所提供光吸收性反射防止體（以下簡稱爲第1 ----------1-------ΐτ------0 (請先閩讀背面之注意事ϊΐ哄寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } A4規格（210 X297公釐} -4 _ Α7 Β7 Α15922 五、發明說明（18 ) 〔例 1 0〕 除了形成1 2 nm之氧氮化鈦膜•使用矽鐵火焰噴塗 靶來形成8 5 nm之二氧化膜以外的條件，以與例1相同 地來獲取光吸收性反射防止髖· 所謂矽鐵火焰噴塗靶方法，係使用未充分地精製之砂 (包含有0 . 20重童％之鋁，0 . 80重置％之鐵* 〇 . 07重量％之鈣，0 · 06重量％鉻，0 . 01重量 %之銅，0 . 0 1重量％之鎂，0 . 0 1重量％之錳， 〇 . 0 0 9重量％之鎳，做爲主要混入之金靥）做爲材料 ，而以火焰喷塗法來製造者* 而所獲得之試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子數 比值爲0.21·並塗敷黑色塗料於所獲得試料之未形成 有膜之玻璃面*且測定形成有膜一側之分光反射率•其結 果，所獲得之分光反射率係與圖1同樣•帶幅寬比爲 1 . 7 1 ·以如此，即使使用矽鐵火焰噴塗靶方法來形成 二氧化矽|亦與使用η型（包含微量之磷）矽化合物之狀 態時同樣，可獲得低反射波長範圍極爲廣闊之光吸收性反 射防止體。 又在本例中|替代矽鐵火焰噴塗靶方法•以使用包含 7原子％之鋁的矽靶來形成二氧化矽以外，予以同樣地來 製成光吸收性反射防止體之狀態時，亦獲得同樣之良好的 結果。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '裝---·！丨訂--------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 Χ297公釐） -21 - 經潦部中央標準局貝工消費合作社印策 415922 Α7 Β7 五、發明説明（2 ) 發明）其特徵爲：在基體上且由基體側、依幾何學膜厚5 一 2 5 nm的氧氮化鈦膜，和幾何學膜厚7 0 — 1 3 0 n m二氧化矽爲主成份的膜之順序製成的膜所構成。並且 爲能降低由二氧化矽爲主成份的膜側入射光反射的光吸收 性反射防止膜，而前述的氧氮化鈦中氧對鈦的原子數比值 爲 0 . 1 1 — 0 . 3 3。 本發明亦提供另一類光吸收性反射防止體（以下簡稱 第2發明），其特徵爲：在基體上且由基體側，依幾何學 膜厚1 5 — 30nm的氧氮化鈦膜，和幾何學膜厚10 -30 nm、屈折率1.7以上在可見光中具實質性透明 的誘電體膜，和幾何學膜厚5 0 — 9 0 nm二氧化矽爲主 成份的膜之順序製成的膜所構成*並且爲能降低由二氧化 矽爲主成份的膜側入射光反射的光吸收性反射防止膜；而 前述的氧氮化鈦中氧對鈦的原子數比值爲0.11-0.33° 〔實施發明的最佳形態〕 本發明的光吸收性反射防止體含有氧氮化鈦，變化此 氧氮化鈦之含氧量其屈折率η和消衰常數k也會產生變化 ，且伴隨而起低反射的波長範圍也會產生變化。總之，可 藉由調整氧氮化鈦中的含氧量來改善其反射防止性能β本 發明中最簡單的膜，是如第1發明所示般具最佳含氧量的 氧氮化鈦膜及二氧化矽爲主成份的膜所形成的膜所構成。 由2層所構成的膜中，使用能在此2層膜中以可見光 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐} ---------i---------W------^ (請先閡讀背面之注意事項 叫寫本頁) I_ /' -5 -
