TW414915B - Fabrication method of the image tube and the conductive reflective prevention film - Google Patents

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TW414915B
TW414915B TW088103958A TW88103958A TW414915B TW 414915 B TW414915 B TW 414915B TW 088103958 A TW088103958 A TW 088103958A TW 88103958 A TW88103958 A TW 88103958A TW 414915 B TW414915 B TW 414915B
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insulating coating
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TW088103958A
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Yoshinori Takahashi
Takeshi Koyaizu
Shuzo Matsuda
Original Assignee
Toshiba Corp
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Description

414915 A7 B7 五、發明説明( 【發明領域】 請 閱 讀 背 意 事 項 本發明係有關備有導電性反射防止膜之彩色電視等之 陰極射線管,及使用於陰極射線管等之導電性反射防止膜 之製造方法。 【先行技術】 訂 近年來,由彩色電視機之布朗管或電腦用CRT等所 代表之陰極射線管,在陰極射線管內部之電子槍及偏向軛 附近所發生之電磁波洩漏於外部,而有可能對於周邊之電 子機器等發生影響之問題受人詬病。於是,爲了防止電磁 波洩漏於外部,在陰極射線管之面板(face panel )表面, 設有導電性反射膜。 ,線 像這種導電性反射防止膜,例如於 113?4,785,217揭示有從?&,31,?1:, A g及A u所成群組所選擇之至少含有1種金屬粒子與金 屬氧化物之反射防止膜所構成之導電性反射防止層。 經濟部智慧財產局貞工消費合作社印奴 然而,於導電性反射防止膜,當然可防止上述電磁波 外洩 '爲了由陰極射線管提供鮮明之畫像,也必須同時實 現高對比化。 然而,於先行技術之陰極射線管,爲了實現高對比化 ,若提高導電性反射防止膜之光線透過率亦即若將導電層 膜厚變薄時,由於會減低金屬粒子之密度,所以,不能獲 得充分之導電性,欲防止電磁波外^將變成困難之。另 一方面,爲了欲提高導電性’若增厚膜厚時,由於金屬粒 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4规格(210X297公釐) 414915 A 7 __B7___ 五、發明説明(2 ) 子之密度會變高,所以,有發生光線透過率降低之問題。 又,於先行技術之導電性反射防止膜,由於所使用之 銀,及銀鈀(P d )等金屬粒子之影響,對於4 0 0 n m 〜5 Ο 0 nm附近之波長具有強吸收力。因而,具有彩色 (body color )帶黃色而對比不良.,不易獲得鮮明之畫像。 【發明槪要】 本發明係欲解決上述先行技術之問題所發明者,其目 的係提供一種陰極射線管,其係不僅可防止電磁波之外洩 ,並且,可獲得對比高之鮮明畫像。 又,本發明之目的,係提供一種導電性高,光線透過 率優之導電性反射防止膜之製造方法。 本發明之陰極射線管係備有; 面板,與 形成於面板上之導電.層,與 形成於導電層上之絕緣性被覆層, 設於絕緣性覆蓋層,從絕緣性被覆層表面貫通於導電 層,具有其一部分爲與導電層以電氣方式連接,其他一部 分爲從絕緣性被覆層表面露出之導電構件之導電性反射防 止膜。 又,本發明之導電性反射防止膜之製造方法,係備-有
