KR20010053012A - 구조화된 전극의 제조 - Google Patents
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Abstract
디스플레이에서 금속전극을 구조화한 것처럼, 전극들을 구조화하여 제조하는, 특히 유기 전계발광 소자의 전극을 구조화하여 제조하는 새로운 방법은
- 기판에 2개 이상의 층이 도포되고, 그 제 1 의 층은 전기적으로 절연되어 있으며 그 제 2 의 층을 도포한 경우에는 손상받지 않으며 상기 양 층들 사이에 경계가 정해지고, 상기 제 1 의 층은 액상 현상제에서 상기 제 2 의 층보다 더 높은 용해도율을 가지며 상기 제 2 의 층이 구조화되고 교차 결합되며,
- 상기 제 2 의 층이 구조화되고 그 구조가 상기 제 1 의 층으로 전사되고 그 후 상기 제 2 의 층이 교차 결합되거나, 상기 제 2 의 층이 먼저 구조화되고 교차 결합되고 그 후 그 구조가 상기 제 1 의 층에 전사되고, 상기 제 2 의 층이 상기 제 1 의 층보다 더 큰 구조폭을 가지며 상기 양 층들의 구조폭에서의 차이는 상기 교차결합 시에 얻어지고,
- 상기 제 2 의 층에 전극이 증착되는 단계를 포함한다.
Description
두께가 1nm 내지 10 ㎛의 범위에 있는 박막층은 예를 들어 반도체 제조, 마이크로일렉트로닉스, 센서 분야 및 디스플레이 기술과 같은 다양한 응용 기술 분야에서 사용되고 있다. 이 때 소자의 제조를 위해 거의 언제나 상기 층의 구조화가 필요하며, 구조의 필요 크기는 서브-μ-범위로부터 기판표면 전체에까지 될 수 있으며 형상에 대한 다양성은 거의 무제한적으로 필요하다.
상기 구조화를 위해 많은 여러 분야에서 사용할 수 있는 리소그래피 공정이 이용될 수 있는 것이 일반적이다. 이 때 모든 방법에 공통적인 점은 구조화하려는 층들이 포토레지스트, 용제, 현상액 및 에칭 가스와 같은 어느 정도 어그레시브한 화학물질과 접촉하게 된다는 것이다. 그러나 몇 가지 응용 분야에서 그런 종류의 접촉이 구조화하려는 층들의 파손을 초래하거나 그렇지 않으면 적어도 손상을 초래할 수 있다. 이는 예를 들어 유기 발광다이오드에도 적용된다.
유기 발광다이오드(Organic Light Emitting Diodes, OLEDs), 즉 전계발광 다이오드가 특히 디스플레이에서 이용된다(참고, 예를 들어 US-PS 4 356 429 및 US-PS 5 247 190). OLED-디스플레이의 구성 및 제조는 전형적으로 다음과 같이 이루어진다.
예를 들어 유리 소재의 기판이 예를 들어 인듐-아연-산화막(ITO)으로 이루어진 투명전극(하부-전극, 애노드)으로 전면적으로 코팅된다. 픽셀-매트릭스-디스플레이의 제조를 위해 상기 투명한 하부-전극도 상기 상부-전극(캐소드)도 구조화되어야 한다. 이 때 상기 양 전극은 일반적으로 병렬 도체로 구조화되어 있으며, 하부-전극과 상부-전극의 상기 도체는 수직선 방향으로 배열되어 있다. 상기 하부-전극의 구조화는 당업자가 상세히 알고 있는 습식화학적 에칭 공정을 포함하는 포토리소그래피 공정으로 이루어진다. 상기 방법으로 얻을 수 있는 해상도는 상기 포토리소그래피 단계들과 상기 하부-전극의 성질을 통해 제한을 받는다. 이 때 종래 기술에 따라서 픽셀 크기뿐만 아니라 몇 마이크로미터 크기의 픽셀들 사이의 발광하지 않는 사이공간도 실현될 수 있다. 상기 하부-전극의 띠 형상 도체의 길이는 수 센티미터까지 될 수 있다. 이용되는 리소그래피마스크에 따라서 수 평방 센티미터 크기의 발광면 역시 만들어질 수 있다. 개별 발광면의 순서는 규칙적이거나(픽셀-매트릭스-디스플레이) 가변적이 될 수 있다(심볼 디스플레이).
