TW411726B - Manufacture of structurized electrodes - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims description 6
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims description 5
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims 7
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 4
- 125000002485 formyl group Chemical class [H]C(*)=O 0.000 claims 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims 2
- HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8-tetrachloro-dibenzo-p-dioxin Chemical compound O1C2=CC(Cl)=C(Cl)C=C2OC2=C1C=C(Cl)C(Cl)=C2 HGUFODBRKLSHSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 136
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 101100321206 Escherichia coli (strain K12) ytiC gene Proteins 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical group [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 2
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- BXYHVFRRNNWPMB-UHFFFAOYSA-N tetramethylphosphanium Chemical compound C[P+](C)(C)C BXYHVFRRNNWPMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 2
- 101150105137 ytiB gene Proteins 0.000 description 2
- FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 FDRNXKXKFNHNCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010011878 Deafness Diseases 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- 241000209140 Triticum Species 0.000 description 1
- 235000021307 Triticum Nutrition 0.000 description 1
- 239000004904 UV filter Substances 0.000 description 1
- CQBLUJRVOKGWCF-UHFFFAOYSA-N [O].[AlH3] Chemical compound [O].[AlH3] CQBLUJRVOKGWCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N cadaverine Chemical compound NCCCCCN VHRGRCVQAFMJIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003806 hair structure Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001795 light effect Effects 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000002688 persistence Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- -1 polarization filters Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 235000015170 shellfish Nutrition 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N toluene Substances CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
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s 修正 A7 B7 五、發明說明（^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 持有被 ， 載層保 方 ±t 電方，的中發 存構層 保具可 中 轉一須 之 MK1種外能其致 種結用 間所且 0 H第S 罩^^1此此可：㈣ 一行作 之中化 一 結較時 遮 U 之由，是中 於進機 0 0 0 0 11度_ 無Hu® 器亦況機f 加於有 ""有影 一一影結 至 此寛交 以felM。示化情(isl施上種 致溝丨 3 0 此顯被 0 使構在 便"ut顯_用· Μ 是層！ 在態可 0 後帛(1肖二加 ，液層 須 然之不 法面行之e 最第施 害在一一 構 ，有之 方ιίΞΪ 平進ii4lfcfcl0¾¾ 損層第 結 ® 具上 之!!«^ ^大上下7 種後首 到一 ,«一父所度 。式Ξ-lffih於物於19ML二然後 受第大 此 且層寬 掻新當合用zffl述。之-會中較 且 化一 一構 電種極 適^ist.wt 上上 _7 不其者 化，構第結 eysMH其之別AKU_ > ® ^ _ 時，層 構銻結中之 一計之¾¾致，光特號 中電及 層限二 結交被其層 積設化 Μ116構發亦案目 法部以 二界第 行層先，二 沈而構 U11結致法譆)ίϋ 方底載 第之較 進二首中此 上明結 些電方申造 h 之之轉 加確度 層第層層且 層發些 W 一在之利製 a 明上化 施明解，二使二一 ，，二本一)CIJ7P生極明專之gr發體構 在種溶濕第後第第大者第由造者#s産電發國件ho本基結 且一之潤對然或至者持在藉製用(ί可屬本德組it在於 ， _ _ 式所極法金 β與光(1在化 n ί It ^1 ^1 n n ^1 ^1· e^t^-5, I ^1 ^1 ^1 an i n I I (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） 411720 a? B7 五、發明說明（^ ) 本發明傷關於一種結構化電極之製造方法·特別是有 關一些具有結構化電極之有機電致發光組件，例如，具 1 n n n . — · l·! n <請先瀾讀背面之注意事項再填寫本頁) 有結構化金鼷電極之顯示器。 