415922 A7 B7 五、發明說明（19 ) 〔產業上之利用可能性〕 本發明的光吸收性反射防止體由單純的層所構成*且 發現具充分的反射防止特性•再者，耐熱性也很好•本發 曰月的光吸收性反射防止體最好是應用在，特別是在陰極射 線管用面板或裝置於陰極射線管前方的電訊面板· (圄面的簡單說明〕 圖1所示的是例1的分光反射率圖* 圈2所示的是例2的分光反射率圖· 圚3所示的是例3的分光反射率圖· 圖4所示的是例1 - 4中氧氮化鈦中所含氧對鈦之原 子數比值與吸收幅寬比間之關係圖* 圖5所示的是例5的分光反射率圖· 圖6所示的是例6的分光反射率圖· 圖7所示的是氧對鈦之原子數比值與可見光透過率之 關係圖· 圖8所示的是例8的分光反射率圖· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 22 本紙張尺度遶用中國國家標準（CNS)A4規格（210 公f ) 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 415B22 A7 B7 五、發明説明（3 ) 中具實質性透明的誘電體膜製成的反射防止體中，某特定 波長（稱爲設計波長）中將反射率調至零點後即能決定各 層的屈折率與膜厚。但是，在設計波長之外的波長，反射 率卻急遽地增加形成所謂的FV c 0 d e』後，在寬廣 的波長範圍無法達到低反射。 如本發明以具有有限的消衰常數的物質，也就是使用 由2層所構成且在寬廣的波長範圍中能產生低反射的光吸 收性物質製成反射防止體。此光吸收性物質的屈折率與消 衰常數之波長依存性（波長分散）是隨膜厚的不同決定的 。總而言之，使用能同時得到屈折率與消衰常數兩方的最 佳波長分散的光吸收性物質是本發明的要點。 在本發明中，發現氧氮化鈦可做爲在寬廣的波長範圍 內低反射的反射防止體之用，且進一步發現其在某特定範 圍內的含氧量是主要左右擴寬低反射波長範圍的重要因素 〇 如後述般在本發明中，爲得到具寬廣的實用低反射波 長範圍的反射防止體，進一步，氧氮化鈦中氧對鈦的原子 數比值介於0.11-0.33是十分重要》當低反射被 要求時，氧對鈦的原子數比值最好介於0 . 1 4 — 0.28特別是0.16-0.26。 在本發明中，做爲二氧化矽爲主成份的膜是以導電性 的矽化合物在氧化性氣體下以直流噴濺而得。對於二氧化 矽爲主成份的膜之成形法並無特別限制，可用CVD法或 噴濺法等乾式法，或噴霧法、旋轉塗布法、浸漬法等濕式 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS M4規格（210X297公釐） J^--- (請先閲讀背面之注意事Ϊ 填寫本頁) • f . 、言 -6 - 415922 A7 B7 五、發明説明（4 ) 法等》就噴濺法而言，有高周波（RF)噴濺法或直流反 應噴濺法等。 使用直流反應性噴濺法之時，爲賦予矽化合物的導電 性常混入硼、磷或鋁等金屬。結果，所得到的矽化合物中 這些金屬被以不純物的型態混入，但在本發明中的二氧化 矽則混入與二氧化矽的屈折率幾乎相近之物。 第1發明的關鍵在於使用幾何學膜厚5 - 2 5 nm氧 氮化鈦膜，和幾何學膜厚70-130nm二氧化矽爲主 成份的膜* 氧氮化鈦膜的膜厚未滿5 n m會使低反射的波長領域 變寬而造成反射率變大，再者膜厚超過2 5 nm則會使低 反射的波長領域變窄、膜變厚且造成反射率變大· 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 (請先閱讀背面之注意事成 梁.寫本頁) -----__ 再者，減少二氧化矽爲主成份的膜之膜厚後，低反射 的波長範圍變成低波長領域，另一方面，增加其膜厚會使 低反射的波長範圍變成長波長領域》總之，爲將低反射的 波長領域移至可見光領域，必需將二氧化矽爲主成份的膜 控制其膜厚至7 0- 1 3 0 nm。氧氮化鈦膜的幾何學膜 厚最好在7_ 2 0 nm特別是8- 1 5 nm。氧氮化鈦的 膜厚限定在範圍，則能擴寬低反射的波長領域且降低反射 率。 二氧化矽爲主成份的膜的幾何學膜厚最好在8 0 — 1 0 0 nm之間。將膜厚調至此範圍能調整低反射的波長 領域至可見光的中央附近，如此更能改善反射防止體的性 能。 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS } A4規格{ 210X 297公釐) -7 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 415922 A7 __B7 _ 五、發明説明（5 ) 第2發明的重要處在於使用，幾何學膜厚1 5 - 3 0 nm氧氮化鈦膜，和幾何學膜厚1 〇_ 3 0 nm、屈折率 1·7以上在可見光中具實質性的誘電體膜，和幾何學膜 厚5 0 — 9 0 nm二氧化矽爲主成份的膜。