JPH0622095B2 - ダ−クヒ−タの製造方法 - Google Patents
ダ−クヒ−タの製造方法Info
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- JPH0622095B2 JPH0622095B2 JP60103802A JP10380285A JPH0622095B2 JP H0622095 B2 JPH0622095 B2 JP H0622095B2 JP 60103802 A JP60103802 A JP 60103802A JP 10380285 A JP10380285 A JP 10380285A JP H0622095 B2 JPH0622095 B2 JP H0622095B2
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- Japan
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- dark
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- tungsten
- heater
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/20—Cathodes heated indirectly by an electric current; Cathodes heated by electron or ion bombardment
- H01J1/22—Heaters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/08—Manufacture of heaters for indirectly-heated cathodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C2/00—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor
- C23C2/04—Hot-dipping or immersion processes for applying the coating material in the molten state without affecting the shape; Apparatus therefor characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
- C23C24/08—Coating starting from inorganic powder by application of heat or pressure and heat
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は傍熱形陰極を有する電子管用のヒータ、特に黒
色の外観を有するダークヒータの製造方法に関する。
色の外観を有するダークヒータの製造方法に関する。
従来より傍熱形陰極を有する電子管においては、熱電子
を放射する陰極を効率良く加熱するため、ダークヒータ
を用いることが普通である。
を放射する陰極を効率良く加熱するため、ダークヒータ
を用いることが普通である。
このようなヒータは、一般にタングステンのような高融
点金属からなる芯線と、この芯線を覆う酸化アルミニウ
ム(アルミナ)のような絶縁材料からなる第1層被覆層
およびタングステンと酸化アルミニウム(アルミナ)の
粒状混合物等からなる外側の第2層被覆層、つまりター
ク被覆層とからできている。
点金属からなる芯線と、この芯線を覆う酸化アルミニウ
ム(アルミナ)のような絶縁材料からなる第1層被覆層
およびタングステンと酸化アルミニウム(アルミナ)の
粒状混合物等からなる外側の第2層被覆層、つまりター
ク被覆層とからできている。
このようなダーク被覆層を形成する方法としては、浸漬
被覆法(デイツプ塗布法)が知られているが、その場
合、懸濁浴液中のタングステン粒子が第1層のアルミナ
中に浸み込み、ヒータと陰極間の絶縁特性を劣化させる
のを防ぐためには、例えば特公昭53−31591号,
特公昭53−31592号公報に示されるように懸濁浴
液の比重,粘度等を厳重に管理する必要があり、特に、
第1層アルミナを完全に乾燥させることが有効とされて
いる。
被覆法(デイツプ塗布法)が知られているが、その場
合、懸濁浴液中のタングステン粒子が第1層のアルミナ
中に浸み込み、ヒータと陰極間の絶縁特性を劣化させる
のを防ぐためには、例えば特公昭53−31591号,
特公昭53−31592号公報に示されるように懸濁浴
液の比重,粘度等を厳重に管理する必要があり、特に、
第1層アルミナを完全に乾燥させることが有効とされて
いる。
しかし、このように第1層アルミナを完全に乾燥させる
ためには炉等の設備が必要で製造コストが高くなる。ま
た、そのように乾燥した第1層アルミナ上にダーク被覆
層をデイツプ塗布法により形成する場合、毛細管現象に
より浴液中のタングステン粒子がアルミナ中に浸み込む
のを防ぐたには粘度の高い浴液を用いる必要があるが、
そうすると浴液が多重に付着し、ダーク被覆層が厚く形