薄層（恃別是厚度在lnm至l〇nm範園者）可應用在各種 技術中，例如，可應用在半導體製造，撤電子，感測器 以及顯示器技術中。就這些組件之製造而言，幾乎總是 餚要一锸齬法構.其中所需之結構大小由次谢米匿域直 達整個基體面且所需之造形多樣化幾乎是無限制的。 就蒱結_化而言.通常都I不 同型式中之撤影lithqs raphy)。所有方法因此都是通 用的，笸 ^ ^ ______ """ 學g 些化學 gmuti.，_m_su 蝕 气. 輕身旧。但# —些廳用中此種接觸fei聋-對.這些货簋赛 化之層造成破壞> 至少、造Aa-笔。這例如會羞 #光二極腊之ϋ中〇 有機發光二極體（organic light emitting diodes’ OLEDs),邸，電致發光三極體，主要是噶用在顯示器中 (例如，請參閲 US-PS 4 356 429和 US-PS 5 247 190)。
經濟部智慧財產局員工消費合作社印M 0LED顯示器之構成和製造典型上是以下述方式來達成。 基體（例如，玻璃）整面上塗佈一種例如由鼇 (IT0)所構成之透明之電極（底部電極，陽極）。為了製 造像素-矩陣-顯示器，則此ϋ頂部 電棰（陰極化，此二健電極通常都被結構化 成平行導電執之形式，其中底一部電極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 條正 411720 Β； jliit ή ^ / £ η
五•發明说:对(i ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上層是一種光阻時同樣是有利的 <> 上層最好是由一種 以酚醛清漆（NovolalO /重氮基酲（Diazochinon)為主之 正光阻或由一種以Novolak/Veriietzer(交綾劑）/ Photosaure(光酸）為主之負光阻所構成。亦可使用聚甲 基丙烯酸甲酯（P〇ly(methylnethacrylat))(PMMA)作為 正光阻，可佔濕之聚（矽亞苯-矽氣烷）（poly(silphenylen-Siloxane))例如可用作負光阻。 但亦可對上層間接地進行結構化，此時層材料例如可 使用非定形之硪（a-c)或非定形之含氫之硪（a-C: Η)β 這些層可在氧氣電漿中被結構化，其中使用一種含矽之 光胆層形式之蝕刻遮畢，特別是一種所謂CARL-Resist <CARL-Che«iical Amplification of Resist Lines)或 —種 T S I - S y s t e ( T S I = T o p S u r f a c e I a g i n g ) 〇 藉由先前所述技藝所引導之製程而産生圔中所示之結 構，其中第二層所具有之结構寬度較第一層者大Γ突出 結構"）β第二層（其最好是由可形成膜之有機材料所構 成）須交_，這樣可提高機械穩定性及耐熱性。上述之 突出结構不會由於交鐽作用而受到損害。 由於交鏈作用而可穩定第二層之突出區，因此可製成 較大之面積（待別是長的遴緣）且可藉由溶劑製程來産生 上述之層。穩定之突出區可使隨後所施加之層被结構化 ，因為在突出區之邊線處可藉由CVD-或PVD-程序或藉由 液相而使已施加之各層被撕開且因此而分離成各種不同 之區域（即，被結構化 這些層特別是有機之作用層（ -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） — —— — — — — — — — — —衣· I — — I I I (發先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4jl172〇 a? __B7_ 五、發明說明（> ) 導電軌是互相垂直而延伸。底部電極之結構用一 種濕式化學蝕@_之饊影程序变進行，其細節是 此行之專家所熟知的 以此方法可逹成之解析度基本上 是受到撤影製程中之步驟以及底部電極之特性所限制。 依據先前技藝，像素大小以及像素之間不具發光性之中 介空間都可以數徹米之大小來製成。底部電搔之條形導 電軌之長度可逹成許多公分。依據所使用之撒影術用之 遮罩而可産生一些發光面直至數平方公分之大小，各發 光而所形成之序列可以是有規則的（像素-矩陣-顯示器） 或可變化的（符號顯示）。 良此種具有已結構化之透明之底部電捶之基體上_m 一曆或多靥之有機層。這些有機層可由聚合物，笸聚合 物，低分子化合物料之混合物所構成。為 了施加這些聚合物，例如聚苯胺，聚（P -亞苯基-亞乙烯 基）及聚（2-甲氣基- 5-(2乙基）-己氣基-P-亞苯基-亞 乙烯基），通常是使用一些由液相所逵成之製程（藉由 Spin-Coat丨ng或橡皮刮板來塗佈一種溶液），但對低分 子化合物或低聚合物而言氣相沈積（蒸發或” Physical Vapor Deposition”，PVD)是較佳的。一些低分子化合 物（最好是可輸送正電茴載體者）例如：Ν, Ν’-雙- (3 -甲 苯基雙-(苯基）-聯苯胺 U-TPD)、4,4’，V-三-(Ν-3 -甲苯基-Ν -苯基-胺基）-三苯基胺U-MTDATA),以及 4,4’，4”-三-(”唑-9-基}-三苯基胺（1'(^4)。例如可使 用羥基睹啉-鋁- III -鹽（Alq)作為發射體，其可摻雜一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------裝-------J 訂------1 — 線 /請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁v _胃_________-
五、發明說明（？） A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 即，電致發光之層）和電極》 上層在結構化之後（已如上所逑）所具有之結構寬度較 下層者還大β此種結構寛度之差異（”突出”）在數值上有 利的是介於〇 . 1和5 0 # n之間，特別是在1和1 0 # Β之間 。下層之厚度最好是0.1至30#®，待別是0.5至lOytiB, 上層之厚度是0.1至30必la,特別是0.5至5// ra。 本發明將依據實施例及_式作詳述。 圏式簡單説明如下： 第1圖 依據本發明之方法所製成之有機發光二棰體 之横切面（未依比例繪出）。 在第1圖之基體1上存在一種透明之已結構化之底部 電棰2。此基體（其可具有一種非平面之幾何形狀）例如 可由玻璃，金屬（例如，矽）或由聚合物（其形式類似於 箔）所構成；底部電極例如是一種IT0-電極（ΙΤ0 = Indiui Tin Oxide)。接下來之各層是下部光阻層3,上 部光阻層4 (其須被交鐽）以及有機之作用層5。在有機 作用層5上則為已結構化之頂部電槿6(金屬電棰）。 0LED-顯示器之製造 此種顯示器之製造是以下述步驟來進行： 1.整面以氣化銦錫（ΙΤ0)來塗佈之玻璃板藉助於徹影 術而隨後以濕化學蝕刻法來進行結構化，以便産生一些 寬度大約是2(J0// B之平行導電軌以及大約50# η之導電 軌間之中介空間。導電軌大約是2cs長且在其外倒端部 -1 1- 本紙張尺度適用ΐ國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - ----------裝--—II---訂----------線 Γ請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 411720 A7 B7 五、發明說明（ 種適當之色基（Chroaophoren) (Chinacridon-衍生物， 芳香族磺_&_化合物，等等）。情況需要時可另外存在一 @可影镅電子光學持性（例如，長時間之特性）之層。這 柴層例如由銅-苯二甲藍素所構成。此種層序列之總厚 度可介於10nm和10w m之間，典型上是在50和200nm之間。 遐部電極通常是由金屬所構成，通寒由氣40沈積 來施加金屬（熱蒸發.濺鍍和_ϋ極放射蒸發)。最好g使 甩jL·音重（因此iLJLJtL董具有反應性）之盒J ,例如，锂 ，.i_ .鋁mm_px及這些金靥之合ϋ其它金屬。製造像 素-矩陣-配置時金靥電極所需之結構化通常是以下述方 式達成：藉由陰影遮罩來施加金篇，陰影遮_罩具有一些 已老麗口。 一種以此方式製成之0LED -顯示器另外可含有一些可 影饗電子光學特性之元件，例如，UV -濾波器，極化濾 波器，抗反射塗層，習知之稱為"撤空腔（Micro-CaviUes) 之元件以及色彩轉換-和色彩修正濾波器。此外，存在 —種密封式之封裝（packaging),藉此種封裝可保護此 種有機之電致發光之顯示器不受環境（例如，濕度和機 Μ 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 ί裝 本 . 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以 匿 Α9 晶 i ιρτ 式 膜 薄 些 一 在 存 亦 外 此 ο 0 影 之 載 負 性 械 而是 I 化 奪 結 之 細 精 作 極 電 屬 金 對 來 IX器式 f 示形 素顯之 像之軌 之度電 別析導 各解以 制高則 控就 -便 言 容 内 之 訊 資 量 大 1 種 1 示 顯 可 守構 遵結 在波 須可 必仍 間下 空況 之情 間之 其中 及圍 以 度 寬 之 軌 電ce 導an Γ * Θ 即 ο t 9 yiv 的度 要許 必容 範 η Μ 在 是 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x297公釐） A7 B7 日疏明(、。） 可能含有一呰添加物以作為接觸用β在結構化時所用之 光阻須完全去除》 2. 玻璃板在溫度為25ETC時加熱大約1小時，然後對 以聚戊二醯（Polyglutarimid)為基劑（Basis)之商用光 阻進行離心分離（在700U/ »in時施加1〇秒鐘，在3G0U/ in i η時離心分離3 0秒鐘）。 所獲得之層在15ITC時乾燥15分鐘，然後在通風之爐 中在250 °C畤乾燥30分鐘。隨後以lOOOnJ/cm2之劑置 在2 48nB波長時進行一種大量之光束照射（多色的h然 後在 20011/ Bin時對以 Novolafc/Diazochinon(10 : 1之以 U-甲氣基-2-丙基）-乙酸鹽（l-Methoxyl-piOpyl)-acetat)稀釋者）為基剤之商用光阻進行離心稀釋約20秒 之久。此二層在l〇(TC時乾燥6卩秒，然後以劑量62mJ/cB 而在365η*之波長中藉由微影遮罩來進行光束照射（多色 的然後以一種含有四甲基氳氧化銨 (TetraBethylaBmoniunhydroxyd)之商用顯影劑來進行 顯影20秒》玻璃板随後送入一已預熱至lOd之通風** 中且在230。<：時退火45分鐘；於是使上層之光阻層交鋪° 然後以上述之顯影劑再進行顯影二次每次各70 産生大約5#·之上層突起，上層之厚度大約是2·6#η; 此二層加起來之厚度大約是4.3# β。然後藉由氧氣電黎 (RF功率：70tf,氣流：30sccb>約進行90秒而使其餘之 光阻由ΙΤ0 -表面去除。 3. 在壓力為10s tubar時藉由傳統之熱蒸發而施加一® -1 2_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •我--------訂-------^---線 經濟部智慧財產局貝工消費合作杜印製 41172 ο Α7 Β7 五、發明說明（4 化^導電軌之寬度因此可介於lOuia和數百撤米之間， 較佳是介於100和300wb之間。為了達成一種較髙之t 請 先 -閱 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 面對顯示器配置之整傾面)， 另外所需之條件是：金屬導電軌之間的中介空間就像透 明底部電搔之導電軌之間的中介空間一樣只有幾個徹米 之大小而已。已有之結構化技術不能用於此處，這是因 為琨有之有機作用層（即，電致發光之材料）對精細結構 化所需之化學劑而言是不能持久的。 藉由所諝陰影遮„1,即，二薄Η或圓片（其具有一 些1釋於所期望之結構而形成之開口），則可只對這些 依imjL-或PVD -方法所魁成之_厘_谁行結此外，由 於遮罩和基體之間有限間距，所可達成之解析度於是可 産生一些較低之數值，另外，由於此種陰影遮罩會完全 彎曲，刖在製造技術上不能製成較大之平面。 本發明之目的是提供一種一般可應用之用於電極之結 ,卽，一種技術，其對幾何形狀（結構大小， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 形式，一面積）及製程(CVD -及pp-方法，溶劑製_琶）只會 設定一些盡可能少之限制。主要是提供一種方法，其 允許在有機電致發光組任中在製程上適當地製造一_些結 構化電I且待別是製造高解析度顯示器所用之精細結 全I畔頂部雷搔.其中请些待結構化之電極不會 依據本發明，上述方法是以下述方式逵成： -在基體上施加辛少二種靥，其中第一層是電性絶緣的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） s 修正 A7 B7 五、發明說明（^ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 持有被 ， 載層保 方 ±t 電方，的中發 存構層 保具可 中 轉一須 之 MK1種外能其致 種結用 間所且 0 H第S 罩^^1此此可：㈣ 一行作 之中化 一 結較時 遮 U 之由，是中 於進機 0 0 0 0 11度_ 無Hu® 器亦況機f 加於有 ""有影 一一影結 至 此寛交 以felM。