氧氮化鈦膜等 可做爲前述的誘電體膜》 在第1發明之中最好是在氧氮化鈦膜和前述二氧化砂 爲主成份的膜之間插入一層幾何學膜厚1 - 20nm、金 麕或金屬氮化物爲主成份的層。在第2發明之中最好是在 氧氮化鈦膜和前述誘電體膜之間插入一層幾何學膜厚1 -2 0 nm、金屬或金靥氮化物爲主成份的層。 在光吸收膜與二氧化矽膜間插入做爲光吸收膜氧化的 防止層（以下稱爲障壁層）的金屬或金屬氮化物爲主成分 的層，以防止成膜時的氧化及提高其耐熱性。 這種障壁層是使用銀膜•即所謂的L ow - E玻璃上 被廣泛使用；在銀膜上繼續進行氧化膜成膜時，爲防止銀 膜的氧化爲目的，加入了一層障壁層（ USP4548691 及特開昭 59 — 165001)。 如此，這種障壁層是一種爲防止之後所形成的各層別產生 氧化所加上的膜，因此在光學上並無意義存在（也就是， 幾乎不影響反射防止特性或可見光透過率）。再者•光學 上不具任何意義是非常重要的。 本來爲了不影響反射防止性能這種障壁層的膜厚最好 是在2 0 nm以下。另外，此障壁層的膜厚若未滿1 nm 則提昇的耐熱性不夠，因此最好是插入1 - 2 0 nm間膜 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ ~ 8 - ---------餐-------、?τ------0 (請先閱讀背面之注意事垣 供寫本頁) ---________ ( 415922 Α7 Β7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（6 ) 厚的障壁層，能充分地提昇其耐熱性<> 如上述般，因爲障壁層不具任何光學意義是十分重要 ’因此障壁層若爲光吸收性物質（例如光吸收性的氮化矽 )，其厚度應該控制在5nm以下。 使用透明的障壁層時會隨其屈折率的不同膜厚亦有所 不同。使用屈折率約2 . 0的材料（例如氮化矽或氮化鋁 )時其容許膜厚可達最大，約2 0 nm以下的障壁層在下 層的光吸收膜及上層的誘電體之間，可插入並維持其低反 射特性。 障壁層是一種由鉻、鉬、鎢、釩、鈮、钽、鋅、鎳、 鈀、鉑、鋁、銦、錫及矽所形成的群中1種以上的金靥爲 主成份的膜或是其氮化物爲主成份的膜，或是由鈦、锆或 給所形成的群中1種以上的金屬爲主成份的膜；使用這些 膜可使氧化防止性能充分改善且能維持優異的反射防止特 性。主成份是矽或矽氮化物的層更好0 矽或矽氮化物被氧化時，並非如同其它大部份的金靥 或金屬氮化物中所見的，氧從表面往深度方向以濃度梯度 擴散的氧化機構（氧化機構Α)，而是從表面形成一個原 子層一個原子層的氧化物層的氧化機構（氧化機構Β ) « 氧氮化鈦在二氧化矽爲主成份的膜的成膜時，或是之 後的熱處理時有被氧化的可能性。矽或矽氮化物是爲防止 氧氮化鈦的氧化所用，因爲如此矽或矽氮化物會變成部份 氧化物或是氮氧化矽物。 在前述的氧化機構》金屬或金屬氮化物未完全氧化之 本紙張尺度適用中國國家橾隼（CNS ) Α4規格（210X297公楚^ ~ ' 一 9 - ---------装-------，訂------0 (請先閱讀背面之注意事項 $寫本莨.一 415922 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 前可能先氧化成氧氮化鈦的可能性相比，而後者的氧化機 構B中的矽或矽氮化物則是完全氧化爲止會防止氧氮化鈦 的氧化。 不會影響反射防止體的光學性能，可預見的是可設定 氧化後狀態矽或矽氮化物爲主成份的層之膜厚。由於可見 光中透明的矽氮化物幾乎不會影響反射防止體的光學特性 ，因此最好將膜加厚來防止氧氮化鈦的氧化。 再者本發明是提供一種，在基體上且由基體側依照幾 何學膜厚5 _ 2 5 nm氧氮化鈦膜、及幾何學膜厚7 0 — 1 3 0 nm二氧化矽爲主成份的膜的順序所構成，由二氧 化矽爲主成份的膜側降低入射光反射的光吸收性反射防止 體的製造方法，而此光吸收性反射防止體的特徵爲前述的 氧氮化鈦、乃使用鈦爲主成份的化合物以噴濺法成形而得 的，氧對鈦的原子數比值0 . 1 1 — 0 . 33。 另外，本發明亦提供一種，在基體上且由基體側依照 幾何學膜厚1 5 _ 3 0 nm氧氮化鈦膜、及幾何學膜厚 10—30nm、屈折率1.7以上且在可見光中具實質 性透明的誘電體膜，和幾何學膜厚5 0 — 9 0 nm二氧化 矽爲主成份的膜的順序所構成，由二氧化矽爲主成份的膜 側降低入射光反射的光吸收性反射防止體的製造方法，而 此光吸收性反射防止體的特徵爲前述的氧氮化鈦、乃使用 鈦爲主成份的化合物以噴濺法成形而得的，氧對鈦的原子 數比值 0.11-0. 33。 而氧氮化鈦的成形法並無特別限制，可採用CVD法 本紙張尺度適用>國國家#準（0阳）六4規格（210/297公釐）