I 在蕋扳上,形成導電層之製程, 在該導電曆上,形成絕緣性被覆層之製程, (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局工消费合作社印製 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS ) Λ4规格(210X297公鼇) -5- A7 414915 B7 五、發明説明(3 ) 在該絕緣性被覆層中,從該該絕緣性被覆層表面貫通 於該導電層,將該導電構件之一部分與該導電層以電氣方 式連接,將其他一部分從該絕緣性被覆層表面露出之製程 ) 至少對於上述所露出之導電構件接觸電解質溶液之製 程,及去除上述電解質溶液之製程。 ’ 並且,本發明之其他導電性反射防止膜之製造方法> 係具備有; 在預先配設有導電構件之基板上,使其與該導電構件 之一部分以電氣方式連接以形成導電層之製程, 在該導電層及在該導電構件上,除了該導電構件之一 部分,形成絕緣性被覆層,將該導電構件之一部分從該絕 緣性被覆表面露出之製程,及 去除上述電解質溶液之製程。 經濟部智慈財產局員工消赀合作社印製 依據本發明之陰極射線管,所使用之反射防止膜,係 具有對於導電層以電氣方式連接所配設之導電構件,藉此 導電構件,因就可控制含在導電層之金屬之狀態,所以’ 不僅可防止電磁波之外洩,並且,可獲得對比高而鮮明之 畫像。 又,依據本發明之導電性反射防止膜之製造方法,藉 使與導電層連接之導電構件與電解質溶液接觸,由於控制 含在導電層之金屬狀態,就可獲得高導電性,並且,也可 獲得光線透過率優之導電性反射防止膜。 -6- 本紙張尺度適用中囤國家標準(CNS > Λ4規格(2Ι0Χ·297公漦) 414915 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 五、發明説明(4 ) 【較佳實施例之詳細說明】 本發明係由下述第1至第3發明所構成。 第1發明,係一種導電性反射防止膜,其係具備; 面板, 形成於面板上之導電層,及 具有彤成於導電層上之絕緣性被覆層之導電性反射防. 止膜之陰極射線管,其特徵爲提供: 此導電性反射防止膜,係設於絕緣性被覆層,從絕緣 性被覆層表面貫通該導電層,其一部分爲以電氣方式連接 於該導電層,其他一部分爲具有從該絕緣性被覆層表面所 露出之導電構件之導電性反射防止膜。 又,第2發明,係一種提供得以使用有關第1發明之 陰極射線管之反射防止膜之製造方法,其構成係具有,係 在基板上形成導電層之製程,及在該導電層上,形成絕綠 性.被覆膜之製造方法,其特徵爲備有;在絕緣性被覆中, 從絕緣性被覆表面貫通導電層, 將導電構件之一部分以電氣方式連接於導電層,將其 他一部分從絕緣性被覆層表面露出之製程, 對於至少所露出之導電構件接觸電解質溶液之製程, 及 去除電解質溶液之製程。 並且,第3發明係一種提供得以使用有關第1發明之 陰極射線管之反射防止膜之製造方法之其他一種。其構成 係具有,預先配設導電構件之越板上,與導電構件之一部 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) -裝- 訂 線 本紙張尺度適用中國圏家標準(CNS ) Λ4规格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印敗 414915 A7 A7 _B7_ _五、發明説明(5 ) 分以電氣方式連接以形成導電層之製程’ 在導電層及導電構件上,除了導電構件之其他一部分 ,形成絕緣性被覆層,將導電構件之其他一部分從該絕緣 性被覆層表面露出之製程, 至少在所露出之導電構件接觸電解質溶液之製程,及 去除電解質溶液之製程。 並且,第3發明係提供一種得.以使用有關第1發明之 陰極射線管之反射防止膜之製造方法之其他一種。其特徵 爲;其構成係在預先配設導電構件之基板上,使其與導電 構件之一部分以電氣方式連接以形成之導電層之製程, 在導電層及導電構件上,除了導電構件之其他一部分 形成絕緣性被覆層,將導電構件之其他一部分從該絕緣性 被覆表面露出之製程, 至少在所露出之導電構件接觸電解質溶液之製程,及 去除電解質溶液之製程。 