示化情(isl施上種 致溝丨 3 0 此顯被 0 使構在 便"ut顯_用· Μ 是層！ 在態可 0 後帛(1肖二加 ，液層 須 然之不 法面行之e 最第施 害在一一 構 ，有之 方ιίΞΪ 平進ii4lfcfcl0¾¾ 損層第 結 ® 具上 之!!«^ ^大上下7 種後首 到一 ,«一父所度 。式Ξ-lffih於物於19ML二然後 受第大 此 且層寬 掻新當合用zffl述。之-會中較 且 化一 一構 電種極 適^ist.wt 上上 _7 不其者 化，構第結 eysMH其之別AKU_ > ® ^ _ 時，層 構銻結中之 一計之¾¾致，光特號 中電及 層限二 結交被其層 積設化 Μ116構發亦案目 法部以 二界第 行層先，二 沈而構 U11結致法譆)ίϋ 方底載 第之較 進二首中此 上明結 些電方申造 h 之之轉 加確度 層第層層且 層發些 W 一在之利製 a 明上化 施明解，二使二一 ，，二本一)CIJ7P生極明專之gr發體構 在種溶濕第後第第大者第由造者#s産電發國件ho本基結 且一之潤對然或至者持在藉製用(ί可屬本德組it在於 ， _ _ 式所極法金 β與光(1在化 n ί It ^1 ^1 n n ^1 ^1· e^t^-5, I ^1 ^1 ^1 an i n I I (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
4U72G A7 _B7_ 五、發明說明（) ，隨後在有機作用層上沈積一種頂部電極。 頂_部電極（其最好具有二二種很小之用於電子之工作函數 (Austritts-arbeit),因此可用作__..注_.上崖子用之見搔） 特別是由金颶或金屬之合金所構成。但此種電極亦可具 有一種層結構，其中在一層薄的介電層（< 5 n in)(其例如 由氣化鋰或氣化鋁所構成）上配置一 作)電極。 在本發明之方法中重要的是：施加在底部電極（其可 以是已被結構化者）上之第一層（即，下層）在施加第二 層（上層）時不會受到損害且在此二層之間須保持一種確 定之界限。第或第二置_用二*^地由一種可形成膜 之有機材料（最阻丄既_構摩。 光m是一種可形成膜之光敏材料,其溶解性會由j光 效應或光束照變；這樣即可在正和負光阻之間作 區別。在本例子中若上層和下層都是由光阻所構成且此 二種光阻在相同之波長範圍中都具有敏感性時，則下層 之光阻不可能是一種負（negative)工作糸統。 在較佳之實施形式中.本發明之方法包含一種徹影術 過程以作為主要恃擞，其中在透明之底部電極上情況需 要時在其結構化之後施加至少二傾層，其中第一層是由 漆或正光阳所構成，第二層則由正或負光胆所構成；在 第一靥是由光阻所構成時，則在施加第二層之前第一層 須受到大量之光束照射。然後對這些層進行結構化，使 有機作闬層和（金屬性）頂部電極可整面地施加於或沈積於 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I----If------" I I ! I I 1 I 訂---------"5^ ΐ請先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) -__ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 411720 A7 _B7__ 五、發明說明（7 ) 此二個層之上。這些層或頂部電極之結構化因此是垂直 於底部電極之結構化來進行。施加有機作用層於第二層 上通常可藉由熱蒸發過程或藉由溶解（例如，離心分離 或橡皮刮板）來進行，然後進行乾燥過程。 在撤影術之步驟中，下述是很重要的。此二層中之第 一層必須是”可過塗層的（overcoatable)'其意義是： 此二層不需所謂中間温合物（Intermix ing)即可上下互 相重#而進行塗佈，即，所使用：>漆（或光阻）可溶解在 各種不同之溶劑中，使第一層之光阻不j：由於第二靥之· 光限所@之溶劑而受到侵蝕。瑄樣可確保：在施加第二 靥可保持第一層之已確定之結構且在此二層之間存 在一種確定之麥，。 此外，就檝影術之步驟而言須要：第一層所具有之顯 影速率較第二層者還大。其意義是：在光束照J之後在_ 光阳.層結構化時所需之顯影液來進行之處理過程中， 第一之溶解速率較第二層者還快。若此二層是以相同 之潁影劑（其待^別是一種稀釋之鹾性g影劑）來處理（即 ，顯影），則上述方式是有利的。 下層通常使用電性絶緣之有機層或無機材料。適當之 無機材料例如：二氣化矽，氮化矽和氧化铝。但下層例 如亦可由鹼性之可顯影之非光敏之聚醯亞胺（poly Uid) 所構成。下層具有光敏性是有利的，Τΐ層因此最好是由 聚戊二酿胺（Ρο丨yglutarira丨d)或聚苯並嗯® (Po]ybenzoxazol)為基（Basis)之正光阻所構成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -^ ----灌 t--L-------味— (.請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 條正 411720 Β； jliit ή ^ / £ η
五•發明说:对(i ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 上層是一種光阻時同樣是有利的 <> 上層最好是由一種 以酚醛清漆（NovolalO /重氮基酲（Diazochinon)為主之 正光阻或由一種以Novolak/Veriietzer(交綾劑）/ Photosaure(光酸）為主之負光阻所構成。亦可使用聚甲 基丙烯酸甲酯（P〇ly(methylnethacrylat))(PMMA)作為 正光阻，可佔濕之聚（矽亞苯-矽氣烷）（poly(silphenylen-Siloxane))例如可用作負光阻。 但亦可對上層間接地進行結構化，此時層材料例如可 使用非定形之硪（a-c)或非定形之含氫之硪（a-C: Η)β 這些層可在氧氣電漿中被結構化，其中使用一種含矽之 光胆層形式之蝕刻遮畢，特別是一種所謂CARL-Resist <CARL-Che«iical Amplification of Resist Lines)或 —種 T S I - S y s t e ( T S I = T o p S u r f a c e I a g i n g ) 〇 藉由先前所述技藝所引導之製程而産生圔中所示之結 構，其中第二層所具有之结構寬度較第一層者大Γ突出 結構"）β第二層（其最好是由可形成膜之有機材料所構 成）須交_，這樣可提高機械穩定性及耐熱性。上述之 突出结構不會由於交鐽作用而受到損害。 由於交鏈作用而可穩定第二層之突出區，因此可製成 較大之面積（待別是長的遴緣）且可藉由溶劑製程來産生 上述之層。