---------1-------、玎------it (請先閱讀背面之注意事is嚷寫本頁) _________ /IV -10 - 415922 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、發明説明（8 ) 或噴濺法等。噴濺法中有R F噴濺法或直流反應性噴濺法 等，其中使用直流反應性噴濺法所使用的噴濺氣體最好是 用氮氣、稀氣體及氧化性氣體的混合氣體。 因爲直流反應噴濺法不需要像C V D法般需對基體力EI 熱，且成膜過程中基體的溫度上昇較RF噴濺法小之故， 做爲基體之用的物質限制較小，且在大面積的基體上製作 反射防止體也比較容易》 再者，可調整配合成膜時的鈦化合物之投入電力的氣 體組成比，就結果而言 > 最好的是可調整氧氮化鈦中氧對 鈦的原子比，即氮、稀氣體及氧化性的混合氣體。 做爲氧化性氣體而言，最好使用氧、臭氧、一氧化氮 、二氧化氮、亞氧化氮、二氧化礙及水所形成的群中選擇 1種以上的氣體。其理由爲這些氣體是能將氧原子導入所 得的膜中，且容易調整氧氮化鈦中所含氧對鈦的原子數比 值至最佳狀態的氧化性氣體。 得到光吸收性反射防止體的低反射的波長領域變寬的 氧氮化鈦之後，鈦化合物的投入電力範圍變寬氧氮化鈦的 成膜也變得比較容易，因此前述的混合氣體，最好使用含 有氧且其含氧量低於5體積百分比的氣體。此混合氣體中 的含氧量最好是在2體積百分比以下，在1.2體積百分 比以下則更佳。 可用於本發明中基體的種類有，玻璃、塑膠、塑膠膜 等等β具體而言，構成顯示用之表示部的玻璃，塑膠、塑 膠膜等，或構成建築物或汽車等移動物的窗戶的玻璃、塑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ----------裝--------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項 唭寫本頁) ί 11 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 A7 B7_五、發明説明（9 ) 膠、塑膠膜等。另外，保護展示物等收藏品，且構成確保 辨識性部份的玻璃、塑謬、塑膠膜等亦可。塑膠、塑膠膜 等材料的材質可以是P E T (聚對苯二甲基二乙酯）等。 以適當的應用例而言，本發明的光吸收性反射防止體 作爲陰極射線管前的發光板（面板）之用作說明。本發明 中光吸收性反射防止膜成膜做成面板後，必需將構成陰極 射線管的另外兩種材料的送風機及電子鎗以加熱的低融點 粉末玻璃作爲接著劑之用，融著於面板上。此加熱融著工 程在約在4 5 0 °C下將這些搆成材料緊密接著保持3 0分 鐘，爲完成陰極射線管此工程必需進行二次。本發明中的 障壁層在加熱融著工程中主要擔負防止氧氮化鈦膜氧化的 功能β 在以下的例子中氧氮化鈦中所含氧對鈦的原子數比值 是以E S C Α及氦的拉塞福散亂法求得。測定步驟如下之 詳細說明》拉塞福散亂法的試樣製作是在石墨基板上製作 氧氮化鈦膜1 0 0 nm後，之上氧化防止及污染防止用的 氮化矽膜1 0 n m成膜，進行具有這個試樣的入射能量 2·3MeV、質量數4的氦正離子之後方散亂強度的能 量分光*求得氧對鈦的原子數比值。這個值的誤差通常在 1 0 %之內。 