TW410288B - Method of making a memory device fault tolerant using a variable domain redunancy replacement configuration - Google Patents

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4X0288 經濟部中央標隼局員工消費合作社印聚 A7 __________ B7 五、發明説明（1 ) 申諳者— 本申凊案係與美國專利申請案S/N 08/895,061有關，（代理 人衣號HQ9-97-006) ’名稱"記憶體裝置用的變動域冗餘替 換配置’此申請案與本案同時申請並且經讓授予同一受 讓人。 ijg之释._ 本發明一般係關於使用冗餘替換配置以使記憶器裝置可 谷錯又方法，更具體言之，係關於使用具有十億位元範園 之動態隨機接達記憶器（DRAM)中變動域冗餘替換配置。 發明之背景 由於互補金屬氧化物半導體（CM〇S)技術之發展，因此 I腦市場迅速對廣大之消費者開放。今日多媒體應用至少 需要8百萬位元（Mb)及甚至1 6百萬位元（Mb)之記憶器，其 增加電腦内記憶器系統之相對成本。在不久將來，3 2百萬 位元（Mb)及64百萬位元（Mb)之電腦將變為很普通，此即意 指未能將需要256百萬位元（Mb)及超過2 5 6百萬位元（Mb) 之DRAM。在此開發時期，十億位元範圍之dram業已在 開發中，此需要引進新技術以保證儘管在設計及製造此種 記憶器方面之複雜性增加，但產品仍有其可靠性。鑒於隨 之將會有巨大之陣列尺寸及微影方面之困難，因之増加晶 片良率較之以前更為重要。製程i程師經常試圖及最終可 消除光罩之缺陷或將此缺陷減至最小。留於晶片中無法避 免之故障一般係藉使用特別電路設計，更具體言之係藉使 用冗餘替換，而予以消除。 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )六4說格（210Χ297公釐）

--------裝-- (請先閑靖背面之注意事項再填寫本頁J 訂

410236 —-------- 五、發明説明（2 ) 本發明根據镇域觀念之—新穎配i本發明中所稱之域 並非由嚴格及定義週全之邊界所限制。某些域可能很大及 包括多個記憶器陣列；其他則可能很小 陣列之若干部分。但不計其大小如何，每—域中均肴= 几餘€路以替換其中之錯誤。藉由使域與域之間重疊，可 使用重域中^共同區域中之任何冗餘電路修復一指定記憶 器陣列中之故障，惟假定此故障係發現於由此二重疊之域 所維修之陣列中。顯然，如果故障之數目超過維修此陣列 尤域中可有又冗餘數目’此配置即失效及此記憶器無法修 復。然而’根據本發明，如果在第一域中之所有冗餘業已 用盡’在另一與此第一域重疊之域中存在之未經使用之冗 餘即可為修復留於第一域中未經維修之錯誤。 領域可使其配合任何大小及可安排成任何配置。領域可 彼此重疊或並排設置。重疊領域之一項優點為此種結構為 可使用二域中任一域之冗餘單元維修二域中共同區域中之 故障。此優點特別重要因為一域中之可用修復單元於一特 定時間可能完全用盡，此時一第二備用之重疊域因此可用 以協助第一域以完成遺留下之未完成之修復工作。 數個域可包含於一陣列中或者數個陣列亦可包含於一個 域中。根據此種方式，設計者遂可以更有效利用一設定之 域配置及選擇域之大小以獲致最.之可修復性設計。 傳之冗餘配置一般係使用固定域冗餘替換架構（FDRR) ’ 其中冗餘單元係用以替換一固定大小之域中之每一列及之 故障單元。 -5- 本紙張又度適用中國國家標牟（CNS ) A4規格（210X297公釐） —^------9^------訂·------}線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本S·〕 經濟部中央標孪局員工消費合作社印製 410288 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（3 ) FDRR架構中之各種不同配置業已行之多年，且效果良 好。一般用於低密度DRAM之一典型FDRR配置經示於圖 1 a中。圖中顯示多個用於替換固定大小域中之故障單元 之冗餘單位，此等冗餘單位附加於包括記憶器之每一子陣 列。每一冗餘單位（RU)包括多個冗餘單元（REs)，（例如， 圖中所例示之每一 R U有二個R E )，此等單元用以修復對 應子陣列中之現有之故障（以X標示）。此種設計稱作塊内 替換’且當子陣列之數目由於高密度記憶器而增加時，遂 有如後文所述使冗餘區域成本增大，此係因為每_子陣列 包括用於替換之一固定域及不同子陣列中之域係彼此互 斥。此種設計於每一子陣列中需要至少—個R U，或較佳 需要二個R U S。因此，鑒於R U之缺乏適應性’故其效率 甚差’當故障叢集於一特定之子陣列中時，此種特性使晶 片良率大幅減少=上述之設計說明於丁. Kirikata等人之文 覃之中，文章之名稱為，，具有300毫瓦有效電源之ϊ 4毫微 秒’ 4 Mb位元之DRAM"，此文章發表於I"2年之IEEE固態 電路學報第2 7卷第1222-1228頁。 另一稱作適應性冗餘替換配置之FDRR冗餘替換配置經 示於圖1 b中’其中一記憶器具有一單獨冗餘陣列作為— 大型固定r U域，俾可以選擇性替換記憶器中任何位置之 故障單元。在此配置中’ r U中之R E可修復記憶器中任何 子陣列中之故障（以X標示）。此種配置相較於前述之塊内 替換之優點為具有某—數目之R U之一區段（亦即冗餘陣歹,j ) 可以有利方式用以維修形成此記憶器之任何數之子陣列。 -6 本纸張尺度適國家標準("CNS )7^:( 2】0><297公釐) — --— --^------------訂------J 線 (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 410288 A7 B7 五、發明説明（4 ) 雖然此種配置需要相當大數量之額外控制電路以便能適.當 維修形成此記憶器之所有子陣列，但其對於先前之設計 言’可造成相當大之地區（亦稱作地產）節省。 有關上述配置之進一步之詳情及各種不同之折衷選擇可 見於T. Kirihata等人之文章"用於256 Mb位元DRAM之容錯 設計"，此文章刊行於1995年VLSI電路研討會之技術論文 文摘弟107-〗〇8頁；T.Sugibayashi等人之文章11具有多重分 割之陣列結構之3 0愛微秒，256Mb位元DRAM，，，此文章刊 行於I"3年1 1月之IEEE固態電路學報第2 8卷1092-1098 頁，H.L. Kalter等人之文章"具有i 〇亳微秒資料率及晶片 ECC”，此文章刊行於】99〇年i 〇月之IEEE固態電路學報第 25 卷 I I 18-1 128 頁。 簡T之’ 一固定域冗餘替換（FDIlR)配置由多個固定大 小t域組成，每一域可以單獨使用以代替包含於該域中之 敁障。擴張此觀念至晶片，遂可發現有數個域，每一域有 固疋大小及彼此互斥以修復晶片中所有故障。 FDRR架構可用於一塊内替換配置中’其中小面積之域 可藉由最少電路來修復故障。然而，此種配置無能力修復 叢集 < 故障a根據第二種F DRR配置，亦即適應性冗餘替 換架構，代表此種架構之大面積域提供對於叢集故障之良 好工修復性。但是额外之電路則會顯著增加，此為—重大 缺點。 週應性冗餘替換在修復有限數目故障方面極為有效，特 本纸張尺錢财 ——^------φ.裝------訂-------}線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 410238 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 幻係S此等故障影響位元線’（單獨之位元或多個位元）； 字線（單獨之字或多個字），及類似情形時為然，所有此等 故障均屬於硬故障，,之類。但是適應性冗餘替換遭受另 明顯缺點’即需要一相當大數目之r U (及相對應之電路） 2克服被。稱作"留置"之故障，在此種情況下，儲存成於 _ DRAM單元之電容器中之一位元隨時間衰退而成一弱單 凡，因此產生一故障。此缺點特別使人煩惱，因為留置故 障之數目遠超過硬故障故障之數目。 1再回頭參看記憶器中之硬故障，此種類型之缺點為有 叢本足趨向。因此，塊内替換方法由於其不良之適應性而 丄骨失效。硬故障之數目—般不會太多，故在大面積域 中可以較少< R U而得良好之修復。適應性冗餘替換為修 復硬故障之良好方法，硬故障可藉一單獨大面積域而得維 修。舉例而言，如果一域包含4叢集缺陷，遂可需要4 RUs 了以t彳又以替換此域中之缺陷。於每一小域中使用塊内替 換万法設計4 RUs可能需要太多之成本。即使此成本可以 接叉亦然，但是例如有叢集缺陷存在時，則缺陷之替換即