穩定之突出區可使隨後所施加之層被结構化 ，因為在突出區之邊線處可藉由CVD-或PVD-程序或藉由 液相而使已施加之各層被撕開且因此而分離成各種不同 之區域（即，被結構化 這些層特別是有機之作用層（ -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） — —— — — — — — — — — —衣· I — — I I I (發先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明說明（？） A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 即，電致發光之層）和電極》 上層在結構化之後（已如上所逑）所具有之結構寬度較 下層者還大β此種結構寛度之差異（”突出”）在數值上有 利的是介於〇 . 1和5 0 # n之間，特別是在1和1 0 # Β之間 。下層之厚度最好是0.1至30#®，待別是0.5至lOytiB, 上層之厚度是0.1至30必la,特別是0.5至5// ra。 本發明將依據實施例及_式作詳述。 圏式簡單説明如下： 第1圖 依據本發明之方法所製成之有機發光二棰體 之横切面（未依比例繪出）。 在第1圖之基體1上存在一種透明之已結構化之底部 電棰2。此基體（其可具有一種非平面之幾何形狀）例如 可由玻璃，金屬（例如，矽）或由聚合物（其形式類似於 箔）所構成；底部電極例如是一種IT0-電極（ΙΤ0 = Indiui Tin Oxide)。接下來之各層是下部光阻層3,上 部光阻層4 (其須被交鐽）以及有機之作用層5。在有機 作用層5上則為已結構化之頂部電槿6(金屬電棰）。 0LED-顯示器之製造 此種顯示器之製造是以下述步驟來進行： 1.整面以氣化銦錫（ΙΤ0)來塗佈之玻璃板藉助於徹影 術而隨後以濕化學蝕刻法來進行結構化，以便産生一些 寬度大約是2(J0// B之平行導電軌以及大約50# η之導電 軌間之中介空間。導電軌大約是2cs長且在其外倒端部 -1 1- 本紙張尺度適用ΐ國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） - ----------裝--—II---訂----------線 Γ請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 日疏明(、。） 可能含有一呰添加物以作為接觸用β在結構化時所用之 光阻須完全去除》 2. 玻璃板在溫度為25ETC時加熱大約1小時，然後對 以聚戊二醯（Polyglutarimid)為基劑（Basis)之商用光 阻進行離心分離（在700U/ »in時施加1〇秒鐘，在3G0U/ in i η時離心分離3 0秒鐘）。 所獲得之層在15ITC時乾燥15分鐘，然後在通風之爐 中在250 °C畤乾燥30分鐘。隨後以lOOOnJ/cm2之劑置 在2 48nB波長時進行一種大量之光束照射（多色的h然 後在 20011/ Bin時對以 Novolafc/Diazochinon(10 : 1之以 U-甲氣基-2-丙基）-乙酸鹽（l-Methoxyl-piOpyl)-acetat)稀釋者）為基剤之商用光阻進行離心稀釋約20秒 之久。此二層在l〇(TC時乾燥6卩秒，然後以劑量62mJ/cB 而在365η*之波長中藉由微影遮罩來進行光束照射（多色 的然後以一種含有四甲基氳氧化銨 (TetraBethylaBmoniunhydroxyd)之商用顯影劑來進行 顯影20秒》玻璃板随後送入一已預熱至lOd之通風** 中且在230。<：時退火45分鐘；於是使上層之光阻層交鋪° 然後以上述之顯影劑再進行顯影二次每次各70 産生大約5#·之上層突起，上層之厚度大約是2·6#η; 此二層加起來之厚度大約是4.3# β。然後藉由氧氣電黎 (RF功率：70tf,氣流：30sccb>約進行90秒而使其餘之 光阻由ΙΤ0 -表面去除。 3. 在壓力為10s tubar時藉由傳統之熱蒸發而施加一® -1 2_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •我--------訂-------^---線 經濟部智慧財產局貝工消費合作杜印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 411726 A7 _B7__ 五、發明說明（|·) 由H,H’-雙- (3-甲苯基）-N,N’-雙-（苯基）-聯苯胺（bi-TPD) 所構成之層（層厚度：135nm,蒸發速率：0.2nia/S)。然 後在不改變鼷力（即，真空-承受器不通風）之情況下藉 由熱蒸發而施加一種由羥基if啉-鋁- III -鹽（AU)所構 成之餍，其厚度是65ηιη(蒸發速率：0.2nia/s)。 4.在不使用遮罩之情況下藉由熱蒸發而在顯示器之活 袢而上沈積一層ΙΟΟη®厚之镁（沈稹速率：lnn/s,壓力： l(T5i*bar)。在不中斷真空狀態之情況下同樣藉由熱蒸 發而在頴示器之活性面上沈積一層厚度是ΙΟΟηπ(之銀（沈 穑速率 lnm/s,壓力：10_5 mbar)。 吐#時L H-导.的.日光照射下明亮 的自然光線一樣：所發射之彩色是緣黃色的。 ㈣丄_2_ 0LED-顯不器之製造 在玻璃板（其具有一種依據範例1而製成之層結構）上 對以氣為主之電致發光聚合物之1%溶液在混合二甲苯 中進行離心分離(4000U . / m i η , 3 0秒）。然後在8 5 Ί〇時乾 燥60秒。隨後在不使用遮罩之情況下藉由熱蒸發而在顯 示器之主面上沈積一層厚度為ΙΟΟηπι之鈣（沈稹速率： lnm/s,贈力：1(TS mba「）。然後在不中斷真空狀態之情 況下同樣藉由熱蒸發而在顯示器之活性面上沈積一層厚 度是100nm之銀（'沈積速率lnra/s, ®力：1 (Γ5 is b a r )。 @顯示器發光時是明It 聃.明麂 的自然線一直丄之i是綠黃色ί的〇 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先爾讀背面之注意事項再填寫本頁) I I I---- 訂--------f I i _ «1726 a7 _B7 五、發明說明（^ ) 符號之說明 1 ......基體 2 ......底部電棰 3 ......下層之光阻層 4 ......上層之光阻層 5 ......有機作用層 6 ......頂部電棰 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中园國家標準（CNS)A4規格（2]〇χ 297公釐）
Claims (1)