一方面，使用與拉塞福散亂法中所使用的氧氮化鈦相 同的成膜條件下以鈉鹼石灰玻璃上氧氮化鈦2 0 nm成膜 ，在這之上，準備成膜完成的3 nm氮化矽膜，以氬離子 噴濺4分鐘後，讓無污染的氧氮化鈦暴露在真空中，以 ----------裝-------，订------線 (請先閏讀背面之注意事項 π寫本頁) 1—__ /V ( 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 Χ 297公釐） -12 - 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 415922 A7 _ B7五、發明说明（1〇 ) E S C A來測定表面的組成成份》求取以E S CA測得氧 對鈦的原子數比值與由拉塞福散亂法測得氧對鈦的原子數 比值之比值，做爲補正E S CA測得氧對鈦的原子數比值 係數之用》 E S C A中必需以氬離子的噴濺除去表面反應層及污 染層，經過這個處理後氧對鈦的原子數比值變得比實際的 小•再者，氧對鈦的原子數比值隨著噴濺時間的增加慢慢 地變小。因此，以下的例子中氧氮化鈦之氧對鈦的原子數 比值，各個例子的條件同前述一樣，在鈉鹼石灰玻璃依氧 氮化鈦2 0 nm、氮化矽3 nm的順序來成膜*之後以氣 離子噴濺4分鐘，再以E S CA分析其組成，加上使用先 前求得補正係數後求得。 另外，爲判定低反射波長範圍的大小，反射率變成 0 . 6 %的低波長側的波長中，將吸收帶幅寬比定義成去 除高波長側的波長之值•並求其值。 〔例1〕 將成膜室抽真空至2uTo r r後，將氮氣濃度1〇 體積％、氧氣濃度0 · 6 9體積％ '其餘的爲氬氣等所組 成的噴濺氣體導入成膜室，將0 . 2 6 kW的電力導入 20〇111*7(：1]1*0.5(；111大小的欽化合物中，再以 直流反應性噴濺法在鈉鹼石灰玻璃平板上形成9 n m的氧 氮化鈦膜》 接著，使用氮氣濃度3 0體積％、其餘的爲氬氣等所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'〆297公釐1 ----------f-------ΪΤ------^ (請先閲讀背面之注意事項>Mr寫本頁〕 ί /f\__ /ty -13 — 415922 經濟部中央標準局I工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（11 ) 組成的噴濺氣體，將〇.771^狐的電力導入20<；111* 7 cm* 〇 . 5 cm大小的η型矽化合物中，再以直流反 應性噴灘法形成5 n m的氮化砂膜。 接著’使用氧氣濃度6 0體積％、其餘的爲氬氣等所 組成的噴濺氣體，將〇.77kW的電力導入20cm* 7 cm*〇 . 5 cm大小的η型矽化合物中，再以直流反 應性噴濺法形成9 0 nm的二氧化矽膜。 所得試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子數比值爲 〇21。以黑色塗料塗布玻璃上未成膜的一面，測定此 未成膜一面的分光反射率》所得的分光反射率如圖1所示 。吸收帶幅寬比爲1.71。如此可得低反射的波長範圍 非常寬廣的光吸收性反射防止體。 〔例2 (比較例）] 氧氮化鈦成形工程中使用的噴濺氣體，由氮氣濃度 1 0體積％、氧氣濃度0 . 6 9體積％、其餘的爲氬氣等 所組成的噴濺氣體取代爲氮氣濃度1 0體積％、其餘的爲 氬氣等所組成的噴濺氣體，其餘都與例1相同，如此可得 在鈉鹸石灰玻璃平板上形成9 nm的氧氮化鈦膜。接著， 與例1相同的作法，可順序地得到膜厚5 nm的氮化矽膜 和膜厚9 0 nm的二氧化矽膜。 所得試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子數比值爲 0 . 09。與例1相同地進行測定，未成膜一面的分光反 射率如圖2所示。吸收帶幅寬比爲1 . 4 6 4。與例1相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） J^--------1Τ-------^ (請先閲讀背面之注意事項 赞寫本頁) { —14 - 經濟部中央標準局—工消費合作杜印製 415922 A7 B7 五、發明説明（12 ) 比，可知在噴濺氣體若不混入氧，低反射性能不夠充分。 〔例3 (比較例）] 氧氮化鈦成形工程中使用的噴濺氣體，由氮氣濃度 1 0體積％、氧氣濃度0 * 6 9體積％、其餘的爲氬氣等 所組成的噴濺氣體取代爲氮氣濃度1 0體積％、氧氣濃度 1 . 8 5體積％、其餘的爲氬氣等所組成的噴濺氣體，其 餘都與例1相同，如此可得在鈉鹼石灰玻璃平板上形成9 nm的氧氮化鈦膜。