투명한 하부-전극이 구조화되어 있는 기판에 하나 또는 그 이상의 유기 층들이 도포된다. 상기 유기 층들은 중합체, 소중합체, 저분자 화합물 또는 그의 혼합물로 이루어질 수 있다. 예를 들어 폴리아닐린, 폴리(p-페닐렌-비닐렌) 및 폴리(2-메톡시-5-(2'-에틸)-헥시록시-p-페닐렌-비닐렌)과 같은 중합체를 도포하기 위해, 일반적으로 액상 공정이 이용되고(스핀-코팅 또는 스퀴징(squegee)에 의해 용액을 도포하기), 저분자 화합물 또는 소중합체 화합물에 대해서는 기상 증착이 선호된다(기상 성장 또는 물리적 기상 성장). 저분자인, 바람직하기는 양전하 담체를 전달하는 화합물에 대한 예는 다음과 같다: N,N'-비스-(3-메틸페닐)-N,N'-비스-(페닐)-벤지딘 (m-TPD), 4,4'4"-Tris-(N-3-메틸페닐-N-페닐-아미노)-트리페닐아민 (m-MTDATA) 및 4,4',4"-트리스-(카바졸-9-일)-트리페닐아민 (TCTA). 에미터로서 예를 들어 히드록시퀴놀린-알루미늄-III-염(Alq)이 이용되며, 이것은 적합한 발색단으로 도핑될 수 있다(퀴나크리돈-유도체, 방향족 탄화수소 등). 상황에 따라서는 장시간 특성과 마찬가지로 전기광학 특성에 영향을 주는 부가의 층들이, 예를 들어 프탈로시아닌으로 이루어진 층들이 제공될 수 있다. 연속하는 층들의 전체 두께는 10 nm와 10 ㎛ 사이이며, 전형적으로는 50과 200nm 사이의 범위에 있다.
상기 상부-전극은 일반적으로 기상 증착을 통해 도포되는 금속으로 이루어지는 것이 일반적이다(열적 기상 성장, 스퍼터링 또는 전자빔 기상 성장). 바람직하기는 염기성이고 그 결과 특히 물과 산소에 대해 반응하는 금속이 리튬, 마그네슘, 알루미늄 및 칼슘 및 상기 금속들의 합금이며 또는 다른 금속과 함께 이용될 수 있다. 픽셀-매트릭스-장치의 제조에 필요한 금속전극의 구조화를 얻기 위해, 일반적으로 상기 금속이 섀도우 마스크를 통해 도포되고 상기 섀도우 마스크는 그에 상응하게 형성된 개구를 가지게 된다.
이렇게 제조된 OLED-디스플레이는 UV-필터, 편광 필터, 앤티-리플렉스-층, "마이크로-캐버티"로 알려져 있는 장치 및 색변환 및 색보정 필터처럼 상기 전기광학 특성에 영향을 주는 부가의 장치를 포함하고 있다. 그 외에도, 습기와 기계적 하중과 같은 환경 영향으로부터 유기 발광 디스플레이를 보호하기 위한 밀봉 포장("패키징")이 제공된다. 그 외에도, 박막 트랜지스터는 개별 화소("픽셀")의 제어를 위해 제공된다.
많은 정보 내용을 표시할 수 있는 고해상 디스플레이에 대해 도체의 형태인 금속전극의 정밀한 구조화가 필요하며, 다시 말해 상기 도체의 폭뿐만 아니라 사이공간 역시 ㎛-범위의 협소한 허용오차를 준수하며 구조화될 수 있어야 한다. 이 때 하나의 도체의 폭은 10㎛와 수백 마이크로미터 사이에 있는, 바람직하게는 100과 300㎛ 사이에 있다. 그 외에도, 필링 팩터(filling factor) (상기 디스플레이-장치의 전체 면적과의 관계에서 발광 활성 면적의 몫)를 높이기 위해, 상기 투명한 하부-전극의 도체들 사이의 사이공간처럼 상기 금속 도체들 사이의 사이공간은 단지 몇 마이크로미터가 되어야 한다. 이를 위해 종래의 구조화 기술이 이용되지는 않으며, 이는 현존의 유기 기능층, 즉 전계발광 재료들이 정밀 구조화에 필요한 화학물질에 대해 내구적이지 않기 때문이다.
소위 섀도우 마스크, 즉 원하는 구조에 상응하게 형성되는 개구를 가지는 얇은 시트나 디스크에 의해, CVD- 또는 PVD-방법에 따라 만들어질 수 있는 층들만이 구조화될 수 있다. 더 나아가서 - 마스크와 기판 사이에 간격이 유한하기 때문에 - 달성가능한 해상도 때문에 상대적으로 나쁜 값이 나오며, 그 외에도 - 상기 섀도우 마스크의 벤딩 작용 때문에 - 큰 면적은 제조기술상으로 실현될 수 없다.
본 발명은 구조화된 금속전극을 포함하는 디스플레이와 같은, 구조화된 전극을 포함한 특히 유기 전계발광 소자의 구조화된 전극의 제조 방법에 관한 것이다.
도면에는 -실축적은 아니다 - 본 발명의 방법에 따라 제조되는 유기 발광다이오드의 개략적인 횡단면이 도시되어 있다. 이 때 기판(1) 위에 투명한 구조화된 하부-전극(2)이 위치한다. 비평면의 지오메트리를 가질 수 있는 상기 기판은 예를 들어 유리, 금속, 규소처럼, 또는 (막 형태의) 중합체로 이루어진다; 상기 하부-전극은 예를 들어 ITO(Induim Tin Oxide)-전극이다. 그 다음의 층들은 하부의 포토레지스트 층(3), 교차 결합되어 있는 상부의 포토레지스트 층(4) 및 유기 기능 층(5)이다. 그 후, 상기 상부 기능층(5)에 구조화된 상부-전극(6)(금속 전극)이 위치한다.
본 발명의 목적은 전극에 대한 일반적으로 응용할 수 있는 구조화 기술을, 즉 지오메트리(구조 크기, 형상, 면적)와 제조(CVD- 및 PVD-방법, 용제 프로세스)와 관련하여 가능한 한 적은 제한을 받는 기술을 제공하는데 있다. 특히 유기 전계발광 소자에서 전극을 구조화하는, 더 정확하게 말해서 특히 금속의 상부-전극을 정밀 구조화하는 유용한 제조를 이용하며, 구조화하려는 전극들이 화학물질 때문에 손상을 받지 않는 방법을 제공하는데 있다.
이는 본 발명에 따라서 다음과 같이하여 달성된다:
- 기판에 2개 이상의 층이 도포되고, 그 제 1 의 층은 전기적으로 절연되어 있으며 그 제 2 의 층을 도포한 경우에는 손상 받지 않으며, 상기 양 층들 사이에 경계가 정해지고, 액상 현상제에서 상기 제 1 의 층의 용해도율은 상기 제 2 의 층보다 더 높으며 상기 제 2 의 층이 구조화되고 교차 결합되며,
- 상기 제 2 의 층이 구조화되고 그 구조가 상기 제 1 의 층으로 전사되고 그 후 상기 제 2 의 층이 교차 결합되거나, 상기 제 2 의 층이 먼저 구조화되고 교차 결합되고 그 후 그 구조가 상기 제 1 의 층에 전사되고, 상기 제 2 의 층이 상기 제 1 의 층보다 더 큰 구조 폭을 가지며 상기 양 층들의 구조 폭에서의 차이는 상기 교차결합 시에 발생하고,
- 상기 제 2 의 층에 전극이 증착된다.
상기 본 발명을 통해 특히 유기 전계발광 소자를 위한 구조화된 전극들의 무마스크(maskless) 제조를 위한 새로운 방법이 제공된다. 상기 방법을 통해 특히 유기 전계발광 디스플레이를 위한 구조화된 금속전극의 제조가 가능해진다. 상기 방법에 의해 큰 면적을 가지는 디스플레이에 적합한 구조들이 만들어질 수 있으며, 그 외에도 전계발광 중합체에 금속전극이 구조화될 수 있다. 본 발명에 따른 방법은 특히 독일 특허 출원 제 197 45 610.3 호("유기 전계발광 소자의 제조")에 상응하는 제조상으로 유용한 리소그래피 방법만으로 충분하지 않은 그런 적용예들에도 적합하다.
본 발명에 따른 방법에서 상기 2개의 층이 상기 기판에 위치하는 하부-전극에 도포되는 것이 바람직하다. 상기 제 2 의 층에 - 구조화, 구조 전사 및 교차결합 후 - 먼저, 하나 이상의 유기 기능층이 도포되고 그 다음에, 상기 유기 기능층에 상부-전극이 증착된다.
바람직하게는 전극에 대해 작은 일함수를 가지며 그 결과 전자주입 전극으로서 기능하는 상기 상부-전극이 특히 금속 또는 금속성 합금으로 이루어진다. 그러나 상기 전극은 층 구조를 가질 수도 있으며, 예를 들어 리튬 플루오르화물이나 알루미늄 산화물로 이루어지는 얇은 유전체 층(＜ 5 nm)에 금속층 또는 ITO-층이 (투명한) 전극으로서 배열되어 있다.
본 발명에 따른 방법에서 중요한 점은 구조화될 수 있는 상기 하부-전극에 도포되는 제 1 의 층이, 즉 아래에 있는 층이 상기 제 2 의 층(위에 있는 층)을 도포한 경우 손상되지 않으며 상기 양 층들 사이에 경계가 정해진다. 상기 제 1 의 및/또는 제 2 의 층이 막을 형성하는 유기 소재, 바람직하게는 포토레지스트로 이루어지는 것이 유리하다.
포토레지스트는 광에 반응하고 막을 형성하는 소재들이고, 상기 소재의 용해도는 노출을 통해 또는 방사를 통해 변하게 된다; 이 때 포지티브 포토레지스트와 네가티브 포토레지스트 사이에 차이가 있다. 본 예에서 상기 상부 층뿐만 아니라 하부 층도 포토레지스트로 이루어지고 양 포토레지스트가 동일한 파장 범위에서 반응하면, 상기 하부 층의 포토레지스트는 네가티브적으로 작용하는 시스템이 되어서는 안된다.
선호되는 실시예의 경우 본 발명에 따른 방법이 중요한 특징으로서 포함하는 포토리소그래피 공정의 경우에, 투명한 하부-전극에, 상황에 따라서는 그의 구조화 후에, 2개 이상의 층이 도포되고, 이들 중 제 1 의 층이 레지스트 또는 포지티브 포토레지스트로 이루어지고 상기 제 2 의 층은 포지티브 또는 네가티브 포토레지스트로 이루어진다; 포토레지스트로 이루어지는 제 1 의 층의 경우에 상기 층이 상기 제 2 의 층을 도포하기 전에 투광 노출된다. 그 후 상기 층들이 구조화되므로, 상기 유기 기능층과 (금속) 상부-전극이 그 위에 면적으로 도포되거나 증착될 수 있다. 상기 층들 또는 상부-전극의 구조화는 이 때 상기 하부-전극의 구조화에 대해 직각 방향으로 이루어진다. 상기 제 2 의 층에 상기 유기 기능층의 도포는 일반적으로 열적 기상 성장 공정을 통해서도 스핀온이나 스퀴징 및 그 다음의 건조 작업을 통한 용해를 통해서도 이루어질 수 있다.
포토리소그래피 공정의 경우에 다음과 같은 점이 중요하다. 상기 양 층들 중 제 1 의 층은 오버 코팅되어야 한다. 이는 상기 양 층들이 소위 인터믹싱없이 상하로 도포될 수 있는, 즉 이용된 포토레지스트가 다양한 용제로 용해될 수 있으므로, 상기 제 1 의 층의 포토레지스트가 상기 제 2 의 층의 포토레지스트를 위한 용제를 통해 침투되지 않음을 의미한다. 그 때문에 상기 제 1 의 층의 한정된 구조는 상기 제 2 의 층의 도포 시에 얻어지고 상기 양 층들 사이에 한정된 경계가 생기게 된다.
그 외에도, 포토리소그래피 공정을 위해, 상기 제 1 의 층이 상기 제 2 의 층보다 더 높은 현상율을 가져야 한다. 이는 - 노출 후에 - 상기 구조화를 위해 상기 레지스트 층을 현상액으로 처리해야 할 때 상기 제 1 의 층은 제 2 의 층보다 더 빠르게 용해되는 것을 의미한다. 상기 양 층이 특히 수용성-알칼리 현상액인 상기 현상제로 처리 또는 현상될 수 있다.
상기 하부 층을 위해 일반적으로 전기적으로 절연 작용하는 유기 또는 무기 재료가 이용된다. 적합한 무기 재료는 예를 들어 이산화규소, 질산화규소 및 산화알루미늄이다. 그러나 상기 하부 층은 예를 들어 알칼리로 현상될 수 있는 비-광반응 폴리이미드로도 이루어질 수 있다. 상기 하부의 층은 광반응하고 이 때 폴리글루타르이미드 또는 폴리벤조크사졸에 기초하여 포지티브 포토레지스트로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 상부 층은 유리하게는 포토레지스트이기도 하다. 유리하게는 상기 층이 노볼락/디아조퀴논-기초한 포지티브 포토레지스트(포지티브레지스트)로 이루어지거나 노볼락/교차결합제/포토액시드에 기초한 네가티브 포토레지스트(네가티브레지스트)로 이루어진다. 포지티브레지스트로서 폴리(메틸메타크릴레이트) (PMMA) 역시 이용될 수 있으며 네가티브레지스트로서 예를 들어 교차결합가능한 폴리(실페닐렌-실록산)이 이용될 수있다.
그러나 상기 상부 층을 간접적으로 구조화할 수도 있다. 이를 위해 층 소재로서 예를 들어 비결정 탄소(a-C) 또는 비결정의, 수소 함유의 탄소(a-C:H)가 이용된다. 그런 종류의 층들은 산소플라즈마에서 구조화되고, 에칭마스크는 규소함유의 포토레지스트층의 형태로 이용되고, 특히 소위 CARL(Chemical Amplication of Resist Lines)-레지스트 또는 TSI(Top Surface Imaging)-시스템이다.
앞서 언급한 종류의 공정의 수행을 위해 도면에 도시된 구조가 얻어지고, 상기 제 2 의 층은 상기 제 1 의 층보다 더 큰 구조폭을 갖는다("오버행 구조"). 유리하게는 막을 형성하는 유기 소재로 이루어지는 상기 제 2 의 층은 교차 결합되므로, 기계적인 안정성과 열에 대한 내구성이 향상된다. 상기 오버행 구조는 상기 교차결합을 통해 침해되지 않는다.
상기 교차결합 때문에 상기 제 2 의 층의 오버행은 안정화되므로, 더 큰 면적이, 특히 긴 에지가 실시될 수 있으며 상기 층이 용제 프로세스에 의해 만들어질 수 있다. 그런 경우 안정된 오버행은 그 다음에 도포된 층의 구조화를 야기하며, 이는 상기 오버행의 에지에서 CVD-프로세스 또는 PVD-프로세스를 통해서뿐만 아니라 액상으로도 도포되는 층이 벗겨지고 그 결과 여러 영역에서 분리되는, 즉 구조화될 수 있다. 이는 특히 유기 기능층, 즉 전계발광 층 및 전극이다.
이미 설명한 것처럼, 상기 상부 층은 상기 구조화 후에 상기 하부 층보다 더 큰 구조폭을 갖는다. 이 때 상기 구조폭("오버행")에서의 차이는 0.1과 50㎛ 사이에, 특히 1과 10㎛ 사이에 있다. 바람직하게는 상기 하부 층의 두께는 0.1 내지 30㎛, 특히 0.5 내지 10㎛이고, 상기 상부 층의 두께는 0.1 내지 30㎛, 특히 0.5 내지 5㎛이다.
실시예들과 도면에 의해 본 발명은 훨씬 더 상세하게 설명된다.
예 1
OLED-디스플레이의 제조
상기 디스플레이의 제조는 다음의 공정 단계에 따라서 이루어진다:
1. ITO로 전면적으로 코팅된 유리판은 포토리소그래피 공정 및 그 다음의 습식화학적 에칭에 의해 구조화되므로, 약 200㎛의 폭과 약 50㎛의 사이공간을 가지는 병렬 도체가 형성된다. 상기 도체는 각각 약 2cm의 길이를 가지며 그의 외측 단부에서 상황에 따라서는 접촉을 위한 부가물을 포함하게 된다. 상기 구조화 시에 이용되는 포토레지스트는 완전히 제거된다.
2. 상기 유리판은 약 250℃의 온도에서 약 1h 동안 가열되고, 그 후 상용 포토레지스트는 폴리글루타르이미드에 기초하여 스핀온 된다(700U/min에서 10s 동안 도포, 3000U/min에서 30s 동안 스핀오프). 그렇게 얻어진 층은 150℃에서 15min동안 그 후 250℃에서 30min 동안 강제 에어오븐(forced-air oven)에서 건조된다. 그 다음에, 투광 노출은 (다색적으로) 1000mJ/㎠의 양으로 248nm의 파장에서 이루어진다. 그 다음, 상용 포토레지스트는 20s 동안 2000U/min에서 노볼락/디아조퀴논 (10:1 (1-메톡시-2-프로필)- 아세테이트로 묽어짐)에 기초하여 스핀온된다. 상기 양 층들은 60s 동안 100℃에서 검조되고, 62mJ/㎠의 양으로 365nm의 파장에서 (다색적으로) 리소그래피 마스크를 통해 노출된다. 그런 경우, 테트라메틸암모늄히드록시드를 포함하는 상용 현상제로 20s 동안 현상이 이루어진다. 그 후 상기 유리판은 100℃에서 예열된 강제 에어오븐에 제공되고 45min 동안 230℃에서 템퍼링된다; 이 때 상기 상부 포토레지스트 층이 교차 결합된다. 그 후 전술한 현상제로 2번 각각 70s 동안 현상된다; 이 때 약 5㎛의 상기 상부 층의 오버행이 형성된다. 상기 하부 층의 두께는 약 2.6㎛이다; 양 층의 두께는 약 4.3㎛이다. 이어서, 산소 플라즈마(RF-전원: 70W, 가스흐름: 30sccm)에 의해 90s 동안 나머지 레지스트가 상기 ITO-표면으로부터 제거된다.
3. 10-5mbar의 압력에서 종래의 열적 기상 성장을 통해 N,N'-비스(3-메틸-페닐)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘 (m-TPD)로 이루어지는 층이 도포된다(층 두께: 135nm, 기상 성장율: 0.2nm/s). 압력 변화 없이, 즉 상기 진공-리시버의 환기 없이 열적 기상 성장을 통해 65nm의 두께를 가지는 히드록시퀴올린-알루미늄(III)-염(Alq)으로 이루어진 층이 도포된다(기상 성장율: 0.2 nm/s)
4. 마스크를 사용하지 않고 열적 기상 성장을 통해 마그네슘이 100nm의 층 두께에서 디스플레이의 액티브 면에 도포된다(증착율: 1nm/s, 압력: 10-5mbar). 상기 진공을 중단하지 않고, - 열적 기상 성장을 통해 - 은이 100nm의 층 두께로 액티브 디스플레이-면에 도포된다(증착율: 1nm/s, 압력: 10-5mbar).
상기 디스플레이는 일사의 밝은 대낮에도 분명하게 볼 수 있게 발광한다; 발광색은 초록빛이 도는 노란색이다.
예 2
OLED-디스플레이의 제조
예 1에 상응하게 제조된 층 구조를 가지는 유리판에 전계발광 폴리머의 1% 용액이 플루오르에 기초하여 크실롤에서 스핀온된다(4000U/min, 30s). 이어서 60s 동안 85℃에서 건조된다. 그런 경우 마스크의 사용없이 열적 기상 성장을 통해 칼슘이 100nm의 층 두께에서 상기 디스플레이의 액티브 면에 도포된다(증착율: 1nm/s, 압력: 10-5mbar). 상기 진공을 중단하지 않고, - 마찬가지로 열적 기상 성장을 통해 - 은은 100nm의 층 두께에서 상기 액티브 디스플레이 면에 도포된다(증착율: 1nm/s, 압력: 10-5mbar)
상기 디스플레이는 일사의 밝은 대낮에도 분명하게 볼 수 있게 발광한다; 발광색은 초록빛이 도는 노란색이다.
Claims (9)
- 디스플레이에서 금속전극을 구조화한 것처럼, 전극들을 구조화하여 제조하는, 특히 유기 전계발광 소자의 전극을 구조화하여 제조하는 방법에 있어서,- 기판에 2개 이상의 층이 도포되고, 그 제 1 의 층은 전기적으로 절연되어 있으며 그 제 2 의 층을 도포한 경우에는 손상받지 않으며 상기 양 층들 사이에 경계가 정해지고, 상기 제 1 의 층은 액상 현상제에서 상기 제 2 의 층보다 더 높은 용해도율을 가지며 상기 제 2 의 층이 구조화되고 교차 결합되며,- 상기 제 2 의 층이 구조화되고 그 구조가 상기 제 1 의 층에 전사되고 그 후 상기 제 2 의 층이 교차 결합되거나, 상기 제 2 의 층이 먼저 구조화되고 교차 결합되며 그 후 그 구조가 상기 제 1 의 층에 전사되고, 상기 제 2 의 층이 상기 제 1 의 층보다 더 큰 구조폭을 가지며 상기 양 층들의 구조폭에서의 차이는 상기 교차결합 시에 얻어지고,- 상기 제 2 의 층에 전극이 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 2개의 층이 상기 기판에 위치하는 하부-전극에 도포되며, 상기 제 2 의 층에 먼저, 하나 이상의 유기 기능층이 도포되고 그 다음에, 상기 유기 기능층에 상부-전극이 증착되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1 의 층 및/또는 제 2 의 층이 막을 형성하는 유기 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 의 층 및/또는 제 2 의 층이 포토레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 제 1 의 층이 레지스트 또는 포지티브 포토레지스트로 이루어지고 상기제 2 의 층은 포지티브 또는 네가티브 포토레지스트로 이루어지며, 포토레지스트로 이루어지는 제 1 의 층의 경우에 이것은 상기 제2 의 층의 도포 전에 투광 노출되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 제 1 의 층이 폴리글루타르이미드 또는 폴리벤조크사졸에 기초한 포지티브 포토레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 의 층은 노볼락/디아조퀴논에 기초한 포지티브 포토레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 의 층이 노볼락/교차결합제/포토액시드에 기초한 네가티브 포토레지스트로 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 의 층은 알칼리적으로 현상 가능한 비포토반응성 폴리이미드로 이루어지 것을 특징으로 하는 방법.
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