- A8 BS C8 D8 須請委員明示..本案修正後是否變更原實質内容 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 修正 六、申請專利範圍 第88105841號”結構化電極之製造方法”專利案（88年7月修正） 1. 一種結構化電搔之製造方法，待別是具有結構化電極 之有機電致發光組件，例如，具有结構化金屬電極之 顯示器之製法方法，其特擻為： -在基體上沈積至少二種層，其中第一層是電性絶緣 的且在沈積第二層時不會受到損害，在此二層之間 須保持一種確定之界限，第一層在液態顯影劑中所 具有之溶解速率較第二層者還大，第二層可被結構 化且可被交鏈， -對第二層進行結構化且此結構轉載至第一層中，然 後交鏈第二層，或首先對第二層進行結構化且使第 二層交鍵，然後此結構轉載至第一層中， 其中第二層所具有之結構寛度較第一層者還大，且 此二層之結構寬度間之差異在進行交鏈時仍須保持 箸， -在第二層上沈積電極。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中此二種層是沈稹 於一値存在於基體上之底部電極上，在第二層上首先 沈積至少一層有機作用層，然後在有機作用層上沈積頂 部電極。 3. 如申謓專利範圍第1或第2項之方法，其中第一層及 /或第二層是由可形成薄膜之有機材料所構成。 4. 如申謓專利範圍第3項之方法，其中第一層及/或第 二層是由光阻所構成。 5. 如申請專利範圍第3項之方法，其中第一層是由漆或 -1 5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱；背面‘之注意事項再填寫本頁) A8 BS C8 D8 須請委員明示..本案修正後是否變更原實質内容 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 修正 六、申請專利範圍 第88105841號”結構化電極之製造方法”專利案（88年7月修正） 1. 一種結構化電搔之製造方法，待別是具有結構化電極 之有機電致發光組件，例如，具有结構化金屬電極之 顯示器之製法方法，其特擻為： -在基體上沈積至少二種層，其中第一層是電性絶緣 的且在沈積第二層時不會受到損害，在此二層之間 須保持一種確定之界限，第一層在液態顯影劑中所 具有之溶解速率較第二層者還大，第二層可被結構 化且可被交鏈， -對第二層進行結構化且此結構轉載至第一層中，然 後交鏈第二層，或首先對第二層進行結構化且使第 二層交鍵，然後此結構轉載至第一層中， 其中第二層所具有之結構寛度較第一層者還大，且 此二層之結構寬度間之差異在進行交鏈時仍須保持 箸， -在第二層上沈積電極。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中此二種層是沈稹 於一値存在於基體上之底部電極上，在第二層上首先 沈積至少一層有機作用層，然後在有機作用層上沈積頂 部電極。 3. 如申謓專利範圍第1或第2項之方法，其中第一層及 /或第二層是由可形成薄膜之有機材料所構成。 4. 如申謓專利範圍第3項之方法，其中第一層及/或第 二層是由光阻所構成。 5. 如申請專利範圍第3項之方法，其中第一層是由漆或 -1 5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱；背面‘之注意事項再填寫本頁) 修正亨冒¥利範圍 411726 Α8 Β8 C8 D8 所二 阻第 光在 負層 或一 正第 由Jy 是時 層成 二構 第阻 ，光 成正 構由 所層 陆一 光第 e)若 IV中 it其 S ο » (P成 正構 或 漆 由 是 層 1 第 中 〇 其 射 -照法 束方 光之 之項 量 4 大第 以圍 須範 前利 之專 積請 沈申 層如 6 第 成 奪 所 阻 光 \/ Θ V 1 t i s ο ρ /V ΤΕ 所二 阻第 光在 負層 或.一 正第 是時 層成。 二構射 阻照 光束 正光 由之 層星 一 大 第以 若須 中前 其之 -積 成沈 構層 第 圍 範 利 專 請 申 如 1 ο P ( 胺 醯 二 戊 聚 以 由 是 層 一 唑 第噁 中並 其苯 ，聚 法或 方d) 之nil 項ri {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) β X ο Ζ η G νυ 第 圍 範 利 專 請 申 如 聚 以 由 是 。層 成一 構第 所中 阻 其 光 ， 正法 之方 劑之 基項 1 ο P /IV 胺0 二 戊 1 或 3 X ο Z η 6 b y 正 之 劑 基 為 唑成 噁構 並所 苯阻 聚光 以 由 是 層 二 第 中 其 法 方 之 項 4 第 圍 範 利 專 請 申 如 漆成iI漆成 圍 清構清構 醛所J®薛所 酚阻ρίι酚阻 k光清k光 la正Mla正 VO之 WVO之 NO_.$DNO劑 基 為 层 8^ 基 氮 Mali S 以 由 是 層酲 二基 第氪 bi 匡 其n( ο Ϊ 法hi 方oc 之az 項Di 基 為 -I 裂·--I ----訂---Γ f l· - .線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 醛構0 ^ ^ 0 ®(B5flBfg 範akH範 1 升 I 利 ο 希 #ον>11專 _以劑申 ΪΠ由基泊 如是為.^ 層 二 第 中 其 法 方 之 項 漆 〇 清成 昆 S 基 氮 i 3 以 } 由酸 是光 層e( 1 一Ur 第sa 中to 其ho P 法)/ 方劑 之鍵 項交 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐) 修正亨冒¥利範圍 411726 Α8 Β8 C8 D8 所二 阻第 光在 負層 或一 正第 由Jy 是時 層成 二構 第阻 ，光 成正 構由 所層 陆一 光第 e)若 IV中 it其 S ο » (P成 正構 或 漆 由 是 層 1 第 中 〇 其 射 -照法 束方 光之 之項 量 4 大第 以圍 須範 前利 之專 積請 沈申 層如 6 第 成 奪 所 阻 光 \/ Θ V 1 t i s ο ρ /V ΤΕ 所二 阻第 光在 負層 或.一 正第 是時 層成。 二構射 阻照 光束 正光 由之 層星 一 大 第以 若須 中前 其之 -積 成沈 構層 第 圍 範 利 專 請 申 如 1 ο P ( 胺 醯 二 戊 聚 以 由 是 層 一 唑 第噁 中並 其苯 ，聚 法或 方d) 之nil 項ri {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) β X ο Ζ η G νυ 第 圍 範 利 專 請 申 如 聚 以 由 是 。層 成一 構第 所中 阻 其 光 ， 正法 之方 劑之 基項 1 ο P /IV 胺0 二 戊 1 或 3 X ο Z η 6 b y 正 之 劑 基 為 唑成 噁構 並所 苯阻 聚光 以 由 是 層 二 第 中 其 法 方 之 項 4 第 圍 範 利 專 請 申 如 漆成iI漆成 圍 清構清構 醛所J®薛所 酚阻ρίι酚阻 k光清k光 la正Mla正 VO之 WVO之 NO_.$DNO劑 基 為 层 8^ 基 氮 Mali S 以 由 是 層酲 二基 第氪 bi 匡 其n( ο Ϊ 法hi 方oc 之az 項Di 基 為 -I 裂·--I ----訂---Γ f l· - .線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 醛構0 ^ ^ 0 ®(B5flBfg 範akH範 1 升 I 利 ο 希 #ον>11專 _以劑申 ΪΠ由基泊 如是為.^ 層 二 第 中 其 法 方 之 項 漆 〇 清成 昆 S 基 氮 i 3 以 } 由酸 是光 層e( 1 一Ur 第sa 中to 其ho P 法)/ 方劑 之鍵 項交 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐)411726 B8 C8 D8 申請專利範圍 成 構 所 阻 光 負 之 劑 基 為 法 方 之 項 5 第 圍 範 利 專 請 申 如 Γ 8 Z netg Γ 0 /V負-之 劑 基 為 k na ο V ο 劑 鍊 交 以 } 由酸 是光 層 e 一一aur 第 S 中to 其ho P 光 成 構 所 ο 如ov¥ .N 為 4 第 圍 範 利 專 諳 申 k a 阻 光 負 之 劑 基 Γ 6 tz所 e Π Γ 6 V 法)/ 方劑 之鍵 項交 第 中 其 由酸 是光 層e( - -Γ 一一 U a S ο t ο h p 成 構 第 圍 範 利 專 請 Ψ 如 法 方 之 項 鹼 由 是 層1 第 中 其 ο P /V 胺 亞 0 聚 敏 光 非 之 影 顯 可 性 成 構 所 d 1 B •1 y 法 方 之 項 4 第 圍 範 利 專 誧 申 如 Μ 由 是 層1 第 中 其 ---------I----農 ---- <請先彻讀背面之注意事項再填寫本頁) ο P -fl* 胺 亞 醯 聚 敏 先 非 之 影 顯 可 性 f 精 所 \/· d i 坩 *1 y 第 圍 範 利 專 請 申 法 方 之 項 0 由 是 層 一 第 中 其 ο P /V 胺 亞 Μ 聚 敏 光 非 之 影 顯 可 性 成 構 所 d i m 訂·----—-----嚷-. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 t- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）411726 B8 C8 D8 申請專利範圍 成 構 所 阻 光 負 之 劑 基 為 法 方 之 項 5 第 圍 範 利 專 請 申 如 Γ 8 Z netg Γ 0 /V負-之 劑 基 為 k na ο V ο 劑 鍊 交 以 } 由酸 是光 層 e 一一aur 第 S 中to 其ho P 光 成 構 所 ο 如ov¥ .N 為 4 第 圍 範 利 專 諳 申 k a 阻 光 負 之 劑 基 Γ 6 tz所 e Π Γ 6 V 法)/ 方劑 之鍵 項交 第 中 其 由酸 是光 層e( - -Γ 一一 U a S ο t ο h p 成 構 第 圍 範 利 專 請 Ψ 如 法 方 之 項 鹼 由 是 層1 第 中 其 ο P /V 胺 亞 0 聚 敏 光 非 之 影 顯 可 性 成 構 所 d 1 B •1 y 法 方 之 項 4 第 圍 範 利 專 誧 申 如 Μ 由 是 層1 第 中 其 ---------I----農 ---- <請先彻讀背面之注意事項再填寫本頁) ο P -fl* 胺 亞 醯 聚 敏 先 非 之 影 顯 可 性 f 精 所 \/· d i 坩 *1 y 第 圍 範 利 專 請 申 法 方 之 項 0 由 是 層 一 第 中 其 ο P /V 胺 亞 Μ 聚 敏 光 非 之 影 顯 可 性 成 構 所 d i m 訂·----—-----嚷-. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 t- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19827224 | 1998-06-18 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW411726B true TW411726B (en) | 2000-11-11 |
Family
ID=7871319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW088105841A TW411726B (en) | 1998-06-18 | 1999-04-13 | Manufacture of structurized electrodes |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US20010017516A1 (zh) |
| EP (1) | EP1095413B1 (zh) |
| JP (1) | JP2002518813A (zh) |
| KR (1) | KR100631249B1 (zh) |
| CN (1) | CN100385704C (zh) |
| CA (1) | CA2335317A1 (zh) |
| DE (1) | DE59915061D1 (zh) |
| TW (1) | TW411726B (zh) |
| WO (1) | WO1999066568A1 (zh) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307876A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-11-02 | Rohm Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置、その製造方法および有機ｅｌ表示装置の絶縁リブの形成方法 |
| US6699728B2 (en) * | 2000-09-06 | 2004-03-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Patterning of electrodes in oled devices |
| JP2002215065A (ja) * | 2000-11-02 | 2002-07-31 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| US7423375B2 (en) * | 2002-05-07 | 2008-09-09 | Osram Gmbh | Encapsulation for electroluminescent devices |
| US7148624B2 (en) * | 2002-05-07 | 2006-12-12 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd | Uniform deposition of organic layer |
| US7221093B2 (en) | 2002-06-10 | 2007-05-22 | Institute Of Materials Research And Engineering | Patterning of electrodes in OLED devices |