接著，與例1相同的作法，可順序地 得到膜厚5 nm的氮化矽膜和膜厚9 0 nm的二氧化矽膜 〇 所得試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子數比值爲 0 . 78。與例1相同地進行測定，未成膜一面的分光反 射率如圖2所示。吸收帶幅寬比爲1 · 0 9 1。與例1相 比，氧氮化鈦中所含的氧濃度若不適當，可知使用作爲光 吸收物質之用的氧氮化鈦則所得光吸收性反射防止體的低 反射範圍非常狹窄，低反射性能不夠充分。 〔例4〕 氧氮化鈦成形工程中使用的噴濺氣體，由氮氣濃度 1 0體積％、變化各種氧氣濃度、其餘的爲氬氣等所組成 的噴濺氣體其餘都與例1相同，如此可得各種光吸收性反 射防止體" 求取所得試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子數比 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0X297公釐） -----------^--------ΐτ------.^ (讀先閱讀背面之注意事項.寫本頁) .ί. -15 - 415922 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（13 ) 值及吸收帶幅寬比，縱軸爲吸收帶幅寬比、橫軸爲氧對紘 的原子數比值作圖，可得圖4。再者·也將例1 _3所得 之值繪入圖4之中。 由圖4可知，隨著氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子數 比值的增加，吸收帶幅寬比一度增加後減少*即低反射範 圍變寬後再度變窄。由此可知，光吸收性反射防止體所希 望的低反射性能相對應，在形成氧氮化鈦時必需調整氧氮 化鈦中所含的氧至某一特定範圍中。 由圖4可知，寬廣的低反射的波長範圍，即使用在吸 收帶幅寬比超過1.5以上的反射防止體的氧氮化鈦的氧 原子數與鈦原子數之適當比值爲〇 . 1 1 — 〇 . 3 3 » 對於需要更低的反射能的用途時，更寬廣的低反射的 波長範圍，即使用在吸收帶幅寬比超過1 . 6 0以上的反 射防止體的氧氮化鈦，其氧原子數與鈦原子數之適當比值 爲 0 1 4 — 0 . 2 8。 對於需要再更低的反射能的用途時，再更寬廣的低反 射的波長範圍，即使用在吸收帶幅寬比超過1 . 6 5以上 的反射防止體的氧氮化鈦，其氧原子數與鈦原子數之適當 比值爲 0.16-0. 26。 測定所得的光吸收性反射防止體的可見光透過率可得 圖7 »由圖7可知•隨著氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子 數比值的增加，光吸收性反射防止體的可見光透過率呈單 調性的增加》 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2Ι0Χ297公釐） -16 一 裝---- (請先閱讀背面之注意事項.γ寫本頁)
-VO 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 415922 A7 ________B7 五、發明説明（14 ) 〔例5〕 與例1相同的作法，可得在鈉鹼石灰玻璃平板上形成 9 nm的氧氮化鈦膜。接著，使用氧氣濃度6 〇體積％、 其餘的爲氬氣等所組成的噴濺氣體，將〇 . 3 4 kW的電 力導入20(：111*7(；1]1*0.5(：111大小的11型矽化合 物中’可得9 0 nm的二氧化矽膜。 所得試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子數比值爲 0 . 25。與例1相同地進行測定，未成膜一面的分光反 射率如圖5所示=吸收帶幅寬比爲1 . 649。如此可得 低反射的波長範圍非常寬廣的光吸收性反射防止體。與例 1相比例5的低反射領域更是狹窄，這是因爲氧氮化鈦在 二氧化矽膜成形時受到少許的氧化。 〔例6〕 將成膜室抽真空至2 uTo r r後，將氮氣濃度1 〇 體積％、氧氣濃度0 · 6 9體積％、其餘的爲氬氣等所組 成的噴濺氣體導入成膜室，將〇 . 2 6 kW的電力導入 20 cm*7 cm*0 . 