有關本發明之陰極射線管,係由於在其導電性反射防 止膜配設導電構件,所以,在此導電構件接觸電解質溶液 ,就可控制含在導電層之金屬之狀態。其結果’就可獲得 導電性高,也優於光線透過率之導電性反射防止膜,不僅 可有效防止電磁波之外洩,並且可獲得對比高之鮮明畫面 〇 又,依據有關本發明之導電性反射防止膜之製造方法 ,與導電層以電氣方式連接,形成從被覆層表面所露出之 導電構件,藉此導電構件與電解質溶液接觸,在製造中, (請先閱讀背奁之注意事項再%^本頁) .装. -訂 線 本紙張尺度適用中國因家標準(CNS ) Λ4规格(21 ο X 297公釐) A7 _B7___ 五、發明説明(6 ) 就可經由導電構件控制含在導電層之金屬狀態。藉此,就 可製造導電性高,光線透過率優之導電性反射防止膜。 使用於本發明之導電層,較佳爲含有銀或金等金屬之 微粒子群。 金屬之微粒子大小,爲平均粒徑(將各微子換算爲表 示同一體積之球之平均値)爲約1 〇〜1 〇 〇 〇 A程度。 若未滿1 Ο A時.,就不能獲得充分之導電性,若超過 1 Ο Ο Ο A時就有不能獲得充分光透過性之趨向。 金屬微粒群將成爲支持電子移動之媒體。所以’於導 電層中若金屬之微粒子群密度高時,導電層之導電性也會 變成良好。 當欲形成導電層時,具有例如銀,金,鈀及銅等之微 粒子·,例如在乙醇,甲醇,η —丙醇(n-propanol_) ’異丙 醇(isopropylalcohol) ,η — 丁醇(n-butanol) ’ 水’ NMP之溶媒所分散之分散液旋轉塗層法,噴塗法或浸漬 法等而塗敷於面板之玻璃面等之方法。此時,抑制於導電 層發生不均勻,而爲了欲獲得均勻層厚之導電層,將上述 面板之玻璃面等之溫度保持爲5〜6 0 °C程度較佳。 導電層之層厚係考慮光線透過性,通常’採取1 ◦〜 1 0 0 0 A程度。導電層之層厚係藉調整含在上述分散液 中之銀或銅等金屬之微粒子濃度,旋轉塗層法在塗敷時之 轉數,噴塗法之分散液之釋放量或於浸漬法之抽出速度等 就可容易控制,而塗敷後蒸發分散液之溶媒。 又,在導電層,再添加有機金蹓化合物,顏料及染料 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) 裝· I11 線_ 經濟部智慧財產局員工消赀合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(〔卜!5)八4規格(210乂 297公麓) 414915 B7 經漓部智慧財產局資工消贤合作社印災
五 、發明説明( 7 ) 等 也 可 附加 其他機能。 按 導電 層之最終電阻値 j 係具有 抑制 洩 漏 1¾ 場 所 需 之 1 0 2 〜1 0 5 Ω程度=若 超 過1 0 5 Q 程 度 時 就 不 能 充 分 抑 制洩 漏電場。 又 設於 導電層上之被覆 層 係具有 保護 該 導 電 層 之 機 能 0 例如 ,欲 形成將S 1 0 2 · 氫 代烷基 矽烷 ( fl U 0 ΓΟ - alkyl si] an e ) 等絕 緣物質作爲主成分之被覆層 時, 例 如 可 列 舉 將 矽 之 烴 氧基 金屬(alcoxides ) 溶液使 用旋 轉 塗 層 法 噴 塗 法 或 浸 漬法 等塗敷之方法。 被 覆 法之 層厚,最佳爲1 0 〜1 0 0 0 A 程 度 〇 若 未 滿 1 0 0 0 A 程度時,就不能 充 分保護 導電 層 不 能 獲 得 充 分 之 膜 強度 。若超過1 0 0 0 A時將 變成 不 適 合 於 防 止 反 射 之 膜 厚, 而具有不能獲得充分反射防止機能之趨向。 被 覆 層之 層厚係藉溶液之 黏 度,調 整矽 之 烴 氧 基 金 屬 溶 液 之 濃 度, 旋轉塗層法在塗 敷 時之轉 數, 噴 塗 法 之 烴 氧 基 金 屬 溶 液之 釋放量或於浸漬 法 之抽出 速度 等 就 可 容 易 控 制 而 塗 敷後 蒸發分散液之溶媒 按 通常 ,係形成導電層 及 被覆層 經乾 燥 後 以 8 0 4 0 0 。