TW412801B - Process and apparatus for plasma etching - Google Patents

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JiSOpii.doc/O^t1 412801 五、發明說明（/ ) 枝術領域_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明是有關於一種用於半導體元件之方法及裝置， 且特別是有關於一種用於電漿蝕刻之方法及裝置。 發明背曼 一種廣泛用於產生電漿的方法爲反應性離子蝕刻法， 其具有二個電極’ 一個爲接地’且另〜個藉由交流（AC)電 源（一般爲RF電源），應用於形成電漿。電漿包含離子與電 子對，且電漿的特性例如電子溫度、電漿密度和離子能量 等皆依照RF電源之功率改變。 然而，上述之方法有很高的製程壓力，因此其無法形 成良好的圖案，且無法獨立控制電漿的一些特性與離子能 量。 於是’ 一種新的方法，使用低壓高密度電漿源，可在 低壓下獨立控制電漿特性與離子能量。此方法藉由運用來 源電力產生電駿且控制入射在基板上的離子能量。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 低壓高密度電漿源具有高蝕刻速率，係藉由維持密度 高於10"cm_3，而壓力在幾個mT或更低，因此可執行高非 等向性蝕刻製程來源電力與RF偏壓電力爲個別分開， 此構造產生電漿且RF偏壓電力接著吸引在電漿裡的離子 和電子至基板’因此其可控制離子入射基板的能量。 低壓高密度電漿源例如包括感應偶合電漿(Inductively Coupled Plasma ’ ICP)、電子迴旋共振（Electron Cyclotron Resonance，ECR)電獎' 赫立孔波電獎(Helicon wave plasma) ' 表面波電漿（Surface Wave Plasma，SWP)以及其他種類。同 4 本紙張尺度適用中國國私標準（CNS)A4規格<21〇 x 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _B7__ 五、發明說明（1 ) 樣地，新的電漿來源目前正積極的發展中。 然而，低壓高密度電漿源會有個問題，是由於電子與 離子之間穿過護套的移動方向不同導致帶電荷損害。 尤其是，存在的離子與電子彼此具有相同的數量，因 此根據熱力學原理，電中性情況維持著帶電粒子。在電漿 中，因爲電子比離子輕，電子的移動速度會快於離子的移 動速度。 電子與離子在電漿中會有各種移動方向。然而，在基 板與電漿的界面，電子首先注入基板，然後具有電子場之 護套使得電子不再注入至基板，係因護套使得電子被排斥 而離子被吸引。 因此，電子至基板之垂直方向分量持續地降低，而電 子至基板平行方向分量增加。相反地，離子至基板之垂直 方向分量增加，係因爲離子被護套之電子場加速至基板， 導致直線方向的離子增強。 因此，具有較強水平方向分量的電子到達圖案的頂部， 而具有較強垂直方向分量的離子到達圖案的底部，如第1A 圖所示，而發生電荷分離。這種現象稱爲電子陰影效應 (Electron Shading Effect，ESE) 0 參照數字2係表示下層材料層，參照數字6係表示圖 案之間的接觸窗開口或空間，參照數字8係表示正電離子， 參照數字10係表示電子。 當電子的高寬比Uspect radio)愈增加，ESE現象就愈嚴 重。結果，由於分別在圖案4之頂端與底端的電子10與 (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) ^5' ϋ n n n ϋ ( * n ϋ n n .fi I n n n n I— 1 ϋ ϋ ϋ . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（>) 正電荷8增加，帶電荷損害就會愈嚴重。另外，電子10 的溫度愈增加，帶電荷損害就愈嚴重。 例如，若下層材料層爲閘極電極，在形成圖案4之蝕 刻製程期間，閘極電極上累積正電荷，且因此產生電流穿 透閘極絕緣層。結果，發生帶電荷損害如閘極絕緣層某些 特性的退化和起始電壓的改變等。 電子溫度高表示電子熱移動速度高，因此不容易吸引 電子至圖案4之底部。相反地，若電子10溫度低，如第1B 圖所示，降低電子10的熱移動速度，因此可容易吸引電 子10至圖案4的底部。也就是說，ESE現象降低。 爲了避免由電漿蝕刻而造成的帶電荷損害，使用一種 降低電子溫度的方法。通常，使用週期性開關RF來源電 力的脈衝電漿法。 第2圖是繪示當使用習知的脈衝電漿時，電子溫度改 變的關係圖。