成される。その結果、熱容量が増すために立上りが遅く
なり、特にカラーブラウン管の場合は3色のばらつきが
生じやすくなるとともに、剥離などにより電子管内に放
出されて、特性に悪影響を与える。しかも、浴液は加工
成形されたヒータの屈曲部に留りやすいためこの部分が
特に厚く形成される結果、エミツシヨン特性にばらつき
を生ずることとなる。
ためには炉等の設備が必要で製造コストが高くなる。ま
た、そのように乾燥した第1層アルミナ上にダーク被覆
層をデイツプ塗布法により形成する場合、毛細管現象に
より浴液中のタングステン粒子がアルミナ中に浸み込む
のを防ぐたには粘度の高い浴液を用いる必要があるが、
そうすると浴液が多重に付着し、ダーク被覆層が厚く形
成される。その結果、熱容量が増すために立上りが遅く
なり、特にカラーブラウン管の場合は3色のばらつきが
生じやすくなるとともに、剥離などにより電子管内に放
出されて、特性に悪影響を与える。しかも、浴液は加工
成形されたヒータの屈曲部に留りやすいためこの部分が
特に厚く形成される結果、エミツシヨン特性にばらつき
を生ずることとなる。
したがつて本発明は、低コストで、しかもダーク被覆層
の厚さのばらつきの小さい、つまりエミツシヨン特性の
ばらつきの小さいダークヒータを製造する方法を提供す
ることにある。
の厚さのばらつきの小さい、つまりエミツシヨン特性の
ばらつきの小さいダークヒータを製造する方法を提供す
ることにある。
このために、本発明は、第1層被覆層の形成後、当該第
1層被覆層中に水分等の揮発物が0.5〜1.5wt%
残つている状態で、つまりこれら完全に乾燥させること
なくダーク被覆層の形成を行なうようにしたものであ
る。
1層被覆層中に水分等の揮発物が0.5〜1.5wt%
残つている状態で、つまりこれら完全に乾燥させること
なくダーク被覆層の形成を行なうようにしたものであ
る。
このように適当量の水分等を残すことにより、浴液の浸
入経路となるべき空間が水滴等により微小な気泡部分に
分断され、毛細管現象による浴液の浸入を阻み、タング
ステン粒子の浸み込むのを防ぐ。
入経路となるべき空間が水滴等により微小な気泡部分に
分断され、毛細管現象による浴液の浸入を阻み、タング
ステン粒子の浸み込むのを防ぐ。
第1図は本発明の一実施例を示す電子管用傍熱形陰極の
断面図である。同図においては、1はダークヒータであ
り、このダークヒータ1は、図示しないMo線にコイル
状にW線を巻き付けた後Mo線を溶融除去することによ
り形成したコイル状の芯線11の周面を約0.1mmの厚
みの酸化アルミニウム層12で覆い、さらにその周面を
タングステン粒子を含む酸化アルミニウムからなるダー
ク被覆層13で覆つたものを2重らせん状に成形した構
成を有している。2はこのダークヒータ1を収容した筒
体、3は筒体3の端部にかぶせられたキヤツプ状のベー
スメタル、4はベースメタル3の上面に被着された電子
放射性物質で、ダークヒータ1により電子放射性物質4
が加熱され、熱電子を放出する。
断面図である。同図においては、1はダークヒータであ
り、このダークヒータ1は、図示しないMo線にコイル
状にW線を巻き付けた後Mo線を溶融除去することによ
り形成したコイル状の芯線11の周面を約0.1mmの厚
みの酸化アルミニウム層12で覆い、さらにその周面を
タングステン粒子を含む酸化アルミニウムからなるダー
ク被覆層13で覆つたものを2重らせん状に成形した構
成を有している。2はこのダークヒータ1を収容した筒
体、3は筒体3の端部にかぶせられたキヤツプ状のベー
スメタル、4はベースメタル3の上面に被着された電子
放射性物質で、ダークヒータ1により電子放射性物質4
が加熱され、熱電子を放出する。
ここで、ダークヒータ4は次のように形成される。最初
に、前述したようにMo線にコイル状に巻いたタングス
テン芯線11を2重らせん状に成形したものに、周知の
方法、例えば電着法を適用することにより酸化アルミニ
ウム層12を形成する。次に、メタノール等有機溶剤に
よつてこれを洗浄することにより付着強度の弱い粒子を
予め取り除く。次いで、赤外線ランプにより乾燥を行な
う。このとき、酸化アルミニウム層12中の水分その他
の揮発物が0.5〜1.5wt%残留するようにその乾
燥時間を制御するが、乾燥方法はこれに限定されず、例
えば送風等により行なつてもよい。その後、この酸化ア
ルミニウム層12が施されたヒータを、粘度11cp,比
重1.35(液温25℃)に調整したタングステン粒子
と酸化アルミニウムとを含有する被覆浴液中に浸漬し、
ダーク被覆層13を形成する。次いで前述したと同様に
メタノール等により付着力の弱い部分を取り除た後、赤
外線ランプ等により乾燥を行なう。その後、例えば1,60
0℃程度の高温で熱処理することにより、ダークヒータ
1が完成する。
に、前述したようにMo線にコイル状に巻いたタングス
テン芯線11を2重らせん状に成形したものに、周知の
方法、例えば電着法を適用することにより酸化アルミニ
ウム層12を形成する。次に、メタノール等有機溶剤に
よつてこれを洗浄することにより付着強度の弱い粒子を
予め取り除く。次いで、赤外線ランプにより乾燥を行な
う。このとき、酸化アルミニウム層12中の水分その他
の揮発物が0.5〜1.5wt%残留するようにその乾
燥時間を制御するが、乾燥方法はこれに限定されず、例
えば送風等により行なつてもよい。その後、この酸化ア
ルミニウム層12が施されたヒータを、粘度11cp,比
重1.35(液温25℃)に調整したタングステン粒子
と酸化アルミニウムとを含有する被覆浴液中に浸漬し、
ダーク被覆層13を形成する。次いで前述したと同様に
メタノール等により付着力の弱い部分を取り除た後、赤
外線ランプ等により乾燥を行なう。その後、例えば1,60
0℃程度の高温で熱処理することにより、ダークヒータ
1が完成する。
第2図は同様の方法により、酸化アルミニウム層12の
電着後の乾燥程度のみを変えて形成したヒータについ
て、X線マイクロアナライザによりタングステンの分布
を調べた結果を示す。同図(a)は電着後全く乾燥を行な
わなかつた試料1、同図(b)〜(d)は250Wの赤外線ラン
プを3本用いて100℃以下程度の温度で乾燥した試料
で、同図(b)が乾燥時間30秒の試料2、同図(c)が60
秒の試料3、同図(d)が300秒の試料4の結果である。ま
た同図(e)は1600℃で2.5分間加熱焼結した試料5の
結果である。いずれもヒータ1の、第3図に示すIII−I
II断面上のa−b分析線に沿つたタングステン量を示す
もので、横軸は上記分析線上での位置、縦軸はタングス
テン量を示す。なお、第3図において14は芯線11を
コイル状に巻く際に用いたMo線を溶融除去した空洞で
ある。すなわち、第2図において、Aがタングステン芯
線11、Bがダーク被覆層13におけるタングステンの
分布を示している。
電着後の乾燥程度のみを変えて形成したヒータについ
て、X線マイクロアナライザによりタングステンの分布
を調べた結果を示す。同図(a)は電着後全く乾燥を行な
わなかつた試料1、同図(b)〜(d)は250Wの赤外線ラン
プを3本用いて100℃以下程度の温度で乾燥した試料
で、同図(b)が乾燥時間30秒の試料2、同図(c)が60
秒の試料3、同図(d)が300秒の試料4の結果である。ま
た同図(e)は1600℃で2.5分間加熱焼結した試料5の
結果である。いずれもヒータ1の、第3図に示すIII−I
II断面上のa−b分析線に沿つたタングステン量を示す
もので、横軸は上記分析線上での位置、縦軸はタングス
テン量を示す。なお、第3図において14は芯線11を
コイル状に巻く際に用いたMo線を溶融除去した空洞で
ある。すなわち、第2図において、Aがタングステン芯
線11、Bがダーク被覆層13におけるタングステンの
分布を示している。
ここで、乾燥の程度とその後の酸化アルミニウム層12
の水分含有量との関係は第4図および下表に示す通りで
あるが、第2図から明らかなように、水分の含有量が
1.94wt%の同図(a)、1.68wt%の同図(b)お
よび1600℃で焼結して、水分含有量が0.01wt%と
ほとんど完全に乾燥した同図(e)の試料では各図中Cで
示すように酸化アルミニウム層12中にタングステンの
浸透が認められたのに対し、水分含有量が0.684w
t%の同図(c)、0.679wt%の同図(d)の各試料で
はこのようなタングステンの浸透が全く見られなかつ
た。なお、いずれの結果も各5本ずつの測定結果の平均
をとつたものである。
の水分含有量との関係は第4図および下表に示す通りで
あるが、第2図から明らかなように、水分の含有量が
1.94wt%の同図(a)、1.68wt%の同図(b)お
よび1600℃で焼結して、水分含有量が0.01wt%と
ほとんど完全に乾燥した同図(e)の試料では各図中Cで
示すように酸化アルミニウム層12中にタングステンの
浸透が認められたのに対し、水分含有量が0.684w
t%の同図(c)、0.679wt%の同図(d)の各試料で
はこのようなタングステンの浸透が全く見られなかつ
た。なお、いずれの結果も各5本ずつの測定結果の平均
をとつたものである。
このように乾燥程度が低く、水分含有量が多すぎる場合
にはタングステンが浸透するが、水分含有量が少なすぎ
ても同様にタングステンの浸透が見られ、タングステン
の浸透を防ぐには適当量の水分等を残した状態でダーク
被覆層13の形成を行なうことが望ましいことがわか
る。さらに詳細な実験の結果、このような揮発物の残留
量は0.5〜1.5wt%程度であり、この範囲になる
ように乾燥時間等を制御することにより、粘度の低い浴
液を用いながら、しかも当該浴液、したがつてタングス
テンの、酸化アルミニウム層12中への浸透を防ぐこと
ができることが確認された。
にはタングステンが浸透するが、水分含有量が少なすぎ
ても同様にタングステンの浸透が見られ、タングステン
の浸透を防ぐには適当量の水分等を残した状態でダーク
被覆層13の形成を行なうことが望ましいことがわか
る。さらに詳細な実験の結果、このような揮発物の残留
量は0.5〜1.5wt%程度であり、この範囲になる
ように乾燥時間等を制御することにより、粘度の低い浴
液を用いながら、しかも当該浴液、したがつてタングス
テンの、酸化アルミニウム層12中への浸透を防ぐこと
ができることが確認された。
以上、タングステン芯線,酸化アルミニウム第1層被覆
層,タングステン含有のダーク被覆層を用いて構成する
場合について説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではない。例えば芯線としては、例えばモリブデンな
