TW414909B - Indirectly heated cathode and cathode-ray tube comprising the same - Google Patents

Indirectly heated cathode and cathode-ray tube comprising the same Download PDF

Info

Publication number
TW414909B
TW414909B TW088100320A TW88100320A TW414909B TW 414909 B TW414909 B TW 414909B TW 088100320 A TW088100320 A TW 088100320A TW 88100320 A TW88100320 A TW 88100320A TW 414909 B TW414909 B TW 414909B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
alumina
alumina particles
cathode
less
particles
Prior art date
Application number
TW088100320A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoji Yamamoto
Masaki Kawasaki
Hideo Koshino
Tetsuya Shimizu
Junya Nakai
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Application granted granted Critical
Publication of TW414909B publication Critical patent/TW414909B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/13Solid thermionic cathodes
    • H01J1/20Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
    • H01J1/22Heaters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/13Solid thermionic cathodes
    • H01J1/20Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment

Landscapes

  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Solid Thermionic Cathode (AREA)
  • Tires In General (AREA)
  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
  • Discharge Heating (AREA)

Description

414909 A7 B7 五、發明説明() 〔發明所屬之技術領域〕 本發明係有關於用於電視顯像管、電腦顯視器等之陰 極射線管用旁熱型陰極及使用該陰極之陰極射線管 > 特別 是有關於用於電子槍之旁熱型陰極用加熱器的氧化鋁電絕 緣層。 〔習知技術〕 以往一般陰極射線管所用之加熱用加熱器13,如圖 10所示般,係在鎢或鎢鍊合金構成的捲繞成線圈狀之金屬 線圏14表面,將氧化鋁粒子用電泳法、噴敷法等被覆後, 藉燒成以形成氧化鋁電絕緣層11。於加熱用加熱器13外 側,設陰極9支撐甩的金屬罩17及筒狀套筒10。加熱用 加熱器13,爲了使熱電子從陰極9放出,係對金屬罩17 及筒狀套筒10供給充分的熱量。又,金屬線圈14表面上 的氧化鋁電絕緣層11能保持筒狀套筒1〇和金屬線圈14間 的電絕緣性。又,藉由於該氧化鋁電絕緣層Π上設鎢粒子 _和氧化鋁粒子的混合物構成之暗層12 ·能將加熱用加熱器 13對筒狀套筒10的熱傳效率提高。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔發明所要解決的課題〕 然而,所用的加熱用加熱器具有這種氧化鋁電絕緣層 之旁熱型陰極,於燒結時或實際使用動作時,於氧化鋁電 絕緣層不均一的部分熱應力會集中,易產生裂痕16或加熱 器的變形。結果,對陰極部的熱傳量減少,加熱器溫度會 上昇,將構成加熱器和陰極間的電絕緣不良、加熱器斷線 等的原因,又陰極部的動作溫度會降低,電子放射將減少 ___4_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公煃) 經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 414909 A7 __士_______B7 五、發明説明(>) 而對陰極射線管的特性帶來影響。 , ' 爲了解決這種問題,也有各種方法被提出。例如,將 纖維狀或鬚狀的高融點無機絕緣物和無機絕緣物混合以提 高氧化鋁電絕緣層的強度而防止前述裂痕(特公昭44-1775 號公報),藉由提高氧化鋁電絕緣層內的氣孔率以防止裂痕 的進展(特公昭60-221925號公報)。 然而,上述習知的構成中,或是材料的價格高,或是 提高氣孔率的情形,不易得出均一的氧化鋁電絕緣層,對 加熱器的製造不良率或陰極組裝時的損傷會帶來重大的影 響。又,上述構成中,對於以較低溫(約ll〇〇°C以下)作動 的加熱器有效,但對含浸型陰極般之高溫(約ll〇(TC以上) 作動的加熱器則有壽命短的問題。 本發明的目的是提供一種旁熱型陰極,能實現穩定的 生產,即使在陰極射線管的實際使用動作時亦不致產生氧 化鋁電絕緣層的裂痕或加熱器變形,能使加熱器的壽命延 ^ 長,並提供使用該陰極之陰極射線管。 [用以解決課題之方法〕 爲了達成前述目的,本發明的旁熱型陰極,彳奉包含: 於金屬線表面將氧化錫粒子被覆燒成以形成氧化錫電絕緣 層之加熱用加熱器,以及接受來自前述加熱用加熱器的熱 以放出熱電子之電子放射部;其特徵在於: 前述氧化鋁電絕緣層的氧化鋁純度爲99.7重量%以上 ,且爲形成前述氧化鋁電絕緣層的氧化鋁粒子中,粒徑2 以下者的Na含有量爲2〇Ppm以下.或爲形成前述氧 __5___ 本紙張尺度適用中國國ΐ標準(CNS ) Λ4規格(ll〇X 297公釐) " ^ . ^ Γ* I I 一"~~!" (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁-, 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 414909 a7 立___;___B7_______ 五、發明説明(、) 化鋁電絕緣層之氧化鋁粒子的Si含有量爲i〇0ppm以下。 又本發明的陰極射線管,係包含:內面具螢光面之面 板部’粘著於面板部後方之玻錐部’形成於玻錐部後方之 內部具電子束放射用的電子槍之頸部;其特徵在於: 前述電子槍具備旁熱型陰極,該陰極包含:於金屬線 表面將氧化鋁粒子被覆燒成以形成氧化鋁電絕緣層之加熱 兩加熱器,以及接受來自前述加熱用加熱器的熱以放出熱 電子之電子放射部; 前述氧化鋁電絕緣層的氧化鋁純度爲99.7重量%以上 ,且爲形成前述氧化鋁電絕緣層的氧化鋁粒子中,粒徑2 /zm以下者的Na含有量爲20ppm以下,或爲形成前述氧 化鋁電絕緣層之氧化鋁粒子的Si含有量爲lOOppm以下。 前述本發明的旁熱型陰極及陰極射線管中,爲形成前 述電絕緣層之氧化鋁粒子中,較佳爲,粒徑2#m以下者 佔前述氧化鋁粒子全體的比例爲10〜50重量%。藉由規定 ’氧化鋁粒子的粒徑和Na含有量,能使加熱器的壽命更加 延長。 又前述本發明的旁熱型陰極及陰極射線管中,前述電 子放射部宜由氧化物陰極材料構成。若使用氧化物陰極材 料,則適於以較低溫動作之旁熱型陰極。又,前述氧化物 陰極材料,對粒徑以下者佔前述氧化鋁粒子全體比 例爲1〇~50重量%範圍的情形特別有效。 又前述本發明的旁熱型陰極及陰極射線管中,爲形成 前述電絕緣層之氧化鋁粒子中,較佳爲,粒徑2/zm以下 I--------„---裝------f訂—------妹 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁-· 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X297公發) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明(4) 者佔前述氧化鋁粒子全體比例爲1〇〜40重量%,粒徑5〜20 者佔前述氧化鋁粒子全體比例爲40-70重量%,且粒 徑20/zm以上者佔前述氧化鋁粒子全體比例爲10重量%以 下。 又前述本發明的旁熱型陰極及陰極射線管中,前述電 子放射部宜由含浸型陰極材料構成。又前述含浸型陰極材 料,對氧化鋁粒子中粒徑2^πι以下者佔前述氧化鋁粒子 全體比例爲10〜40重量%、粒徑5〜20/zm者佔前述氧化鋁 粒子全體比例爲40〜70重量%、且粒徑20ym以上者佔前 述氧化鋁粒子全體比例爲10重量%以下的情形特別的有效 〇 又前述本發明的旁熱型陰極及陰極射線管中,爲形成 前述電絕緣層的氧化鋁粒子全體之Na含有量宜爲20ppm 以下。 又前述本發明的旁熱型陰極及陰極射線管中,較佳爲 ’於氧化鋁電絕緣層上’另形成鎢-氧化鋁粒子和氧化鋁 粒子的混合物構成之暗層。 又前述本發明之旁熱型陰極及陰極射線管中,金屬線 宜爲鎢銶合金。 又前述本發明之旁熱型陰極及陰極射線管中,氧化銘 電絕緣層的厚度宜爲40〜150/zm的範圍。 又前述本發明的旁熱型陰極及陰極射線管中,暗層的 厚度宜爲0.5〜5ym的範圍。 〔發明之實施形態〕 本紙乐尺度適用中國國家標华(CNS ) A4規格(2!0Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)' '裝- ,1Τ 414909 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(6) 依據本案發明人的實驗,對氧化鋁電絕緣層壽命影響 最大的主要原因,第1個是氧化鋁粒子的Na含有率,第2 個是氧化鋁粒子的粒度分布。其理由說明如下。
Na在燒結時會有某一程度的蒸發,此時於氧化鋁粒子 表面因Na之介入會使燒結性惡化,而製出彈性力低之脆 的燒結部。這現象,若Na含有率越高則越顯著。另一方 面,2//m以下的微小氧化鋁粒子/相較於粗大的氧化鋁粒 子因比表面積大,成形後的膜中具有較多的接點,故若增 加微小氧化鋁粒子則膜強度外觀上會變高。然而,該微小 氧化鋁粒子的Na含有率一高,前述般脆的燒結部也會相 對的變多。在反覆動作中因熱應力會從脆的部分產生裂痕 ,此情形易發生裂痕之燒結部會變多,會變得易提早產生 裂痕、變形》因此,氧化鋁粒子的Na含有率儘可能地減 低爲佳。 其次是有關於粒子分布,通常粒子大致區別爲大小或 1大中小,而分別形成具有峰値的分布。此處’微小氧化鋁 笱于量若過·多,即使Na含量低,燒鏔.德Μ密度JfeA變得 過高_,.將無法吸收母材之金屬線圈的熱膨脹,故易發生裂 痕。因此,粒徑小的氧化鋁粒子的比率必須有所限制。 基於上述般的認知,本發明首先將氧化鋁粒子的Na 含有率限定在特定範圍,其次將氧化鋁粒子的粒度分布限 定於特定範圍。 其次,對於本發明的實施形態用圖面作說明。 如圖1所示,旁熱型陰極8 ’其一端部具備電子放出 _____8 _____________ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) -----.-------裝------訂一------線- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)' , 41490 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明(b ) 用的顆粒狀電子放射性放射體所形成之陰極9(電子放射部) ,於筒狀套筒10的內部具備:於金屬線圈14(金屬母材)上 具有氧化錦電絕緣層11及位於其上層之暗層12所構成之 線圈狀加熱用加熱器13(加熱器部)。