0燒 烤1 0〜1 8 0 分 鐘最終 就可 獲 得 導 電 性 反 射 防 止 膜 > 0 電 磁 波所洩漏之交流電 場 (A E F Alternati\ rng Elec .r i :Field )係,可大別爲 E L F帶 與V L F -;»b 之 2 種 > 欲 遮 斷 E L F帶時,重耍的 是 導電性 反射 防 止 膜 之 表 面 >3^ 阻 値 係 IX 1 0 5 Ω爲位於 以 下之_範 圍, 欲 遮 斷 V L F 本紙掁尺度適州中國國家標準(CNS ) Λ4规格(21 OX 2们公潑) 414915 A7 B7 五、發明説明(8 ) 帶時,重要的是導電性 Χ102Ω以下之範圍 並且,導電構件係 爲與導電層以電氣方式 從被覆層露出時,則其 如,較導電層更向被覆 件,在面板之玻璃面等 面板之玻璃面等預先形 ,也可以在由I T〇膜 反射防止膜。 又,導電構件雖然 位置,但是,配設在不 ,例如,配設於陰極射 導電性構件之形狀,係 任意形狀,而鑑於陰極 反射防止膜之表面電阻値爲位於 對於導 連接, 配置之 層,也 形成導 成由I 等所構 可配設 會降低 線管之 可採取 射管之 電性反射 並且,其 形態並非 如貫通該 電性反射 T 0膜等 成之導電 於導電性 陰極射線 顯不畫面 圓形,橢 規格或使 防止膜,其一部分 他一部 特別受 被覆層 防止膜 所構成 構件上 反射防 管之辦 之外周 圓形及 用環境 分爲配設成 到限制。例 配設導電構_ 時,該在該 之導電構件 疊層導電性 止膜之任何 視性之位置 部等較佳, 四角形等之 作適當決定 A 閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 寫 本 頁 經濟部智蒽財產局肖工消赀合作钍印製 並且,從導電性反射防止膜所露出之導電構件之大小 ,係以表面積而言以約1〜1 0 ◦ m m 2程度較佳=又,當 配設導電構件時,可配設1個導電構件,或視其需要也可 配設複數之導電構件。 並且,導電構件係呈現1 〇 5 Ω /□以下之導電性較佳 ,導電構件,係例如可適當選擇I T 0等之導電性有機化 合物等之可導電材料使用。 又,於本發明之導電性反射膜之製造方法,在上述導 本紙張尺度適用中國國家標準(〇~5>八4規格(210/297公釐) 11 - 414915 A7 B7 經濟部智魅財產局爵工"贤合作钍印災 五、發明説明(9 ) 電層及被覆膜上形成上述導電構件時,將導電構件之一部 分,將與導電層以電氣方式連接,並且,將其他—部分從 被覆層露出來配設時,其形成方法並非特別限定。例如, 燒烤導電層及被覆層之後’使用軟焊等就可形成導電構件 ώ又1也可以在面板之玻璃面等例如預先形成I τ 0膜等 所構成之導電構件,在由I Τ 0膜等所構成之導電構件上 依序疊層導電層及被覆膜。 按,如後述,由於在導電構件接觸電解質溶液,所以 ,導電構件係對於該電解質溶液選擇安定之物質》 並且,當對於導電構件接觸電解質溶液時,若在導電 構件與電解質溶液之間可發生氧化還原反應之條件時就不 特別加以限制。電解質溶液,係對於導電構件不會發生腐 蝕等安定性優之電解質,例如含有’ κ +,B a 2 " ’ N a h ,Μη2+, Ζη2.μ, Cr3+,Fe2+,Cu2 +及 Cu - 所構成群組所選擇之至少1個離子較佳。又’電解質溶液 之濃度或導電構件與電解質溶液之接觸時間等’係可依據 導電性反射防止膜之製造環境或製造條件作適當設定。 茲使用圖面詳細說明本發明之陰極射線管及導電性反 射防止膜之製造方法之實施形態如下。 第1圖係表示有關本發明一實施形態之陰極射線管之 構成之圖。 於第1圖,陰極射線管係具有面板1及一體地接合於 面板1之玻錐(funnel ) 2所構成之外圍器’在此面板1 內面分別形成有發光成藍’綠’紅之三色榮光體層’妈埋 (請先閱讀背面之.注意事項再本頁) Θ .裝- 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4规格(210X 297公碰) -12 - 414915 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消"合作社印製 五、發明説明(10 ) 入此各三色熒光體層之間隙部之黑色光吸收體所構成之熒 光面3。