ど一般にヒータに用いられる高融点金属であれば任意で
ある。また、第1層被覆層も、酸化ジルコニウム,酸化
ベリリウムまたは酸化クロムと酸化チタンとの混合物な
ど一般にヒータに用いられる周知の種々の耐熱絶縁材料
を用いることができる。一般にこれらの材料は、最初は
比較的柔かく、多孔質性を呈する傾向があるため、従来
一般には後で400℃程度に高温加熱することからコスト
上昇等の問題を生じていたが、本発明によれば、このよ
うな高温加熱による完全乾燥は不要である。
層,タングステン含有のダーク被覆層を用いて構成する
場合について説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではない。例えば芯線としては、例えばモリブデンな
ど一般にヒータに用いられる高融点金属であれば任意で
ある。また、第1層被覆層も、酸化ジルコニウム,酸化
ベリリウムまたは酸化クロムと酸化チタンとの混合物な
ど一般にヒータに用いられる周知の種々の耐熱絶縁材料
を用いることができる。一般にこれらの材料は、最初は
比較的柔かく、多孔質性を呈する傾向があるため、従来
一般には後で400℃程度に高温加熱することからコスト
上昇等の問題を生じていたが、本発明によれば、このよ
うな高温加熱による完全乾燥は不要である。
さらに、ダーク被覆層の黒化には、炭素,チタニウム,
クロム,モリブデン等の他の高融点・高輻射能の材料を
用いてもよく、このような場合にも、前述したように第
1層被覆層の乾燥程度を制御することにより、これらの
材料の第1層被覆層中への浸透を防ぐことができる。
クロム,モリブデン等の他の高融点・高輻射能の材料を
用いてもよく、このような場合にも、前述したように第
1層被覆層の乾燥程度を制御することにより、これらの
材料の第1層被覆層中への浸透を防ぐことができる。
以上説明したように、本発明によれば、第1層被覆層を
形成後、この第1層被覆層中に0.5〜1.5wt%の
揮発物が残留した状態でダーク被覆層の塗布を行なうこ
とにより、乾燥工程でのコストが低減できるとともに、
低粘度の塗布液を用いることができるため塗布厚のばら
つきが小さく、エミツシヨン特性を安定させることがで
きる。
形成後、この第1層被覆層中に0.5〜1.5wt%の
揮発物が残留した状態でダーク被覆層の塗布を行なうこ
とにより、乾燥工程でのコストが低減できるとともに、
低粘度の塗布液を用いることができるため塗布厚のばら
つきが小さく、エミツシヨン特性を安定させることがで
きる。
第1図は本発明の一実施例を示す電子管用傍熱形陰極の
断面図、第2図は第1層被覆層の乾燥程度を変えた場合
のヒータ断面でのタングステンの分布を示す図、第3図
は第1図のIII−IIIヒータ断面図、第4図は第1層被覆
層の乾燥程度と水分含有量との関係を示す図である。 1……ダークヒータ、11……芯線、12……酸化アル
ミニウム層(第1層被覆層)、13……ダーク被覆層。
断面図、第2図は第1層被覆層の乾燥程度を変えた場合
のヒータ断面でのタングステンの分布を示す図、第3図
は第1図のIII−IIIヒータ断面図、第4図は第1層被覆
層の乾燥程度と水分含有量との関係を示す図である。 1……ダークヒータ、11……芯線、12……酸化アル
ミニウム層(第1層被覆層)、13……ダーク被覆層。
Claims (1)
- 【請求項1】耐熱性を有する導電材料からなる芯線の周
面に耐熱性の絶縁材料を塗布する工程と、この絶縁材料
からなる第1層被覆層中に揮発物が0.5〜1.5%残
留している状態で、当該第1層被覆層の周面に耐熱性を
有しかつ熱輻射能の高い粒子を含んだ材料を塗布して第
2層被覆層を形成する工程とを少なくとも含むことを特
徴とするダークヒータの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60103802A JPH0622095B2 (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | ダ−クヒ−タの製造方法 |
IT20458/86A IT1189138B (it) | 1985-05-17 | 1986-05-16 | Procedimento per produrre un riscaldamento scuro in particolare per tubi elettronici con catodo riscaldato indirettamente |
KR1019860003836A KR890004836B1 (ko) | 1985-05-17 | 1986-05-17 | 다이크히이터의 제조방법 |
CN86103468A CN1031435C (zh) | 1985-05-17 | 1986-05-17 | 制造暗灯丝的方法 |
US06/864,513 US4844942A (en) | 1985-05-17 | 1986-05-19 | Method of producing dark heater |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60103802A JPH0622095B2 (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | ダ−クヒ−タの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61263021A JPS61263021A (ja) | 1986-11-21 |