圖2係圖1的X部分 之擴大圖。 形成氧化鋁電絕緣層Π之氧化鋁粒子,係各粒子皆有 99.7重量%以上的純度’或粒子全體有99.7重量%以上的 純度。其中粒徑2 以下的氧化鋁粒子,各粒子的Na含 有率或粒子全體的Na含有率爲20ppm以下。又,粒徑2# m以上者彳占氧化邀粒子全體的10〜40重量〇/〇。 · _· · " 又較佳爲’含有40〜70重量%之粒徑5〜20/ζπ1的氧化 鋁粒子,且粒徑20#m以上的氧化鋁粒子比例爲10重量% 以下。又氧化銘粒子,較佳爲,各粒子的Na含有率或粒 子全體的Na含有率爲20ppm以下。 對於將氧化銘粒子的組成限定於上述範圍的理由作說 明。 一般,組裝於旁熱型陰極8之加熱用加熱器π,若反 覆進行加熱動作,如圖1〇所示般,會因加熱器的膨脹及熱 應力而使氧化鋁電絕緣層最弱的部分發生裂痕16,同時加 熱用加熱器13會變形,相較於加熱動作反覆前的狀態(圖 1)會收縮加熱器變形量15。結果,因電絕緣不良、加熱器 電流變動所致之加熱器溫度變動,又因其影響所弓/丨起的陰 極溫度變動所致之電子放射不足,將引起陰極射線管的亮 度減低等。 9 I.---.--:---f-----—~------,¾¾ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙浪尺度適用中國國家橾準(CNS〉A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝Μ消費合作杜印製 414909 A7 B7 五、發明説明(1 ) 本案發明人等,藉以下的實驗發現出上述現象的重要 原因,是氧化鋁電絕緣層的粒度分布’以及不是氧化鋁粒 子的一般純度,而是氧化鋁粒子的Na含有率。 首先,在以較低溫動作之氧化物陰極(額定時的加熱器 溫度:約l〇50°C)中,對於有關粒度分布和Na含有率對加 熱器變形量的影響之調查結果作說明。 又,所請氧化物陰極,是在以Ni等爲主成分之添加有 少量的還原性元素之基質金屬(金屬基板)上’使BaO、SrO 、CaO等構成的電子放射性物質(放射體)藉塗布或噴敷等 附著,如此以形成出。 實驗所用的氧化鋁粒子,作爲粒徑2#m以下的微小 氧化鋁粒子,係純度99.7重量%、Na含有率20Ppm者’ 或純度99.9重量%、Na含有率lOOppm者。又作爲粒徑大 於2/zm之氧化鋁粒子,係中心粒徑約6ym(主要分布於 2〜lSym的範圍)、純度99_9重量%、Na含有率lOOppm者 .,或中心粒徑約6/zm(主要分布於2〜15/zm的範圍)、純度 99.7重量%、Na含有率20ppm者。又,全體的Si含有率 爲 50ppm。 圖3係本發明的實施例所用的陰極射線管,該陰極射 線管1係具備:內面具螢光面2之面板部3,粘著於面板 部3後方之玻錐部4,形成於玻錐部4後方之內部具電子 束5放射用的電子槍6之頸部7。於電子槍7的—端部設 旁熱型陰極8。 其次,說明本發明的加熱器之具體的製造方法。 ______10__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNsTm規格(210X297公釐)~ I.------*---l· I-1— H Ί ^ —JI . I^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 414908 Λ7 Α7 Β7 五、發明説明(f ) 以既定的比例將氧化鋁粒子混合,在該混合氧化鋁粒 子lkg和甲醇3000ml的混合液中添加結合劑之10重量% 聚醋酸乙烯(PVAc)溶液500ml、界面活性劑之1〇重量%松 香溶液100ml及電解質之9重量%硝酸銅水溶液適量,以 作成電著用懸浮液。 接著,將鎢銶捲繞成線圈狀而構成的金屬線圈保持於 負電極,和白金製正電極一起浸入充滿著前述電著用懸浮 液的塗布槽中,於兩極間施加70〜120V電壓,以於金屬線 圈上電著40〜150/zm厚的氧化鋁電絕緣層。 接著,在該氧化鋁電絕緣層上塗布鎢粒子和氧化鋁粒 子的混合物構成之暗層。之後,於氫氣氛中以約160°C燒 結後’將作爲金屬線圈線的芯用之鉬線熔解以得出加熱用 加熱器。燒結後氧化銀電絕緣層厚爲40〜150 ym,暗層的 厚爲0.5〜5 μ m。 粒徑2/zm以下的氧化鋁粒子是在下述各條件下製造 -出具有氧化鋁電絕緣層之加熱器,將使用該加熱器的旁熱 型陰極組裝於陰極射線管,對加熱器反覆施加約8V電壓( 額定的約I.3倍)以進行強制熱循環測試。 圖4係顯示粒徑2"m以下的氧化鋁粒子比例和製造 不良率的關係。圖4中,#(曲線a)代表粒徑2//m以下的 氧化錦粒子的Na含有率100ppm、粒徑大於的氧化 鋁粒子的Na含有率100PPm的情形,▲(曲線b)代表粒徑2 以下的氧化鋁粒子的Na含有率ι〇0ρριη、粒徑大於2 的氧化鋁粒子的Na含有率2〇ppm的情形,〇(曲線c) _____η 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Α4規格(2Ι0Χ297公缝) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 414908 A7 . B7 五、發明説明(q) 代表粒徑以下的氧化鋁粒子的Na含有率20ppm、粒 徑大於2#γπ的氧化鋁粒子的Na含有率10〇ppm的情形, △(曲線d)代表粒徑2^111以下的氧化鋁粒子的Na含有率 2〇ppm、粒徑大於2"m的氧化銘粒子的Na含有率20ppm 的情形。又直線I代表製造不良率5¾的境界線,只要在其 以下即表示位於製造容許範圍內。 如圖4所示,不管任一情形,若氧化鋁電絕緣層中粒 徑2^m以下的微小氧化鋁粒子含有率低於1〇重量。/。,氧 化鋁電絕緣層的成形性會變差,製造不良率會變得極高。 因此,基於生產性的觀點,粒徑2vm以下的氧化鋁粒子 比例以10重量%以下爲佳。 圖5係顯示粒徑2#m以下的氧化鋁粒子比例和加熱 器變形量(圖10中加熱器變形量15)的關係。#(曲線e)、 ▲(曲線f)、〇(曲線g)、△(曲線h)分別是和圖3中的各記 號同條件下的實驗結果。又直線j代表加熱器變形量200# m的境界線,若加熱器變形量比其大則代表「不良」。 如圖5的曲線e〜h所示般,加熱器變形量在粒徑2 以下的氧化鋁粒子Na含有率2〇ppm的情形雖顯示較良好 的結果,但粒徑大於2//m的氧化鋁粒子Na含有率則沒有 關係。然而,粒徑2/zm以下的氧化鋁粒子比例若超過50 重量%會豐成不直莲對陰極射線管特性會帶來影響的不 良等級)。因此,基於減低加熱器變形量的觀點較佳爲,粒 徑2/im以下的氧化鋁粒子Na含有率20PPm以下,且其比 例爲50重量%以下。又,不管粒徑爲何,所有的氧化鋁粒 —_______12__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公漦〉 I---,--^---裝-----—訂 -------ψ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央捸準扃員工消费合作社印焚
4l490S ./if.… A7 _____B7 7、發明説明(θ ) 子Na含有率爲20PPm時,可得最良好的結果。 基於以上的實驗結果可知,氧化物陰極的氧化鋁電絕 緣層中,較佳爲,粒徑2ym以下的氧化鋁粒子的Na含有 率20ppm且粒徑2 ^ m以下的氧化鋁粒子比例1〇〜50重量 %,又更佳爲所有的氧化鋁粒子的Na含有率爲20ppm以 下。 接著,對以較高溫動作的含浸型陰極(額定時的加熱器 溫度:約1150°C)進行和上述氧化物陰極同樣的試驗,對其 結果作說明。 又,所謂含浸型陰極,是在W或Mo等多孔質高融點 基體的空孔部,使BaO、CaO、A1203等電子放射性物質( 放射體)熔融含浸,再於基體被覆Os - Ru ' Ir等高融點金 屬薄膜,如此以構成出。 含浸型陰極的情形,作爲粒徑大於2/zm的氧化鋁粒 子是使用和上述氧化物相同粒徑者時,作爲粒徑2/zm以 ,下的氧化鋁粒子是使用Na含有率2〇ppm的情形,基於生 產性的觀點雖較良好,但對於加熱器變形量則無法得出滿 意的結果。又,若粒徑20μιη以上的氧化鋁粒子比例變高 ,則氧化鋁電絕緣層的成形性會大大地受損。 基於此,粒徑2#m以下的氧化鋁粒子是使用和上述 氧化物陰極所用者相同者,同時粒徑超過2/zm的氧化鋁 粒子是使用中心粒徑約(主要分布於5〜20#m的範圍 )、純度99.9重量°/。、Na含有率lOOppm者,或是使用中心 粒徑約(主要分布於5〜2〇vm的範圍)、純度99.7重 _ —_______\3____ 尺度適用中國國家系卒(CMS ) A4规格(210X 297公楚Π (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 414908 A7 B7 經濟部中央橾率局貝工消費合作社印製 五、發明説明(、\ 量%、Na含有率20ppm者。又全體的Si含有率爲50ppm 圖6係顯示粒徑2 μπι以下的氧化鋁粒子比例和製造 不良率的關係。·(曲線Α)、▲(曲線Β)、〇(曲線C)、△( 曲線D)分別是和圖3中的各記號同條件下的實驗結果。又 直線i代表製造不良率5%的境界線。 如圖6所示,關於生產性和氧化物陰極的情形同樣地 ,若氧化鋁電絕緣層中粒徑2μπι以下的微小氧化鋁粒子 含有率低於1〇重量%,氧化鋁電絕緣層的^彡性會變差, 製造不良率會變得極高。因此,基於生產觀點,粒徑 2#m以下的氧化鋁粒子比例以10重量%]^@|佳。 圖7係顯示粒徑2//m以下的氧化銀_ =比例和加熱 器變形量的關係。#(曲線E)、▲(曲線F)(曲線G)、△ (曲線H)分別是和圖3中的各記號同條件下的實驗結果。 又直線j代表加熱器變形量200/nn的境界線。 如圖7所示般,關於加熱器變形量也和氧化物陰極的 情形同樣地,在粒徑2μπι以下的氧化鋁粒子Na含有率 20ppm的情形雖顯示較良好的結果,但粒徑大於2/zm的 氧化鋁粒子Na含有率則沒有關係。然而,粒徑2/zm以下 的氧化鋁粒子比例若超過40重量%會變成不良等級(對陰 極射線管特性會帶來影響的不良等級)。因此,基於減低加 熱器變形量的觀點較佳爲,粒徑2#m以下的氧化鋁粒子 Na含有率20ppm以下,且其比例爲40重量%以下。又, 不管粒徑爲何,所有的氧化鋁粒子Na含有率爲20Ppm時 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) Λ4規格(210X297公褒) I---„------^------.^1------0 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本育) 414909 A7 ,· B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(β ,可得最良好的結果。 又,對於加熱器變形量爲良品等級1、且製造不良率 5%以內(製造容許範圍)情形的氧化鋁粒子組成作調查時, 氧化鋁電絕緣層中所含的粒徑5〜2〇Vm氧化鋁粒子的比例 爲40〜70重量%,且粒徑20/zm以上的氧化鋁粒子粒子比 例爲10重量°/。以下。 基於以上的實驗結果,含浸型陰極的氧化鋁電絕緣層 中,較佳爲,粒徑2"m以下的氧化鋁粒子Na含有 ,粒徑2/zm以下的氧化鋁粒子比例10〜40重量 粒徑5〜2〇 // m者40〜70重量%,粒徑2〇 β m以上者 量%以下。更佳爲所有氧化鋁粒子的Na含有率爲20pp 以下。 又本案發明人等,對於會對氧化鋁電絕緣層的壽命帶 來大影響的主要原因,係著眼於也和氧化鋁粒子的Si含有 率有關之點。其理由在以下說明之。 Si,燒結時幾乎不蒸發這一點雖和Na具有不同的性質 ,但在氧化鋁粒子轰厘运的介入,會使燒結性惡化,而 作出彈力低、燒結部S__i含直率越高則該現象 越顯著,基於這一點,是和Na匣.樣地會亂氧jb鋁電絕緣 的壽命帶來影響。 因此,氣化鋁粒子的Si含有率逞麗上^景規定成儘 量低。又,規定Na含有率的情形雖是著眼於2 以下的 粒子,但規定Si含有率的情形,則未限制於2/im以下而 是著眼於所有的氧化鋁粒子,如此則更具效果。 ㈣, ϋί.
15 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X 297公釐) (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) .褽. -9 414909 A7 B7 五、發明説明(A) 基於此,本發明是將所有氧化鋁粒子的Si含有率限定 於特定的範圍。 本發明的第2實施形態係說明如下。 本實施形態之旁熱型陰極,氧化鋁電絕緣層彤成用之 氧化鋁粒子,各粒子具99.7重量%以上的純度,或粒子全 體具99.7重量。/〇以上的純度,各粒子的Si含有率或粒子全 體的Si含有率爲lOOppm以下。又,粒徑2/zm以下者佔 氧化鋁粒子全體的10〜40重量%。 又較佳爲,粒徑5~20#m的氧化鋁粒子佔40〜70重量 %,粒徑20〆m以上的氧化鋁粒子比例爲10重量%以上。 本案發明人等係藉以上的實驗而發現出必須將氧化鋁 電絕緣層的粒度分布、氧化鋁粒子的Si含有率限定於上述 數値。 具備含浸型陰極材料構成的電子放射部之旁熱型陰極 中,對於粒度分布和Si含有率對加熱器變形量的影響作調 ^ 查的結果,說明如下β 實驗所用的氧化鋁粒子,係純度99.7重量%、Si含有 率50ppm者,或純度".7重量°/〇、Si含有率l〇〇ppm者, 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 , 或純度99.9重量%、Si含有率200ppm者,或純度99.9重 量%、Si含有率300ppm者。又,全體的Na含有率各爲 20ppm 〇 上述粒子的粒度分布,係將粒徑2/zm以上、體積分 布中的中心粒徑約〇.5/im(主要分布於0.1〜的範圍)者 ,和粒徑大於2以〇1、體積分布中的中心粒徑約10//m(主 16 本紙浪尺度適用中國國家樣準(CNS ) A4&格(2〖〇X 297公釐) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 414909 A7 f B7_____ 五、發明説明(A) 要分布於5〜20 β ρι的圍)者以既定比例混合使用。 在氧化鋁粒子的Si含有率爲下述所示之各條件下製造 具備氧化鋁電絕緣層的加熱器’將使用該加熱器的旁熱型 陰極組裝入陰極射線管「對加熱器反覆施加約8V電壓(額 定的約1_3倍)以進行強制熱循環測試。 圖8係顯示粒徑2以下的氧化鋁粒子比例和製造 不良率的關係。’ >(曲線a’)代表氧化鋁粒子的Si含有率 ▲(曲線b·)代表氧化鋁粒子的Si含有率 〇(曲線c’)代表氧化錦粒子的Si含有率 △(曲線d’)代表氧化鋁粒子的Si含有率 又直線i’代表製造不良率5%的境界線, 只要在其以下即表示位於製造容許範圍內。 如圖8所示,不管任一情形,若氧化鋁電絕緣層中粒 徑2/zm以下的微小氧化鋁粒子含有率低於1〇重量%,氧 化鋁電絕緣層的成形性會變差,製造不良率會變得極高。 因此,基於生產性點,粒徑2以下的氧化鋁粒子 比例以10重量%以_佳》 圖9係顯示粒gzjtzm以下的氧化鋁粒子比例和加熱 器變形量(圖9中加熱器變形量15)的關係。#(曲線e’’)、 ▲(曲線f’)、〇(曲線g’)、△(曲線h’)分別是和圖7中 的各記號同條件下的實驗結果。又直線j’代表加熱器變形 量2〇〇"m的境界線,若加熱器變形量比其大則代表「不 良」。 圖8中, 300ppm的情形 20ppm的情形 lOOppm的情形 50ppm的情形 17 (#先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝.
*1T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 414909 J A7 ____B7______ 五、發明説明(ή ) 如圖9的曲線e’〜h’所示般,加熱器變形量在氧化 銘粒子Si含有率lOOppm以下的情形雖顯不較良好的結果 。又,只要氧化鋁粒子的純度99.7%以上則不管純度爲何 效果不變,但視氧化鋁粒子的Si含有率不同其效果會不同 。然而,粒徑以下的氧化鋁粒子比例若超過40重量 %則會變成不良等級(對陰極射線管特性會帶來影響的不良 等級)。因此,基於減低加熱器變形量的觀點,較佳爲*氧 化錯粒子的Si含有率lOOppm以下,且其比例爲4〇重量°/〇 以下。 又,爲參考起見,對於上述實驗中得出最好結果的條 件之氧化鋁粒子,其代表性的純度及不純物如表1所示。 詳而言之,除Na、Si外尙含有少量的Mg、Ca、Fe等。有 關Mg、Ca、Fe的含量,雖不是以表1的値爲限,但較佳 爲數ppm~數十ppm。 〔表1〕 氧化鋁粒子之代表性的純度和不純物 氧化鋁粒子純度 99.7% 全體的Na含有率 20ppm 全體的Si含有率 50ppm 全體的Mg含有率 8ppm 全體的Ca含有率 1 Oppm 全體的Fe含有率 lOppm 由以上的實驗結果可知 ,含浸型陰極的氧化鋁電絕緣 _______18 _________ 本紙張尺度適用t7國國家ί票準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~ : 層中,較佳爲,氧化鋁粒子的Si含有率lOOppm以下且粒 I----:-----装-----—^訂 _ 線 (請先閱讀背面之注意事項蒋填寫本貰) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 14909 A7 ___B7_ i、發明説明(七) 徑2 以下的氧化鋁粒子比例爲l〇〜40重量%。 又,對於加熱器變形量爲良品等級、且製造不良率 5%以內(製造容許範園)的情形之氧化鋁粒子組成作調查時 ,氧化鋁電絕緣層中粒徑5〜2〇#m的氧化鋁粒子比例爲 40〜70重量%,且粒徑20//m以上的氧化鋁粒子比例爲10 重量%以下。 由以上的實驗結果可知,含浸型陰極的氧化鋁電絕緣 層中,較佳爲,所有氧化鋁粒子的Si含有率lOOppm以下 ,粒徑2/zm以下的氧化鋁粒子比例10〜40重量%,粒徑 5〜20 者40-70重量%,粒徑20# m以上者10重量%以 下。 又本實施形態中,作爲電子放射部雖使用含浸型陰極 材料,但作爲電子放射部是使用氧化物陰極材料也能得同 樣的結果,特別是此情形,粒徑2以下的氧化鋁粒子 比例以1〇〜50重量°/〇爲更佳。 -〔發明之效果〕 以上所說明般之本發明,係提供一種旁熱型陰極,能 實現穩定的生產,即使在陰極射線管的實際使用動作時亦 不致產生氧化鋁電絕緣層的裂痕或加熱器變形,能使加熱 器的壽命延長,並提供使用該陰極之陰極射線管。 〔圖式之間卓說明〕 圖1係顯示本發明的一實施例之旁熱型陰極的部分截 圖。 圖2係圖1的X部分之擴大圖。 ------„---^---裝------訂一------線 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(2!OX 297公麓) A7 414909 五、發明説明(、)) 圖3係組裝本發明的一實施例之旁熱型陰極之陰極射 線管的截面圖。 圖4係顯示本發明的一實施例之氧化物陰極中粒徑2 以下的氧化鋁粒子比例和製造不良率的關係圖。 圖5係顯示本發明的一實施例之粒徑2#m以下的氧 化鋁粒子比例和加熱器變形量的關係圖。 圖6係顯示本發明的一實施例之含浸型陰極中粒徑2 以下的氧化鋁粒子比例和製造不良率的關係圖。 圖7係顯示本發明的一實施例之粒徑2/zm以下的氧 化鋁粒子比例和加熱器變形量的關係圖。 圖8係顯示本發明的實施彤態2之粒徑2#m以下的 氧化鋁粒子比例和製造不良率的關係圖。 圖9係顯示本發明的實施形態2之粒徑2ym以下的 氧化鋁粒子比例和加熱器變形量的關係圖。 圖10係習知的旁熱型陰極的部分截面圖。 -〔符號說明〕 1 陰極射線管 2 發光面 3 面板部 4 玻錐部 5 電子束 6 電子槍 7 頸部 8 旁熱型陰極 ___20 _’·_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > A4規格(210X297公漦〉 I----l·——.——^------•『τ------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 414908 Μ Β7 ^五、發明説明(幻 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 9 陰極 10 筒狀套筒 11 氧化鋁電絕緣層 12 暗層 13 加熱用加熱器 14 金屬線圈 15 加熱器變形量 16 裂痕 17 金屬罩 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 414909 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種旁熱型陰極,係包含:於金屬線表面將氧化鋁 粒子被覆燒成以形成氧化鋁電絕緣層之加熱用加熱器,以 及接受來自前述加熱用加熱器的熱以放出熱電子之電子放 射部;其特徵在於: 前述氧化銘電絕緣層的氧化鋁純度爲99.7重量%以上 ,且爲形成前述氧'化銘電絕緣層的氧化鋁粒子中,粒徑2 μπι以下考的Na含有量爲20ppm以下。 2. 如申請專利範圍第1項之旁熱型陰極,其中,前述 氧化鋁粒子中’粒徑2柃m以下者佔前述氧化鋁粒子全體 的比例爲10〜50重量%。 3. 如申請專利範圍第1項之旁熱型陰極,其中,前述 電子放射部係由氧化物陰極材料構成。 4. 如申請專利範圍第1項之旁熱型陰極,其中,爲形 成前述電絕緣層之氧化鋁粒子中,粒徑2以m以下者佔前 述氧化鋁粒子全體比例爲1〇~4〇重量%,粒徑5〜2〇Mm者 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 佔前述 m以上 經濟部中央輮準局員工消費合作社印製 鋁粒子全體比例爲4〇〜重量%,且粒徑2〇 y 前述氧化銘粒子全體比例爲10重量%以下。 請專利範圍第1項之旁熱型陰極,其中,前述 係由含浸型陰極材料構成。 6 ·如申請專利圍第1項之旁熱型陰極,其中,前·述 電絕緣層全體的氧化鋁粒子之Na含有量係20ppm以下。 7. 如申請專利範圍第1項之旁熱型陰極,其中,前述 電絕緣層全體的氧化鋁粒子之Si含有量係i〇〇ppm以下。 8. —種陰極射線管’係包含:內面具螢光面之面板部
    電子放 I霉請: 係 本紙浪尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 4149091 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ,粘著於面板部後方之玻錐部,形成於玻錐部後方之內部 具電子束放射用的電子槍之頸部;其特徵在於: 前述電子槍具備旁熱型陰極’該陰極包含:於金屬線 表面將氧化鋁粒子被覆燒成以形成氧化鋁電絕緣層之加熱 用加熱器,以及接受來自前述加熱用加熱器的熱以放出熱 電子之電子放射部; 前述氧化鋁電絕緣層的氧化鋁純度爲99.7重量%以上 ,且爲形成前述氧化鋁電絕緣層的氧化鋁粒子中’粒徑2 以下者的Na含有量爲20ppm以下。 9. 如申請專利範圍第8項之陰極射線管,其中,前述 氧化鋁粒子中,粒徑2/zm以下者佔前述氧化鋁粒子全體 的比例爲10〜50重量%。 10. 如申請專利範圍第8項之陰極射線管’其中’前述 電子放射部係由氧化物陰極材料構成。 11. 如申請專利範圍第8項之陰極射線管’其中’爲形 成前述電絕緣層之氧化鋁粒子中,粒徑2#m以下者佔前 述氧化鋁粒子全體比例爲10〜40重量%,粒徑5〜20//Π1者 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 鋁粒子全體比例爲40〜70重量% ’且粒徑20 μ i前述氧化鋁粒子全體比例爲10重量%以下。 申請專利範圍第8項之陰極射線管,其中’前 述電子放射部係由含浸型陰極材料構成。 13. 如申請專利範圍第8項之陰極射線管,其中,前述 電絕緣層全體的氧化鋁粒子之Na含有量係2〇Ppm以下。 14. 如申請專利範圍第8項之陰極射線管,其中’前述 佔前述 m以上 12
    本紙張尺度適用t國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 414909 A8 B8 C8 D8 r、申請專利範圍 電絕緣層全體的氧化鋁粒子之Si含有量係lOOppm以下。 15· —種旁熱型陰極,係包含:於金屬線表面將氧化鋁 粒子被覆燒成以形成氧化鋁電絕緣層之加熱用加熱器,以 及接受來自前述加熱用加熱器的熱以放出熱電子之電子放 射部:其特徵在於: 前述氧化鋁電絕緣層的氧化鋁純度爲99.7重量以上 ,且爲形成前述氧化鋁電絕緣層的氧化鋁粒子之Si含有量 係 lOOppm。
    前述氧化鋁粒子全 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 16. 如申請專利範圍第15項之!^型陰極,其中,前 述氧化鋁粒子中,粒徑2μπι以下 體的比例爲10〜50重量%。 17. 如申請專利範圍第15項之'=
    經济部中央標隼局負工消費合作社印製 型陰極,其中,前 述電子放射部係由氧化物陰極材料構成。 18.如申請專利範圍第15項之旁熱型陰極,其中,爲 形成前述電絕緣層之氧化鋁粒子中,粒徑以下者佔 前述氧化鋁粒子全體比例爲1〇〜40重量%,粒徑5〜20#m 者佔前述_鋁粒子全體比例爲40〜70重量%,且粒徑20 &前述氧化鋁粒子全體比例爲重量%以下。 ^靑專利範圍第15項之旁熱型陰極,其中,前 述電子放1系由含浸型陰極材料構成。 20.如申請專利範圍第15項之旁熱型陰極,其中,前 述電絕緣層全體的氧化鋁粒子之Na含有量係2〇ppm以下 21.如申請專利範圍第20項之旁熱型陰極,其中,前 本紙張尺度逍用中國國家揉率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 414909 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 述電絕緣層全體的氧化鋁粒子中,粒徑2#m以下者之Na 含有量係20ppm以下。 22. —種陰極射線管’係包含:內面具螢光面之面板部 ,粘著於面板部後方之玻錐部,形成於玻錐部後方之內部 具電子束放射用的電子槍之頸部;其特徵在於: 前述電子槍具備旁熱型陰極,該陰極包含:於金屬線 表面將氧化鋁粒子被覆燒成以形成氧化鋁電絕緣層之加熱 用加熱器,以及接受來自前述加熱用加熱器的熱以放出熱 電子之電子放射部; 前述氧化鋁電絕緣層的氧化鋁純度爲99.7重量%以上 ,且爲形成前述氧化鋁電絕緣層的氧化鋁粒子之Si含有量 爲lOOppm以下。 23. 如申請專利範圍第22項之陰極射線管,其中,前 述氧化鋁粒子中,粒徑2/zm以下者佔前述氧化鋁粒子全 體的比例爲10〜50重量%。 24. 如申請專利範圍第22項之陰極射線管,其中,前 述電子放射部係由氧化物陰極材料構成。 經濟部中央揉準局員工消費合作社印装 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 25. 如申請專利範圍第22項之陰極射線管,其中,爲 形成前述電絕緣層之氧化鋁粒子中’粒徑2/zm以下者佔 前述氧化_子全體比例爲1〇〜4〇重量%,粒徑5〜 者佔前述鋁粒子全體比例爲40~70重量%’且粒徑2〇 /zm以上:前述氧化鋁粒子全體比例爲1〇重量%以下β 26. 專利範圍第22項之陰極射線管’其中’前 述電子放射部係由含浸型陰極材料構成。 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4現格(210X297公* ) 414909 as cs 六、申請專利範圍 27. 如申請專利範圍第22項之陰極射線管,其中,前 述電絕緣層全體的氧化鋁粒子之Na含有量係20PPm以下 〇 28. 如申請專利範圍第27項之陰極射線管,其中,前 述電絕緣層全體的氧化鋁粒子中,粒徑2μπι以下者的Na 含有量係20ppm以下。 經濟部t央標準局負工消費合作社印衆 5 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4说格(210X297公釐)
TW088100320A 1998-01-20 1999-01-11 Indirectly heated cathode and cathode-ray tube comprising the same TW414909B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP830498 1998-01-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW414909B true TW414909B (en) 2000-12-11

Family

ID=11689423

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW088100320A TW414909B (en) 1998-01-20 1999-01-11 Indirectly heated cathode and cathode-ray tube comprising the same