並且,三色熒光體層,使用將各色之熒光體分別 分散爲各P V A,界面活性劑,純水等之泥漿,而將此依 據通常之方法依序反覆塗敷,乾燥,曝光,顯像於面板內 面’形成熒光面就可獲得。三色熒光體層之形狀,係雖然 條(stripe )狀或點(d 〇 t )狀都可以,但是,在此成了 點狀。並且,對向於熒光面3在其內側裝設有形成爲多數 電子束通過孔之彩色影像管屏蔽(shadow mask ) 4 =又, 在玻錐2之頸部5內部,配設有將電子束照射於熒光遍3 所用之電子槍6。在此,由電子槍6所射出之電子束就衝 突於熒光面3,而激發,發光三色熒光體層。又,在導電 性反射防止膜7,不僅連接構成導電性反射防止膜7之就 導電層’並且配設有從被覆膜露出之導電構件8 : 茲就導電性反射防止膜之製造方法使用第2圖及第3 圖說明如下=第2圖及第3圖,係分別第1圖所示,表示 有配設導電構件8之導電性反射防止膜7之構成例之剖面 〇 如第2圖所示,首先,在由玻璃等所構成之面板1外 面,形成含有銀微粒子之導電層9。其後,將S i ◦ 2爲主 成分之被覆層1 0形成爲如覆蓋整個導電層9表面而加以 燒烤。其後,例如使用超音波軟焊器(旭玻璃株式會社製 :Sunbonder )進行軟焊埋設導電構件8,而與導電層9以 電氣方式連接,使導電構件8露出於被覆層1 0出現於前 面。 (請先閱讀背面之注意事項再本瓦)
,1T 線 本紙恨尺度適用中國國家櫺準(CNS ) Λ4规格(210X 297公釐) -13 - 414915 A7 ' ' __B7 五、發明説明(11 ) 又,如第3圖所示,預先由I TO等所構成之導電構 件8形成於面板1表面例如形成於外周部。其後,將導電 層9使其外緣部能夠接觸於導電構件8之一部分,形成, 燒烤於其內周面,將導電構件8與導電層9以電氣方式連 接。並且,露出導電構件8之其他一部分,並且,如覆蓋 整個導電層9表面形成被覆層1 0。 如第2圖或第3圖,將與導電層9連接之導電構件8 形成爲從被覆層1 0露出之構成之後,對於導電構件8接 觸於電解質溶液1 1。按,此時必須注意導電層9及電解 質溶液1 1不會直接接觸。若導電層9及電解質溶液1 1 直接接觸時,由於含於導電層9之銀等金屬之微粒子會與 電解質溶液1 1發生反應所致。導電構件8係必須選擇使 用對於電解質溶液1 1安定之物質。又,使從被覆層1 0 與導電構件8之間不會浸潤電解質溶液1 1 ,構成爲沒有 間隙較佳。 經濟部智惡財產局8工消"合作社印災 將導電層9經由導電構件8而由電解質溶液1 1處理 時,導電性反射防止膜之導電性提高而電阻値會下降。又 ,對於4 0 0〜5 0 0 nm波長之光線之透過率會上升而 可呈現中性之透過率。 有關其機制之詳細內容,到現在尙不淸楚,但是,本 發明人等係推測如下。 亦即,對於導電性反射防止膜之導電性提升與4 0 〇 〜5 0 0 nm之波長光線之透過率之上升|係只有電解質 溶液與導電層導通時才會發生之現象 > 所以,在導電曆及 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4规格(2丨Oxm公釐) 414915 A7 _B7 五、發明説明(12) 被覆層之形成過程發生於導電層中之金屬離子(例如A g 1 ),由電氣性作用還原爲金屬,並且,由還原所產生之金 屬,爲在預先含在導電層中之金屬微粒子間再成爲微粒子 之金屬配置,所以,可提升導電層之導電性。又 > 如埋設 預先含在導電層中之金屬微粒子間,由於再形成.微細金屬 之微粒子就可減少光線之散亂,尤其對於4 0 0〜5 0 0 nm波長光線之透過率就會上升。 按,於上述實施形態,將本發明之陰極射線管作爲彩 色陰極射線管時之例做了說明,但是當然也可成爲單色之 陰極射線管。 【實施例1】 準備1 0 cmx 1 〇 cm之玻璃基板。淸洗此玻璃板 。將經過淸洗之玻璃基板,加熱至約4 5 °C,將分散平均 粒徑3 0 n m之銀微粒之分散液,使用旋轉器(spinner ) 塗敷於玻璃基板之一面。接著,從塗敷於玻璃基板上之分 散液蒸發溶媒形成導電層。 經濟部智慈財產局工消赍合作社印製 之後,在導電層上使用旋轉器塗敷砂之烴氧基金屬溶 液,從所塗敷之烴氧基金屬溶液蒸發溶媒形成被覆層。並 且,將導電層及被覆層在2 1 °C燒烤3 9分鐘,獲得了 2 層之疊層膜。 如第2圖所示,對於燒烤後之導電層及被覆層,能夠 與導電層保持導通,由使用超音波軟焊器(旭玻璃株式會 社製:(Sutibondef )藉軟焊形成了導m構件。其後,將形 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(2丨0 X 2W公釐) 五、發明説明(13 ) 請 閱 讀 背 © 之 注 意 事 項 再 成導電構件之玻璃基板浸漬1小時於1 %之N a c 1溶液 。最後,使用純水淸洗了玻璃基板,充分去除N a C 1溶^ 液之後,經乾燥,而獲得導電性反射防止膜。 同樣,將充分分散銀微子之分散液使用旋轉器塗敷於 玻璃基板之一面時,將旋轉器轉數,KM8〇rpm〜 2 5 0 r pm之範圍1而形成了備有種種層厚之導.電層之 導電性反射防止膜。 所獲得導電性反射防止膜之視感正反射率爲〇 . 3 % ,具有充分之反射防止效果。又,測定其電阻値時具3 0 Ω,該時之透過率爲8 0%,具有充分導電性足以防止電 磁波之洩漏。 於第4圖表示具有種種層厚之導電層之導電性反射防 止膜之電阻値與光線透過率之關係之圖表以實線表示。於 第5圖將表示光線波長與透過率關係之圖表以實線表示。 【比較例1】 經濟部智祛財產局資工消贤合作社印製 除了形成導電構件而沒有進行由1%之Na C 1溶液 之處理之外,與實施例1同樣在玻璃基板上形成了導電性 反射防止膜。 又,測定其電阻値時爲1 X 1 0 6 Ω,與實施例1比較 ,劣於導電性,不能充分期待電磁波洩漏之防止效睪。由 此事,除了不由電解質溶液之接觸以外,即使以相同條件 形成反射防止膜,曉得了其反射啤止膜之導電性爲較劣。 又,將分散與實施例1同樣銀微粒子之分散液使用旋 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) -16- 41^915 Α7 Β7 五、發明説明(14 ) 轉器塗敷於玻璃基板一面時,將旋轉器轉數變化於_8 0 r pm〜2 5 0 r pm之範圍,而形成了備有種種層厚之 導電層之導電性反射防止膜。 將所獲得之導電性反射防止膜之電阻値與光線之透過 率之關係,同樣於第4圖以虛線表示。又’同樣地’將光 線波長與透過率之關係於弟5圖以虛線表不。 由第4圖就可淸楚,如實線所示,由有關本發明之方 法所形成之導電性反射防止膜,與以虚線所示先前方法所 形成之導電性反射防止膜做比較,呈現同一光線透過率時 其電阻値爲下降,尤其,光線透過率上升時曉得了其趨向 愈強。又,於比較例,倘光線透過率爲7 5 %以下時,雖 然可獲得電磁波洩漏防止具有1 X 1 0 3 Ω以下之有效表面 電阻値,但是,實施例時,光線透過率爲8 0 %程度就可 獲得同樣之表面電阻値。 又,從第5圖就可淸楚,以實線所示由有關本發明之 方法所形成之導電性反射防止膜,係與以虛線所示先前方 法所形成之導電性反射防止膜做比較,尤其光線波長爲 4 0 0〜5 0 0 nm時曉得了透過率顯著地上升。 因此,若依據實施例1 ,與比較例1相較,曉得了導 電性反射防止膜之電阻値爲下降,亦即提高了導電性。所 以,可更有效地防止電磁波洩漏於外部。 又,確認了光線之透過率,尤其1光線波長爲4 0 0 〜5 0 0 n m時大爲提高。所以,可防止畫面彩色帶黃色 變成不鮮明之II像。 本紙张尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(2I0X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再_本頁) -s 丁 經濟部智慧財產局Η工消赀合作社印製 414915 A7 B7 五、發明説明(15) 又,將電解質溶液’並非以1 %之N a C 1 ,使用1 請 閱 讀 背 dj 之 注 意 事 項 再 |( 本 頁 % 之 KC1 ’ BaC I2’ CaC]_2,MnCl2, ZnCla,CrCl2’ FeCl2 及 CuCl2 時,進行 同樣之測定時’也獲得了與實施例1同樣之結果。 【實施例2】 準備對角1 6英吋之主成分爲S i 〇2之面板。淸洗此 面板。其後’將面板加熱至約3 5 t,將分散銀粒子之分 散液使用旋轉器塗敷於面板外面。接著,由塗敷於面板上 之分散液蒸發溶媒形成了導電層。 訂 接著,在導電層使用旋轉器塗敷了矽之烴氧基金屬溶 液,由所塗敷之烴氧基金屬溶液蒸發溶媒形成了被覆層。 而後,將導電層及被覆層在2 1 0°C燒烤3 0分鐘。 經濟部智恁財產局貨工消赀合作钍印製 接著,如第2圖所示,對於燒烤後之導電層及被覆層 ,能夠與導電層導通,由使用超音波軟焊器(旭玻璃株式 會社製:(Sunbonder )藉軟焊形成了導電構件。將玻璃基 板浸漬1小時於1 %之N a C I溶液。最後,使用純水淸 洗了玻璃基板,充分去除N a C 1溶液之後,經乾燥,而 在面板外面上形成了導電性反射防止膜。 所獲得導電性反射防止膜之視1感正反射率爲0 3 % ,具有充分之反射防止效果。又,測定其電阻値時具8 0 Ω ^其透過率爲8 0%。 又,使用通常之泥漿法亦即對於3色熒光體,分別添 加輅酸化合物之重鉻酸銨與聚乙烯醇製作感光性泥漿’將 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210 X 2耵公趁) -18 - A7 經 濟 部 智 总 財 產 局 1 費 合 作 社 印 % 414915 B7 五、發明説明(16) 此感光性泥漿使用迴轉塗敷法塗敷於面板上反復進行曝光 ,顯像,在面板內面製作了熒光膜。 使用所獲得之面板,由通常方法,組配了備有第1圖 所示構成之陰極射線管。 【比較例2】 另一方面,形成導電構件除了沒有進行1 %之 N a C 1溶液之處理之外,與實施例1同樣獲得了陰極射 線管。 所獲得之導電性反射防止膜之視感正反射率爲0 . 3 %具有充分之反射防止效果。又,其電阻値爲1 X 1 〇3Ω ’而光透過率爲8 0%。 由此結果,與比較例2之陰極射線管做比較_,於實施 例2之陰極射線管,曉得了電磁波之外漏顯著地減少。 又,於實施例2及比較例2所獲得之陰極射線管,測 定了所顯示之畫像對比。 按,對比(Brightness Contrast Performance ),係將從 陰極射線管內部透過面板透過於外部之光線強度(亮度) 視爲A,從面板外部射入面板並且向面板外部反射之光線 強度(外光反射率)視爲B時,具有A 1 / A 2 / ( B 1 / B 〇 ) 1 / 2 ( A 1 ,B 1 :於實施例2之陰極射線管 所獲得之資料,A 〇,B 〇 ;於比較例2之陰極射線管所 獲得之資料)之關係。測定之結果,A 1係4 9 0 // A > B 1 爲 4 7 0 y A,A 0 係 2 · 5 %,B 0 爲 2 · 6 %, 本紙很尺度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4规格(210X 297公釐) -19- A7 B7 414915 五、發明説明(17 ) 對比爲1 . 0 2。 比較之結果,於實施例2之陰極射線管,與比較側2 之陰極射線管比較,曉得了可獲得對比高而鮮明之畫像。 圖式之簡單說明 第1圖係表示有關本發明一實施形態之陰極射線管構 成之圖。 第2圖係表示本發明之反射防止膜之一例構成之剖面 圖。 第3圖係表示本發明之反射防止膜之其他一例構成之 剖面圖。 第4圖係表示導電性反射防止膜之電阻値與光線透過 率關係之圖表。 第5圖係表示光線波長與透過率關係之圖表。 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) —裝. Θ 本 -'6 經濟部智慧財產局a:工消费合作社印製 【符號之說明】 1 :面板, 3:熒光面, 5 :頸部, 7 :導電性反射防止膜 9 :導電層, 1 1 :電解質溶液。 2 :玻錐, 4 :彩色影像管屏蔽 6 :電子槍, 8:導電構件, 0 :被覆層, 本紙张尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公煺〉 -20-

Claims (1)