5 cm大小的鈦化合物中，再以 直流反應性噴濺法在鈉鹼石灰玻璃平板上形成1 5 n m的 氧氮化鈦膜。 接著，使用氮氣濃度3 0體積％、其餘的爲氬氣等所 組成的噴濺氣體，將〇·39kW的電力導入20cm* 7 cm*〇 . 5 cm大小的η型矽化合物中，再以直流反 應性噴濺法形成5 nm的氮化矽膜。 本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4ΪΙ格（210X 2町公釐) ~ -17 - -----------^-------,訂------Φ (請先閲讀背面之注意事項 >'寫本頁) ί __/!>· _ /% 經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁 415922 A7 B7五、發明説明（15 ) 接著，使用氧氣濃度4 0體積％、其餘的爲氬氣等所 組成的噴濺氣體，將0.7的電力導入2Ocm* 7 cm*0 . 5 cm大小的η型砂化合物中，再以直流反 應性噴濺法形成1 8 nm的氧化鈦膜。 接著，使用氧氣濃度6 0體積％、其餘的爲氬氣等所 組成的噴濺氣體*將0.771^狐的電力導入20(：111* 7 cm*0 . 5 cm大小的η型砂化合物中，再以直流反 應性噴濺法形成6 3 nm的二氧化矽膜。 得試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子數比值爲 0.。與例1相同地進行測定，未成膜一面的分光反 射率如圖6所示。吸收帶幅寬比爲1 . 800 >如此可得 低反射的波長範圍非常寬廣的光吸收性反射防止體。 〔例7〕 將成膜室抽真空至4uTo r r後，將氮氣濃度1 〇 體積％、氧氣濃度0 . 6 9體積％、其餘的爲氬氣等所組 成的噴濺氣體導入成膜室，將2 6 kW的電力導入2 0 0 cm*7 0cm*l · 2cm大小的欽化合物中，再以直 流反應性噴濺法在陰極射線管的面板上形成9 nm的氧氮 化鈦膜》 接著，使用氮氣濃度3 0體積％、其餘的爲氬氣等所 組成的噴濺氣體，將3 9 kW的電力導入2 0 0 cm* 7 0 cm* 1 cm大小的η型砂化合物中，再以直流反應 性噴濺法形成5 n m的氮化矽膜。 (請先閱讀背面之注意事項-5¾本頁) 裝. • —>^J -J. -9 線l· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Z3,7* 415922 a7 ___._B7 五、發明說明（16 ) 接著，使用氧氣濃度6 0體積％、其餘的爲氬氣等所 組成的噴濺氣體，將77k W的電力導入200 cm* 7 〇 cm* 1 cm大小的η型矽化合物中，再以直流反應 性噴濺法形成9 0 nm的二氧化矽膜。 得試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子數比值爲 0.21。 完成陰極射線管時必需經過二次在4 5 0 °C中放置 3 0分鐘的熱處理。熱處理後測定形成膜側的分光反射率 ，確認其在熱處理前後並無變化· 由此結果可知，本發明的光吸收性反射防止體具有充 分的耐熱性· 〔例8〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將成膜室抽真空至8uT〇 r r後，將氮氣濃度1〇 體積％、氧氣濃度0 . 6 9體積％、其餘的爲氬氣等所組 成的噴濺氣體導入成膜室•將2 6 kW的電力導入2 0 cm*7 cm*〇 . 5 cm大小的鈦化合物中•再以直流 反應性噴濺法在附加固定於玻璃基板上之硬罩（hard coat )的P ET上形成1 2 nm的氧氮化鈦膜· 接著，使用氮氣濃度3 0體稹％、其餘的爲氬氣等所 組成的噴濺氣體，將039kW的電力導入20cm* 7 cm*〇 . 5 cm大小的η型矽化合物中，再以直流反 應性噴濺法形成5 nm的氮化矽膜· 接著，使用氧氣漉度6 0體積％，其餘的爲氬氣等所 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21CU 297公釐） -19 - .修正册 Α7 Β7 水 ^ Μ:, ί 五、發明說明（17 ) (請先閱讀背面之注急事項再填寫本頁) 組成的噴濺氣體，將0.77kW的電力導入20cm* 7 cm*〇 . 5 cm大小的η型矽化合物中，再以直流反 應性噴濺法形成8 5 nm的二氧化矽膜* 所獲得之試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦之原子數比 值爲0 . 2 5 »並從玻璃基板剝掉所獲得之試樣，而塗敷 黑色塗料於未形成有膜之P E T面，且測定形成有膜一側 之分光反射率•將所獲得之分光反射率顯示於圇8 *因存 在有由硬罩之干捶而產生之波紋，而有關幅寬比並無法加 以測定，惟獲得了低反射波長範圍爲極廣闊之光吸收性反 射防止體* 〔例9〕 除了形成1 2 nm之氧氮化鈦膜，使用p型（含有微 置之硼）矽化合物來形成氮化矽，使用P型矽化合物來形 成8 5 nm之二氧化矽膜以外的條件，以與例1相同地來 獲取光吸收性反射防止體· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而所獲得之試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子數 比值爲0·21·並塗敷黑色塗料於所獲得試料之未形成 有膜之玻璃面，且測定形成有膜一側之分光反射率•其結 果，所獲得之分光反射率係與囫1同樣*帶幅寬比爲 1 · 71。以如此，即使使用p型矽化合物來形成氮化矽 及二氧化矽時，亦與使用η型（包含微量之磷）矽化合物 之狀態時同樣，可獲得低反射波長範園極爲廣闊之光吸收 性反射防止體· 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -20 - Α7 Β7 Α15922 五、發明說明（18 ) 〔例 1 0〕 除了形成1 2 nm之氧氮化鈦膜•使用矽鐵火焰噴塗 靶來形成8 5 nm之二氧化膜以外的條件，以與例1相同 地來獲取光吸收性反射防止髖· 所謂矽鐵火焰噴塗靶方法，係使用未充分地精製之砂 (包含有0 . 20重童％之鋁，0 . 80重置％之鐵* 〇 . 07重量％之鈣，0 · 06重量％鉻，0 . 01重量 %之銅，0 . 0 1重量％之鎂，0 . 0 1重量％之錳， 〇 . 0 0 9重量％之鎳，做爲主要混入之金靥）做爲材料 ，而以火焰喷塗法來製造者* 而所獲得之試樣的氧氮化鈦中所含的氧對鈦的原子數 比值爲0.21·並塗敷黑色塗料於所獲得試料之未形成 有膜之玻璃面*且測定形成有膜一側之分光反射率•其結 果，所獲得之分光反射率係與圖1同樣•帶幅寬比爲 1 . 7 1 ·以如此，即使使用矽鐵火焰噴塗靶方法來形成 二氧化矽|亦與使用η型（包含微量之磷）矽化合物之狀 態時同樣，可獲得低反射波長範圍極爲廣闊之光吸收性反 射防止體。 又在本例中|替代矽鐵火焰噴塗靶方法•以使用包含 7原子％之鋁的矽靶來形成二氧化矽以外，予以同樣地來 製成光吸收性反射防止體之狀態時，亦獲得同樣之良好的 結果。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) '裝---·！丨訂--------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 Χ297公釐） -21 -
415922 A7 B7 五、發明說明（19 ) 〔產業上之利用可能性〕 本發明的光吸收性反射防止體由單純的層所構成*且 發現具充分的反射防止特性•再者，耐熱性也很好•本發 曰月的光吸收性反射防止體最好是應用在，特別是在陰極射 線管用面板或裝置於陰極射線管前方的電訊面板· (圄面的簡單說明〕 圖1所示的是例1的分光反射率圖* 圈2所示的是例2的分光反射率圖· 圚3所示的是例3的分光反射率圖· 圖4所示的是例1 - 4中氧氮化鈦中所含氧對鈦之原 子數比值與吸收幅寬比間之關係圖* 圖5所示的是例5的分光反射率圖· 圖6所示的是例6的分光反射率圖· 圖7所示的是氧對鈦之原子數比值與可見光透過率之 關係圖· 圖8所示的是例8的分光反射率圖· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 22 本紙張尺度遶用中國國家標準（CNS)A4規格（210 公f )