可能失效。總之，使用適應性冗餘方法增加域之面積對於 修復硬故障極為重要D 在另一方面，留置故障係以隨機方式發生於整個記憶器 中，此種故障之數目一般均很大」但是由於在整個晶片中 係隨機發生，此為—明顯之優點。對於隨機發生之故障而 言，塊内之替換產生之缺點較少，因為故障係以統計式分 佈於很多小面積之子陣列中。塊内替換較之適應性冗餘替 -8- 本纸乐尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公楚） (請先閑讀背面之注意事項再填寫本頁) ------------良------iT-----、'線----”--^---------- ^10286 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（6

換需要較少之冗餘電路以修復故障。顯然，如果於每一子 陣列中設計一 RU用以檢測隨機發生之留置故障，、且假定 於涊子陣列中至少有—故障存在，則此配置即非常適合檢 測留置故障。在另—方面’ @置故障很難用適應性冗餘替 換方法修復，此係由於此種故障數目很大，經常使記憶器 衣置t之修復電路不勝負荷。使用適應性冗餘替換修復太 多心故障並無益處，因為適應性方法以現有之 復此等故障需要甚至更多之成本。 C 鑒於上述，理想之冗餘配置之一主要目的為在不引進由 ~複雜之冗餘面積成本所造成之繁重負荷情沉下，修復硬 故障及留置故障。在一般之情況下，此冗餘面積成本分成 几餘單元成本及一冗餘控制電路成本，二者均應使之減 至最小以達成良好之修復性及維持記憶器之最佳性能。 包括有上述若干種類之冗餘替換配置之相關之冗餘替換 配置係說明以下之參考文獻中： 年2月i 3日頒予pheian之美國專利第5,491,664號， 此專利說明根據一分割之陣列架構設計對於一適應性冗餘 記憶器塊單元之實施。此配置備有記憶器及冗餘記憶器 塊’此二者耦合至一讀取匯流排以使在一記憶器子陣列中 之冗餘記憶器由一第二子陣列共用。 1995年1 2月1 2日頒予Fujiwae之美國專利第5,475,648 號’此專利說明備有一冗餘配置之一記憶器，俾當一適當 之位址信號與一有缺陷之記憶器單元之位址相一致時，由 冗餘配置所提供之一備份之記憶器單元即被啟動以替換失 9- 本紙張尺度通用中國國家標芈（CNS ) A4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 410288 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五'發明説明（7 ) 效之記憶器單元。 1995年10月24日頒予Seung-Cheol Oh之美國專利第 5,461，587號，係連同二其他備份列解碼器而使用一列冗餘 電路’根據此專利由於明智方式使用溶絲盒，因此由一列 冗餘控制電路產生之信號使其能以備份之列替換失效之 列。 1995年10月17曰頒予Rieger等人之美國專利第5>459,690號 說明一備有一冗餘配置之記憶器，此配置在備有用於維修 有缺陷之記憶器單元之正常之字線時，可以冗餘之單元替 換故障之記憶器單元。 1S>95年7月4曰頒予Hiltebeitel等人之美國專利第 5,430,679號說明用於程式規劃解碼器以供冗餘目的之一溶 絲下載系統。此溶絲組可以動態方式指定予冗餘解碼器， 如此可有記憶器中故障列/行之多維指定。 I"4年3月I 5曰頒予Stephens, Jr.等人之美國專利第 5,295,10]號說明一一階層几餘指定用以適當之冗餘單元替 換故障子陣列。 雖然於上文中係以DRAM說明先前技術及予以討論，但 應用本行技術人士當可充分瞭解上述之配置及（或）架構可 同樣應用於例如為 SRAM，ROM ’ EPROM，Flash，ram , CAM等之其他型式之記憶器。 發明之目的 因此，本發明之一目的為提供一種製造具任何大小之可 容錯之記憶器的方法。 -10- 本纸伕尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公;t ) (請先W請背面之注意事項再填窝本頁) ------μ—j-i------------ιιτ-----}線，-- 410288 A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 本發明之另一目的為使用一種可變域冗餘替換配置 (VDRR)，以其使用至少二可變域以選擇方式替換失效單 元，其中此等域中若干部分係彼此重疊。 本發明之另一目的為使用冗餘單元以至少二可變域修復 故障’其中此等域中若干部分係彼此重疊。 本發明之另一目的為改善晶片之良率，其方式為藉動態 方式修復包含任何硬故障及留置故障之组合之不同尺寸記 憶器及選擇最有效之修復域以消除記憶器裝置中之故障。 本發明之另一目的為同時消除記憶器中之硬故障及留置 故障，且不會因修復—故障而犧牲另一故障。

本發明之另一目的為使用變動域冗餘替換（VDrR)配置 以取代傳統互斥固定域冗餘替換（FDRR)配置D 本發明之一更特別目的為使用VDRR配置以將R U及相關 電路需求減至最少。 本發明之另一目的為確使在無需耗費額外電源及減少記 憶器速度之情況下，完成對於記憶器中之硬故障及留置故 障修復。 發明之概诚 本發明之一主要特點為使用有如本文所說明之變動域冗 餘替換（VDRR)之新穎及改良之冗餘配置之方法。以其自 至少二變動域中使用一更經濟有敦之替換域’且在此等域 中有若干部分係彼此重疊。本案之發明人相信VDRR可消 除使用互斥固定域以為修復用途之更為傳之固定域冗餘替 換（FDRR)配置之缺點。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2ί〇Χ297公釐） ：--^5------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-* '線 410286 經濟部_夬標荜局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9 ) 、根據本發明〈一具體實例，一種製造容錯記憶體裝置之 2法I括以下步驟·分割記憶體成多個主記憶體陣列丨界 疋具有與另一域共用若干部分之域以形成—重疊之域，及 ί其t至少有—域與至少二主要陣列中若干部分重疊；將 冗餘單元分配予每一域以替換每一域中所包含之故障；指 引諸域中一域内之至少—故障使其被耦合至一域之冗餘單 元所办& ’其中—域中至少一另一故障被輪合至諸域中另 一域之冗餘單元所替換’但是需要此至少—另一故障係位 於重疊域之區域中。 ”根據本發明之另—具體實例中，—種製造容錯記憶體裝 置 < 方去包括以下步驟：界定多個域；將此記憶體裝置組 '.哉成主记憶體陣列’此等陣列具有至少一域延伸經過主記 憶體陣列t至少-陣列，其中每一域中至少若干部分係與 另域共用以形成一重疊域之區域；耦合冗餘單元至每一 域以替換每一域中所包含之故障；控制諸域中—域内至少 故障使其被耦合至此域之冗餘單元所替換；以耦合至諸 域中另一域之冗餘單元替換該一域之—另一故障，惟需此 至少一另一故障係位於此重疊域之區域内。 根據本發明之第三具體實例，一種製造容錯記憶體裝置 (万法包括以下步騾：分割記憶體裝置成主記憶體陣列； 界疋諸域’其具有諸域中每一域與另—域共用之至少若干 部以形成一重疊域之區域，並且諸域中至少一域與至少二 主陣列义若干部分重疊；將修復單元輕合至每一域以修復 包含於每—域中之故障；以耦合至該域之修復單元修復諸 -12 - 本紙張尺度適用中國國家樣準（CIS's ) Α4規格（mxM7公楚） ：--p-----_钟衣—— (#先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,-ιτ- * 經濟部中央標準局員Η消費合作社印製 A7 ___—— —___ B7__ 五、發明説明（1Q ) 域中之一域内之至少一故障；以耦合至諸域中另一域之修 復單元修復該一域中至少—另一故障，惟需要此至少一另 一故障係位於重疊域之區域中^ 根據本發明之第四具體實例，一種製造容錯記憶體裝置 之方法包括以下步驟：界定多個域；分割記憶體裝置成主 記憶體陣列’此等陣列中之一域延伸通過至少—主記憶器 陣列，每一域中與另一域共用之至少若干部分係形成一重 疊域之區域；將修復單元耦合至每一域以修復每一域中所 包含之故味，控制諸域中—域内之至少一故障’使其以輕 合至該域之修復單元予以修復；以耦合至諸域中另—域之 修復單兀修復該一域中至少一另一故障’惟需要此至少一 另一故障係位於重疊域之區域中。 圖式之簡要說明 本發明之上述目的，特點及優點及獲致彼等之方式，將 可變為更明白易解，而本發明之本身將參考對本發明之具 體實例之詳細說明連同附圖而進一步說明c 圖1(a)顯示備有先前技術之内替換設計之一記憶 盔尤不意圖，另外亦顯示在此記憶體中如何以R E替換每 對應區&中之故障列，來更正記憶體中不同區段之故障 列0 圖1(b)顯示備有先前技術之應性冗餘替換設計之 一記憶器之示意圓，其中叢集於記憶體一端之R E陣列經 用以選擇性替換位於此記憶器中之任何處之故障列。

圖2a-2b顯示於一域中分別相對於故障及域之總之至少X -13- >纸張尺巧用中_家標準（CNS ) 一^( — ------φ-裝-----_丨訂-------}線 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _ 410288 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（11 ) 故障之累計故障機率Σ P。 圖2c-2e例7F根據本發明之—較佳具體實例中分別由域 A，B，C維修之一記憶器陣列之示意圖。 圖3為根據本發明之較佳具體實例中於圖2c_2e中所示彼 此重登之3個域a，β及c 〇 圖4(a)為一示意圖，顯示VDRR配置如何應用於一 256Mb 位元DRAM。 圖4(b)顯示於一 FDRR*每一百萬位元域中有4 RUs塊内 替換又模擬修復性，繼之為於一 FDRR中每—4Mb域中有 16 RUs之塊内替換；於一 FDRR中每—64Mb位元域中有64 RUs之適應性替換；及於一具有變動域之VC)RR中，（A)每 一 Mb 域 I RU，（B)每一4Mb 域 4 RU，及（C)每一16Mb 域 32 RUs。 圖5(a)顯示根據本發明適用於vdrr配置之一控制電路。 圖5(b)為適用於示於5(昀之VDRR配置之一時序圖。 圖6(a)為根據本發明之一冗餘單元控制電路之—示意方 媿圖。 圆6(b)為適用於圓6(a)之方塊圖之時序圖。 圖7(a)例示一傳統位址熔絲鎖存配置FLat及一主熔絲鎖 存配置’此等配置由圖5(a)&6(a)控制用以替換記憶器中 之故障單元。 圖7(b)為適用於圖7(a)配置之時序圖。 較佳具體實例之詳細說明 變動域冗餘替換（VDRR)為減少冗餘成本額外冗餘之一種 -14 - 本紙浪尺度適用中國囤家標準（CMS ) Α4規格（210X297公釐） 乂------φ-裝------丨訂.------}線 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 410236 at 87 五、發明説明（12 ) 統計手段’且同時保持良好之可修復性。當η故障以隨機 方式分佈於整個m域時，求出一特定域中X故障之機率ρ 係由下式Bernoulli's分佈決定： P=nCx . (l/m)x ·(卜丄)- (1) Π1 圖2a-2b顯示於一特定域中對於η及X而言累計之故障機率 ΣΡ，式中m值分別為m=16及m=4。 圖2c_2e分別就圖2c中之域A(m=l6)，圖2d中之域 B(m=4) ’圖2e中域C(m=：l)所例示之物理配置。當有6 4故障 隨機分於1 6域中，於域A(m= 16)中零故障之機率很小可以 忽略不計（2%) »每一（A)域具有可能至少一故障。於一較 爻域中小於8故障之機率，例如，（Bxm=4)同樣亦十分小 (1 % 。根據本案發明人之推測藉將變動域（A)及（B)組合可 有效將6 4故障中之3 2故障予以修復，此二域分別具有1及 4冗餘單元（RE)。其餘之6 4故障中之3 2故障則使用域 (C)(n^丨）中之全部適應性冗餘替換而予以修復。因此，吾 人可於較大之域中產生若干域，而此等較大之域可為更大 之域之域之一邵分，用以提供每一較小域中所缺少之冗餘 單位及（或）單元。VDRR方法除去有修復隨機分佈之故障 尤優點 < 外，尚可以有利方式修復留置故障以及硬故障， 另外較之固定域冗餘替換（FDRR)而言，可使用較少之冗 餘成本達成此等結果。有如前在發明之背景中所討論者， 留置故障一般隨機分佈於子陣列中並且可以一小域（a)予 以修復。在另一方面，硬故障傾向於叢集於一特定子陣列 中，；.、而硬故障為數不多及可由例如域（匸）之一較大之 -15- 本錄尺度賴巾 .“· 裝------訂-----.丨：線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 410288 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、發明説明（13 ) 域予以最佳處理。變動域（A)，（B) ’及（c)為重疊域；此種 重疊可視故障之型式及大小而選擇最佳可能之修復域。 圖2c-2e例示之三變動域（a)，（B) ’及（〇係以彼此分開方 式示出，以便可以較佳方式於Bernoulli’s公式所界定之一 特定域中找出一故障之累計故障機率。但是於實施時所有 三域如圖3所示係彼此重疊。當故障為二域共有時，重叠 之情況可使用一域中之冗餘電路以其修復另一域中之一故 障。 現參看圖4〇)，圖中顯示具有一VDRR配置之一 256百萬 位元DRAM架構。此256百萬位元DRAM晶片1 0包括1 6個 1 6Mb主陣列15。每一單位1 5包括一陣列塊1 9，一 256Kb冗 餘塊22，及一冗餘控制電路RUCNT 24，此將於後文中說 明。16Mb主陣列19具有8,9 12條（每一 1Mb塊有16X5 12條） 字線（WL)及包括1 6個1 Mb塊（子陣列），每一塊有一百萬單 元。圖4(a)之左方顯示有跨過16Mb主陣列1 9之3域A， B，C。由參數字1 8代表之最小域（A)係由一 1 Mb子陣列組 成。由參考數字21代表之在大小上較前者為大之域（B)係 由一4Mb子陣列組成，其於圖中係將（A)完全包括於其邊 界中。最後由參考數字2 3代表之域（C)係跨過整個16Mb主 陣列1 9及涵蓋域（A) 1 8及（B)2 1二者。 圖4(a)之右上方示出形成部分記憶器陣列之二記憶器單 元，其中每一記憶器單元包括一 N通道金屬氧化物半導體 (NMOS)裝置20及一電容器25。耦合至每一字線WL為 2,048裝置20之閘極。於】Mb塊（即512 WLsX 2,048記憶單元） -16- 本紙張尺度適用中國囤家標隼（CNS ) A4规格（210X 297公釐） ；--T.J-------ίφ裝------1^1-------1 旅 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}

41028S 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（14 ) 中存在有5 12 WLs，但當一特別1 Mb( 16中之一個）塊被啟動 時，僅有一W L被選出。（注意：於8,192 WLs中僅有一 W L 在16Mb陣列中為有效。儲存於電容器2 5中之電容性電荷 被傳送至相對應之位元線B L。一感測放大器2 8將位元線 B L上之電荷放大。此經放大之位元資訊（即資料）係由對 應之行位址（未示於圖中）選出，然後傳送至一資料輸出電 路（未示於圖中）。 可就每一〗6Mb主陣列1 9使用包括128冗餘字線（RWLs)之 一 256K冗餘塊，以取代於一 1 Mb塊中設計RWL。冗餘塊2 2 包括64 HUs。為例示起見，每一R U包括二RWL。與具有 1 6固定之1 Mb域之塊内替換或具有一單獨固定之16Mb域 之適應性冗餘替換不同之處，為此64 RUs係被指定於三變 動域（A) IMb 18，（B)4Mb 21，（C)16Mb 23。16 RUs(RU0-15) 中每一 RU係與一 1Mb域（A)(m=16)相關，另外之16 IUJs(RU16-3 1)係用於 4Mb 域（B)(m=4)中，剩餘之 32 RUs(RU32-63)係與整個16Mb替換域（C)(m=l)相關。此三域 (A)，（B)，（C)經設計為彼此重疊。此項重疊可視故障型式 而能選擇最有用及效率之域，因而增加存在於硬故障及留 置故障之單位故障之可修復性。 圖4(b)顯示對於在三舉例中隨機分佈之故障n之數目， 亦即對於一 1Mb域 4 RUs(4/lM)，每一 4M域 16 RUs(16/4M)， 一 16Mb域64 RUs(64/16M)，及對於((A)l/lm+(B)4/4M + (C)32/16M)之 組合之VDRR而言16Mb主陣列1 9之模擬良率。需注意每一 1 6Mb陣列之單元之總數，對於所有情況言為相同。使用 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨〇'〆297公釐） I------II (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

II yJ:線 A7 410288 五、發明説明（15 ) VDRR之可修復性之程度實質上等於使用適應性冗餘替換 设计（一個16Mb域中有64 RUs)可獲致之程度。 下列表I中顯不相對於塊内替換4/丨Μ及可有95。/。良率之故 障足可修復數與熔絲數目之比較，此項比較為測量额外冗 餘之一重要參數。4/1Μ ’ 16/4Μ及64/16Μ之冗餘组合係假 設對於1Μ，4Μ，16Μ分別可獨立控制之4，丨6，64冗餘單 位之存在。

表I 冗餘 4/1Μ 16/4Μ 64/16Μ VDRR 額外熔絲數 0 128 256 160 可修復之故障數 16 40 64 62 表1例示記憶器陣列之可修復性如何因域之大小而增 加；但需要更多溶絲。 根據V D RR配置，指定予小域中之若干R υ可予以有效使 用，因為故障存在每一域中之機率很高。用於此等r u之 較小之域可使所需燦絲數目減少。結果，vdrr可使修復 性之程度實$上等於使用適應性域冗餘替換設計（6心】6M) 所搜致者’而與此同時可少使用9 6橡絲。 如果若干故障可能為叢集情況，VDRR之優點即可進一 步增強。此係因為根據本發明，域（c)可有效修復叢集故 障，而隨機分佈之故障可使用域 <八）及（8)以更為有效方式 修復。 現再回頭看圖4〇)之舉例，藉啟用冗餘單位控制rucnt 電路24，所有在主16Mb陣列1 9中之8,192 WLs均使之失 -18- 本纸杀尺度適财關家縣（CNS) A4規格（21Qx297公着） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· -5 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A7 ^10288 B7 五、發明説明（16 ) 效。256Kb冗餘塊22中之128 RWLs(冗餘WL)中之一 RWU吏 之啟動。如前文所述包括NMOS裝置2 0，電容器2 5，感測 放大器2 8之冗餘组合操作，亦應用於包括裝置3 0，電容 器3 5 ;感測放大器3 8之組合。此控制電路之詳細操作情 形將隨後予以說明。 16Mb塊中之字線及冗餘塊22中之RWL係由各別之冗餘 單位控制電路2 4控制，此控制情形將參考圖5(a)而作更詳 細之解說。為能獲致較佳性能，此等電路可以最有利方式 完全置於冗餘塊2 2之下方（亦即置單位I 5之底部端）。 圖5(EI)顯示一變動域冗餘控制電路之一示意方塊圖。此 包含單位丨5中之控制電路包括字線解碼器（WLDEC);冗餘 字線解碼器（RWLDEC);冗餘單位控制電路（RUCNT)，此電 路以FOJCNTO-15代表，對於域（A)言，每一 RUCNT具有8位 址熔絲及一主熔絲，以RUCNT 16-3 1代表，對於域（B)言，每 一 RUCNT具有I 0位址熔絲及一主熔絲，如以 代表，對於域（C)言，每一 RUCNT具有1 2位址熔絲及一主 熔絲；字線驅動器（WLDRV);冗餘字線驅動器 (RWLDHV);及字線失效產生器（WLDISGEN)，以上全部如 圖示而以適當方式相互連接。為能例示本發明之VDRR配 置之操作，假定一WL(為16Mb主陣列1 9中之8,192 WLs中 之一）或一 RWL(為冗餘塊22中之：-)於16 Mb主陣列1 9中為 有效（見圖4 a)。實施本行技術者將會察知，於此16Mb單 位15中可有二個或多個WL變為有效，僅需對示於圖5a中 之電路略作修正即可。 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X 297公釐） ---l·------裝------訂------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標率局員工消f合作社印製 41028S A7 B7 五、發明説明（17 ) (1)備用模式’（2)正常作用模式’（3)變動冗餘作用模式 之詳細操作將於後文中說明。 圖5 b顯示用於線/節點上最有關之信號之時序圖，此等 信號之名稱以對應方式相同於圖5 a中所使用者，亦即： 位址ADD ’節點N，節點N R，控制線WLON，WL失效信號 bWDIS，RWLEs，WL，及 RWL。

(1) 當於備用模式時（亦即當晶片未被啟動時），不管 WLDEC輸出信號N，RWLDEC輸出信號NR，及RWCNT輸 出乜號RWLEs之狀態（亦即「無關」情況）為何，控制線信 號WLON均維持於使所有WLs及RWLs失效（所有均為「〇」位 準）之低位準（亦即為「0」位準）。當晶片被啟動時（亦即在 有效模式時），W L或RWL為有效（但非二者均有效）。當 W L被啟動時（亦即為1時），晶片進入所謂正常作用模 式。另一種代替方式為當RWL被啟動時（此種啟動使w L 失效）’晶片被稱作在變動冗餘作用模式D (2) 嗓於正常作用模式時’所有冗餘字線啟動信號rwlEs 維持於低位準，因而使字線失效產生器電路wldisgen之 輪1出h ΐ虎（b WLDIS)為兩位準（亦即為「；[」）。用於產生kwle k 7虎之t路2 4之詳細操作情形將於後文中說明。當16Mb 主陣列1 9 (圖4 (a)及5(a))被啟動時，1 3位元位址資訊被傳 送至WLDEC，因而啟動8,丨S>2節點—中之一節點n ;因此當信 號WLON轉換為鬲位準時，遂可將8,192 WLs中之一 w l啟 動。 (3) 當於變動冗餘作用模式時，啟動冗餘字線RWLs之操 -20- ——^------φτ裝-----^-I訂·------}'線 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) ( 210x^7^7 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 410288 A7 B7 五、發明説明（18 ) 作係由一兩路徑解碼控制：（a)經由RUCNT及（b)經由 RWLDEC。如前文所解釋者，包括二RWLs之R U係由分別 RUCNT控制°包含於R U中之每一 R E係由備用路徑（b)， > 控制。二解碼路徑係以並聯方式工作，RUCNT及 RWLDEC之結果之最後解碼係於RWLDRV中產生。對於本 發明在變動冗餘作用模式下之操作之詳細情形將於後文中 說明。 變動冗餘作用模式一般係由RUCNT檢測，RUCNT於一信 號抵達控制線WLON之前啟動分別之RWLE。（其檢測相位 即稱作冗餘匹配檢測相位）。此檢測迫使WLDISGEN之輸 出處之信號bWLDIS轉換至「0」，因而禁止16Mb主陣列中 之字線變為有效。在RUCNT冗餘匹配檢測相位期間，用 於在至少一 H U中之一 R E之一代替路徑係於RWLDEC中解 碼。在此同時，各別之RWLDEC以位址資訊而被啟動，因 而將對應之N R轉換至「1」。 如前文所討論者，假定每一域中有一 R U時，二W L s 同日寺可以二RWLs替換。1Mb域（A)包括512 WLs，其中二由 RUCNT0-15支援。每一 RUCNT0-15因此需要8位址熔絲及 —主熔絲以將每一 1 Mb域（A)中5 12 WLs中之二W L s解碼。 1 6 RUCNTO-15中僅有一個於當16 1 Mb域（A)中之對應之域 被選擇時方被啟動。位址9 -1 2決家16Mb單位中之1 6域（A) 中之一對應之域。控制4Mb域（B)之每一 RUCNT 16-3 1需要 1 0位址熔絲及一主熔絲以將每一 4Mb域（B)中2,048 WLs中 之2 WLs解碼。指定予同一 4Mb域（B)之16 RUCNT 16-3 1中4 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X 297公釐） _ 71 ίϋΐτ 裝[ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 410288 A7 B7 五、發明説明（19 ) 個RUCNT16-31當相對應之域（B)被選擇時而被同時啟動。 位址1 1-12決定I 6Mb單位中4個4Mb域（B)中之對應之域。控 制16Mb域（C)之每一 RUCNT32-63需要1 2位址熔絲及一主 熔絲以將8096 WLs中之2WLs解碼。RUCNT32-63始終無需 使用任何位址而被啟動，因為域（C)支援全部16Mb單位。除 了位址，熔絲數目及位址解碼以外，RUCNT0-63為相同電 路- 位址ADD0用以將相對應之R U中之2 RWLs中之一解碼。 此1 b解碼於RWLDEC中被啟動，不管是否為域（A)，（B)， 及（C)均如此。此路徑係單獨予以控制，其可屬於冗餘模 式，亦可屬於正常模式。啟動一RWL之最後決定係取決於 RWLDRV中NR及RWLE之解碼結果。上述二路徑包括：路 徑1，其中FUJCNT啟動R U，及路徑2，其中RWLDEC將每 一 R U二R W L s中之一予以解碼，如此可藉適當定址使一 RWL變為有作用（不會招致速度上之損失），此定址業經於 先前當WLON轉換至一高位準時被解碼。 經濟部中央嵘準局員工消費合作衽印製 -m In ml i - I - - - 士—-CI cf f請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 圖6 a及6 b分別顯示一方塊圖及一單獨R U控制電路 RUCNY之時序圖。此電路配^置有多個驅動一解碼器（Ρρ — AND閘）之熔絲鎖存FLAT。傳統固定域冗餘替換（FDRR)控 制電路與VDRR控制電路RUCNT間之唯一區別為每一域所 需之位址熔絲之數目。此外每一_ RUCNT亦需要一主熔絲 MFLAT。電路ruCNT僅當域被選擇時方被啟動，其係有如 前述，視此域之配置情況而被相對應之位址啟動。 主熔絲熔解以便能啟動一 RUCNT。只要主熔絲保持完 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 410286 at B7 五、發明説明（20 ) 整，MFLAT之輸出MF(圖6b)即可維持於「〇」位準。AND 閘之輸出RWLE因此保持在「〇」位準，不管位址為何。當 主炫絲熔解（MF設定為「1」）&RUCnT由相對應之位址Z 元啟動時’ RWLE係由FLAT輸出之组合，即FADD所控 制。當相對應之位址輸入A D D未能匹配經程式規劃之·溶絲 資訊時’ FADD轉換至「〇」。換言之，當相對應之add匹 配經程式規劃之熔絲資訊時，FADD即轉換至「丨」。僅 當所有熔絲經程式規劃之位址匹配ADD輸入時，μ F方溶 解，迫使RWLE轉換至「1」。 現參看圖7 a，圖中示出熔絲鎖存FLAT之示意圖，其中 FLAT經示為一位址熔絲比較器。由6 〇，6 5及6 8所形成之 一 CMOS鎖存器係有如圖7b所示，當晶片由於Fpup及 F P U N而成供電相位期間’由裝置8 〇及8 2設定。如果溶絲 8 3於供電期間未嫁：解，節點n〇，N 1 ’ M2分別設定為 「〇」，「丨」及「0」。另一種方式為如果熔絲83熔解’節 點NO，N丨，N2分別設定為「1」，「〇」，r丨」。節點N〇， N 1 ’ N2之特定狀態鎖存於CMOS鎖存電路60，65，68中。 CMOS傳輸閘7 〇及7 5中之一’視節點n 1及N 2之狀態而開 啟。ADD及ADD(電路69使之反相）分別耦合至CMOS傳輸 間7 0及7 5。只要熔絲保持完整（即位於「〇」位準），FLAT 47之輸出FADD即跟隨ADD。當攀絲溶解時，FADD跟隨 ADD。當ADD及熔絲二者為「〇」或r i」時’ faDD轉換至 「1」，因而產生一位址及溶絲匹配檢測。 電路FLAT(圖7a)中包括電路MFLAT(或主FLAT)，此電 -23- 本纸法尺度適用中國國家標準（CNS } A4規格（210X 297公釐） ^--^------φ-裝----·1 丨訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填耗本頁) 410286 勉濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（21 ) 路 與 相 關之時序曲線並列示出。如圓7 b所示。由6〇， 65及 68形 成 之CMOS鎖存器係於品片由於Fp>UP及FPUN而 成 供電 相 位 期 間而被設定。如果於供電期間，熔絲8 3未熔解， 則 Ν0 > N I及N 2 (亦稱作Μ I:)分別轉換為「〇」， 厂1 1 j 7 厂 〇 j ! 0 當MF為「〇」，RUCNT(圖6a)中之AND閘即 使 之失 效 〇 在 另一方面’如果熔絲8 3熔解，則於供電 時 N0， Ν! I - N2(亦稱作M F )分別轉換為「丨」，r 〇」，「】」 9 此時 即 啟 動 HUCNT 中之 AND閘（固 6a)。 本 文 中所說明之本發明可以很多不同之記憶器配 置 模式 設 計 〇 雖然已將本發明以較佳具體實例型式予以說 明 ，但 在 不 背 離本發明之精神及範圍之情況下，熟諳本發 明 之技 藝 人 士 人乃可想出其他之具體實例α本發明因此應 以 後文 中 之 中 請專利範圆予以銜量。 元 件 符 號說明 Ι0 256百萬位元（Mb) DRAM晶片 Ι5 16 Mb主陣列 Ι8 最小區域 19 16 Mb主陣列 20 N通道金屬氧化物半導體⑼M〇s)裝置 21 大小上較前者為大之域 22 256 Kb冗餘塊 23 域（C) 24 冗餘控制電路RUCNT 25 電容器 •24- --T------爭裝------丨訂------’J線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標率（CNS ) Μ規格（2 ΙΟ X 297公瘦）

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I 410286 五、發明説明（22 ) A7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 28 感測放大器 30 裝置 35 電容器 38 感測放大器 60、65、68 CMOS鎖存器 69 電路 70、75 CMOS傳輸閘 80、82 裝置 83 溶絲 -25- ——------^w.裝— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）

Claims (1)

1. ABCD 曹-Γ,ί r:.·* 經濟部中央槁争局員工消費合作社印製 410288 六、申請專利範圍 1. 一種使記憶器容錯之方法’包括下步驟： 將記憶器分割成多個主記憶器陣列； 界定多個域，至少其中一域具有至少一部分係與另一 域共用以形成一重疊域之區域’及其中諸域中至少一域 係與主陣列中至少二陣列之若干部分重疊； 將冗餘單元分配予每—域以替換包含於每一域中之故 障；及 以耦合至諸域中一域之冗餘單元替換此一域中之至少 一故障，及以耦合至諸域中另一域之冗餘單元替換此一 域中至少一另一故障，但需要此至少一另一故障係位於 此重疊域之區域中。 . 2. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中記憶器裝置係選 自由一DRAM，SRAM，ROM，EPROM，EEPROM，Flash HAM，及CAM所構成之記憶器分類中。 3. 根據申請專利範圍第1項之方法+ ’其中冗餘單元係由一 冗餘控制電路控制。 4-根據_請專利範圍第3項之方法，其中冗餘控制電路更 包括下述步驟： 提供包括一主；!：容絲之一主溶絲鎖存器，此主溶絲棋合 至一比較器；及 提供若干熔絲鎖存器’每一熔絲鎖存器具有多個熔絲 及比較器’此等溶絲鎖存器由位址線控制，其中溶絲鎖 存器分別耦合至閘控裝置，及此閘控裝置產生一信號以 其啟動一冗餘字線驅動器及—字線失效電路。 -26- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張纽賴巾 1 〇 X 297i¥T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 410286 A8 B3 C8 D8 六、申請專利範圍 5. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中控制裝置另外包 括以下步驟： 將至少一字線耦合至一字線驅動器，此字線驅動器由 一字線失效電路控制； 將至少一字線解碼器耦合至至少一字線驅動器，此耦 合由一位址線提供； 將至少一冗餘字線耦合至一冗餘字線驅動器； 藉提供一位址線將至少一冗餘字線驅動器耦合至至少 一冗餘字線解碼器，此至少一冗餘字線驅動器由諸冗餘 字線解碼器中之一予以控制；及 使用冗餘字線驅動器啟動至少一變動域冗餘控制電 路，另外動字線失效電路以使字線中之一相對應之字線 失效。 6. 根據申請專利範圍第5項之方法，更包括使用冗餘字線 驅動器分別控制多個冗餘字線及另以字線驅動器分別控 制多個字線之步驟。 7. 根據申請專利範園第5項之方法，更包括使用至少一冗 餘控制電路控制字線失效電路之步驟。 8. 根據申請專利範圍第5項之方法，其中至少一冗餘控制 電路為一 AND閘》 9. 一種製造容錯記憶器裝置之方考，包括下述步驟： 將記憶器裝置分割成多個主記憶器陣列，每一陣列有 多個記憶器單元； 界定變動域冗餘單位，每一單位有多個冗餘單元，其 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） {請先W讀背面之注意事項再填寫本頁)

   經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 列中至 其中每 疊域區 包含之 邊故障 UO 早元替 另一·舲 4:i〇38S g D8 六、申請專利範圍 中可變域冗餘單元中至少一單位耦合至每一主記憶器陣 列；及 分配控制裝置用以使每一主記憶器陣列中有缺陷之單 元以冗餘單位取代。 10. —種製造容錯記憶器之方法，包括以下步驟： 將記憶器分割成多個主記憶器陣列； 界定域，其中域中至少二域係包含於每一陣列中； 將冗餘單元搞合至每一域以替換包含於每一域中之故 障；及 以轉合至諸域中一域之冗餘單元替換該一域中諸故障 之至少一故障。 11. 1 霸蒙記憶器裝置之方法’包括以下步驟： 置組織成主記憶器陣列，此等主陣 少有一域延伸通過主記憶器陣列中至少一陣列， 一此等域之至少一部分與另一域共用以形成重 域； 將冗餘單元耦合至每一域用以替換每一域中所 故障；及 以耦合至諸域中一域之冗餘單元替換該一域中 之至少一故障，及以耦合至諸域中另一域之宂餘 換此一.域中至少一另一故障，择是需要此至少〜 障係位於此重疊域之區域中。 12. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟 將記憶器裝置分割成主記憶器陣列； 28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4ί^ ( 21〇><297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 8 8 8 8 ABCD ^10288 ^、申請專利範圍 界定域，以諸域中一第一域重疊諸域中之一第二域中 之一部分； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將冗餘單元耦合至每一域用以替換包含於每一域中之 故障；及 以耦合至諸域中一域之冗餘單元替換此一域中諸故障 中一故障，及以搞合至諸域中第二域之冗餘單元替換第 .一域中至少一另一故障，但是需要此至少一另一故障係 位於第一域與第二域共用之一部分中' 13. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟： 界定有變動尺寸之域，此等域中之一域之若干部分係 與此等域中之另一域共用，以形成一重疊域之區域； 將冗餘單元耦合至每一域以替換每一域中所包含之故 障；及 以耦合至諸域中一域之冗餘單先替換該一域中之至少 一故障，及以耦合至諸域中另一域之冗餘單元替換該一 域中至少一另一故障，但是需要此至少一另一故障係位 於重疊域之區域中。 14. 一種備有一變動域替換配置之容錯記檍器裝置，此記憶 器裝置包括： 經濟部中央榇牟局員工消費合作社印製 具有變動尺寸之非重疊域； 耦合至每一域之冗餘單元用以替換包含於每一域中之 故障；及 以耦I合至諸域中一域之冗餘單元替換該一域中至少一 故障。 -29 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X2?7公釐） ABCD 經濟部中央標-"員工消费合作社印袋 410288 々、申請專利範圍 15. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟： 將記憶器裝置分割成主記憶器陣列； 界定包含於主記憶器陣列中一陣列之域，其中每一域 中至少若干部分係與另一域共用以形成一重疊域之區 域，及其中諸域中至少一域與主陣列中至少二陣列之若 干部分重疊； 將冗餘單元韓合至每一域以替換包含於每一域中之故 障；及 以棘合至諸域中一域之冗餘單元替換該一域中至少一 故障，及以耦合至諸域中另一域之冗餘單元替換該一域 中至少一另一故障，但是需要此至少一另一故障係位於 該重疊域之區域中。 16. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟： 界定多個域； 將記憶器裝置分割成多個主記憶器陣列，此等主陣列 中至少有一域延伸通過主記憶器陣列中至少二陣列之若 干部分，至少一第二域全部包含於一主陣列中，其中第 —及第二域至少若干部分係彼此共用以形成一重疊域之 區域， 將冗餘單元耦合至每一域以替換包含於每一域中之故 障；及 以耦合至諸域中一域之冗餘單元替換該一域中至少一 故障，及以搞合至諸域中另一域之冗餘單元替換該一域 中至少另一故障，但是需要此另一故障係位於重疊域之 -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁)

   410288 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 區域中。 17. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟： 將記憶器裝置分割成主記憶器陣列； 界定有變動尺寸之域，此等域中至少有一域係完全包 含於另一域中以形成一重疊域之區域； 將冗餘單元耦合至每一域，用以替換包含於每一域中 之故障；及 以耦合至諸域中之一域之冗餘單元替換在該一域中至 少一故障，及以耦合至諸域中另一域之冗餘單元替換重 疊域中一另一故障。 18. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟： 將記憶器裝置分割成主記憶器陣列.； 界定域，以使每一域之至少若干部分與另一域共用.以 形成一重疊域之區域，及該等域中至少一域係重疊主陣 列中至少二陣列之若干部分； 將修復單元耦合至每一域以修復包含於每一域中之故 障；及 以耦合至諸域中一域之修復單元替換該一域中至少一 故障，及以耦合至諸域中另一域之修復單元替換該一域 中至少一另一故障，但是需要此至少一另一故障係位於· 重疊域區域中。 _ _ 19. 一種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟： 將記憶器裝置分割成主記憶器陣列； 界定多個域，其中至少二域係包含於每一陣列中； -31 - l 本纸張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4C格（210X297公釐） 11_|_------^裝------訂------〆 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 將修復單元耦合至每一域中以修復包含於每一域中之 故障；及 以耦合至諸域中一域之修復單元修復該一域中至少一 故障。 20. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟： 界定多個域； 將記憶器裝置分割成主記憶器陣列以使諸域中一域延 伸經過主記憶器陣列中至少一陣列，及每一域中至少若 干部分與另一域共用以形成一重疊域區域； 將修復單元耦合至每一域以修復包含於每一域中之故 障；及 以耦合至諸域中一域之修復單元修復該一域中至少一 故障，及以耦合至諸域中另一域之修復單元修復另一域 之至少一另一故障，但是需要此至少一另一故障係位於 重疊域區域中。 21. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步騾： 將記憶器裝置分割成主記憶器陣列； 界定域，其中諸域中一第一域重墨於諸域中一第二域 之一部分； 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將修復單元耦合至諸域中每一域以修復包含於每一域 中之故障；及 以耦合至諸域中一域之修復單元修復該一域中之至少 一故障，及以耦合至諸域中第二域之修復單元修復第一 域之至少一另一故障，但是需要此至少一另一故障係位 -32 - 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（2!0X 297公釐） ABCD U0288 六、申請專利範園 於第一域與第二域共用之一部分中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 22. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟： 界定有變動尺寸之域，使諸域中一域與諸域中另一域 共用至少若干部分以形成一重疊域之區域； 將修復單元耦合至每一域以修復包含於每一域中之故 障；及 以耦合至諸域中一域之修復單元修復該一域中至少一 故障，及以耦合至諸域中另一域之修復單元修復該一域 中至少一另一故障，但是需要此至少一另一故障係位於 重#域之區域中。 23. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟： 界定有變動尺寸之非重疊之域；. 將修復單元耦合至每一域以修復包含於每一域中之故 障；及 以耦合至諸域中一域之修復單元修復該一域中之至少 一故障。. 24. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟： 將記憶器裝置分割成主記憶器陣列； 界定包含於主記憶器陣列中一陣列中之域，每一域與 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 另一域共用至少若干部分以形成一重疊域之區域，及諸 域中至少一域重疊於主陣列中專少二陣列之若干部分； 將修復單元耦合至每一域以修復包含於每一域中之故 障；及 以耦合至諸域中一域之修復單元修復該一域中至少一 -33 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X；297公釐） 410288 鉍 C8 D8 六、申請專利範圍 故障，及以耦合至諸域中另一域之修復單元修復該一域 中之至少一另一故障，但是需要此至少一另一故障係位 於重疊域之區域中。 25. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟： 界定多個域； 將記憶器裝置分割成主記憶器陣列，此主記憶器陣列 具有諸域中第一域延伸通過主記憶器陣列中至少二陣列 之若干部分，諸域中至少一第二域係冗全包含於主陣列 之一陣列中，及第一及第二域之至少若干部分係彼此共 用以形成一重疊域之區域； 將修復單元耦合至每一域以修復包含於每一域中之故 障；及 以耦合至諸域中一域之修復單元修復該一域中之至少 一故障，及以摘合至諸域中另一域之修復單元修復該一 域中至少一另一故障，但是需要此至少一另一故障係位 於重疊域之區域中。 26. —種製造容錯記憶器裝置之方法，包括以下步驟： 將記憶器裝置分割成主記憶器陣列； 經濟部中央標41局员工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本瓦) 界定有變動大小之域，諸域中至少一域完全包含於另 一域中，以形成一重疊域之區域； 將修復單元耦合至每一域用0修復包含於每一域中之 故障；及 以耦合至諸域中一域之修復單元修復此一域中至少一 故障，及以耦合至諸域中另一域之修復單元修復重疊域 -34- 本纸&尺度適3中國國家標準：CNS ) A4現格（_ 210X297公釐） 68 ο ί 4» ABCD 申請專利範圍 中至少一另一故障 經滴部中央標华苟員工消費合作社印製 -35- (請先閱讀背面之注意事項再填窩本頁)

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