參照第2圖，當RF來源電力分別地開關各200微秒， 在此RF來源電力狀況下，電子溫度降低至l/e(e爲自然指 數）D 然而，只是週期性開關RF來源電力的方法並不能有 效地防止帶電荷損害。 ! 發明之槪述 本發明即爲了解決上述之問題，本發明之目的在提供 一種電漿飩刻之方法及裝置，用以使電子溫度達到最小， 以有效地避免帶電荷損害。 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I -1 I n I-iTOJI I n I I 1 n n I - A7 B7 '---------- 五、發明說明（午） 本發明是關於一種電紫蝕刻之方法及裝置。使用Icp 來源作爲低壓高密度電漿源。RF偏壓電力如同RF源電力 週期性地切換開與關（οη/off) ’且RF偏壓電力的相位對 來源電力的相位延遲。使用這個方法與裝置，電子溫度命 達到最小’因此產生帶電荷損害之電子陰影效應（ESE)會 達到最小，且可防止元件損壞。 胃 圖式之簡單說明 爲讓本發明之上述目的、特徵、和優點能更明顯易懂， 下文特舉較佳實施例’並配合所附圖式，作詳細說明如下： 第1A圖與第1B圖是繪示電子溫度與ESE現象之間的 關係； 第2圖是繪示習知一種當使用脈衝電漿，電子溫度改 變的關係圖； 第3圖是繪示本發明用於脈衝電漿蝕刻之裝置； 第4圖是繪是依照本發明之原處(in-situ)帶電荷監測晶 片之透視圖， 第5圖是繪示第4圖中沿著線A-A1的剖面圖； 第6圖是繪示當RF來源電力與RF偏壓電力均爲連續 波時，依照在帶電荷監測晶片上之第一和第二導電圖案的 電位形式； 第7圖是繪示當RF來源電力與RF偏壓電力均爲連續 波時，依照接觸窗開口之高寬比，第一導電圖案與第二導 電圖案之間的平均電位差（AVdc)的關係圖； 第8圖是繪示當函數相延遲時，第一導電圖案與第二 7 未紙張尺度適用中國國家標準（CNS)aT規格（210 X 297公釐) '' f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 >4； A7 _B7_ 五、發明說明（f ) 導電圖案之間的平均電位差（AVdc)的關係圖； 第9圖是繪示依照每一 RF來源電力與RF偏壓電力情 況之接觸窗高寬比，第一導電圖案與第二導電圖案之間的 平均電位差（AVdc)的關係圖； 第10圖是繪示當RF偏壓電力對RF來源電力之相位 延遲3ττ/2時，分別用於第一導電圖案與第二導電圖案之 平均電位（Vdc)及兩者之間的平均電位差（AVdc)對時間的 關係圖；以及 第11圖是繪示用於每一 RF來源電力與RF偏壓電力 情況，第一導電圖案與第二導電圖案之間的平均電位差（△ Vdc)。 圖式標號之簡單說明 2 :下層材料層 4 :圖案 6:接觸窗開口 8:正電離子 10 :電子 100 :電漿蝕刻反應室 102 :陶瓷壁 104 :第一電極 106 :基板支擦 108 ·晶片 110 : t呂板 120 : RF來源電力供應器 8 本紙張尺度適^中國國家標準（CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ---------線！ ! iUMt A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7_五、發明說明（<) 122 ’· RF電力產生器 12 4 ·混合益 126 : RF電力放大器 128 :機械網路 130 : RF偏壓電力供應器 132 : RF電力產生器 134 :混合器 136 : RF電力放大器 138 :機械網路 140 :函數產生器 150 :延遲函數產生器 200 :監測晶片 201 :矽晶片 202 :第一氧化層 204a、204b :複晶ίΐ夕層 205a、205b :矽化鎢層 206a :第一導電層圖案 206b :第二導電層圖案 208 :第二氧化層 210a :大型接觸窗開口 210b :小型接觸窗開口 21h、211b :墊接觸窗開口 220a :第一導電層圖案之電位 220b :第二導電層圖案之電位 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） B7 五、發明說明（q ) 220a-l :第一導電層圖案之平均電位 220b-l :第二導電層圖案之平均電位 較隹實施例之詳細說明 本發明之較佳實施例將參照第3圖至第11圖作說曰月。 第3圖是繪示用於本發明之脈衝電漿蝕刻的裝置。 參照第3圖，依照本發明之實施例用於電漿蝕刻之裝 置’包括電漿蝕刻反應室100、RF來源電力供應器12〇、 RF偏壓電力供應器130、函數產生器140、延遲函數產生 器150以及機械網路128與138。 利用低壓高密度電漿源，使用電漿蝕刻之裝置於鈾刻 半導體基板或薄層，例如形成在基板上之絕緣層或導電層 的材料層。低壓高密度電漿源係選自於由ICP、ECR、赫 立孔波電漿及SWP所組成族群中的一種，但是並不限於 此。以ICP來源作爲例子。 電漿蝕刻反應室100包括圓柱型陶瓷壁102及纏繞在 陶瓷壁上的單轉線圈104。由銅製成的線圈104爲用於RF 來源電力的第一電極。 在反應室100中的基板支撐106係用於支撐晶片，晶 片需用於蝕刻，作爲第二電極。支撐106位在低於線圈所 在平面下3cm。 電漿蝕刻氣體經由在反應室100上部分之鋁板110的 氣體注入口注入，且在反應完畢之後，藉由渦輪分子幫浦 (Turbo Molecular Pump，TMP)抽離反應室 100。 RF來源電力供應器120提供13.56MHz之RF電力至第 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