  1. 8 8 0〇 8 ABCD 414915 六、申請專利範圍 1 . 一種陰極射線管,其特徵爲備有; 面板,與 形成於該面板上之導電層, 形成於該導電層上之絕緣性被覆層, 設於該絕緣性被覆層,從該絕緣性被覆層表面貫通於 該導電層, 其一部分爲與該導電層以電氣方式連接,其他一部分 爲具有從該絕緣性被覆層表面露出之導電構件之導電性反 射防止膜。 2 .如申請專利範圍第1項之陰極射線管,其中上述 導電層爲含有銀及銀合金爲主成分之微粒子群。 3 .如申請專利範圍第1項之陰極射線管,其中上述 絕緣性被覆層爲含有S i 0 2。 4 ·如申請專利範圍第1項之陰極射線管,其中上述 導電構件,係形成於面板之非畫像領域。 5 . —種導電性反射防止膜之製造方法,其係具備; 在基板上,形成導電層之製程, 在該導電層上,形成絕緣性被覆層之製程, 在該絕緣性被覆層中,從該絕緣性被覆層表面貫通該 導電層,將該導電構件之一部分以電氣方式連接於該導電 層’將其他一部分從該絕緣性被覆層表面露出之製程,及 至少對於上述所露出之導電構件接觸於電解質溶液之 製程。 6 .如申請專利範圍第5項之方法,其中含有銀及銀 本紙张尺度適丨丨丨屮阐阐家標节(CNS ) Λ4>見格(2l()X2<>7公趁) ---------^ II (钟先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線, 經濟部智龙財/|局拉工;7]費^作社卬製 -21 - 414915 2« D8 六、申請專利範圍 合金爲主成分之微粒子群。 7 .如申請專利範圍第5項之方法,其中上述絕緣性 被覆層爲含有S i 〇2。 8 .如申請專利範圍第5項之方法,其中上述電解質 溶液,係含有從 K +,B a 2 +,C a 2 +,N a + ’ Μ η 2 + ,Ζ η 2 +,C r 3 +,F e 2 +及C u 2 +群所選擇之至少1 種離子。 b .如申請專利範圍第5項之方法,其中上述電解質 溶液’係含有從 K+,Ba2+,Ca2+,Na+’Mn2 + ,Zn2+,C r 3 + - F e 2 + > Cu2 + 及 Cu_ 群所選擇 之至少1種離子。 1 〇 .—種導電性反射防止膜之製造方法,其特徵爲 備有; 在預先配設導電構件之基板上,與該導電構件之一部 分以電氣方式連接以形成導電層之製程, 在該導電層及該導電構件上,除了該導電構件之其他 一部分外,將該導電構件之其他一部分從絕緣性被覆層表 面露出之製程,及 在至少上述所露出之導電構件接觸電解質溶液之製程 〇 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之方法,其中上述導 電層爲含有以銀及銀合金做爲主成分之微粒子群。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之方法,其中上述絕 緣性被覆層爲含有S 1 0 2。 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經漓部智义时產局揖工;'/]骨合作社印製 本紙掁义度速圯1,阐闯本螵卒(CNS ) Λ4現格(2丨()X 297公烚) _ 2〇 . 8 8 8 8 ABCD 414915 六、申請專利範圍 1 3 •如 申請專利範圍第 1 0項之 方法 ,其 中 上 述 电 解 質 溶 液 ,係 含有從Κ ,B a 2 +,C ε 1 2 + 1 N £ 1 f f Μ η 2 ', Ζ η 2 +,C r 3 + , F e 2 +及 C u 2 +群 所 sSB m 擇 之 至 少 1 種丨 雛子 〇 1 4 .如 申請專利範圍第 1 0項之 方法 ,其 中 上 述 電 解 質 溶 液 ,係 含有從K + ,:B a 2 +,C £ 1 2 + - Ν ί 1 + j Μ η 2 + , Ζ η [2 +,C r 3 + , F e 2 + * C u 2 +及C u 群 所選擇之至少1種離子。 經濟部智总"產局肖工;/]骨合作社卬製 (诗先閒讀背面之洼意事項為填寫本頁)
    本紙^尺度適川中内國家標擎((:紙)八4規格(21()><297公庚) -23-
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