JPH0622095B2 true JPH0622095B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=14363527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60103802A Expired - Lifetime JPH0622095B2 (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | ダ−クヒ−タの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4844942A (ja) |
JP (1) | JPH0622095B2 (ja) |
KR (1) | KR890004836B1 (ja) |
CN (1) | CN1031435C (ja) |
IT (1) | IT1189138B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6762396B2 (en) * | 1997-05-06 | 2004-07-13 | Thermoceramix, Llc | Deposited resistive coatings |
JPH11185606A (ja) * | 1997-12-19 | 1999-07-09 | Matsushita Electron Corp | 陰極線管の製造方法 |
US6242854B1 (en) | 1998-01-20 | 2001-06-05 | Matsushita Electronics Corporation | Indirectly heated cathode for a CRT having high purity alumina insulating layer with limited amounts of Na OR Si |
CN104008939B (zh) * | 2014-06-19 | 2016-05-11 | 苏州普京真空技术有限公司 | 一种耐用电子枪灯丝 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3691421A (en) * | 1971-07-15 | 1972-09-12 | Gte Sylvania Inc | Doubled layer heater coating for electron discharge device |
US3852105A (en) * | 1972-04-07 | 1974-12-03 | Rca Corp | Fabrication of dark heaters |
US3808043A (en) * | 1972-05-30 | 1974-04-30 | Rca Corp | Method of fabricating a dark heater |
US4126489A (en) * | 1973-07-17 | 1978-11-21 | Varian Associates, Inc. | Method of making cathode heaters |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP60103802A patent/JPH0622095B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-05-16 IT IT20458/86A patent/IT1189138B/it active
- 1986-05-17 CN CN86103468A patent/CN1031435C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1986-05-17 KR KR1019860003836A patent/KR890004836B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1986-05-19 US US06/864,513 patent/US4844942A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1031435C (zh) | 1996-03-27 |
KR860009461A (ko) | 1986-12-23 |
IT8620458A1 (it) | 1987-11-16 |
IT1189138B (it) | 1988-01-28 |
CN86103468A (zh) | 1987-01-07 |
JPS61263021A (ja) | 1986-11-21 |
IT8620458A0 (it) | 1986-05-16 |
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