| US7026660B2 (en) * | 2003-04-25 | 2006-04-11 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd | Interconnection for organic devices |
| US7132788B2 (en) * | 2003-09-09 | 2006-11-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optimal bank shapes for inkjet printing |
| US20060009038A1 (en) * | 2004-07-12 | 2006-01-12 | International Business Machines Corporation | Processing for overcoming extreme topography |
| KR101292013B1 (ko) | 2005-02-16 | 2013-08-05 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | Ｏｌｅｄ 소자 |
| US7378781B2 (en) * | 2005-09-07 | 2008-05-27 | Nokia Corporation | Acoustic wave resonator with integrated temperature control for oscillator purposes |
| US7649220B2 (en) * | 2007-03-29 | 2010-01-19 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Photodetector having dark current correction |
| GB2458454B (en) * | 2008-03-14 | 2011-03-16 | Cambridge Display Tech Ltd | Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques |
| KR101001552B1 (ko) * | 2009-01-20 | 2010-12-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| DE102010029843A1 (de) * | 2010-04-30 | 2011-12-01 | Ledon Oled Lighting Gmbh & Co.Kg | Flächiger Leuchtkörper mit veränderbarer Leuchtdichte |
| CN106450019B (zh) | 2016-11-11 | 2018-04-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板及制备方法、显示装置 |
| US10608062B2 (en) | 2017-03-16 | 2020-03-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
| KR102430443B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2022-08-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (24)
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- 1999-06-07 EP EP99936420A patent/EP1095413B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-07 WO PCT/DE1999/001655 patent/WO1999066568A1/de active IP Right Grant
- 1999-06-07 CA CA002335317A patent/CA2335317A1/en not_active Abandoned
- 1999-06-07 JP JP2000555305A patent/JP2002518813A/ja active Pending
- 1999-06-07 CN CNB998074934A patent/CN100385704C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-07 DE DE59915061T patent/DE59915061D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-07 KR KR1020007014416A patent/KR100631249B1/ko not_active IP Right Cessation
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2000
- 2000-12-18 US US09/737,656 patent/US20010017516A1/en not_active Abandoned
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2004
- 2004-05-21 US US10/850,799 patent/US6885150B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002518813A (ja) | 2002-06-25 |
| US6885150B2 (en) | 2005-04-26 |
| CN1305641A (zh) | 2001-07-25 |
| KR20010053012A (ko) | 2001-06-25 |
| CA2335317A1 (en) | 1999-12-23 |
| CN100385704C (zh) | 2008-04-30 |
| WO1999066568A1 (de) | 1999-12-23 |
| US20010017516A1 (en) | 2001-08-30 |
| DE59915061D1 (de) | 2009-09-17 |
| EP1095413B1 (de) | 2009-08-05 |
| EP1095413A1 (de) | 2001-05-02 |
| KR100631249B1 (ko) | 2006-10-02 |
| US20040212298A1 (en) | 2004-10-28 |
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