一6J· 1 n H I ^1 1 n I - n fl· I I— 1 - t— - n - ΙΊ - 1 n I 1 ϋ I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（及） 一電極104，以在反應室100中產生電漿。 RF電力供應器120包括RF電力產生器122、混合器124 及RF電力放大器126。 RF電力產生器122例如爲震盪器，用於產生RF電力。 RF電力及藉由函數產生器140產生之時間調節控制波形在 混合器124中混合，然後輸出RF來源電力週期性開關之 脈衝RF來源電力至RF電力放大器126。RF電力放大器126 收到來自混合器124的脈衝RF來源電力，然後在將其放 大之後輸出。在此時，從RF電力放大器126輸出之脈衝 RF來源電力增益矽經由迴路控制。 來自RF來源電力供應器120的RF來源電力具有週期 20微秒至800微秒，且400微秒較佳，以及效能比例(duty radio)5%至80%，且50%較佳。在此時，效能比例表示藉 由RF電力週期，RF電力對時間開（〇n)狀態，除以對時間 開與關（on and off)狀態之値。 RF偏壓電力供應器130提供Π.56MHz之RF電力至第 二電極，以吸引離子與電子至晶片。 RF電力供應器包括RF電力產生器132、混合器134、 RF電力放大器136、以及相似於RF來源電力供應器120， 用於控制RF偏壓電力增益之迴路。 來自RF電力產生器132如震盪器，以及藉由延遲函數 產生器150產生之時間調整波形的RF電力在混合器134 中混合，然後輸出週期性開關RF偏壓電力之脈衝RF偏壓 電力至RF電力放大器136。RF電力放大器136收到來自 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^eJ· n n n n I ί I I II u I n f i I n K n · Α7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（”） 混合器134的脈衝RF偏壓電力，然後在將其放大之後輸 出。在此時，從RF電力放大器136輸出之脈衝RF偏壓電 力增益係經由迴路控制。 來自RF偏壓電力供應器130的RF來源電力具有週期 20微秒至800微秒，且400微秒較佳，以及效能比例5% 至80%，且50%較佳。 函數產生器140與延遲函數產生器150皆收到觸發訊 號，亦即來自外部的標準訊號。 延遲函數產生器150爲本發明之最重要部分之一。其 藉由相差’ Ψ 1產生時間調整波形（time modulated wave form)。於是，藉由相差V延遲對脈衝RF來源電力之脈衝 偏壓電力。在此時，相差'Ψ'具有範圍0至，且π/2至 3ΤΓ/2較佳，並且，爲τι更佳。 相似地，經由機械網路138應用脈衝RF偏壓電力至第 二電極106。然後藉由吸引離子至晶片108執行電漿蝕刻 製程。 使用依照本發明上述用於電漿蝕刻的裝置執行下列實 際製程D 第4圖是繪示依照本發明之原處(m-S1tu)帶電荷監測晶 片的透視圖，以及第5圖是繪示在第4圖中沿著線A-A4勺 剖面圖。 首先，關於第4圖，提供監測晶片200。 參照第5圖，監測晶片藉由下列程序製造。也就是， 在矽晶片201上沉積第一氧化層202,然後在第一氧化層 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

I UT. * ϋ n ii n n n^OJ· n n —1 ί— I ί— I I n ϋ ϋ I— n ( n ϋ n n n ϋ ϋ n n n I— I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公t ) 412801 4 5 i I doc/006 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（⑷） 202上形成第一與第二導電層圖案206a與206b。第一與第 二導電層圖案206a與206b係由連續地沉積且微影複晶矽 層204a與204b及矽化鎢層205a與205b而製成。沉積1.6 微米之第一氧化層202,以隔絕第一與第二導電層圖案206a 與 206b 。 接著，在包括第一與第二導電層圖案206a與206b之 第一氧化層202上沉積第二氧化層208。使用接觸窗開口 形成罩幕如光阻圖案，蝕刻第二氧化層208。結果，形成 一大型接觸窗開口 210a以暴露出部分第一導電層圖案 206a，以及同時地形成無數小型接觸窗開口 210b以暴露出 部分第二導電層圖案206b。同樣地，在第一與第二導電層 圖案206a與206b上進一步形成墊接觸窗開口 211a與 211b，且同時地使第一與第二導電層圖案206a與206b連 接至示波器。大型接觸窗開口 210a具有尺寸 2.1cm*1.65cm，以及無數小型接觸窗開口 2I0b具有開口數 目281*106且每個尺寸0.2微米*0.2微米。 在移除光阻圖案之後，將晶片200移進蝕刻反應室 100 0 藉由二條電線，分別連接墊接觸窗211a與211b之第 一與第二導電層圖案底部至在真空中的示波器。因此，我 們可經由示波器觀察電漿對大型接觸窗開口 210a與無數 小型接觸窗開口 210b的影響。 注入新的氣體如氬(Ar)或(He)於蝕刻反應室100中。脈 衝RF來源電力與脈衝RF偏壓電力皆具有週期400微秒與 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

I n I HI 1 -i-rej· ϋ In n ϋ 1 ϋ I l I n n I I ϋ I— n n ϋ ϋ J n I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） 45 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（// ) 效能比例50%。RF偏壓電力延遲在範圍0至2/r。 第6圖是繪示當RF來源電力與RF偏壓電力皆爲連續 波時，在帶電荷監測晶片上之第一與第二導電圖案的電位 圖形。在此時，無數小型接觸窗之高寬比爲4。 我們可看出第二導電層圖案206b之電位(參考數字220b 之圖）的平均電位（Vdc)(參考數字220b-l)高於第一導電層圖 案206a之電位（參考數字220a之圖）的平均電位（Vdc)(參考 數字220a-l)。這表示因爲ESE現象，電子到達無數小型 接觸窗開口 210b底部比到達大型接觸窗開口 210a底部困 難。 第7圖是繪示當RF來源電力與RF偏壓電力均爲連續 波時，依照接觸窗開口之高寬比，第一導電圖案與第二導 電圖案之間的平均電位差（AVdc)的關係圖。 參照第7圖，平均電位差（△Vdc)與高寬比成正比，直 到高寬比爲4,且當高寬比超過4時降低。這個趨勢與W. W. DostaUk之"高密度電漿製程用於極高高寬比結構之電子陰 影效應M(P2Id，p. 160,1998)的結果相似。 第8圖是繪示當函數相延遲時，第一導電圖案與第二 導電圖案之間的平均電位差（AVdc)的關係圖。其顯示用於 各種高寬比之接觸窗開口所量測之平均電位差（△ Vdc)的量 測結果。 在第8圖中，當相延遲（Ψ)對所有的高寬比爲7Γ時，除 了高寬比爲i，平均電位差（Δν^)具有最低的水平。 第9圖是繪示依照每一RF來源電力與RF偏壓電力情 L4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線！ 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 45 8 忿祕i A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（P ) 況之接觸窗高寬比，第一導電圖案與第二導電圖案之間的 平均電位差（AVdc)的關係圖。在此時，RF來源電力與RF 偏壓電力皆爲時間調整之情況時，細分爲一些各種相差情 況。 參照第9圖，我們可看出均爲時間調整情況具有最低 水平的平均電位差（AVdc)。另一方面，只有RF來源電力 爲時間調整情況時，未明顯地顯示出平均電位差（Δν&)降 低的影響。 如第8圖與第9圖所示，當使用相控制脈衝電漿時， 可降低ESE現象，且特別是當RF來源電力與RF偏壓電 力均爲時間調整時，ESE現象會最小。 第10圖是繪示當RF偏壓電力對RF來源電力之相位 延遲3π/2時，分別用於第一導電圖案與第二導電圖案之 平均電位（Vdc)及兩者之間的平均電位差（Δ Vdc)對時間的 關係圖。 爲了分析關於相位延遲的影響，如第10中所示，可觀 察到用於四個區域，開/開、開/關、關/關和關/開區域之平 均電位差（AVdc)。在此時，無數小型接觸窗開口之高寬比 爲8。 我們可看出在此四個區域之平均電位差（Δ Vdc)均爲正 値。 第11圖是繪示用於每一 RF來源電力與RF偏壓電力 情況，第一導電圖案與第二導電圖案之間的平均電位差（△ Vdc)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r— — — —— — 訂---------線- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4現格（210 X 297公釐） Α7 41Τ801_ 五、發明說明（Μ) 在第Π圖中，當相差爲π時，在四個區域中之平均電 位差（Δν^)均具有最低水平。此相似於第8圖中之平均電 位Vdc的趨向。在此時，無數小型接觸窗開口之高寬比爲 8 ° 特別是，當脈衝RF來源電力爲關的狀態且脈衝RF偏 壓電力爲開的狀態時，平均電位差（AVdc)明顯地降低。 如上所述，依照本發明之電漿蝕刻的製程與裝置，當 RF偏壓電力爲時間調整如同RF來源電力爲時間調整，且 脈衝RF偏壓電力對脈衝RF來源電力延遲時，電子溫度爲 最小。因此，ESE現象會最小。 而且，當脈衝RF偏壓電力對脈衝RF來源電力延遲， 且脈衝RF來源電力爲開的狀態及脈衝RF偏壓電力爲開的 狀態時，可使最小ESE效應達到最高。 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然任何熟習 此技藝者可知在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各 種之更動與潤飾。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) , -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印*':衣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 經濟部中央梂隼局負工消費合作社印装 A8415^01〇 oik eg Oo 六、申請專利範圍 1. 一種用於電漿蝕刻形成在基板上之一材料層以形成 材料層圖案的方法，該方法包括下列步驟： 藉由在一鈾刻反應室中，應用一無線電波頻電力源至 在該蝕刻反應室之第一電極以形成一電漿；以及 施用一無線電波頻偏壓電力源至一第二電極，該第二 電極包括在該反應室中之該基板的一支撐，其中該無線電 波頻電力源與該無線電波頻偏壓電力源週期性地開與關， 以在兩者之間具有一預定相位差，藉以使該材料層圖案之 頂端區域及該材料層圖案鄰接之底端區域間的電荷分離達 到最小。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該無線電 波頻偏壓電力源具有對該無線電波頻電力源之一延遲相位 差。 3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中該延遲相 位差具有範圍在0至2ττ。 4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中 該開與關之週期具有範圍在20微秒至800微秒。 5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中 該無線電波頻電力源與該無線電波頻偏壓電力源具有一效 能比例，該效能比例在範圍約5%至80%。 6. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該來源爲 一低壓高密度電漿來源。 7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該材料層 係選自於由一絕緣層、一導電層和一半導體層所組成族群 ---------裝------1訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中國國家橾準（CNS ) Α4规格（2ΙΟΧ297公釐） 41^01- /0 0 6 A8 B8 CS D8 、申請專利範圍 中的一種材料。 8. —種用於電漿蝕刻形成在一基板上之一材料層以形 成材料層圖案的裝 該裝置包括： 經濟部中央標隼局負工消費合作社印裝 一電漿蝕刻反應室； 在該反應室中，一第一無線電波頻電力供應器連接至 該反應室中之一第一電極以產生一電漿； 一第一無線電波頻函數產生器，用於產生一第一調整 波形，以調整來自該第一無線電波頻電力供應器之該無線 電波頻電力週期性地開與關； 一第二無線電波頻電力供應器連接至一第二電極，用 於施用一無線電波頻偏壓電力，該第二電極包括在該反應 室中之該基板的一支撐；以及 一第二函數產生器，用於產生一調整波形，以調整藉 由該第二電力供應器產生之該無線電波頻偏壓電力，其中 地該第二函數產生器使得該無線電波頻電力源與該無線電 波頻偏壓電力來源具有一預定的相位差，藉以使該材料層 圖案之一頂端區域及該材料層圖案鄰接之一底端區域之間 的電荷分離達到最小。 9.如申請專利範圍第8項所述，其中該無線電 波頻偏壓電力來源具有對該無線電波 相位差。 10. 如申請專利範圍第9項所述之 位差具有範圍在0至2;τ。 11. 如申請專利範圍第8項或第9項所述忍 力來源之一延遲 其中 ---------裝---'--—訂------0 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上·-. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4g_( 210X2S»7公釐） 41s5)§iQA/006 A8 ΰ8 C8 D8 、申請專利範圍 該開與關之週期具有範圍在20微秒至800 12.如申請專利範圍第8項或第9項所遽 該無線電波頻電力來源與該無線電波頻偏壓竃 一效能比例，該效能比例在範圍約5%至80%。 Π.如申請專利範圍第8項所^^^法，其中該來源爲

   低壓高密度電漿來源。 M.如申請專利範圍第8項所述之11 A 係選自於由一絕緣層、一導電層和一半\ 中的一種材料。 其中該材料層 層所組成族群 ---------^--->---ΪΤ------.^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印装 19 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐）