TW406322B - Base tilting apparatus - Google Patents

Description

44)638£- 五、發明說明（l) t案係為一種基座角度傾斜裝置，尤指應用於半導體 元件製程中一種基座角度傾斜襞置。 發明背景 隨著現今半導體元件 造的最低線寬，已經可以 低線寬挑戰，因此，每一 母一片晶圓上產生的元件 在半導體製程中，當 晶圓表面會有許多污染物 上一製程步驟的雜質帶到 須對晶圓做清洗，藉以除 當晶圓被清洗時，如 排列於卡 lElO(cassette) 手臂將卡匣1 0依序浸入與 pure DI water)，最後利 完成晶圓的清洗步驟，如 在晶圓在進行清洗步 圓先被浸入乾淨的純去離 間，之後，開啟排液閥將 醇（isopropyl alcohol, 氣（carrier gas ))，藉由 脫水乾燥，再以熱N 2將晶 Maragon i effect)。 製程的進步，積體電路設計與製 降到0 · 2 5〜0 · 2 /z m，並持續向更 片晶圓的厚度可以越來越薄，但 數目卻越來越多。 晶圓（wa f er )被蝕刻、研磨後， 附著，而影響元件性質。為避免 下一製程步驟，每一步驟中間必 去雜質、提高良率。 圖一所示，複數個晶圓1 1被整齊 的溝槽（slot)lOl中，藉由機器 取出清洗液（通常為去離子水 用異丙醇（I P A )將晶圓1 1吹乾， 圖二所示。 驟最後的異丙醇乾燦過程時，晶 子水（pure D I water)中一段時 去離子水排出’同時以微量異丙 IPA)喷灑於晶圓上（以純N2為載 異丙醇的蒸發，使晶圓表面達到 圓完全吹乾’此為馬林根效應（

第4頁 五、發明說明（2) 40632^ 隨著各種蝕刻與研磨步驟的進行，晶圓的厚度會不斷 的變薄。若晶圓被研磨至2 0 0 # m以下時，晶圓的厚度相對 於每一個溝槽的擋板（p i t ch )寬度就顯得很薄，晶圓將無 法完全直立，而有如紙張般產生自然彎曲度，使得晶圓與 晶圓間部份區域產生接觸，如圖三所示。若此時需進行蝕 刻與清洗步驟，當去液體排出使液體液面下降時，晶圓與 晶圓間之間產生的類似靜電引力，會使晶圓黏在一起，而 無法達到馬林根效應，使其往後的動作，如微量I P A喷灑 或熱N2噴灑失去應有的功效。 職是之故，本發明鑑於習知技術的缺失，乃經悉心試 驗與研究，並一本棄而不捨之精神，終創作出本案『基座 角度傾斜裝置』，使得使用較薄晶圓時仍然能夠很容易將 晶圓吹乾，避免黏片，以下為本案之簡要說明。 發明綜合說明 本案之目的係提供一種新穎的基座角度傾斜裝置，使 得很薄的晶圓與晶圓間不會接觸，進而防止黏片現象。 本案之目的係提供一種新穎的基座角度傾斜裝置，可 以有效避免很薄的晶圓黏片，僅需要在原先的蝕刻槽或清 洗槽中增置此一裝置，可以立即應用於現有製程中，而不 需要花費大量金錢改變原有製程設備。 本案之目的係提供一種新穎的基座角度傾斜機構，可 以有效避免很薄的晶圓黏片，大幅增進生產效能。 本案的基座角度傾斜裝置，包括一基座，係置於一平

五、發明說明（3) 4〇533i~" ' 面上，該基座之一邊緣為可旋動式連接於該平面上，以及 一牵引裝置’係連接於該可旋動邊緣之相對—邊緣上，用 以牵引該相對邊緣，使該基座傾斜一特定角度。 根據上述之構想，該牽引裝置包含一連$，其一端係 垂直1接於該相對邊緣，以及一轉軸，係連接於i連桿之 另一端’藉由旋轉該特定角度，使該連桿提昇以使該基座 傾斜該特定角度。 根據上述之構想，該牽引裝置更包括一電磁閥，電連 接於該轉軸’用以控制該轉軸旋轉該特定角度。 — 根據上述之構想，該基座更包含一固定卡榫，用以固 疋承載物於其上，較佳者’該承載物是一排列有複數個 晶圓（Wafer)的卡® (cassette)。較佳者，該晶圓的厚度 係小於2 0 0 // m。 根據上述構想’本案之基座角度傾斜裝置所傾斜的該 特定角度為一銳角，特別是9。。 道胁^據上述構想本案之基座角度傾斜裝置係適用於半 導體清洗製程的一清洗槽中。 干 主道ί ί"述構想’本案之基座角度傾斜裝置係使用於該 /月製程之異丙醇（isopropyl alcohol, ΙΡΑ)乾燥 過程。 解本案仵藉由下列圖示即詳細說明，俾使一更深入之瞭 圖示簡單說明

五、發明說明（4) 406物 第一圖為一般.半導體製程中承載晶圓用卡匣 (cassette)的示意圖 ° 第二圖為半導體製程中的晶圓清洗步驟。 第三圖為當晶圓厚度變薄時，晶圓與晶圓之間因產生 自然—曲度而接觸的示意圖。 第四圖為本案之基座傾斜裝置的示意圖。 第五圖為當晶圓厚度變薄時，利用本案之基座角度傾 斜裝置使卡匣產生一特定角度傾斜，而避免晶圓與晶圓之 間因產生自然彎曲度而接觸的示意圖。 本案圖示中所包含的各元件列示如下： 10 卡匣 11 晶圓 101 溝槽 30 儲液槽（清洗槽） 20 基座 301 底面 201 可旋動邊緣 40 轉軸 202 相對邊緣 50 連桿 203 固定卡榫 較佳實施例說明 由於較薄的晶圓在蝕刻或清洗過程中，當液體液面下 降時，會因為靜電引力，產生黏片現象，造成後續製程的 困擾，本案提供一種新穎的基座角度傾斜裝置，使得晶圓 與晶圓間不會接觸，進而防止黏片現象。 本案之基座角度傾斜裝置係附加設置於一般半導體製

4063££ 五、發明說明（5) 程的儲液槽3 0中，例如為半導體清洗製程的清洗槽、或半 導體蝕刻製程的蝕刻槽中，不需要更動現有製程其他設 備。本案的基座角度傾斜裝置如圖四所示。該基座角度傾 斜裝置包括一基座20 ’以及一牽引裝置。該基座2〇係置於 一儲液槽30的底面301上’該基座20之一邊緣201係可旋動 式連接於該底面301上。該牽引裝置係連接於該可旋動邊 緣2 0 1之相對一邊緣2 〇 2上，用以牽引該相對邊緣2 〇 2，使 該基座20傾斜一特定角度。該牽引裝置包括一連桿5〇，以 及一轉軸40。該連桿50之一端係垂直連接於該相對邊緣 202 ’另一端係連接於該轉軸4〇，藉由該轉軸4〇旋轉該特 定角度，使該連桿5 0提昇以使該基座2 〇傾斜該特定角度。、 當本案之基座角度傾斜裝置使用於半導體清洗步驟 時，基座20上具有一固定卡榫203用以固定一排列有複數 個晶圓的卡匣於其上，每一片晶圓是被整齊排列於卡匣 (cassette)的溝槽（si〇t)中。當清洗槽3〇中去離子水被排 出時，電磁閥就控制基座角度傾斜裝置運作，使置於基座 20上的卡匣產生一特定角度的傾斜。由於卡匣具有傾斜角 度’晶圓便很自然地隨之整齊傾斜於溝槽中，而避免晶圓 與晶圓間的接觸，如圖五所示。因此，當清洗槽3 〇中的水 位下降時’晶圓與晶圓之間就不會因為靜電引力，而使晶 圓相黏再一起，之後便可以利用異丙醇（IpA)與氮氣（h〇t N 2 )嗔灌’使每一片晶圓達到完全乾燥。 本案的基座角度傾斜裝置尤其適用於晶圓厚度小於 20 0 # m的情形下，而且經過實驗發現，基座傾斜的特定角

40 6 8独 五、發明說明（6) 度以9 °可以幫助晶圓得到最佳的乾燥效果。 本案的牽引裝置較佳者更包括一電磁閥，電連接於該 轉軸，用以控制該轉軸4 0的旋轉該特定角度。因此使得本 案的基座角度傾斜裝置可以因應各種不同的需要，以電腦 精確控制傾斜角度。 本案得由熟悉本技術之人士任施匠思而為諸般修飾， 然皆不脫如附申請專利範圍所欲保護者。

Claims (1)

1. 4Q63Z2 六、申請專利範圍 1. 一種基座角度傾斜裝置，係應用於半導體元件製程 中，包括： 一基座，係置於一平面上，該基座之一邊緣為可旋動 式連接於該平面上；以及 一牽引裝置，係連接於該可旋動邊緣之相對一邊緣 上，用以牽引該相對邊緣，使該基座傾斜一特定角度。 2. 如申請專利範圍第1項所述之基座角度傾斜裝置，其中 該牽引裝置包含： 一連桿，其一端係垂直連接於該相對邊緣；以及 一轉軸，係連接於該連桿之另一端，藉由旋轉該特定 角度，使該連桿提昇以帶動該基座傾斜該特定角度。 3. 如申請專利範圍第2項所述之基座角度傾斜裝置，其中 該牽引裝置更包括一電磁閥，電連接於該轉軸，用以控制 該轉軸旋轉該特定角度。 4. 如申請專利範圍第1項所述之基座角度傾斜裝置，其中 該基座更包含一固定卡榫，用以固定一承載物於其上。 5. 如申請專利範圍第4項所述之基座角度傾斜裝置，其中 該承載物為一排列有複數個晶圓（w a f e r )的卡匣 (cassette)。 6. 如申請專利範圍第5項所述之基座角度傾斜裝置，其中 該晶圓的厚度小於2 0 0 // m。 7. 如申請專利範圍第1項所述之基座角度傾斜裝置，其中 該特定角度為一銳角。 8. 如申請專利範圍第7項所述之基座角度傾斜裝置，其中

   第10頁 _mm__——____ 六、申請專利範圍 該銳角約為9 ° 。 9. 如申請專利範圍第1項所述之基座角度傾斜裝置，其中 該基座角度傾斜裝置係使用於半導體清洗製程的一清洗槽 中。 10. 如申請專利範圍第9項所述之基座角度傾斜裝置，其 中該基座角度傾斜裝置係使用於該半導體清洗製程之異丙 醇（isopropyl alcohol, IPA)乾燥過程。 11· 一種基座角度傾斜裝置，係應用於半導體元件製程 中，包括： 一基座’係置於一平面上，該基座之一邊緣為可旋動 式連接於該平面上； 1 一連桿：，其一端係垂直連接於該可旋動邊緣之相對一 邊緣上；以及 一轉轴，係連接於該連桿之另一端，藉由旋轉一特定 角度’使該連桿提昇而帶動該基座傾斜該特定角度。 12.如申請專利範圍第1 1項所述之基座角度傾斜f置，其 中該牽引裝置更包括一電磁閥，電連接於該轉軸，用以控 制該轉軸旋轉該特定角度。 ^讨t Ϊ請專利範圍第1 2項所述之基座角度傾斜裝置，其 14.'如ΐ二1含二固定卡榫，用以固定一承載物於其上。 +兮i :、利範圍第1 3項所述之基座角度傾斜裝置，其、 . +物為—排列有複數個晶圓（wafer)的卡£

   第11頁 Λ 406322 六、申請專利範圍 中該晶圓的厚度小於2 0 0 # m。 16. 如申請專利範圍第1 1項所述之基座角度傾斜裝置，其 中該特定角度為一銳角。 17. 如申請專利範圍第1 6項所述之基座角度傾斜裝置，其 中該銳角約為9° 。 $ 18. 如申請專利範圍第1 1項所述‘之基座角度傾斜裝置，其 中該基座角度傾斜裝置係使用於半導體清洗製程的一清洗 槽中。 19. 如申請專利範圍第1 8項所述之基座角度傾斜裝置，其 中該基座角度傾斜裝置係使用於該半導體清洗製程之異丙 醇（isopropyl alcohol, IPA)乾燥過程 ° 20. 一種基座角度傾斜裝置，係應用於半導體清洗製程之 異丙醇（isopropyl aic〇h〇i，iPA)乾燥過程中，包括： 一基座，係置於一平面上’該基座之一邊緣為可旋動 式連接於該平面上； 一連桿’其一端係垂直連接於該可旋動邊緣之相對一 邊緣上； 一轉軸，係連接於該連桿之另一端，藉由旋轉一特定 角度’使該連桿提昇而帶動該基座傾斜該特定角度；以及 一電磁閥’電連接於該轉軸，用以控制該轉軸旋轉該特定 角度。

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