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6242854B1 (zh)
EP (1) EP0930633B1 (zh)
KR (1) KR100300172B1 (zh)
CN (1) CN1159746C (zh)
AT (1) ATE298925T1 (zh)
DE (1) DE69925940T2 (zh)
TW (1) TW414909B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101595547B (zh) * 2006-10-20 2012-08-08 松下电器产业株式会社 等离子体显示面板及其制造方法
JP4997953B2 (ja) * 2006-12-15 2012-08-15 日本軽金属株式会社 高純度α−アルミナの製造方法
CN103826802B (zh) 2011-09-26 2018-06-12 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 包括磨料颗粒材料的磨料制品,使用磨料颗粒材料的涂布磨料及其形成方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB617879A (en) 1945-10-01 1949-02-14 M O Valve Co Ltd Improvements in and relating to thermionic cathodes
DE1071566B (zh) 1953-10-10
JPS5936381B2 (ja) 1976-06-28 1984-09-03 株式会社東芝 電子管用ヒ−タの製造方法
JPS59200798A (ja) 1983-04-29 1984-11-14 Sony Corp 粉体の非水溶液系電着法
JPS60221925A (ja) 1985-03-29 1985-11-06 Mitsubishi Electric Corp 傍熱型電子管用ヒータの製造方法
JPH0622095B2 (ja) 1985-05-17 1994-03-23 株式会社日立製作所 ダ−クヒ−タの製造方法
JPS6431825A (en) 1987-07-28 1989-02-02 Mitsubishi Chem Ind Material for optical parts formation
JPS6471032A (en) 1987-09-11 1989-03-16 Hitachi Ltd Cathode heater for electron tube
JPH083976B2 (ja) 1989-04-15 1996-01-17 株式会社東芝 電子管用ヒータ及びそれを備えた含浸型陰極構体
JPH04127022A (ja) 1990-09-19 1992-04-28 Hitachi Ltd ヒータ
JP2984179B2 (ja) 1994-01-27 1999-11-29 株式会社日立製作所 無機絶縁膜を有するヒータ及びブラウン管の製法

Also Published As

Publication number Publication date
ATE298925T1 (de) 2005-07-15
CN1159746C (zh) 2004-07-28
EP0930633B1 (en) 2005-06-29
KR19990067990A (ko) 1999-08-25
DE69925940D1 (de) 2005-08-04
KR100300172B1 (ko) 2001-09-26
DE69925940T2 (de) 2005-12-22
CN1224229A (zh) 1999-07-28
US6242854B1 (en) 2001-06-05
EP0930633A1 (en) 1999-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5170422A (en) Electron emitter for an x-ray tube
US2258836A (en) Cathode heater
TW414909B (en) Indirectly heated cathode and cathode-ray tube comprising the same
US2246176A (en) Thermionic discharge device
US2438732A (en) Electron tube cathode
TW388048B (en) Cathode-ray tube and electron gun thereof
TW563159B (en) Cathode ray tube having an improved cathode
US3328622A (en) Electric discharge device having primary and secondary electrodes
US2488716A (en) Electric high-pressure discharge tube
US3246197A (en) Cathode heater having an aluminum oxide and tungesten coating
US2353635A (en) Cathode for discharge tubes
US2959702A (en) Lamp and mount
JPH11273549A (ja) 傍熱型陰極およびこれを用いた陰極線管
TW384491B (en) Cathode ray tube
US1989954A (en) Electric discharge tube
US2146098A (en) Carbonized electrode tube
JP3051276B2 (ja) 蛍光表示管および蛍光表示管用Re−W材
JP3999663B2 (ja) ガス放電管用直熱型電極及びガス放電管
US3477110A (en) Method of making electron discharge device cathodes
JPH06223776A (ja) 蛍光ランプ用電極
JP3398167B2 (ja) 受像管
US2152993A (en) Electric gaseous discharge device
KR100566094B1 (ko) 칼라음극선관용 히터
JP3715790B2 (ja) 放電管用含浸型陰極の製造方法
JPH10289645A (ja) 陰極加熱用ヒータ及びそれを用いたブラウン管

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees